JPH07297509A - Metallic base substrate and its manufacture - Google Patents
Metallic base substrate and its manufactureInfo
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- JPH07297509A JPH07297509A JP8314594A JP8314594A JPH07297509A JP H07297509 A JPH07297509 A JP H07297509A JP 8314594 A JP8314594 A JP 8314594A JP 8314594 A JP8314594 A JP 8314594A JP H07297509 A JPH07297509 A JP H07297509A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、金属箔と金属板との間
に多層構造の絶縁層を介在させた金属ベース基板、およ
びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal base substrate having a multi-layered insulating layer interposed between a metal foil and a metal plate, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、パワートランジスタやハイブリッ
ドＩＣの高密度実装化が進み、これらの発熱部品から発
生する熱を考慮したプリント配線板設計が必要になって
いる。2. Description of the Related Art In recent years, high density packaging of power transistors and hybrid ICs has progressed, and it is necessary to design a printed wiring board in consideration of heat generated from these heat generating components.
【０００３】この問題を解決する一手段として、熱伝導
性、放熱性に優れた金属ベース基板が使用されている。As a means for solving this problem, a metal base substrate excellent in heat conductivity and heat dissipation is used.
【０００４】この例として、特開平４−３２３８８９
号、特開平５−１６７２１２号公報に示されているよう
に、多量の高熱伝導性無機フィラーを絶縁層に含有した
金属ベース基板がある。As an example of this, Japanese Patent Laid-Open No. 4-323889
As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-167212, there is a metal base substrate containing a large amount of high thermal conductive inorganic filler in an insulating layer.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の金属ベース基板では、熱伝導性を向上させるため
に、いかに多量の高熱伝導性無機フィラーを絶縁層に充
填させるかが課題であり、そのために広い粒度分布をも
つ無機フィラーや球状無機フィラーの使用等が検討され
ている。By the way, in such a conventional metal-based substrate, the problem is how to fill the insulating layer with a large amount of the high thermal conductive inorganic filler in order to improve the thermal conductivity. For this reason, the use of inorganic fillers having a wide particle size distribution and spherical inorganic fillers has been studied.
【０００６】しかし、無機フィラーを高充填した絶縁層
を有する金属ベース基板では、樹脂単体の絶縁層を有す
る金属ベース基板に比べ、マイクロボイドや無機フィラ
ーと樹脂界面を起因として絶縁破壊が起こりやすく、耐
電圧特性に劣る、という課題がある。However, in a metal base substrate having an insulating layer highly filled with an inorganic filler, dielectric breakdown is more likely to occur due to a micro void or an interface between the inorganic filler and the resin, as compared with a metal base substrate having an insulating layer made of a resin alone. There is a problem that the withstand voltage characteristic is inferior.
【０００７】本発明は、熱伝導性に優れ、かつ耐電圧特
性に優れた金属ベース基板、およびその製造方法を提供
することを目的とする。An object of the present invention is to provide a metal base substrate having excellent thermal conductivity and excellent withstand voltage characteristics, and a method for manufacturing the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１〜４記載の発明では、金属箔と金属板との
間に多層構造の絶縁層を介在させた金属ベース基板にお
いて、金属箔に接する絶縁層中と金属板に接する絶縁層
中には無機フィラーを含まず、これらの絶縁層に挟まれ
た絶縁層中には無機フィラーを６５〜８０体積％または
７０〜８０体積％だけ含有させる、ことを特徴とする。In order to achieve the above object, according to the invention of claims 1 to 4, a metal base substrate in which an insulating layer having a multi-layer structure is interposed between a metal foil and a metal plate is used. The insulating layer in contact with the foil and the insulating layer in contact with the metal plate do not contain an inorganic filler, and the insulating layer sandwiched between these insulating layers contains only 65 to 80% by volume or 70 to 80% by volume of the inorganic filler. It is characterized by containing.
【０００９】請求項３記載の発明では、さらに金属箔に
接する絶縁層と金属板に接する絶縁層の厚みが５〜３０
μｍの範囲にある、ことを特徴とする。In the invention according to claim 3, the thickness of the insulating layer in contact with the metal foil and the thickness of the insulating layer in contact with the metal plate are 5 to 30.
It is in the range of μm.
【００１０】請求項４記載の発明では、さらに無機フィ
ラーがアルミナである、ことを特徴とする。The invention according to claim 4 is further characterized in that the inorganic filler is alumina.
【００１１】請求項５，６記載の発明では、金属箔の一
面に無機フィラーを含まないワニスを塗布して、Ｂステ
ージまたはＣステージに硬化させ、無機フィラーを含ま
ない絶縁層を形成する第１工程と、第１工程によって形
成した金属箔の絶縁層表面に無機フィラーを６５〜８０
体積％または７０〜８０体積％だけ含んだワニスを塗布
して、ＢステージまたはＣステージに硬化させ、無機フ
ィラーを含む絶縁層を形成する第２工程と、第２工程に
よって形成した金属箔の絶縁層表面に無機フィラーを含
まないワニスを塗布して、Ｂステージに硬化させ、無機
フィラーを含まない絶縁層を形成する第３工程と、第３
工程によって絶縁層を形成した金属箔と金属板とを前記
金属箔の絶縁層が内面側になるように両者を積み合わ
せ、熱圧積層してこれらを一体化せしめる第４工程と、
を有することを特徴とする。According to the fifth and sixth aspects of the present invention, a varnish containing no inorganic filler is applied to one surface of the metal foil and cured at the B stage or the C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler. Step, and an inorganic filler 65 to 80 on the surface of the insulating layer of the metal foil formed by the first step
A second step of applying a varnish containing only volume% or 70 to 80 volume% and curing the varnish at the B stage or the C stage to form an insulating layer containing an inorganic filler, and insulation of the metal foil formed by the second step. A third step of applying a varnish containing no inorganic filler to the surface of the layer and curing the varnish at the B stage to form an insulating layer containing no inorganic filler;
A fourth step of stacking the metal foil and the metal plate on which an insulating layer is formed by the step so that the insulating layer of the metal foil is on the inner surface side, and thermocompressing and laminating them.
It is characterized by having.
【００１２】請求項７，８記載の発明では、金属箔の一
面に無機フィラーを含まないワニスを塗布して、Ｂステ
ージまたはＣステージに硬化させ、無機フィラーを含ま
ない絶縁層を形成する第１工程と、第１工程によって形
成した金属箔の絶縁層表面に無機フィラーを６５〜８０
体積％または７０〜８０体積％だけ含んだワニスを塗布
して、Ｂステージに硬化させ、無機フィラーを含む絶縁
層を形成する第２工程と、金属板の一面に無機フィラー
を含まないワニスを塗布して、ＢステージまたはＣステ
ージに硬化させ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成
する第３工程と、第１工程によって絶縁層を形成した金
属箔と第３工程によって絶縁層を形成した金属板とを前
記各絶縁層が内面側になるように両者を積み合わせ、熱
圧積層してこれらを一体化せしめる第４工程と、を有す
ることを特徴とする。According to the seventh and eighth aspects of the present invention, a varnish containing no inorganic filler is applied to one surface of the metal foil and cured at the B stage or the C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler. Step, and an inorganic filler 65 to 80 on the surface of the insulating layer of the metal foil formed by the first step
The second step of applying a varnish containing only 70% by volume or 70-80% by volume and curing it to the B stage to form an insulating layer containing an inorganic filler, and applying a varnish containing no inorganic filler to one surface of the metal plate. Then, the third step of curing to the B stage or the C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, the metal foil having the insulating layer formed in the first step, and the metal plate having the insulating layer formed in the third step And a fourth step of stacking the insulating layers so that the insulating layers are on the inner surface side, and thermocompressing and laminating them to integrate them.
【００１３】請求項９，１０記載の発明では、金属箔の
一面に無機フィラーを含まないワニスを塗布して、Ｂス
テージに硬化させ、無機フィラーを含まない絶縁層を形
成する第１工程と、金属板の一面に無機フィラーを含ま
ないワニスを塗布して、ＢステージまたはＣステージに
硬化させ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成する第
２工程と、第２工程によって形成した金属板の絶縁層表
面に無機フィラーを６５〜８０体積％または７０〜８０
体積％だけ含んだワニスを塗布して、Ｂステージに硬化
させ、無機フィラーを含む絶縁層を形成する第３工程
と、第１工程によって絶縁層を形成した金属箔と第３工
程によって絶縁層を形成した金属板とを前記各絶縁層が
内面側になるように両者を積み合わせ、熱圧積層してこ
れらを一体化せしめる第４工程と、を有することを特徴
とする。According to the ninth and tenth aspects of the present invention, a varnish containing no inorganic filler is applied to one surface of the metal foil and cured at the B stage to form an insulating layer containing no inorganic filler. A second step of applying a varnish containing no inorganic filler to one surface of the metal plate and curing the varnish at the B stage or the C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and insulating the metal plate formed by the second step. 65-80% by volume or 70-80% by volume of inorganic filler on the layer surface
A third step of applying a varnish containing only volume% and curing it on the B stage to form an insulating layer containing an inorganic filler, a metal foil having an insulating layer formed by the first step, and an insulating layer by the third step. A fourth step of stacking the formed metal plate so that the respective insulating layers are on the inner surface side, and thermocompressively laminating them to integrate them.
【００１４】請求項１１，１２記載の発明では、金属板
の一面に無機フィラーを含まないワニスを塗布して、Ｂ
ステージまたはＣステージに硬化させ、無機フィラーを
含まない絶縁層を形成する第１工程と、第１工程によっ
て形成した金属板の絶縁層表面に無機フィラーを６５〜
８０体積％または７０〜８０体積％だけ含んだワニスを
塗布して、ＢステージまたはＣステージに硬化させ、無
機フィラーを含む絶縁層を形成する第２工程と、第２工
程によって形成した金属板の絶縁層表面に無機フィラー
を含まないワニスを塗布して、Ｂステージに硬化させ、
無機フィラーを含まない絶縁層を形成する第３工程と、
金属箔と第３工程によって絶縁層を形成した金属板とを
前記金属箔の絶縁層が内面側になるように両者を積み合
わせ、熱圧積層してこれらを一体化せしめる第４工程
と、を有することを特徴とする。According to the invention described in claims 11 and 12, a varnish containing no inorganic filler is applied to one surface of the metal plate to form B.
The first step of forming an insulating layer containing no inorganic filler by curing to a stage or a C stage, and an inorganic filler of 65 to 65 on the surface of the insulating layer of the metal plate formed by the first step
A second step of applying a varnish containing only 80% by volume or 70 to 80% by volume and curing the varnish at the B stage or the C stage to form an insulating layer containing an inorganic filler; and a metal plate formed by the second step. Apply varnish containing no inorganic filler on the surface of the insulating layer and cure to B stage,
A third step of forming an insulating layer containing no inorganic filler,
A fourth step of stacking the metal foil and a metal plate having an insulating layer formed in the third step so that the insulating layer of the metal foil is on the inner surface side, and thermocompressing and laminating them together. It is characterized by having.
【００１５】[0015]
【作用】請求項１〜４記載の発明では、金属箔と金属板
との間に多層構造の絶縁層を介在させた金属ベース基板
において、金属箔に接する絶縁層中と金属板に接する絶
縁層中には無機フィラーを含まず、これらの絶縁層に挟
まれた絶縁層中には無機フィラーを６５〜８０体積％ま
たは７０〜８０体積％だけ含有させることにより、熱伝
導性および耐電圧特性が向上する。In a metal base substrate in which an insulating layer having a multi-layered structure is interposed between a metal foil and a metal plate, an insulating layer in contact with the metal foil and an insulating layer in contact with the metal plate are provided. The inorganic filler is not contained therein, and the insulating layer sandwiched between these insulating layers contains the inorganic filler in an amount of 65 to 80% by volume or 70 to 80% by volume, whereby thermal conductivity and withstand voltage characteristics are improved. improves.
【００１６】また、請求項５，６記載の発明では、前記
構造の金属ベース基板を製造するに際し、第１工程によ
り金属箔の一面に無機フィラーを含まない絶縁層を形成
し、第２工程により第１工程によって形成した絶縁層表
面に無機フィラーを６５〜８０体積％または７０〜８０
体積％だけ含んだ絶縁層を形成し、第３工程により第２
工程によって形成した絶縁層表面に無機フィラーを含ま
ない絶縁層を形成し、第４工程により第３工程によって
絶縁層を形成した金属箔と金属板とを前記金属箔の絶縁
層が内面側になるように積み合わせ、熱圧積層してこれ
らを一体化せしめる。According to the fifth and sixth aspects of the invention, when the metal base substrate having the above structure is manufactured, an insulating layer containing no inorganic filler is formed on one surface of the metal foil by the first step, and the second step is performed. An inorganic filler is formed on the surface of the insulating layer formed in the first step by 65 to 80% by volume or 70 to 80% by volume.
The insulating layer containing only volume% is formed, and the second step is performed by the third step.
An insulating layer containing no inorganic filler is formed on the surface of the insulating layer formed by the step, and the metal foil and the metal plate on which the insulating layer is formed by the third step by the fourth step have the insulating layer of the metal foil on the inner surface side. Then, they are laminated by thermocompression and integrated.
【００１７】請求項７，８記載の発明では、前記構造の
金属ベース基板を製造するに際し、第１工程により金属
箔の一面に無機フィラーを含まない絶縁層を形成し、第
２工程により第１工程によって形成した絶縁層表面に無
機フィラーを６５〜８０体積％または７０〜８０体積％
だけ含んだ絶縁層を形成し、第３工程により金属板の一
面に無機フィラーを含まない絶縁層を形成し、第４工程
により第２工程によって絶縁層を形成した金属箔と第３
工程によって絶縁層を形成した金属板とを前記各絶縁層
が内面側になるように両者を積み合わせ、熱圧積層して
これらを一体化せしめる。According to the seventh and eighth aspects of the invention, when manufacturing the metal base substrate having the above structure, an insulating layer containing no inorganic filler is formed on one surface of the metal foil in the first step, and the first step is performed in the second step. 65-80% by volume or 70-80% by volume of inorganic filler on the surface of the insulating layer formed by the process
And an insulating layer formed by forming the insulating layer containing the inorganic filler in one surface of the metal plate in the third step, and forming the insulating layer in the second step in the fourth step.
A metal plate on which an insulating layer is formed by a step is stacked so that the insulating layers are on the inner surface side, and they are laminated by thermocompression to integrate them.
【００１８】請求項９，１０記載の発明では、前記構造
の金属ベース基板を製造するに際し、第１工程により金
属箔の一面に無機フィラーを含まない絶縁層を形成し、
第２工程により金属板の一面に無機フィラーを含まない
絶縁層を形成し、第３工程により第２工程によって形成
した絶縁層表面に無機フィラーを６５〜８０体積％また
は７０〜８０体積％だけ含んだ絶縁層を形成し、第４工
程によって第１工程によって絶縁層を形成した金属箔と
第３工程によって絶縁層を形成した金属板とを前記各絶
縁層が内面側になるように両者を積み合わせて、熱圧積
層してこれらを一体化せしめる。According to the ninth and tenth aspects of the invention, when the metal base substrate having the above structure is manufactured, an insulating layer containing no inorganic filler is formed on one surface of the metal foil in the first step.
An insulating layer containing no inorganic filler is formed on one surface of the metal plate by the second step, and the insulating layer surface formed by the second step by the third step contains the inorganic filler in an amount of 65 to 80% by volume or 70 to 80% by volume. Forming an insulating layer, and stacking the metal foil having the insulating layer formed in the first step in the fourth step and the metal plate having the insulating layer formed in the third step so that the insulating layers are on the inner surface side. Together, they are laminated under heat and pressure to integrate them.
【００１９】請求項１１，１２記載の発明では、前記構
造の金属ベース基板を製造するに際し、第１工程により
金属板の一面に無機フィラーを含まない絶縁層を形成
し、第２工程により第１工程によって形成した絶縁層表
面に無機フィラーを６５〜８０体積％または７０〜８０
体積％だけ含んだ絶縁層を形成し、第３工程により第２
工程によって形成した絶縁層表面に無機フィラーを含ま
ない絶縁層を形成し、第４工程により金属箔と第３工程
によって絶縁層を形成した金属板とを前記金属箔の絶縁
層が内面側になるように両者を積み合わせて、熱圧積層
してこれらを一体化せしめる。According to the eleventh and twelfth aspects of the invention, when the metal base substrate having the above structure is manufactured, an insulating layer containing no inorganic filler is formed on one surface of the metal plate in the first step, and the first step is performed in the second step. The inorganic filler is formed on the surface of the insulating layer by the step of 65 to 80% by volume or 70 to 80% by volume.
The insulating layer containing only volume% is formed, and the second step is performed by the third step.
An insulating layer containing no inorganic filler is formed on the surface of the insulating layer formed by the step, and the metal foil formed by the fourth step and the metal plate formed with the insulating layer by the third step have the insulating layer on the inner surface side. As described above, the two are stacked and thermo-pressure laminated to integrate them.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、本発明に係る金属ベース基板およびそ
の製造方法と、その実施例について図面を参照して説明
する。まず、本発明に係る金属ベース基板の構造につい
て説明する。図１は、請求項１〜４記載の発明に係る金
属ベース基板の断面の一例を示している。この金属ベー
ス基板は、金属箔１と、無機フィラーを含まない絶縁層
２１と、後述するように多量の無機フィラーを含む絶縁
層２２と、無機フィラーを含まない絶縁層２３と、金属
板３とから構成されている。金属箔１は、銅箔、アルミ
箔等の導電性を有するものであって、特に限定されるも
のではない。金属板３は、アルミニウム板、鉄板やこれ
らの合金等であって、特に限定されるものではない。絶
縁層２１、絶縁層２２、絶縁層２３の樹脂成分として
は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹
脂、フェノキシ樹脂及びこれらの混合樹脂などが使用可
能である。それぞれの層の樹脂成分は同一のものが望ま
しいが、特に限定されるものではない。本発明において
は、絶縁層２２に絶縁性で熱伝導性の良好な無機フィラ
ーを６５〜８０体積％、好ましくは７０〜８０体積％だ
け充填する。ここで用いる無機フィラーには、体積抵抗
率１０10Ω・ｃｍ以上、熱伝導率０．０５ｃａｌ／ｃｍ
・ｓｅｃ・℃以上の例えばアルミナ、酸化マグネシウ
ム、酸化ベリウム等の酸化物の粉末、窒化アルミニウ
ム、窒化ほう素等の窒化物の粉末、ダイヤモンドの粉末
などが使用可能である。また、単一の粒径をもつ無機フ
ィラーでは、６５体積％以上充填した場合には、ボイド
の発生は免れない。したがって、広い粒度分布をもつ無
機フィラーを用いる必要性があるが、本発明ではこれを
限定するものではない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A metal base substrate according to the present invention, a method for manufacturing the same, and embodiments thereof will be described below with reference to the drawings. First, the structure of the metal base substrate according to the present invention will be described. FIG. 1 shows an example of a cross section of the metal base substrate according to the first to fourth aspects of the invention. This metal base substrate includes a metal foil 1, an insulating layer 21 containing no inorganic filler, an insulating layer 22 containing a large amount of inorganic filler as described later, an insulating layer 23 containing no inorganic filler, and a metal plate 3. It consists of The metal foil 1 has conductivity such as copper foil and aluminum foil, and is not particularly limited. The metal plate 3 is an aluminum plate, an iron plate, an alloy thereof, or the like, and is not particularly limited. As the resin component of the insulating layer 21, the insulating layer 22, and the insulating layer 23, epoxy resin, phenol resin, bismaleimide resin, phenoxy resin, a mixed resin thereof, or the like can be used. The resin component of each layer is preferably the same, but is not particularly limited. In the present invention, the insulating layer 22 is filled with an inorganic filler having an insulating property and good thermal conductivity in an amount of 65 to 80% by volume, preferably 70 to 80% by volume. The inorganic filler used here has a volume resistivity of 10 10 Ω · cm or more and a thermal conductivity of 0.05 cal / cm.
It is possible to use powders of oxides such as alumina, magnesium oxide, beryllium oxide, powders of nitrides such as aluminum nitride and boron nitride, powders of diamond and the like having a temperature of sec · ° C. or higher. Further, with an inorganic filler having a single particle size, voids are unavoidable when the content is 65 vol% or more. Therefore, it is necessary to use an inorganic filler having a wide particle size distribution, but the present invention is not limited to this.
【００２１】次に、本発明に係る金属ベース基板の製造
方法について説明する。図２は、請求項５または請求項
６記載の発明に係る金属ベース基板の製造方法の工程を
示している。この発明は、第１〜第３工程により金属箔
１に順次無機フィラーを含まない絶縁層２１、多量の無
機フィラーを含む絶縁層２２、無機フィラーを含まない
絶縁層２３を設けて３層の絶縁層２１，２２，２３を設
け、最後の第４工程によりこの絶縁層２１，２２，２３
付の金属箔１と、金属板３を一体化する製造方法であ
る。Next, a method of manufacturing the metal base substrate according to the present invention will be described. FIG. 2 shows steps of a method for manufacturing a metal base substrate according to the invention of claim 5 or claim 6. This invention provides three layers of insulation by sequentially providing an insulating layer 21 containing no inorganic filler, an insulating layer 22 containing a large amount of inorganic filler, and an insulating layer 23 containing no inorganic filler in the metal foil 1 in the first to third steps. The layers 21, 22, 23 are provided, and the insulating layers 21, 22, 23 are formed by the final fourth step.
This is a manufacturing method in which the attached metal foil 1 and the metal plate 3 are integrated.
【００２２】図３は、請求項７または請求項８記載の発
明に係る金属ベース基板の製造方法の工程を示してい
る。この発明は、第１工程および第２工程により金属箔
１に順次無機フィラーを含まない絶縁層２１、多量の無
機フィラーを含む絶縁層２２を設けて２層の絶縁層２
１，２２を設けると共に、第３工程により金属板３に無
機フィラーを含まない絶縁層２３を設け、最後の第４工
程によりこの絶縁層２１，２２付の金属箔１と、絶縁層
２３付金属板３とを一体化する製造方法である。FIG. 3 shows steps of a method for manufacturing a metal base substrate according to the invention of claim 7 or claim 8. According to the present invention, an insulating layer 21 containing no inorganic filler and an insulating layer 22 containing a large amount of inorganic filler are sequentially provided on the metal foil 1 in the first step and the second step to form two insulating layers 2.
1 and 22, the insulating layer 23 containing no inorganic filler is provided on the metal plate 3 by the third step, and the metal foil 1 with the insulating layers 21 and 22 and the metal with the insulating layer 23 are provided by the final fourth step. This is a manufacturing method in which the plate 3 is integrated.
【００２３】図４は、請求項９または請求項１０記載の
発明に係る金属ベース基板の製造方法の工程を示してい
る。この発明は、第１工程により金属箔１に無機フィラ
ーを含まない絶縁層２１を設けると共に、第２工程およ
び第３工程により金属板３に順次無機フィラーを含まな
い絶縁層２３、多量の無機フィラーを含む絶縁層２２を
設けて２層の絶縁層２３，２２を設け、最後の第４工程
によりこの絶縁層２１付の金属箔１と、絶縁層２２，２
３付金属板３とを一体化する製造方法である。FIG. 4 shows steps of a method for manufacturing a metal base substrate according to the invention of claim 9 or claim 10. This invention provides an insulating layer 21 containing no inorganic filler on the metal foil 1 by the first step, and an insulating layer 23 containing no inorganic filler on the metal plate 3 sequentially by the second step and the third step, and a large amount of inorganic filler. The insulating layer 22 including the insulating layer 23 is provided to provide the two insulating layers 23 and 22, and the metal foil 1 with the insulating layer 21 and the insulating layers 22 and 2 are provided by the final fourth step.
It is a manufacturing method in which the metal plate 3 with 3 is integrated.
【００２４】図５は、請求項１１または請求項１２記載
の発明に係る金属ベース基板の製造方法の工程を示して
いる。この発明は、第１〜第３工程により金属板３に順
次無機フィラーを含まない絶縁層２３、多量の無機フィ
ラーを含む絶縁層２２、無機フィラーを含まない絶縁層
２１を設けて３層の絶縁層２３，２２，２１を設け、最
後の第４工程によりこの絶縁層２３，２２，２１付の金
属板３と、金属箔１とを一体化する製造方法である。な
お、上記各金属ベース基板の製造方法において、請求項
５，７，９，１１記載の発明の場合には、絶縁層２２中
に無機フィラーを６５〜８０体積％だけ含有し、請求項
６、８、１０、１２記載の発明の場合には、絶縁層２２
中に無機フィラーを７０〜８０体積％だけ含有させる。
また、上記各金属ベース基板の製造方法において、多量
の無機フィラーを含有するワニスの製造法としては、ら
いかい機、ニーダ、ボールミルやロールミルなどを単独
または組み合わせて行うことができるが、無機フィラー
の分散が十分にできるものであれば特にその混練法を限
定するものではない。なお、ワニス作製後、真空脱気や
超音波脱気によりワニス中の気泡を除去することが望ま
しい。金属箔に絶縁層を形成する方法としては、バーコ
ータ塗工法、リップコータ塗工法、ロールコータ塗工法
などがあるが、クレータやボイド等の欠陥が少なく、均
一な絶縁層厚みを得られる方法であるならばこれを限定
するものではない。金属板に絶縁層を形成する方法とし
ては、スクリーン印刷法、カーテンコート法、シート状
にしたものをラミネートする方法などがあるが、クレー
タやボイド等の欠陥が少なく、均一な絶縁層厚みを得る
ことができる方法であるならばこれを限定するものでは
ない。絶縁層２１，２２，２３の積層方法については、
プレスあるいはロールラミネーションなどがあるが、こ
れを限定するものではなく、真空プレス、真空ロールラ
ミネーション等を用いてボイド低減を図ってもよい。FIG. 5 shows steps of a method of manufacturing a metal base substrate according to the invention of claim 11 or claim 12. This invention provides three layers of insulation by sequentially providing an insulating layer 23 containing no inorganic filler, an insulating layer 22 containing a large amount of inorganic filler, and an insulating layer 21 not containing inorganic filler on the metal plate 3 in the first to third steps. This is a manufacturing method in which the layers 23, 22, 21 are provided, and the metal plate 3 with the insulating layers 23, 22, 21 is integrated with the metal foil 1 in the final fourth step. In the method of manufacturing each of the metal base substrates described above, in the case of the invention of claims 5, 7, 9 and 11, the insulating layer 22 contains an inorganic filler in an amount of 65 to 80% by volume, In the case of the invention described in 8, 10, 12, the insulating layer 22
The inorganic filler is contained therein in an amount of 70 to 80% by volume.
Further, in the method for producing each of the metal base substrates, as a method for producing a varnish containing a large amount of an inorganic filler, a raider machine, a kneader, a ball mill, a roll mill, or the like can be used alone or in combination. The kneading method is not particularly limited as long as it can be sufficiently dispersed. After the varnish is produced, it is desirable to remove air bubbles in the varnish by vacuum degassing or ultrasonic degassing. As a method of forming an insulating layer on a metal foil, there are a bar coater coating method, a lip coater coating method, a roll coater coating method, etc., but if there is little defect such as craters and voids and a uniform insulating layer thickness can be obtained. For example, this is not a limitation. As a method of forming an insulating layer on a metal plate, there are a screen printing method, a curtain coating method, a method of laminating a sheet-shaped material, etc., but there are few defects such as craters and voids, and a uniform insulating layer thickness is obtained. This is not a limitation as long as it can be done. Regarding the method of stacking the insulating layers 21, 22, 23,
Although there is a press or roll lamination, the present invention is not limited to this, and a vacuum press, a vacuum roll lamination, or the like may be used for void reduction.
【００２５】次に、本発明に係る金属ベース基板の実施
例１〜１２およびその比較例１〜３と、その比較結果に
ついて説明する。まずは各実施例１〜１２および比較例
１〜３に用いるワニス１〜３の組成を示す。なお、ワニ
ス２、ワニス３についてはボールミルでフィラーが十分
に分散されるまで混合する。Next, Examples 1 to 12 of the metal base substrate according to the present invention and Comparative Examples 1 to 3 thereof and the comparison results will be described. First, the compositions of varnishes 1 to 3 used in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 3 will be shown. The varnishes 2 and 3 are mixed in a ball mill until the filler is sufficiently dispersed.
【００２６】 ［ワニス１の組成］ ・エポキシ樹脂 エピコート１００１（油化シェルエポキシ株式会社、商品名）・３０重量部 ・エポキシ樹脂 エピコート８２８（油化シェルエポキシ株式会社、商品名）・・５０重量部 ・フェノキシ樹脂 ＹＰ−５０（東都化成株式会社、商品名）・・・・・・・・・・２０重量部 ・フェールノボラック樹脂 ＨＰ８５０Ｎ（日立化成工業株式会社、商品名）・・・・・・・３５重量部 ・イミダゾール ２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業株式会社、商品名）・・・・・・０．５重量部[Composition of varnish 1] Epoxy resin Epicoat 1001 (Okaka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name) 30 parts by weight Epoxy resin Epicoat 828 (Okaka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name) 50 parts by weight・ Phenoxy resin YP-50 (Toto Kasei Co., Ltd., trade name) 20 parts by weight ・ Fernovolak resin HP850N (Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name) 35 parts by weight-Imidazole 2PZ-CN (Shikoku Chemicals Co., Ltd., trade name) ... 0.5 parts by weight
【００２７】 ［ワニス２の組成］ ・エポキシ樹脂 エピコート１００１（油化シェルエポキシ株式会社、商品名）・３０重量部 ・エポキシ樹脂 エピコート８２８（油化シェルエポキシ株式会社、商品名）・・５０重量部 ・フェノキシ樹脂 ＹＰ−５０（東都化成株式会社、商品名）・・・・・・・・・・２０重量部 ・フェールノボラック樹脂 ＨＰ８５０Ｎ（日立化成工業株式会社、商品名）・・・・・・・３５重量部 ・イミダゾール ２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業株式会社、商品名）・・・・・・０．５重量部 ・シランカップリング剤 ＮＵＣ Ａ−１８７（日本ユカー株式会社、商品名）・・・・６．５重量部 ・アルミナフィラー ＡＳ−５０（昭和電工株式会社、商品名）・・・・・・・・１０２０重量部[Composition of Varnish 2] Epoxy resin Epicoat 1001 (Yukaka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name) 30 parts by weight Epoxy resin Epicoat 828 (Okaka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name) 50 parts by weight・ Phenoxy resin YP-50 (Toto Kasei Co., Ltd., trade name) 20 parts by weight ・ Fernovolak resin HP850N (Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name) 35 parts by weight-Imidazole 2PZ-CN (Shikoku Chemicals Co., Ltd., trade name) ... 0.5 parts by weight-Silane coupling agent NUC A-187 (Nihon Yukar Co., Ltd. trade name) ... -6.5 parts by weight-Alumina filler AS-50 (Showa Denko KK, trade name) ... 1020 parts by weight
【００２８】 ・エポキシ樹脂 エピコート１００１（油化シェルエポキシ株式会社、商品名）・３０重量部 ・エポキシ樹脂 エピコート８２８（油化シェルエポキシ株式会社、商品名）・・５０重量部 ・フェノキシ樹脂 ＹＰ−５０（東都化成株式会社、商品名）・・・・・・・・・・２０重量部 ・フェールノボラック樹脂 ＨＰ８５０Ｎ（日立化成工業株式会社、商品名）・・・・・・・３５重量部 ・イミダゾール ２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業株式会社、商品名）・・・・・・０．５重量部 ・シランカップリング剤 ＮＵＣ Ａ−１８７（日本ユニカー株式会社、商品名）・・・７．０重量部 ・アルミナフィラー ＡＳ−５０（昭和電工株式会社、商品名）・・・・・・・・・９００重量部 ・アルミナフィラー ＡＳ−４５−Ｉ（昭和電工株式会社、商品名）・・・・・・・４００重量部Epoxy resin Epicoat 1001 (Okaka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name) 30 parts by weight Epoxy resin Epicoat 828 (Okaka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name) 50 parts by weight Phenoxy resin YP-50 (Toto Kasei Co., Ltd., product name) 20 parts by weight-Fernovolak resin HP850N (Hitachi Chemical Co., Ltd., product name) 35 parts by weight-Imidazole 2PZ -CN (Shikoku Kasei Co., Ltd., trade name) 0.5 parts by weight Silane coupling agent NUC A-187 (Nippon Unicar Co., Ltd., trade name) 7.0 parts by weight Alumina filler AS-50 (Showa Denko KK, trade name) ... 900 parts by weight Alumina filler AS-45-I (Showa Denko KK) Company, product name) ....... 400 parts by weight
【００２９】次に、本発明に係る金属ベース基板の実施
例１〜１２およびその比較例１〜３を説明する。尚、実
施例１〜６は、図２に示す請求項５，６記載の金属ベー
ス基板の製造方法により製造し、実施例７、８は、図３
に示す請求項７、８記載の金属ベース基板の製造方法に
より製造し、実施例９、１０は、図４に示す世紀ゅこう
９、１０記載の金属ベース基板の製造方法により製造
し、実施例１１、１２は、図５に示す請求項１１，１２
記載の金属ベース基板の製造方法により製造する。Next, Examples 1 to 12 of the metal base substrate according to the present invention and Comparative Examples 1 to 3 thereof will be described. Note that Examples 1 to 6 are manufactured by the method for manufacturing a metal base substrate according to claims 5 and 6 shown in FIG. 2, and Examples 7 and 8 are manufactured by the method shown in FIG.
9. The method for producing a metal base substrate according to claim 7 or 8 shown in FIG. 7, and Examples 9 and 10 are produced by the method for producing a metal base substrate according to claim 9 and 10 shown in FIG. 11 and 12 are shown in FIG.
It is manufactured by the manufacturing method of the metal base substrate described.
【００３０】［実施例１］まず第１工程により厚み７０
μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株
式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥す
ることで膜厚が５μｍのＢステージ状態の絶縁層２１を
形成した。次に第２工程によりこの絶縁層２１の表面に
前記ワニス２を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層厚の
合計が１４５μｍとなるようなＢステージ状態の絶縁層
２２を形成した。さらに第３工程によりこの絶縁層２２
の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥することで絶
縁層厚の合計が１５０μｍとなるようなＢステージ状態
の絶縁層２３を形成した。[Embodiment 1] First, a thickness of 70 is obtained by the first step.
The varnish 1 was applied to a copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) having a thickness of 5 μm and dried by heating to form an insulating layer 21 in a B-stage state having a thickness of 5 μm. Next, in the second step, the varnish 2 was applied to the surface of the insulating layer 21 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 145 μm. Further, the insulating layer 22 is formed by the third step.
The varnish 1 was applied to the surface of and was dried by heating to form the insulating layer 23 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 150 μm.
【００３１】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と厚み１．５ｍｍのアルミ板とを１７０℃で３０
分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧するこ
とにより金属ベース基板を得た。Then, in the final fourth step, the copper foil with an insulating layer and an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm are heated at 170 ° C. for 30 minutes.
Min, 30kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００３２】［実施例２］まず第１工程により厚み７０
μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株
式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥す
ることで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２１
を形成した。次に第２工程によりこの絶縁層２１の表面
に前記ワニス２を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層厚
の合計が１４０μｍとなるようなＢステージ状態の絶縁
層２２を形成した。さらに第３工程によりこの絶縁層２
２の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥することで
絶縁層厚の合計が１５０μｍとなるようなＢステージ状
態の絶縁層２３を形成した。[Embodiment 2] First, a thickness of 70 is obtained by the first step.
The varnish 1 is applied to a copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) having a thickness of 10 μm to form a B-stage insulating layer 21 having a thickness of 10 μm.
Was formed. Next, in the second step, the varnish 2 was applied to the surface of the insulating layer 21 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 140 μm. Further, the insulating layer 2 is formed by the third step.
The varnish 1 was applied to the surface of No. 2 and heated and dried to form the insulating layer 23 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 150 μm.
【００３３】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と厚み１．５ｍｍのアルミ板とを１７０℃で３０
分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧するこ
とにより金属ベース基板を得た。Then, in the final fourth step, the copper foil with an insulating layer and an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm are heated at 170 ° C. for 30 days.
Min, 30kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００３４】［実施例３］まず第１工程により厚み７０
μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株
式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥す
ることで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２１
を形成した。次に第２工程によりこの絶縁層２１の表面
に前記ワニス２を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層厚
の合計が１４０μｍとなるようなＢステージ状態の絶縁
層２２を形成した。さらに第３工程によりこの絶縁層２
２の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥することで
絶縁層厚の合計が１５０μｍとなるようなＢステージ状
態の絶縁層２３を形成した。[Embodiment 3] First, a thickness of 70 is obtained by the first step.
The varnish 1 is applied to a copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) having a thickness of 10 μm to form a B-stage insulating layer 21 having a thickness of 10 μm.
Was formed. Next, in the second step, the varnish 2 was applied to the surface of the insulating layer 21 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 140 μm. Further, the insulating layer 2 is formed by the third step.
The varnish 1 was applied to the surface of No. 2 and heated and dried to form the insulating layer 23 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 150 μm.
【００３５】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と１２０℃で５分の前加熱を行った厚み１．５ｍｍ
のアルミ板とを１６０℃で線圧３０ｋｇｆ／ｃｍの条件
でラミネーターにより加熱加圧することにより金属ベー
ス基板を得た。Then, in the final fourth step, the copper foil with the insulating layer was preheated at 120 ° C. for 5 minutes, and the thickness was 1.5 mm.
A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing the aluminum plate and the aluminum plate with a laminator under the conditions of a linear pressure of 30 kgf / cm at 160 ° C.
【００３６】［実施例４］まず第１工程により厚み７０
μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株
式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥す
ることで膜厚が３０μｍのＢステージ状態の絶縁層２１
を形成した。次に第２工程によりこの絶縁層２１の表面
に前記ワニス２を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層厚
の合計が１４５μｍとなるようなＢステージ状態の絶縁
層２２を形成した。さらに第３工程によりこの絶縁層２
２の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥することで
絶縁層厚の合計が１５０μｍとなるようなＢステージ状
態の絶縁層２３を形成した。[Embodiment 4] First, a thickness of 70 is obtained by the first step.
The varnish 1 is applied to a copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) having a thickness of 30 μm, and the insulating layer 21 in a B-stage state having a thickness of 30 μm.
Was formed. Next, in the second step, the varnish 2 was applied to the surface of the insulating layer 21 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 145 μm. Further, the insulating layer 2 is formed by the third step.
The varnish 1 was applied to the surface of No. 2 and heated and dried to form the insulating layer 23 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 150 μm.
【００３７】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と厚み１．５ｍｍのアルミ板とを１７０℃で３０
分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧するこ
とにより金属ベース基板を得た。Then, in the final fourth step, the above-mentioned copper foil with an insulating layer and an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm are heated at 170 ° C. for 30 minutes.
Min, 30kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００３８】［実施例５］まず第１工程により厚み７０
μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株
式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥す
ることで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２１
を形成した。次に第２工程によりこの絶縁層２１の表面
に前記ワニス３を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層厚
の合計が１４０μｍとなるようなＢステージ状態の絶縁
層２２を形成した。さらに第３工程によりこの絶縁層２
２の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥することで
絶縁層厚の合計が１５０μｍとなるようなＢステージ状
態の絶縁層２３を形成した。[Embodiment 5] First, a thickness of 70 is obtained by the first step.
The varnish 1 is applied to a copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) having a thickness of 10 μm to form a B-stage insulating layer 21 having a thickness of 10 μm.
Was formed. Next, in the second step, the varnish 3 was applied to the surface of the insulating layer 21 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 140 μm. Further, the insulating layer 2 is formed by the third step.
The varnish 1 was applied to the surface of No. 2 and heated and dried to form the insulating layer 23 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 150 μm.
【００３９】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と厚み１．５ｍｍのアルミ板とを１７０℃で３０
分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧するこ
とにより金属ベース基板を得た。Then, in the final fourth step, the above-mentioned copper foil with an insulating layer and an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm are heated at 170 ° C. for 30 minutes.
Min, 30kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００４０】［実施例６］まず第１工程により厚み７０
μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株
式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥す
ることで膜厚が３０μｍのＢステージ状態の絶縁層２１
を形成した。次に第２工程によりこの絶縁層２１の表面
に前記ワニス３を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層厚
の合計が１４５μｍとなるようなＢステージ状態の絶縁
層２２を形成した。さらに第３工程によりこの絶縁層２
２の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥することで
絶縁層厚の合計が１５０μｍとなるようなＢステージ状
態の絶縁層２３を形成した。[Embodiment 6] First, a thickness of 70 is obtained by the first step.
The varnish 1 is applied to a copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) having a thickness of 30 μm, and the insulating layer 21 in a B-stage state having a thickness of 30 μm.
Was formed. Next, in the second step, the varnish 3 was applied to the surface of the insulating layer 21 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 145 μm. Further, the insulating layer 2 is formed by the third step.
The varnish 1 was applied to the surface of No. 2 and heated and dried to form the insulating layer 23 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 150 μm.
【００４１】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と厚み１．５ｍｍのアルミ板とを１７０℃で３０
分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧するこ
とにより金属ベース基板を得た。Then, in the final fourth step, the copper foil with an insulating layer and an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm are heated at 170 ° C. for 30 minutes.
Min, 30kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００４２】［実施例７］まず第１工程により厚み７０
μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株
式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥す
ることで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２１
を形成した。さらに第２工程によりこの絶縁層２１の表
面に前記ワニス２を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層
厚の合計が１４０μｍとなるようなＢステージ状態の絶
縁層２２を形成した。次に第３工程により厚み１．５ｍ
ｍのアルミ板の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥
することで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２
３を形成した。[Embodiment 7] First, a thickness of 70 is obtained by the first step.
The varnish 1 is applied to a copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) having a thickness of 10 μm to form a B-stage insulating layer 21 having a thickness of 10 μm.
Was formed. Further, in the second step, the varnish 2 was applied to the surface of the insulating layer 21 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 140 μm. Next, in the third step, the thickness is 1.5 m.
The varnish 1 is applied to the surface of an aluminum plate having a thickness of 10 .mu.m and heated and dried to form an insulating layer 2 in a B stage state having a thickness of 10 .mu.m.
Formed 3.
【００４３】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と絶縁層付アルミ板とを１７０℃で３０分、３０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧することにより金
属ベース基板を得た。Then, in the final fourth step, the copper foil with an insulating layer and the aluminum plate with an insulating layer are heated at 170 ° C. for 30 minutes for 30 k.
gf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００４４】［実施例８］まず第１工程により厚み７０
μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株
式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥す
ることで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２１
を形成した。さらに第２工程によりこの絶縁層２１の表
面に前記ワニス３を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層
厚の合計が１４０μｍとなるようなＢステージ状態の絶
縁層２２を形成した。次に第３工程により厚み１．５ｍ
ｍのアルミ板の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥
することで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２
３を形成した。[Embodiment 8] First, a thickness of 70 is obtained by the first step.
The varnish 1 is applied to a copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) having a thickness of 10 μm to form a B-stage insulating layer 21 having a thickness of 10 μm.
Was formed. Further, in the second step, the varnish 3 was applied to the surface of the insulating layer 21 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state so that the total insulating layer thickness was 140 μm. Next, in the third step, the thickness is 1.5 m.
The varnish 1 is applied to the surface of an aluminum plate having a thickness of 10 .mu.m and heated and dried to form an insulating layer 2 in a B stage state having a thickness of 10 .mu.m.
Formed 3.
【００４５】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と絶縁層付アルミ板とを１７０℃で３０分、３０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧することにより金
属ベース基板を得た。Then, in the final fourth step, the copper foil with an insulating layer and the aluminum plate with an insulating layer are heated at 170 ° C. for 30 minutes for 30 k.
gf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００４６】［実施例９］まず第１工程により厚み７０
μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株
式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥す
ることで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２１
を形成した。次に第２工程により厚み１．５ｍｍのアル
ミ板の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥すること
で膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２３を形成
した。さらに第３工程によりこの絶縁層２３の表面に前
記ワニス２を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層厚の合
計が１４０μｍとなるようなＢステージ状態の絶縁層２
２を形成した。[Embodiment 9] First, a thickness of 70 is obtained by the first step.
The varnish 1 is applied to a copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) having a thickness of 10 μm to form a B-stage insulating layer 21 having a thickness of 10 μm.
Was formed. Next, in the second step, the varnish 1 was applied to the surface of an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm and dried by heating to form an insulating layer 23 in a B-stage state having a film thickness of 10 μm. Further, in the third step, the varnish 2 is applied to the surface of the insulating layer 23 and heated and dried, so that the total insulating layer thickness becomes 140 μm.
Formed 2.
【００４７】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と絶縁層付アルミ板とを１７０℃で３０分、３０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧することにより金
属ベース基板を得た。Then, in the final fourth step, the copper foil with an insulating layer and the aluminum plate with an insulating layer are heated at 170 ° C. for 30 minutes for 30 k.
gf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００４８】［実施例１０］まず第１工程により厚み７
０μｍの銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル
株式会社、商品名）に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥
することで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２
１を形成した。次に第２工程により厚み１．５ｍｍのア
ルミ板の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥するこ
とで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の絶縁層２３を形
成した。さらに第３工程によりこの絶縁層２３の表面に
前記ワニス３を塗布し、加熱乾燥することで絶縁層厚の
合計が１４０μｍとなるようなＢステージ状態の絶縁層
２２を形成した。[Embodiment 10] First, a thickness of 7 is obtained by the first step.
The varnish 1 is applied to a 0 μm copper foil JTCS-70 (trade name, manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) and dried by heating to form an insulating layer 2 in a B-stage state having a thickness of 10 μm.
1 was formed. Next, in the second step, the varnish 1 was applied to the surface of an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm and dried by heating to form an insulating layer 23 in a B-stage state having a film thickness of 10 μm. Further, in the third step, the varnish 3 was applied to the surface of the insulating layer 23 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state so that the total insulating layer thickness was 140 μm.
【００４９】そして最後の第４工程により上記絶縁層付
銅箔と絶縁層付アルミ板とを１７０℃で３０分、３０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧することにより金
属ベース基板を得た。Then, in the fourth and final step, the copper foil with an insulating layer and the aluminum plate with an insulating layer were heated at 170 ° C. for 30 minutes for 30 k.
gf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００５０】［実施例１１］まず第１工程により厚み
１．５ｍｍのアルミ板の表面に前記ワニス１を塗布し、
加熱乾燥することで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の
絶縁層２３を形成した。次に第２工程によりこの絶縁層
２３の表面に前記ワニス２を塗布し、加熱乾燥すること
で絶縁層厚の合計が１４０μｍとなるようなＢステージ
状態の絶縁層２２を形成した。さらに第３工程によりこ
の絶縁層２３の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥
することで絶縁層厚の合計が１５０μｍとなるようなＢ
ステージ状態の絶縁層２１を形成した。[Embodiment 11] First, the varnish 1 was applied to the surface of an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm by the first step,
By heating and drying, the insulating layer 23 in a B-stage state having a film thickness of 10 μm was formed. Next, in the second step, the varnish 2 was applied to the surface of the insulating layer 23 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state such that the total insulating layer thickness was 140 μm. Further, in the third step, the varnish 1 is applied to the surface of the insulating layer 23 and heated and dried so that the total thickness of the insulating layer becomes 150 μm.
The insulating layer 21 in a stage state was formed.
【００５１】そして最後の第４工程により厚み７０μｍ
の銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株式会
社、商品名）と絶縁層付アルミ板とを１７０℃で３０
分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧するこ
とにより金属ベース基板を得た。Then, by the final fourth step, the thickness is 70 μm.
Of copper foil JTCS-70 (trade name of Nikko Gould Foil Co., Ltd.) and an aluminum plate with an insulating layer at 170 ° C.
Min, 30kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００５２】［実施例１２］まず第１工程により厚み
１．５ｍｍのアルミ板の表面に前記ワニス１を塗布し、
加熱乾燥することで膜厚が１０μｍのＢステージ状態の
絶縁層２３を形成した。次に第２工程によりこの絶縁層
２３の表面に前記ワニス３を塗布し、加熱乾燥すること
で絶縁層厚の合計が１４０μｍとなるようなＢステージ
状態の絶縁層２２を形成した。さらに第３工程によりこ
の絶縁層２３の表面に前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥
することで絶縁層厚の合計が１５０μｍとなるようなＢ
ステージ状態の絶縁層２１を形成した。[Embodiment 12] First, the varnish 1 was applied to the surface of an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm by the first step,
By heating and drying, the insulating layer 23 in a B-stage state having a film thickness of 10 μm was formed. Next, in the second step, the varnish 3 was applied to the surface of the insulating layer 23 and heated and dried to form the insulating layer 22 in the B-stage state so that the total insulating layer thickness was 140 μm. Further, in the third step, the varnish 1 is applied to the surface of the insulating layer 23 and heated and dried so that the total thickness of the insulating layer becomes 150 μm.
The insulating layer 21 in a stage state was formed.
【００５３】そして最後の第４工程により厚み７０μｍ
の銅箔ＪＴＣＳ−７０（日鉱グールド・フォイル株式会
社、商品名）と絶縁層付アルミ板とを１７０℃で３０
分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧するこ
とにより金属ベース基板を得た。Then, by the final fourth step, the thickness is 70 μm.
Of copper foil JTCS-70 (trade name of Nikko Gould Foil Co., Ltd.) and an aluminum plate with an insulating layer at 170 ° C.
Min, 30kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００５４】次に、比較例１〜３について説明する。Next, Comparative Examples 1 to 3 will be described.
【００５５】［比較例１］厚み７０μｍの銅箔ＪＴＣＳ
−７０（日鉱グールド・フォイル株式会社、商品名）に
前記ワニス１を塗布し、加熱乾燥することで膜厚が１５
０μｍのＢステージ状態の絶縁層を形成した。上記絶縁
層付銅箔と厚み１．５ｍｍのアルミ板とを１７０℃で３
０分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧する
ことにより金属ベース基板を得た。[Comparative Example 1] Copper foil JTCS having a thickness of 70 μm
-70 (Nikko Gould Foil Co., Ltd., trade name) is coated with the varnish 1 and dried by heating to obtain a film thickness of 15
An insulating layer having a B stage state of 0 μm was formed. The above-mentioned copper foil with an insulating layer and an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm are heated at 170 ° C. for 3 days.
0 minutes, 30 kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００５６】［比較例２］厚み７０μｍの銅箔ＪＴＣＳ
−７０（日鉱グールド・フォイル株式会社、商品名）に
前記ワニス２を塗布し、加熱乾燥することで膜厚が１５
０μｍのＢステージ状態の絶縁層を形成した。上記絶縁
層付銅箔と厚み１．５ｍｍのアルミ板とを１７０℃で３
０分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧する
ことにより金属ベース基板を得た。[Comparative Example 2] Copper foil JTCS having a thickness of 70 μm
-70 (Nikko Gould Foil Co., Ltd., trade name) is coated with the varnish 2 and dried by heating to obtain a film thickness of 15
An insulating layer having a B stage state of 0 μm was formed. The above-mentioned copper foil with an insulating layer and an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm are heated at 170 ° C. for 3 days.
0 minutes, 30 kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００５７】［比較例３］厚み７０μｍの銅箔ＪＴＣＳ
−７０（日鉱グールド・フォイル株式会社、商品名）に
前記ワニス３を塗布し、加熱乾燥することで膜厚が１５
０μｍのＢステージ状態の絶縁層を形成した。上記絶縁
層付銅箔と厚み１．５ｍｍのアルミ板とを１７０℃で３
０分、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス条件で加熱加圧する
ことにより金属ベース基板を得た。[Comparative Example 3] Copper foil JTCS having a thickness of 70 μm
-70 (Nikko Gould Foil Co., Ltd., trade name) is coated with the varnish 3 and dried by heating to obtain a film thickness of 15
An insulating layer having a B stage state of 0 μm was formed. The above-mentioned copper foil with an insulating layer and an aluminum plate having a thickness of 1.5 mm are heated at 170 ° C. for 3 days.
0 minutes, 30 kgf / cm 2 A metal base substrate was obtained by heating and pressurizing under the above press conditions.
【００５８】図６に、実施例１〜１２の熱抵抗と耐電圧
についてその比較例１〜３と比較した結果を示す。FIG. 6 shows the results of comparing the thermal resistance and the withstand voltage of Examples 1 to 12 with Comparative Examples 1 to 3.
【００５９】この図に示す結果から、実施例１〜１２の
金属ベース基板は、比較例１〜３と較べると、熱抵抗と
耐電圧がともに優れていることがわかる。From the results shown in this figure, it can be seen that the metal base substrates of Examples 1 to 12 are superior in both thermal resistance and withstand voltage as compared with Comparative Examples 1 to 3.
【００６０】[0060]
【発明の効果】以上説明したように請求項１〜１２記載
の発明によれば、金属箔と金属板との間に多層構造の絶
縁層を介在させた金属ベース基板において、金属箔に接
する絶縁層中と金属板に接する絶縁層中には無機フィラ
ーを含まず、これらの絶縁層に挟まれた絶縁層中には無
機フィラーを６５〜８０体積％、好ましくは７０〜８０
体積％だけ含有させたため、放熱性に優れかつ耐電圧特
性にも優れた金属ベース基板を提供することができる。As described above, according to the inventions of claims 1 to 12, in a metal base substrate in which an insulating layer having a multi-layered structure is interposed between a metal foil and a metal plate, insulation contacting the metal foil is provided. The layer and the insulating layer in contact with the metal plate do not contain an inorganic filler, and the insulating layer sandwiched between these insulating layers contains the inorganic filler in an amount of 65 to 80% by volume, preferably 70 to 80% by volume.
Since it is contained only by volume%, it is possible to provide a metal base substrate having excellent heat dissipation and excellent withstand voltage characteristics.
【図１】請求項１〜４記載の発明に係る金属ベース基板
の断面を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a section of a metal base substrate according to the first to fourth aspects of the invention.
【図２】請求項５，６記載の発明に係る金属ベース基板
の製造方法を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing a method for manufacturing a metal base substrate according to the fifth and sixth aspects of the invention.
【図３】請求項７，８記載の発明に係る金属ベース基板
の製造方法を示す説明図。FIG. 3 is an explanatory view showing a method for manufacturing a metal base substrate according to the invention of claims 7 and 8.
【図４】請求項９，１０記載の発明に係る金属ベース基
板の製造方法を示す説明図。FIG. 4 is an explanatory view showing a method for manufacturing a metal base substrate according to the invention of claims 9 and 10.
【図５】請求項１１，１２記載の発明に係る金属ベース
基板の製造方法を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory view showing a method for manufacturing a metal base substrate according to the invention of claims 11 and 12.
【図６】実施例１〜１２の熱抵抗と耐電圧についてその
比較例１〜３と比較した結果を示す説明図。FIG. 6 is an explanatory diagram showing the results of comparison between Comparative Examples 1 to 3 regarding thermal resistance and withstand voltage of Examples 1 to 12.
１．金属箔 ２１．無機フィラーを含まない絶縁層 ２２．多量の無機フィラーを含む絶縁層 ２３．無機フィラーを含まない絶縁層 ３．金属板 1. Metal foil 21. Insulating layer containing no inorganic filler 22. Insulating layer containing a large amount of inorganic filler 23. Insulating layer containing no inorganic filler 3. Metal plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/40 Ａ 7511−4Ｅ 3/44 Ａ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H05K 3/40 A 7511-4E 3/44 A
Claims (12)
を介在させた金属ベース基板において、 金属箔に接す
る絶縁層中と金属板に接する絶縁層中には無機フィラー
を含まず、これらの絶縁層に挟まれた絶縁層中には無機
フィラーを６５〜８０体積％だけ含有させることを特徴
とする金属ベース基板。1. A metal base substrate in which an insulating layer having a multi-layer structure is interposed between a metal foil and a metal plate, wherein the insulating layer in contact with the metal foil and the insulating layer in contact with the metal plate do not contain an inorganic filler. A metal base substrate, wherein the insulating layer sandwiched between these insulating layers contains an inorganic filler in an amount of 65 to 80% by volume.
在させた金属ベース基板において、金属箔に接する絶縁
層中と金属板に接する絶縁層中には無機フィラーを含ま
ず、これらの絶縁層に挟まれた絶縁層中には無機フィラ
ーを７０〜８０体積％だけ含有させることを特徴とする
金属ベース基板。2. A metal base substrate having a plurality of insulating layers interposed between a metal foil and a metal plate, wherein the insulating layer in contact with the metal foil and the insulating layer in contact with the metal plate do not contain an inorganic filler, A metal base substrate, characterized in that the insulating layer sandwiched between these insulating layers contains an inorganic filler in an amount of 70 to 80% by volume.
縁層の厚みが５〜３０μｍの範囲にあることを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の金属ベース基板。3. The metal base substrate according to claim 1, wherein the thickness of the insulating layer in contact with the metal foil and the thickness of the insulating layer in contact with the metal plate are in the range of 5 to 30 μm.
とする請求項１〜３のうちいずれかに記載の金属ベース
基板。4. The metal base substrate according to claim 1, wherein the inorganic filler is alumina.
ニスを塗布して、ＢステージまたはＣステージに硬化さ
せ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成する第１工程
と、第１工程によって形成した金属箔の絶縁層表面に無
機フィラーを６５〜８０体積％だけ含んだワニスを塗布
して、ＢステージまたはＣステージに硬化させ、無機フ
ィラーを含む絶縁層を形成する第２工程と、第２工程に
よって形成した金属箔の絶縁層表面に無機フィラーを含
まないワニスを塗布して、Ｂステージに硬化させ、無機
フィラーを含まない絶縁層を形成する第３工程と、第３
工程によって絶縁層を形成した金属箔と金属板とを前記
金属箔の絶縁層が内面側になるように両者を積み合わ
せ、熱圧積層してこれらを一体化せしめる第４工程とを
有することを特徴とする請求項１、請求項３または請求
項４に記載の金属ベース基板の製造方法。5. A first step of applying a varnish containing no inorganic filler to one surface of a metal foil and curing the varnish to a B stage or a C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and the first step. A second step of applying a varnish containing an inorganic filler in an amount of 65 to 80% by volume to the surface of the insulating layer of the formed metal foil and curing the varnish at the B stage or the C stage to form an insulating layer containing the inorganic filler; A third step of applying a varnish containing no inorganic filler to the surface of the insulating layer of the metal foil formed by the step and curing the varnish to the B stage to form an insulating layer containing no inorganic filler;
A fourth step of stacking the metal foil having the insulating layer formed by the step and the metal plate so that the insulating layer of the metal foil is on the inner surface side, and thermocompressing and laminating them. The method for manufacturing a metal base substrate according to claim 1, 3, or 4, which is characterized in that.
ニスを塗布して、ＢステージまたはＣステージに硬化さ
せ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成する第１工程
と、第１工程によって形成した金属箔の絶縁層表面に無
機フィラーを７０〜８０体積％だけ含んだワニスを塗布
して、ＢステージまたはＣステージに硬化させ、無機フ
ィラーを含む絶縁層を形成する第２工程と、第２工程に
よって形成した金属箔の絶縁層表面に無機フィラーを含
まないワニスを塗布して、Ｂステージに硬化させ、無機
フィラーを含まない絶縁層を形成する第３工程と、第３
工程によって絶縁層を形成した金属箔と金属板とを前記
金属箔の絶縁層が内面側になるように両者を積み合わ
せ、熱圧積層してこれらを一体化せしめる第４工程とを
有することを特徴とする請求項２〜４のうちいずれかに
記載の金属ベース基板の製造方法。6. A first step of applying a varnish containing no inorganic filler to one surface of a metal foil and curing the varnish without the inorganic filler to form an insulating layer containing no inorganic filler, and the first step. A second step of applying a varnish containing 70 to 80% by volume of an inorganic filler to the surface of the insulating layer of the metal foil and curing the varnish to a B stage or a C stage to form an insulating layer containing an inorganic filler; A third step of applying a varnish containing no inorganic filler to the surface of the insulating layer of the metal foil formed by the step and curing the varnish to the B stage to form an insulating layer containing no inorganic filler;
A fourth step of stacking the metal foil having the insulating layer formed by the step and the metal plate so that the insulating layer of the metal foil is on the inner surface side, and thermocompressing and laminating them. The method for manufacturing a metal base substrate according to claim 2, wherein the metal base substrate is manufactured.
ニスを塗布して、ＢステージまたはＣステージに硬化さ
せ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成する第１工程
と、第１工程によって形成した金属箔の絶縁層表面に無
機フィラーを６５〜８０体積％だけ含んだワニスを塗布
して、Ｂステージに硬化させ、無機フィラーを含む絶縁
層を形成する第２工程と、金属板の一面に無機フィラー
を含まないワニスを塗布して、ＢステージまたはＣステ
ージに硬化させ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成
する第３工程と、第２工程によって絶縁層を形成した金
属箔と第３工程によって絶縁層を形成した金属板とを前
記各絶縁層が内面側になるように両者を積み合わせ、熱
圧積層してこれらを一体化せしめる第４工程とを有する
ことを特徴とする請求項１、請求項３または請求項４に
記載の金属ベース基板の製造方法。7. A first step in which a varnish containing no inorganic filler is applied to one surface of a metal foil and cured at a B stage or a C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and formed by the first step. The second step of applying a varnish containing an inorganic filler in an amount of 65 to 80% by volume to the surface of the insulating layer of the metal foil and curing the varnish at the B stage to form an insulating layer containing an inorganic filler, and one surface of the metal plate. Third step of applying a varnish containing no inorganic filler and curing it to the B stage or C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and a metal foil having the insulating layer formed by the second step and a third step And a metal plate on which an insulating layer is formed by laminating the two so that the respective insulating layers are on the inner surface side, and thermocompressively laminating them to integrate them. Motomeko 1, the metal base substrate manufacturing method according to claim 3 or claim 4.
ニスを塗布して、ＢステージまたはＣステージに硬化さ
せ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成する第１工程
と、第１工程によって形成した金属箔の絶縁層表面に無
機フィラーを７０〜８０体積％だけ含んだワニスを塗布
して、Ｂステージに硬化させ、無機フィラーを含む絶縁
層を形成する第２工程と、金属板の一面に無機フィラー
を含まないワニスを塗布して、ＢステージまたはＣステ
ージに硬化させ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成
する第３工程と、第２工程によって絶縁層を形成した金
属箔と第３工程によって絶縁層を形成した金属板とを前
記各絶縁層が内面側になるように両者を積み合わせ、熱
圧積層してこれらを一体化せしめる第４工程とを有する
ことを特徴とする請求項２、請求項３または請求項４に
記載の金属ベース基板の製造方法。8. A first step in which a varnish containing no inorganic filler is applied to one surface of a metal foil and cured at a B stage or a C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and formed by the first step. The second step of applying a varnish containing only 70 to 80% by volume of an inorganic filler on the surface of the insulating layer of the metal foil and curing the varnish at the B stage to form an insulating layer containing the inorganic filler, and one surface of the metal plate. Third step of applying a varnish containing no inorganic filler and curing it to the B stage or C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and a metal foil having the insulating layer formed by the second step and a third step And a metal plate on which an insulating layer is formed by laminating the two so that the respective insulating layers are on the inner surface side, and thermocompressively laminating them to integrate them. Motomeko 2, the metal base substrate manufacturing method according to claim 3 or claim 4.
ニスを塗布して、Ｂステージに硬化させ、無機フィラー
を含まない絶縁層を形成する第１工程と、金属板の一面
に無機フィラーを含まないワニスを塗布して、Ｂステー
ジまたはＣステージに硬化させ、無機フィラーを含まな
い絶縁層を形成する第２工程と、第２工程によって形成
した金属板の絶縁層表面に無機フィラーを６５〜８０体
積％だけ含んだワニスを塗布して、Ｂステージに硬化さ
せ、無機フィラーを含む絶縁層を形成する第３工程と、
第１工程によって絶縁層を形成した金属箔と第３工程に
よって絶縁層を形成した金属板とを前記各絶縁層が内面
側になるように両者を積み合わせ、熱圧積層してこれら
を一体化せしめる第４工程とを有することを特徴とする
請求項１、請求項３または請求項４に記載の金属ベース
基板の製造方法。9. A first step of applying a varnish containing no inorganic filler to one surface of a metal foil and curing the varnish to a B stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and the inorganic filler to one surface of the metal plate. A second step of applying a varnish not containing and curing it to the B stage or the C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and an inorganic filler of 65 to 65 on the surface of the insulating layer of the metal plate formed by the second step. A third step of applying a varnish containing only 80% by volume and curing it to the B stage to form an insulating layer containing an inorganic filler;
The metal foil having the insulation layer formed in the first step and the metal plate having the insulation layer formed in the third step are stacked so that the insulation layers are on the inner surface side, and thermocompression laminated to integrate them. 4. The method for producing a metal base substrate according to claim 1, 3 or 4, further comprising a fourth step.
ワニスを塗布して、Ｂステージに硬化させ、無機フィラ
ーを含まない絶縁層を形成する第１工程と、金属板の一
面に無機フィラーを含まないワニスを塗布して、Ｂステ
ージまたはＣステージに硬化させ、無機フィラーを含ま
ない絶縁層を形成する第２工程と、 第２工程によって
形成した金属板の絶縁層表面に無機フィラーを７０〜８
０体積％だけ含んだワニスを塗布して、Ｂステージに硬
化させ、無機フィラーを含む絶縁層を形成する第３工程
と、第１工程によって絶縁層を形成した金属箔と第３工
程によって絶縁層を形成した金属板とを前記各絶縁層が
内面側になるように両者を積み合わせ、熱圧積層してこ
れらを一体化せしめる第４工程とを有することを特徴と
する請求項２、請求項３または請求項４に記載の金属ベ
ース基板の製造方法。10. A first step of applying a varnish containing no inorganic filler to one surface of a metal foil and curing the varnish to a B stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and the inorganic filler to one surface of the metal plate. A second step of applying a varnish containing no inorganic filler and curing the varnish to a B stage or a C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler; 8
A third step of applying a varnish containing only 0% by volume and curing it to the B stage to form an insulating layer containing an inorganic filler, a metal foil having an insulating layer formed by the first step, and an insulating layer by the third step. 4. A fourth step of stacking a metal plate on which the insulating layer is formed so that the insulating layers are on the inner surface side, and thermocompressively laminating them to integrate them. 3. The method for manufacturing the metal base substrate according to claim 3 or 4.
ワニスを塗布して、ＢステージまたはＣステージに硬化
させ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成する第１工
程と、第１工程によって形成した金属板の絶縁層表面に
無機フィラーを６５〜８０体積％だけ含んだワニスを塗
布して、ＢステージまたはＣステージに硬化させ、無機
フィラーを含む絶縁層を形成する第２工程と、第２工程
によって形成した金属板の絶縁層表面に無機フィラーを
含まないワニスを塗布して、Ｂステージに硬化させ、無
機フィラーを含まない絶縁層を形成する第３工程と、金
属箔と第３工程によって絶縁層を形成した金属板とを前
記金属箔の絶縁層が内面側になるように両者を積み合わ
せ、熱圧積層してこれらを一体化せしめる第４工程とを
有することを特徴とする請求項１、請求項３または請求
項４に記載の金属ベース基板の製造方法。11. A first step in which a varnish containing no inorganic filler is applied to one surface of a metal plate and is cured in a B stage or a C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and formed by the first step. A second step of applying a varnish containing an inorganic filler in an amount of 65 to 80% by volume to the surface of the insulating layer of the formed metal plate and curing the varnish at the B stage or the C stage to form an insulating layer containing the inorganic filler; The third step of applying a varnish containing no inorganic filler to the surface of the insulating layer of the metal plate formed by the step and curing it to the B stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and the metal foil and the third step. And a metal plate on which an insulating layer is formed, and the metal foil is stacked so that the insulating layer of the metal foil is on the inner surface side, and is thermocompressively laminated to integrate them. Claim 1, the metal base substrate manufacturing method according to claim 3 or claim 4.
ワニスを塗布して、ＢステージまたはＣステージに硬化
させ、無機フィラーを含まない絶縁層を形成する第１工
程と、第１工程によって形成した金属板の絶縁層表面に
無機フィラーを７０〜８０体積％だけ含んだワニスを塗
布して、ＢステージまたはＣステージに硬化させ、無機
フィラーを含む絶縁層を形成する第２工程と、第２工程
によって形成した金属板の絶縁層表面に無機フィラーを
含まないワニスを塗布して、Ｂステージに硬化させ、無
機フィラーを含まない絶縁層を形成する第３工程と、金
属箔と第３工程によって絶縁層を形成した金属板とを前
記金属箔の絶縁層が内面側になるように両者を積み合わ
せ、熱圧積層してこれらを一体化せしめる第４工程とを
有することを特徴とする請求項２、請求項３または請求
項４に記載の金属ベース基板の製造方法。12. A first step in which a varnish containing no inorganic filler is applied to one surface of a metal plate and cured at a B stage or a C stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and formed by the first step. A second step of applying a varnish containing 70 to 80% by volume of an inorganic filler to the surface of the insulating layer of the metal plate and curing the varnish to the B stage or the C stage to form an insulating layer containing the inorganic filler; The third step of applying a varnish containing no inorganic filler to the surface of the insulating layer of the metal plate formed by the step and curing it to the B stage to form an insulating layer containing no inorganic filler, and the metal foil and the third step. And a metal plate on which an insulating layer is formed, and the metal foil is stacked so that the insulating layer of the metal foil is on the inner surface side, and is thermocompressively laminated to integrate them. Claim 2, the metal base substrate manufacturing method according to claim 3 or claim 4.
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|---|---|---|---|
| JP8314594A JPH07297509A (en) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | Metallic base substrate and its manufacture |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010092905A1 (en) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | 株式会社日立製作所 | Insulating circuit board, inverter device and power semiconductor device |
| WO2010117023A1 (en) * | 2009-04-09 | 2010-10-14 | 日本発條株式会社 | Metal-based circuit board and method for producing same |
| CN103311197A (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 三星电机株式会社 | Substrate for power module |
| KR101362747B1 (en) * | 2012-03-23 | 2014-02-14 | 주식회사 이녹스 | Metal base printed cuirt board with excellent heat conductivity and adhesive power and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-04-21 JP JP8314594A patent/JPH07297509A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010092905A1 (en) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | 株式会社日立製作所 | Insulating circuit board, inverter device and power semiconductor device |
| JP2010186789A (en) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Hitachi Ltd | Insulating circuit board, inverter device, and power semiconductor device |
| WO2010117023A1 (en) * | 2009-04-09 | 2010-10-14 | 日本発條株式会社 | Metal-based circuit board and method for producing same |
| CN102388682A (en) * | 2009-04-09 | 2012-03-21 | 日本发条株式会社 | Metal-based circuit board and method for producing same |
| CN103311197A (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 三星电机株式会社 | Substrate for power module |
| KR101331669B1 (en) * | 2012-03-08 | 2013-11-20 | 삼성전기주식회사 | Substrate for power module |
| KR101362747B1 (en) * | 2012-03-23 | 2014-02-14 | 주식회사 이녹스 | Metal base printed cuirt board with excellent heat conductivity and adhesive power and method of manufacturing the same |
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