JPH07297008A - 正特性サーミスタおよびこれを用いたサーミスタ装置 - Google Patents
正特性サーミスタおよびこれを用いたサーミスタ装置Info
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- JPH07297008A JPH07297008A JP4016495A JP4016495A JPH07297008A JP H07297008 A JPH07297008 A JP H07297008A JP 4016495 A JP4016495 A JP 4016495A JP 4016495 A JP4016495 A JP 4016495A JP H07297008 A JPH07297008 A JP H07297008A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温高湿環境下でも銀のマイグレーションを
生じることのない信頼性の高い正特性サーミスタを提供
する。 【構成】 本発明の第１の特徴は、正特性サーミスタ素
体１の両主面に、前記正特性サーミスタ素体１の外周縁
よりも内側に端部がくるように形成された銀層を含む第
１の電極層２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂと、前記第１の電極
層の表面および側面を覆うように形成されたアルミニウ
ムからなる第２の電極層４ａ，４ｂとを具備したことに
ある。
生じることのない信頼性の高い正特性サーミスタを提供
する。 【構成】 本発明の第１の特徴は、正特性サーミスタ素
体１の両主面に、前記正特性サーミスタ素体１の外周縁
よりも内側に端部がくるように形成された銀層を含む第
１の電極層２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂと、前記第１の電極
層の表面および側面を覆うように形成されたアルミニウ
ムからなる第２の電極層４ａ，４ｂとを具備したことに
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、正特性サーミスタおよ
びこれを用いたサーミスタ装置に係り、特にその電極の
構造に関する。
びこれを用いたサーミスタ装置に係り、特にその電極の
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢａＴｉＯ3 にＹ，Ｎｄ等を０．１〜
０．３at％添加した酸化物半導体は、大きな正の温度係
数を有することから、ＰＴＣサーミスタと呼ばれる。
０．３at％添加した酸化物半導体は、大きな正の温度係
数を有することから、ＰＴＣサーミスタと呼ばれる。
【０００３】このＰＴＣサーミスタは、大きな正の温度
係数を有する温度領域を、Ｓｒ，Ｐｂ等の添加で調整す
ることができることから、温度の測定および過電流防
止、モータ起動、カラーＴＶ消磁用等の回路素子および
低温発熱ヒータ等、広く様々な分野でなくてはならない
ものとなっている。
係数を有する温度領域を、Ｓｒ，Ｐｂ等の添加で調整す
ることができることから、温度の測定および過電流防
止、モータ起動、カラーＴＶ消磁用等の回路素子および
低温発熱ヒータ等、広く様々な分野でなくてはならない
ものとなっている。
【０００４】このようなサーミスタは、その一例を図２
３(a) に示すように、Ｂａ、Ｔｉ、Ｎｄなどの金属の酸
化物、炭酸塩、硝酸塩、塩化物等を焼結し、薄い円柱状
等に成形せしめられたサーミスタ素体１１と、その上面
と下面に形成されたＮｉメッキ層からなる第１の電極層
１２ａ、１２ｂと、この上層に形成された銀を主成分と
する第２の電極層１３ａ、１３ｂとから構成されてい
る。
３(a) に示すように、Ｂａ、Ｔｉ、Ｎｄなどの金属の酸
化物、炭酸塩、硝酸塩、塩化物等を焼結し、薄い円柱状
等に成形せしめられたサーミスタ素体１１と、その上面
と下面に形成されたＮｉメッキ層からなる第１の電極層
１２ａ、１２ｂと、この上層に形成された銀を主成分と
する第２の電極層１３ａ、１３ｂとから構成されてい
る。
【０００５】ところでこのような正特性サーミスタは、
通常、第２の電極層１３ａ、１３ｂ間に電圧を印加して
使用されるが、このとき電界の方向に向かって第２電極
層内の銀が移動析出する、いわゆるマイグレーション現
象が生じる。特に第２の電極層の外周縁が正特性サーミ
スタ素体１の外周端まで達するように形成されている場
合、正特性サーミスタ素体１の外周面で電界の方向に向
かって銀が移動析出し、ついには短絡を生じるという問
題があった。
通常、第２の電極層１３ａ、１３ｂ間に電圧を印加して
使用されるが、このとき電界の方向に向かって第２電極
層内の銀が移動析出する、いわゆるマイグレーション現
象が生じる。特に第２の電極層の外周縁が正特性サーミ
スタ素体１の外周端まで達するように形成されている場
合、正特性サーミスタ素体１の外周面で電界の方向に向
かって銀が移動析出し、ついには短絡を生じるという問
題があった。
【０００６】そこでこの問題を解決するため、図２３
(b) に示すように、第２電極層の外径を第１電極層の外
径よりも小さく形成した正特性サーミスタが提案されて
いる。しかしながら、この構造では、第２の電極層の外
形が第１の電極層の外形よりも小さく設けられているた
め、第１の電極層のうち第２の電極層によって覆われて
いない部分は直接大気にさらされているため、酸化され
やすく、次第にコンタクト抵抗が上昇するという問題が
あった。
(b) に示すように、第２電極層の外径を第１電極層の外
径よりも小さく形成した正特性サーミスタが提案されて
いる。しかしながら、この構造では、第２の電極層の外
形が第１の電極層の外形よりも小さく設けられているた
め、第１の電極層のうち第２の電極層によって覆われて
いない部分は直接大気にさらされているため、酸化され
やすく、次第にコンタクト抵抗が上昇するという問題が
あった。
【０００７】また、銀のマイグレーションは電界の方向
に沿って移動する現象であるため従来例のように第２電
極層のみを外周より内側に設けたとしても第２電極層中
の銀が露出しているため、わずかではあるがマイグレー
ションが生じ、短絡の問題は緩和されるが完全に防止す
ることはできなかった。
に沿って移動する現象であるため従来例のように第２電
極層のみを外周より内側に設けたとしても第２電極層中
の銀が露出しているため、わずかではあるがマイグレー
ションが生じ、短絡の問題は緩和されるが完全に防止す
ることはできなかった。
【０００８】また、従来の正特性サーミスタはめっき法
を用いて電極形成がなされているため、この方法では、
電極形成に際してＮｉめっきをおこなう際にめっき溶液
が焼結体内部に浸透し、抵抗値が減少する等、焼結体の
特性を変化させることがある。これは形成後ただちに特
性変化として表れることもあれば、時間と共に徐々に表
れることもある。サーミスタの用途は、前述したよう
に、温度の測定および制御、補償、利得調整、電力測
定、過電流防止、モータ起動、カラーＴＶ消磁用等、い
ずれも高精度の抵抗値制御が必要なものばかりであり、
Ｒ±α％の範囲内にあるものを用いる必要がある。した
がってこのめっき液の浸透による抵抗値変化の問題は深
刻化してきている。
を用いて電極形成がなされているため、この方法では、
電極形成に際してＮｉめっきをおこなう際にめっき溶液
が焼結体内部に浸透し、抵抗値が減少する等、焼結体の
特性を変化させることがある。これは形成後ただちに特
性変化として表れることもあれば、時間と共に徐々に表
れることもある。サーミスタの用途は、前述したよう
に、温度の測定および制御、補償、利得調整、電力測
定、過電流防止、モータ起動、カラーＴＶ消磁用等、い
ずれも高精度の抵抗値制御が必要なものばかりであり、
Ｒ±α％の範囲内にあるものを用いる必要がある。した
がってこのめっき液の浸透による抵抗値変化の問題は深
刻化してきている。
【０００９】また、このようなめっき液の浸透を避ける
ため、メタル溶射法によりアルミニウムなどの低融点金
属を形成しこれを電極として用いる方法も提案されてい
る。しかし、この方法も、電極形成時に急激な温度変化
を伴うため、サーミスタ素体あるいは電極自体にクラッ
クが発生するという問題を避けることができない。そこ
で、この問題を解決するため、本発明者らは特開平６−
５４０３号によって、アルミニウムを主成分とする印刷
電極あるいは蒸着膜を用いたサーミスタ電極構造を提案
している。かかる構造によれば、アルミニウムを主成分
としているため、マイグレーションを生じることが完全
になくなる。また、印刷あるいは蒸着膜を用いているた
め、素子本体のわれひびが生じたりすることがなく、耐
久性が向上する。しかしながら、第１の電極がアルミニ
ウムなどであるため電極自体の抵抗が大きくなり、比較
的大電流が流れる回路には適さないという大きな問題が
ある。
ため、メタル溶射法によりアルミニウムなどの低融点金
属を形成しこれを電極として用いる方法も提案されてい
る。しかし、この方法も、電極形成時に急激な温度変化
を伴うため、サーミスタ素体あるいは電極自体にクラッ
クが発生するという問題を避けることができない。そこ
で、この問題を解決するため、本発明者らは特開平６−
５４０３号によって、アルミニウムを主成分とする印刷
電極あるいは蒸着膜を用いたサーミスタ電極構造を提案
している。かかる構造によれば、アルミニウムを主成分
としているため、マイグレーションを生じることが完全
になくなる。また、印刷あるいは蒸着膜を用いているた
め、素子本体のわれひびが生じたりすることがなく、耐
久性が向上する。しかしながら、第１の電極がアルミニ
ウムなどであるため電極自体の抵抗が大きくなり、比較
的大電流が流れる回路には適さないという大きな問題が
ある。
【００１０】また、サーミスタ素体の両主面の全面に第
１の電極としてニッケル電極を形成し、その周囲にギャ
ップ領域を残して銀を主成分とする第２の電極を形成
し、このギャップ領域を覆うようにアルミニウム−シリ
コンからなる第３の電極を形成し、マイグレーションを
防止するようにした電極構造も提案されている（特開平
５−１０９５０３）。しかしながら、この構造では表面
に凹凸が形成され、２素子を重ねて使用する場合には十
分な熱的接触を得ることができないので残留電流が大き
いという問題があった。
１の電極としてニッケル電極を形成し、その周囲にギャ
ップ領域を残して銀を主成分とする第２の電極を形成
し、このギャップ領域を覆うようにアルミニウム−シリ
コンからなる第３の電極を形成し、マイグレーションを
防止するようにした電極構造も提案されている（特開平
５−１０９５０３）。しかしながら、この構造では表面
に凹凸が形成され、２素子を重ねて使用する場合には十
分な熱的接触を得ることができないので残留電流が大き
いという問題があった。
【００１１】また残留電流を小さくするため２素子タイ
プにし、ヒータ用正特性サーミスタで、コイル用正特性
サーミスタを加熱する方法も提案されているが、この場
合電極表面に凹凸があると素子間の熱接触が悪くなり、
残留電流を小さくすることができないという問題があ
る。
プにし、ヒータ用正特性サーミスタで、コイル用正特性
サーミスタを加熱する方法も提案されているが、この場
合電極表面に凹凸があると素子間の熱接触が悪くなり、
残留電流を小さくすることができないという問題があ
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の電極
構造では、マイグレーションを防止すべく銀の使用を避
けアルミニウムを用いると、接触抵抗が増大するという
問題がある。
構造では、マイグレーションを防止すべく銀の使用を避
けアルミニウムを用いると、接触抵抗が増大するという
問題がある。
【００１３】さらに、外縁部にギャップ領域を残して銀
を主成分とする電極を形成し、このギャップ領域をアル
ミニウム−シリコンからなる電極で覆う構造では、銀が
露出している部分があるため、マイグレーションの防止
が不十分であり、また、表面に凹凸が形成され、２素子
を重ねて使用する場合には十分な熱的接触を得ることが
できないので残留電流が大きいという問題があった。
を主成分とする電極を形成し、このギャップ領域をアル
ミニウム−シリコンからなる電極で覆う構造では、銀が
露出している部分があるため、マイグレーションの防止
が不十分であり、また、表面に凹凸が形成され、２素子
を重ねて使用する場合には十分な熱的接触を得ることが
できないので残留電流が大きいという問題があった。
【００１４】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、組み立て作業性が良好で安定で信頼性が高くマイグ
レーションを完全に防止することができ、大電流の回路
に適した正特性サーミスタを提供することを目的とす
る。
で、組み立て作業性が良好で安定で信頼性が高くマイグ
レーションを完全に防止することができ、大電流の回路
に適した正特性サーミスタを提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第１の特
徴は、正特性サーミスタ素体の両主面に、前記正特性サ
ーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形
成された銀層を含む第１の電極層と、前記第１の電極層
の表面および側面を覆うように形成されたアルミニウム
を主成分とする層からなる第２の電極層とを具備したこ
とにある。
徴は、正特性サーミスタ素体の両主面に、前記正特性サ
ーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形
成された銀層を含む第１の電極層と、前記第１の電極層
の表面および側面を覆うように形成されたアルミニウム
を主成分とする層からなる第２の電極層とを具備したこ
とにある。
【００１６】望ましくはこの第２の電極層は、５〜６０
ｖｏｌ％の導電性ホウ素化合物セラミックとアルミニウ
ムとを含む厚膜印刷層で構成する。なおここで用いられ
る導電性ホウ素化合物としてはＴｉＢ2 のほか、ＺｒＢ
2 、ＨｆＢ2 、ＶｂＢ2 、ＴａＢ2 、ＣｒＢ2 、ＭｏＢ
2 などの２ホウ化物、ＴｉＢ、ＺｒＢ、ＨｆＢ、ＶＢＮ
ｂＢ、ＴａＢ、ＣｒＢ、ＭｏＢ、ＷＢ、ＮｉＢの１元ホ
ウ化物またはＶ3 Ｂ4、Ｖ3 Ｂ2 、Ｎｂ2 Ｂ3 、Ｎｂ3
Ｂ4 、Ｔａ3 Ｂ2 、Ｔａ3 Ｂ2 、Ｃｒ3 Ｂ4 、Ｍｏ3 Ｂ
2 、Ｍｏ2 Ｂ5 、Ｗ2 Ｂ5 、Ｎｉ4 Ｂ3 、Ｂ4 Ｃ化合物
のグループから選ばれる少なくとも１種以上あるいはそ
れらの化合物などがある。
ｖｏｌ％の導電性ホウ素化合物セラミックとアルミニウ
ムとを含む厚膜印刷層で構成する。なおここで用いられ
る導電性ホウ素化合物としてはＴｉＢ2 のほか、ＺｒＢ
2 、ＨｆＢ2 、ＶｂＢ2 、ＴａＢ2 、ＣｒＢ2 、ＭｏＢ
2 などの２ホウ化物、ＴｉＢ、ＺｒＢ、ＨｆＢ、ＶＢＮ
ｂＢ、ＴａＢ、ＣｒＢ、ＭｏＢ、ＷＢ、ＮｉＢの１元ホ
ウ化物またはＶ3 Ｂ4、Ｖ3 Ｂ2 、Ｎｂ2 Ｂ3 、Ｎｂ3
Ｂ4 、Ｔａ3 Ｂ2 、Ｔａ3 Ｂ2 、Ｃｒ3 Ｂ4 、Ｍｏ3 Ｂ
2 、Ｍｏ2 Ｂ5 、Ｗ2 Ｂ5 、Ｎｉ4 Ｂ3 、Ｂ4 Ｃ化合物
のグループから選ばれる少なくとも１種以上あるいはそ
れらの化合物などがある。
【００１７】本発明の第２の特徴は、正特性サーミスタ
素体の両主表面に、前記正特性サーミスタ素体の外周縁
よりも内側に端部がくるように形成され、銀層を含む単
層または複数層の第１の電極層と、前記第１の電極層の
端縁部近傍から側面を覆うように形成された主成分をア
ルミニウムとする層からなる第２の電極層とを具備した
ことにある。
素体の両主表面に、前記正特性サーミスタ素体の外周縁
よりも内側に端部がくるように形成され、銀層を含む単
層または複数層の第１の電極層と、前記第１の電極層の
端縁部近傍から側面を覆うように形成された主成分をア
ルミニウムとする層からなる第２の電極層とを具備した
ことにある。
【００１８】本発明の第３の特徴は、正特性サーミスタ
素体の両主表面に、前記正特性サーミスタ素体の外周縁
よりも内側に端部がくるように形成され、銀層を含む単
層または複数層の第１の電極層と、前記第１の電極層の
表面および側面を覆うように形成された銀を主成分とす
る第２の電極層と、前記第２の電極層の端縁部近傍から
側面を覆うように形成されたアルミニウム層あるいは、
５〜６０vol%の導電性ホウ素化合物とアルミニウムとを
含む層からなる第３の電極層とを具備したことにある。
素体の両主表面に、前記正特性サーミスタ素体の外周縁
よりも内側に端部がくるように形成され、銀層を含む単
層または複数層の第１の電極層と、前記第１の電極層の
表面および側面を覆うように形成された銀を主成分とす
る第２の電極層と、前記第２の電極層の端縁部近傍から
側面を覆うように形成されたアルミニウム層あるいは、
５〜６０vol%の導電性ホウ素化合物とアルミニウムとを
含む層からなる第３の電極層とを具備したことにある。
【００１９】本発明の第４の特徴は、正特性サーミスタ
素体の両主面に形成された第１の電極層と、第１の電極
層の端縁よりも内側に端縁がくるように形成された銀層
からなる第２の電極層と、第２の電極層を覆うように形
成されたアルミニウム層からなる第３の電極層とを具備
したことにある。
素体の両主面に形成された第１の電極層と、第１の電極
層の端縁よりも内側に端縁がくるように形成された銀層
からなる第２の電極層と、第２の電極層を覆うように形
成されたアルミニウム層からなる第３の電極層とを具備
したことにある。
【００２０】本発明の第５の特徴は、サーミスタ素体の
両主面に形成され、最外層がアルミニウム層で構成され
た電極とからなる正特性サーミスタと、正特性サーミス
タを挟持する端子とから構成され、この端子の少なくと
も前記正特性サーミスタと接触する領域がアルミニウム
に対し融点３００℃以下の合金を形成しない物質で構成
されていることにある。
両主面に形成され、最外層がアルミニウム層で構成され
た電極とからなる正特性サーミスタと、正特性サーミス
タを挟持する端子とから構成され、この端子の少なくと
も前記正特性サーミスタと接触する領域がアルミニウム
に対し融点３００℃以下の合金を形成しない物質で構成
されていることにある。
【００２１】望ましくはこの物質は、ニッケル、銀、
銅、アルミニウム、チタンのいずれかまたはそれらの合
金であることを特徴とする。
銅、アルミニウム、チタンのいずれかまたはそれらの合
金であることを特徴とする。
【００２２】
【作用】上記構成によれば、電気伝導性の良好な銀電極
を使用しかつこの銀電極はアルミニウム電極で完全に覆
われているため、マイグレーションによる短絡のおそれ
もない。
を使用しかつこの銀電極はアルミニウム電極で完全に覆
われているため、マイグレーションによる短絡のおそれ
もない。
【００２３】なお、上記構成において電極の形成は蒸着
法、厚膜印刷法等のドライプロセスで形成される。した
がって、電極形成時に溶液等によりサーミスタ素体の表
面および裏面の露出部の汚染による特性変化を引き起こ
すことなく、密着性が高く接触抵抗の小さい電極を形成
することが可能となる。
法、厚膜印刷法等のドライプロセスで形成される。した
がって、電極形成時に溶液等によりサーミスタ素体の表
面および裏面の露出部の汚染による特性変化を引き起こ
すことなく、密着性が高く接触抵抗の小さい電極を形成
することが可能となる。
【００２４】上記第１の構成によれば、正特性サーミス
タ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形成され
た銀層を含む第１の電極層が形成され、前記第１の電極
層の表面および側面を覆うようにアルミニウム層からな
る第２の電極層が形成されているため、電気伝導性を良
好に維持し、かつ、マイグレーションの発生を完全に防
ぐことができる。望ましくは、第２の電極層を、５〜６
０ｖｏｌ％の導電性ホウ素化合物とアルミニウムとを含
む厚膜印刷層で構成するようにすれば、電極の焼成工程
において酸素がトラップされても導電性が低下しないた
め、サーミスタ素体に直接第２の電極層が接触する領域
でも良好な電気的接触性を維持することができる。
タ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形成され
た銀層を含む第１の電極層が形成され、前記第１の電極
層の表面および側面を覆うようにアルミニウム層からな
る第２の電極層が形成されているため、電気伝導性を良
好に維持し、かつ、マイグレーションの発生を完全に防
ぐことができる。望ましくは、第２の電極層を、５〜６
０ｖｏｌ％の導電性ホウ素化合物とアルミニウムとを含
む厚膜印刷層で構成するようにすれば、電極の焼成工程
において酸素がトラップされても導電性が低下しないた
め、サーミスタ素体に直接第２の電極層が接触する領域
でも良好な電気的接触性を維持することができる。
【００２５】本発明の第２の構成によれば、サーミスタ
素体の表面の大部分でコンタクトを形成することができ
るため、よりコンタクト抵抗を小さくすることができ
る。また第１および第２の電極層の端縁部を第３の電極
層で覆っているため、サーミスタ素体のわれやクラック
の発生がより低減される。
素体の表面の大部分でコンタクトを形成することができ
るため、よりコンタクト抵抗を小さくすることができ
る。また第１および第２の電極層の端縁部を第３の電極
層で覆っているため、サーミスタ素体のわれやクラック
の発生がより低減される。
【００２６】本発明の第３の構成によれば、第２の電極
層全面ではなく一部を除いて端縁および側面を覆うよう
に第３の電極層が形成されており、第１の構成と同様、
コンタクト抵抗が低減され、良好な電気的接触性を維持
することができる。
層全面ではなく一部を除いて端縁および側面を覆うよう
に第３の電極層が形成されており、第１の構成と同様、
コンタクト抵抗が低減され、良好な電気的接触性を維持
することができる。
【００２７】本発明の第４の構成によれば、サーミスタ
素体の表面全体が第１の電極層で覆われその上層に第２
の電極層が形成されているため、第１の構成と同様に、
サーミスタ素体のわれやクラックの発生がより低減され
る。
素体の表面全体が第１の電極層で覆われその上層に第２
の電極層が形成されているため、第１の構成と同様に、
サーミスタ素体のわれやクラックの発生がより低減され
る。
【００２８】本発明の第５の構成によれば、端子と電極
とが接触する点すなわち接点では、電圧がオンするたび
に大電流による発熱があるため、局所的に温度上昇があ
り、２００℃程度まで上昇することになるが、端子の少
なくとも正特性サーミスタと接触する領域表面をアルミ
ニウムと３００℃以下の合金を作らない材質で構成して
いるため、剥離もなく良好に維持することができる。望
ましくは、この弾性端子は、アルミニウムとの合金の融
点の高い物質である、ニッケル、銀、銅、アルミニウ
ム、チタンのいずれかまたはそれらの合金を表面層に用
いる。
とが接触する点すなわち接点では、電圧がオンするたび
に大電流による発熱があるため、局所的に温度上昇があ
り、２００℃程度まで上昇することになるが、端子の少
なくとも正特性サーミスタと接触する領域表面をアルミ
ニウムと３００℃以下の合金を作らない材質で構成して
いるため、剥離もなく良好に維持することができる。望
ましくは、この弾性端子は、アルミニウムとの合金の融
点の高い物質である、ニッケル、銀、銅、アルミニウ
ム、チタンのいずれかまたはそれらの合金を表面層に用
いる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００３０】実施例１ 図１は本発明の第１の実施例の正特性サーミスタを示す
図である。
図である。
【００３１】この正特性サーミスタは、チタン酸バリウ
ムを主成分とするサーミスタ素体１と、外周縁からやや
入り込んだ位置に端縁がくるようにその上面と下面に印
刷法で形成された銀−亜鉛（Ａｇ−Ｚｎ）層からなる第
１の電極層２ａ、２ｂと、この第１の電極層２ａ，２ｂ
を覆うように印刷法で形成された銀層（Ａｇ）からなる
第２の電極層３ａ、３ｂと、この第２の電極層３ａ，３
ｂを覆うように印刷法で形成されたアルミニウム−ホウ
化チタン（Ａｌ−ＴｉＢ2 ）層からなる第３の電極層４
ａ、４ｂとから構成されている。各電極層の膜厚は約１
０μm とした。次に、この正特性サーミスタの製造工程
について説明する。
ムを主成分とするサーミスタ素体１と、外周縁からやや
入り込んだ位置に端縁がくるようにその上面と下面に印
刷法で形成された銀−亜鉛（Ａｇ−Ｚｎ）層からなる第
１の電極層２ａ、２ｂと、この第１の電極層２ａ，２ｂ
を覆うように印刷法で形成された銀層（Ａｇ）からなる
第２の電極層３ａ、３ｂと、この第２の電極層３ａ，３
ｂを覆うように印刷法で形成されたアルミニウム−ホウ
化チタン（Ａｌ−ＴｉＢ2 ）層からなる第３の電極層４
ａ、４ｂとから構成されている。各電極層の膜厚は約１
０μm とした。次に、この正特性サーミスタの製造工程
について説明する。
【００３２】図２(a) および(b) は、本発明実施例のサ
ーミスタの製造工程を示す工程図である。
ーミスタの製造工程を示す工程図である。
【００３３】まず、図２(a) に示すように、ＴｉＯ2 、
ＢａＣＯ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 の粉末を所定の割合で混合し、
７００℃〜１０００℃の温度範囲にて、仮焼後、粉砕
し、冷間プレス法によってディスク状に加圧成形した
後、１３００℃で焼結し、直径４．４７mmのディスク状
のサーミスタ素体１を形成する。
ＢａＣＯ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 の粉末を所定の割合で混合し、
７００℃〜１０００℃の温度範囲にて、仮焼後、粉砕
し、冷間プレス法によってディスク状に加圧成形した
後、１３００℃で焼結し、直径４．４７mmのディスク状
のサーミスタ素体１を形成する。
【００３４】続いて、図２(b) に示すようにこのサーミ
スタ素体１の端面（電極形成面）にスクリーン印刷法に
より順次第１〜第３の電極層を塗布する。ここではまず
Ａｇ−Ｚｎペーストを用いてスクリーン印刷を行い、１
８０℃１０分の乾燥工程の後、続いてＡｇペーストを用
いてスクリーン印刷を行い、１８０℃１０分の乾燥、最
後にＡｌ−ＴｉＢ2 ペーストを用いてスクリーン印刷を
行い、１８０℃１０分の乾燥後、５５０℃１０分の焼成
工程を経て形成する。
スタ素体１の端面（電極形成面）にスクリーン印刷法に
より順次第１〜第３の電極層を塗布する。ここではまず
Ａｇ−Ｚｎペーストを用いてスクリーン印刷を行い、１
８０℃１０分の乾燥工程の後、続いてＡｇペーストを用
いてスクリーン印刷を行い、１８０℃１０分の乾燥、最
後にＡｌ−ＴｉＢ2 ペーストを用いてスクリーン印刷を
行い、１８０℃１０分の乾燥後、５５０℃１０分の焼成
工程を経て形成する。
【００３５】ここでＡｌ−ＴｉＢ2 ペーストは、平均粒
径約５μm のアルミニウム粉末と平均粒径３μm のＴｉ
Ｂ2 セラミック粉末とを７：３の混合比で混合し、バイ
ンダを混ぜ、ペースト状にした後、粘度を調整したもの
である。
径約５μm のアルミニウム粉末と平均粒径３μm のＴｉ
Ｂ2 セラミック粉末とを７：３の混合比で混合し、バイ
ンダを混ぜ、ペースト状にした後、粘度を調整したもの
である。
【００３６】この様にして得られたサーミスタは、露結
水中でイオン化しないＡｌを主成分とする電極層がＡｇ
を含む電極層を完全に覆っているため、高温多湿環境下
で長時間使用しても銀のマイグレーションを生じること
なく、信頼性を維持することができる。そして、サーミ
スタ素体と電極との電気的接触性が良好である。
水中でイオン化しないＡｌを主成分とする電極層がＡｇ
を含む電極層を完全に覆っているため、高温多湿環境下
で長時間使用しても銀のマイグレーションを生じること
なく、信頼性を維持することができる。そして、サーミ
スタ素体と電極との電気的接触性が良好である。
【００３７】またアルミニウムはマイグレーションを生
じないため、素子の主平面全面に電極を塗布することが
できる。したがって突入電流の素子への流れ方が均一と
なり、従来に比べサージ電流または電圧印加時のわれ・
かけが発生しにくい。
じないため、素子の主平面全面に電極を塗布することが
できる。したがって突入電流の素子への流れ方が均一と
なり、従来に比べサージ電流または電圧印加時のわれ・
かけが発生しにくい。
【００３８】実施例２ 図３は本発明の第２の実施例の正特性サーミスタを示す
図である。
図である。
【００３９】この正特性サーミスタは、チタン酸バリウ
ムを主成分とするサーミスタ素体１と、その上面と下面
に全体を覆うように、真空蒸着法で形成された膜厚０．
３〜２μm のニッケル（Ｎｉ）層からなる第１の電極層
２ｍ、２ｍ´と、その外周縁からやや入り込んだ位置に
端縁がくるようにスクリーン印刷法で形成された銀層
（Ａｇ）からなる第２の電極層３ａ、３ｂとこの第２の
電極層３ａ，３ｂを覆うように印刷法で形成されたアル
ミニウム−ホウ化チタン（Ａｌ−ＴｉＢ2 ）層からなる
第３の電極層４ａ、４ｂとから構成されている。第２お
よび第３の各電極層の膜厚は約１０μm とした。
ムを主成分とするサーミスタ素体１と、その上面と下面
に全体を覆うように、真空蒸着法で形成された膜厚０．
３〜２μm のニッケル（Ｎｉ）層からなる第１の電極層
２ｍ、２ｍ´と、その外周縁からやや入り込んだ位置に
端縁がくるようにスクリーン印刷法で形成された銀層
（Ａｇ）からなる第２の電極層３ａ、３ｂとこの第２の
電極層３ａ，３ｂを覆うように印刷法で形成されたアル
ミニウム−ホウ化チタン（Ａｌ−ＴｉＢ2 ）層からなる
第３の電極層４ａ、４ｂとから構成されている。第２お
よび第３の各電極層の膜厚は約１０μm とした。
【００４０】形成に際しては前記第１の実施例と同様に
形成する。
形成する。
【００４１】この様にして得られたサーミスタも前記実
施例１と同様、前述した効果を奏効する。
施例１と同様、前述した効果を奏効する。
【００４２】比較のためにこの本発明の第１および２の
実施例において用いたのと同様のサーミスタ素体１の外
周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるように印刷法
で順次積層した銀−亜鉛層からなる第１の電極層２ａ，
ｂと、銀層からなる第２の電極層３ａ，ｂを形成した電
極構造を比較例１として形成した（図４）。
実施例において用いたのと同様のサーミスタ素体１の外
周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるように印刷法
で順次積層した銀−亜鉛層からなる第１の電極層２ａ，
ｂと、銀層からなる第２の電極層３ａ，ｂを形成した電
極構造を比較例１として形成した（図４）。
【００４３】また、比較例２として、実施例２のサーミ
スタの第３の電極層を省略し、他は同様に形成した。
（図５）。
スタの第３の電極層を省略し、他は同様に形成した。
（図５）。
【００４４】次に、マイグレーション試験を行うべく、
図６に説明図を示すようなテスト装置を用い、環境温度
１２０℃、湿度９５ＲＨ％中で、２５０Ｖの電圧を３０
分オン、３０分オフし、１０００サイクル印加した。そ
してテスト後素子側面をＥＰＭＡ分析し、銀のマイグレ
ーションを検出した。その結果を図７に表で示す。この
表からあきらかなように、本発明の実施例１および２の
構造の場合いずれもマイグレーションはみられなかった
のに対し、比較例１および２では僅かに側面に銀が検出
された。
図６に説明図を示すようなテスト装置を用い、環境温度
１２０℃、湿度９５ＲＨ％中で、２５０Ｖの電圧を３０
分オン、３０分オフし、１０００サイクル印加した。そ
してテスト後素子側面をＥＰＭＡ分析し、銀のマイグレ
ーションを検出した。その結果を図７に表で示す。この
表からあきらかなように、本発明の実施例１および２の
構造の場合いずれもマイグレーションはみられなかった
のに対し、比較例１および２では僅かに側面に銀が検出
された。
【００４５】次に、低温断続負荷試験を行うべく、図８
に説明図を示すようなテスト装置を用い、環境温度−２
０℃で、２５０Ｖの電圧を１分オン、５分オフし、１０
００サイクル印加し、テスト後の素子のわれ、かけの有
無および抵抗の変化率を測定した。この結果を図９に表
で示す。この表から明らかなようにいずれの例もわれや
かけはなく、抵抗変化率も−２．６〜−１．９％程度で
あり、いずれも判定は○であった。
に説明図を示すようなテスト装置を用い、環境温度−２
０℃で、２５０Ｖの電圧を１分オン、５分オフし、１０
００サイクル印加し、テスト後の素子のわれ、かけの有
無および抵抗の変化率を測定した。この結果を図９に表
で示す。この表から明らかなようにいずれの例もわれや
かけはなく、抵抗変化率も−２．６〜−１．９％程度で
あり、いずれも判定は○であった。
【００４６】次に、サージ電流テストを行うべく、図１
０に説明図を示すようなテスト装置を用い、環境温度−
２０℃中で電圧を２５０Ｖから５０Ｖおきに順次大きく
しながら印加し、テスト後の素子のわれ、かけの有無を
調べたその結果を図１１に示す。この結果からわかるよ
うに、テスト終了後、素子のわれ、かけは皆無であっ
た。
０に説明図を示すようなテスト装置を用い、環境温度−
２０℃中で電圧を２５０Ｖから５０Ｖおきに順次大きく
しながら印加し、テスト後の素子のわれ、かけの有無を
調べたその結果を図１１に示す。この結果からわかるよ
うに、テスト終了後、素子のわれ、かけは皆無であっ
た。
【００４７】次に、この実施例１のサーミスタを図１２
に示すような端子１０に実装し、端子材質を測定するた
めに低温断続負荷試験を行った。ここで端子の表面材質
がニッケルや銀のめっき層で構成されている場合は図１
３に表で示すように試験後電極の剥離はなかった。ただ
し半田や錫で端子が形成されている場合は端子接触部に
剥離が生じた。ここで剥離とは、図１４に示すように端
子１０との接触部に相当する電極面に剥離Ｒが生じるこ
とをいう。低温断続負荷試験では、電圧が印加されるた
びに大電流が流れることによる発熱があるため、局所的
な温度上昇があり、アルミニウムと錫や半田が合金化し
たものと考えられる。この結果からも、端子表面に用い
る材質としてはアルミニウムと合金化しないニッケルや
銀を用いるのが望ましいことがわかる。
に示すような端子１０に実装し、端子材質を測定するた
めに低温断続負荷試験を行った。ここで端子の表面材質
がニッケルや銀のめっき層で構成されている場合は図１
３に表で示すように試験後電極の剥離はなかった。ただ
し半田や錫で端子が形成されている場合は端子接触部に
剥離が生じた。ここで剥離とは、図１４に示すように端
子１０との接触部に相当する電極面に剥離Ｒが生じるこ
とをいう。低温断続負荷試験では、電圧が印加されるた
びに大電流が流れることによる発熱があるため、局所的
な温度上昇があり、アルミニウムと錫や半田が合金化し
たものと考えられる。この結果からも、端子表面に用い
る材質としてはアルミニウムと合金化しないニッケルや
銀を用いるのが望ましいことがわかる。
【００４８】なおアルミニウムとニッケル、銀、錫との
合金の融点を図１５に表で示す。また図１６乃至図１８
にそれぞれアルミニウム−錫合金の組成と融点との関
係、銀−アルミニウム合金の組成と融点との関係を示す
図および、アルミニウム−ニッケルの組成と融点との関
係とを示す。
合金の融点を図１５に表で示す。また図１６乃至図１８
にそれぞれアルミニウム−錫合金の組成と融点との関
係、銀−アルミニウム合金の組成と融点との関係を示す
図および、アルミニウム−ニッケルの組成と融点との関
係とを示す。
【００４９】ところで、接点では電圧がオンするたびに
大電流による発熱があるため、局所的に温度上昇があ
り、２００℃程度まで上昇するため、安全をみこむと、
アルミニウムと３００℃以下の合金を作らない材質を用
いるようにするのが望ましい。また端子の構造としては
図１９に示すように弾性端子あるいは中央端子の表面全
体をニッケル、銅、銀、アルミニウムなどのめっき層で
構成する全面めっき法と、正特性サーミスタとの接触領
域のみ上述したような金属からなるめっき層で構成する
部分めっき法とがある。また、通常用いられる錫からな
る端子を用いアルミニウム電極層の少なくとも端子と接
する部分に錫と合金化しない層をさらに設けてもよい。
大電流による発熱があるため、局所的に温度上昇があ
り、２００℃程度まで上昇するため、安全をみこむと、
アルミニウムと３００℃以下の合金を作らない材質を用
いるようにするのが望ましい。また端子の構造としては
図１９に示すように弾性端子あるいは中央端子の表面全
体をニッケル、銅、銀、アルミニウムなどのめっき層で
構成する全面めっき法と、正特性サーミスタとの接触領
域のみ上述したような金属からなるめっき層で構成する
部分めっき法とがある。また、通常用いられる錫からな
る端子を用いアルミニウム電極層の少なくとも端子と接
する部分に錫と合金化しない層をさらに設けてもよい。
【００５０】次に、前記第１および第２の実施例では、
ＡｌにＴｉＢ2 を添加した例について説明したが、Ｔｉ
Ｂ2 の添加量を変化させ、素子抵抗とわれかけを生じな
い、最大サージ電圧との関係を測定した。その結果を図
２０に表で示す。
ＡｌにＴｉＢ2 を添加した例について説明したが、Ｔｉ
Ｂ2 の添加量を変化させ、素子抵抗とわれかけを生じな
い、最大サージ電圧との関係を測定した。その結果を図
２０に表で示す。
【００５１】この結果から明らかなように添加量は５vo
l%以上で効果が現れるが７０vol%以上では焼成が困難と
なる。これはＴｉＢ2 の添加によってサーミスタ素体と
アルミニウムとのオーミック接触性が向上するため、最
大サージ電圧が向上すると考えられる。なお実施例２で
示した構造ではサーミスタ素体とのオーミック接触はニ
ッケル電極で得られるため、ＴｉＢ2 の添加による最大
サージ電圧への効果はほとんどみられなかった。
l%以上で効果が現れるが７０vol%以上では焼成が困難と
なる。これはＴｉＢ2 の添加によってサーミスタ素体と
アルミニウムとのオーミック接触性が向上するため、最
大サージ電圧が向上すると考えられる。なお実施例２で
示した構造ではサーミスタ素体とのオーミック接触はニ
ッケル電極で得られるため、ＴｉＢ2 の添加による最大
サージ電圧への効果はほとんどみられなかった。
【００５２】これらの比較からも本発明によれば比抵抗
が安定で信頼性の高いサーミスタを得ることができる。
が安定で信頼性の高いサーミスタを得ることができる。
【００５３】次に本発明の第３の実施例について説明す
る。この正特性サーミスタは、図２１に示すように、チ
タン酸バリウムを主成分とするサーミスタ素体１と、外
周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるようにその上
面と下面に順次、印刷法で形成された銀−亜鉛（Ａｇ−
Ｚｎ）層からなる第１の電極層２ａ、２ｂと、銀層（Ａ
ｇ）からなる第２の電極層３ａ、３ｂと、第２の電極層
の端縁部近傍からこれら第１および第２の電極層の側面
を覆うように印刷法で形成されたアルミニウム−ホウ化
チタン（Ａｌ−ＴｉＢ2 ）層からなる第３の電極層４
ａ、４ｂとから構成されている。各電極層の膜厚は約１
０μm とした。
る。この正特性サーミスタは、図２１に示すように、チ
タン酸バリウムを主成分とするサーミスタ素体１と、外
周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるようにその上
面と下面に順次、印刷法で形成された銀−亜鉛（Ａｇ−
Ｚｎ）層からなる第１の電極層２ａ、２ｂと、銀層（Ａ
ｇ）からなる第２の電極層３ａ、３ｂと、第２の電極層
の端縁部近傍からこれら第１および第２の電極層の側面
を覆うように印刷法で形成されたアルミニウム−ホウ化
チタン（Ａｌ−ＴｉＢ2 ）層からなる第３の電極層４
ａ、４ｂとから構成されている。各電極層の膜厚は約１
０μm とした。
【００５４】この構成によれば、第１および第２の電極
層は同じパターン形状で積層されているため、正特性サ
ーミスタ素体の両主表面をより多く第１の電極層と接触
せしめることができ、コンタクト抵抗が低減される。ま
た、第２の電極層全体を覆うこと無く形成されるため、
材料が少なくてすみコストの低減をはかることができ
る。
層は同じパターン形状で積層されているため、正特性サ
ーミスタ素体の両主表面をより多く第１の電極層と接触
せしめることができ、コンタクト抵抗が低減される。ま
た、第２の電極層全体を覆うこと無く形成されるため、
材料が少なくてすみコストの低減をはかることができ
る。
【００５５】次に本発明の第４の実施例について説明す
る。この正特性サーミスタは、図２２に示すように、チ
タン酸バリウムを主成分とするサーミスタ素体１と、外
周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるようにその上
面と下面に、印刷法で形成された銀−亜鉛（Ａｇ−Ｚ
ｎ）層からなる第１の電極層２ａ、２ｂと、前記第１の
電極層を覆うように印刷法で形成された銀層（Ａｇ）か
らなる第２の電極層３ａ、３ｂと、第２の電極層の端縁
部近傍から側面を覆うように印刷法で形成されたアルミ
ニウム−ホウ化チタン（Ａｌ−ＴｉＢ2 ）層からなる第
３の電極層４ａ、４ｂとから構成されている。各電極層
の膜厚は約１０μm とした。この構成によっても、安価
で信頼性の高い正特性サーミスタを得ることができる。
る。この正特性サーミスタは、図２２に示すように、チ
タン酸バリウムを主成分とするサーミスタ素体１と、外
周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるようにその上
面と下面に、印刷法で形成された銀−亜鉛（Ａｇ−Ｚ
ｎ）層からなる第１の電極層２ａ、２ｂと、前記第１の
電極層を覆うように印刷法で形成された銀層（Ａｇ）か
らなる第２の電極層３ａ、３ｂと、第２の電極層の端縁
部近傍から側面を覆うように印刷法で形成されたアルミ
ニウム−ホウ化チタン（Ａｌ−ＴｉＢ2 ）層からなる第
３の電極層４ａ、４ｂとから構成されている。各電極層
の膜厚は約１０μm とした。この構成によっても、安価
で信頼性の高い正特性サーミスタを得ることができる。
【００５６】なお本発明においてアルミニウム層とは、
純アルミニウムに限定されること無く、アルミニウムを
主成分とする層をいうものとする。
純アルミニウムに限定されること無く、アルミニウムを
主成分とする層をいうものとする。
【００５７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、マイグレーションによる短絡のおそれもなく、組み
立てが容易で特性の安定な正特性サーミスタを得ること
ができる。
ば、マイグレーションによる短絡のおそれもなく、組み
立てが容易で特性の安定な正特性サーミスタを得ること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例のサーミスタを示す図
【図２】同サーミスタの製造工程図
【図３】本発明の第２の実施例のサーミスタを示す図
【図４】従来例のサーミスタを示す図（比較例）
【図５】従来例のサーミスタを示す図（比較例）
【図６】マイグレーション試験のためのテスト装置を示
す図
す図
【図７】図６に示す装置を用いて行ったマイグレーショ
ン試験の結果を示す図
ン試験の結果を示す図
【図８】低温断続負荷試験を行うためのテスト装置を示
す図
す図
【図９】図８に示す装置を用いて行った低温断続負荷試
験の結果を示す図
験の結果を示す図
【図１０】サージ電流テストを行うためのテスト装置を
示す図
示す図
【図１１】図１０に示す装置を用いて行ったサージ電流
テストの結果を示す図
テストの結果を示す図
【図１２】端子材質による低温断続負荷試験結果の依存
性を測定するためのテスト装置を示す図
性を測定するためのテスト装置を示す図
【図１３】図１２に示す装置を用いて行った低温断続負
荷試験の結果を示す図
荷試験の結果を示す図
【図１４】図１２に示す装置を用いた低温断続負荷試験
による剥離の状態を示す図
による剥離の状態を示す図
【図１５】アルミニウムとニッケル、銀、錫との合金の
融点を示す図
融点を示す図
【図１６】アルミニウム−錫合金の組成と融点との関係
を示す図
を示す図
【図１７】銀−アルミニウム合金の組成と融点との関係
を示す図
を示す図
【図１８】アルミニウム−ニッケルの組成と融点との関
係とを示す図
係とを示す図
【図１９】端子構造の例を示す図
【図２０】素子抵抗と最大サージ電圧との関係を測定し
た結果を示す図
た結果を示す図
【図２１】本発明の第３の実施例のサーミスタを示す図
【図２２】本発明の第４の実施例のサーミスタを示す図
【図２３】従来例のサーミスタを示す図
１ サーミスタ素体 ２ａ，２ｂ 第１の電極層 ３ａ，３ｂ 第２の電極層 ４ａ，４ｂ 第３の電極層 １１ サーミスタ素体、 １２ａ，１２ｂ 第１の電極層 １３ａ，１３ｂ 第２の電極層
Claims (7)
- 【請求項１】 正特性サーミスタ素体と、 前記正特性サーミスタ素体の両主表面に、前記正特性サ
ーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形
成され、銀層を含む単層または複数層の第１の電極層
と、 前記第１の電極層の表面および側面を覆うように形成さ
れた主成分をアルミニウムとする層からなる第２の電極
層とを具備したことを特徴とする正特性サーミスタ。 - 【請求項２】 前記第２の電極層は、５〜６０ｖｏｌ％
の導電性ホウ素化合物とアルミニウムとを含む厚膜印刷
層で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の
正特性サーミスタ。 - 【請求項３】 正特性サーミスタ素体と、 前記正特性サーミスタ素体の両主表面に、前記正特性サ
ーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形
成され、銀層を含む単層または複数層の第１の電極層
と、 前記第１の電極層の端縁部近傍から側面を覆うように形
成された主成分をアルミニウムとする層からなる第２の
電極層とを具備したことを特徴とする正特性サーミス
タ。 - 【請求項４】 正特性サーミスタ素体と、 前記正特性サーミスタ素体の両主表面に、前記正特性サ
ーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形
成され、銀層を含む単層または複数層の第１の電極層
と、 前記第１の電極層の表面および側面を覆うように形成さ
れた銀を主成分とする第２の電極層と、 前記第２の電極層の端縁部近傍から側面を覆うように形
成されたアルミニウム層あるいは、５〜６０vol%の導電
性ホウ素化合物とアルミニウムとを含む層からなる第３
の電極層とを具備したことを特徴とする正特性サーミス
タ。 - 【請求項５】 正特性サーミスタ素体と、 前記正特性サーミスタ素体の両主表面に形成された第１
の電極層と、 前記第１の電極層の端縁よりも内側に端縁部がくるよう
に形成された銀を主成分とする第２の電極層と、 前記第２の電極層を覆うように形成されたアルミニウム
層あるいは、５〜６０vol%の導電性ホウ素化合物とアル
ミニウムとを含む層からなる第３の電極層とを具備した
ことを特徴とする正特性サーミスタ。 - 【請求項６】 正特性サーミスタ素体と、 前記正特性サーミスタ素体の両主表面に形成され、最外
層がアルミニウム層あるいは、５〜６０vol%の導電性ホ
ウ素化合物とアルミニウムとを含む層で構成された電極
とからなる正特性サーミスタと前記正特性サーミスタを
挟持する端子とから構成され、 少なくとも前記端子の前記正特性サーミスタと接触する
領域がアルミニウムに対し融点３００℃以下の合金を形
成しない物質で構成されていることを特徴とするサーミ
スタ装置。 - 【請求項７】 前記物質は、ニッケル、銀、銅、アルミ
ニウム、チタンまたはそれらの２つ以上の合金のいずれ
かであることを特徴とする請求項６記載のサーミスタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016495A JPH07297008A (ja) | 1994-03-04 | 1995-02-28 | 正特性サーミスタおよびこれを用いたサーミスタ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-34903 | 1994-03-04 | ||
| JP3490394 | 1994-03-04 | ||
| JP4016495A JPH07297008A (ja) | 1994-03-04 | 1995-02-28 | 正特性サーミスタおよびこれを用いたサーミスタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297008A true JPH07297008A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=26373774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4016495A Pending JPH07297008A (ja) | 1994-03-04 | 1995-02-28 | 正特性サーミスタおよびこれを用いたサーミスタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297008A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008508664A (ja) * | 2004-07-28 | 2008-03-21 | 克政 王 | Ｐｔｃシックフィルム電気回路制御の電熱素子 |
| US8373535B2 (en) | 2001-01-26 | 2013-02-12 | Quality Thermistor, Inc. | Thermistor and method of manufacture |
| CN106205911A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-07 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 一种防短路的热敏芯片及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275204A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ装置 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP4016495A patent/JPH07297008A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275204A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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