JPH07301648A

JPH07301648A - 基板検査装置および基板検査方法

Info

Publication number: JPH07301648A
Application number: JP6094359A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Murai; 博之村井; Kazuhiro Kobayashi; 和弘小林; Kazuhisa Takahashi; 和久高橋
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1994-05-06
Filing date: 1994-05-06
Publication date: 1995-11-14

Abstract

(57)【要約】【目的】アレイ基板状態の検査で、配線欠陥のみなら
ず、画素の欠陥の要因となるスイッチング素子や蓄積容
量の不良も検出できるようにすることを目的とする。【構成】所定の量の電荷を蓄積容量５に保持した状態
で、レーザー光１９ａをこの蓄積容量５に接続している
薄膜トランジスタ４に照射する。そして、このとき発生
する光リーク電流を、波高分析器１４で検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、薄膜トランジスタを
用いたアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイなど
に用いられる、スイッチング素子と蓄積容量とが形成さ
れたアレイ基板の検査装置および検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチ
として用いるアクティブマトリックス型の液晶ディスプ
レイの製造工程では、ＴＦＴが形成されたアレイ基板の
製造工程が完了した段階で、配線検査を行っていた。こ
のアレイ基板の検査は、次のパネル組み立て工程へ投入
する前に良否判定選別を行うために、なされるものであ
る。

【０００３】図１１は、このアレイ基板を検査するため
の、従来の配線検査装置を示す構成図である。同図にお
いて、４１は検査対象である絶縁性基板上に形成された
ＴＦＴが形成されたアレイ基板、４２はアレイ基板４１
における走査配線、４２ａ，４２ｂは走査配線端子、４
３は走査配線４２とは絶縁膜などを介して形成されたデ
ータ配線、４３ａ，４３ｂはデータ配線端子、４４は走
査配線４２とデータ配線４３の交差部それぞれに形成さ
れているＴＦＴ、４５は同様に走査配線４２とデータ配
線４３の交差部それぞれに形成されている蓄積容量、４
６は蓄積容量４５を接続するための共通配線、４６ａは
共通配線４６に外部から信号を入力するための共通配線
端子である。

【０００４】また、４７はアレイ基板４１が載置される
検査ステージ、４８は各端子に接続するプローブ、４８
ａ，４８ｂは複数本のプローブ４８を所定の間隔で一体
に配置したプローブカード、４９は各々のプローブ間の
抵抗を測定する制御測定部である。なお、このアレイ基
板４１は、ＴＦＴアレイ基板に限るものではなく、半導
体基板上に形成されたＭＯＳＦＥＴアレイ基板であって
も良い。

【０００５】次に、図１１に示した配線検査装置を用い
た従来のアレイ基板４１の配線検査方法について説明す
る。まず、例えば、走査配線４２の断線を検査するため
には、プローブカード４８ａ，４８ｂを、各々の走査配
線端子４２ａ，４２ｂに対して、プローブ４８が接触す
るように位置合わせを行う。そして、全てのプローブ４
８が走査配線端子４２ａ，４２ｂに接触している状態
で、各々の走査配線４２の抵抗を制御測定部４９で測定
する。このようにして測定した走査配線４２の抵抗値を
基準抵抗値と比較し、測定抵抗値が基準値以上となって
いる走査配線４２を、断線が生じているものとして検出
する。

【０００６】さらに、走査配線４２の間の短絡を検出す
る場合、前述したプローブ４８を位置合わせして接触さ
せた状態で、走査配線４２の一端の走査配線端子４２ａ
のｎ番目と、他端の走査配線端子４２ｂのｎ＋１番目の
間の抵抗を制御測定部４９で測定する。この測定した抵
抗値が基準値以下の走査配線４２の組を、走査配線間短
絡として検出する。これは、データ配線４３の間の短絡
を検出する場合も同様である。

【０００７】また、走査配線４２とデータ配線４３との
層間短絡を検出する場合は、走査配線端子４２ａとデー
タ配線端子４３ａを用いれば良い。これは、それぞれの
走査配線４２の一端の走査配線端子４２ａに対し、デー
タ配線端子４３ａ全ての間の抵抗値を制御測定部４９に
より測定する。この測定した抵抗値の中で、基準抵抗値
以下である走査配線４２が見つかった場合、さらに、こ
の走査配線４２の走査配線端子４２ａとそれぞれのデー
タ配線端子４３ａとの間の抵抗値を順次測定し、その抵
抗値が基準値以下である走査配線４２とデータ配線４３
の組を層間短絡として検出する。

【０００８】以上のようにして、アレイ基板４１の配線
検査を行い、走査配線４２およびデータ配線４３の断
線，配線間短絡および層間短絡を検出する。このように
短絡などの配線欠陥のあるアレイ基板を用いて液晶パネ
ルを組み立てても、これらの欠陥は線状の表示欠陥とな
り、ディスプレイとしての商品価値を持たない。このた
め配線欠陥の無いアレイ基板を選別して次工程へ進め
る。

【０００９】図１２は、アレイ基板工程から液晶ディス
プレイのモジュール完成までの工程を示すフローチャー
トである。まず、アレイ基板が組み立てられると（ステ
ップＳ１２１）、このアレイ基板について上述したよう
に配線検査が行われる（ステップＳ１２２）。ついで、
この配線検査結果を判定し（ステップＳ１２３）、設定
基準以下のものは不良（ＮＧ）とされる。

【００１０】次に、良品と判定されたアレイ基板はパネ
ル組み立て工程に進みパネル組み立てがなされ（ステッ
プＳ１２４）、パネル組み立てがなされるとパネル点灯
検査が行われる（ステップＳ１２５）。そして、このパ
ネル点灯検査の結果で、パネルとしての良否が判定され
る（ステップＳ１２５）。

【００１１】パネル点灯検査で良品と判定されたパネル
は、実装工程において実装され（ステップＳ１２７）、
ついで液晶表示モジュールとして組み立てられる（ステ
ップＳ１２８）。最後に、液晶表示の状態を点灯検査に
より行い（ステップＳ１２９）、製品としての良否が判
定され（ステップＳ１３０）、良品と判定されたものが
モジュール完成品となる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来は以上のようにな
されていたので、配線欠陥の検出は行えるが、スイッチ
ング素子であるＴＦＴ４４や蓄積容量４５の不良を検出
するのは困難であるという問題があった。このような、
ＴＦＴ４４や蓄積容量４５の不良は、液晶ディスプレイ
において点状の画素欠陥となり、液晶ディスプレイの商
品価値を損なう要因の１つである。

【００１３】このような不良は、液晶パネルとして組み
立てられた後に液晶パネルとして点灯する検査において
初めて検出される。このため、画素不良のあるアレイ基
板が用いられると、液晶パネルの組み立てでアレイ基板
以外に費やされる材料などの製造コストが無駄になって
しまう。

【００１４】一方、パネル組み立て工程においても、液
晶や対向基板に基づく画素不良の要因がある。従って、
パネル組み立て工程後に行われる点灯検査で、点状の画
素欠陥不良が発見されても、これらの不良要因がパネル
組み立て工程で発生したものか、アレイ基板の時点で有
していたものかの区別ができない。このため、発生した
画素欠陥の原因が判定しにくいという問題があった。

【００１５】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、アレイ基板状態で、配線
欠陥のみならず、画素の欠陥の要因となるスイッチング
素子や蓄積容量の不良も検出できるようにすることを目
的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明の基板検査装置
は、薄膜トランジスタなどのスイッチング素子を用いた
アクティブマトリックス型の液晶ディスプレイを構成す
るアレイ基板を検査するものであって、そのアレイ基板
の走査配線に信号を供給する走査信号発生手段と、デー
タ配線に信号を供給するデータ信号発生手段と、スイッ
チング素子個々にレーザー光を順次照射するレーザー照
射手段と、データ配線から信号を取り出す信号取り出し
手段とから構成されていることを特徴とする。（請求項
１）また、アレイ基板の複数の走査線の少なくとも一端を互
いに共通接続させた構造としたことを特徴とする。（請
求項２）

【００１７】そしてまた、データ配線に信号を供給する
ためのプローブおよびデータ配線から信号を取り出すた
めのプローブの少なくとも一方を、複数のデータ配線の
一端に設けられた検査端子に順次走査させるプローブ走
査手段と、レーザー光を、検査対象のスイッチング素子
上にデータ配線と平行に走査させるレーザー走査手段
と、レーザー光が走査する位置を、検査端子を順次走査
できるプローブの走査と連動して、走査配線と平行な方
向に移動させる走査移動手段とを備えたことを特徴とす
る。（請求項３）

【００１８】また、アレイ基板を走査配線と平行な方向
に移動させる基板移動手段と、レーザー光を少なくとも
データ配線と平行に走査させるレーザー走査手段とを備
えるようにしたことを特徴とする。（請求項４）また、
データ配線に信号を供給するためのプローブおよびデー
タ配線から信号を取り出すためのプローブの、少なくと
も一方に信号経路を接続あるいは切り離すためのスイッ
チ手段を備えたことを特徴とする。（請求項５）

【００１９】また、データ配線に信号を供給するための
プローブおよびデータ配線から信号を取り出すためのプ
ローブの少なくとも一方が複数本のプローブを一体とし
た構造とし、その複数本を一体としたプローブの各々
に、信号の経路を接続あるいは切り離すためのプローブ
切り替え手段を備えたことを特徴とする。（請求項６）
また、アレイ基板の複数のデータ配線の一端が短絡した
構造であり、データ配線の他端が結合容量を介して同一
端子に接続された構造であることを特徴とする。（請求
項７）

【００２０】また、アレイ基板の複数のデータ配線の一
端が短絡した構造であり、複数のデータ配線の他端が抵
抗を介して同一端子に接続された構造であり、複数のデ
ータ配線の各々の近傍に電流の変化を検出するためのコ
イルを形成したことを特徴とする。（請求項８）また、
コイルがアレイ基板で用いる走査線，データ配線，表示
画素電極，共通配線および一方の主電極か制御電極を形
成する材料の内、何れか２種類以上によって形成されて
いることを特徴とする。（請求項９）

【００２１】また、アレイ基板の前記走査配線の少なく
とも一端に形成された駆動回路を備え、複数のデータ配
線の少なくとも一端が短絡した構造であることを特徴と
する。（請求項１０）また、アレイ基板の走査配線の少
なくとも一端の駆動回路と、データ配線の一端の駆動回
路とが一体として形成された構造であることを特徴とす
る。（請求項１１）

【００２２】また、この発明の基板検査方法は、ＴＦＴ
などのスイッチング素子を用いたアクティブマトリック
ス型の液晶ディスプレイを構成するアレイ基板を検査す
るものであって、スイッチング素子をオン状態として蓄
積容量に電荷を書き込み、次いで、スイッチング素子を
オフ状態として蓄積容量の電荷を少なくとも１ｍ秒以上
の時間保持し、そして、スイッチング素子にレーザー光
を照射し、このレーザ光照射により発生する前記スイッ
チング素子に接続している蓄積容量の電荷を読み出すよ
うにしたことを特徴とする。（請求項１２）また、第２
の段階における電荷を保持する時間を変えて、第１から
第３の段階を繰り返して蓄積容量の電荷を読み出すこと
を特徴とする。（請求項１３）

【００２３】

【作用】上記のように構成された基板検査装置では、レ
ーザー光を照射したことにより発生するスイッチング素
子の光リーク電流が、データ配線よりパルス状の波形と
なって検出される。また、走査配線の一端を全て互いに
共通接続させたので、全ての走査配線に同時に信号が供
給される。そして、プローブを走査させるようにしたの
で検査対象のデータ配線が変更され、レーザー光の走査
位置をデータ配線と平行な方向に移動するようにしたの
でそれぞれのデータ配線にレーザーが走査して照射され
る。同様に、アレイ基板を移動させることで、検査対象
のデータ配線が変更され、それぞれのデータ配線にレー
ザーが走査して照射される。

【００２４】また、信号経路を切り替えるようにしたの
で、同一のプローブで信号の供給と取り出しとがなされ
る。一方、プローブ切り替え手段により、データ配線へ
入力する信号の入力先データ配線の切り替えが電気的に
行われる。また、データ配線の一端を結合容量を介して
同一端子に接続するようにしたので、定常的なリーク電
流の流入を阻止し、光リーク電流のみが選択的に検出さ
れる。

【００２５】同様に、データ配線の一端に結合容量を介
してこれらを同一の端子に接続し、データ配線の近傍に
コイルを配置するようにしたので、定常的なリーク電流
を阻止し、パルス状に得られる光リーク電流のみが検出
される。また、アレイ基板を構成する材料と同一の材料
で形成するようにしたので、定常的なリーク電流を阻止
するコイルは、通常のアレイ基板の製造工程内で形成で
きる。

【００２６】また、駆動回路を走査配線の一端に形成し
たので、蓄積容量への書き込みが選択した走査配線に沿
ってのみ行われる。加えて、駆動回路をデータ配線の一
端にも形成したので、蓄積容量への書き込みが選択した
データ配線に沿って行われる。一方、上記の基板検査方
法によれば、レーザー光を照射したことにより発生する
スイッチング素子の光リーク電流が、パルス状の波形と
なって検出される。そして、電荷を保持する時間を変え
て複数回光リーク電流を読み出すようにしたので、光リ
ーク電流の読み出しまでの時間を関数とした蓄積容量の
電位の変化が得られる。

【００２７】

【実施例】以下この発明の１実施例を図を参照して説明
する。実施例１．図１は、この発明の１実施例である基板検査
装置の構成を示す構成図である。同図において、１は検
査対象である絶縁性基板上に素子が形成されたアレイ基
板、２はアレイ基板１における走査配線、２ｂは各走査
配線２の一端に形成された走査配線端子、２ｃは走査配
線の他端を共通接続して形成された走査配線検査端子、
３は走査配線２とは絶縁膜などを介して形成されたデー
タ配線、３ａ，３ｂはデータ配線３の端に形成されたデ
ータ配線端子、４は走査配線２とデータ配線３のそれぞ
れの交差部に形成されているＴＦＴ（スイッチング素
子）、５は走査配線２とデータ配線３のそれぞれの交差
部に形成されている蓄積容量である。

【００２８】また、６は蓄積容量５の一部を共通接続す
るための共通配線、６ａは共通配線６に外部から信号を
入力するための共通配線端子、７はアレイ基板１が載置
される検査ステージ、８ｃは走査配線検査端子２ｃに接
触するプローブ、８ｄは共通配線端子６ａに接触するプ
ローブ、８ｅはデータ配線端子３ａに接触するプローブ
である。ＴＦＴ４は、ゲート電極（一方の主電極）が走
査配線２に接続し、ドレイン電極（他方の主電極）がデ
ータ配線３に接続し、ソース電極（制御電極）が蓄積容
量５を介して共通配線６に接続されている。そして、こ
のソース電極は、パネルとして組み立てられると、透明
電極を対向電極とし、その間に１画素分の液晶を挾んで
接続するようになり、この液晶からなる容量部が蓄積容
量５と並列に接続されることになる。

【００２９】走査配線検査端子２ｃは、プローブ８ｃに
より走査信号発生器１０に接続され、共通配線端子６ａ
はプローブ８ｄにより基準電位Ｖ_Sに接続されている。
また、データ配線端子３ａは、プローブ移動器１１（プ
ローブ走査手段）に固定されたプローブ８ｅにより、ス
イッチ回路１２（スイッチ手段）を介してデータ信号発
生器１３あるいは波高分析器１４（信号取り出し手段）
に接続される。

【００３０】また、図１において、１５はレーザー発振
器、１６はレーザー発振器１５より出射されるレーザー
光を集光するための集光光学系、１７は集光光学系１６
により集光されたレーザー光をデータ配線３に平行に走
査するための音響光学素子などによる偏向器（レーザー
走査手段）、１８はミラーであり、これらによりレーザ
ー照射部１９が構成され、レーザー光１９ａをアレイ基
板１に照射できるようになっている。

【００３１】集光光学系１６，偏向器１７およびミラー
１８が一体となったレーザー照射部１９は、移動器２０
（走査移動手段）により走査配線２と平行に移動できる
構造となっている。また、２１は制御部であり、図中に
破線で示すように、上述のものの制御を行うとともに、
波高分析器１４からのデータを処理する。

【００３２】次に、この基板検査装置の動作に付いて説
明する。まず、検査するデータ配線３のデータ配線端子
３ａに、プローブ８ｅをプローブ移動器１１で移動して
接続する。そして、第１の段階として、以下に示すよう
に、蓄積容量５への書き込みを行う。まず、スイッチ回
路１２をデータ信号発生器１３に切り換え、蓄積容量５
とデータ信号発生器１３とがＴＦＴ４を介して接続した
状態とする。ついで、この蓄積容量５に電荷を書き込む
ため、データ信号発生器１３によりデータ信号を発生
し、走査信号発生器１０により走査信号を発生する。

【００３３】このデータ信号および走査信号のパルス
幅，電圧振幅は、実際の液晶ディスプレイで用いられる
信号に近い方がよい。例えば、４８０本の走査配線２を
持つＴＦＴアレイ基板の場合、パルス幅は３２μｓ，デ
ータ信号の電圧は１０Ｖ、走査信号の電圧は１５Ｖとす
ればよい。これらのデータ信号および走査信号が入力さ
れると、選択されたデータ配線３に接続された正常なＴ
ＦＴ４はオン状態となり、この正常なＴＦＴ４に接続さ
れた蓄積容量５には電荷が書き込まれ、入力されている
データ信号と同電位となる。

【００３４】もしここで、あるＴＦＴ４にコンタクト不
良や閾値の正方向シフトなどの理由で、オン状態の不良
があった場合、このＴＦＴ４に接続された蓄積容量５は
他の正常なＴＦＴ４に接続された蓄積容量５に比べて低
い電位となる。

【００３５】つぎに第２の段階として、保持動作をおこ
なう。プローブ８ｅおよびスイッチ回路１２は、上述の
第１の段階の状態のままで、入力しているデータ信号お
よび走査信号を保持電位とする。例えば、この保持電位
は、データ信号では０Ｖ、走査信号では−５Ｖとする。
この第２の段階の時間は、基板検査装置の欠陥検出精度
に影響し、最低でも１ｍｓｅｃ以上は必要である。例え
ば、検査対象のアレイ基板を用いた液晶ディスプレイの
フレーム時間が１６．６ｍｓｅｃであるならば、この第
２の段階の時間は１６．６ｍｓｅｃとする。

【００３６】この第２の段階の間、ＴＦＴ４はオフ状態
となるはずであり、正常なＴＦＴ４の部分では、蓄積容
量５からデータ配線３への電荷の流れ出しが阻止され
る。しかしながら、ＴＦＴ４にリーク電流の増大や、閾
値の負方向シフトなどの理由でオフ状態不良があった場
合、これらの画素の蓄積容量の電位は、他の正常な画素
の蓄積容量の電位に比べて低くなる。あるいは、蓄積容
量５にリーク電流の増大が生じている場合、同様に、そ
れらの画素の蓄積容量の電位は、他の正常な画素の蓄積
容量の電位に比べて低くなる。

【００３７】ついで、第３の段階として、読み出し動作
を行う。この第３の段階においては、スイッチ回路１２
を波高分析器１４に切り換え、この後、選択したデータ
配線３に接続されたＴＦＴ４上を、集光したレーザー光
１９ａを走査して照射する。このとき、光リーク電流に
より各々のＴＦＴ４のそれぞれより発生する電位による
波高を分離して検出するためには、照射するレーザー光
１９ａの走査方向の照射サイズが、少なくとも走査配線
２の間隔より小さいことが必要である。

【００３８】レーザー光１９ａが照射されたＴＦＴ４で
は、光リーク電流が発生する。そして、この光リーク電
流の発生により、このＴＦＴ４に接続された蓄積容量５
の電位に対応した電位が発生し、これが波高分析器１４
に読み出される。ここで、アレイ基板１上のＴＦＴ４，
蓄積容量５全てが正常であるなら、上述のことにより波
高分析器１４が読み出す光リーク電流の波形は、どの部
分の波高も全て同じ高さとなっている。しかし、前述し
たように、ＴＦＴ４もしくは蓄積容量５に不良がある
と、蓄積容量５における電位が他の正常な部分に比較し
て低いので、これが波高の低い部分として、波高分析器
１４に検出される。

【００３９】なお、上述した第３の段階において、レー
ザー光１９ａの走査時間が長くなる場合、書き込みから
読み出しまでの時間が、初めにレーザー光１９ａを走査
して照射した走査配線２と後の方でレーザー光１９ａを
走査して照射した走査配線２とで異なり、欠陥検出感度
の低下をもたらす。この場合、第３の段階を、ある途中
の走査配線２で中断し、再度第１の段階および第２の段
階を行った後、続きの走査配線２から第３の段階を再開
するようにすればよい。

【００４０】以上のようにして、１本のデータ配線３に
対応したした画素の検査が完了する。ＴＦＴアレイ基板
１の全ての画素の検査は、プローブ移動器１１および移
動器２０を用いてプローブ８ｅおよびレーザー光１９ａ
の走査位置を各データ配線３に対して移動し、上述した
第１の段階から第３の段階の動作を繰り返すことにより
行う。

【００４１】以上のようにして行った検査により検出し
た欠陥画素は、パネル組み立て後に行うパネル点灯検査
で検出されるＴＦＴアレイに起因する画素欠陥と対応し
ており、パネル組み立てを行うこと無く、欠陥画素を検
出できる。このため、不良アレイ基板に費やされるパネ
ル組み立ての材料コストやその他の製造コストが節減で
き、また、アレイ基板の不良に起因するパネル組み立て
の歩留りの低下も防ぐことができる。

【００４２】また、上記実施例では、ＴＦＴ４および蓄
積容量５の不良に基づく画素欠陥が検出できることを述
べたが、検査対象はこれに限るものではない。走査配線
２およびデータ配線３、さらに共通配線６に断線や短絡
があった場合でも、線状の連なりとなった画素欠陥とし
て検出できるため、従来の配線検査を行わなくても、こ
れら配線の欠陥を検出できる。

【００４３】この実施例では、第３の段階において、ス
イッチ回路１２をデータ信号発生器１３から波高分析器
１４に切り替えたが、この動作は第２の段階で行っても
同様の効果が期待できる。また、この実施例では、走査
配線２の一端に全ての走査配線２が接続される走査配線
端子２ｃを設けたが、これを走査配線２の両端に設ける
ようにしても同様の効果が期待できる。なお、上記実施
例ではレーザー光を照射するようにしたが、これに限る
ものではなく、光リーク電流が生じる強さの光、例え
ば、１万ルックスの強度の光をＴＦＴに照射するように
しても、同様の効果を奏するものである。

【００４４】実施例２．次に、この発明の第２の実施例
について説明する。図２は、この発明の実施例２におけ
る基板検査装置の構成を示す構成図である。図２におい
て、２２は走査配線２方向に検査ステージ７の移動を行
うステージ移動器（基板移動手段）であり、図１と異な
り、プローブ移動器１１と移動器２０が無い構成となっ
ている。なお、他は図１と同様である。

【００４５】この実施例の基板検査装置において、走査
配線検査端子２ｃおよび共通配線端子６ａに接続するプ
ローブ８ｃとプローブ８ｄは、検査用ステージ１に対し
て固定されており、また、データ配線端子３ａに接続す
るプローブ８ｅは、ステージ移動器２２に固定されてい
る。また、レーザー照射部１９の位置は、プローブ８ｅ
が接続したデータ配線端子３ａのデータ配線３に接続し
たＴＦＴ４を照査するレーザー光１９ａが走査できる位
置関係で、ステージ移動器２２に対して相対的に固定さ
れている。

【００４６】次に、この実施例２における基板検査装置
の動作を説明する。実施例１で説明した第１の段階から
第３の段階の動作は、この実施例についても同様であ
る。この実施例においては、１本のデータ配線３に対し
て、それらの第１の段階から第３の段階の動作を行った
後、次の検査対象のデータ配線３の検査位置までの移動
を、検査ステージ７をステージ移動器２２により移動す
ることで行うものである。このステージ移動器２２によ
る検査ステージ７の移動は、データ配線３の間隔分、走
査配線２に平行な方向に移動する。

【００４７】この移動により、プローブ８ｅとレーザー
光１９ａの照射の走査位置が、アレイ基板１に対して相
対的に移動し、別なデータ配線３が選択できる。ステー
ジ移動器２２による検査ステージ７の移動と、第１の段
階から第３の段階の動作を全てのデータ配線に渡って行
うことにより、アレイ基板１の上の全ての画素の検査を
することができる。

【００４８】この実施例の基板検査装置では、移動機構
はステージ移動器２２のみであるため、実施例１と同様
の効果の装置が、比較的簡単に構成できる。また、プロ
ーブ８ｅとレーザー光１９ａの走行位置の相対関係が固
定されているため、この位置関係のズレによる検査精度
の低下も生じない。

【００４９】実施例３．次に、この発明の基板検査装置
の第３の実施例について説明する。図３は、上記実施例
におけるレーザー照射部１９の他の構成を示す構成図で
ある。図３において、１７ａはレーザー光１９ａを走査
配線２（図１，２）に平行に走査するための偏向器であ
り、例えば、音響光学素子等を用いれば良い。そして、
１９ｂはこの偏向器１７ａを加えたレーザー照射部であ
る。

【００５０】実施例１あるいは実施例２では、レーザー
光１９ａの走査の次の検査対象への移動、すなわち走査
配線方向への移動は、移動器２０あるいはステージ移動
器２１による機械的移動により行った。しかし、この実
施例では、レーザー光１９ａの走査の移動は、偏向器１
７ａによる電気的信号により行えるため、機械的な振動
の発生がなく、この振動による検査精度の低下を防ぐこ
とができる。

【００５１】実施例４．次に、この発明の基板検査装置
の第４の実施例について説明する。図４は、この発明の
第４の実施例である基板検査装置の構成を示す構成図で
ある。同図において、プローブ８ｅおよびレーザー光１
９ａの走査位置をデータ配線３に対して移動する構造は
省略しているが、実施例１あるいは実施例２で説明した
プローブ移動器１１および移動器２０あるいはステージ
移動器２２により、データ配線３が選択できる構造とな
っている。

【００５２】実施例１および実施例２では、データ配線
３へのデータ信号の入力および出力をデータ配線３の一
端のデータ配線端子３ａのみから行った。この実施例４
では、プローブ８ｅおよびスイッチ回路１２に加えて、
プローブ８ｆおよびスイッチ回路１２ａ（スイッチ手
段）をさらに１組設置し、データ配線端子３ａおよびデ
ータ配線端子３ｂの両方を用いてデータ信号の入力およ
び出力の分離をするようにしたものである。なお、実施
例１において、この実施例と同様にする場合、プローブ
８ｆに対してプローブ移動器１１が必要なことはいうま
でもない。

【００５３】この実施例の基板検査装置によれば、実施
例１および実施例２と同様の効果が期待できる。そし
て、これらに加えて、データ配線３に沿った画素欠陥の
連なりが検出された場合、これがデータ配線３の断線な
のか、それとも走査配線２とデータ配線３との短絡など
のその他の欠陥なのかを確認することができる。これ
は、再度第１の段階に戻り、スイッチ回路１２を波高分
析器１４に接続し、スイッチ回路１２ａをプローブ８ｆ
に接続した状態で、データ信号発生器１３の信号を確認
することによって行える。

【００５４】実施例５．次に、この発明の基板検査装置
の第５の実施例について説明する。図５は、この発明の
第５の実施例である基板検査装置の構成を示す構成図で
ある。同図において、８ｇは複数本のプローブ８ｅを一
体にしたプローブカードであり、各々のプローブ８ｅは
対応した接点を持つスイッチ回路１２ｃ（プローブ切り
替え手段）に接続されている。例えば、プローブ８ｅの
本数は、データ配線３の数と同じとする。

【００５５】実施例１の基板検査装置をこの実施例の構
成に置き換えた場合、実施例１とは異なり、信号配線端
子６ａにプローブを移動して接続するためのプローブ移
動器１１は不要となる。しかし、レーザー光１９ａの走
査位置を移動するため、レーザー照射部１９の移動器２
０は、この実施例においても必要である。このため、こ
の実施例を用いた基板検査装置では、複雑なプローブ移
動のための機構を必要とせず、簡素な装置構成とするこ
とができる。

【００５６】さらに、実施例３によるレーザー照射部１
９ｂを同時に用いるようにすれば、移動器２０も不要と
なり、機械的な移動機構を用いずとも、実施例１と同様
な機能が得られる。この場合、データ配線３の選択は、
スイッチ回路１２ｃと偏向器７ａにより行われ、アレイ
基板１のＴＦＴ４と蓄積容量５とを有する全ての画素に
電気的に位置決めすることが可能であり、機械的移動を
ともわずに行えるため、検査のための時間が短くでき
る。

【００５７】実施例６．次に、この発明の基板検査装置
の第６の実施例について説明する。図６は、この発明の
基板検査装置の第６の実施例を示す構成図である。図６
において、３ｃはデータ配線３の一端で全てのデータ配
線３を短絡して共通接続したデータ配線端子である。

【００５８】このデータ配線検査端子３ｃには、データ
信号を入力するためデータ信号発生器１３にスイッチ回
路１２を介して接続されたプローブ８ｆが接続されてい
る。また、２３はレーザー光の走査によって発生するデ
ータ信号を外部に読み出すための読み出し端子であり、
全てのデータ配線３に結合容量２４を介して接続された
構造となっている。そして、読み出し端子２３は、プロ
ーブ８ｅにより波高分析器１４に接続されている。

【００５９】この実施例の基板検査装置では、実施例１
で説明した第１の段階の蓄積容量５への書き込み動作
は、アレイ基板の全ての蓄積容量５に対して行われる。
このため、ＴＦＴ４をオフ状態としたときのリーク電流
が、１個当たり１０^-1 ²Ａであっても、アレイ基板１
が、例えば１００万画素であれば、定常的なリーク電流
の合計は１０^-6Ａとなる。これに対して、第３の段階の
読み出し動作におけるレーザー光１９ａの照射による光
リーク電流は、レーザー光１９ａの照射強度により異な
るが、高々１０^-8Ａ程度であり、定常的なリーク電流に
比べて小さくなってしまう。

【００６０】しかしながら、ＴＦＴ４がオフ状態のリー
ク電流は、レーザー光１９ａが走査して照射されること
でデータ配線３に発生する光リーク電流と比べて、充分
直流的とみなすことができる。このため、結合容量２４
は、定常的なリーク電流が波高分析器１４に流入するこ
とを阻止し、レーザー光１９ａを走査して照射すること
で発生した光リーク電流のみが、選択的に波高分析器１
４で検出できるように設けたものである。

【００６１】以上のことにより、この実施例では、デー
タ配線３へのデータ信号の入力は、全てのデータ配線３
を短絡して接続したデータ配線検査端子６ｃから行える
ようになった。そして、読み出しも結合容量２４を介し
て全てのデータ配線３に接続された読み出し端子２３で
行えるようになった。このため、信号の入出力のための
プローブが少なくてすみ、またこれらのプローブを移動
するための機構を必要としない。

【００６２】また、上記実施例１〜５では、レーザー光
１９ａの走査方向は、データ配線３と平行な方向であっ
たが、走査配線２と平行な方向に走査し、走査位置を走
査配線毎に移動しても同様の効果が得られる。特に、実
施例３のレーザー照射部１９ｂによるレーザー光１９ａ
の走査方向と組み合わせた場合、機械的な移動機構を必
要としないため、高速な検査が実現できる。なお、この
実施例において、光リーク電流により各々のＴＦＴ４の
それぞれより発生する電位による波高を分離して検出す
るため、照射するレーザー光１９ａの走査方向の照射サ
イズが、少なくとも走査配線２の間隔より小さいことが
必要である。

【００６３】実施例７．次に、この発明の第７の実施例
である基板検査装置について説明する。図７は、この発
明の基板検査装置の第７の実施例を示す構成図である。
同図において、２３ａおよび２３ｂは、レーザー光１９
ａの走査により発生するデータ信号を外部に読み出すた
めの読み出し端子である。また、全てのデータ配線３の
他端は、抵抗２５を介して共通配線端子６ａに接続され
ている。そして、読み出し端子２３ａ，２３ｂは、全て
のデータ配線３の近傍に設けられた結合コイル２６に接
続されている。

【００６４】さらに、読み出し端子２３ａ，２３ｂは、
プローブ８ｅおよびプローブ８ｈにより、波高分析器１
４に接続されている。なお、この実施例においても、光
リーク電流により各々のＴＦＴ４のそれぞれより発生す
る電位による波高を分離して検出するため、照射するレ
ーザー光１９ａの走査方向の照射サイズが、少なくとも
走査配線２の間隔より小さいことが必要である。

【００６５】この実施例の基板検査装置では、データ配
線３を流れる電流の変化は、結合コイル２６で電圧に変
換され、読み出し端子２３ａ，２３ｂの間の電圧パルス
として検出される。実施例６と同様に、第１の段階での
蓄積容量５への書き込み動作は、本実施例でもアレイ基
板１全体の蓄積容量５に対してなされる。しかしなが
ら、アレイ基板１全体のＴＦＴ４からの定常的なリーク
電流は、レーザー光１９ａの走査による光リーク電流に
比べて直流的である。

【００６６】したがって、読み出し端子２３ａ，２３ｂ
の間では、レーザー光１９ａを走査した画素からの光リ
ーク電流による電圧パルスのみが検出できる。なお、各
データ配線３に接続された抵抗２５は、第１の段階の動
作時にはＴＦＴ４のオン抵抗より大きく、第３の段階の
動作時にはＴＦＴ４の光リークの抵抗より小さい値であ
ることが望ましい。従って、この値として、例えばＴＦ
Ｔ４がポリシリコントランジスタである場合は１０⁵〜
１０⁸Ω、また、ＴＦＴ４がアモルファストランジスタ
である場合は１０⁷〜１０⁸Ωとすることが望ましい。

【００６７】なお、この実施例では、抵抗２５を共通配
線端子６ａに接続するようにしたが、これに限るもので
はなく、別に独立な端子を設けるようにしても良い。こ
れにより、外部と接続するためのプローブが新たに必要
となるが、本実施例と同様の効果が得られることはいう
までもない。また、実施例６と同様に、レーザー光１９
ａの走査方向はデータ配線３と平行な方向だけでなく、
走査配線２と平行な方向に走査し、走査位置を走査配線
毎に移動しても同様の効果が得られる。そして、実施例
３のレーザー光１９ａの走査方法と組み合わせた場合、
機械的な移動方向を必要としなくなるので、高速な検査
が実現できる。

【００６８】実施例８．次に、この発明の基板検査装置
の第８の実施例を説明する。図８は、この発明の第８の
実施例である基板検査装置の一部の構成を示す構成図で
ある。図８は、実施例７におけるアレイ基板１に形成す
る結合コイル２６の構造であり、一対の結合コイル２６
が各々のデータ配線３の両側に形成されている。この結
合コイル２６は、絶縁膜を間に挾んだ導電材料２６ａ，
２６ｂで形成され、これらがコンタクトホール２６ｃを
介して接続された構造をしている。導電材料２６ａは、
データ配線３に用いる材料で例えばＡｌ、導電材料２６
ｂは、走査配線２に用いる材料で例えばｎ型ポリシリコ
ンである。

【００６９】また、全てのデータ配線３の端は、抵抗２
５にコンタクトホール２５ａを介して接続された構造を
している。この抵抗２５は、例えばＴＦＴのソース・ド
レイン領域を形成するｎ型のポリシリコンである。さら
に、これらの抵抗２５は、コンタクトホール２５ｂによ
り共通配線端子６ａ（図７）に接続する配線２７に接続
されている。そして、例えば、この配線２７は、データ
配線３に用いる材料で形成される。

【００７０】この実施例によれば、抵抗２５および結合
コイル２６は、アレイ基板１と同じ構成材料で形成され
るため、アレイ基板１の製造工程を増加すること無く、
アレイ基板１上に検査用の抵抗２５および結合コイル２
６を形成できる。

【００７１】実施例９．次に、この発明の基板検査装置
の第９の実施例について説明する。図９は、この実施例
９における基板検査装置の構成を示す構成図である。図
９において、２８はアレイ基板上に形成された走査配線
側駆動回路、２９はこの検査のため走査配線側駆動回路
２８に接続するプローブ、３０は走査側駆動回路２８の
ための制御信号を発生する制御信号発生器であり、他は
上記実施例と同様である。

【００７２】データ配線３の一端には、全てのデータ配
線３を短絡して接続したデータ配線検査端子３ｃが設け
られている、そして、このデータ配線検査端子３ｃは、
プローブ８ｅを介してデータ信号発生器１３および波高
分析器１４に接続されたスイッチ回路１２に接続されて
いる。

【００７３】以下、この実施例の動作について説明す
る。まず、実施例１においても説明した第１の段階の蓄
積容量５への書き込みは、スイッチ回路１２をデータ信
号発生器１３に接続した状態で行う。走査配線側駆動回
路２８より、各々の走査配線２に、順次ＴＦＴ４をオン
状態とする走査信号を発生する。そして、検査する走査
配線２にＴＦＴ４をオン状態とする走査信号が発生した
ときのみ、データ信号発生器１３から蓄積容量５に書き
込むデータ信号を発生する。このようにすることによ
り、検査する１本の走査配線２に沿った画素の蓄積容量
５のみに書き込みが行われる。

【００７４】第２の段階では、一定時間の間、全ての走
査配線２にＴＦＴ４がオフ状態となる電圧を走査配線側
駆動回路２８から出力する。第３の段階では、スイッチ
回路１２を波高分析器１４に切り替え、第１の段階で選
択的に蓄積容量５に書き込んだ走査配線２に接続された
ＴＦＴ４をレーザー光１９ａで走査する。このことによ
り、蓄積容量５の電位が読み出される。以上の第１の段
階から第３の段階の動作を全ての走査配線にわたって、
順次繰り返すことにより、全ての画素の検査が完了す
る。

【００７５】この実施例によれば、蓄積容量５への書き
込みは、選択した走査配線２に沿ってのみ行われるた
め、ＴＦＴ４からの定常的なリーク電流が少なくてす
む。この結果、レーザー光１９ａの走査による光リーク
電流を相対的に大きくできるため、簡単なアレイ基板１
の構成で、蓄積容量５の電位を高感度に読み出せる。さ
らに、本実施例では、アレイ基板１に一体に形成した走
査配線側駆動回路２８の動作の検査も同時に行える。

【００７６】また、この実施例では、データ配線５への
データ信号の入出力を、データ配線検査端子３ｃのみか
ら行ったが、データ配線３の両端にデータ配線検査端子
を設けてもよい。これは、実施例４で説明したように、
データ信号の入力と出力を分離した構成となり、実施例
４と同様な効果が得られることはいうまでもない。さら
に、実施例６、あるいは、実施例７で述べたように、デ
ータ配線３の一端にデータ配線検査端子３ｃを設け、デ
ータ配線３の他端に結合容量、あるいは、結合コイルを
設けた構成でも、同様の動作が行えることはいうまでも
ない。

【００７７】実施例１０．次に、この発明の第１０の実
施例について説明する。図１０は、この発明の第１０の
実施例における基板検査装置の構成を示す構成図であ
る。同図において、３１はアレイ基板１上に形成された
データ配線駆動回路、３２はこの検査のためデータ配線
側駆動回路３１に接続するプローブ、３３はデータ配線
側駆動回路３１のための制御信号発生器であり、他は図
９と同様である。データ配線３の他端には、全てのデー
タ配線３が結合容量２４を介して接続した読み出し端子
２３が設けられ、この読み出し端子２３はプローブ８ｅ
を介して波高分析器１４に接続されている。

【００７８】以下、この実施例における基板検査装置の
動作について説明する。まず、第１の段階の蓄積容量５
への書き込み動作について説明する。まず、配線側駆動
回路２７よりＴＦＴ４をオン状態とする走査信号を生成
し、これを順次各々の走査配線２に出力する。このと
き、データ配線側駆動回路３１からは、検査するデータ
配線３に沿った蓄積容量５に書き込むデータ信号を発生
する。このようにすることにより、検査する１本のデー
タ配線３に沿った画素の蓄積容量５のみに書き込みが行
われる。

【００７９】第２の段階では、一定時間の間、全ての走
査配線２にＴＦＴ４がオフ状態となる電圧を走査配線側
駆動回路２８から出力する。第３の段階では、第１の段
階で選択的に蓄積容量５に書き込んだデータ配線３に接
続されたＴＦＴ４をレーザー光１９ａで走査して照射す
ることにより、蓄積容量５の電位を読み出す。以上の第
１の段階から第３の段階の動作を全てのデータ配線３に
わたって順次繰り返すことにより、全ての画素の検査が
完了する。

【００８０】そして、本実施例によれば、アレイ基板１
に一体に形成した走査配線側駆動回路２８、および、デ
ータ配線側駆動回路３１の動作の検査も同時に行える。
また、本実施例では、データ配線３に沿ってこの検査を
繰り返す場合について述べたが、走査配線２に沿っての
検査を行うことも可能である。これは、第１の段階のデ
ータ信号の発生と、第３の段階のレーザー光１９ａの走
査方向を変えることにより実現できる。さらに、データ
配線３の一端の結合容量２４を、実施例７で述べたよう
に、結合コイルに置き換えた構成としても、同様の動作
が行えることはいうまでもない。

【００８１】以上述べてきた実施例では、第３の段階に
おけるレーザー光１９ａによる各蓄積容量５の電位の読
み出し動作は１回であったが、これに限るものではな
く、数回行うようにしても良い。たとえば、１つの蓄積
容量に対し、異なる時間間隔で複数回のレーザー光１９
ａ照射による読み出しを行えば、読み出しまでの時間を
関数とした蓄積容量の電位の変化が得られる。そして、
このことより、ＴＦＴや蓄積容量部分におけるより正確
なリーク抵抗が求められ、中間調表示などで問題となる
ような欠陥画素の精密な検出が行える。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、蓄積容量に書き込んだ電荷を一定時間後に照射する
レーザー光によって生じる光リーク電流で読み出す構成
としたので、アレイ基板におけるスイッチング素子や蓄
積容量における欠陥検出ができる。（請求項１）また、
この結果、パネル組み立てを行わずとも、画素欠陥に基
づくアレイ基板の不良が検出できるので、パネル組み立
て工程における歩留りを高くできるとともに、不良アレ
イ基板のために費やされるパネル工程の材料コストやそ
の他の製造コストを節減することができるといった効果
がある。（請求項１）

【００８３】また、複数の走査配線の一端を短絡するよ
うにしたので、データ配線に沿って並ぶスイッチング素
子全てに同時に走査信号を入力でき、プローブの数が減
らせる。（請求項２）また、レーザー光をデータ配線方
向に走査して照射でき、またこの走査位置を走査配線方
向に移動できるので、アレイ基板全ての画素について欠
陥検出ができるという効果がある。（請求項３）さら
に、配線の欠陥も検出でき、検査装置の台数を削減でき
るといった効果もある。（請求項３）

【００８４】同様に、レーザー光をデータ配線方向に走
査して照射でき、またこの走査位置を走査配線方向に移
動できるので、アレイ基板全ての画素について欠陥検出
ができるという効果がある。（請求項４）さらに、配線
の欠陥も検出でき、検査装置の台数を削減できるといっ
た効果もあり、かつ、アレイ基板を移動させるので、比
較的簡単に装置を構成できる。（請求項４）また、デー
タ配線に信号を供給するためのプローブに信号の経路を
接続するあるいは切り離すスイッチ手段を備えるように
したので、プローブを減らすことができる。（請求項
５）そして、これを両端に配置するようにすれば、デー
タ配線の断線か、それとも走査配線とデータ配線の短絡
などその他の欠陥かの区別ができる。

【００８５】また、データ配線へのプローブを複数本用
意し、これらを切り替えるプローブ切り替え手段を備え
るようにしたので、複数のデータ配線に対する接続の切
り替えが電気的に行え、機械的動作を伴わないので、検
査が迅速に行えるという効果がある。（請求項６）一
方、複数のデータ配線の一端を短絡させ、そのデータ配
線の他端を結合容量を介して同一端子に接続するように
したので、データ配線に対する接続のためのプローブの
数を減らすことができ、また、定常的なリーク電流を除
去することができるという効果がある。（請求項７）

【００８６】また、複数のデータ配線の一端を短絡さ
せ、その他端を抵抗を介して同一端子に接続するように
し、加えて、データ配線の近傍にコイルを形成するよう
にした。このため、光リーク電流による電圧パルスのみ
を検出することができる。（請求項８）また、上記のコ
イルをアレイ基板を構成する材料で形成するようにした
ので、アレイ基板の製造工程数を増やすこと無くコイル
を形成できる。（請求項９）

【００８７】一方、走査配線の一端に駆動回路がアレイ
基板に一体として形成された構成としたので、第１段階
の蓄積容量への書き込みが選択した走査配線に沿っての
み行える。この結果、定常的なリーク電流を少なくする
ことができ、光リーク電流をより高感度に読み出せ、そ
して、この駆動回路の動作の検査も同時に行える。（請
求項１０）また、加えて、データ配線の一端に駆動回路
がアレイ基板に一体として形成された構成としたので、
データ配線の駆動回路の検査も同時に行える。（請求項
１１）

【００８８】そして、この発明の基板検査方法によれ
ば、蓄積容量に書き込んだ電荷を一定時間後に照射する
レーザー光によって生じる光リーク電流で読み出すよう
にしたので、アレイ基板におけるスイッチング素子や蓄
積容量における欠陥検出ができる。（請求項１２）ま
た、この結果、パネル組み立てを行わずとも、画素欠陥
に基づくアレイ基板の不良が検出できるので、パネル組
み立て工程における歩留りを高くできるとともに、不良
アレイ基板のために費やされるパネル工程の材料コスト
やその他の製造コストを節減することができるといった
効果がある。（請求項１２）

【００８９】また、蓄積容量への電荷の書き込みと保持
とレーザー光照射による光リーク電流の読み出しとを、
保持時間を変化させて数回行うようにしたので、この保
持時間を関数とした蓄積容量の電位の変化が得られる。
このことより、ＴＦＴや蓄積容量部分におけるより正確
なリーク抵抗が求められ、中間調表示などで問題となる
ような欠陥画素の精密な検出が行えるという効果があ
る。（請求項１３）

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の１実施例である基板検査装置の構
成を示す構成図である。

【図２】この発明の基板検査装置の第２の実施例を示
す構成図である。

【図３】この発明の第３の実施例である、実施例２に
おけるレーザー照射部１９の他の構成を示す構成図であ
る。

【図４】この発明の基板検査装置の第４の実施例を示
す構成図である。

【図５】この発明の基板検査装置の第５の実施例を示
す構成図である。

【図６】この発明の基板検査装置の第６の実施例を示
す構成図である。

【図７】この発明の基板検査装置の第７の実施例を示
す構成図である。

【図８】この発明の第８の実施例である基板検査装置
の一部の構成を示す構成図である。

【図９】この発明の基板検査装置の第９の実施例を示
す構成図である。

【図１０】この発明の基板検査装置の第１０の実施例
を示す構成図である。

【図１１】アレイ基板を検査するための、従来の配線
検査装置を示す構成図である。

【図１２】アレイ基板工程から液晶ディスプレイのモ
ジュール完成までの工程を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１アレイ基板、２走査配線、２ｂ走査配線端子、
２ｃ走査配線検査端子、３データ配線、３ａ，３ｂ
データ配線端子、４薄膜トランジスタ（スイッチン
グ素子）、５蓄積容量、６共通配線、６ａ共通配
線端子、７検査ステージ、８ｃ，８ｄ，８ｅプロー
ブ、１０走査信号発生器、１１プローブ移動器、１
２スイッチ回路、１３データ信号発生器、１４波
高分析器、１５レーザー発振器、１６集光光学系、
１７偏向器、１８ミラー、１９レーザー照射部、
１９ａレーザー光、２０移動器、２１制御部。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の走査配線と、複数のデータ配線
と、この走査配線とデータ配線との交差する位置に対応
して配置され、一方の主電極が前記走査配線に接続し，
他方の主電極が前記データ配線に接続し，制御電極が表
示画素電極に接続した複数のスイッチング素子と、前記
表示画素電極に接続した複数の蓄積容量とから形成され
るアレイ基板を検査する基板検査装置において、前記走査配線に信号を供給する走査信号発生手段と、前記データ配線に信号を供給するデータ信号発生手段
と、前記スイッチング素子個々にレーザー光を照射するレー
ザー光照射手段と、前記データ配線から信号を取り出す信号取り出し手段と
を備えたことを特徴とする基板検査装置。
【請求項２】請求項１記載の基板検査装置において、前記走査配線の少なくとも一端が互いに共通接続された
構造であることを特徴とする基板検査装置。
【請求項３】請求項１または２記載の基板検査装置に
おいて、前記データ配線に信号を供給するためのプローブおよび
前記データ配線から信号を取り出すためのプローブの少
なくとも一方を、複数の前記データ配線の一端に設けら
れた検査端子に順次走査させるプローブ走査手段と、前記レーザー光を、前記検査端子を順次走査できるプロ
ーブが選択したデータ配線に接続したスイッチング素子
上に前記データ配線と平行に走査させるレーザー走査手
段と、前記レーザー光が走査する位置を、前記検査端子を順次
走査できるプローブの走査と連動して、前記走査配線と
平行な方向に移動させる走査移動手段とを備えたことを
特徴とする基板検査装置。
【請求項４】請求項１または請求項２記載の基板検査
装置において、前記アレイ基板を前記走査配線と平行に移動させる基板
移動手段と、前記レーザー光を前記データ配線と平行に走査させるレ
ーザー走査手段とを備えたことを特徴とする基板検査装
置。
【請求項５】請求項１から４の何れか１項記載の基板
検査装置において、前記データ配線に信号を供給するためのプローブおよび
前記データ配線から信号を取り出すためのプローブの、
少なくとも一方に信号の経路を接続あるいは切り離すた
めのスイッチ手段を備えたことを特徴とする基板検査装
置。
【請求項６】請求項１または２記載の基板検査装置に
おいて、前記データ配線に信号を供給するためのプローブおよび
前記データ配線から信号を取り出すためのプローブの少
なくとも一方が複数本のプローブを一体とした構造であ
り、前記複数本のプローブを一体とした構造のプローブの各
々に、信号の経路を接続あるいは切り離すためのプロー
ブ切り替え手段を備えたことを特徴とする基板検査装
置。
【請求項７】請求項１または２記載の基板検査装置に
おいて、前記アレイ基板の複数の前記データ配線の一端が互いに
共通接続された構造であり、前記データ配線の他端が前記結合容量を介して同一端子
に接続された構造であることを特徴とする基板検査装
置。
【請求項８】請求項１または２記載の基板検査装置に
おいて、前記アレイ基板の複数の前記データ配線の一端が互いに
共通接続された構造であり、複数の前記データ配線の他端が抵抗を介して同一端子に
接続された構造であり、複数の前記データ配線の各々の近傍に電流の変化を検出
するためのコイルを形成したことを特徴とする基板検査
装置。
【請求項９】請求項８記載の基板検査装置において、前記コイルが前記アレイ基板で用いる走査線，データ配
線，表示画素電極，共通配線および前記スイッチング素
子の一方の主電極または制御電極を形成する材料の内何
れか２種類以上によって形成されていることを特徴とす
る基板検査装置。
【請求項１０】請求項１記載の基板検査装置におい
て、前記アレイ基板の前記走査配線の少なくとも一端に一体
構造に形成された駆動回路を有し、複数の前記データ配線の少なくとも一端が互いに共通接
続された構造であることを特徴とする基板検査装置。
【請求項１１】請求項１記載の基板検査装置におい
て、前記アレイ基板の前記走査配線の少なくとも一端に設置
された駆動回路と前記データ配線の一端に設置された駆
動回路とが、一体として形成された構造であることを特
徴とする基板検査装置。
【請求項１２】複数の走査配線と、複数のデータ配線
と、この走査配線とデータ配線との交差する位置に対応
して配置され、一方の主電極が前記走査配線に接続し，
他方の主電極が前記データ配線に接続し，制御電極が表
示画素電極に接続した複数のスイッチング素子と、前記
表示画素電極に接続した複数の蓄積容量とから形成され
るアレイ基板を検査する基板検査方法において、前記スイッチング素子をオン状態として前記蓄積容量に
電荷を書き込む第１の段階と、前記スイッチング素子をオフ状態として前記蓄積容量の
電荷を少なくとも０．００１秒以上の時間保持する第２
の段階と、前記スイッチング素子にレーザー光を照射し、このレー
ザ光照射により発生する前記スイッチング素子に接続し
ている蓄積容量の電荷を読み出す第３の段階とを有する
ことを特徴とする基板検査方法。
【請求項１３】請求項１２記載の検査方法において、前記第２の段階における電荷を保持する時間を変えて、
前記第１から第３の段階を繰り返して前記蓄積容量の電
荷を読み出すことを特徴とする基板検査方法。