JPH07283203A - Surface treatment device - Google Patents
Surface treatment deviceInfo
- Publication number
- JPH07283203A JPH07283203A JP6073695A JP7369594A JPH07283203A JP H07283203 A JPH07283203 A JP H07283203A JP 6073695 A JP6073695 A JP 6073695A JP 7369594 A JP7369594 A JP 7369594A JP H07283203 A JPH07283203 A JP H07283203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- excitation chamber
- excitation
- surface treatment
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は反応性ガスを励起して
被処理物の表面処理を行う表面処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment apparatus for exciting a reactive gas to treat a surface of an object to be treated.
【０００２】[0002]
【従来の技術】たとえば、表面処理装置であるエッチン
グ装置は、反応性ガスをマイクロ波で励起してプラズマ
放電を発生させ、そのプラズマ中に含まれるラジカルに
よって被処理物の表面をエッチング加工するようになっ
ている。2. Description of the Related Art For example, an etching apparatus, which is a surface processing apparatus, excites a reactive gas with microwaves to generate plasma discharge, and radicals contained in the plasma etch the surface of an object to be processed. It has become.
【０００３】従来、そのようなエッチング装置は図３に
示すように構成されていた。すなわち、図中１は内部に
被処理物２が設置される処理室である。この処理室１の
上面には石英製の輸送管３の一端が接続されている。こ
の輸送管３の中途部には他の部分よりも大径な励起部４
が形成され、他端は図示しない反応性ガスの供給部５に
連通している。Conventionally, such an etching apparatus has been constructed as shown in FIG. That is, reference numeral 1 in the drawing denotes a processing chamber in which the object to be processed 2 is installed. One end of a quartz transport pipe 3 is connected to the upper surface of the processing chamber 1. An exciting part 4 having a larger diameter than other parts is provided in the middle of the transport pipe 3.
Is formed, and the other end communicates with a reactive gas supply unit 5 (not shown).
【０００４】上記励起部４の外周は導波管６によって包
囲されている。この導波管６にはマイクロ波の発生源７
が接続されている。この発生源７で発生したマイクロ波
は上記励起部４において反応性ガスを励起する。それに
よって、上記励起部４ではプラズマが発生し、そのプラ
ズマに含まれるラジカルやイオンは上記輸送管３を通じ
て処理室１に導入される。The outer circumference of the excitation section 4 is surrounded by a waveguide 6. This waveguide 6 has a microwave source 7
Are connected. The microwave generated by the source 7 excites the reactive gas in the exciter 4. As a result, plasma is generated in the excitation unit 4, and radicals and ions contained in the plasma are introduced into the processing chamber 1 through the transport pipe 3.
【０００５】処理室１に導入されたラジカルやイオンは
ここに設置された上記被処理物２をエッチング加工する
ことになる。このような構成のエッチング装置において
は、上記励起部４で生じたプラズマが上記処理室１の被
処理物２にダメ−ジを与えるのを防止するため、上記輸
送管３に十分な長さを持たせるようにしている。The radicals and ions introduced into the processing chamber 1 etch the object 2 to be processed installed therein. In the etching apparatus having such a structure, in order to prevent the plasma generated in the exciting part 4 from damaging the object 2 to be processed in the processing chamber 1, the transport pipe 3 is provided with a sufficient length. I am trying to have it.
【０００６】しかしながら、輸送管３を長くすると、励
起部４で発生したラジカルが処理室１に到達するまでに
時間が掛かるから、その活性状態が失われたり、輸送管
３の内面と反応して不活性の中性分子に変化してしまう
ことがある。その結果、被処理物２に対するエッチング
レ−トが大きく低下してしまうということがあり、とく
に液晶基板などのように大面積の被処理物をエッチング
する場合、エッチングレ−トの低下は生産性に大きな影
響を与えることになる。However, when the transport tube 3 is lengthened, it takes time for the radicals generated in the excitation part 4 to reach the processing chamber 1, so that the active state thereof is lost or the radical reacts with the inner surface of the transport tube 3. It may change to an inactive neutral molecule. As a result, the etching rate for the object to be processed 2 may be significantly reduced. Especially when etching a large area of the object to be processed such as a liquid crystal substrate, the decrease in the etching rate results in productivity. Will have a great impact on.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は励
起部で発生するプラズマが被処理物に悪影響を及ぼすの
を防止するために、上記励起部と処理室とを連通する輸
送管を長くしていたので、上記処理室に到達するラジカ
ルの活性状態が失われ、エッチングレ−トの低下を招く
ということがあった。As described above, in order to prevent the plasma generated in the exciting part from adversely affecting the object to be processed, the transport pipe connecting the exciting part and the processing chamber is long. Therefore, the active state of the radicals reaching the processing chamber may be lost, leading to a decrease in etching rate.
【０００８】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、被処理物にプラズマの悪
影響を与えず、しかも被処理物に対する処理速度を低下
させることのない表面処理装置を提供することにある。The present invention has been made based on the above circumstances, and an object thereof is to provide a surface treatment apparatus which does not adversely affect plasma on an object to be processed and which does not reduce the processing speed for the object to be processed. To provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、マイクロ波によって励起された反応性ガ
スによって被処理物の表面を処理する表面処理装置にお
いて、上記反応性ガスが供給される励起室と、この励起
室に上記マイクロ波を入射させて上記反応性ガスを励起
するマイクロ波発生手段と、上記励起室に連設され内部
に上記被処理物が設置される処理室と、上記励起室と処
理室とを隔別し上記励起室で反応性ガスを励起すること
で発生したプラズマ中に含まれる成分のうち、上記被処
理物を表面処理するのに有効な成分だけを通過させる規
制手段とを具備したことを特徴とする。In order to solve the above problems, the present invention provides a surface treatment apparatus for treating the surface of an object to be treated with a reactive gas excited by microwaves, to which the reactive gas is supplied. An excitation chamber, a microwave generation means for injecting the microwave into the excitation chamber to excite the reactive gas, and a treatment chamber in which the object to be treated is installed inside the excitation chamber, Of the components contained in the plasma generated by separating the excitation chamber and the processing chamber and exciting the reactive gas in the excitation chamber, only the components effective for surface-treating the object to be processed pass through. It is characterized in that it is provided with a restricting means.
【００１０】[0010]
【作用】このような構成によれば、励起室と処理室とは
ノズル板を介して連設されているから、励起室で発生し
たラジカルは活性状態を失うことなく処理室に導入さ
れ、また励起室で発生したプラズマ中の被処理物にダメ
−ジを与える成分はノズル板によって除去される。With this structure, since the excitation chamber and the processing chamber are connected to each other through the nozzle plate, the radicals generated in the excitation chamber are introduced into the processing chamber without losing their active state, and The components in the plasma generated in the excitation chamber that give damage to the object to be treated are removed by the nozzle plate.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１と図２を参
照して説明する。図１は表面処理装置としてのエッチン
グ装置を示し、このエッチング装置は内部を処理室１１
とした下部本体１２を備えている。この下部本体１２は
上面に所定の大きさの開口１３が形成され、内部にはた
とえば液晶基板などの被処理物１４が載置される載置台
１５が設けられている。さらに、下部本体１２の周壁に
は周方向に均等に複数、この実施例では周方向に９０度
間隔４本の吸引管１６が接続され、各吸引管１６は排気
ポンプ１７に連通されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 shows an etching apparatus as a surface treatment apparatus, and the inside of this etching apparatus is a processing chamber 11
The lower main body 12 is provided. An opening 13 of a predetermined size is formed on the upper surface of the lower body 12, and a mounting table 15 on which an object to be processed 14 such as a liquid crystal substrate is mounted is provided inside. Further, a plurality of suction pipes 16 are evenly provided in the circumferential direction of the lower body 12, and four suction pipes 16 are provided at intervals of 90 degrees in the circumferential direction in this embodiment, and each suction pipe 16 is connected to an exhaust pump 17.
【００１２】上記下部本体１２の上面には上部本体２１
が設置されている。この上部本体２１は中空柱状をなし
ていて、その中空部は励起室２２となっている。この励
起室２２の内径寸法Ｄは上記開口１３の内径寸法よりも
大きくなっている。この実施例では、上記内径寸法Ｄは
３００ｍｍ以上、好ましくは３００〜３５０ｍｍ程度に
設定されていて、高さ方向全長にわたって同一径となっ
ている。An upper body 21 is provided on the upper surface of the lower body 12.
Is installed. The upper body 21 has a hollow columnar shape, and the hollow portion serves as an excitation chamber 22. The inner diameter dimension D of the excitation chamber 22 is larger than the inner diameter dimension of the opening 13. In this embodiment, the inner diameter dimension D is set to 300 mm or more, preferably about 300 to 350 mm, and has the same diameter over the entire length in the height direction.
【００１３】上記励起室２２の下端開口は、規制手段と
してのノズル板２３が設けられ、上端開口はマイクロ波
を透過させる材料、たとえば石英やアルミナなどからな
る窓部材２４によって閉塞されている。The lower end opening of the excitation chamber 22 is provided with a nozzle plate 23 as a restricting means, and the upper end opening is closed by a window member 24 made of a material that transmits microwaves, such as quartz or alumina.
【００１４】つまり、上記ノズル板２３は、周辺部を上
記下部本体１２の上面の開口１３の外側の部分に係合さ
せて載置され、上記窓部材２４は、周縁部を上記上部本
体１２の上端面に形成された段部２５に気密に係合させ
て設けられている。上記ノズル板２３はアルマイト処理
を施したアルミニウムからなるとともに、直径が１〜２
ｍｍ程度の多数の小孔２６が穿設されている。さらに、
上記ノズル板２３はグランドＧにア−スされている。That is, the nozzle plate 23 is placed with its peripheral portion engaged with a portion outside the opening 13 on the upper surface of the lower body 12, and the window member 24 has a peripheral edge portion of the upper body 12. It is provided so as to be airtightly engaged with a step portion 25 formed on the upper end surface. The nozzle plate 23 is made of anodized aluminum and has a diameter of 1-2.
A large number of small holes 26 of about mm are formed. further,
The nozzle plate 23 is grounded to the ground G.
【００１５】上記励起室２２には、マイクロ波電源２７
から発生したマイクロ波が導入される。つまり、マイク
ロ波電源２７にはアルミナ製の導波管２８の一端が接続
され、この導波管２８の他端は上記窓部材２４に接合さ
れた、この窓部材２４よりも大きな形状で、マイクロ波
が伝播し易いアルミニウムやステンレス（ＳＵＳ）など
の材料によって形成された拡散板２９に接続されてい
る。A microwave power source 27 is provided in the excitation chamber 22.
The microwave generated from is introduced. That is, one end of a waveguide 28 made of alumina is connected to the microwave power source 27, and the other end of the waveguide 28 is joined to the window member 24 and has a shape larger than the window member 24. It is connected to a diffusion plate 29 made of a material such as aluminum or stainless steel (SUS) in which waves easily propagate.
【００１６】したがって、上記マイクロ波電源２７から
出力されたマイクロ波は導波管２８を伝わり、拡散板２
９で拡散して窓部材２４の全体から励起室２２に入射す
るようになっている。Therefore, the microwave output from the microwave power source 27 is propagated through the waveguide 28 and the diffusion plate 2
The light is diffused at 9 and enters the excitation chamber 22 from the entire window member 24.
【００１７】上記上部本体２１の周壁には、一端を上記
励起室２２に開口させた複数の導入口３１が周方向に等
間隔、たとえば９０度間隔で４つ形成されている。各導
入口３１の他端にはガス導入管３２の一端が接続されて
いる。各ガス導入管３２の他端は、上記被処理物１４を
エッチング加工する際に好適する反応性ガス、たとえば
ＣＦ4 、ＣＣｌ2 Ｆ2 などのガス供給源３３に接続され
ている。上記導入口３１は、上記窓部材２４の下面から
図１にＨで示す寸法だけ下方の箇所に形成されている。
この寸法Ｈは、２０ｍｍ以内であって、好ましくは１０
〜２０ｍｍがよい。On the peripheral wall of the upper body 21, a plurality of inlets 31 having one end opened to the excitation chamber 22 are formed at equal intervals in the circumferential direction, for example, at intervals of 90 degrees. One end of a gas introduction pipe 32 is connected to the other end of each introduction port 31. The other end of each gas introduction pipe 32 is connected to a gas supply source 33 such as a reactive gas suitable for etching the object 14 to be processed, such as CF 4 or CCl 2 F 2 . The inlet 31 is formed at a position below the lower surface of the window member 24 by a dimension indicated by H in FIG.
This dimension H is within 20 mm, preferably 10
-20 mm is good.
【００１８】なお、上記各吸引管１６とガス導入管３２
とは周方向において所定角度、たとえば４５度ずれて設
けられている。それによって、励起室２２に供給される
反応性ガスの供給位置と、処理室１１における吸引位置
とが一致せずにずれるから、励起室２２における反応性
ガスの分布状態や処理室におけるラジカルの分布状態の
均一化が計れれる。Incidentally, each of the suction pipes 16 and the gas introduction pipe 32 described above.
And are offset from each other by a predetermined angle in the circumferential direction, for example, 45 degrees. As a result, the supply position of the reactive gas supplied to the excitation chamber 22 and the suction position in the processing chamber 11 do not coincide with each other and are displaced, so that the distribution state of the reactive gas in the excitation chamber 22 and the distribution of the radicals in the processing chamber 22. The state can be made uniform.
【００１９】上記構成のエッチング装置において、被処
理物１４をエッチング加工する場合について説明する。
排気ポンプ１７を作動させて処理室１１を減圧しながら
この処理室１１に連通する励起室２２に反応性ガスを供
給し、さらにマイクロ波発生源２７を作動させてマイク
ロ波を発生させる。A case where the object 14 to be processed is etched in the etching apparatus having the above structure will be described.
While evacuating the processing chamber 11 by operating the exhaust pump 17, the reactive gas is supplied to the excitation chamber 22 communicating with the processing chamber 11, and the microwave generation source 27 is operated to generate microwaves.
【００２０】上記マイクロ波発生源２７で発生したマイ
クロ波は拡散板２９でその面積全体にわたって拡散さ
れ、窓部材２４を透過して励起室２２へ入射する。それ
によって、励起室２２において反応性ガスがマイクロ波
により励起されてプラズマ放電が発生する。プラズマ放
電が発生することで、そのプラズマ中に含まれる種々の
成分のうち、エッチング作用に有効であるラジカルはノ
ズル板２３の小孔２６を通過して処理室１１の被処理物
１４の表面をエッチングする。The microwave generated by the microwave generation source 27 is diffused by the diffusion plate 29 over its entire area, passes through the window member 24, and enters the excitation chamber 22. As a result, the reactive gas is excited by the microwaves in the excitation chamber 22 to generate plasma discharge. When plasma discharge is generated, among the various components contained in the plasma, radicals that are effective for the etching action pass through the small holes 26 of the nozzle plate 23 and reach the surface of the workpiece 14 in the processing chamber 11. Etching.
【００２１】一方、プラズマ中に含まれ、エッチング加
工に悪影響を及ぼす成分、たとえばイオンは、上記ノズ
ル板２３が金属製でグランドＧにア−スされていること
により、このノズル板２３からグランドＧへ流れ、処理
室１１へ流入するのが阻止される。そのため、上記被処
理物１４をエッチング加工する際に、プラズマによりダ
メ−ジを受けることがない。On the other hand, components contained in the plasma and adversely affecting the etching process, such as ions, are discharged from the nozzle plate 23 because the nozzle plate 23 is made of metal and is grounded to the ground G. And is prevented from flowing into the processing chamber 11. Therefore, no damage is caused by the plasma when etching the object 14 to be processed.
【００２２】上記処理室１１はノズル板２３を介して励
起室２２と隣接しているから、励起室２２で発生したプ
ラズマ中の、とくにエッチングに有効な成分であるラジ
カルの輸送距離を短かくすることができる。そのため、
プラズマ中のラジカルは活性状態を失うことなく処理室
１１へ到達するから、エッチングレ−トの向上が計れ
る。Since the processing chamber 11 is adjacent to the excitation chamber 22 via the nozzle plate 23, the transport distance of radicals, which are components particularly effective for etching, in the plasma generated in the excitation chamber 22 is shortened. be able to. for that reason,
Since the radicals in the plasma reach the processing chamber 11 without losing the active state, the etching rate can be improved.
【００２３】すなわち、処理室１１と励起室２２とを上
下方向に隣接させることで、ラジカルの輸送距離を短く
してエッチングレ−トを向上させても、上記励起室２２
で発生するプラズマによって被処理物１４がダメ−ジを
受けるのを、ノズル板２３で阻止することができる。That is, by adjoining the processing chamber 11 and the excitation chamber 22 in the vertical direction, even if the radical transport distance is shortened and the etching rate is improved, the excitation chamber 22 is
The nozzle plate 23 can prevent the object 14 to be damaged from being damaged by the plasma generated in the above step.
【００２４】上記励起室２２には、周方向に等間隔で複
数のガス導入管３２が接続さているから、その内部には
反応性ガスが均一に供給される。それによって、励起室
２２内におけるプラズマ状態も均一となる。また、処理
室１１の周壁には複数の吸引管１６が周方向に等間隔で
接続されているから、処理室１１内で発生する吸引力も
均一となる。Since a plurality of gas introduction pipes 32 are connected to the excitation chamber 22 at equal intervals in the circumferential direction, the reactive gas is uniformly supplied to the inside thereof. As a result, the plasma state in the excitation chamber 22 also becomes uniform. Further, since the plurality of suction pipes 16 are connected to the circumferential wall of the processing chamber 11 at equal intervals in the circumferential direction, the suction force generated in the processing chamber 11 is also uniform.
【００２５】これらのことによって、励起室２２で発生
したプラズマ中のラジカルは、処理室１１内に均一に流
入するから、この処理室１１に設置された被処理物１４
に対してエッチングも均一に行われることになる。As a result, the radicals in the plasma generated in the excitation chamber 22 uniformly flow into the processing chamber 11, so that the object to be processed 14 placed in the processing chamber 11 is processed.
However, the etching is also performed uniformly.
【００２６】さらに、励起室２２を３００ｍｍ以上の大
口径とし、さらに導入口３１を窓部材２４の下面側から
２０ｍｍ以内に接続したことで、反応ガスが効率よくマ
イクロ波のエネルギを吸収してプラズマを安定した状態
で発生させることができる。そのため、このことによっ
てもエッチングレ−トを向上させることができる。Further, the excitation chamber 22 has a large diameter of 300 mm or more, and the inlet 31 is connected within 20 mm from the lower surface side of the window member 24, so that the reaction gas efficiently absorbs microwave energy and plasma Can be generated in a stable state. Therefore, this can also improve the etching rate.
【００２７】図３に示す従来構造のエッチング装置と、
この発明の装置とでエッチングレ−トの差を実験により
比較した。被処理物１４の材料はＭｏ−Ｔａ、反応性ガ
スとしてはＣＦ4 ／Ｏ2 ＝400 ／600 、マイクロ波発生
源２７に印加する電力は600Ｗ、被処理物１４の温度は
３０℃とした。An etching apparatus having a conventional structure shown in FIG. 3,
The difference in etching rate between the device of the present invention and the device of the present invention was compared by experiments. The material of the object to be processed 14 was Mo-Ta, the reactive gas was CF 4 / O 2 = 400/600, the electric power applied to the microwave generation source 27 was 600 W, and the temperature of the object to be processed 14 was 30 ° C.
【００２８】その場合、従来構造のエッチング装置では
エッチングレ−トが250 オングストロ−ム／min であっ
たが、この発明の装置では550 オングストロ−ム／min
に向上することが確認された。In this case, the etching rate of the conventional etching apparatus is 250 Å / min, whereas the etching rate of the apparatus of the present invention is 550 Å / min.
It was confirmed to improve.
【００２９】なお、この発明は上記一実施例に限定され
ず、種々変形可能である。たとえば、この発明の装置の
用途はエッチング加工だけでなく、ＣＶＤやアッシング
などにも適用することができ、要はプラズマプロセスで
あればよい。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but can be variously modified. For example, the application of the apparatus of the present invention can be applied not only to etching processing but also to CVD, ashing and the like, and the point is that it is a plasma process.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、反応性ガ
スを励起してプラズマ状態とする励起室と、被処理物が
設置される処理室とを連設し、上記処理室と励起室と
を、上記処理室で発生したプラズマ中の、上記被処理物
を表面処理するのに有効な成分だけを通過させる規制手
段によって隔別するようにした。As described above, according to the present invention, the exciting chamber for exciting the reactive gas into the plasma state and the treating chamber in which the object to be treated is installed are connected to each other. And are separated by a restricting means that allows only a component effective for surface-treating the object to be processed in the plasma generated in the processing chamber to pass therethrough.
【００３１】そのため、上記有効成分の輸送距離を短く
し被処理物に対して効率よく作用させることができるば
かりか、上記規制手段によって被処理物にダメ−ジを与
える成分が上記処理室へ入り込むのを阻止できるから、
これらのことにより、プラズマプロセスにおける処理速
度や処理性能の向上を計ることができる。Therefore, not only can the transporting distance of the active ingredient be shortened so that the active ingredient can be made to act efficiently, but also the ingredient that gives damage to the article by the regulating means enters the processing chamber. Because it can prevent
With these, the processing speed and processing performance in the plasma process can be improved.
【図１】この発明の一実施例の全体構成図。FIG. 1 is an overall configuration diagram of an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.
【図３】従来の装置の構成図。FIG. 3 is a configuration diagram of a conventional device.
１１…処理室、 １４…被処理物、 １６
…吸引管、１７…吸引ポンプ、 ２２…励起室、
２３…ノズル板、２４…窓部材、 ２７…マ
イクロ波発生源、 ２８…導波管、３３…ガス供給源。11 ... Processing chamber, 14 ... Object to be processed, 16
... Suction tube, 17 ... Suction pump, 22 ... Excitation chamber,
23 ... Nozzle plate, 24 ... Window member, 27 ... Microwave generation source, 28 ... Waveguide, 33 ... Gas supply source.
Claims (6)
スによって被処理物の表面を処理する表面処理装置にお
いて、 上記反応性ガスが供給される励起室と、この励起室に上
記マイクロ波を入射させて上記反応性ガスを励起するマ
イクロ波発生手段と、上記励起室に連設され内部に上記
被処理物が設置される処理室と、上記励起室と処理室と
を隔別し上記励起室で反応性ガスを励起することで発生
したプラズマ中に含まれる成分のうち、上記被処理物を
表面処理するのに有効な成分だけを通過させる規制手段
とを具備したことを特徴とする表面処理装置。1. A surface treatment apparatus for treating the surface of an object to be treated with a reactive gas excited by microwaves, wherein an excitation chamber to which the reactive gas is supplied and the microwave is incident on the excitation chamber. With the microwave generation means for exciting the reactive gas, the processing chamber in which the object to be processed is installed in the excitation chamber, and the excitation chamber and the processing chamber are separated from each other. A surface treatment apparatus comprising: a restricting unit that allows only a component effective for surface-treating the object to be treated among components contained in plasma generated by exciting the reactive gas. .
端から他端の全長にわたって同じに設定されていて、そ
の一端面は上記マイクロ波を導入する窓部材によって閉
塞され、他端面には上記規制手段が設けられていること
を特徴とする請求項１記載の表面処理装置。2. The excitation chamber has the same inner diameter dimension over the entire length from one end to the other end in the height direction, one end surface of which is closed by the window member for introducing the microwave, and the other end surface of which is closed. The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the regulating means is provided.
板であることを特徴とする請求項１記載の表面処理装
置。3. The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the restricting means is a partition plate having small holes formed therein.
で、この励起室には上記窓部材から２０ｍｍ以内の箇所
に上記反応性ガスを導入する導入口が形成されていると
を特徴とする請求項２記載の表面処理装置。4. The inside diameter of the excitation chamber is 300 mm or more, and an introduction port for introducing the reactive gas is formed in the excitation chamber at a position within 20 mm from the window member. Item 2. The surface treatment apparatus according to item 2.
定の間隔で複数設けられていることを特徴とする請求項
４記載の表面処理装置。5. The surface treatment apparatus according to claim 4, wherein a plurality of the inlets are provided at a predetermined interval in the circumferential direction of the excitation chamber.
複数の吸引管が接続されていることを特徴とする請求項
１記載の表面処理装置。6. The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein a plurality of suction pipes are connected to the processing chamber at predetermined intervals in the circumferential direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6073695A JPH07283203A (en) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | Surface treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6073695A JPH07283203A (en) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | Surface treatment device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283203A true JPH07283203A (en) | 1995-10-27 |
Family
ID=13525617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6073695A Pending JPH07283203A (en) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | Surface treatment device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283203A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6076483A (en) * | 1997-03-27 | 2000-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus using a partition panel |
| US6167835B1 (en) | 1997-03-27 | 2001-01-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Two chamber plasma processing apparatus |
| WO2003054949A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2008277773A (en) * | 2007-03-21 | 2008-11-13 | Applied Materials Inc | Gas flow diffuser |
-
1994
- 1994-04-13 JP JP6073695A patent/JPH07283203A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6076483A (en) * | 1997-03-27 | 2000-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus using a partition panel |
| US6167835B1 (en) | 1997-03-27 | 2001-01-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Two chamber plasma processing apparatus |
| WO2003054949A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US7329609B2 (en) | 2001-12-13 | 2008-02-12 | Tadahiro Ohmi | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2008277773A (en) * | 2007-03-21 | 2008-11-13 | Applied Materials Inc | Gas flow diffuser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5945351A (en) | Method for etching damaged zones on an edge of a semiconductor substrate, and etching system | |
| US5591268A (en) | Plasma process with radicals | |
| US6564810B1 (en) | Cleaning of semiconductor processing chambers | |
| JPH07283203A (en) | Surface treatment device | |
| JP2000348898A (en) | Method for generating surface wave excited plasma | |
| JPS6025234A (en) | Microwave plasma processor | |
| JPH08158073A (en) | Chemical dry etching device | |
| JP3839570B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP2967681B2 (en) | Microwave plasma processing equipment | |
| JP2697464B2 (en) | Microwave plasma processing equipment | |
| JP2013186970A (en) | Plasma processing device | |
| JPH07335633A (en) | Plasma treating device | |
| JPH02141576A (en) | Plasma process device | |
| JP3042347B2 (en) | Plasma equipment | |
| JP2000012289A (en) | Plasma treatment device | |
| JP2001044175A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH05198531A (en) | Surface processor | |
| JPH05326453A (en) | Microwave plasma treatment equipment | |
| JPH0570956A (en) | Microwave absorption plasma treating device having magnetic field | |
| JPH0637052A (en) | Semiconductor processing device | |
| JPS63100186A (en) | Microwave plasma treating device | |
| JPH02149339A (en) | Apparatus for microwave plasma treatment | |
| JPS62221116A (en) | Plasma treating apparatus | |
| JPH05335274A (en) | Plasma generation device | |
| JPS63114985A (en) | Plasma device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041028 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050125 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050412 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050420 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |