JPH07297695A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH07297695A JPH07297695A JP9039694A JP9039694A JPH07297695A JP H07297695 A JPH07297695 A JP H07297695A JP 9039694 A JP9039694 A JP 9039694A JP 9039694 A JP9039694 A JP 9039694A JP H07297695 A JPH07297695 A JP H07297695A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＦＷＤの逆回復時に発生する高プラスｄｖ／ｄ
ｔにより誤動作しない過熱保護機能を備えた半導体装置
を提供する。 【構成】半導体装置がＩＧＢＴ３およびＦＷＤ４の並列
回路をブリッジ結線したインテリジェントパワーモジュ
ールからなり、その下側アーム２の駆動回路を搭載した
制御用ＩＣ１６が、ＩＧＢＴ３の過電流をその検出抵抗
７で検出する過電流保護回路、およびＩＧＢＴ３の過熱
をサーミスタ８で検出する過熱保護回路を備えたものに
おいて、ＦＷＤ４の逆回復時に発生する高プラスｄｖ／
ｄｔによりアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅに発生す
るサージ電圧を抑制するサージ電圧抑制手段として、例
えばアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅから制御電源２
１の入力端子Ｖccに向かう方向を順方向として端子間に
接続された順電圧降下の低い一方向性降伏ダイオード
（ショットキーダイオード）２０を備える。
ｔにより誤動作しない過熱保護機能を備えた半導体装置
を提供する。 【構成】半導体装置がＩＧＢＴ３およびＦＷＤ４の並列
回路をブリッジ結線したインテリジェントパワーモジュ
ールからなり、その下側アーム２の駆動回路を搭載した
制御用ＩＣ１６が、ＩＧＢＴ３の過電流をその検出抵抗
７で検出する過電流保護回路、およびＩＧＢＴ３の過熱
をサーミスタ８で検出する過熱保護回路を備えたものに
おいて、ＦＷＤ４の逆回復時に発生する高プラスｄｖ／
ｄｔによりアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅに発生す
るサージ電圧を抑制するサージ電圧抑制手段として、例
えばアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅから制御電源２
１の入力端子Ｖccに向かう方向を順方向として端子間に
接続された順電圧降下の低い一方向性降伏ダイオード
（ショットキーダイオード）２０を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、直流を入力として交
流出力を得るＶＶＶＦインバータなどの電力変換用の半
導体装置、ことに過電流保護機能，短絡保護機能，およ
び過熱保護機能を有するインテリジェントパワーモジュ
ールに関する。
流出力を得るＶＶＶＦインバータなどの電力変換用の半
導体装置、ことに過電流保護機能，短絡保護機能，およ
び過熱保護機能を有するインテリジェントパワーモジュ
ールに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体装置を三相電力変換
器を例に簡略化して示す接続図、図５は従来の半導体装
置を三相電力変換器を例に模式化して示す平面図、図６
は従来の半導体装置を三相電力変換器を例に簡略化して
示す接続図である。図１において、三相電力変換器の主
回路は直流端子Ｐ−Ｎ間にアーム接続（三相ブリッジ結
線）された各相１対のスイッチング素子としてのＩＧＢ
Ｔ（ゲート絶縁型バイポーラトランジスタ）３と、その
コレクタ−エミッタ間に接続されたフリーホイーリング
ダイオード（ＦＷＤ）４との並列回路からなり、上側ア
ーム（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ），および下側アーム（２Ａ，
２Ｂ，２Ｃ）で構成され、上下アームの中間接続点から
交流出力端子Ｕ，Ｖ，Ｗが引き出される。また、上側ア
ームのＩＧＢＴそれぞれのゲートには上側アーム駆動回
路５Ａ，５Ｂ，５Ｃが接続され、また下側アームのＩＧ
ＢＴそれぞれのゲートには下側アーム駆動回路６Ａ，６
Ｂ，６Ｃが接続され、各駆動回路が図示しない駆動信号
発生回路からの指令に基づいて各アームのＩＧＢＴをス
イッチングすることにより、例えば交流負荷としての電
動機の可変速度制御が行われる。
器を例に簡略化して示す接続図、図５は従来の半導体装
置を三相電力変換器を例に模式化して示す平面図、図６
は従来の半導体装置を三相電力変換器を例に簡略化して
示す接続図である。図１において、三相電力変換器の主
回路は直流端子Ｐ−Ｎ間にアーム接続（三相ブリッジ結
線）された各相１対のスイッチング素子としてのＩＧＢ
Ｔ（ゲート絶縁型バイポーラトランジスタ）３と、その
コレクタ−エミッタ間に接続されたフリーホイーリング
ダイオード（ＦＷＤ）４との並列回路からなり、上側ア
ーム（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ），および下側アーム（２Ａ，
２Ｂ，２Ｃ）で構成され、上下アームの中間接続点から
交流出力端子Ｕ，Ｖ，Ｗが引き出される。また、上側ア
ームのＩＧＢＴそれぞれのゲートには上側アーム駆動回
路５Ａ，５Ｂ，５Ｃが接続され、また下側アームのＩＧ
ＢＴそれぞれのゲートには下側アーム駆動回路６Ａ，６
Ｂ，６Ｃが接続され、各駆動回路が図示しない駆動信号
発生回路からの指令に基づいて各アームのＩＧＢＴをス
イッチングすることにより、例えば交流負荷としての電
動機の可変速度制御が行われる。
【０００３】また、図５に示すように、半導体装置１０
はインテリジェントパワーモジュールとして構成され、
その方形容器１９内には上側アーム１Ａ，１Ｂ，１Ｃを
搭載したパワー基板部１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｂ等１１、
下側アーム２Ａ，２Ｂ，２Ｃを搭載したパワー基板部１
２Ａ，１２Ｂ，１２Ｂ等１２、および上側アームの駆動
回路５Ａ，５Ｂ，５Ｃを搭載した制御用ＩＣ１５Ａ，１
５Ｂ，１５Ｃ，等１５、下側アームの駆動回路６Ａ，６
Ｂ，６Ｃを搭載した制御用ＩＣ１６Ａ，１６Ｂ，１６
Ｃ，等１６とが収納され、方形容器１９の枠状部分には
直流端子列１６，交流端子列１７，および制御端子列１
８が配列され、例えば各基板部のプリント配線１４によ
り制御用ＩＣ１５，１６と制御端子列１８との接続が行
われるとともに、方形容器内にゲル状樹脂を充填して封
止が行われる。
はインテリジェントパワーモジュールとして構成され、
その方形容器１９内には上側アーム１Ａ，１Ｂ，１Ｃを
搭載したパワー基板部１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｂ等１１、
下側アーム２Ａ，２Ｂ，２Ｃを搭載したパワー基板部１
２Ａ，１２Ｂ，１２Ｂ等１２、および上側アームの駆動
回路５Ａ，５Ｂ，５Ｃを搭載した制御用ＩＣ１５Ａ，１
５Ｂ，１５Ｃ，等１５、下側アームの駆動回路６Ａ，６
Ｂ，６Ｃを搭載した制御用ＩＣ１６Ａ，１６Ｂ，１６
Ｃ，等１６とが収納され、方形容器１９の枠状部分には
直流端子列１６，交流端子列１７，および制御端子列１
８が配列され、例えば各基板部のプリント配線１４によ
り制御用ＩＣ１５，１６と制御端子列１８との接続が行
われるとともに、方形容器内にゲル状樹脂を充填して封
止が行われる。
【０００４】さらに、インテリジェントパワーモジュー
ルとして構成される半導体装置１０は図６に示すよう
に、上側アーム１および下側アーム２がそれぞれＩＧＢ
Ｔ３のセンス端子とエミッタとの間に接続された過電流
検出抵抗７を備え、その検出電流値をＯ／Ｓ端子（過電
流入力端子）−ＧＮＤ端子間に受けた上側アームの駆動
回路５および下側アームの駆動回路６が、その内部に設
けられた図示しない過電流保護回路および短絡電流保護
回路により過電流または短絡電流の発生を判断してＡ／
Ｅ端子（アラーム信号の共通出力端子）からアラーム信
号を出力するよう構成される。さらにまた、下側アーム
２側のＩＧＢＴ３に近接して配された負性抵抗素子８
（例えばサーミスタ）によりＩＧＢＴ３の温度を監視
し、その検出信号を過熱検出信号の入力端子Ｏ／Ｈに受
けた下側アームの駆動回路６が、その内部に設けられた
図示しない過熱保護回路によりＩＧＢＴの過熱を判断
し、Ａ／Ｅ端子（アラーム信号の共通出力端子）からア
ラーム信号を出力するよう構成される。
ルとして構成される半導体装置１０は図６に示すよう
に、上側アーム１および下側アーム２がそれぞれＩＧＢ
Ｔ３のセンス端子とエミッタとの間に接続された過電流
検出抵抗７を備え、その検出電流値をＯ／Ｓ端子（過電
流入力端子）−ＧＮＤ端子間に受けた上側アームの駆動
回路５および下側アームの駆動回路６が、その内部に設
けられた図示しない過電流保護回路および短絡電流保護
回路により過電流または短絡電流の発生を判断してＡ／
Ｅ端子（アラーム信号の共通出力端子）からアラーム信
号を出力するよう構成される。さらにまた、下側アーム
２側のＩＧＢＴ３に近接して配された負性抵抗素子８
（例えばサーミスタ）によりＩＧＢＴ３の温度を監視
し、その検出信号を過熱検出信号の入力端子Ｏ／Ｈに受
けた下側アームの駆動回路６が、その内部に設けられた
図示しない過熱保護回路によりＩＧＢＴの過熱を判断
し、Ａ／Ｅ端子（アラーム信号の共通出力端子）からア
ラーム信号を出力するよう構成される。
【０００５】なお、過熱保護回路はサーミスタ８の抵抗
値が温度の上昇に逆比例して低下することを利用して、
抵抗値の低下を電圧低下に変換して基準電圧と比較し、
検出電圧が基準電圧以下に低下したとき過熱が生じたも
のと判断してアラームを出力するよう構成され、アラー
ムによってＩＧＢＴのスイッチング動作を停止させる過
熱保護機能が得られるとともに、ＩＧＢＴの温度が低下
してその検出電圧が基準電圧を所定レベル上回ると保護
機能が解除され、半導体装置が動作を再開できるようヒ
ステリシス特性を持たせるよう構成したものが知られて
いる。また、Ａ／Ｅ端子はプリント配線１４によって制
御端子列１８の１つに接続されるが、その出力側にはホ
トカプラを設けて外部回路と電気的に絶縁するととも
に、プリント配線１４には直列にホトカプラ内ダイオー
ドに流れる電流の調節抵抗１３が設けられる。
値が温度の上昇に逆比例して低下することを利用して、
抵抗値の低下を電圧低下に変換して基準電圧と比較し、
検出電圧が基準電圧以下に低下したとき過熱が生じたも
のと判断してアラームを出力するよう構成され、アラー
ムによってＩＧＢＴのスイッチング動作を停止させる過
熱保護機能が得られるとともに、ＩＧＢＴの温度が低下
してその検出電圧が基準電圧を所定レベル上回ると保護
機能が解除され、半導体装置が動作を再開できるようヒ
ステリシス特性を持たせるよう構成したものが知られて
いる。また、Ａ／Ｅ端子はプリント配線１４によって制
御端子列１８の１つに接続されるが、その出力側にはホ
トカプラを設けて外部回路と電気的に絶縁するととも
に、プリント配線１４には直列にホトカプラ内ダイオー
ドに流れる電流の調節抵抗１３が設けられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにインテリ
ジェントパワーモジュールとして構成された半導体装置
１０には、過電流保護機能，短絡電流保護機能，および
過熱保護機能と、さらには制御電源電圧Ｖccの異常保護
機能が付加されてパワーモジュールの信頼性の向上が図
られており、過電流保護機能が過熱保護機能より速く作
動するよう過電流保護レベルおよび過熱保護レベルが設
定されて２重保護を行うのが一般的である。ところが、
定挌交流出力の１．１２５倍の過電流を流して半導体装
置の保護機能を評価したところ、過電流保護（ＯＣトリ
ップ）が作動する前に過熱保護（ＯＨトリップ）が作動
してしまうという異常が発見された。この異常動作の原
因分析を行った結果、過電流保護レベルおよび過熱保護
レベルの設定値そのものには異常が認められず、上下ア
ームのフリーホイーリングダイオード（ＦＷＤ）４の逆
回復によってＩＧＢＴ３に高いプラスｄｖ／ｄｔが印加
されると、ＩＧＢＴの温度がその過熱保護レベルに到達
していないにも係わらず過熱を報知するアラームが出力
されてしまう過熱保護回路の誤動作が発生することが判
明した。
ジェントパワーモジュールとして構成された半導体装置
１０には、過電流保護機能，短絡電流保護機能，および
過熱保護機能と、さらには制御電源電圧Ｖccの異常保護
機能が付加されてパワーモジュールの信頼性の向上が図
られており、過電流保護機能が過熱保護機能より速く作
動するよう過電流保護レベルおよび過熱保護レベルが設
定されて２重保護を行うのが一般的である。ところが、
定挌交流出力の１．１２５倍の過電流を流して半導体装
置の保護機能を評価したところ、過電流保護（ＯＣトリ
ップ）が作動する前に過熱保護（ＯＨトリップ）が作動
してしまうという異常が発見された。この異常動作の原
因分析を行った結果、過電流保護レベルおよび過熱保護
レベルの設定値そのものには異常が認められず、上下ア
ームのフリーホイーリングダイオード（ＦＷＤ）４の逆
回復によってＩＧＢＴ３に高いプラスｄｖ／ｄｔが印加
されると、ＩＧＢＴの温度がその過熱保護レベルに到達
していないにも係わらず過熱を報知するアラームが出力
されてしまう過熱保護回路の誤動作が発生することが判
明した。
【０００７】この発明の目的は、ＦＷＤの逆回復時に発
生する高プラスｄｖ／ｄｔにより誤動作しない過熱保護
機能を備えた半導体装置を提供することにある。
生する高プラスｄｖ／ｄｔにより誤動作しない過熱保護
機能を備えた半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明によれば、スイッチング素子としてのＩＧ
ＢＴを搭載した複数のパワー基板部と、その駆動回路を
搭載した制御用ＩＣ基板とが方形容器に収納され、各相
一対のＩＧＢＴが直流ライン間にアーム接続されて直流
端子および交流端子が前記方形容器の枠状部分に配列さ
れるとともに、制御用ＩＣがＩＧＢＴの過電流および短
絡電流検出信号の入力端子，ＩＧＢＴ側に配された負性
抵抗素子による過熱検出信号の入力端子と，駆動回路が
過電流，短絡電流，または過熱を検出して発するアラー
ム信号の共通出力端子とを備えたものにおいて、ＩＧＢ
Ｔのスイッチングに伴って共通出力端子に生ずる過熱ア
ラーム信号の誤動作をサージ電圧の抑制によって阻止す
るサージ電圧抑制手段を制御用ＩＣの共通出力端子側に
設けてなるものとする。
に、この発明によれば、スイッチング素子としてのＩＧ
ＢＴを搭載した複数のパワー基板部と、その駆動回路を
搭載した制御用ＩＣ基板とが方形容器に収納され、各相
一対のＩＧＢＴが直流ライン間にアーム接続されて直流
端子および交流端子が前記方形容器の枠状部分に配列さ
れるとともに、制御用ＩＣがＩＧＢＴの過電流および短
絡電流検出信号の入力端子，ＩＧＢＴ側に配された負性
抵抗素子による過熱検出信号の入力端子と，駆動回路が
過電流，短絡電流，または過熱を検出して発するアラー
ム信号の共通出力端子とを備えたものにおいて、ＩＧＢ
Ｔのスイッチングに伴って共通出力端子に生ずる過熱ア
ラーム信号の誤動作をサージ電圧の抑制によって阻止す
るサージ電圧抑制手段を制御用ＩＣの共通出力端子側に
設けてなるものとする。
【０００９】サージ電圧抑制手段が制御用ＩＣのアラー
ム信号の共通出力端子から制御電源電圧入力端子に向か
う方向を順方向として接続された一方向性降伏ダイオー
ドからなり、その順電圧降下が制御用ＩＣ内寄生ダイオ
ードのそれ以下であると良い。サージ電圧抑制手段が制
御用ＩＣのアラーム信号の共通出力端子とグランドライ
ン端子との間に接続されたコンデンサからなり、その静
電容量が０．６ｎＦ以上２ｎＦ以下であると良い。
ム信号の共通出力端子から制御電源電圧入力端子に向か
う方向を順方向として接続された一方向性降伏ダイオー
ドからなり、その順電圧降下が制御用ＩＣ内寄生ダイオ
ードのそれ以下であると良い。サージ電圧抑制手段が制
御用ＩＣのアラーム信号の共通出力端子とグランドライ
ン端子との間に接続されたコンデンサからなり、その静
電容量が０．６ｎＦ以上２ｎＦ以下であると良い。
【００１０】サージ電圧抑制手段が制御用ＩＣの共通出
力端子と方形容器の枠状部分に配列された制御端子列と
を結ぶ空中配線であると良い。
力端子と方形容器の枠状部分に配列された制御端子列と
を結ぶ空中配線であると良い。
【００１１】
【作用】この発明の構成は、過熱保護回路の誤動作の原
因が、ＦＷＤの逆回復時の急峻な電流変化によってモジ
ュール配線内に蓄積されたエネルギーが、パワー基板部
のグランドから制御用ＩＣの電源グランドラインに流
れ、これが制御端子列に接続されたプリント配線を介し
てＡ／Ｅ端子側に電源電圧Ｖccより高いサージ電圧とし
て侵入するため、制御用ＩＣ内に逆向きの電流が瞬間的
に流れて基準電圧を変化させるので、ヒステリシスの領
域に入っている過熱保護回路が誤動作してアラームを出
力することによるとの検討結果に基づいてなされたもの
であり、ＩＧＢＴのスイッチングに伴って共通出力端子
に生ずる過熱アラーム信号の誤動作をサージ電圧の抑制
によって阻止するサージ電圧抑制手段を制御用ＩＣのア
ラーム信号の共通出力端子側に設けるよう構成したこと
により、共通出力端子におけるサージ電圧レベルを低減
し、過電圧サージにより制御用ＩＣ内に逆向きの電流が
瞬間的に流れるのを阻止するので、制御用ＩＣ内の基準
電圧の変化を抑制する機能が得られ、過熱保護回路の誤
動作を防止することができる。
因が、ＦＷＤの逆回復時の急峻な電流変化によってモジ
ュール配線内に蓄積されたエネルギーが、パワー基板部
のグランドから制御用ＩＣの電源グランドラインに流
れ、これが制御端子列に接続されたプリント配線を介し
てＡ／Ｅ端子側に電源電圧Ｖccより高いサージ電圧とし
て侵入するため、制御用ＩＣ内に逆向きの電流が瞬間的
に流れて基準電圧を変化させるので、ヒステリシスの領
域に入っている過熱保護回路が誤動作してアラームを出
力することによるとの検討結果に基づいてなされたもの
であり、ＩＧＢＴのスイッチングに伴って共通出力端子
に生ずる過熱アラーム信号の誤動作をサージ電圧の抑制
によって阻止するサージ電圧抑制手段を制御用ＩＣのア
ラーム信号の共通出力端子側に設けるよう構成したこと
により、共通出力端子におけるサージ電圧レベルを低減
し、過電圧サージにより制御用ＩＣ内に逆向きの電流が
瞬間的に流れるのを阻止するので、制御用ＩＣ内の基準
電圧の変化を抑制する機能が得られ、過熱保護回路の誤
動作を防止することができる。
【００１２】例えば、サージ電圧抑制手段に制御用ＩＣ
のアラーム信号の共通出力端子から制御電源電圧入力端
子に向かう方向を順方向として接続された一方向性降伏
ダイオードを用い、その順電圧降下が制御用ＩＣ内寄生
ダイオードのそれ以下とすれば、ＦＷＤの逆回復時にグ
ランドラインを介してアラーム信号の共通出力端子に発
生するサージ電圧およびこれに伴って制御用ＩＣ内駆動
回路に生ずる基準電圧の変動を制御用ＩＣ内寄生ダイオ
ードが導通しない範囲に抑制できるので、制御用ＩＣ基
板内に逆向きの電流が流れるのを防ぎ、ヒステリシスの
領域に入っている過熱保護回路が誤動作してアラームを
出力することを回避する機能が得られる。
のアラーム信号の共通出力端子から制御電源電圧入力端
子に向かう方向を順方向として接続された一方向性降伏
ダイオードを用い、その順電圧降下が制御用ＩＣ内寄生
ダイオードのそれ以下とすれば、ＦＷＤの逆回復時にグ
ランドラインを介してアラーム信号の共通出力端子に発
生するサージ電圧およびこれに伴って制御用ＩＣ内駆動
回路に生ずる基準電圧の変動を制御用ＩＣ内寄生ダイオ
ードが導通しない範囲に抑制できるので、制御用ＩＣ基
板内に逆向きの電流が流れるのを防ぎ、ヒステリシスの
領域に入っている過熱保護回路が誤動作してアラームを
出力することを回避する機能が得られる。
【００１３】例えば、サージ電圧抑制手段を制御用ＩＣ
のアラーム信号の共通出力端子とグランドライン端子と
の間に接続されたコンデンサとし、その静電容量を０．
６ｎＦ以上２ｎＦ以下の範囲に設定すれば、ＦＷＤの逆
回復時にグランドラインを介してアラーム信号の共通出
力端子に侵入するサージ電圧をコンデンサが吸収し、サ
ージ電圧によって制御用ＩＣ内駆動回路に生ずる基準電
圧の変動を抑制するので、過熱保護回路の誤動作を防止
する機能が得られる。
のアラーム信号の共通出力端子とグランドライン端子と
の間に接続されたコンデンサとし、その静電容量を０．
６ｎＦ以上２ｎＦ以下の範囲に設定すれば、ＦＷＤの逆
回復時にグランドラインを介してアラーム信号の共通出
力端子に侵入するサージ電圧をコンデンサが吸収し、サ
ージ電圧によって制御用ＩＣ内駆動回路に生ずる基準電
圧の変動を抑制するので、過熱保護回路の誤動作を防止
する機能が得られる。
【００１４】例えば、サージ電圧抑制手段を制御用ＩＣ
の共通出力端子と方形容器の枠状部分に配列された制御
端子とを結ぶ空中配線とすれば、この空中配線と制御用
ＩＣおよびパワー基板部にプリント配線として形成され
るグランドラインとの静電的結合を疎にできるので、Ｆ
ＷＤの逆回復時の急峻な電流変化によってモジュール配
線内に蓄積されたエネルギーが、パワー基板部のグラン
ドから制御用ＩＣの電源グランドラインに流れ、これが
制御端子列に接続されたプリント配線を介してＡ／Ｅ端
子側に電源電圧Ｖccより高いサージ電圧として侵入する
という従来の問題点を排除し、空中配線に発生するサー
ジ電圧を低減し、過熱保護回路の誤動作を防止する機能
が得られる。
の共通出力端子と方形容器の枠状部分に配列された制御
端子とを結ぶ空中配線とすれば、この空中配線と制御用
ＩＣおよびパワー基板部にプリント配線として形成され
るグランドラインとの静電的結合を疎にできるので、Ｆ
ＷＤの逆回復時の急峻な電流変化によってモジュール配
線内に蓄積されたエネルギーが、パワー基板部のグラン
ドから制御用ＩＣの電源グランドラインに流れ、これが
制御端子列に接続されたプリント配線を介してＡ／Ｅ端
子側に電源電圧Ｖccより高いサージ電圧として侵入する
という従来の問題点を排除し、空中配線に発生するサー
ジ電圧を低減し、過熱保護回路の誤動作を防止する機能
が得られる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて説明す
る。図１はこの発明の実施例になる半導体装置を三相電
力変換器を例に簡略化して示す要部の接続図であり、従
来技術と同じ構成部分には同一参照符号を付すことによ
り、重複した説明を省略する。図において、スイッチン
グ素子としてのＩＧＢＴ３とフリーホイーリングダイオ
ード（ＦＷＤ）４との並列回路からなる上側アーム１
Ａ，１Ｂ，１Ｃ等１、および下側アーム２Ａ，２Ｂ，２
Ｃ等２で構成される三相電力変換器の主回路は、それぞ
れの下側アーム２がＩＧＢＴ３の電流センスに接続され
た過電流検出抵抗７およびＩＧＢＴの近傍に配された負
性抵抗素子としてのサーミスタ８を備え、それぞれの検
出信号が下側アーム２の駆動回路を搭載した制御用ＩＣ
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ等１６のＯ／Ｓ端子およびＯＨ
端子に入力されるとともに、ＩＧＢＴに過電流，短絡電
流，または過熱が発生したときＡ／Ｅ端子からアラーム
信号を出力するよう構成される。また、制御用ＩＣ１６
はそのアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅから制御電源
入力端子Ｖccに向かう方向を順方向として接続されたサ
ージ電圧抑制手段２０としての一方向性降伏ダイオー
ド，例えばショットキーダイオード（ＳＢＤ）２０を備
える。
る。図１はこの発明の実施例になる半導体装置を三相電
力変換器を例に簡略化して示す要部の接続図であり、従
来技術と同じ構成部分には同一参照符号を付すことによ
り、重複した説明を省略する。図において、スイッチン
グ素子としてのＩＧＢＴ３とフリーホイーリングダイオ
ード（ＦＷＤ）４との並列回路からなる上側アーム１
Ａ，１Ｂ，１Ｃ等１、および下側アーム２Ａ，２Ｂ，２
Ｃ等２で構成される三相電力変換器の主回路は、それぞ
れの下側アーム２がＩＧＢＴ３の電流センスに接続され
た過電流検出抵抗７およびＩＧＢＴの近傍に配された負
性抵抗素子としてのサーミスタ８を備え、それぞれの検
出信号が下側アーム２の駆動回路を搭載した制御用ＩＣ
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ等１６のＯ／Ｓ端子およびＯＨ
端子に入力されるとともに、ＩＧＢＴに過電流，短絡電
流，または過熱が発生したときＡ／Ｅ端子からアラーム
信号を出力するよう構成される。また、制御用ＩＣ１６
はそのアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅから制御電源
入力端子Ｖccに向かう方向を順方向として接続されたサ
ージ電圧抑制手段２０としての一方向性降伏ダイオー
ド，例えばショットキーダイオード（ＳＢＤ）２０を備
える。
【００１６】このように構成された実施例になる半導体
装置としての三相電力変換器において、下側アームのＦ
ＷＤ４の逆回復時に発生する急峻な電流変化により、モ
ジュール配線内に蓄積されたエネルギーが、パワー基板
部のグランドから制御用ＩＣ１６の電源グランドライン
に流れ、これが制御端子列１８に接続されたプリント配
線１４をアンテナとしてＡ／Ｅ端子側にサージ電圧とし
て侵入した場合、ショットキーダイオード（ＳＢＤ）２
０を介して制御電源２１にサージ電流が流れてサージ電
圧を低減する。ことに、ショットキーダイオード（ＳＢ
Ｄ）２０の順電圧降下は０．５Ｖ以下と制御用ＩＣ内寄
生ダイオードのそれより低いのでサージ電圧の抑制効果
が大きく、制御用ＩＣ内に逆向きの電流が流れて基準電
圧を変化させるという従来の問題点を回避でき、従っ
て、ヒステリシスの領域に入っている過熱保護回路が誤
動作してアラームを出力するという過熱保護回路の誤動
作を防止する効果が得られる。
装置としての三相電力変換器において、下側アームのＦ
ＷＤ４の逆回復時に発生する急峻な電流変化により、モ
ジュール配線内に蓄積されたエネルギーが、パワー基板
部のグランドから制御用ＩＣ１６の電源グランドライン
に流れ、これが制御端子列１８に接続されたプリント配
線１４をアンテナとしてＡ／Ｅ端子側にサージ電圧とし
て侵入した場合、ショットキーダイオード（ＳＢＤ）２
０を介して制御電源２１にサージ電流が流れてサージ電
圧を低減する。ことに、ショットキーダイオード（ＳＢ
Ｄ）２０の順電圧降下は０．５Ｖ以下と制御用ＩＣ内寄
生ダイオードのそれより低いのでサージ電圧の抑制効果
が大きく、制御用ＩＣ内に逆向きの電流が流れて基準電
圧を変化させるという従来の問題点を回避でき、従っ
て、ヒステリシスの領域に入っている過熱保護回路が誤
動作してアラームを出力するという過熱保護回路の誤動
作を防止する効果が得られる。
【００１７】また、過熱保護レベルを１１７°Ｃに設定
した実施例になる三相電力変換器について、パワー基板
部の温度を監視しつつ交流出力電流を徐々に増加し、過
熱保護回路の誤動作を過電流トリップが生ずる前に過熱
アラームが発生するか否かによって判定した。その結
果、パワー基板部の温度が１１５°Ｃに到達しても誤動
作せず、サージ電圧抑制手段２０としてのショットキー
ダイオードを設けたことによって従来技術で問題となっ
た過熱保護回路の誤動作を高い精度で回避できることが
実証された。
した実施例になる三相電力変換器について、パワー基板
部の温度を監視しつつ交流出力電流を徐々に増加し、過
熱保護回路の誤動作を過電流トリップが生ずる前に過熱
アラームが発生するか否かによって判定した。その結
果、パワー基板部の温度が１１５°Ｃに到達しても誤動
作せず、サージ電圧抑制手段２０としてのショットキー
ダイオードを設けたことによって従来技術で問題となっ
た過熱保護回路の誤動作を高い精度で回避できることが
実証された。
【００１８】図２はこの発明の異なる実施例になる半導
体装置を三相電力変換器を例に簡略化して示す要部の接
続図であり、サージ電圧抑制手段３０を下側アームの制
御用ＩＣ１６のアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅとグ
ランドライン端子ＧＮＤとの間に接続されたコンデンサ
とし、その静電容量を０．６ｎＦ以上２ｎＦ以下の範囲
に設定した点が前述の実施例と異なっている。このよう
に構成した三相電力変換器においては、ＦＷＤ４の逆回
復時にグランドラインを介してアラーム信号の共通出力
端子に発生するサージ電圧をコンデンサ３０が吸収し、
サージ電圧によって制御用ＩＣ内駆動回路に生ずる基準
電圧の変動を抑制するので、過熱保護回路の誤動作を防
止する効果が得られるとともに、ショットキーダイオー
ドに比べて安価なコンデンサをサージ電圧抑制手段に用
いることによる経済効果が得られる。
体装置を三相電力変換器を例に簡略化して示す要部の接
続図であり、サージ電圧抑制手段３０を下側アームの制
御用ＩＣ１６のアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅとグ
ランドライン端子ＧＮＤとの間に接続されたコンデンサ
とし、その静電容量を０．６ｎＦ以上２ｎＦ以下の範囲
に設定した点が前述の実施例と異なっている。このよう
に構成した三相電力変換器においては、ＦＷＤ４の逆回
復時にグランドラインを介してアラーム信号の共通出力
端子に発生するサージ電圧をコンデンサ３０が吸収し、
サージ電圧によって制御用ＩＣ内駆動回路に生ずる基準
電圧の変動を抑制するので、過熱保護回路の誤動作を防
止する効果が得られるとともに、ショットキーダイオー
ドに比べて安価なコンデンサをサージ電圧抑制手段に用
いることによる経済効果が得られる。
【００１９】また、上述の過熱保護レベルを１１７°Ｃ
に設定した異なる実施例になる三相電力変換器につい
て、サージ電圧抑制手段としてのコンデンサ３０の静電
容量を０．１ｎＦから１０ｎＦの範囲で段階的に変え、
パワー基板部の温度を監視しつつ交流出力電流を徐々に
増加し、過熱保護回路の誤動作を過電流トリップが生ず
る前に過熱アラームが発生するか否かによって判定し
た。その結果、コンデンサ３０の静電容量を０．５６ｎ
Ｆ以上とすれば、パワー基板部の温度が１１５°Ｃに到
達しても誤動作せず、サージ電圧抑制手段３０としての
コンデンサを設けたことにより、従来技術で問題となっ
た過熱保護回路の誤動作を高い精度で回避できることが
実証された。なお、コンデンサ３０の静電容量が大き過
ぎるとアラーム出力時の時間遅れを招くので静電容量の
上限を２ｎＦ程度に抑えることが好ましい。
に設定した異なる実施例になる三相電力変換器につい
て、サージ電圧抑制手段としてのコンデンサ３０の静電
容量を０．１ｎＦから１０ｎＦの範囲で段階的に変え、
パワー基板部の温度を監視しつつ交流出力電流を徐々に
増加し、過熱保護回路の誤動作を過電流トリップが生ず
る前に過熱アラームが発生するか否かによって判定し
た。その結果、コンデンサ３０の静電容量を０．５６ｎ
Ｆ以上とすれば、パワー基板部の温度が１１５°Ｃに到
達しても誤動作せず、サージ電圧抑制手段３０としての
コンデンサを設けたことにより、従来技術で問題となっ
た過熱保護回路の誤動作を高い精度で回避できることが
実証された。なお、コンデンサ３０の静電容量が大き過
ぎるとアラーム出力時の時間遅れを招くので静電容量の
上限を２ｎＦ程度に抑えることが好ましい。
【００２０】図３はこの発明の他の実施例になる半導体
装置を三相電力変換器を例に模式化して示す平面図であ
る。図において、半導体装置１０はインテリジェントパ
ワーモジュールとして構成され、その方形容器１９内に
下側アーム２Ａ，２Ｂ，２Ｃを搭載したパワー基板部１
２Ａ，１２Ｂ，１２Ｂ等１２とともに収納された下側ア
ームの制御用ＩＣ１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，等１６は、
それぞれのアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅと制御端
子列１８との間がサージ電圧抑制手段としての空中配線
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ等３４によって接続された点が
従来技術と異なっている。また、空中配線３４に直列接
続されるホトカプラ内ダイオード電流の調整抵抗３３は
制御用ＩＣ１６に面実装してもよく、空中配線と同様に
空中で空中配線（リード線）に接続し、しかる後方形容
器内に充填するゲル状樹脂中に埋設するよう構成しても
よい。
装置を三相電力変換器を例に模式化して示す平面図であ
る。図において、半導体装置１０はインテリジェントパ
ワーモジュールとして構成され、その方形容器１９内に
下側アーム２Ａ，２Ｂ，２Ｃを搭載したパワー基板部１
２Ａ，１２Ｂ，１２Ｂ等１２とともに収納された下側ア
ームの制御用ＩＣ１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，等１６は、
それぞれのアラーム信号の共通出力端子Ａ／Ｅと制御端
子列１８との間がサージ電圧抑制手段としての空中配線
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ等３４によって接続された点が
従来技術と異なっている。また、空中配線３４に直列接
続されるホトカプラ内ダイオード電流の調整抵抗３３は
制御用ＩＣ１６に面実装してもよく、空中配線と同様に
空中で空中配線（リード線）に接続し、しかる後方形容
器内に充填するゲル状樹脂中に埋設するよう構成しても
よい。
【００２１】上述の空中配線によるサージ電圧の抑制効
果を検証するために、図１のようにＡ／Ｅ−Ｖcc端子間
にショットキーダイオード２０を有する半導体装置１０
に空中配線３４を付加した半導体装置と、プリント配線
（配線パターンとも呼ぶ）１４を付加した半導体装置と
を供試体として、パワー基板部の温度を監視しつつ交流
出力電流を徐々に増加し、過熱保護回路の誤動作を過電
流トリップが生ずる前に過熱アラームが発生するか否か
によって判定した。その結果、プリント配線を付加した
半導体装置ではパワー基板部の温度が９５°C に到達し
た時点で誤動作したのに対して、空中配線を付加した半
導体装置ではパワー基板部の温度が１１５°Ｃに到達し
た時点でも誤動作せず、空中配線としてグランドライン
との静電的結合を疎にすることにより、サージ電圧の抑
制効果が得られるとともに、ショットキーダイオードま
たはコンデンサからなるサージ電圧抑制手段と組み合わ
せることにより、より安定化したサージ電圧の抑制効果
が得られることが実証された。
果を検証するために、図１のようにＡ／Ｅ−Ｖcc端子間
にショットキーダイオード２０を有する半導体装置１０
に空中配線３４を付加した半導体装置と、プリント配線
（配線パターンとも呼ぶ）１４を付加した半導体装置と
を供試体として、パワー基板部の温度を監視しつつ交流
出力電流を徐々に増加し、過熱保護回路の誤動作を過電
流トリップが生ずる前に過熱アラームが発生するか否か
によって判定した。その結果、プリント配線を付加した
半導体装置ではパワー基板部の温度が９５°C に到達し
た時点で誤動作したのに対して、空中配線を付加した半
導体装置ではパワー基板部の温度が１１５°Ｃに到達し
た時点でも誤動作せず、空中配線としてグランドライン
との静電的結合を疎にすることにより、サージ電圧の抑
制効果が得られるとともに、ショットキーダイオードま
たはコンデンサからなるサージ電圧抑制手段と組み合わ
せることにより、より安定化したサージ電圧の抑制効果
が得られることが実証された。
【００２２】
【発明の効果】この発明は前述のように、ＩＧＢＴのス
イッチングに伴ってアラーム信号の共通出力端子に生ず
る過熱アラーム信号の誤動作をサージ電圧の抑制によっ
て阻止するサージ電圧抑制手段を制御用ＩＣの共通出力
端子側に設けるよう構成した。その結果、サージ電圧抑
制手段を制御用ＩＣのアラーム信号の共通出力端子から
制御電源電圧入力端子に向かう方向を順方向として接続
された一方向性降伏ダイオード，例えばショットキーダ
イオードで構成しても、また、制御用ＩＣのアラーム信
号の共通出力端子と接地端子との間に接続された静電容
量が０．６ｎＦ以上２ｎＦ以下のコンデンサで構成して
も、過電流トリップが生ずる前に過熱アラームが発生す
る過熱保護回路の誤動作を阻止することが可能となり、
従って信頼性の高い過電流保護機能，短絡電流保護機
能，および過熱保護機能を備えた半導体装置、ことにイ
ンテリジェントパワーモジュールを提供することができ
る。
イッチングに伴ってアラーム信号の共通出力端子に生ず
る過熱アラーム信号の誤動作をサージ電圧の抑制によっ
て阻止するサージ電圧抑制手段を制御用ＩＣの共通出力
端子側に設けるよう構成した。その結果、サージ電圧抑
制手段を制御用ＩＣのアラーム信号の共通出力端子から
制御電源電圧入力端子に向かう方向を順方向として接続
された一方向性降伏ダイオード，例えばショットキーダ
イオードで構成しても、また、制御用ＩＣのアラーム信
号の共通出力端子と接地端子との間に接続された静電容
量が０．６ｎＦ以上２ｎＦ以下のコンデンサで構成して
も、過電流トリップが生ずる前に過熱アラームが発生す
る過熱保護回路の誤動作を阻止することが可能となり、
従って信頼性の高い過電流保護機能，短絡電流保護機
能，および過熱保護機能を備えた半導体装置、ことにイ
ンテリジェントパワーモジュールを提供することができ
る。
【００２３】また、下側アームの制御用ＩＣのアラーム
信号の共通出力端子と制御端子列との間を空中配線を用
いて接続するよう構成してもサージ電圧抑制効果が得ら
れ、これと前述のショットキーダイオードまたはコンデ
ンサからなるサージ電圧抑制手段とを組み合わせること
により、より信頼性の高い過熱保護機能を有する半導体
装置，ことにインテリジェントパワーモジュールを提供
することができる。
信号の共通出力端子と制御端子列との間を空中配線を用
いて接続するよう構成してもサージ電圧抑制効果が得ら
れ、これと前述のショットキーダイオードまたはコンデ
ンサからなるサージ電圧抑制手段とを組み合わせること
により、より信頼性の高い過熱保護機能を有する半導体
装置，ことにインテリジェントパワーモジュールを提供
することができる。
【図１】この発明の実施例になる半導体装置を三相電力
変換器を例に簡略化して示す要部の接続図
変換器を例に簡略化して示す要部の接続図
【図２】この発明の異なる実施例になる半導体装置を三
相電力変換器を例に簡略化して示す要部の接続図
相電力変換器を例に簡略化して示す要部の接続図
【図３】この発明の他の実施例になる半導体装置を三相
電力変換器を例に模式化して示す平面図
電力変換器を例に模式化して示す平面図
【図４】従来の半導体装置を三相電力変換器を例に簡略
化して示す接続図
化して示す接続図
【図５】従来の半導体装置を三相電力変換器を例に模式
化して示す平面図
化して示す平面図
【図６】従来の半導体装置を三相電力変換器を例に簡略
化して示す接続図
化して示す接続図
１ 上側アーム（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ） ２ 下側アーム（２Ａ，２Ｂ，２Ｃ） ３ スイッチング素子（ＩＧＢＴ） ４ ＦＷＤ ５ 上側アームの駆動回路（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ） ６ 下側アームの駆動回路（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ） ７ 過電流検出抵抗 ８ 負性抵抗素子（サーミスタ） １０ 半導体装置（インテリジェントパワーモジュー
ル） １１ 上側アームを搭載したパワー基板部 １２ 下側アームを搭載したパワー基板部 １３ ダイオード電流の調整抵抗 １４ プリント配線（配線パターン） １５ 上側アームの駆動回路を搭載した制御用ＩＣ １６ 下側アームの駆動回路を搭載した制御用ＩＣ １７ 交流端子列 １８ 制御端子列 １９ 方形容器 ２０ サージ電圧抑制手段（ショットキーダイオー
ド） ２１ 制御電源（Ｖcc） ３０ サージ電圧抑制手段（コンデンサ） ３３ ダイオード電流の調整抵抗 ３４ サージ電圧抑制手段（空中配線） Ｖcc 制御電源端子 Ｏ／Ｓ 過電流信号入力端子 ＯＨ 過熱検出信号入力端子 Ａ／Ｅ アラーム信号の共通出力端子 ＧＮＤ グランドライン端子
ル） １１ 上側アームを搭載したパワー基板部 １２ 下側アームを搭載したパワー基板部 １３ ダイオード電流の調整抵抗 １４ プリント配線（配線パターン） １５ 上側アームの駆動回路を搭載した制御用ＩＣ １６ 下側アームの駆動回路を搭載した制御用ＩＣ １７ 交流端子列 １８ 制御端子列 １９ 方形容器 ２０ サージ電圧抑制手段（ショットキーダイオー
ド） ２１ 制御電源（Ｖcc） ３０ サージ電圧抑制手段（コンデンサ） ３３ ダイオード電流の調整抵抗 ３４ サージ電圧抑制手段（空中配線） Ｖcc 制御電源端子 Ｏ／Ｓ 過電流信号入力端子 ＯＨ 過熱検出信号入力端子 Ａ／Ｅ アラーム信号の共通出力端子 ＧＮＤ グランドライン端子
Claims (4)
- 【請求項１】スイッチング素子としてのＩＧＢＴを搭載
した複数のパワー基板部と、その駆動回路を搭載した制
御用ＩＣとが方形容器に収納され、各相一対のＩＧＢＴ
が直流ライン間にアーム接続されて直流端子および交流
端子が前記方形容器の枠状部分に配列されるとともに、
制御用ＩＣがＩＧＢＴの過電流および短絡電流検出信号
の入力端子，ＩＧＢＴ側に配された負性抵抗素子による
過熱検出信号の入力端子と，駆動回路が過電流，短絡電
流，または過熱を検出して発するアラーム信号の共通出
力端子とを備えたものにおいて、ＩＧＢＴのスイッチン
グに伴って共通出力端子に生ずる過熱アラーム信号の誤
動作をサージ電圧の抑制によって阻止するサージ電圧抑
制手段を制御用ＩＣの共通出力端子側に設けてなること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】サージ電圧抑制手段が制御用ＩＣのアラー
ム信号の共通出力端子から制御電源電圧入力端子に向か
う方向を順方向として接続された一方向性降伏ダイオー
ドからなり、その順電圧降下が制御用ＩＣ内寄生ダイオ
ードのそれ以下であることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。 - 【請求項３】サージ電圧抑制手段が制御用ＩＣのアラー
ム信号の共通出力端子とグランドライン端子との間に接
続されたコンデンサからなり、その静電容量が０．６ｎ
Ｆ以上２ｎＦ以下であることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。 - 【請求項４】サージ電圧抑制手段が制御用ＩＣの共通出
力端子と方形容器の枠状部分に配列された制御端子列と
を結ぶ空中配線からなることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9039694A JPH07297695A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9039694A JPH07297695A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297695A true JPH07297695A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13997429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9039694A Pending JPH07297695A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297695A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6215634B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-04-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Drive circuit for power device |
| JP2006166691A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| US7312427B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency dielectric heating device and printed board with thermistor |
| KR20190048707A (ko) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 현대오트론 주식회사 | 전력 반도체 칩 |
| JP2021061750A (ja) * | 2018-07-24 | 2021-04-15 | 広東美的制冷設備有限公司Ｇｄ Ｍｉｄｅａ Ａｉｒ−Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | インテリジェントパワーモジュールの駆動ｉｃ回路、インテリジェントパワーモジュール及びエアコン |
| US11456658B2 (en) | 2018-07-24 | 2022-09-27 | Gd Midea Air-Conditioning Equipment Co., Ltd. | Driver IC circuit of intelligent power module, intelligent power module, and air conditioner |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP9039694A patent/JPH07297695A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6215634B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-04-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Drive circuit for power device |
| US7312427B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency dielectric heating device and printed board with thermistor |
| JP2006166691A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| US7538587B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-05-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor device |
| JP4682007B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2011-05-11 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| KR20190048707A (ko) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 현대오트론 주식회사 | 전력 반도체 칩 |
| JP2021061750A (ja) * | 2018-07-24 | 2021-04-15 | 広東美的制冷設備有限公司Ｇｄ Ｍｉｄｅａ Ａｉｒ−Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | インテリジェントパワーモジュールの駆動ｉｃ回路、インテリジェントパワーモジュール及びエアコン |
| US11456658B2 (en) | 2018-07-24 | 2022-09-27 | Gd Midea Air-Conditioning Equipment Co., Ltd. | Driver IC circuit of intelligent power module, intelligent power module, and air conditioner |
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