JPH07296717A - 電界放出型冷陰極 - Google Patents
電界放出型冷陰極Info
- Publication number
- JPH07296717A JPH07296717A JP8858294A JP8858294A JPH07296717A JP H07296717 A JPH07296717 A JP H07296717A JP 8858294 A JP8858294 A JP 8858294A JP 8858294 A JP8858294 A JP 8858294A JP H07296717 A JPH07296717 A JP H07296717A
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- JP
- Japan
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- gate electrode
- cold cathode
- field emission
- substrate
- negative electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電界放出型冷陰極の製造工程における高融点金
属層リフトオフ工程において、高融点金属層を残さなく
完全に除去し、且つ処理時間を大幅に短縮する。 【構成】電界放出型冷陰極のゲート電極外周部に島状ま
たは帯状の凸部パターンを形成する。また、凸部パター
ンの上面はゲート電極と同じ材質の導電層からなる。凸
部パターンおよびゲート電極の周辺には、基板・ゲート
電極間および基板・凸部パターン間に有する絶縁層が露
出しており、前記絶縁層の外周には基板が露出してい
る。
属層リフトオフ工程において、高融点金属層を残さなく
完全に除去し、且つ処理時間を大幅に短縮する。 【構成】電界放出型冷陰極のゲート電極外周部に島状ま
たは帯状の凸部パターンを形成する。また、凸部パター
ンの上面はゲート電極と同じ材質の導電層からなる。凸
部パターンおよびゲート電極の周辺には、基板・ゲート
電極間および基板・凸部パターン間に有する絶縁層が露
出しており、前記絶縁層の外周には基板が露出してい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子放出源となる冷陰
極、特に鋭利な先端から電子を放出する電界放出型冷陰
極に関する。
極、特に鋭利な先端から電子を放出する電界放出型冷陰
極に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造技術を応用した微小構造を制
作するマイクロマシーニング技術により、スピント
（Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ）らはシリコンウエハ上に電界
放出型冷陰極を制作している（ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第３９巻３５０４−３５０
５頁１９６８年）。
作するマイクロマシーニング技術により、スピント
（Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ）らはシリコンウエハ上に電界
放出型冷陰極を制作している（ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第３９巻３５０４−３５０
５頁１９６８年）。
【０００３】以下に、図６に示す従来の陰極製造工程と
構造の断面図を参照して従来の製造工程を簡単に述べ
る。
構造の断面図を参照して従来の製造工程を簡単に述べ
る。
【０００４】単結晶シリコンからなる基板１上に１μｍ
圧の絶縁層２およびモリブデンからなるゲート電極３が
形成されており、絶縁層２およびゲート電極３を貫通し
た直径約１．５μｍのキャビティ４を形成する（図６−
ａ）。
圧の絶縁層２およびモリブデンからなるゲート電極３が
形成されており、絶縁層２およびゲート電極３を貫通し
た直径約１．５μｍのキャビティ４を形成する（図６−
ａ）。
【０００５】基板１の中心を貫通する基板１の法線を回
転軸とし、基板１を回転させながら前記法線から７０°
の方向よりアルミニウム（以下、Ａｌと記す。）からな
る犠牲層５を真空蒸着法を用いてゲート電極３および前
記穴の側面の一部上に形成する（図６−ｂ）。
転軸とし、基板１を回転させながら前記法線から７０°
の方向よりアルミニウム（以下、Ａｌと記す。）からな
る犠牲層５を真空蒸着法を用いてゲート電極３および前
記穴の側面の一部上に形成する（図６−ｂ）。
【０００６】次に、基板１の中心を貫通する基板１の法
線を回転軸とし、基板１を回転させながら法線方向から
モリブデン（以下、Ｍｏと記す。）等の高融点金属を真
空蒸着法により犠牲層５上に蒸着形成する。Ｍｏにより
形成される高融点金属層６がゲート電極１上に積層され
るに従い、キャビティ４上に形成される高融点金属層６
の穴は穴側面にもＭｏが推積するために次第に小さくな
る。一方、高融点金属層６の穴を通過したＭｏはキャビ
ティ４底面に推積するが、高融点金属層６の穴が小さく
なるに従い推積する面積が小さくなる。高融点金属層６
の穴が完全に閉じるまでＭｏを推積すれば、キャビティ
４底面に形成される推積物（以下、エミッタコーン７と
称する。）は円錐形状となる（図６−ｃ）。
線を回転軸とし、基板１を回転させながら法線方向から
モリブデン（以下、Ｍｏと記す。）等の高融点金属を真
空蒸着法により犠牲層５上に蒸着形成する。Ｍｏにより
形成される高融点金属層６がゲート電極１上に積層され
るに従い、キャビティ４上に形成される高融点金属層６
の穴は穴側面にもＭｏが推積するために次第に小さくな
る。一方、高融点金属層６の穴を通過したＭｏはキャビ
ティ４底面に推積するが、高融点金属層６の穴が小さく
なるに従い推積する面積が小さくなる。高融点金属層６
の穴が完全に閉じるまでＭｏを推積すれば、キャビティ
４底面に形成される推積物（以下、エミッタコーン７と
称する。）は円錐形状となる（図６−ｃ）。
【０００７】高融点金属層６を形成後、リン酸等の弱酸
に浸し、犠牲層５を溶解すればリフトオフ法により高融
点金属層６も除去する事が出来、微小電界放出型冷陰極
を得る（図６−ｄ）。
に浸し、犠牲層５を溶解すればリフトオフ法により高融
点金属層６も除去する事が出来、微小電界放出型冷陰極
を得る（図６−ｄ）。
【０００８】基板１とゲート電極３間にゲート電極３が
正の電位となるように数１０〜２００Ｖの電圧を印加す
る事により、エミッタコーン７の先端には１０7 Ｖ／ｃ
ｍ以上の電界が発生しエミッタコーン７の先端から電子
が放出される。
正の電位となるように数１０〜２００Ｖの電圧を印加す
る事により、エミッタコーン７の先端には１０7 Ｖ／ｃ
ｍ以上の電界が発生しエミッタコーン７の先端から電子
が放出される。
【０００９】現在、１エミッタコーンあたり１００μＡ
以上の放出電流が観測されており、様々な応用案が提案
されている。
以上の放出電流が観測されており、様々な応用案が提案
されている。
【００１０】例えば、この素子を電子源とした微小な三
極管によるスイッチング素子試作の試みや、マトリック
ス状に多数の素子を並べてなる平板のエミッション源に
より蛍光体を発光させるディスプレイパネル制作の試み
がなされている。
極管によるスイッチング素子試作の試みや、マトリック
ス状に多数の素子を並べてなる平板のエミッション源に
より蛍光体を発光させるディスプレイパネル制作の試み
がなされている。
【００１１】また特開昭４８−９０４６７号公報におい
ては従来の熱陰極の代わりに１個もしくはマトリックス
状に複数の電界放出型冷陰極を並べてなるエミッション
源を用いたカラー受像菅が開示されている。
ては従来の熱陰極の代わりに１個もしくはマトリックス
状に複数の電界放出型冷陰極を並べてなるエミッション
源を用いたカラー受像菅が開示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述した電界放出型冷
陰極の製造工程において、弱酸による犠牲層５を溶解す
るリフトオフ法では、犠牲層５上に弱酸では溶解しない
Ｍｏ層６があるため、横方向外周から順次溶解するサイ
ドエッチングによらなければならない。故に、この工程
は長時間を要するという欠点を有する。
陰極の製造工程において、弱酸による犠牲層５を溶解す
るリフトオフ法では、犠牲層５上に弱酸では溶解しない
Ｍｏ層６があるため、横方向外周から順次溶解するサイ
ドエッチングによらなければならない。故に、この工程
は長時間を要するという欠点を有する。
【００１３】また、犠牲層５が溶解された高融点金属層
６は内部の歪により湾曲しながら基板１より解離する。
ある程度解離した高融点金属層６の一部は任意の形状に
割れて基板１からリフトオフされる。故に、完全に高融
点金属層６がリフトオフされたことを確認することが難
しく、多くの場合、数μｍサイズの高融点金属層６の残
渣がゲート電極３上に残るという欠点を有する。
６は内部の歪により湾曲しながら基板１より解離する。
ある程度解離した高融点金属層６の一部は任意の形状に
割れて基板１からリフトオフされる。故に、完全に高融
点金属層６がリフトオフされたことを確認することが難
しく、多くの場合、数μｍサイズの高融点金属層６の残
渣がゲート電極３上に残るという欠点を有する。
【００１４】さらに、長時間の弱酸の浸せきにより、エ
ミッタコーン７の表面に酸化層が形成されるという欠点
を有する。この酸化層はエミッタコーン７先端の仕事関
数を増大させ、電界放出型冷陰極の電子放出特性を悪化
させる原因となる。
ミッタコーン７の表面に酸化層が形成されるという欠点
を有する。この酸化層はエミッタコーン７先端の仕事関
数を増大させ、電界放出型冷陰極の電子放出特性を悪化
させる原因となる。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の電界放出型冷陰
極は、基板１上のゲート電極３の外周部に島状または帯
状の凸部パターン８を有し、凸部パターン８間およびゲ
ート電極３・凸部パターン８間に有する絶縁層２が露出
し、絶縁層２の外周には基板１が露出している。
極は、基板１上のゲート電極３の外周部に島状または帯
状の凸部パターン８を有し、凸部パターン８間およびゲ
ート電極３・凸部パターン８間に有する絶縁層２が露出
し、絶縁層２の外周には基板１が露出している。
【００１６】凸部パターン上面は、引き出し電極に接続
されエミッタコーンと同電位が印加される。
されエミッタコーンと同電位が印加される。
【００１７】
【作用】本発明において提案する凸部パターンにより、
陰極全面に起伏が形成される。基板と高融点金属層の熱
膨張係数の差により、この起伏の周辺上に推積された高
融点金属層に微小な割れ目が生じる。よって犠牲層エッ
チングを容易にかつ短時間に行うことができるととも
に、高融点金属層は制御された形状で剥離することがで
きるため、完全に高融点金属層を除去することができ
る。
陰極全面に起伏が形成される。基板と高融点金属層の熱
膨張係数の差により、この起伏の周辺上に推積された高
融点金属層に微小な割れ目が生じる。よって犠牲層エッ
チングを容易にかつ短時間に行うことができるととも
に、高融点金属層は制御された形状で剥離することがで
きるため、完全に高融点金属層を除去することができ
る。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の電界放出型冷陰極の実施例
を図面を参照して説明する。
を図面を参照して説明する。
【００１９】図１は本発明の第一の実施例である電界放
出型冷陰極の断面を含む外観図である。図２は本発明の
第一の実施例である電界放出型冷陰極の平面図である。
出型冷陰極の断面を含む外観図である。図２は本発明の
第一の実施例である電界放出型冷陰極の平面図である。
【００２０】また、図３は本発明の第一の実施例である
電界放出型冷陰極の制作工程の１つである犠牲層エッチ
ングによる高融点金属層のリフトオフ工程途中の断面図
である。
電界放出型冷陰極の制作工程の１つである犠牲層エッチ
ングによる高融点金属層のリフトオフ工程途中の断面図
である。
【００２１】約０．７ｍｍの単結晶シリコンＳｉ基板１
上には、酸化シリコンＳｉＯ2 を熱酸化法で約０．５μ
ｍ圧に積層した絶縁層２を有し、さらに絶縁層２の上に
タングステンシリサイドＷＳｉ層をスパッタ法で０．２
μｍ厚に積層した後、フォトリソグラフィとドライエッ
チング法により余分な絶縁層２とタングステンシリサイ
ドＷＳｉ層からなり島状もしくは帯状もしくは櫛歯上の
凸部パターン８を有している。犠牲層５としてはキャビ
ティ４の底面に犠牲層が形成されないように基板１の法
線に対し斜め方向より、アルミニウムＡｌを真空蒸着法
により０．１μｍ厚に積層することにより形成してい
る。高融点金属層６としては基板１の法線方向よりモリ
ブデンＭｏを真空蒸着法により犠牲層５上に約１．５μ
ｍ積層することにより形成している。高融点金属層６の
形成時、キャビティ４上の高融点金属層６の穴は積層す
るにしたがって小さくなるため、キャビティ４内にはモ
リブデンＭｏからなる円錐形のエミッタコーン７が形成
される。
上には、酸化シリコンＳｉＯ2 を熱酸化法で約０．５μ
ｍ圧に積層した絶縁層２を有し、さらに絶縁層２の上に
タングステンシリサイドＷＳｉ層をスパッタ法で０．２
μｍ厚に積層した後、フォトリソグラフィとドライエッ
チング法により余分な絶縁層２とタングステンシリサイ
ドＷＳｉ層からなり島状もしくは帯状もしくは櫛歯上の
凸部パターン８を有している。犠牲層５としてはキャビ
ティ４の底面に犠牲層が形成されないように基板１の法
線に対し斜め方向より、アルミニウムＡｌを真空蒸着法
により０．１μｍ厚に積層することにより形成してい
る。高融点金属層６としては基板１の法線方向よりモリ
ブデンＭｏを真空蒸着法により犠牲層５上に約１．５μ
ｍ積層することにより形成している。高融点金属層６の
形成時、キャビティ４上の高融点金属層６の穴は積層す
るにしたがって小さくなるため、キャビティ４内にはモ
リブデンＭｏからなる円錐形のエミッタコーン７が形成
される。
【００２２】真空蒸着法による高融点金属層６の形成時
は、Ｍｏソースからの熱輻射により電界放出型冷陰極全
体が約２００℃まで加熱される。高融点金属層６の形成
後、室温まで冷却されると高融点金属と基板１の材質で
あるシリコンの熱膨張係数差により、ゲート電極３およ
び凸部パターン８のエッジ部分に微小な割れが生じる。
は、Ｍｏソースからの熱輻射により電界放出型冷陰極全
体が約２００℃まで加熱される。高融点金属層６の形成
後、室温まで冷却されると高融点金属と基板１の材質で
あるシリコンの熱膨張係数差により、ゲート電極３およ
び凸部パターン８のエッジ部分に微小な割れが生じる。
【００２３】高融点金属層６のリフトオフ工程におい
て、例えばリン酸等の弱酸中に工程途中品を浸せきした
時、上述の微小な割れを通りＡｌからなる犠牲層５まで
上記弱酸が到達し犠牲層５を溶解する。犠牲層５が溶解
された部分の高融点金属層６は、高融点金属層内の内部
歪によりゲート電極３から離れる方向に湾曲し、且つ凸
部パターンに沿った形状で長手方向に順次剥離される。
このため、剥離されるＭｏ層６の形状及び大きさが制御
できるため、リフトオフ工程を均一に且つ短時間に、残
渣を残すことなく完全に行うことができる。発明者の実
験によれば、隣接した凸部パターン８間の間隔は５μｍ
未満である場合、凸部パターン８間に形成される凹部上
の高融点金属層６はリフトオフにしにくいので隣接した
凹部パターン８間隔は５μｍ以上である必要があり望ま
しくは１０μｍ以上とするとよいことがわかった。また
上限は５００μｍ程度まで許容できる。５０〜１００μ
ｍとしたときに良好な結果を得られた。本発明によりリ
フトオフ工程に要する時間は、ゲート電極３および凹部
パターン８の寸法によるが、少なくとも従来に比べ１／
４に短縮する事ができた。
て、例えばリン酸等の弱酸中に工程途中品を浸せきした
時、上述の微小な割れを通りＡｌからなる犠牲層５まで
上記弱酸が到達し犠牲層５を溶解する。犠牲層５が溶解
された部分の高融点金属層６は、高融点金属層内の内部
歪によりゲート電極３から離れる方向に湾曲し、且つ凸
部パターンに沿った形状で長手方向に順次剥離される。
このため、剥離されるＭｏ層６の形状及び大きさが制御
できるため、リフトオフ工程を均一に且つ短時間に、残
渣を残すことなく完全に行うことができる。発明者の実
験によれば、隣接した凸部パターン８間の間隔は５μｍ
未満である場合、凸部パターン８間に形成される凹部上
の高融点金属層６はリフトオフにしにくいので隣接した
凹部パターン８間隔は５μｍ以上である必要があり望ま
しくは１０μｍ以上とするとよいことがわかった。また
上限は５００μｍ程度まで許容できる。５０〜１００μ
ｍとしたときに良好な結果を得られた。本発明によりリ
フトオフ工程に要する時間は、ゲート電極３および凹部
パターン８の寸法によるが、少なくとも従来に比べ１／
４に短縮する事ができた。
【００２４】図４は本発明の第２の実施例である電界放
出型冷陰極の断面を含む外観図である。本実施例の構造
は、ゲート電極３及び凸部パターン８の外周部上面に絶
縁層２が露出している点が本発明の第１の実施例と異な
る。
出型冷陰極の断面を含む外観図である。本実施例の構造
は、ゲート電極３及び凸部パターン８の外周部上面に絶
縁層２が露出している点が本発明の第１の実施例と異な
る。
【００２５】本実施例の構造はレジストによるパターニ
ングおよびエッチングを２回行えば実現可能である。
ングおよびエッチングを２回行えば実現可能である。
【００２６】凸部パターン８上の導電層はゲート電極３
の形成時に同時に形成されたものだがゲート電極３およ
び基板１と絶縁されている。電界放出型冷陰極を動作さ
せた場合、この導電層はチャージアップし導電層・基板
１間で放電が発生し、真空度を劣化させる場合がある。
しかし、本実施例の構造では上記導電層と基板１間の距
離を十分にとることが可能となり、放電を防止すること
ができる。
の形成時に同時に形成されたものだがゲート電極３およ
び基板１と絶縁されている。電界放出型冷陰極を動作さ
せた場合、この導電層はチャージアップし導電層・基板
１間で放電が発生し、真空度を劣化させる場合がある。
しかし、本実施例の構造では上記導電層と基板１間の距
離を十分にとることが可能となり、放電を防止すること
ができる。
【００２７】エミッタ材料としてはモリブデンＭｏの他
にタングステンＷ，シリコンＳｉ，白金Ｐｔ，タンタル
Ｔａなどの高融点材料やこの化合物が使用でき、ゲート
材料としてはタンタグステンシリサイドＷＳｉの他にモ
リブデンＭｏ，タングステンＷなどの材料やこの化合物
が使用できる。基板としてはシリコンＳｉの他に金属あ
るいは絶縁体の上に導電材を積層したものが使用でき
る。
にタングステンＷ，シリコンＳｉ，白金Ｐｔ，タンタル
Ｔａなどの高融点材料やこの化合物が使用でき、ゲート
材料としてはタンタグステンシリサイドＷＳｉの他にモ
リブデンＭｏ，タングステンＷなどの材料やこの化合物
が使用できる。基板としてはシリコンＳｉの他に金属あ
るいは絶縁体の上に導電材を積層したものが使用でき
る。
【００２８】図５は本発明の第３の実施例である電界放
出型冷陰極の外観図である。凸部パターン８上の導電層
はエミッタコーン７と導電位となり、凸部パターン８上
の導電層と基板１間の放電を防止することができる。
尚、図５において本発明の電界放出型冷陰極および外部
電極９を保持する陰極構体は一部のみ図示している。
出型冷陰極の外観図である。凸部パターン８上の導電層
はエミッタコーン７と導電位となり、凸部パターン８上
の導電層と基板１間の放電を防止することができる。
尚、図５において本発明の電界放出型冷陰極および外部
電極９を保持する陰極構体は一部のみ図示している。
【００２９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によるところ
の電界放出型冷陰極では、リフトオフ法による高融点金
属層除去工程が短時間に且つ残渣を残さず確実に行うこ
とができる。
の電界放出型冷陰極では、リフトオフ法による高融点金
属層除去工程が短時間に且つ残渣を残さず確実に行うこ
とができる。
【図１】本発明の第１の実施例である電界放出型冷陰極
の断面を含む外観を示す斜視図。
の断面を含む外観を示す斜視図。
【図２】本発明の第１の実施例である電界放出型冷陰極
の平面図。
の平面図。
【図３】本発明の電界放出型冷陰極の制作工程の一部で
あるリフトオフ工程途中を示す断面図。
あるリフトオフ工程途中を示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施例である電界放出型冷陰極
の断面を含む外観を示す斜視図。
の断面を含む外観を示す斜視図。
【図５】本発明の第３の実施例である電界放出型冷陰極
の外観を示す斜視図。
の外観を示す斜視図。
【図６】従来の電界放出型冷陰極の製造工程と構造の断
面図。
面図。
１ 基板 ２ 絶縁層 ３ ゲート電極 ４ キャビティ ５ 犠牲層 ６ 高融点金属層 ７ エミッタコーン ８ 凸部パターン ９ 外部電極 １０ ボンディングワイヤ １１ レジスト １２ ガラス基板
Claims (5)
- 【請求項１】 導電体もしくは表面に導電性層を有する
絶縁体からなる基板上に１つもしくは複数の先端の尖っ
たエミッタコーンと前記エミッタコーンの先端を取り囲
む開口部を有するゲート電極と前記基板と前記ゲート電
極間に絶縁層を有する電界放出冷陰極において、前記基
板上の電界放出冷陰極のパターンが形成されない外周部
に島状または帯状または櫛歯状の凸部パターンを有する
ことを特徴とする電界放出型冷陰極。 - 【請求項２】 前記凸部パターン上面は前記ゲート電極
と同じ材質の導電層からなることを特徴とする請求項１
記載の電界放出型冷陰極。 - 【請求項３】 前記凸部パターンの周縁部および前記ゲ
ート電極周辺に前記基板・前記凸部パターン間に有する
前記絶縁層が露出し、かつ前記絶縁層外周には前記基板
が露出していることを特徴とする請求項２記載の電界放
出型冷陰極。 - 【請求項４】 前記凸部パターン上面は引き出し電極に
接続され前記コーンと同電位が印加されることを特徴と
する請求項２記載の電界放出型冷陰極。 - 【請求項５】 前記凸部パターン間および前記ゲート電
極・前記凸部パターン間距離が５μｍ以上５００μｍ以
下であることを特徴とする請求項１記載の電界放出型冷
陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8858294A JP2646999B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 電界放出型冷陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8858294A JP2646999B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 電界放出型冷陰極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296717A true JPH07296717A (ja) | 1995-11-10 |
| JP2646999B2 JP2646999B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=13946845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8858294A Expired - Lifetime JP2646999B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 電界放出型冷陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646999B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018215A (en) * | 1996-11-22 | 2000-01-25 | Nec Corporation | Field emission cold cathode having a cone-shaped emitter |
| US6042442A (en) * | 1996-02-28 | 2000-03-28 | Nec Corporation | Enhancement in bonding strength in field emission electron source |
| JP2009505424A (ja) * | 2005-08-15 | 2009-02-05 | マイクロン テクノロジー， インク． | 再生可能可変抵抗絶縁メモリ装置およびその形成方法 |
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| JPS6454639A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Field emission cathode |
| JPH01283735A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Canon Inc | 電子線発生装置 |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP8858294A patent/JP2646999B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2646999B2 (ja) | 1997-08-27 |
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