JPH0635172A - ダミー回折マスク - Google Patents
ダミー回折マスクInfo
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
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- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70158—Diffractive optical elements
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】光露光装備を利用してリソグラフィ工程を遂行
する際に、主マスクと補助的に用いられるダミー回折層
を有するマスクが開示される。このダミー回折層は、変
形照明と超解像フィルタを用いた露光装備を用いる場合
に、主マスクと補助的に使用し、ウェーハに像が伝達さ
れない微細反復パターンに構成される。 【効果】主マスクに入射する（或いは主マスクを通過す
る）光の性質、即ち、光の入射角（または透過角）およ
び入射角（または透過角）による分布を、露光装備次元
でないマスクの次元で改善して、解像力および焦点深度
を向上させることができる。
する際に、主マスクと補助的に用いられるダミー回折層
を有するマスクが開示される。このダミー回折層は、変
形照明と超解像フィルタを用いた露光装備を用いる場合
に、主マスクと補助的に使用し、ウェーハに像が伝達さ
れない微細反復パターンに構成される。 【効果】主マスクに入射する（或いは主マスクを通過す
る）光の性質、即ち、光の入射角（または透過角）およ
び入射角（または透過角）による分布を、露光装備次元
でないマスクの次元で改善して、解像力および焦点深度
を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光露光装置を利用し
て、半導体装置の微細パターンを形成するのに用いられ
るダミー回折マスク（Dummy Diffraction Mask)に関す
る。
て、半導体装置の微細パターンを形成するのに用いられ
るダミー回折マスク（Dummy Diffraction Mask)に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路を製造する場合におい
て、光露光装置を利用してパターンを形成する技術は、
高い解像力および大きな焦点深度を要求している。
て、光露光装置を利用してパターンを形成する技術は、
高い解像力および大きな焦点深度を要求している。
【０００３】光露光装置を利用するリソグラフィ（Ｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程時、微細パターンの解像力お
よび焦点深度特性を改善するため、最近、位相シフトマ
スク（Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｍａｓｋ）の使用が積
極検討されている。しかし、これは、その設計および製
作が難しく、検査および修整技術も同様に困難であるた
め、いまだ、実用に供し得ない実情である。
ｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程時、微細パターンの解像力お
よび焦点深度特性を改善するため、最近、位相シフトマ
スク（Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｍａｓｋ）の使用が積
極検討されている。しかし、これは、その設計および製
作が難しく、検査および修整技術も同様に困難であるた
め、いまだ、実用に供し得ない実情である。
【０００４】光露光技術により半導体構造において、解
像度の役割は、その何よりも重要である。
像度の役割は、その何よりも重要である。
【０００５】光露光技術において、解像力を向上させ焦
点深度を高めて、工程の安定性を追求する方法は、大き
く三つに区分することができる。その１番目が、露光装
備の改善で、２番目がマスクの改善、３番目が感光剤
（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）の改善である。
点深度を高めて、工程の安定性を追求する方法は、大き
く三つに区分することができる。その１番目が、露光装
備の改善で、２番目がマスクの改善、３番目が感光剤
（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）の改善である。
【０００６】既存のフォトマスクの構造を改善する、よ
り高い解像力と工程の安定を追求している構造として、
位相シフトマスクが研究、検討されている。しかし、こ
れは、その設計および製作、検査および修整等が非常に
難しいため、実用化されない実情である。
り高い解像力と工程の安定を追求している構造として、
位相シフトマスクが研究、検討されている。しかし、こ
れは、その設計および製作、検査および修整等が非常に
難しいため、実用化されない実情である。
【０００７】このような理由に因って、最近では、既存
のマスクを用いて、マスクに入射する（或いはマスクを
通過する）光の性質、即ち、光の入射角（または透過
角）、および、入射角（または透過角）による分布を露
光装備で調節して、解像力および焦点深度を高めようと
する、変形照明（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｉｌｌｕｍｉｎａ
ｔｉｏｎ）および超解像フィルタ（Ｓｕｐｅｒ Ｒｅｓ
ｏｌｕｔｉｏｎ Ｆｉｌｔｅｒ）等に対する研究が、さ
らに活発になされている。
のマスクを用いて、マスクに入射する（或いはマスクを
通過する）光の性質、即ち、光の入射角（または透過
角）、および、入射角（または透過角）による分布を露
光装備で調節して、解像力および焦点深度を高めようと
する、変形照明（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｉｌｌｕｍｉｎａ
ｔｉｏｎ）および超解像フィルタ（Ｓｕｐｅｒ Ｒｅｓ
ｏｌｕｔｉｏｎ Ｆｉｌｔｅｒ）等に対する研究が、さ
らに活発になされている。
【０００８】光露光装置のうち、照明系の改造によっ
て、解像度および焦点深度を向上させようとする変形照
明の根本的な原理は、マスクに入射する光成分を、望む
入射角および入射分布に斜めに入射させ、照明すること
にあって、マスク伝達凾数のフーリエ（Ｆｏｕｒｉｅ
ｒ）成分中０次の雑音成分を、間接的に減らして、投影
系のレンズの有限な大きさのために伝達されなかった高
次の成分等を伝達させたので、より高い解像力と向上さ
れた焦点深度を得ることができる。
て、解像度および焦点深度を向上させようとする変形照
明の根本的な原理は、マスクに入射する光成分を、望む
入射角および入射分布に斜めに入射させ、照明すること
にあって、マスク伝達凾数のフーリエ（Ｆｏｕｒｉｅ
ｒ）成分中０次の雑音成分を、間接的に減らして、投影
系のレンズの有限な大きさのために伝達されなかった高
次の成分等を伝達させたので、より高い解像力と向上さ
れた焦点深度を得ることができる。
【０００９】また、超解像フィルタは、マスクを通過し
た光のフーリエ（Ｆｏｕｒｉｅｒ）成分が、投影レンズ
の入射瞳（Ｅｎｔｒａｎｃｅ Ｐｕｐｉｌ）に焦点を結
ぶ性質を利用して、入射瞳の中心部を遮光してマスク伝
達凾数の０次雑音成分を直接的に減らすようにする。
た光のフーリエ（Ｆｏｕｒｉｅｒ）成分が、投影レンズ
の入射瞳（Ｅｎｔｒａｎｃｅ Ｐｕｐｉｌ）に焦点を結
ぶ性質を利用して、入射瞳の中心部を遮光してマスク伝
達凾数の０次雑音成分を直接的に減らすようにする。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記の露光装備次元の
研究等において、従来、露光装備の単純な改造では、生
産性が劣って実用可能性が少ないため、そのような技術
を適用するための装備を新たに開発する必要がある。ま
た、従来の露光装備は、効果面においても、一定な反復
パターンの場合には効果が優れるが、周期が異なる反復
パターンが共にあるか、孤立パターン等と共にある場合
には、効果を呈するパターン以外のパターンには充分な
効果を得られないとか、却って、悪影響を及ぼす欠点が
ある。このため、最近、この部分の補完のため、努力が
積極推進されている実情である。
研究等において、従来、露光装備の単純な改造では、生
産性が劣って実用可能性が少ないため、そのような技術
を適用するための装備を新たに開発する必要がある。ま
た、従来の露光装備は、効果面においても、一定な反復
パターンの場合には効果が優れるが、周期が異なる反復
パターンが共にあるか、孤立パターン等と共にある場合
には、効果を呈するパターン以外のパターンには充分な
効果を得られないとか、却って、悪影響を及ぼす欠点が
ある。このため、最近、この部分の補完のため、努力が
積極推進されている実情である。
【００１１】従って、本発明は、主マスクに入射する
（或いは主マスクを通過する）光の性質、即ち、光の入
射角（または透過角）および入射角（または透過角）に
よる分布を、露光装備次元でないマスクの次元で改善し
て、解像力および焦点深度を向上させることができるダ
ミー回折マスクを提供することを目的とする。
（或いは主マスクを通過する）光の性質、即ち、光の入
射角（または透過角）および入射角（または透過角）に
よる分布を、露光装備次元でないマスクの次元で改善し
て、解像力および焦点深度を向上させることができるダ
ミー回折マスクを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の一つの態様によれば、ダミー回折マスク
は、光露光装備を利用してリソグラフィ工程を達するに
おいて、主マスクと補助的に用いて、回折層のパターン
が、露光装備の光学的像転写特性（Ｉｍａｇｅ ｔｒａ
ｎｓｆｅｒ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）および感
光剤の特性上、ウェーハ上の感光剤に転写された像が解
像されない微細な反復パターンに構成されたダミー回折
層を有することを特徴とする。
め、本発明の一つの態様によれば、ダミー回折マスク
は、光露光装備を利用してリソグラフィ工程を達するに
おいて、主マスクと補助的に用いて、回折層のパターン
が、露光装備の光学的像転写特性（Ｉｍａｇｅ ｔｒａ
ｎｓｆｅｒ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）および感
光剤の特性上、ウェーハ上の感光剤に転写された像が解
像されない微細な反復パターンに構成されたダミー回折
層を有することを特徴とする。
【００１３】本発明の他の特徴によれば、ダミー回折マ
スクは、変形照明と超解像フィルタを用いた露光装備を
用いる場合において、主マスクと補助的に用いて、ウェ
ーハに転写された像が解像されない微細反復パターンに
構成されたダミー回折層を有することを特徴とする。
スクは、変形照明と超解像フィルタを用いた露光装備を
用いる場合において、主マスクと補助的に用いて、ウェ
ーハに転写された像が解像されない微細反復パターンに
構成されたダミー回折層を有することを特徴とする。
【００１４】上記ダミー回折マスクにおいて、上記ダミ
ー回折層は、単層或いは多層に構成して、主マスクと一
体或いは分離されて構成されることを特徴とする。
ー回折層は、単層或いは多層に構成して、主マスクと一
体或いは分離されて構成されることを特徴とする。
【００１５】同じく、上記マスクにおいて、ダミー回折
層は、例えばクロムで形成された遮光膜パターン、透明
膜パターン、石英基板を蝕刻するパターン中、いずれか
一つで構成されたもの、または、それぞれのパターンが
組み合わせられたものを特徴とする。
層は、例えばクロムで形成された遮光膜パターン、透明
膜パターン、石英基板を蝕刻するパターン中、いずれか
一つで構成されたもの、または、それぞれのパターンが
組み合わせられたものを特徴とする。
【００１６】そして、ダミー回折層を形成するパターン
は、露光装備による光学的像転写および感光剤の特性
上、ウェーハの感光剤に転写されない微細なパターンに
構成して、同期性のある１次元または２次元の格子（Ｇ
ｒａｔｉｎｇ）パターンに構成することを特徴とする。
は、露光装備による光学的像転写および感光剤の特性
上、ウェーハの感光剤に転写されない微細なパターンに
構成して、同期性のある１次元または２次元の格子（Ｇ
ｒａｔｉｎｇ）パターンに構成することを特徴とする。
【００１７】上記ダミー回折層（２０，２０ａ）を形成
する格子パターンは、１周期が主マスク（１０）の遮光
膜（１１）の反復パターン周期の整数倍であり、上記ダ
ミー回折層（２０，２０ａ）と主マスク（１０）間の距
離は、ダミー回折層（２０，２０ａ）を構成する反復パ
ターン（２１，２２，２３）の周期より相対的に大きい
ので、ダミー回折層（２０，２０ａ）は、主マスク（１
０）の遮光膜（１１）パターンにより互いに異なる周期
の反復パターン群が区域別に互いに異なる方向性を有す
るパターンに構成され得ることを特徴とする。
する格子パターンは、１周期が主マスク（１０）の遮光
膜（１１）の反復パターン周期の整数倍であり、上記ダ
ミー回折層（２０，２０ａ）と主マスク（１０）間の距
離は、ダミー回折層（２０，２０ａ）を構成する反復パ
ターン（２１，２２，２３）の周期より相対的に大きい
ので、ダミー回折層（２０，２０ａ）は、主マスク（１
０）の遮光膜（１１）パターンにより互いに異なる周期
の反復パターン群が区域別に互いに異なる方向性を有す
るパターンに構成され得ることを特徴とする。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１９】本発明のダミー回折マスクの構造は、図１
に図示されるように、主マスク（１０）の上部（或いは
下部或いは上下部）に形成され、ウェーハ上の感光剤に
転写された像が、露光装備による光学的像転写（伝達原
理および感光剤の特性上、殆ど解像されない微細な反復
パターンに形成された回折層（２０）になっている。
に図示されるように、主マスク（１０）の上部（或いは
下部或いは上下部）に形成され、ウェーハ上の感光剤に
転写された像が、露光装備による光学的像転写（伝達原
理および感光剤の特性上、殆ど解像されない微細な反復
パターンに形成された回折層（２０）になっている。
【００２０】未説明番号（１１）は、主マスク（１０）
に形成された遮光膜パターンである。上部のダミー回折
層は、図１（Ａ）においてと同じく、この層に垂直に入
射する光を、上記回折層（２０）のパターンによる光の
回折現象および回折された光の干渉現象を利用して、主
マスク（１０）に垂直に入射する光の成分を減らして、
一定な入射角を有する斜入射成分を増やす役割をして、
この時、回折層（２０）のパターンの大きさおよび態様
によって、光を、所望の入射角および入射角による分布
を有するようにして、上記主マスク（１０）に照明する
ことができる。
に形成された遮光膜パターンである。上部のダミー回折
層は、図１（Ａ）においてと同じく、この層に垂直に入
射する光を、上記回折層（２０）のパターンによる光の
回折現象および回折された光の干渉現象を利用して、主
マスク（１０）に垂直に入射する光の成分を減らして、
一定な入射角を有する斜入射成分を増やす役割をして、
この時、回折層（２０）のパターンの大きさおよび態様
によって、光を、所望の入射角および入射角による分布
を有するようにして、上記主マスク（１０）に照明する
ことができる。
【００２１】図１（Ｂ）に図示されるように、主マスク
（１０）の下部側に設けられる下部の回折層（２０ａ）
は、光の回折現象を利用して、主マスク（１０）に導か
れる光ビームの０次雑音成分を直接的に減らす役割を果
たし、究極的に、既存マスクの解像力を高め、焦点深度
を向上させる。
（１０）の下部側に設けられる下部の回折層（２０ａ）
は、光の回折現象を利用して、主マスク（１０）に導か
れる光ビームの０次雑音成分を直接的に減らす役割を果
たし、究極的に、既存マスクの解像力を高め、焦点深度
を向上させる。
【００２２】本発明のダミー回折マスクは、露光装備次
元でないマスクの次元で、光の入射（または透過）方向
を調節することができる構造を持つ。その結果、主マス
ク（１０）のパターン形態によって、回折層（２０，２
０ａ）を多様に設計することができて、既存の露光装備
改善次元の欠点を克服することができる大きな利点があ
る。
元でないマスクの次元で、光の入射（または透過）方向
を調節することができる構造を持つ。その結果、主マス
ク（１０）のパターン形態によって、回折層（２０，２
０ａ）を多様に設計することができて、既存の露光装備
改善次元の欠点を克服することができる大きな利点があ
る。
【００２３】また、変形照明と超解像フィルタを利用す
る装備と共に用いられる場合、逆に、斜入射効果を抑制
する方法にも用いられ、効果を得ようとする、目的のパ
ターン以外の異なるパターンにかかる悪影響の抑制に
も、大きな効果を示すことができる。
る装備と共に用いられる場合、逆に、斜入射効果を抑制
する方法にも用いられ、効果を得ようとする、目的のパ
ターン以外の異なるパターンにかかる悪影響の抑制に
も、大きな効果を示すことができる。
【００２４】また、設計および製作上の難易度が、既存
のマスク製作と同等な水準で、現在の技術でも、充分に
実用化することができる。
のマスク製作と同等な水準で、現在の技術でも、充分に
実用化することができる。
【００２５】上記図１（Ａ）および（Ｂ）に示されるよ
うに、本発明のダミー回折マスクは、上部回折層（２
０）または下部回折層（２０ａ）として用いることがで
きるが、図１（Ｃ）に図示されるように、本発明のダミ
ー回折マスクを、上部および下部回折層（２０，２０
ａ）に共に用いる時には、入射光の斜入射成分を増やし
て、同時に、主マスク（１０）の０次雑音成分を直接減
らすことができる。このような回折層の役割を、図２
（Ａ）と（Ｂ）を参照して説明する。
うに、本発明のダミー回折マスクは、上部回折層（２
０）または下部回折層（２０ａ）として用いることがで
きるが、図１（Ｃ）に図示されるように、本発明のダミ
ー回折マスクを、上部および下部回折層（２０，２０
ａ）に共に用いる時には、入射光の斜入射成分を増やし
て、同時に、主マスク（１０）の０次雑音成分を直接減
らすことができる。このような回折層の役割を、図２
（Ａ）と（Ｂ）を参照して説明する。
【００２６】図２（Ａ）において、本発明のダミー回折
マスクを上部回折層（２０）に用いる時、上部回折層
（２０）に入射された垂直入射光が減少する一方、斜入
射光が増して、主マスク（１０）に直接提供されること
を示している。本発明のダミー回折マスクが下部回折層
（２０ａ）を形成するために用いられる場合、主マスク
（１０）を通して下部回折層（２０ａ）に導かれる光の
一部の０次雑音成分が遮蔽され、減少される。
マスクを上部回折層（２０）に用いる時、上部回折層
（２０）に入射された垂直入射光が減少する一方、斜入
射光が増して、主マスク（１０）に直接提供されること
を示している。本発明のダミー回折マスクが下部回折層
（２０ａ）を形成するために用いられる場合、主マスク
（１０）を通して下部回折層（２０ａ）に導かれる光の
一部の０次雑音成分が遮蔽され、減少される。
【００２７】図３は、遮光膜で本発明のダミー回折マス
クを作られること、および、この回折層が主マスクの上
部に置かれる構造を、１例として、多くの形態の回折層
構造を図示している。
クを作られること、および、この回折層が主マスクの上
部に置かれる構造を、１例として、多くの形態の回折層
構造を図示している。
【００２８】図３（Ａ）は、主マスク（１０）と一体に
された上部回折層（２０）を例示して、（Ｂ）は主マス
ク（１０）と分離された単層の上部回折層（２０）を例
示しており、（Ｃ）と（Ｄ）は、一体または分離形態の
多層構造を有する上部回折層（２０）を各々例示してい
る。
された上部回折層（２０）を例示して、（Ｂ）は主マス
ク（１０）と分離された単層の上部回折層（２０）を例
示しており、（Ｃ）と（Ｄ）は、一体または分離形態の
多層構造を有する上部回折層（２０）を各々例示してい
る。
【００２９】図３で、回折層（２０）が主マスク（１
０）の上部位置に置かれる構造を例示している。本発明
は、これに限定されない。図２に図示されたように、同
一および類似する構造を有する回折層が、主マスク（１
０）の下部位置に置かれても同一な効果を期待すること
は自明である。
０）の上部位置に置かれる構造を例示している。本発明
は、これに限定されない。図２に図示されたように、同
一および類似する構造を有する回折層が、主マスク（１
０）の下部位置に置かれても同一な効果を期待すること
は自明である。
【００３０】図３に図示されたダミー回折層（２０）
で、例えば、石英基板に形成されたパターンと、主マス
ク（１０）に形成された遮光膜（１１）のパターンとの
関係において、ダミー回折層（２０）に形成された反復
パターンの周期を、遮光膜（１１）の反復パターンの周
期より相対的に大きくして整数倍にすることが、ダミー
回折層を通過する垂直入射光を減少して、同時に、斜入
射成分を増加する。それによって、マスクの解像度およ
び焦点深度の改善に、より好ましい結果を得ることがで
きる。
で、例えば、石英基板に形成されたパターンと、主マス
ク（１０）に形成された遮光膜（１１）のパターンとの
関係において、ダミー回折層（２０）に形成された反復
パターンの周期を、遮光膜（１１）の反復パターンの周
期より相対的に大きくして整数倍にすることが、ダミー
回折層を通過する垂直入射光を減少して、同時に、斜入
射成分を増加する。それによって、マスクの解像度およ
び焦点深度の改善に、より好ましい結果を得ることがで
きる。
【００３１】同じく、ダミー回折層と主マスク間の距離
は、ダミー回折層（２０）に形成される反復パターンの
周期より大きくすることが、効果面で好ましい。同じ
く、ダミー回折層（２０，２０ａ）は、主マスク（１
０）の遮光膜（１１）パターンにより、互いに異なる周
期の反復パターン群が、区域別に互いに異なる方向性を
有するパターンに形成されることができる。
は、ダミー回折層（２０）に形成される反復パターンの
周期より大きくすることが、効果面で好ましい。同じ
く、ダミー回折層（２０，２０ａ）は、主マスク（１
０）の遮光膜（１１）パターンにより、互いに異なる周
期の反復パターン群が、区域別に互いに異なる方向性を
有するパターンに形成されることができる。
【００３２】図４（Ａ）〜（Ｃ）は本発明のダミー回折
層の材質を例示する。図４（Ａ）は、石英基板上にクロ
ム成分の遮光膜パターン（２１）が形成された回折層で
ある。（Ｂ）は、石英基板上に透明膜パターン（２２）
が形成された回折層である。（Ｃ）は、石英基板の表面
が所定のパターン（２３）に蝕刻された回折層である。
さらに、本発明の回折層は、図４（Ａ）〜（Ｃ）におい
て、図示された多くのパターンから選択される一つまた
は二つ以上の組み合わせで、製造され、使用することが
できる。
層の材質を例示する。図４（Ａ）は、石英基板上にクロ
ム成分の遮光膜パターン（２１）が形成された回折層で
ある。（Ｂ）は、石英基板上に透明膜パターン（２２）
が形成された回折層である。（Ｃ）は、石英基板の表面
が所定のパターン（２３）に蝕刻された回折層である。
さらに、本発明の回折層は、図４（Ａ）〜（Ｃ）におい
て、図示された多くのパターンから選択される一つまた
は二つ以上の組み合わせで、製造され、使用することが
できる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、主マスクに入射する
（或いは主マスクを通過する）光の性質、即ち、光の入
射角（または透過角）および入射角（または透過角）に
よる分布を、露光装備次元でないマスクの次元で改善し
て、解像力および焦点深度を向上させることができる。
（或いは主マスクを通過する）光の性質、即ち、光の入
射角（または透過角）および入射角（または透過角）に
よる分布を、露光装備次元でないマスクの次元で改善し
て、解像力および焦点深度を向上させることができる。
【図１】本発明のダミー回折マスクの回折層と主マスク
の位置を例示する図面であり、（Ａ）は主マスク上部に
回折層が置かれた構造、（Ｂ）は主マスク下部に回折層
が置かれた構造、および、（Ｃ）は主マスク上部に回折
層が置かれた構造をそれぞれ模式的に示す説明図。
の位置を例示する図面であり、（Ａ）は主マスク上部に
回折層が置かれた構造、（Ｂ）は主マスク下部に回折層
が置かれた構造、および、（Ｃ）は主マスク上部に回折
層が置かれた構造をそれぞれ模式的に示す説明図。
【図２】本発明の回折層の役割を説明するための図面で
あり、（Ａ）は上部回折層の役割を示す説明図、（Ｂ）
は下部回折層の役割を示す説明図。
あり、（Ａ）は上部回折層の役割を示す説明図、（Ｂ）
は下部回折層の役割を示す説明図。
【図３】本発明のダミー回折マスクの多くの形態上の構
造を示した図面であり、（Ａ）は一体型単層回折層、
（Ｂ）は分離型単層回折層、（Ｃ）は一体型多層回折
層、および、（Ｄ）は分離型多層回折層をそれぞれ模式
的に示す説明図。
造を示した図面であり、（Ａ）は一体型単層回折層、
（Ｂ）は分離型単層回折層、（Ｃ）は一体型多層回折
層、および、（Ｄ）は分離型多層回折層をそれぞれ模式
的に示す説明図。
【図４】本発明のダミー回折層の材質別構造を示した図
面であり、（Ａ）は遮光膜（クロム）パターンに形成さ
れた回折層、（Ｂ）は透明膜パターンに形成された回折
層、および、（Ｃ）は石英基板蝕刻パターンに形成され
た回折層をそれぞれ示す断面図。
面であり、（Ａ）は遮光膜（クロム）パターンに形成さ
れた回折層、（Ｂ）は透明膜パターンに形成された回折
層、および、（Ｃ）は石英基板蝕刻パターンに形成され
た回折層をそれぞれ示す断面図。
１０…主マスク、１１…遮光膜、２０，２０ａ…ダミー
回折層、２１…遮光膜パターン、２２…透明膜パター
ン、２３…蝕刻するパターン。
回折層、２１…遮光膜パターン、２２…透明膜パター
ン、２３…蝕刻するパターン。
フロントページの続き (72)発明者 金 孝重 大韓民国大田直轄市大徳区松村洞291−29
Claims (9)
- 【請求項１】露光装備を利用してリソグラフィ工程を遂
行する場合において、主マスクと補助的に用いて、露光
装備の光学的像転写特性および感光剤の特性上、ウェー
ハ上の感光剤に像が解像されないよう微細な反復パター
ンに構成されたダミー回折層（２０，２０ａ）を有する
ダミー回折マスク。 - 【請求項２】請求項１において、上記ダミー回折層（２
０，２０ａ）は、単層或いは多層に構成され、主マスク
（１０）と一体或いは分離されたことを特徴とするダミ
ー回折マスク。 - 【請求項３】請求項１において、ダミー回折層は、石英
基板上に遮光膜パターン（２１）、透明膜パターン（２
２）および石英基板を蝕刻するパターン（２３）のう
ち、一つで構成されたことを特徴とするダミー回折マス
ク。 - 【請求項４】請求項１において、ダミー回折層は、石英
基板上に遮光膜パターン（２１）、透明膜パターン（２
２）および石英基板を蝕刻するパターン（２３）を、少
なくとも二つの組み合わせて構成されたことを特徴とす
るダミー回折マスク。 - 【請求項５】請求項３において、上記遮光膜パターン
（２１）は、クロムで構成されたことを特徴とするダミ
ー回折マスク。 - 【請求項６】請求項１において、ダミー回折層（２０，
２０ａ）を形成するパターンは、周期性がある一次元ま
たは二次元の格子（Ｇｒａｔｉｎｇ）型パターンおよび
類似する反復パターンで構成することを特徴とするダミ
ー回折マスク。 - 【請求項７】請求項６において、上記ダミー回折層（２
０，２０ａ）を形成する格子パターンは、１周期が主マ
スク（１０）の遮光膜（１１）の反復パターン周期の整
数倍であることを特徴とするダミー回折マスク。 - 【請求項８】請求項６において、上記ダミー回折層（２
０，２０ａ）と主マスク（１０）間の距離は、ダミー回
折層（２０，２０ａ）を構成する反復パターン（２１，
２２，２３）の周期より相対的に大きいことを特徴とす
るダミー回折マスク。 - 【請求項９】請求項１において、ダミー回折層（２０，
２０ａ）は、主マスク（１０）の遮光膜（１１）パター
ンにより互いに異なる周期の反復パターン群が、区域別
に互いに異なる方向性を有するパターンに形成されたこ
とを特徴とするダミー回折マスク。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR920008888 | 1992-05-26 | ||
| KR92-8888 | 1992-05-26 | ||
| KR92-23361 | 1992-12-04 | ||
| KR1019920023361A KR930024107A (ko) | 1992-05-26 | 1992-12-04 | 미해상 회절 마스크(Dummy Diffraction Mask) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0635172A true JPH0635172A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=26629080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12390793A Pending JPH0635172A (ja) | 1992-05-26 | 1993-05-26 | ダミー回折マスク |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0571929A2 (ja) |
| JP (1) | JPH0635172A (ja) |
| KR (1) | KR930024107A (ja) |
| DE (1) | DE571929T1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0171919B1 (ko) * | 1994-03-11 | 1999-03-30 | 김영환 | 노광마스크 |
| JPH07281413A (ja) * | 1994-04-05 | 1995-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| US5635285A (en) * | 1995-06-07 | 1997-06-03 | International Business Machines Corporation | Method and system for controlling the relative size of images formed in light-sensitive media |
| KR101003577B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2010-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 액정표시소자 제조방법 |
| CN101350893B (zh) * | 2007-07-19 | 2011-11-30 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 影像传感器及相机模组 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05188577A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Nikon Corp | フォトマスク及び露光方法並びに投影露光装置 |
| JP3097922B2 (ja) * | 1995-05-16 | 2000-10-10 | アメリカン・メディカル・システムズ・インコーポレーテッド | デュアルアクション注射器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967524A3 (en) * | 1990-11-15 | 2000-01-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
-
1992
- 1992-12-04 KR KR1019920023361A patent/KR930024107A/ko not_active Application Discontinuation
-
1993
- 1993-05-24 EP EP93108370A patent/EP0571929A2/en not_active Withdrawn
- 1993-05-24 DE DE93108370T patent/DE571929T1/de active Pending
- 1993-05-26 JP JP12390793A patent/JPH0635172A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05188577A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Nikon Corp | フォトマスク及び露光方法並びに投影露光装置 |
| JP3097922B2 (ja) * | 1995-05-16 | 2000-10-10 | アメリカン・メディカル・システムズ・インコーポレーテッド | デュアルアクション注射器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0571929A2 (en) | 1993-12-01 |
| DE571929T1 (de) | 1994-04-21 |
| KR930024107A (ko) | 1993-12-21 |
| EP0571929A3 (ja) | 1996-09-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960402 |