JP2008010579A - Semiconductor device manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置製造装置に関するものであって、特に、真空排気系を有する反応容器内に反応ガスを導入し、ウエハステージと高周波電極との間に印加される高周波電圧によってプラズマを発生させ、ウエハステージに載置されたウエハに対して成膜、エッチングする半導体装置製造装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and in particular, a reaction gas is introduced into a reaction vessel having an evacuation system, and plasma is generated by a high-frequency voltage applied between a wafer stage and a high-frequency electrode. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus that forms and etches a wafer placed on a wafer stage.
従来、半導体装置を製造するために、プラズマ処理装置等の半導体装置製造装置が広く用いられている。図3に従来のプラズマ処理装置であるプラズマ化学的気相成長(以下、プラズマCVD)装置の概略構成を示す。図3に示すように、従来のプラズマ処理装置は、プラズマ処理を行うための容器であり真空排気系のポンプ102を有する反応容器101と、ウエハ104を載置するとともに下部電極を兼ねるウエハステージ103と、高周波電源105と、反応容器101に反応ガスを導入する反応ガス導入系106と、反応容器内に導入された高周波電極107と、高周波電極を兼ねるガスシャワープレート108と、を備えて構成されている。
Conventionally, in order to manufacture a semiconductor device, a semiconductor device manufacturing apparatus such as a plasma processing apparatus has been widely used. FIG. 3 shows a schematic configuration of a plasma chemical vapor deposition (hereinafter referred to as plasma CVD) apparatus which is a conventional plasma processing apparatus. As shown in FIG. 3, a conventional plasma processing apparatus is a container for performing plasma processing, a
つぎに、このようなプラズマCVD装置の動作について説明する。まず、ウエハステージ103上に、成膜対象であるシリコン材料などからなるウエハ104を載置する。つぎに、反応ガス導入系106から反応容器101に反応ガスを導入する。反応容器101に導入された反応ガスは、ガスシャワープレート108で分散され、反応容器101内に散布される。
Next, the operation of such a plasma CVD apparatus will be described. First, a
つぎに、高周波電源105により高周波電圧を印加すると、高周波電極107、ガスシャワープレート108を通じて反応容器101内の反応ガスに高周波電圧が加わってプラズマ化し、ウエハ104に成膜を行う。反応容器101に導入される反応ガスは、成膜する膜がシリコン酸化膜である場合には、たとえばテトラエトキシシランと酸素、またはシランと酸素、亜酸化窒素等である。
Next, when a high-frequency voltage is applied by the high-
このようなプラズマCVD装置において、ステージヒーターはウエハを載せるホルダー、およびプラズマ反応を起す電極として構成される。そして、ステージヒーターは、処理時には400℃〜700℃の温度になる装置内部の雰囲気に置かれるとともに、プラズマ輻射等により熱サイクルが大きく変化する環境下にある。 In such a plasma CVD apparatus, the stage heater is configured as a holder for placing a wafer and an electrode for causing a plasma reaction. The stage heater is placed in an atmosphere inside the apparatus at a temperature of 400 ° C. to 700 ° C. during processing, and is in an environment where the thermal cycle is greatly changed by plasma radiation or the like.
この熱サイクルは繰り返し行われるため、ステージヒーターは、熱衝撃に対して高い耐久性が要求される。また、ステージヒーターは、ヒーターからの熱を効率よくウエハに伝える必要があるとともに成膜用ガス、エッチング用ガス等に対して耐食性があることが要求される。 Since this thermal cycle is repeated, the stage heater is required to have high durability against thermal shock. Further, the stage heater is required to efficiently transfer heat from the heater to the wafer and to have corrosion resistance against a film forming gas, an etching gas, and the like.
このような従来のステージヒーターの基材は、窒化アルミニウム、アルマイト処理したアルミニウム、耐食処理されていないアルミニウム(A5052)材が使用されていた。近年、成膜速度が高くなるにつれて、ステージヒーターの損傷が激しく寿命が短いため、より耐食性、熱衝撃に対して耐久性の高いものが求められるようになった。 As a base material for such a conventional stage heater, aluminum nitride, anodized aluminum, or an aluminum (A5052) material not subjected to corrosion resistance has been used. In recent years, as the film formation rate increases, the stage heater is severely damaged and has a short life, so that a corrosion resistance and a high durability against thermal shock have been demanded.
ところで、周知のように半導体製造プロセスのCVDプロセスにおいて使用されているガスは、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)、フッ化ゲルマニウム(GeF4)、六フッ化エタン(C2F6)、三フッ化窒素(NF3)、八フッ化プロパン(C3F8)、三フッ化塩素(ClF3)等がある。これらのガスがステージヒーターの基材に接触すると、ガス中のフッ素成分がステージヒーターの基材のアルミニウム成分と反応してフッ化物皮膜を生成する。そして、このフッ化物皮膜は、ステージヒーターの基材から剥離してプラズマCVD装置の内部を浮遊した後、ウエハ表面に付着する虞があった。また、ステージヒーター基材の腐食による汚染の問題があった。 As is well known, gases used in the CVD process of the semiconductor manufacturing process are silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), germanium fluoride (GeF 4 ), and hexafluoroethane (C 2 F). 6 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), octafluoropropane (C 3 F 8 ), chlorine trifluoride (ClF 3 ) and the like. When these gases come into contact with the substrate of the stage heater, the fluorine component in the gas reacts with the aluminum component of the substrate of the stage heater to produce a fluoride film. And this fluoride membrane | film | coat peeled from the base material of a stage heater, and there existed a possibility of adhering to the wafer surface, after floating inside the plasma CVD apparatus. Moreover, there was a problem of contamination due to corrosion of the stage heater base material.
また、プラズマCVD装置は、真空チャンバ内のステージヒーターの上にウエハを載置し、低圧反応ガス雰囲気でプラズマを発生させCVD処理するものであり、ウエハの処理条件に応じてステージヒーターを介してウエハの加熱冷却が行われる。ここで、ステージヒーターの表面の損傷がある場合には、ウエハの加熱冷却の均一性に支障が生じる。そして、ウエハの温度制御、すなわちウエハの過熱冷却の均一性は、ウエハの処理品質に大きく影響する。 In addition, the plasma CVD apparatus is configured to place a wafer on a stage heater in a vacuum chamber, generate plasma in a low-pressure reaction gas atmosphere, and perform a CVD process. The wafer is heated and cooled. Here, when there is damage on the surface of the stage heater, the uniformity of heating and cooling of the wafer is hindered. The temperature control of the wafer, that is, the uniformity of overheating cooling of the wafer greatly affects the processing quality of the wafer.
また、プラズマCVD装置の連続運転中に、プラズマアタックによりステージヒーター表面に前述したようにフッ化物(AlF系)異物が発生する問題、反応ガスによる腐食の問題は、ウエハの処理品質に重大な悪影響を及ぼすことになる。 In addition, during the continuous operation of the plasma CVD apparatus, the problem that fluoride (AlF) foreign matter is generated on the surface of the stage heater due to plasma attack and the problem of corrosion due to the reactive gas have a serious adverse effect on the wafer processing quality. Will be affected.
以下に、従来の基材を用いたステージヒーターについて図4および図5を用いて説明する。図4は、従来のプラズマCVD装置のチャンバの断面模式図である。図5は、図4における部分Bを拡大して示す模式図である。図4に示すように、このプラズマCVD装置では、真空チャンバ111内に設けられたステージヒーター112の上面に下部電極113が固定ネジ114で固定されて設けられ、該ステージヒーター112からのウエハ115への熱伝達を効率良く均一化できるように構成されている。
Below, the stage heater using the conventional base material is demonstrated using FIG. 4 and FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a chamber of a conventional plasma CVD apparatus. FIG. 5 is an enlarged schematic view showing a portion B in FIG. As shown in FIG. 4, in this plasma CVD apparatus, a
ウエハ115は、ステージヒーター112の上面に設けられた下部電極113の上に載置される。また、真空チャンバ111の上方に設けられたガス導入口116から、前述したような反応ガスがシャワープレート117を介してウエハ115表面に均一に散布され、図示していない真空ポンプでガス排気口118から排気され、真空チャンバ111内は低圧雰囲気に保持される。また、図示していないDC電源装置により、シャワープレート117はプラス極として、ステージヒーター112はマイナス極として、直流電圧が印加されるように構成されている。
The
このようにプラズマCVD装置では、真空チャンバ111内に電力を投入して生成するプラズマで、すなわち原子や分子がイオンと電子とに解離した状態で反応ガスを分解し、ウエハ上に低温で材料を均一に堆積させて成膜することができる。
As described above, in the plasma CVD apparatus, plasma is generated by applying electric power to the
また、図4に示すプラズマCVD装置では、成膜時または成膜後、たとえば八フッ化プロパン(C3F8)等のクリーニングガスを真空チャンバ111内に導入し、図5に示すようにウエハ115およびステージヒーター112、下部電極113、真空チャンバ111内に付着したフッ化物(AlF系)異物119等を排出することができる。
Further, in the plasma CVD apparatus shown in FIG. 4, a cleaning gas such as octafluoropropane (C 3 F 8 ) is introduced into the
しかしながら、プラズマアタックにより下部電極113とステージヒーター112との隙間および外表面にAlF系異物119が発生し、クリーニングが完全にできない、または腐食等の問題が発生する。この場合、短時間で図4のように固定ネジ114の周辺、特に下部電極113とステージヒーター112の上面との隙間にフッ化物(AlF系)異物119が発生する。そして、ステージヒーター111は、腐食性反応ガス、高温雰囲気、プラズマ中での条件下で使用されるため短期間で損傷し、使用不可になるため、ウエハの処理品質や経済的な問題の発生は避けられなかった。
However, the plasma attack causes AlF-based
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、処理品質および耐久性に優れた半導体装置製造装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a semiconductor device manufacturing apparatus excellent in processing quality and durability.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる半導体装置製造装置は、反応ガスを導入する反応容器と、反応容器内に設けられて高周波電圧によってプラズマを発生させる一対の高周波電極と、反応容器内に設けられて処理対象物を保持する保持部材と、処理対象物を加熱するヒータ部材と、を備え、反応容器内に配設される部材の外表面に耐食性被膜が形成されていること、を特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention includes a reaction vessel for introducing a reaction gas, and a pair of high-frequency waves that are provided in the reaction vessel and generate plasma by a high-frequency voltage. An electrode, a holding member that is provided in the reaction vessel and holds the object to be processed, and a heater member that heats the object to be processed, and a corrosion-resistant film is formed on the outer surface of the member disposed in the reaction vessel It is characterized by that.
この発明によれば、反応容器内に配設される部材の外表面に耐食性被膜が形成することにより、反応ガス中の成分と部材の構成材料の成分との化学反応を抑制、防止することができ、ウエハの処理品質および耐久性に優れた半導体装置製造装置を得ることができる。 According to this invention, by forming a corrosion-resistant film on the outer surface of the member disposed in the reaction vessel, the chemical reaction between the component in the reaction gas and the component of the component material can be suppressed and prevented. In addition, a semiconductor device manufacturing apparatus excellent in wafer processing quality and durability can be obtained.
以下に、本発明にかかる半導体装置製造装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため構成部材間の縮尺が異なる場合がある。 Embodiments of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to the following description, In the range which does not deviate from the summary of this invention, it can change suitably. In the drawings shown below, the scales between the constituent members may be different for easy understanding.
実施の形態
図1は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置製造装置であるプラズマCVD装置の概略構成を示す模式図である。図2は、図1における部分Aを拡大して示す模式図である。図1に示すように、本実施の形態にかかるプラズマCVD装置は、真空チャンバ(反応容器)1と、ステージヒーター2と、下部電極3と、固定ネジ4と、高周波電極5と、ガスシャワープレート7と、を備えて構成されている。
Embodiment FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus which is a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged schematic view showing a portion A in FIG. As shown in FIG. 1, a plasma CVD apparatus according to this embodiment includes a vacuum chamber (reaction vessel) 1, a
反応容器1は、プラズマ処理を行うための容器であり、真空チャンバ(反応容器)1にガスを導入するガス導入口6と、真空チャンバ(反応容器)1からガスを排気するガス排気口8と、図示しない真空排気系のポンプと、を有する。
The reaction vessel 1 is a vessel for performing plasma processing, and includes a
また、このプラズマCVD装置では、真空チャンバ(反応容器)1内に設けられたステージヒーター2の上面に下部電極3が固定ネジ4で固定されて設けられ、該ステージヒーター2からのウエハ9への熱伝達を効率良く均一化できるように構成されている。また、高周波電極5とガスシャワープレート7とは、図示しない固定ネジによって固定されている。さらに、ステージヒーター2の外表面には耐食性皮膜10が形成されることにより、耐食処理が施されている。
Further, in this plasma CVD apparatus, a
ここで、耐食性皮膜10は、熱膨張率、熱伝導率が高く、また反応ガスに対する耐食性に優れた膜である。熱伝導率が高いことで、ステージヒーター2からの熱を効率よくウエハ9に伝えることができ、また熱衝撃に対して優れた耐久性を発揮する。また、耐食性皮膜10の熱膨張率が該耐食性皮膜10が形成される基材の構成材料の熱膨張率よりも大きいことで、熱膨張に起因した亀裂の発生や剥離が生じにくくなる。反応ガスに対する耐食性に優れることで、反応ガスとステージヒーター2との間に介在し続け、反応ガスの成分とステージヒーター2の成分との化学反応を抑制可能となる。
Here, the corrosion-
また、耐食性皮膜10は、ステージヒーター2を構成する部品よりも熱膨張係数の大きい材料で皮膜されていることが好ましい。これにより、下部電極3の熱膨張により耐食性皮膜10に亀裂が入ったり剥離したりして耐食性皮膜10によるステージヒーター2の防食状態が壊れることがない。
Moreover, it is preferable that the corrosion
また、耐食性皮膜10の膜厚は、たとえば0.1μm〜500μmの厚さとされる。耐食性皮膜10の膜厚をこのような範囲とすることにより、後述する本発明の効果を確実に得ることができ、また効率良く耐食性皮膜10を形成することができる。
Moreover, the film thickness of the corrosion-resistant film |
本実施の形態においては、耐食性皮膜10は、熱膨張率、熱伝導率が高く、またたとえばフッ素成分とステージヒーター2のアルミニウム成分との化学反応を抑制可能な耐食性材料からなる膜である。このような耐食性材料としては、たとえばニッケル、クロム、チタン、ハステロイ、ニッケル合金(たとえばインコネル(登録商標))、ダイヤモンドなどの材料を用いることができる。
In the present embodiment, the corrosion-
ウエハ9は、ステージヒーター2の上面に設けられた下部電極3の上に載置される。また、真空チャンバ(反応容器)1の上方に設けられたガス導入口6から、反応ガスがガスシャワープレート7を介してウエハ9の表面に均一に散布され、図示していない真空ポンプでガス排気口8から排気され、真空チャンバ(反応容器)1内は低圧雰囲気に保持される。
The
ここで、CVDプロセスにおいて使用されるガス、すなわち真空チャンバ(反応容器)1に導入されるガスとしては、たとえばシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)、フッ化ゲルマニウム(GeF4)、六フッ化エタン(C2F6)、三フッ化窒素(NF3)、八フッ化プロパン(C3F8)、三フッ化塩素(ClF3)等があり、成膜する膜がシリコン酸化膜である場合には、たとえばテトラエトキシシランと酸素、またはシランと酸素、亜酸化窒素等が使用される。 Here, as the gas used in the CVD process, that is, the gas introduced into the vacuum chamber (reaction vessel) 1, for example, silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), germanium fluoride (GeF 4 ), There are hexafluoroethane (C 2 F 6 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), octafluoropropane (C 3 F 8 ), chlorine trifluoride (ClF 3 ), etc. In the case of a film, for example, tetraethoxysilane and oxygen, or silane and oxygen, nitrous oxide, or the like is used.
また、図示していないDC電源装置(高周波電源装置)により、ガスシャワープレート7はプラス極として、下部電極3はマイナス極として、直流電圧が印加されるように構成されている。
Further, a DC voltage is applied by a DC power supply (high frequency power supply) (not shown) so that the
このようにプラズマCVD装置では、真空チャンバ(反応容器)1内に電力を投入して生成するプラズマで、すなわち原子や分子がイオンと電子とに解離した状態で反応ガスを分解し、ウエハ上に低温で材料を均一に堆積させて成膜することができる。 As described above, in the plasma CVD apparatus, plasma is generated by supplying electric power to the vacuum chamber (reaction vessel) 1, that is, the reaction gas is decomposed in a state where atoms and molecules are dissociated into ions and electrons, and the plasma is generated on the wafer. A film can be formed by uniformly depositing a material at a low temperature.
つぎに、このように構成された本実施の形態にかかるプラズマCVD装置の動作について説明する。まず、下部電極3上に、成膜対象であるシリコン材料などからなるウエハ9を載置する。つぎに、ガス導入口6から真空チャンバ(反応容器)1に反応ガスを導入する。真空チャンバ(反応容器)1に導入された反応ガスは、ガスシャワープレート7で分散され、真空チャンバ(反応容器)1内に散布される。
Next, the operation of the plasma CVD apparatus according to this embodiment configured as described above will be described. First, a
つぎに、図示していないDC電源装置(高周波電源装置)により、高周波電極5をプラス極、下部電極3をマイナス極として、直流電圧を印加すると、高周波電極5、下部電極3を通じて真空チャンバ(反応容器)1内の反応ガスに高周波電圧が加わってプラズマ化し、ウエハ9に成膜を行う。すなわち、プラズマを生成させ、原子や分子がイオンと電子とに解離した状態で反応ガスを分解し、ウエハ9上に低温で材料を均一に堆積させて成膜する。
Next, when a DC voltage is applied by a DC power supply (high frequency power supply) (not shown) with the
以上のような、本実施の形態にかかるプラズマCVD装置においては、熱膨張によりステージヒーター2に反りが生じ、下部電極3との間に隙間、空間が発生して反応ガス中の成分、特にフッ素成分が侵入した場合においても、ステージヒーター2の表面に耐食性皮膜10が形成されていることにより、反応ガス中の成分(特にフッ素成分)とステージヒーター2の構成材料の成分(特にアルミニウム)との化学反応が抑制、防止され、物理的な接続が保たれる。これにより、プラズマ状態、ウエハへの熱伝導状態が安定化し、ひいては安定した成膜を行うことができる。
In the plasma CVD apparatus according to the present embodiment as described above, the
そして、反応ガス中の成分(特にフッ素成分)とステージヒーター2の構成材料の成分(特にアルミニウム)との化学反応による反応生成物(たとえばフッ化物)の生成が抑制、防止されるため、該反応生成物がプラズマCVD装置の内部を浮遊し、ウエハ表面に付着することが抑制、防止される。また、反応ガス中の成分(特にフッ素成分)によるステージヒーター2の基材の腐食に起因した真空チャンバ(反応容器)1内の汚染が抑制、防止される。
And since the production | generation of the reaction product (for example, fluoride) by the chemical reaction with the component (especially fluorine component) in reaction gas and the component (especially aluminum) of the constituent material of the
また、ステージヒーター2の表面に耐食性皮膜10が形成されていることにより、反応ガス中の成分(特にフッ素成分)とステージヒーター2の構成材料の成分(特にアルミニウム)との化学反応が抑制、防止されるため、ステージヒーター2の表面に損傷が生じることが抑制、防止される。これにより、ステージヒーター2の表面の損傷に起因したウエハの過熱冷却の均一性の変動、すなわち、ウエハ9の処理品質の変動が抑制、防止される。
Further, since the corrosion-
また、ステージヒーター2の表面に耐食性皮膜10が形成されていることにより、反応ガス中の成分(特にフッ素成分)とステージヒーター2の構成材料の成分(特にアルミニウム)との化学反応が抑制、防止されるため、使用可能期間を長くすることができ、反応ガスとの化学反応に起因したステージヒーター2の損傷によるステージヒーター2の交換回数を低減することができる。これにより、ステージヒーター2の長寿命化を図ることができ、プラズマCVD装置の長寿命化を図ることができる。
Further, since the corrosion-
また、図1に示す本実施の形態にかかるプラズマCVD装置では、成膜時または成膜後、たとえば八フッ化プロパン(C3F8)等のクリーニングガスを真空チャンバ(反応容器)1内に導入し、図2に示すようにウエハ9およびステージヒーター2、下部電極3、真空チャンバ(反応容器)1内に付着した異物等を排出することができる。
In the plasma CVD apparatus according to the present embodiment shown in FIG. 1, a cleaning gas such as octafluoropropane (C 3 F 8 ) is supplied into the vacuum chamber (reaction vessel) 1 during or after film formation. Introduced, as shown in FIG. 2, foreign matter and the like attached to the
このとき、本実施の形態にかかるプラズマCVD装置では、反応ガス中の成分(特にフッ素成分)とステージヒーター2の構成材料の成分(特にアルミニウム)との化学反応による反応生成物(たとえばフッ化物)の生成が抑制、防止されるため、容易に且つ清浄度良くクリーニングをすることができる。
At this time, in the plasma CVD apparatus according to the present embodiment, a reaction product (for example, fluoride) due to a chemical reaction between a component (particularly a fluorine component) in the reaction gas and a component (particularly, aluminum) of the constituent material of the
また、耐食性皮膜10は、必ずしもステージヒーター2の全表面に施されている必要はく、一部分に施しても良い。しかしながら、ステージヒーター2の外表面の全てに施されていることが好ましい。これにより、本発明の効果をより効果的に得ることができる。
Further, the corrosion-
また、耐食性皮膜10は、必ずしもステージヒーター2の表面に施されている必要はなく、下部電極3の表面に施しても良い。この場合には、反応ガスのフッ素成分と下部電極3の構成材料の成分との化学反応を抑制可能である。
Further, the corrosion
そして、耐食性皮膜10は、ステージヒーター2の表面と、下部電極3の表面と、に施されていることが好ましい。これにより、本発明の効果をより効果的に得ることができる。
The corrosion
また、耐食性皮膜10は、必ずしも真空チャンバ(反応容器)1内の部品の全表面に施されている必要はない。しかしながら、真空チャンバ(反応容器)1内の部品の外表面の全てに施されていることが好ましい。これにより、本発明の効果をより効果的に得ることができる。
Further, the corrosion
また、以上においては、プラズマCVD装置を例に本発明を説明したが、プラズマエッチング装置についても同様に上述した本発明の効果を得ることができる。 In the above description, the present invention has been described by taking a plasma CVD apparatus as an example. However, the above-described effects of the present invention can also be obtained for a plasma etching apparatus.
以上のように、本発明にかかる半導体装置製造装置は、反応容器内に反応ガスを導入して高周波電圧によってプラズマを発生させる反応処理を利用する場合に有用である。 As described above, the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention is useful when using a reaction process in which a reaction gas is introduced into a reaction vessel and plasma is generated by a high-frequency voltage.
1 反応容器
2 ステージヒーター
3 下部電極
4 固定ネジ
5 高周波電
6 ガス導入口
7 ガスシャワープレート
8 ガス排気口
9 ウエハ
10 耐食性皮膜
101 反応容器
102 ポンプ
103 ウエハステージ
104 ウエハ
105 高周波電源
106 反応ガス導入系
107 高周波電極
108 ガスシャワープレート
111 ステージヒーター
111 真空チャンバ
112 ステージヒーター
113 下部電極
114 固定ネジ
115 ウエハ
116 ガス入口
117 シャワープレート
118 ガス排気口
119 フッ化物(AlF系)異物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (9)
前記反応容器内に設けられて高周波電圧によってプラズマを発生させる一対の高周波電極と、
前記反応容器内に設けられて処理対象物を保持する保持部材と、
前記処理対象物を加熱するヒータ部材と、
を備え、
前記反応容器内に配設される部材の外表面に耐食性被膜が形成されていること、
を特徴とする半導体装置製造装置。 A reaction vessel for introducing a reaction gas;
A pair of high-frequency electrodes provided in the reaction vessel to generate plasma by a high-frequency voltage;
A holding member that is provided in the reaction vessel and holds an object to be processed;
A heater member for heating the object to be treated;
With
A corrosion-resistant coating is formed on the outer surface of the member disposed in the reaction vessel;
A semiconductor device manufacturing apparatus.
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置製造装置。 The corrosion-resistant film has a corrosion-resistant film formed on the outer surface of at least one of the pair of high-frequency electrodes;
The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1.
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置製造装置。 The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the corrosion-resistant film is formed on a part of the high-frequency electrode.
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置製造装置。 The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the corrosion-resistant film is formed on the entire outer surface of the high-frequency electrode.
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置製造装置。 The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the corrosion-resistant film is formed on an outer surface of the heater member.
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置製造装置。 The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the corrosion-resistant film is formed on the entire inner surface of the reaction vessel.
を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置製造装置。 7. The semiconductor device according to claim 1, wherein a coefficient of thermal expansion of the corrosion-resistant film is larger than a coefficient of thermal expansion of a material constituting the base material on which the corrosion-resistant film is formed. Manufacturing equipment.
を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置製造装置。 The constituent material of the corrosion-resistant film is at least one selected from the group consisting of nickel, chromium, titanium, hastelloy, nickel alloy and diamond. Semiconductor device manufacturing equipment.
を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置製造装置。 The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the corrosion-resistant film has a thickness of 0.1 μm to 500 μm.
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