JPH07287816A - 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドInfo
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- JPH07287816A JPH07287816A JP7596394A JP7596394A JPH07287816A JP H07287816 A JPH07287816 A JP H07287816A JP 7596394 A JP7596394 A JP 7596394A JP 7596394 A JP7596394 A JP 7596394A JP H07287816 A JPH07287816 A JP H07287816A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの製造工程におけ
る信頼性を向上させる。 【構成】 電極を低抵抗材料であり且つスパッタ率が大
きい値をもつAuで構成される上電極層と密着性が高く
且つ熱反応温度の高いTaで構成される下電極層の2層
構造とし、上電極層とMR素子との間に下電極層を配置
する。上記上電極層の膜厚は0.1μm以上0.4μm
以下とし、上記下電極層の膜厚は10nm以上50nm
以下とする。 【効果】 電極形成時におけるMR素子の劣化もしくは
断線の危険性を減少させるとともに、製造工程中におけ
る加熱による電極材料のMR素子内への拡散を防止す
る。
る信頼性を向上させる。 【構成】 電極を低抵抗材料であり且つスパッタ率が大
きい値をもつAuで構成される上電極層と密着性が高く
且つ熱反応温度の高いTaで構成される下電極層の2層
構造とし、上電極層とMR素子との間に下電極層を配置
する。上記上電極層の膜厚は0.1μm以上0.4μm
以下とし、上記下電極層の膜厚は10nm以上50nm
以下とする。 【効果】 電極形成時におけるMR素子の劣化もしくは
断線の危険性を減少させるとともに、製造工程中におけ
る加熱による電極材料のMR素子内への拡散を防止す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に記録され
た磁気信号を安定して再生する磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドに関する。
た磁気信号を安定して再生する磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドに関する。
【0002】
【従来の技術】図4に従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
の断面図を示す。但し、図4では磁区制御を目的とする
縦バイアス層と磁気抵抗効果型素子(以下MR素子と称
する)1が線形的に磁界の検出する為に用いられる横バ
イアス層は本発明の主旨をよりわかりやすくするために
描かれていない。図4に示す如く、一般に磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドは、基板3上に配置されたMR素子1の両
端に一対の電極2を積層して設け、MR素子1に検出電
流を流すことによってMR素子1の抵抗変化を検出して
いる。
の断面図を示す。但し、図4では磁区制御を目的とする
縦バイアス層と磁気抵抗効果型素子(以下MR素子と称
する)1が線形的に磁界の検出する為に用いられる横バ
イアス層は本発明の主旨をよりわかりやすくするために
描かれていない。図4に示す如く、一般に磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドは、基板3上に配置されたMR素子1の両
端に一対の電極2を積層して設け、MR素子1に検出電
流を流すことによってMR素子1の抵抗変化を検出して
いる。
【0003】従来MR素子が高い出力で検出できるよう
に、電極の材料には低抵抗材料であるAuやCuなどが
一般的に使用されてきた。またMR素子との密着性を上
げる為に、MR素子とAuもしくはCuとの間にCrや
Tiをはさんだ多層構造の電極も一般的である。
に、電極の材料には低抵抗材料であるAuやCuなどが
一般的に使用されてきた。またMR素子との密着性を上
げる為に、MR素子とAuもしくはCuとの間にCrや
Tiをはさんだ多層構造の電極も一般的である。
【0004】また特開平2−68706では、信号検出
の安定性を確保する目的で電極の材料にWを用いた場合
を開示している。また、Wの多孔性や密着性を改善する
為に、TiやTaを積層させる電極構造も開示してい
る。
の安定性を確保する目的で電極の材料にWを用いた場合
を開示している。また、Wの多孔性や密着性を改善する
為に、TiやTaを積層させる電極構造も開示してい
る。
【0005】また特開平4−149812では、耐食性
や密着性が良く、低抵抗材料であるということから、電
極の材料にNbを利用する構造を開示している。
や密着性が良く、低抵抗材料であるということから、電
極の材料にNbを利用する構造を開示している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、電極材料にAuやCuを利用する構造またはAuも
しくはCuにCrやTiを積層した構造では、Au,C
u,Cr,Tiともに熱反応温度が低いため、高温状態
下でMR素子との間に熱拡散が生じる。そのため磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドの製造工程における加熱工程時にM
R素子の劣化もしくは破壊をもたらす。
て、電極材料にAuやCuを利用する構造またはAuも
しくはCuにCrやTiを積層した構造では、Au,C
u,Cr,Tiともに熱反応温度が低いため、高温状態
下でMR素子との間に熱拡散が生じる。そのため磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドの製造工程における加熱工程時にM
R素子の劣化もしくは破壊をもたらす。
【0007】電極材料としてWもしくはWとTaとの積
層を使用する場合、熱反応温度が製造工程時にかかる温
度よりも高いため、MR素子との熱拡散を防ぐことはで
きるが、イオンミリングによる電極形成時にMR素子を
劣化もしくは断線させる可能性が大きく、MR素子の信
頼性が下がる。これは電極の膜厚分布と電極材料に使用
しているWやTaのスパッタ率(単位時間内にスパッタ
される割合)が小さいことによる影響である。電極はイ
オンミリングでエッチングされ電極形状に形成される。
その時、可能な限り電極下に配置しているMR素子はエ
ッチングされないでイオンミリングを終了しなくてはな
らない。但し膜厚分布が必ず生じるために多少MR素子
までもイオンミリングによってエッチングされることは
考慮しなくてはならない。しかしながら本従来例のよう
に、電極材料にWやTaを使用した場合、どちらの材料
もスパッタ率が小さいため膜厚のばらつきによってスパ
ッタ時間も非常にばらつき、電極の膜厚が薄い部分では
厚い部分に比べて、電極のエッチングは早く終了してし
まい、その分多くのMR素子をエッチングしてしまう。
膜厚のばらつきが大きければ大きいほど、この影響は顕
著にあらわれ、最悪の場合にはMR素子の断線につなが
る。
層を使用する場合、熱反応温度が製造工程時にかかる温
度よりも高いため、MR素子との熱拡散を防ぐことはで
きるが、イオンミリングによる電極形成時にMR素子を
劣化もしくは断線させる可能性が大きく、MR素子の信
頼性が下がる。これは電極の膜厚分布と電極材料に使用
しているWやTaのスパッタ率(単位時間内にスパッタ
される割合)が小さいことによる影響である。電極はイ
オンミリングでエッチングされ電極形状に形成される。
その時、可能な限り電極下に配置しているMR素子はエ
ッチングされないでイオンミリングを終了しなくてはな
らない。但し膜厚分布が必ず生じるために多少MR素子
までもイオンミリングによってエッチングされることは
考慮しなくてはならない。しかしながら本従来例のよう
に、電極材料にWやTaを使用した場合、どちらの材料
もスパッタ率が小さいため膜厚のばらつきによってスパ
ッタ時間も非常にばらつき、電極の膜厚が薄い部分では
厚い部分に比べて、電極のエッチングは早く終了してし
まい、その分多くのMR素子をエッチングしてしまう。
膜厚のばらつきが大きければ大きいほど、この影響は顕
著にあらわれ、最悪の場合にはMR素子の断線につなが
る。
【0008】電極材料にNbを使用する場合も、スパッ
タ率が小さいために、イオンミリングによる電極形成時
に上記と同様の理由からMR素子の劣化もしくは断線の
可能性が大きくなり、MR素子の信頼性が下がる。
タ率が小さいために、イオンミリングによる電極形成時
に上記と同様の理由からMR素子の劣化もしくは断線の
可能性が大きくなり、MR素子の信頼性が下がる。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記の課題
を解決するために、電極材料をを低抵抗材料でありスパ
ッタ率が非常に大きいAuで構成される上電極層と密着
性が高く熱反応温度の高いTaで構成される下電極層の
2層構造にし、且つ上電極層とMR素子の間に下電極層
を配置する構造にした。
を解決するために、電極材料をを低抵抗材料でありスパ
ッタ率が非常に大きいAuで構成される上電極層と密着
性が高く熱反応温度の高いTaで構成される下電極層の
2層構造にし、且つ上電極層とMR素子の間に下電極層
を配置する構造にした。
【0010】また本発明では、低抵抗で且つ上電極層材
料の熱拡散を防止するために下電極層の膜厚を10nm
以上50nm以下とし、また低抵抗で且つ加工時の信頼
性を安定させるために上電極層の膜厚を0.1μm以上
0.4μm以下にした。
料の熱拡散を防止するために下電極層の膜厚を10nm
以上50nm以下とし、また低抵抗で且つ加工時の信頼
性を安定させるために上電極層の膜厚を0.1μm以上
0.4μm以下にした。
【0011】
【作用】熱反応温度が350℃と高いTaをMR素子と
Auとの間に挟むことにより、磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドの製造工程中の加熱工程時(加熱温度200℃程度)
にAuがMR素子に熱拡散するのを防ぐとともに、MR
素子との密着力を高める役目も果たす。Taの膜厚を1
0nm以上にすることによって、AuのMR素子への熱
拡散を防ぐことができる。但し、Taは高抵抗材料であ
るので、MR素子へ電流を流し易くするためにはTaの
膜厚は50nm以下にするのが望ましい。
Auとの間に挟むことにより、磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドの製造工程中の加熱工程時(加熱温度200℃程度)
にAuがMR素子に熱拡散するのを防ぐとともに、MR
素子との密着力を高める役目も果たす。Taの膜厚を1
0nm以上にすることによって、AuのMR素子への熱
拡散を防ぐことができる。但し、Taは高抵抗材料であ
るので、MR素子へ電流を流し易くするためにはTaの
膜厚は50nm以下にするのが望ましい。
【0012】Auはスパッタ率がWに比べて約3倍に大
きい値をもつので、膜厚のばらつきによるイオンミリン
グ時間のばらつきはWに比べて約1/3に少なくなり、
その結果MR素子を劣化もしくは断線する可能性が少な
くなる。Auの膜厚を0.4μm以下にすることによっ
て、MR素子の劣化及び断線は著しく減少する。またA
uの膜厚を0.1μm以上にすることによって、通電時
に生じる発熱による断線を防ぐことができる。以上の如
き構造にすることによって製造上の精度もそれほど必要
なくなると同時に製造時におけるMR素子の信頼性が向
上する。
きい値をもつので、膜厚のばらつきによるイオンミリン
グ時間のばらつきはWに比べて約1/3に少なくなり、
その結果MR素子を劣化もしくは断線する可能性が少な
くなる。Auの膜厚を0.4μm以下にすることによっ
て、MR素子の劣化及び断線は著しく減少する。またA
uの膜厚を0.1μm以上にすることによって、通電時
に生じる発熱による断線を防ぐことができる。以上の如
き構造にすることによって製造上の精度もそれほど必要
なくなると同時に製造時におけるMR素子の信頼性が向
上する。
【0013】
(実施例1)図1に本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
の第1の実施例を断面図で示す。非磁性で絶縁性の材質
から選ばれた基板3上に磁気抵抗効果をもつMR素子1
が構成される。MR素子1の両端部上に一対の電極2が
配置している。電極2はTaで形成された下電極層4と
その上にAuで形成された上電極層5の2層構造になっ
ている。
の第1の実施例を断面図で示す。非磁性で絶縁性の材質
から選ばれた基板3上に磁気抵抗効果をもつMR素子1
が構成される。MR素子1の両端部上に一対の電極2が
配置している。電極2はTaで形成された下電極層4と
その上にAuで形成された上電極層5の2層構造になっ
ている。
【0014】図2は第1の実施例の製造工程を示した図
である。まず初めに材質がAl203−TiCの基板3上
にMR素子1としてNiFeを40nmの厚みでスパッ
タにより成膜した。レジスト6を3μmの厚みでコーテ
ィングした後フォトリソグラフィとイオンミリングによ
りパターンニングを行い、図2(a)の状態にする。
である。まず初めに材質がAl203−TiCの基板3上
にMR素子1としてNiFeを40nmの厚みでスパッ
タにより成膜した。レジスト6を3μmの厚みでコーテ
ィングした後フォトリソグラフィとイオンミリングによ
りパターンニングを行い、図2(a)の状態にする。
【0015】レジスト6を有機溶剤もしくはレジスト剥
離液を使って剥離させた後、Taを30nmの厚みでス
パッタにより成膜し、続けてAuを0.2μmの厚みで
スパッタで成膜し、その後レジスト7を3μmの厚みで
コーティングし、フォトリソグラフィによってレジスト
7を電極形状にパターンニングをし、図2(b)の状態
にする。
離液を使って剥離させた後、Taを30nmの厚みでス
パッタにより成膜し、続けてAuを0.2μmの厚みで
スパッタで成膜し、その後レジスト7を3μmの厚みで
コーティングし、フォトリソグラフィによってレジスト
7を電極形状にパターンニングをし、図2(b)の状態
にする。
【0016】次に、イオンミリングを行うことによっ
て、図2(c)の如くレジスト7に覆われていないAu
とTaがエッチングされる。この時、下電極層4とMR
素子1との境界でイオンミリングを停止するのが最も望
ましい。またレジスト7もAuやTaと同じようにエッ
チングされるが、レジスト7の膜厚は上電極層5や下電
極層4の膜厚に比べて10倍以上厚いのでレジスト7が
エッチングによって無くなることはない。その後に、レ
ジスト7を有機溶剤もしくはレジスト剥離液を使って剥
離し、本第1の実施例の製造工程が完了する。
て、図2(c)の如くレジスト7に覆われていないAu
とTaがエッチングされる。この時、下電極層4とMR
素子1との境界でイオンミリングを停止するのが最も望
ましい。またレジスト7もAuやTaと同じようにエッ
チングされるが、レジスト7の膜厚は上電極層5や下電
極層4の膜厚に比べて10倍以上厚いのでレジスト7が
エッチングによって無くなることはない。その後に、レ
ジスト7を有機溶剤もしくはレジスト剥離液を使って剥
離し、本第1の実施例の製造工程が完了する。
【0017】本第1の実施例では、上電極層5にAuを
使用している。Auは500eVのAr雰囲気中でスパ
ッタ率が0.108μm/minと非常に高い。この値
はWの同条件におけるスパッタ率の約3倍である。その
ため、本第1の実施例における膜厚0.2μmの上電極
層5(材質Au)は110秒程度でイオンミリングが終
了し、上電極層5にWを利用したものに比べて約3倍早
い。ここで、仮にAuで構成した上電極層5の膜厚のば
らつきが0.2μm±10%(0.18μm〜0.22
μm)であった場合、イオンミリングにより上電極層5
が完全にエッチングし終わる時間は膜厚によって99秒
〜121秒とばらつく。これに対し、同等の膜厚のばら
つき(0.18μm〜0.22μm)でWを使用した上
電極層5を構成した場合では、上電極層5がエッチング
し終わる時間は297秒〜363秒となり、イオンミリ
ングの時間が長くなるばかりでなく、時間のばらつきも
大きくなる。その結果、上電極層5の下層に配置される
下電極層4のエッチング終了時間がばらつき、最終的に
は上電極層5の膜厚の薄い場所ではMR素子1が大量に
イオンミリングによってエッチングされることになる。
使用している。Auは500eVのAr雰囲気中でスパ
ッタ率が0.108μm/minと非常に高い。この値
はWの同条件におけるスパッタ率の約3倍である。その
ため、本第1の実施例における膜厚0.2μmの上電極
層5(材質Au)は110秒程度でイオンミリングが終
了し、上電極層5にWを利用したものに比べて約3倍早
い。ここで、仮にAuで構成した上電極層5の膜厚のば
らつきが0.2μm±10%(0.18μm〜0.22
μm)であった場合、イオンミリングにより上電極層5
が完全にエッチングし終わる時間は膜厚によって99秒
〜121秒とばらつく。これに対し、同等の膜厚のばら
つき(0.18μm〜0.22μm)でWを使用した上
電極層5を構成した場合では、上電極層5がエッチング
し終わる時間は297秒〜363秒となり、イオンミリ
ングの時間が長くなるばかりでなく、時間のばらつきも
大きくなる。その結果、上電極層5の下層に配置される
下電極層4のエッチング終了時間がばらつき、最終的に
は上電極層5の膜厚の薄い場所ではMR素子1が大量に
イオンミリングによってエッチングされることになる。
【0018】Auで構成された上電極層5の膜厚が0.
6μm±10%、0.4μm±10%、0.2μm±1
0%である本第1の実施例で挙げた構造の磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドを、一辺が2インチの正方形の基板3枚に
それぞれ1320個づつ作製し、素子1の断線を調べ
た。その実験結果を表1に示す。
6μm±10%、0.4μm±10%、0.2μm±1
0%である本第1の実施例で挙げた構造の磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドを、一辺が2インチの正方形の基板3枚に
それぞれ1320個づつ作製し、素子1の断線を調べ
た。その実験結果を表1に示す。
【0019】
【表1】
【0020】表1に示す如く、上電極層5の膜厚が0.
4μmもしくは0.2μmでは断線は発生しなかった
が、0.6μmの場合では約40%の断線が発生した。
この結果からAuで構成された上電極層5の膜厚は0.
4μm以下にすることによってMR素子の断線を防ぐこ
とができることがわかる。但し、上電極5の膜厚を薄く
し過ぎると抵抗が大きくなり、通電時に発熱が生じ、そ
の熱によって電極自体が断線してしまう。一般に0.1
μm以下にすると断線が生じるので好ましくない。よっ
て、上電極層5の膜厚としては0.1μm〜0.4μm
が望ましい。
4μmもしくは0.2μmでは断線は発生しなかった
が、0.6μmの場合では約40%の断線が発生した。
この結果からAuで構成された上電極層5の膜厚は0.
4μm以下にすることによってMR素子の断線を防ぐこ
とができることがわかる。但し、上電極5の膜厚を薄く
し過ぎると抵抗が大きくなり、通電時に発熱が生じ、そ
の熱によって電極自体が断線してしまう。一般に0.1
μm以下にすると断線が生じるので好ましくない。よっ
て、上電極層5の膜厚としては0.1μm〜0.4μm
が望ましい。
【0021】上電極層5に使用する他の材料として、A
uよりも比抵抗が低く且つスパッタ率が大きい材料とし
てAgが挙げられるが、Agは耐食性が乏しいので上電
極層5として使用することはあまり好ましくない。よっ
て、上電極層5の材料としては、比抵抗が低く、スパッ
タ率が大きく、且つ耐食性にも優れるAuが最も適して
いる。
uよりも比抵抗が低く且つスパッタ率が大きい材料とし
てAgが挙げられるが、Agは耐食性が乏しいので上電
極層5として使用することはあまり好ましくない。よっ
て、上電極層5の材料としては、比抵抗が低く、スパッ
タ率が大きく、且つ耐食性にも優れるAuが最も適して
いる。
【0022】下電極層4に使用するTaは上電極層5と
MR素子1との密着性を向上させる役目と製造中の加熱
工程時に上電極層5に使用しているAuがMR素子1に
使用しているNiFeに拡散するのを防ぐ役目を持つ。
本来、Taは比抵抗の大きな材料であるので電極には不
適であるが、本第1の実施例では膜厚が30nmで非常
に薄い膜であるので電極として充分に使用可能である。
電極として使用可能な抵抗にするためには、Taの膜厚
は50nm以下にするのが望ましい。また、上電極層5
の材料であるAuがMR素子1のNiFe内に熱拡散す
るのを防止するには、Taの膜厚は最低でも10nm以
上必要である。以上の理由からTaの膜厚許容範囲は1
0nm〜50nmである。
MR素子1との密着性を向上させる役目と製造中の加熱
工程時に上電極層5に使用しているAuがMR素子1に
使用しているNiFeに拡散するのを防ぐ役目を持つ。
本来、Taは比抵抗の大きな材料であるので電極には不
適であるが、本第1の実施例では膜厚が30nmで非常
に薄い膜であるので電極として充分に使用可能である。
電極として使用可能な抵抗にするためには、Taの膜厚
は50nm以下にするのが望ましい。また、上電極層5
の材料であるAuがMR素子1のNiFe内に熱拡散す
るのを防止するには、Taの膜厚は最低でも10nm以
上必要である。以上の理由からTaの膜厚許容範囲は1
0nm〜50nmである。
【0023】本発明では電極形成にイオンミリングを利
用しているが、イオンミリングはウェットエッチングに
比べて、高精度の加工が可能であり、またエッチング液
がMR素子に侵食しMR素子の性能劣化を及ぼす危険性
がないといった利点があるためである。
用しているが、イオンミリングはウェットエッチングに
比べて、高精度の加工が可能であり、またエッチング液
がMR素子に侵食しMR素子の性能劣化を及ぼす危険性
がないといった利点があるためである。
【0024】(実施例2)本発明の第2の実施例を図3
に示す。図3では磁気抵抗効果を有する細長い形状をし
たMR素子1を挟んで上下に一対の縦バイアス層8と横
バイアス層9を積層した構造となっている。縦バイアス
層8はMR素子1の長手方向に磁界を生じさせ、MR素
子1を単磁区化し、ノイズの低減をはかるためのもので
あり、反強磁性材料で構成される。本第2の実施例では
縦バイアス層8を構成する反強磁性材料としてFeMn
を使用し、膜厚は40nmとした。一方、横バイアス層
9はMR素子1の抵抗変化が外部磁界に対して線形性を
もつようにするためのものであり、MR素子1の幅方向
に磁界を生じさせる。本第2の実施例では横バイアス層
9としてTaとNiFeRhを積層する構造のソフト膜
バイアス法を用いた。但し、本発明において横バイアス
の方式はどの様な種類のものでも適用可能である。
に示す。図3では磁気抵抗効果を有する細長い形状をし
たMR素子1を挟んで上下に一対の縦バイアス層8と横
バイアス層9を積層した構造となっている。縦バイアス
層8はMR素子1の長手方向に磁界を生じさせ、MR素
子1を単磁区化し、ノイズの低減をはかるためのもので
あり、反強磁性材料で構成される。本第2の実施例では
縦バイアス層8を構成する反強磁性材料としてFeMn
を使用し、膜厚は40nmとした。一方、横バイアス層
9はMR素子1の抵抗変化が外部磁界に対して線形性を
もつようにするためのものであり、MR素子1の幅方向
に磁界を生じさせる。本第2の実施例では横バイアス層
9としてTaとNiFeRhを積層する構造のソフト膜
バイアス法を用いた。但し、本発明において横バイアス
の方式はどの様な種類のものでも適用可能である。
【0025】本第2の実施例では、上電極層4及び下電
極層5と縦バイアス層8を同時にイオンミリングによっ
て形成する。但し、第1の実施例と同様に、縦バイアス
層8の下層に配置されるMR素子1はイオンミリングに
よってエッチングされてはいけない。縦バイアス層を余
分にイオンミリングしなくてはならないため、イオンミ
リングに要する時間の制御は第1の実施例と比べて多少
難しくなるが、縦バイアス層の膜厚が40nmと非常に
薄い膜厚であるため、特に問題はなかった。
極層5と縦バイアス層8を同時にイオンミリングによっ
て形成する。但し、第1の実施例と同様に、縦バイアス
層8の下層に配置されるMR素子1はイオンミリングに
よってエッチングされてはいけない。縦バイアス層を余
分にイオンミリングしなくてはならないため、イオンミ
リングに要する時間の制御は第1の実施例と比べて多少
難しくなるが、縦バイアス層の膜厚が40nmと非常に
薄い膜厚であるため、特に問題はなかった。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、電極を構成している上
電極層にAuを使用することによって、低抵抗の電極を
形成できるとともに、イオンミリングによる電極形成時
におけるMR素子の劣化もしくは断線を少なくすること
ができる。
電極層にAuを使用することによって、低抵抗の電極を
形成できるとともに、イオンミリングによる電極形成時
におけるMR素子の劣化もしくは断線を少なくすること
ができる。
【0027】上記の上電極層の膜厚を0.1μm以上に
することによって、低抵抗が実現でき、通電時の発熱に
よる電極の断線を防止できる。また一方では0.4μm
以下にすることによってイオンミリングによる電極形成
時におけるMR素子の断線を著しく減少することができ
る。
することによって、低抵抗が実現でき、通電時の発熱に
よる電極の断線を防止できる。また一方では0.4μm
以下にすることによってイオンミリングによる電極形成
時におけるMR素子の断線を著しく減少することができ
る。
【0028】また本発明によれば、電極を構成している
下電極層にTaを使用することによって、製造工程中に
おける加熱によって、上電極層材料のAuがMR素子中
に拡散するのを防止することができる。
下電極層にTaを使用することによって、製造工程中に
おける加熱によって、上電極層材料のAuがMR素子中
に拡散するのを防止することができる。
【0029】上記の下電極層の膜厚を10nm以上にす
ることによって、上電極材料のAuがMR素子中に拡散
するのを完全に防止できる。一方、下電極層は上電極層
からの電流をMR素子に流す役目もはたすため、高抵抗
材料であるTaの膜厚は可能な限り薄くした方が好まし
く、こうした理由からTaの膜厚は50nm以下にする
のが望ましい。
ることによって、上電極材料のAuがMR素子中に拡散
するのを完全に防止できる。一方、下電極層は上電極層
からの電流をMR素子に流す役目もはたすため、高抵抗
材料であるTaの膜厚は可能な限り薄くした方が好まし
く、こうした理由からTaの膜厚は50nm以下にする
のが望ましい。
【0030】本発明によれば、Auで形成された上電極
層とTaで形成された下電極層の2層構造にし、上電極
層とMR素子との間に下電極層を構成することによっ
て、製造工程中のMR素子の劣化を防ぐことができ、そ
の結果、信頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを製造
することが可能となった。
層とTaで形成された下電極層の2層構造にし、上電極
層とMR素子との間に下電極層を構成することによっ
て、製造工程中のMR素子の劣化を防ぐことができ、そ
の結果、信頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを製造
することが可能となった。
【図1】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの第1の実
施例の断面図である。
施例の断面図である。
【図2】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの第1の実
施例の製造工程図である。
施例の製造工程図である。
【図3】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの第2の実
施例の断面図である。
施例の断面図である。
【図4】従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの断面図であ
る。
る。
1 MR素子 2 電極 3 基板 4 下電極層 5 上電極層 6 レジスト 7 レジスト 8 縦バイアス層 9 横バイアス層
Claims (2)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果型素子と該磁気抵抗効果型
素子上の両端に形成された一対の電極とを具備してなる
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドであって、前記電極はTaか
らなる下電極層とAuからなる上電極層とが順次積層し
てなることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項2】 前記下電極層の膜厚が10nm以上50
nm以下であり、且つ前記上電極層の膜厚が0.1μm
以上0.4μm以下であることを特徴とする請求項1記
載の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7596394A JPH07287816A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7596394A JPH07287816A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07287816A true JPH07287816A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13591391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7596394A Pending JPH07287816A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07287816A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006119716A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Bvt Technologies A.S. | Nanostructured working electrode of an electrochemical sensor, method of manufacturing thereof and sensor containing this working electrode |
-
1994
- 1994-04-14 JP JP7596394A patent/JPH07287816A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006119716A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Bvt Technologies A.S. | Nanostructured working electrode of an electrochemical sensor, method of manufacturing thereof and sensor containing this working electrode |
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