JPH07287218A - Transparent conductive substrate and display device using the same - Google Patents

Transparent conductive substrate and display device using the same

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JPH07287218A
JPH07287218A JP8145694A JP8145694A JPH07287218A JP H07287218 A JPH07287218 A JP H07287218A JP 8145694 A JP8145694 A JP 8145694A JP 8145694 A JP8145694 A JP 8145694A JP H07287218 A JPH07287218 A JP H07287218A
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JP
Japan
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transparent conductive
conductive substrate
resistant resin
resin layer
heat resistant
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Application number
JP8145694A
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Japanese (ja)
Inventor
Sadao Kajiura
貞夫 梶浦
Yasushi Mori
寧 森
Akira Yoshizumi
章 善積
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To reduce thickness and weight and to improve heat resistance, impact resistance, chemical resistance and gas barrier property by clamping a heat resistant resin layer between glass plates facing each other and forming transparent electrode layers on these glass plates. CONSTITUTION:The heat resistant resin layer 2 is clamped between two sheets of the glass plates 1 and 3 facing each other. The transparent electrode layer 4 is formed on the glass plate 3. Alkaline glass is preferably used as the glass plates. The heat resistant resin constituting the heat resistant resin layer includes engineering plastics such as tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer. The heat resistant resin layer preferably includes a material which is within 5% of the light transmittance after the material is subjected to a heat treatment for two hours at 180 deg.C. The heat resistant resin layer preferably includes an amorphous high polymer or thermosetting resin which is >=5% in the light transmittance in terms of the light transmittance per 1mm thickness.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、各種表示機器に使用さ
れる透明導電性基板およびそれを用いた表示装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent conductive substrate used in various display devices and a display device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近の衛生通信、移動通信技術の進展に
伴い、小型・携帯端末情報機器用の軽量な表示装置が開
発されてきている。この表示装置の基板には、通常透明
導電性基板が用いられている。
2. Description of the Related Art With recent advances in hygiene communication and mobile communication technology, lightweight display devices for small and portable terminal information devices have been developed. A transparent conductive substrate is usually used as the substrate of this display device.

【0003】従来の透明導電性基板は、耐熱性、耐薬品
性、並びに高光透過率、低ヘイズ、光学的等方性等の光
学的特性を有する厚さ0.7〜1.1mmのガラス板上に
透明電極層を形成してなるものである。この透明導電性
基板は、基材としてガラス板を用いているので、例えば
液晶表示装置の製造における配向膜形成プロセスや電極
形成プロセスにおいて行われるフォトエッチングプロセ
スやスパッタリング等に十分耐えるものである。
A conventional transparent conductive substrate is a glass plate having a thickness of 0.7 to 1.1 mm, which has heat resistance, chemical resistance, and optical characteristics such as high light transmittance, low haze, and optical isotropy. The transparent electrode layer is formed on the top. Since this transparent conductive substrate uses a glass plate as a base material, it is sufficiently resistant to a photo-etching process, a sputtering process and the like performed in an alignment film forming process and an electrode forming process in the manufacture of a liquid crystal display device, for example.

【0004】一方、小型・携帯情報端末機器には、耐衝
撃性に優れることや軽量であることが求められている。
このため、ガラス板の厚さを現状の厚さより薄くして透
明導電性基板の軽量化を図ると、耐衝撃性が劣化すると
いう問題が生じる。そこで、耐衝撃性に優れ、しかも軽
量であるプラスチックフィルム、プラスチックシートを
透明導電性基板の基材に使用する技術開発が進められて
いる。
On the other hand, compact and portable information terminal devices are required to have excellent impact resistance and be lightweight.
For this reason, when the thickness of the glass plate is made thinner than the current thickness to reduce the weight of the transparent conductive substrate, there arises a problem that impact resistance is deteriorated. Therefore, technical development is underway to use a plastic film or a plastic sheet, which has excellent impact resistance and is lightweight, as a base material of a transparent conductive substrate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、既存の
プラスチックフィルムやプラスチックシートにおいて
は、高光透過率、低ヘイズ値、低リターデーション値等
の光学的特性と高耐熱性を同時に満足させることができ
ない。特に、光透過率と耐熱性を同時に満足させること
ができない。例えば、耐熱性を向上させるためにプラス
チックを構成する高分子化合物の主鎖に芳香環やヘテロ
環を導入して高共役構造にすると、必然的にプラスチッ
クが着色し、これにより光透過率が低くなってしまう。
However, existing plastic films and plastic sheets cannot simultaneously satisfy optical characteristics such as high light transmittance, low haze value, low retardation value and high heat resistance. In particular, the light transmittance and the heat resistance cannot be satisfied at the same time. For example, if an aromatic ring or a heterocycle is introduced into the main chain of a polymer compound that constitutes a plastic to improve the heat resistance to form a highly conjugated structure, the plastic is inevitably colored, which causes a low light transmittance. turn into.

【0006】また、液晶表示装置に用いる透明導電性基
板には、表示品質を向上させるためにガスバリアー性や
耐スクラッチ性が要求されるが、プラスチックフィルム
やプラスチックシートを基材に用いると、これらの特性
が劣るという問題がある。このため、基材となるプラス
チックフィルムやプラスチックシート上にガスバリアー
層、機械的強度および耐薬品性を向上させるための保護
層としてハードコート層、さらに前記層と基材との接着
性を向上させるための接着層等を設けて積層体として用
いる方法が従来提案されている。また、注型重合により
作製した熱硬化性樹脂シートを基材に用いる方法も開示
されているが、この場合にも前述したガスバリアー層、
ハードコート層、接着層等の層を形成する必要がある。
しかしながら、上記のように積層体とすると、基材と各
層との間の屈折率の整合が難しくなる。
Further, the transparent conductive substrate used in the liquid crystal display device is required to have gas barrier properties and scratch resistance in order to improve display quality. There is a problem that the characteristics of are inferior. Therefore, a gas barrier layer on a plastic film or a plastic sheet as a base material, a hard coat layer as a protective layer for improving mechanical strength and chemical resistance, and further improving the adhesion between the layer and the base material. A method of providing an adhesive layer or the like for use as a laminate has been conventionally proposed. Also disclosed is a method of using a thermosetting resin sheet produced by cast polymerization as a substrate, and in this case also, the gas barrier layer described above,
It is necessary to form layers such as a hard coat layer and an adhesive layer.
However, when the laminate is formed as described above, it becomes difficult to match the refractive index between the base material and each layer.

【0007】さらに、通常、光透過率と耐熱性を考慮す
ると、基材であるプラスチックフィルムやプラスチック
シートの材料としては、ポリカーボネート、ポリアリレ
ート、ポリエーテルスルホン等が使用されている。これ
らの材料は、熱変形温度が高くても240℃程度であ
る。この材料を基材として上記のようにガスバリアー
層、ハードコート層、接着層等を有する積層体とする
と、これらの層の耐熱性が低いために、材料温度が17
0℃以上となる製造プロセスを適用することができな
い。特に、基材材料としてポリカーボネートを用いる場
合には材料温度が150℃以上となる製造プロセスは適
用できない。
Further, in consideration of light transmittance and heat resistance, polycarbonate, polyarylate, polyether sulfone, etc. are usually used as the material of the plastic film or plastic sheet as the base material. These materials have a high heat distortion temperature of about 240 ° C. When a laminate having a gas barrier layer, a hard coat layer, an adhesive layer and the like as described above using this material as a substrate, the material temperature is 17 because the heat resistance of these layers is low.
It is not possible to apply the manufacturing process at 0 ° C or higher. In particular, when polycarbonate is used as the base material, a manufacturing process in which the material temperature is 150 ° C. or higher cannot be applied.

【0008】このため、これらの基材は、透明電極層の
形成に必要な温度や、透明電極層を構成する材料を結晶
化させて導電性を高く確保するために必要な温度(高い
ときには330℃にも達する)、または配向膜形成プロ
セス、すなわちポリアミック酸の閉環反応によるポリイ
ミド膜形成プロセスにおける温度(約250℃)に耐え
ることができない。
Therefore, these base materials have a temperature required for forming the transparent electrode layer and a temperature required for crystallizing the material forming the transparent electrode layer to ensure high conductivity (when high, 330). C.), or the temperature (about 250 ° C.) in the alignment film formation process, that is, the polyimide film formation process by the ring closure reaction of polyamic acid.

【0009】さらに、プラスチックフィルムやプラスチ
ックシートを基材に用いると、寸法変化、すなわち熱収
縮が大きいために、微細な回路形成において問題とな
る。また、これらの基材は生産性の要求からロール・ツ
ー・ロールで作製されており、前記各層の形成もロール
・ツー・ロールで連続的に行われているので、カーリン
グが問題となる。現行のガラス板は、反り量が2500
cm2 において0.1mm以下であり、うねり量が0.3μ
m以下であり、表面粗度が5〜10nmである。このよう
なレベルまで基材を平坦に矯正するためには、治工具等
を用いた矯正工程が新たに必要になり、従来のガラス板
からなる透明導電性基板の製造プロセスを流用すること
が難しくなる。
Further, when a plastic film or a plastic sheet is used as a base material, dimensional change, that is, heat shrinkage is large, which causes a problem in forming a fine circuit. Further, since these base materials are manufactured by roll-to-roll due to the requirement of productivity, and the formation of each of the layers is continuously performed by roll-to-roll, curling becomes a problem. The current glass plate has a warpage of 2500
cm 2 is less than 0.1 mm, and waviness is 0.3μ
m or less, and the surface roughness is 5 to 10 nm. In order to straighten the base material to such a level, a new straightening step using jigs and tools is required, making it difficult to divert the conventional manufacturing process for transparent conductive substrates made of glass plates. Become.

【0010】上述したように、例えば、最近の高性能な
液晶表示装置に要求されるプロセス環境では、透明導電
性基板の基材としてプラスチックフィルム、プラスチッ
クシートを用いることは難しい。
As described above, it is difficult to use a plastic film or a plastic sheet as the base material of the transparent conductive substrate in the process environment required for recent high performance liquid crystal display devices.

【0011】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、耐熱性、耐衝撃性、耐薬品性およびガスバリア性
に優れ、取扱いが容易であり、しかも薄型・軽量である
透明導電性基板およびそれを用いた表示装置を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and is excellent in heat resistance, impact resistance, chemical resistance, and gas barrier property, is easy to handle, and is thin and lightweight. It is an object to provide a display device using the same.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、互いに対向す
る少なくとも2枚のガラス板と、前記少なくとも2枚の
ガラス板の間に挟持された耐熱性樹脂層と、前記少なく
とも2枚のガラス板のうちの一つのガラス板上に形成さ
れた透明電極層とを具備することを特徴とする透明導電
性基板を提供する。
According to the present invention, at least two glass plates facing each other, a heat resistant resin layer sandwiched between the at least two glass plates, and at least two glass plates are provided. And a transparent electrode layer formed on one of the glass plates of (1) above.

【0013】また、本発明は、互いに対向する少なくと
も2枚のガラス板と、前記少なくとも2枚のガラス板の
間に挟持された耐熱性樹脂層を2枚のガラス板の間に挟
持し、前記少なくとも2枚のガラス板のうちの一つのガ
ラス板上に透明電極層を有する透明導電性基板と、前記
透明導電性基板と対向するように配置された対向基板
と、前記透明導電性基板と前記対向基板との間に設けら
れた表示部とを具備することを特徴とする表示装置を提
供する。
Further, according to the present invention, at least two glass plates facing each other and a heat resistant resin layer sandwiched between the at least two glass plates are sandwiched between the two glass plates, and the at least two glass plates are sandwiched between the at least two glass plates. A transparent conductive substrate having a transparent electrode layer on one of the glass plates, a counter substrate arranged to face the transparent conductive substrate, the transparent conductive substrate and the counter substrate A display device provided with a display portion provided therebetween.

【0014】ここで、ガラス板としては、耐熱性、光学
的特性の観点からアルカリガラスを用いることが好まし
く、無アルカリガラスを用いることがさらに好ましい。
また、ガラス板の厚みは、表示装置の軽量化、薄形化の
ためにできるだけ薄いことが望ましいが、耐衝撃性、貼
り合せ作業性の確保および研磨後の形状精度の確保のた
めに、0.7〜3mmであることが好ましく、1〜2mmで
あることがさらに好ましい。
Here, as the glass plate, it is preferable to use alkali glass from the viewpoint of heat resistance and optical characteristics, and it is more preferable to use non-alkali glass.
Further, it is desirable that the thickness of the glass plate is as thin as possible in order to reduce the weight and thickness of the display device. However, in order to secure impact resistance, bonding workability, and shape accuracy after polishing, It is preferably 0.7 to 3 mm, more preferably 1 to 2 mm.

【0015】耐熱性樹脂層を構成する耐熱性樹脂として
は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビ
ニルエーテル共重合体(融点308℃)、テトラフルオ
ロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(融点
280℃)、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合
体(融点265℃)、テトラフルオロエチレンヘキサフ
ルオロプロピレンパーフルオロアルキルビニルエーテル
共重合体、ポリフッ化ビニリデン(融点約170℃)、
ポリクロロトリフルオロエチレン(融点約210℃)等
のフッ素系樹脂;ポリ4−メチルペンテン−1(融点約
240℃)、フェノキシ樹脂(融点約160℃);また
はポリエーテルスルホン(融点約270℃)、ポリエー
テルエーテルケトン(融点約330℃)、ポリスルホン
(融点260℃)、ポリアリレート(軟化温度約180
℃)等のエンジニアリングプラスチック等が挙げられ
る。これらの材料は、成形性、耐熱性等を考慮して適宜
選択する。
As the heat resistant resin constituting the heat resistant resin layer, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (melting point 308 ° C.), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (melting point 280 ° C.), tetra Fluoroethylene-ethylene copolymer (melting point 265 ° C.), tetrafluoroethylene hexafluoropropylene perfluoroalkyl vinyl ether copolymer, polyvinylidene fluoride (melting point about 170 ° C.),
Fluorine-based resins such as polychlorotrifluoroethylene (melting point about 210 ° C); poly-4-methylpentene-1 (melting point about 240 ° C), phenoxy resin (melting point about 160 ° C); or polyethersulfone (melting point about 270 ° C) , Polyetheretherketone (melting point about 330 ° C), polysulfone (melting point 260 ° C), polyarylate (softening temperature about 180)
Engineering plastics and the like. These materials are appropriately selected in consideration of moldability, heat resistance and the like.

【0016】本発明において耐熱性樹脂層は180℃で
2時間の加熱処理を施した後の光透過率の減少率が5%
以内である材料であることが好ましい。180℃で2時
間の加熱処理を施した後の光透過率の減少率が5%以内
と限定したのは、例えば液晶表示装置の製造プロセスで
の必要最下限の温度条件における処理を施しても透明導
電性基板が光透過率を確保できるためである。
In the present invention, the heat resistant resin layer has a light transmittance reduction rate of 5% after being subjected to heat treatment at 180 ° C. for 2 hours.
It is preferable that the material is within the range. The reason why the reduction rate of the light transmittance after performing the heat treatment at 180 ° C. for 2 hours is limited to 5% or less is that even if the treatment is performed under the temperature condition of the minimum required in the manufacturing process of the liquid crystal display device. This is because the transparent conductive substrate can secure the light transmittance.

【0017】また、着色透明性の耐熱性樹脂、例えばス
ルホン基を導入して透明性を改善したポリイミド樹脂、
イミダゾール系化合物のような有色のアミン化合物を触
媒とするエポキシ樹脂と、酸無水物とからなる熱硬化性
の耐熱性樹脂組成物等も使用することができる。
Further, a colored and transparent heat-resistant resin, for example, a polyimide resin having a transparency improved by introducing a sulfone group,
It is also possible to use a thermosetting heat-resistant resin composition composed of an epoxy resin which uses a colored amine compound such as an imidazole compound as a catalyst, and an acid anhydride.

【0018】また、耐熱性樹脂層は、その材料がエポキ
シ樹脂と酸無水物からなる無溶剤型の熱硬化性樹脂組成
物であると、少なくとも2枚のガラス板の接着強度が向
上し、基板の耐衝撃性が向上するので好ましい。
When the heat-resistant resin layer is a solventless thermosetting resin composition made of an epoxy resin and an acid anhydride, the adhesive strength of at least two glass plates is improved and the substrate It is preferable because the impact resistance of is improved.

【0019】さらに、上記耐熱性樹脂には、光学的特性
を阻害しない程度の量的、質的範囲内で柔軟剤、安定
剤、可塑剤、または消泡剤等の添加剤を加えてもよい。
また、十分な耐熱性を持たせるためには、実質的な軟化
温度あるいは融点が150℃以上であるものを選択す
る。特に、フッ素系樹脂は軟化温度、融点が高く、例え
ば液晶表示装置の製造プロセスにおける配向膜形成プロ
セス、封着プロセスでの熱酸化雰囲気(大気下、高温
下)でも耐え得るので好ましい。
Further, additives such as a softening agent, a stabilizer, a plasticizer, or a defoaming agent may be added to the above heat resistant resin within a quantitative and qualitative range that does not impair the optical characteristics. .
In order to have sufficient heat resistance, a material having a substantial softening temperature or melting point of 150 ° C. or higher is selected. In particular, the fluorine-based resin is preferable because it has a high softening temperature and a high melting point and can withstand a thermal oxidation atmosphere (under air or under high temperature) in the alignment film forming process and the sealing process in the manufacturing process of a liquid crystal display device.

【0020】本発明において、耐熱性樹脂層は、上記樹
脂組成物を一方のガラス板上に塗布し、その上に他方の
ガラス板を載置し、その状態で乾燥して形成してもよい
し、上記樹脂組成物からなるフィルムを2枚のガラス板
の間に挟持させて形成してもよい。特に、耐熱性樹脂層
としてフィルムを用いるときは、ヘイズ値を小さくする
ために非晶質の熱可塑性樹脂フィルムを用いることが好
ましい。
In the present invention, the heat resistant resin layer may be formed by applying the above resin composition on one glass plate, placing the other glass plate thereon, and drying in that state. Alternatively, a film made of the above resin composition may be sandwiched between two glass plates to be formed. In particular, when using a film as the heat resistant resin layer, it is preferable to use an amorphous thermoplastic resin film in order to reduce the haze value.

【0021】本発明において、耐熱性樹脂層を構成する
耐熱性樹脂は、厚さ1mm当りの換算光透過率が5%以
上、好ましくは10%以上であることが好ましい。これ
は、厚さ1mm当りの換算光透過率が5%以上であると、
透明導電性基板全体として一般に言われる透明のレベル
である光透過率が80%以上を確保できるからである。
なお、ここでいう光透過率は、分光光度計により測定す
ることができ、特に可視部における光透過率を意味す
る。
In the present invention, the heat-resistant resin constituting the heat-resistant resin layer has a converted light transmittance of 5% or more, preferably 10% or more, per 1 mm in thickness. This means that if the converted light transmittance per 1 mm of thickness is 5% or more,
This is because it is possible to secure a light transmittance of 80% or more, which is a level of transparency generally called for the entire transparent conductive substrate.
The light transmittance here can be measured by a spectrophotometer, and particularly means the light transmittance in the visible portion.

【0022】耐熱性樹脂層の厚さは、機械的強度および
光学的特性をいずれも確保するために5μm〜100μ
mの間で適宜選択される。耐熱性樹脂層の厚さが薄すぎ
ると基板の強度が保持できなくなり、厚すぎると透明性
が低下する。より好ましくは、耐熱性樹脂層の厚さは1
0〜50μmである。
The thickness of the heat resistant resin layer is 5 μm to 100 μ in order to secure both mechanical strength and optical characteristics.
It is appropriately selected between m. If the thickness of the heat resistant resin layer is too thin, the strength of the substrate cannot be maintained, and if it is too thick, the transparency decreases. More preferably, the thickness of the heat resistant resin layer is 1
It is 0 to 50 μm.

【0023】本発明において、2枚のガラス板および耐
熱性樹脂層の厚さの合計が0.2〜0.4mm、好ましく
は0.25〜0.35mmであり、2500cm2 における
反りが0.1mm以下であることが好ましい。これは、2
枚のガラス板および耐熱性樹脂層の厚さの合計が0.2
mm未満であると機械的強度が低下して取扱いが不便とな
り、0.4mmを超えると軽量化が図れなくなるからであ
る。なお、合計の厚さを上記範囲内にするためには、例
えば2枚のガラス板の間に耐熱性樹脂層を形成した後
に、ガラス板を研磨して厚さを調整する。
In the present invention, the total thickness of the two glass plates and the heat resistant resin layer is 0.2 to 0.4 mm, preferably 0.25 to 0.35 mm, and the warpage at 2500 cm 2 is 0. It is preferably 1 mm or less. This is 2
The total thickness of the glass plate and the heat resistant resin layer is 0.2
This is because if it is less than mm, the mechanical strength is lowered and handling becomes inconvenient, and if it exceeds 0.4 mm, weight reduction cannot be achieved. In order to keep the total thickness within the above range, for example, after forming a heat resistant resin layer between two glass plates, the glass plates are polished to adjust the thickness.

【0024】また、2500cm2 における反りが0.1
mmを超えると表示品質が悪くなるからである。さらに、
表示品質を考慮すると、表面粗度(Rmax )は10nm以
下、特に1〜3nmであり、うねりは0.5μm以下であ
ることが好ましい。
The warpage at 2500 cm 2 is 0.1
This is because the display quality deteriorates if it exceeds mm. further,
Considering the display quality, the surface roughness (Rmax) is preferably 10 nm or less, particularly 1 to 3 nm, and the waviness is preferably 0.5 μm or less.

【0025】本発明において、耐熱性樹脂層は屈折率が
1.3〜1.7であることが好ましい。これは、使用す
るガラス板の屈折率との差が大きくならないようにする
ためである。
In the present invention, the heat resistant resin layer preferably has a refractive index of 1.3 to 1.7. This is to prevent the difference from the refractive index of the glass plate used from becoming large.

【0026】本発明において、耐熱性樹脂層は、室温に
おける線膨張係数が2×10-4/℃以下であることが好
ましい。本発明の透明導電性基板は、2枚のガラス板間
に耐熱性樹脂層が設けられてなっており、厚さ方向にお
いて対称であるので、ガラス板に熱応力がかかっても透
明導電性基板全体としては歪みは生じないが、耐熱性樹
脂層の線膨張係数はできるだけ小さくすることが好まし
い。室温における線膨張係数が2×10-4/℃を超える
と、透明導電性基板に熱応力が生じて機械的強度が低下
するからである。なお、ここで室温とは、15〜50℃
の温度範囲を意味する。
In the present invention, the heat resistant resin layer preferably has a linear expansion coefficient at room temperature of 2 × 10 −4 / ° C. or less. Since the transparent conductive substrate of the present invention is provided with a heat resistant resin layer between two glass plates and is symmetrical in the thickness direction, it is transparent conductive substrate even if thermal stress is applied to the glass plates. Although distortion does not occur as a whole, it is preferable to make the coefficient of linear expansion of the heat resistant resin layer as small as possible. This is because if the linear expansion coefficient at room temperature exceeds 2 × 10 −4 / ° C., thermal stress is generated in the transparent conductive substrate and the mechanical strength is reduced. In addition, here, room temperature is 15 to 50 ° C.
Means the temperature range of.

【0027】本発明において透明電極層は、通常の透明
電極層形成プロセスと同じプロセス、すなわち、基板洗
浄、透明導電膜形成、フォトエッチング、化学エッチン
グ、溶剤によるレジスト剥離、および透明導電膜材料の
陽極酸化による表面酸化等のプロセスを経て形成され
る。
In the present invention, the transparent electrode layer is formed by the same process as a normal transparent electrode layer forming process, ie, substrate cleaning, transparent conductive film formation, photoetching, chemical etching, resist stripping with a solvent, and transparent conductive film anode. It is formed through a process such as surface oxidation by oxidation.

【0028】本発明の表示装置としては、液晶表示装置
(特に、TFTを用いたアクティブマトリクス型液晶表
示装置)を始めとして、ECD(エレクトロクロミック
ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイ)、電
気泳動や磁気泳動を用いた表示装置、ELD(エレクト
ロルミネッセンスディスプレイ)、LED(発光ダイオ
ード)等の透明導電性基板を使用するすべての表示装置
を挙げることができる。これらの表示装置は、小型・携
帯情報端末用機器の表示装置、さらにはワードプロセッ
サ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション等の
情報機器、ビジネス機器の表示装置としてこれらの機器
に組み込まれる。
The display device of the present invention includes a liquid crystal display device (in particular, an active matrix liquid crystal display device using a TFT), an ECD (electrochromic display), a PDP (plasma display), electrophoresis or magnetophoresis. All display devices using a transparent conductive substrate such as a display device using EL, ELD (electroluminescence display), and LED (light emitting diode) can be mentioned. These display devices are incorporated in these devices as display devices for small and portable information terminal devices, as well as information devices such as word processors, personal computers, workstations, and business devices.

【0029】[0029]

【作用】本発明の透明導電性基板は、2枚のガラス板の
間に挟持された耐熱性樹脂層と、前記2枚のガラス板の
一方のガラス板上に形成された透明電極層とを具備する
ことを特徴としている。
The transparent conductive substrate of the present invention comprises a heat resistant resin layer sandwiched between two glass plates and a transparent electrode layer formed on one of the two glass plates. It is characterized by that.

【0030】このような構成にすることにより、ガラス
板の特徴である優れた耐熱性、耐薬品性、およびガスバ
リア性を維持しつつ、軽量化を図ることができる。ま
た、表示装置への適用についても、従来のガラス基板に
施すプロセスをそのまま利用することができる。
With such a structure, it is possible to reduce the weight while maintaining the excellent heat resistance, chemical resistance, and gas barrier property which are the characteristics of the glass plate. Further, as to the application to the display device, the conventional process applied to the glass substrate can be used as it is.

【0031】さらに、耐熱性樹脂層を有しているので、
これがガラス板同士の接着層の役割を果たして、落下等
の強い衝撃を受けても破壊片が飛散、剥離することを十
分に防止できる。このため、本発明の透明導電性基板を
用いた表示装置は、軽量であり、しかも安全なものであ
る。
Further, since it has a heat resistant resin layer,
This plays the role of an adhesive layer between the glass plates, and it is possible to sufficiently prevent the debris from scattering and peeling even when a strong impact such as a drop is received. Therefore, the display device using the transparent conductive substrate of the present invention is lightweight and safe.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。 (実施例1)図1に示すように、無アルカリガラスのフ
ロート法で作製した厚さ2mmの2枚のガラス板1,3間
に耐熱性樹脂層2として厚さ25μmのテトラフルオロ
アルキルビニルエーテル共重合体フィルムを挿入し、こ
れをオートクレーブ中に収納し、温度350℃、圧力1
kg/cm2 でガラス積層体を作製した。テトラフルオロア
ルキルビニルエーテル共重合体フィルムとしては、18
0℃、2時間の加熱処理後の光透過率が初期の光透過率
とほとんど変わりないものを使用した。その後、ガラス
積層体の耐熱性樹脂層2が厚さ方向において中央に位置
するように、好ましくはガラス板1表面から樹脂層2の
中央部までの厚さ方向における距離がガラス積層体厚の
50±10%となるようにガラス板1,3を両面から研
磨して厚さを0.3mmとし、表面粗さRmax を5nmとし
た。次いで、ガラス積層体の一方のガラス板上にITO
等からなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をフォ
トエッチングおよび化学エッチングによりパターニング
して透明電極層4を形成した。このようにして実施例1
の透明導電性基板を作製した。
EXAMPLES Examples of the present invention will be specifically described below. (Example 1) As shown in FIG. 1, a 25 μm thick tetrafluoroalkyl vinyl ether copolymer was used as a heat resistant resin layer 2 between two glass plates 1 and 3 each having a thickness of 2 mm and prepared by a float method of non-alkali glass. Insert a polymer film, store it in an autoclave, and heat it at a temperature of 350 ° C and a pressure of 1
A glass laminate was prepared at kg / cm 2 . As a tetrafluoroalkyl vinyl ether copolymer film, 18
A material whose light transmittance after heating at 0 ° C. for 2 hours was almost the same as the initial light transmittance was used. After that, the distance in the thickness direction from the surface of the glass plate 1 to the central portion of the resin layer 2 is preferably 50 times the glass laminate thickness so that the heat resistant resin layer 2 of the glass laminate is located at the center in the thickness direction. The glass plates 1 and 3 were polished from both sides so as to be ± 10% to have a thickness of 0.3 mm and a surface roughness Rmax of 5 nm. Then, ITO is formed on one glass plate of the glass laminate.
A transparent conductive film made of, for example, was formed, and the transparent conductive film was patterned by photoetching and chemical etching to form the transparent electrode layer 4. Thus, Example 1
The transparent conductive substrate of was produced.

【0033】なお、オートクレーブの代わりに真空プレ
スを用いてもよい。また、温度は耐熱性樹脂の溶融温度
から30〜80℃高い温度に設定し、圧力は接触圧〜2
0kg/cm2 の範囲で設定する。また、ガラス板は、オー
トクレーブを使用すれば型板ガラスの代わりに曲面ガラ
スを用いることもできる。
A vacuum press may be used instead of the autoclave. Further, the temperature is set to a temperature 30 to 80 ° C. higher than the melting temperature of the heat resistant resin, and the pressure is a contact pressure to 2
Set within the range of 0 kg / cm 2 . If an autoclave is used as the glass plate, curved glass can be used instead of the template glass.

【0034】得られた透明導電性基板について、光学的
特性、耐薬品性、並びにガスバリア性を調べた。なお、
光学的特性は光透過率およびヘイズ値により評価し、光
透過率は分光光度計により測定し、ヘイズ値はヘイズメ
ータにより測定した。また、耐薬品性の評価は透明導電
性基板を溶剤類に浸漬することにより行い、耐熱性樹脂
層部分に欠陥が生じない場合を良好とし、耐熱性樹脂層
部分が溶出したり、クラッックが生じた場合を不良とし
た。また、ガスバリア性の評価は加圧式ガス透過率測定
器により行い、酸素透過率が0.1cc/(24hr・atm ・
2 )未満の場合を良好とし、0.1cc/(24hr・atm
・m2 )以上の場合を不良とした。その結果、光透過率
が85%以上、波長550nmでのヘイズ値が0.6%以
下で従来のガラス基板と同等であり、耐薬品性およびガ
スバリア性は良好であった。さらに、ガラス積層体の密
着性を確認するために5cm角のガラス積層体サンプルを
作製し、Ar雰囲気中、350℃での剪断力を引張り試
験により求めたところ、0.4kgf/cm2 であり実用上問
題ない値であった。
The transparent conductive substrate thus obtained was examined for optical characteristics, chemical resistance, and gas barrier properties. In addition,
The optical characteristics were evaluated by the light transmittance and the haze value, the light transmittance was measured by a spectrophotometer, and the haze value was measured by a haze meter. In addition, the evaluation of chemical resistance is performed by immersing the transparent conductive substrate in a solvent, and the case where no defect occurs in the heat-resistant resin layer is considered good, and the heat-resistant resin layer elutes or cracks occur. The case was regarded as defective. In addition, the gas barrier property was evaluated with a pressure type gas permeability measuring device, and the oxygen permeability was 0.1 cc / (24hr ・ atm ・
m 2) in the case of less than the good, 0.1cc / (24hr · atm
・ A case of m 2 ) or more was regarded as defective. As a result, the light transmittance was 85% or more and the haze value at a wavelength of 550 nm was 0.6% or less, which was equivalent to that of a conventional glass substrate, and the chemical resistance and gas barrier property were good. Furthermore, in order to confirm the adhesion of the glass laminate, a 5 cm square glass laminate sample was prepared, and the shearing force at 350 ° C. in an Ar atmosphere was determined by a tensile test to be 0.4 kgf / cm 2 . It was a value with no practical problems.

【0035】次に、図2に示すように、配線まで形成さ
れた透明導電性基板11上に通常のポリアミック酸溶液
を印刷し、これを260℃、60分間焼成して配向膜1
2を形成した。次いで、配向膜12にラビング処理を施
し、シール印刷を行った。さらに、スペーサ材を散布し
た後に、透明導電性基板11、配向膜12からなる対向
基板14と組み立て液晶材料13を注入して仮封着を行
った。次いで、これを封着し、洗浄処理および配向アニ
ール処理等を施して液晶セルを作製した。最後に、この
液晶セルに偏光板を配置することによりアクティブマト
リクス型の液晶表示装置を得た。
Next, as shown in FIG. 2, an ordinary polyamic acid solution is printed on the transparent conductive substrate 11 on which wirings are formed, and this is baked at 260 ° C. for 60 minutes to obtain an alignment film 1.
Formed 2. Then, the alignment film 12 was subjected to rubbing treatment, and seal printing was performed. Further, after spraying a spacer material, the transparent conductive substrate 11, the counter substrate 14 including the alignment film 12 and the assembled liquid crystal material 13 are injected to perform temporary sealing. Then, this was sealed and subjected to cleaning treatment, orientation annealing treatment, and the like to produce a liquid crystal cell. Finally, a polarizing plate was placed in this liquid crystal cell to obtain an active matrix type liquid crystal display device.

【0036】上述したように液晶表示装置までの製造プ
ロセスには、アモルファスシリコン膜形成のためのCV
Dプロセス、配線用金属膜および透明導電膜形成のため
のスパッタリングプロセス、並びにこれらの膜をパター
ニングするためのドライエッチングプロセスおよびウェ
ットエッチングプロセスが含まれており、透明導電性基
板にかかる温度は最高で330℃に達する。しかし、こ
の一連のプロセスにおいて透明導電性基板には何らの問
題も発生しなかった。これにより、実施例1の透明導電
性基板が十分な耐熱性を発揮することが確認された。 (実施例2)耐熱性樹脂層として厚さ25μmのテトラ
フルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体
フィルムを用い、ガラス積層体を形成する際の温度を3
20℃とすること以外は実施例1と同様にして実施例2
の透明導電性基板を作製した。なお、テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体フィルムと
しては、180℃、2時間の加熱処理後の光透過率が初
期の光透過率とほとんど変わりないものを使用した。こ
の透明導電性基板について実施例1と同様にして光学的
特性、耐薬品性、並びにガスバリア性を調べた。その結
果、光透過率が87%以上、波長550nmでのヘイズ値
が0.4%で従来のガラス基板と同等であり、耐薬品性
およびガスバリア性は良好であった。さらに、ガラス積
層体の密着性を実施例1と同様にして求めたところ、
0.5kgf/cm2 であり実用上問題ない値であった。
As described above, in the manufacturing process up to the liquid crystal display device, the CV for forming the amorphous silicon film is used.
The D process, the sputtering process for forming the wiring metal film and the transparent conductive film, and the dry etching process and the wet etching process for patterning these films are included, and the temperature applied to the transparent conductive substrate is the highest. It reaches 330 ° C. However, no problem occurred in the transparent conductive substrate in this series of processes. From this, it was confirmed that the transparent conductive substrate of Example 1 exhibited sufficient heat resistance. Example 2 A 25 μm thick tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer film was used as the heat resistant resin layer, and the temperature at which the glass laminate was formed was 3
Example 2 was carried out in the same manner as in Example 1 except that the temperature was 20 ° C.
The transparent conductive substrate of was produced. As the tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer film, a film whose light transmittance after heating at 180 ° C. for 2 hours was almost the same as the initial light transmittance was used. Optical properties, chemical resistance, and gas barrier properties of this transparent conductive substrate were examined in the same manner as in Example 1. As a result, the light transmittance was 87% or more and the haze value at a wavelength of 550 nm was 0.4%, which was equivalent to that of a conventional glass substrate, and the chemical resistance and gas barrier properties were good. Furthermore, when the adhesion of the glass laminate was determined in the same manner as in Example 1,
The value was 0.5 kgf / cm 2 , which was a value that poses no practical problem.

【0037】また、この透明導電性基板を用いて実施例
1と同様にして液晶表示装置を作製した。一連のプロセ
スにおいて透明導電性基板には何らの問題も発生しなか
った。これにより、実施例2の透明導電性基板が十分な
耐熱性を発揮することが確認された。 (実施例3)耐熱性樹脂層として厚さ25μmのテトラ
フルオロエチレン−エチレン共重合体フィルムを用い、
ガラス積層体を形成する際の温度を320℃とすること
以外は実施例1と同様にして実施例3の透明導電性基板
を作製した。なお、テトラフルオロエチレン−エチレン
共重合体フィルムとしては、180℃、2時間の加熱処
理後の光透過率が初期の光透過率とほとんど変わりない
ものを使用した。この透明導電性基板について実施例1
と同様にして光学的特性、耐薬品性、並びにガスバリア
性を調べた。その結果、光透過率が85%以上、波長5
50nmでのヘイズ値が0.6%で従来のガラス基板と同
等であり、耐薬品性およびガスバリア性は良好であっ
た。さらに、ガラス積層体の密着性を実施例1と同様に
して求めたところ、0.3kgf/cm2 であり実用上問題な
い値であった。
A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 1 using this transparent conductive substrate. The transparent conductive substrate did not cause any problems in the series of processes. From this, it was confirmed that the transparent conductive substrate of Example 2 exhibited sufficient heat resistance. Example 3 A 25 μm thick tetrafluoroethylene-ethylene copolymer film was used as the heat resistant resin layer,
A transparent conductive substrate of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that the temperature when forming the glass laminate was 320 ° C. As the tetrafluoroethylene-ethylene copolymer film, a film whose light transmittance after heating at 180 ° C. for 2 hours was almost the same as the initial light transmittance was used. Example 1 of this transparent conductive substrate
The optical properties, chemical resistance, and gas barrier properties were examined in the same manner as in. As a result, the light transmittance is 85% or more, the wavelength 5
The haze value at 50 nm was 0.6%, which was equivalent to that of a conventional glass substrate, and the chemical resistance and gas barrier properties were good. Further, when the adhesion of the glass laminate was determined in the same manner as in Example 1, it was 0.3 kgf / cm 2 , which was a value that poses no practical problem.

【0038】また、この透明導電性基板を用いて実施例
1と同様にして液晶表示装置を作製した。一連のプロセ
スにおいて透明導電性基板には何らの問題も発生しなか
った。これにより、実施例3の透明導電性基板が十分な
耐熱性を発揮することが確認された。 (実施例4)耐熱性樹脂層として厚さ25μmのポリエ
ーテルスルホンフィルムを用いること以外は実施例1と
同様にして実施例4の透明導電性基板を作製した。な
お、ポリエーテルスルホンフィルムとしては、180
℃、2時間の加熱処理後の光透過率が初期の光透過率と
ほとんど変わりないものを使用した。この透明導電性基
板について実施例1と同様にして光学的特性、耐薬品
性、並びにガスバリア性を調べた。その結果、光透過率
が88%以上、波長550nmでのヘイズ値が0.8%で
従来のガラス基板と同等であり、耐薬品性およびガスバ
リア性は良好であった。さらに、ガラス積層体の密着性
を実施例1と同様にして求めたところ、0.2kgf/cm2
であり実用上問題ない値であった。
A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 1 using this transparent conductive substrate. The transparent conductive substrate did not cause any problems in the series of processes. From this, it was confirmed that the transparent conductive substrate of Example 3 exhibited sufficient heat resistance. (Example 4) A transparent conductive substrate of Example 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except that a 25 μm thick polyethersulfone film was used as the heat resistant resin layer. In addition, as a polyether sulfone film, 180
A material whose light transmittance after heating at 2 ° C. for 2 hours was almost the same as the initial light transmittance was used. Optical properties, chemical resistance, and gas barrier properties of this transparent conductive substrate were examined in the same manner as in Example 1. As a result, the light transmittance was 88% or more and the haze value at a wavelength of 550 nm was 0.8%, which was equivalent to that of a conventional glass substrate, and the chemical resistance and gas barrier properties were good. Further, the adhesion of the glass laminate was determined in the same manner as in Example 1 and found to be 0.2 kgf / cm 2.
It was a value with no practical problems.

【0039】また、この透明導電性基板を用いて実施例
1と同様にして液晶表示装置を作製した。一連のプロセ
スにおいて透明導電性基板には何らの問題も発生しなか
った。これにより、実施例4の透明導電性基板が十分な
耐熱性を発揮することが確認された。 (実施例5)耐熱性樹脂層として厚さ25μmのポリス
ルホンフィルムを用いること以外は実施例1と同様にし
て実施例5の透明導電性基板を作製した。なお、ポリス
ルホンフィルムとしては、180℃、2時間の加熱処理
後の光透過率が初期の光透過率とほとんど変わりないも
のを使用した。この透明導電性基板について実施例1と
同様にして光学的特性、耐薬品性、並びにガスバリア性
を調べた。その結果、光透過率が89%以上、波長55
0nmでのヘイズ値が0.7%で従来のガラス基板と同等
であり、耐薬品性およびガスバリア性は良好であった。
さらに、ガラス積層体の密着性を実施例1と同様にして
求めたところ、0.8kgf/cm2 であり実用上問題ない値
であった。
A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 1 using this transparent conductive substrate. The transparent conductive substrate did not cause any problems in the series of processes. From this, it was confirmed that the transparent conductive substrate of Example 4 exhibited sufficient heat resistance. (Example 5) A transparent conductive substrate of Example 5 was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polysulfone film having a thickness of 25 µm was used as the heat resistant resin layer. As the polysulfone film, a film whose light transmittance after heating at 180 ° C. for 2 hours was almost the same as the initial light transmittance was used. Optical properties, chemical resistance, and gas barrier properties of this transparent conductive substrate were examined in the same manner as in Example 1. As a result, the light transmittance is 89% or more, the wavelength 55
The haze value at 0 nm was 0.7%, which was equivalent to that of a conventional glass substrate, and the chemical resistance and gas barrier properties were good.
Further, when the adhesion of the glass laminate was determined in the same manner as in Example 1, it was 0.8 kgf / cm 2 , which was a value that was not a problem in practical use.

【0040】また、この透明導電性基板を用いて実施例
1と同様にして液晶表示装置を作製した。一連のプロセ
スにおいて透明導電性基板には何らの問題も発生しなか
った。これにより、実施例5の透明導電性基板が十分な
耐熱性を発揮することが確認された。 (実施例6)耐熱性樹脂層として厚さ25μmのポリメ
チル−4−メチルペンテン−1フィルムを用い、ガラス
積層体を形成する際の温度を240℃とすること以外は
実施例1と同様にして実施例6の透明導電性基板を作製
した。なお、ポリメチル−4−メチルペンテン−1フィ
ルムとしては、180℃、2時間の加熱処理後の光透過
率が初期の光透過率から3%程度減少するものを使用し
た。この透明導電性基板について実施例1と同様にして
光学的特性、耐薬品性、並びにガスバリア性を調べた。
その結果、光透過率が89%以上、波長550nmでのヘ
イズ値が0.3%で従来のガラス基板と同等であり、耐
薬品性およびガスバリア性は良好であった。さらに、ガ
ラス積層体の密着性を実施例1と同様にして求めたとこ
ろ、0.6kgf/cm2 であり実用上問題ない値であった。
A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 1 using this transparent conductive substrate. The transparent conductive substrate did not cause any problems in the series of processes. From this, it was confirmed that the transparent conductive substrate of Example 5 exhibited sufficient heat resistance. (Example 6) The same procedure as in Example 1 was carried out except that a 25 [mu] m-thick polymethyl-4-methylpentene-1 film was used as the heat-resistant resin layer and the temperature at which the glass laminate was formed was 240 [deg.] C. The transparent conductive substrate of Example 6 was produced. As the polymethyl-4-methylpentene-1 film, a film whose light transmittance after heating at 180 ° C. for 2 hours decreased by about 3% from the initial light transmittance was used. Optical properties, chemical resistance, and gas barrier properties of this transparent conductive substrate were examined in the same manner as in Example 1.
As a result, the light transmittance was 89% or more and the haze value at a wavelength of 550 nm was 0.3%, which was equivalent to that of a conventional glass substrate, and the chemical resistance and gas barrier properties were good. Further, when the adhesion of the glass laminate was determined in the same manner as in Example 1, it was 0.6 kgf / cm 2 , which was a value that poses no practical problem.

【0041】また、この透明導電性基板を用いて実施例
1と同様にして液晶表示装置を作製した。一連のプロセ
スにおいて透明導電性基板には何らの問題も発生しなか
った。これにより、実施例6の透明導電性基板が十分な
耐熱性を発揮することが確認された。 (実施例7)耐熱性樹脂層として厚さ25μmのフェノ
キシ樹脂フィルムを用い、ガラス積層体を形成する際の
温度を320℃とすること以外は実施例1と同様にして
実施例7の透明導電性基板を作製した。なお、フェノキ
シ樹脂フィルムとしては、180℃、2時間の加熱処理
後の光透過率が初期の光透過率から2%程度減少するも
のを使用した。この透明導電性基板について実施例1と
同様にして光学的特性、耐薬品性、並びにガスバリア性
を調べた。その結果、光透過率が88%以上、波長55
0nmでのヘイズ値が0.4%で従来のガラス基板と同等
であり、耐薬品性およびガスバリア性は良好であった。
さらに、ガラス積層体の密着性を実施例1と同様にして
求めたところ、0.5kgf/cm2 であり実用上問題ない値
であった。
A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 1 using this transparent conductive substrate. The transparent conductive substrate did not cause any problems in the series of processes. From this, it was confirmed that the transparent conductive substrate of Example 6 exhibited sufficient heat resistance. (Example 7) A transparent conductive film of Example 7 was prepared in the same manner as in Example 1 except that a phenoxy resin film having a thickness of 25 µm was used as the heat-resistant resin layer and the temperature when forming the glass laminate was 320 ° C. A flexible substrate was prepared. As the phenoxy resin film, a film whose light transmittance after heating at 180 ° C. for 2 hours was reduced by about 2% from the initial light transmittance was used. Optical properties, chemical resistance, and gas barrier properties of this transparent conductive substrate were examined in the same manner as in Example 1. As a result, the light transmittance is 88% or more, the wavelength 55
The haze value at 0 nm was 0.4%, which was equivalent to that of the conventional glass substrate, and the chemical resistance and gas barrier properties were good.
Further, when the adhesion of the glass laminate was determined in the same manner as in Example 1, it was 0.5 kgf / cm 2 , which was a value that poses no practical problem.

【0042】また、この透明導電性基板を用いて実施例
1と同様にして液晶表示装置を作製した。一連のプロセ
スにおいて透明導電性基板には何らの問題も発生しなか
った。これにより、実施例7の透明導電性基板が十分な
耐熱性を発揮することが確認された。 (実施例8)無アルカリガラスのフロート法で作製した
厚さ2mmの2枚のガラス板のうちの一方のガラス板上
に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂であるエピコート
828(シェル化学社製、商品名)100重量部、ヘキ
サヒドロ無水フタル酸であるリカシッドHH(新日本理
化社製、商品名)90重量部、およびイミダゾール系硬
化触媒であるキュアゾール2PZ(四国化成社製、商品
名)1重量部からなる混合液を塗布し、その上に他方の
ガラス板を載置し、これをオートクレーブ中に入れて脱
泡した後、125℃で16時間の加熱処理を施して混合
液を完全硬化させて耐熱性樹脂層を有するガラス積層体
を作製した。これを実施例1と同様にして実施例8の透
明導電性基板を作製した。この透明導電性基板について
実施例1と同様にして光学的特性、耐薬品性、並びにガ
スバリア性を調べた。その結果、光透過率が89%以
上、波長550nmでのヘイズ値が0.5%で従来のガラ
ス基板と同等であり、耐薬品性およびガスバリア性は良
好であった。さらに、ガラス積層体の密着性を実施例1
と同様にして求めたところ、20kgf/cm2 であり実用上
問題ない値であった。
A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 1 using this transparent conductive substrate. The transparent conductive substrate did not cause any problems in the series of processes. From this, it was confirmed that the transparent conductive substrate of Example 7 exhibited sufficient heat resistance. (Embodiment 8) Epicoat 828 (trade name, manufactured by Shell Kagaku Co., Ltd., which is a bisphenol A type epoxy resin) is provided on one of two glass plates with a thickness of 2 mm prepared by a float method of non-alkali glass. ) 100 parts by weight, 90 parts by weight of Rikacid HH (produced by Shin Nippon Rika Co., Ltd., trade name) which is hexahydrophthalic anhydride, and 1 part by weight of CUZazole 2PZ (produced by Shikoku Kasei Co., Ltd.) which is an imidazole curing catalyst. Apply the mixed solution, place the other glass plate on it, put it in the autoclave to defoam, and then heat-treat at 125 ° C for 16 hours to completely cure the mixed solution and heat resistance. A glass laminate having a resin layer was produced. A transparent conductive substrate of Example 8 was produced in the same manner as in Example 1. Optical properties, chemical resistance, and gas barrier properties of this transparent conductive substrate were examined in the same manner as in Example 1. As a result, the light transmittance was 89% or more, the haze value at a wavelength of 550 nm was 0.5%, which was equivalent to that of a conventional glass substrate, and the chemical resistance and gas barrier properties were good. Furthermore, the adhesion of the glass laminate was evaluated in Example 1
The value was 20 kgf / cm 2 as obtained in the same manner as in Example 1 , which was a value that was not a problem in practical use.

【0043】また、この透明導電性基板を用いて実施例
1と同様にして液晶表示装置を作製した。一連のプロセ
スにおいて透明導電性基板には何らの問題も発生しなか
った。これにより、実施例8の透明導電性基板が十分な
耐熱性を発揮することが確認された。
A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 1 using this transparent conductive substrate. The transparent conductive substrate did not cause any problems in the series of processes. Thus, it was confirmed that the transparent conductive substrate of Example 8 exhibited sufficient heat resistance.

【0044】次いで、実施例1〜8の液晶表示装置をそ
れぞれ小型携帯情報端末機器に組み込んだところ、従来
のガラス基板(厚さ1.1mm)を用いた液晶表示装置を
組み込んだ場合に比べて約8gの軽量化(全重量の4%
減)を図ることができた。
Next, when the liquid crystal display devices of Examples 1 to 8 were incorporated into small portable information terminal devices, respectively, as compared with the case of incorporating a conventional liquid crystal display device using a glass substrate (thickness 1.1 mm). Weight reduction of about 8g (4% of total weight
I was able to reduce it.

【0045】さらに、それぞれの小型携帯情報端末機器
の表示面を下向きにして3mの高さからの落下試験を行
ったところ、表示面に大きなクラックが発生したが、こ
の破壊片は飛散、分離せず、しかも液晶材料の漏洩も確
認されなかった。
Further, when a drop test from a height of 3 m was conducted with the display surface of each small portable information terminal device facing downward, a large crack was generated on the display surface, but this broken piece was scattered and separated. Moreover, no leakage of the liquid crystal material was confirmed.

【0046】上述したように、本発明の透明導電性基板
は光学的特性、耐熱性、耐薬品性、およびガスバリア性
に優れており、この透明導電性基板を用いた表示装置は
軽量であり、しかも耐衝撃性に優れていることが確認さ
れた。 (比較例1)ポリカーボネートフィルムをベースフィル
ムとする透明フィルムであるAMOREX(藤森工業社
製、商品名)を用いてアクティブマトリクス型の液晶表
示装置を作製したところ、耐熱性が低いために熱処理工
程において大きい熱変形が起こり液晶表示装置を作製す
ることができなかった。 (比較例2)ポリエーテルスルホンフィルムをベースフ
ィルムとする透明フィルムであるFST−5337(住
友ベークライト社製、商品名)のITO膜を除去して、
ガスバリア層、接着層、および保護層を形成してなるも
のを用いてアクティブマトリクス型の液晶表示装置を作
製したところ、配線用金属膜を形成するプロセスで均一
な金属膜を形成することができなかった。これは耐熱性
の小さい保護層、ガスバリア層、および接着層がこのプ
ロセス中に溶融・収縮し、基板である透明フィルムが大
きく変形したためと考えられる。 (比較例3)ポリアリレートフィルムをベースフィルム
とする透明フィルムであるエルメックF−2100(鐘
淵化学工業社製、商品名)の導電膜を除去して、ガスバ
リア層、接着層、および保護層を形成してなるものを用
いてアクティブマトリクス型の液晶表示装置を作製した
ところ、配線用金属膜を形成するプロセスで均一な金属
膜を形成することができなかった。これは耐熱性の小さ
い保護層、ガスバリア層、および接着層がこのプロセス
中に溶融・収縮し、基板である透明フィルムが大きく変
形したためと考えられる。 (比較例4)厚さ0.15mmの2枚の無アルカリガラス
の間に、厚さ0.38のポリビニルブチラールフィルム
であるButvar(モンサント社製、商品名)を挿入
してなる合せガラスを用いてアクティブマトリクス型の
液晶表示装置を作製した。なお、このポリビニルブチラ
ールフィルムは、180℃、2時間の加熱処理後の光透
過率が初期の光透過率から20%減少するものであり、
またこの加熱処理で淡黄色に変色した。
As described above, the transparent conductive substrate of the present invention is excellent in optical characteristics, heat resistance, chemical resistance, and gas barrier property, and a display device using this transparent conductive substrate is lightweight. Moreover, it was confirmed that it has excellent impact resistance. (Comparative Example 1) An active matrix type liquid crystal display device was manufactured using AMOREX (trade name, manufactured by Fujimori Industry Co., Ltd.) which is a transparent film having a polycarbonate film as a base film. Large thermal deformation occurred, and it was not possible to manufacture a liquid crystal display device. (Comparative Example 2) The ITO film of FST-5337 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), which is a transparent film having a polyethersulfone film as a base film, was removed,
When an active matrix type liquid crystal display device was manufactured using a gas barrier layer, an adhesive layer and a protective layer, it was not possible to form a uniform metal film in the process of forming a metal film for wiring. It was It is considered that this is because the protective layer, the gas barrier layer, and the adhesive layer having low heat resistance were melted and shrunk during this process, and the transparent film as the substrate was largely deformed. (Comparative Example 3) The conductive film of Ermec F-2100 (Kanefuchi Chemical Industry Co., Ltd., trade name), which is a transparent film having a polyarylate film as a base film, was removed to form a gas barrier layer, an adhesive layer, and a protective layer. When an active matrix type liquid crystal display device was manufactured using the formed film, it was not possible to form a uniform metal film in the process of forming the wiring metal film. It is considered that this is because the protective layer, the gas barrier layer, and the adhesive layer, which have low heat resistance, were melted and shrunk during this process, and the transparent film as the substrate was largely deformed. (Comparative Example 4) A laminated glass in which Butvar (manufactured by Monsanto Co., Ltd.), which is a polyvinyl butyral film having a thickness of 0.38, is inserted between two alkali-free glasses having a thickness of 0.15 mm, is used. As a result, an active matrix type liquid crystal display device was manufactured. The polyvinyl butyral film has a light transmittance after heating at 180 ° C. for 2 hours which is 20% less than the initial light transmittance.
Further, this heat treatment changed the color to pale yellow.

【0047】製造プロセスにおいて、透明電極層を形成
する際の加熱処理でポリビニルブチラールフィルムが淡
黄色に変色して光学的特性、特に光透過率が低下した。
また、透明電極層を形成する際のフォトエッチングプロ
セスにおけるアルカリ処理および酸処理でポリビニルブ
チラールフィルムにクラックが発生した。 (比較例5)厚さ1.1mmのガラス基板上にITO等か
らなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をフォトエ
ッチングおよび化学エッチングによりパターニングして
透明電極層を形成した。このようにして比較例5の透明
導電性基板を作製した。次いで、この透明導電性基板を
用いて実施例1と同様にしてアクティブマトリクス型の
液晶表示装置を得た。
In the manufacturing process, the polyvinyl butyral film was discolored to a pale yellow color due to the heat treatment for forming the transparent electrode layer, and the optical characteristics, particularly the light transmittance, were lowered.
Further, the polyvinyl butyral film was cracked by the alkali treatment and the acid treatment in the photoetching process for forming the transparent electrode layer. Comparative Example 5 A transparent conductive film made of ITO or the like was formed on a glass substrate having a thickness of 1.1 mm, and the transparent conductive film was patterned by photoetching and chemical etching to form a transparent electrode layer. In this way, the transparent conductive substrate of Comparative Example 5 was produced. Then, using this transparent conductive substrate, an active matrix type liquid crystal display device was obtained in the same manner as in Example 1.

【0048】この液晶表示装置を小型携帯情報端末機器
に組み込み、表示面を下向きにして3mの高さからの落
下試験を行ったところ、ガラス基板が破壊して鋭利な破
壊片が飛散、分離し、しかも液晶材料が漏洩した。
When this liquid crystal display device was incorporated into a small portable information terminal device and a drop test was performed from a height of 3 m with the display surface facing downward, the glass substrate was broken and sharp broken pieces were scattered and separated. Moreover, the liquid crystal material leaked.

【0049】比較例1〜5から分かるように、プラスチ
ックフィルムを用いた透明導電性基板(比較例1〜3)
はいずれも耐熱性に劣り、本発明の範囲外の特性の耐熱
性樹脂層を有する合せガラスを用いた透明導電性基板
(比較例4)は耐熱性、耐薬品性に劣り、従来のガラス
基板を用いた透明導電性基板(比較例5)は重量が重
く、しかも耐衝撃性に劣るものであった。
As can be seen from Comparative Examples 1 to 5, transparent conductive substrates using a plastic film (Comparative Examples 1 to 3)
Are inferior in heat resistance, and a transparent conductive substrate (Comparative Example 4) using a laminated glass having a heat resistant resin layer having a property outside the scope of the present invention is inferior in heat resistance and chemical resistance, and is a conventional glass substrate. The transparent conductive substrate (Comparative Example 5) using was heavy and had poor impact resistance.

【0050】上記実施例においては、本発明の透明導電
性基板を液晶表示装置に用いた場合について説明してい
るが、本発明の透明導電性基板は、ECD、PDP、電
気泳動や磁気泳動を利用した表示装置、ELD、LED
等の表示装置に用いても同様の効果を発揮することがで
きる。さらに、本発明は、調光ガラスや太陽電池の分野
等光および電気が関与する基板を用いるデバイスに応用
することもできる。
In the above embodiments, the case where the transparent conductive substrate of the present invention is used in a liquid crystal display device has been described, but the transparent conductive substrate of the present invention can be used for ECD, PDP, electrophoresis or magnetophoresis. Display device, ELD, LED used
The same effect can be exhibited even when used in a display device such as. Furthermore, the present invention can also be applied to devices using substrates involving light and electricity, such as in the field of light control glass and solar cells.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明した如く本発明の透明導電性基
板は、互いに対向する少なくとも2枚のガラス板と、前
記少なくとも2枚のガラス板の間に挟持された耐熱性樹
脂層と、前記少なくとも2枚のガラス板のうちの一つの
ガラス板上に形成された透明電極層とを具備するので、
耐熱性、耐衝撃性、耐薬品性およびガスバリア性に優
れ、取扱いが容易であり、しかも薄型・軽量である。
As described above, the transparent conductive substrate of the present invention comprises at least two glass plates facing each other, a heat resistant resin layer sandwiched between the at least two glass plates, and at least two glass plates. And a transparent electrode layer formed on one of the glass plates,
It has excellent heat resistance, impact resistance, chemical resistance, and gas barrier properties, is easy to handle, and is thin and lightweight.

【0052】また、汎用のガラス基板を用いた透明導電
性基板の製造プロセスをそのまま流用することができ、
かつアクティブマトリクス型の液晶表示装置のような高
性能の表示装置の作製において必要な高温プロセスにも
耐えることができる。
Further, the manufacturing process of a transparent conductive substrate using a general-purpose glass substrate can be applied as it is,
In addition, it can withstand a high temperature process required for manufacturing a high-performance display device such as an active matrix liquid crystal display device.

【0053】さらに、本発明の透明導電性基板を用いた
表示装置は、軽量であり、しかも透明導電性基板に接着
層として機能する耐熱性樹脂層があるために、強い衝撃
を受けても破壊片が飛散、剥離することなく安全であ
る。したがって、このような表示装置は、ポケッタブル
な小型・携帯情報端末機器への応用が期待できる。
Further, the display device using the transparent conductive substrate of the present invention is lightweight, and since the transparent conductive substrate has a heat resistant resin layer which functions as an adhesive layer, it is destroyed even when it receives a strong impact. It is safe because the pieces do not scatter or peel off. Therefore, such a display device can be expected to be applied to a pocketable small-sized portable information terminal device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の透明導電性基板を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a transparent conductive substrate of the present invention.

【図2】本発明の透明導電性基板を用いた液晶表示装置
を示す断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device using the transparent conductive substrate of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,3…ガラス板、2…耐熱性樹脂層、4…透明電極
層、11…透明導電性基板、12…配向膜、13…液晶
材料、14…対向基板。
1, 3 ... Glass plate, 2 ... Heat resistant resin layer, 4 ... Transparent electrode layer, 11 ... Transparent conductive substrate, 12 ... Alignment film, 13 ... Liquid crystal material, 14 ... Counter substrate.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに対向する少なくとも2枚のガラス
板と、前記少なくとも2枚のガラス板の間に挟持された
耐熱性樹脂層と、前記少なくとも2枚のガラス板のうち
の一つのガラス板上に形成された透明電極層とを具備す
ることを特徴とする透明導電性基板。
1. At least two glass plates facing each other, a heat resistant resin layer sandwiched between the at least two glass plates, and formed on one glass plate of the at least two glass plates. A transparent conductive substrate.
【請求項2】 前記耐熱性樹脂層は、180℃で2時間
の加熱処理を施した後の光透過率の減少率が5%以内で
ある材料を含む請求項1記載の透明導電性基板。
2. The transparent conductive substrate according to claim 1, wherein the heat resistant resin layer contains a material having a reduction rate of light transmittance of 5% or less after heat treatment at 180 ° C. for 2 hours.
【請求項3】 前記2枚のガラス板および前記耐熱性樹
脂層の厚さの合計が0.2〜0.4mmであり、2500
cm2 における反りが0.1mm以下である請求項1記載の
透明導電性基板。
3. The total thickness of the two glass plates and the heat resistant resin layer is 0.2 to 0.4 mm, and 2500
The transparent conductive substrate according to claim 1, wherein the warp in cm 2 is 0.1 mm or less.
【請求項4】 前記耐熱性樹脂層が熱可塑性樹脂フィル
ムである請求項1記載の透明導電性基板。
4. The transparent conductive substrate according to claim 1, wherein the heat resistant resin layer is a thermoplastic resin film.
【請求項5】 前記耐熱性樹脂層は、厚さ1mm当りの換
算光透過率が5%以上である非晶質高分子を含む請求項
1記載の透明導電性基板。
5. The transparent conductive substrate according to claim 1, wherein the heat resistant resin layer contains an amorphous polymer having a converted light transmittance of 5% or more per mm of thickness.
【請求項6】 前記耐熱性樹脂層は、厚さ1mm当りの換
算光透過率が5%以上である熱硬化性樹脂を含む請求項
1記載の透明導電性基板。
6. The transparent conductive substrate according to claim 1, wherein the heat resistant resin layer contains a thermosetting resin having a converted light transmittance of 5% or more per 1 mm in thickness.
【請求項7】 前記耐熱性樹脂層は、フッ素樹脂を含む
請求項1記載の透明導電性基板。
7. The transparent conductive substrate according to claim 1, wherein the heat resistant resin layer contains a fluororesin.
【請求項8】 前記耐熱性樹脂層は、屈折率が1.3〜
1.7である材料を含む請求項1記載の透明導電性基
板。
8. The heat resistant resin layer has a refractive index of 1.3 to 10.
The transparent conductive substrate of claim 1, comprising a material that is 1.7.
【請求項9】 前記耐熱性樹脂層は、室温における線膨
張係数が2×10-4/℃以下である材料を含む請求項1
記載の透明導電性基板。
9. The heat resistant resin layer contains a material having a linear expansion coefficient at room temperature of 2 × 10 −4 / ° C. or less.
The transparent conductive substrate described.
【請求項10】 互いに対向する少なくとも2枚のガラ
ス板と、前記少なくとも2枚のガラス板の間に挟持され
ており、180℃で2時間の加熱処理を施した後の光透
過率の減少率が5%以内である材料を含む耐熱性樹脂層
を2枚のガラス板の間に挟持し、前記少なくとも2枚の
ガラス板のうちの一つのガラス板上に透明電極層を有す
る透明導電性基板と、前記透明導電性基板と対向するよ
うに配置された対向基板と、前記透明導電性基板と前記
対向基板との間に設けられた表示部とを具備することを
特徴とする表示装置。
10. A glass plate sandwiched between at least two glass plates facing each other and the at least two glass plates, and having a light transmittance reduction rate of 5 after heat treatment at 180 ° C. for 2 hours. % Between the two glass plates, and a transparent conductive substrate having a transparent electrode layer on one of the at least two glass plates; A display device, comprising: a counter substrate arranged to face the conductive substrate; and a display unit provided between the transparent conductive substrate and the counter substrate.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007310417A (en) * 2007-08-06 2007-11-29 Toshiba Corp Active matrix display and method for manufacturing the same
JP2008026910A (en) * 2007-08-06 2008-02-07 Toshiba Corp Active matrix type display device
KR100827086B1 (en) * 2001-10-18 2008-05-02 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Substrate for Display Device and Display Device Using the Same
JP2008304535A (en) * 2007-06-05 2008-12-18 Hitachi Displays Ltd Display device
JP2011524269A (en) * 2008-05-30 2011-09-01 コーニング インコーポレイテッド Glass laminated article and layered article
JP4773617B2 (en) * 1997-10-24 2011-09-14 奇美電子股▲ふん▼有限公司 Manufacturing method of semiconductor device using glass laminate as substrate
JP2017186241A (en) * 2014-05-15 2017-10-12 旭硝子株式会社 Transportation machine interior member and transportation machine interior assembly

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4773617B2 (en) * 1997-10-24 2011-09-14 奇美電子股▲ふん▼有限公司 Manufacturing method of semiconductor device using glass laminate as substrate
KR100827086B1 (en) * 2001-10-18 2008-05-02 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Substrate for Display Device and Display Device Using the Same
JP2008304535A (en) * 2007-06-05 2008-12-18 Hitachi Displays Ltd Display device
JP2008026910A (en) * 2007-08-06 2008-02-07 Toshiba Corp Active matrix type display device
JP4550871B2 (en) * 2007-08-06 2010-09-22 株式会社東芝 Active matrix display device
JP4621713B2 (en) * 2007-08-06 2011-01-26 株式会社東芝 Active matrix display device
JP2007310417A (en) * 2007-08-06 2007-11-29 Toshiba Corp Active matrix display and method for manufacturing the same
JP2011524269A (en) * 2008-05-30 2011-09-01 コーニング インコーポレイテッド Glass laminated article and layered article
US9387648B2 (en) 2008-05-30 2016-07-12 Corning Incorporated Glass laminated articles and layered articles
US9782949B2 (en) 2008-05-30 2017-10-10 Corning Incorporated Glass laminated articles and layered articles
JP2017186241A (en) * 2014-05-15 2017-10-12 旭硝子株式会社 Transportation machine interior member and transportation machine interior assembly
US11280939B2 (en) 2014-05-15 2022-03-22 AGC Inc. Glass article and production method for glass article
US11448802B2 (en) 2014-05-15 2022-09-20 AGC Inc. Glass article and production method for glass article

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