JPH07263474A - Coating apparatus for semiconductor wafer - Google Patents

Coating apparatus for semiconductor wafer

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JPH07263474A
JPH07263474A JP5040794A JP5040794A JPH07263474A JP H07263474 A JPH07263474 A JP H07263474A JP 5040794 A JP5040794 A JP 5040794A JP 5040794 A JP5040794 A JP 5040794A JP H07263474 A JPH07263474 A JP H07263474A
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chuck
polyimide resin
semiconductor wafer
wafer
coating
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JP5040794A
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Inventor
Mitsuo Sato
満雄 佐藤
Kiyoshi Yoshikawa
清 吉川
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To coat only an end face of a wafer with polyimide resin of uniform thickness and to largely reduce a using amount of the resin. CONSTITUTION:The coating apparatus for a semiconductor wafer comprises a chuck 35 for placing the wafer 12, chuck rotating means for rotating the chuck, coating means for forming polyimide resin films 51 of a predetermined thickness on surfaces of rotary rollers 42, 43 provided horizontally at the time of rotating the rollers, and aligning means for aligning a central mark of the wafer with a center of the chuck. The apparatus further comprises conveying means for placing the wafer on the chuck after aligning of the aligning means, and chuck moving means for so moving to fix the chuck that the oblique end face of the wafer 12 on the chuck is horizontally brought into contact with the film 51 on the surfaces of the rollers.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電力用素子等の半導体
ウェーハにポリイミド樹脂を塗布する半導体ウェーハの
塗布装置に関し、特に半導体ウェーハの端面へポリイミ
ド樹脂を塗布する半導体ウェーハの塗布装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer coating apparatus for coating a semiconductor wafer such as a power element with a polyimide resin, and more particularly to a semiconductor wafer coating apparatus for coating a polyimide resin on an end face of a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】電力用素子の製造工程でのウェーハの端
面は斜面状になっており、該ウェーハの電気的絶縁特性
を向上させるため、その斜面状端面のみにポリイミド樹
脂を塗布する必要がある。
2. Description of the Related Art An end face of a wafer in an electric power device manufacturing process has a sloping shape, and a polyimide resin needs to be applied only to the sloping end face in order to improve electrical insulating characteristics of the wafer. .

【0003】従来、この種の半導体ウェーハの塗布装置
としては、図3(a),(b)に示すようなものがあっ
た。
Conventionally, as a coating apparatus for this type of semiconductor wafer, there has been one as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b).

【0004】図3は、従来の半導体ウェーハの塗布装置
の一構成例を示す図であり、同図(a)は全体の構成を
示す断面図、及び同図(b)はその部分拡大図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of the structure of a conventional semiconductor wafer coating apparatus. FIG. 3 (a) is a sectional view showing the entire structure, and FIG. 3 (b) is a partially enlarged view thereof. is there.

【0005】この塗布装置は、斜面状端面を有するウェ
ーハ101を載置するチャック102を備え、このチャ
ック102は塗布時にモータ103により水平回転する
ようになっている。
This coating apparatus comprises a chuck 102 on which a wafer 101 having a slanted end face is placed, and the chuck 102 is horizontally rotated by a motor 103 during coating.

【0006】そして、チャック102上のウェーハ10
1の端面近傍には、水平回転ローラ111が設けられて
おり、その周囲部にはポリイミド樹脂液溜め用の溝11
2が形成されている。この溝112にはポリイミド樹脂
液用の容器113からポリイミド樹脂液が供給されて、
ポリイミド樹脂液溜め112aが形成される。
Then, the wafer 10 on the chuck 102
A horizontal rotation roller 111 is provided in the vicinity of the end face of No. 1, and a polyimide resin liquid reservoir groove 11 is provided around the horizontal rotation roller 111.
2 is formed. Polyimide resin liquid is supplied to the groove 112 from a container 113 for the polyimide resin liquid,
A polyimide resin liquid reservoir 112a is formed.

【0007】この塗布装置によれば、塗布時に、前記溝
112のポリイミド樹脂溜め112aがウェーハ101
の斜面状端面に接触するように、水平回転ローラ111
を水平移動する。これによって、ポリイミド樹脂液溜め
112a中のポリイミド樹脂液をウェーハ101の斜面
状端面へ移動し、ウェーハ101端面にポリイミド樹脂
121が塗布されることになる。
According to this coating apparatus, at the time of coating, the polyimide resin reservoir 112a of the groove 112 is covered with the wafer 101.
Of the horizontal rotation roller 111 so as to contact the slanted end surface of the
Move horizontally. As a result, the polyimide resin liquid in the polyimide resin liquid reservoir 112a is moved to the inclined end face of the wafer 101, and the polyimide resin 121 is applied to the end face of the wafer 101.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の塗布装置では、次のような問題点があった。 (1)ウェーハ101端面に接する回転ローラ111の
ポリイミド樹脂液溜め112a面が変動するため、塗布
厚のばらつきが大きい。 (2)水平回転ローラ111のポリイミド樹脂溜め11
2aをウェーハ101の斜面状端面に接触させる構成で
は、塗布されてはならないウェーハ表裏面にもポリイミ
ド樹脂液が塗布されてしまう。 (3)ポリイミド樹脂液溜め112aを設けているの
で、高価なポリイミド樹脂液の使用量が増加する。
However, the conventional coating apparatus described above has the following problems. (1) Since the surface of the polyimide resin liquid reservoir 112a of the rotating roller 111 which is in contact with the end surface of the wafer 101 is changed, the coating thickness varies greatly. (2) Polyimide resin reservoir 11 of the horizontal rotation roller 111
In the configuration in which 2a is brought into contact with the inclined end surface of the wafer 101, the polyimide resin liquid is also applied to the front and back surfaces of the wafer that should not be applied. (3) Since the polyimide resin liquid reservoir 112a is provided, the amount of expensive polyimide resin liquid used increases.

【0009】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、ポリイミド樹
脂を均一の塗布厚でウェーハ端面に塗布することができ
る半導体ウェーハの塗布装置を提供することである。ま
たその他の目的は、ポリイミド樹脂をウェーハの端面の
み塗布することが可能な半導体ウェーハの塗布装置を提
供することである。さらにその他の目的は、ポリイミド
樹脂の使用量を大幅に減少させることができる半導体ウ
ェーハの塗布装置を提供することである。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to provide a semiconductor wafer coating apparatus capable of coating a polyimide resin on a wafer end face with a uniform coating thickness. Is to provide. Another object is to provide a semiconductor wafer coating apparatus capable of coating the polyimide resin only on the end surface of the wafer. Still another object is to provide a semiconductor wafer coating apparatus capable of significantly reducing the amount of polyimide resin used.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴は、半導体ウェーハを載置するチャッ
クと、該チャックを回転させるチャック回転手段と、前
記チャックの回転時に該チャック上の半導体ウェーハの
斜面状端面に対してポリイミド樹脂を塗布する塗布手段
とを有する半導体ウェーハの塗布装置において、前記塗
布手段は、水平に設けられた回転ローラを有し、該回転
ローラの回転時にその回転ローラの表面に所定の厚さの
ポリイミド樹脂膜を生成する構成にし、前記半導体ウェ
ーハの中心マークを前記チャックの中心に位置合わせす
る位置合わせ手段と、前記位置合わせ手段による位置合
わせ後に前記半導体ウェーハを前記チャック上に載置す
る搬送手段と、前記チャック上の半導体ウェーハの斜面
状端面が前記回転ローラ表面のポリイミド樹脂膜に水平
に接するように前記チャックを移動固定するチャック移
動手段とを設けたことにある。
In order to achieve the above object, the features of the present invention are: a chuck on which a semiconductor wafer is placed; a chuck rotating means for rotating the chuck; and a chuck on the chuck when the chuck rotates. In a semiconductor wafer coating apparatus having a coating means for coating a polyimide resin on the beveled end surface of the semiconductor wafer, the coating means has a rotating roller provided horizontally, and when the rotating roller rotates, Positioning means for aligning the center mark of the semiconductor wafer with the center of the chuck, and the semiconductor wafer after alignment by the alignment means And a conveying means for mounting the wafer on the chuck and the slanted end surface of the semiconductor wafer on the chuck are rotated. The polyimide resin film over la surface lies in providing the chuck moving means for moving fixing the chuck in contact with the horizontal.

【0011】好ましくは、前記塗布手段は、ポリイミド
樹脂膜を練る水平の第1の回転ローラと、前記第1の回
転ローラの下部に水平に設けられ前記第1の回転ローラ
表面のポリイミド樹脂膜から前記所定の厚さのポリイミ
ド樹脂膜を生成する第2の回転ローラとを備えるように
する。
Preferably, the coating means comprises a horizontal first rotating roller for kneading the polyimide resin film, and a polyimide resin film on the surface of the first rotating roller which is horizontally provided below the first rotating roller. And a second rotating roller for forming the polyimide resin film having the predetermined thickness.

【0012】[0012]

【作用】上述の如き構成によれば、回転ローラは、回転
時にその表面に所定の厚さのポリイミド樹脂膜を生成
し、位置合わせ手段は、半導体ウェーハの中心マークを
チャックの中心に位置合わせする。搬送手段は、その位
置合わせ後にチャック上に半導体ウェーハを載置し、チ
ャック移動手段は、チャック上の半導体ウェーハの斜面
状端面が前記回転ローラ表面のポリイミド樹脂膜に水平
に接するようにチャックを移動固定する。これにより、
ポリイミド樹脂液を回転ローラで一定の厚さにした後、
ウェーハ端面へ転写することができるので、ウェーハ端
面のポリイミド樹脂膜の膜厚のばらつきが低減し、しか
も半導体ウェーハの斜面状端面のみにポリイミド樹脂膜
が転写される。
According to the above-mentioned structure, the rotating roller forms a polyimide resin film having a predetermined thickness on its surface during rotation, and the aligning means aligns the center mark of the semiconductor wafer with the center of the chuck. . The conveying means places the semiconductor wafer on the chuck after the alignment, and the chuck moving means moves the chuck so that the inclined end surface of the semiconductor wafer on the chuck is in horizontal contact with the polyimide resin film on the surface of the rotating roller. Fix it. This allows
After making the polyimide resin liquid a constant thickness with a rotating roller,
Since it can be transferred to the wafer end surface, the variation in the film thickness of the polyimide resin film on the wafer end surface is reduced, and moreover, the polyimide resin film is transferred only to the inclined end surface of the semiconductor wafer.

【0013】また、第1の回転ローラは、ポリイミド樹
脂膜を練り、第2の回転ローラは、第1の回転ローラ表
面のポリイミド樹脂膜から所定の厚さのポリイミド樹脂
膜を生成する。この第2の回転ローラ表面のポリイミド
樹脂膜が半導体ウェーハの斜面状端面に水平に接するこ
とにより、より均一の厚さのポリイミド樹脂が半導体ウ
ェーハの斜面状端面のみに転写される。
The first rotary roller kneads the polyimide resin film, and the second rotary roller produces a polyimide resin film having a predetermined thickness from the polyimide resin film on the surface of the first rotary roller. Since the polyimide resin film on the surface of the second rotating roller is in horizontal contact with the slanted end surface of the semiconductor wafer, the polyimide resin having a more uniform thickness is transferred only to the slanted end surface of the semiconductor wafer.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1(a),(b)は、本発明を実施した半導
体ウェーハの塗布装置を示す図であり、同図(a)はそ
の概略システム断面図、図1(b)は、塗布時の状態を
示す概念図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 (a) and 1 (b) are views showing a semiconductor wafer coating apparatus embodying the present invention. FIG. 1 (a) is a schematic system sectional view thereof, and FIG. 1 (b) is a state during coating. It is a conceptual diagram which shows.

【0015】この塗布装置は、X方向及びY方向に移動
可能なX−Y電動ステージ11を有している。このX−
Y電動ステージ11上には、端面が斜面状の半導体ウェ
ーハ12が搭載され、画像処理ユニット13とこれに電
気的に接続されたカメラ14とにより、X−Y電動ステ
ージ11上で、図2に示す該半導体ウェーハ12の中心
位置認識マーク12aと後述するチャック35の中心と
の位置合わせが行われるようになっている。そして、X
−Y電動ステージ11、画像処理ユニット13及びカメ
ラ14で位置合わせ手段が構成されている。
This coating apparatus has an XY motorized stage 11 movable in the X and Y directions. This X-
A semiconductor wafer 12 having an inclined end surface is mounted on the Y motorized stage 11, and an image processing unit 13 and a camera 14 electrically connected to the semiconductor wafer 12 are mounted on the XY motorized stage 11 as shown in FIG. The center position recognition mark 12a of the semiconductor wafer 12 shown and the center of the chuck 35 described later are aligned with each other. And X
The Y motorized stage 11, the image processing unit 13 and the camera 14 constitute a positioning means.

【0016】また、X−Y電動ステージ11の近傍に
は、該X−Y電動ステージ11上のウェーハ12をチャ
ック35上へ搬送するウェーハ搬送ユニット21を介し
て、回転上下駆動ユニット31(チャック移動手段)が
設置されている。この回転上下駆動ユニット31は、上
下動が可能に且つ回転軸32によって回転自在に設置さ
れ、さらに端部付近にはモータ33が取り付けられてお
り、このモータ33により、その回転軸34に固定され
たチャック35が回転するようになっている。
Further, in the vicinity of the XY electric stage 11, a rotary vertical drive unit 31 (chuck movement) is provided via a wafer transfer unit 21 which transfers the wafer 12 on the XY electric stage 11 onto a chuck 35. Means) is installed. The rotary vertical drive unit 31 is vertically movable and rotatably installed by a rotary shaft 32. A motor 33 is attached near the end of the rotary vertical drive unit 31, and is fixed to the rotary shaft 34 by the motor 33. The chuck 35 is adapted to rotate.

【0017】そして、回転上下駆動ユニット31の上部
には、ポリイミド樹脂液が入った容器41と、その容器
41の真下に設けられ水平に軸支された回転軸42aに
より回転駆動する樹脂練り用の第1の回転ローラ42
と、該第1の回転ローラ42の下側に水平に軸支された
回転軸43aにより前記第1の回転ローラ42とは逆方
向に回転駆動する樹脂膜均一化用の第2の回転ローラ4
3とを備えた回転ローラ式塗布ユニットが設けられてい
る。
A container 41 containing the polyimide resin liquid is provided above the rotary vertical drive unit 31, and a resin kneading machine is rotatably driven by a rotary shaft 42a provided directly below the container 41 and horizontally supported. First rotating roller 42
And a second rotating roller 4 for uniformizing the resin film, which is rotationally driven in a direction opposite to that of the first rotating roller 42 by a rotating shaft 43a horizontally supported below the first rotating roller 42.
3 is provided.

【0018】次に、以上のように構成される塗布装置の
塗布動作を説明する。塗布時には、まず、X−Y電動ス
テージ11上にウェーハ12を載置し、X−Y電動ステ
ージ11をX方向及びY方向に移動しながら、カメラ1
4と画像処理ユニット13とにより、ウェーハ12の中
心位置認識マークをチャック35の中心に位置合わせす
る。
Next, the coating operation of the coating apparatus configured as described above will be described. At the time of coating, first, the wafer 12 is placed on the XY electric stage 11, and the camera 1 is moved while moving the XY electric stage 11 in the X and Y directions.
4 and the image processing unit 13 align the center position recognition mark of the wafer 12 with the center of the chuck 35.

【0019】そして、予め第1及び第2の回転ローラ4
2,43を回転させて、回転ローラ43の表面に均一の
厚さのポリイミド樹脂膜51を形成し(図1(b)参
照)、さらにチャック35もモータ33により回転させ
ておく。
Then, the first and second rotating rollers 4 are previously prepared.
2, 43 are rotated to form a polyimide resin film 51 having a uniform thickness on the surface of the rotation roller 43 (see FIG. 1B), and the chuck 35 is also rotated by the motor 33.

【0020】このような状態下において、前述の位置合
わせを終えたウェーハ12は、ウェーハ搬送ユニット2
1により搬送され、水平状態のチャック35上に真空吸
着される。その後、回転上下駆動ユニット31は、回転
軸32を中心にして回転することによりチャック35を
上方へ移動し、チャック35上のウェーハ12の斜面状
端面が第2の回転ローラ43表面のポリイミド樹脂膜5
1に水平に接する位置でチャック35を固定する(図1
(a)参照)。
Under such a condition, the wafer 12 which has been subjected to the above-mentioned alignment is transferred to the wafer transfer unit 2
1 and is vacuum-adsorbed on the horizontal chuck 35. Thereafter, the rotary up-down drive unit 31 rotates the rotary shaft 32 as a center to move the chuck 35 upward, and the inclined end surface of the wafer 12 on the chuck 35 causes the polyimide resin film on the surface of the second rotary roller 43. 5
The chuck 35 is fixed at a position in which the chuck 35 is in horizontal contact with the No.
(See (a)).

【0021】その結果、図1(b)に示すように、第2
の回転ローラ43からウェーハ12の斜面状端面の全面
へ均一のポリイミド樹脂膜51が転写される。転写後
は、回転上下駆動ユニット31によりチャック35を水
平状態に戻し、次のウェーハの塗布工程に備える。この
ようにして、ウェーハ12の斜面状端面のみにポリイミ
ド樹脂膜51が形成される。
As a result, as shown in FIG. 1 (b), the second
A uniform polyimide resin film 51 is transferred from the rotating roller 43 to the entire inclined end surface of the wafer 12. After the transfer, the chuck 35 is returned to the horizontal state by the rotary up-and-down drive unit 31 to prepare for the next wafer coating process. In this way, the polyimide resin film 51 is formed only on the inclined end surface of the wafer 12.

【0022】このように本実施例によれば、ポリイミド
樹脂液を第1及び第2の回転ローラ42,43で一定の
厚さにした後、ウェーハ12端面へ転写することができ
るので、ウェーハ12端面に生成されるポリイミド樹脂
膜51の膜厚のばらつきが従来よりも大幅に減少して膜
厚特性が向上する。
As described above, according to this embodiment, the polyimide resin liquid can be transferred to the end face of the wafer 12 after the polyimide resin liquid is made to have a constant thickness by the first and second rotating rollers 42 and 43, and then transferred. Variation in the film thickness of the polyimide resin film 51 formed on the end face is significantly reduced as compared with the conventional case, and the film thickness characteristic is improved.

【0023】しかも、ウェーハ12の表裏面へのポリイ
ミド樹脂の塗膜は従来よりも大幅に減少し、ウェーハ1
2の斜面状端面のみにポリイミド樹脂膜51を生成する
ことが可能となる。
Moreover, the coating film of the polyimide resin on the front and back surfaces of the wafer 12 is greatly reduced as compared with the conventional one.
It becomes possible to form the polyimide resin film 51 only on the sloped end face of No. 2.

【0024】また、従来のようなポリイミド樹脂液溜め
を設けないで済むので、ポリイミド樹脂の使用量は大幅
に減少し、ランニングコストが低下する。
Further, since it is not necessary to provide the conventional polyimide resin liquid reservoir, the amount of the polyimide resin used is greatly reduced and the running cost is reduced.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、塗布手段は、水平に設けられた回転ローラを有し、
該回転ローラの回転時にその回転ローラの表面に所定の
厚さのポリイミド樹脂膜を生成する構成にし、さらに、
半導体ウェーハの中心マークをチャックの中心に位置合
わせする位置合わせ手段と、この位置合わせ手段による
位置合わせ後に前記チャック上に半導体ウェーハを載置
する搬送手段と、前記チャック上の半導体ウェーハの斜
面状端面が前記回転ローラ表面のポリイミド樹脂膜に水
平に接するように前記チャックを移動するチャック移動
手段とを設けたので、半導体ウェーハの斜面状端面に生
成されるポリイミド樹脂膜の膜厚のばらつきを従来より
も大幅に改善することができ、しかも、ウェーハの斜面
状端面のみにポリイミド樹脂膜を生成することが可能と
なる。さらに、ポリイミド樹脂液の使用量を大幅に減少
させることができるので、ランニングコストを低下させ
ることが可能となる。
As described in detail above, according to the present invention, the coating means has a rotating roller provided horizontally,
When the rotating roller is rotated, a polyimide resin film having a predetermined thickness is formed on the surface of the rotating roller, and further,
Aligning means for aligning the center mark of the semiconductor wafer with the center of the chuck, conveying means for placing the semiconductor wafer on the chuck after alignment by the aligning means, and a sloped end surface of the semiconductor wafer on the chuck Is provided with a chuck moving means for moving the chuck so as to be in horizontal contact with the polyimide resin film on the surface of the rotating roller. The polyimide resin film can be formed only on the inclined end face of the wafer. Furthermore, since the amount of the polyimide resin liquid used can be greatly reduced, running costs can be reduced.

【0026】また、前記塗布手段は、ポリイミド樹脂膜
を練る水平の第1の回転ローラと、前記第1の回転ロー
ラと水平に設けられ前記第1の回転ローラ表面のポリイ
ミド樹脂膜から前記所定の厚さのポリイミド樹脂膜を生
成する第2の回転ローラとを備えるようにしたので、半
導体ウェーハの斜面状端面に生成されるポリイミド樹脂
膜の膜厚のばらつきを、より一層改善することができ
る。
The coating means is provided with a horizontal first rotating roller for kneading the polyimide resin film, and a polyimide resin film on the surface of the first rotating roller which is provided horizontally with the first rotating roller. Since the second rotating roller for forming the polyimide resin film having the thickness is provided, it is possible to further improve the variation in the film thickness of the polyimide resin film formed on the inclined end surface of the semiconductor wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を実施した半導体ウェーハの塗布装置を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor wafer coating apparatus embodying the present invention.

【図2】半導体ウェーハの中心位置マークを示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing a center position mark of a semiconductor wafer.

【図3】従来の半導体ウェーハの塗布装置の一構成例を
示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a conventional semiconductor wafer coating apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 X−Y電動ステージ 12 半導体ウェーハ 12a 中心位置認識マーク 13 画像処理ユニット 14 カメラ 21 ウェーハ搬送ユニット 31 回転上下駆動ユニット 32 回転軸 33 モータ 34 回転軸 35 チャック 41 容器 42 第1の回転ローラ 43 第2の回転ローラ 51 ポリイミド樹脂膜 11 XY Motorized Stage 12 Semiconductor Wafer 12a Center Position Recognition Mark 13 Image Processing Unit 14 Camera 21 Wafer Transfer Unit 31 Rotation Vertical Drive Unit 32 Rotation Axis 33 Motor 34 Rotation Axis 35 Chuck 41 Container 42 First Rotation Roller 43 Second Rotating roller 51 Polyimide resin film

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/29 23/31 Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 23/29 23/31

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェーハを載置するチャックと、
該チャックを回転させるチャック回転手段と、前記チャ
ックの回転時に該チャック上の半導体ウェーハの斜面状
端面に対してポリイミド樹脂を塗布する塗布手段とを有
する半導体ウェーハの塗布装置において、 前記塗布手段は、水平に設けられた回転ローラを有し、
該回転ローラの回転時にその回転ローラの表面に所定の
厚さのポリイミド樹脂膜を生成する構成にし、 前記半導体ウェーハの中心マークを前記チャックの中心
に位置合わせする位置合わせ手段と、 前記位置合わせ手段による位置合わせ後に前記半導体ウ
ェーハを前記チャック上に載置する搬送手段と、 前記チャック上の半導体ウェーハの斜面状端面が前記回
転ローラ表面のポリイミド樹脂膜に水平に接するように
前記チャックを移動固定するチャック移動手段とを設け
たことを特徴とする半導体ウェーハの塗布装置。
1. A chuck for mounting a semiconductor wafer,
In a coating device for a semiconductor wafer, which comprises a chuck rotating means for rotating the chuck, and a coating means for coating a polyimide resin on a beveled end surface of a semiconductor wafer on the chuck when rotating, the coating means, Having a rotating roller installed horizontally,
A structure for generating a polyimide resin film having a predetermined thickness on the surface of the rotating roller when the rotating roller rotates, and a position adjusting means for adjusting the center mark of the semiconductor wafer to the center of the chuck; And a transporting means for mounting the semiconductor wafer on the chuck after alignment by means of, and moving and fixing the chuck so that the inclined end surface of the semiconductor wafer on the chuck is in horizontal contact with the polyimide resin film on the surface of the rotating roller. An apparatus for coating a semiconductor wafer, which is provided with a chuck moving means.
【請求項2】 前記塗布手段は、 ポリイミド樹脂液を練る水平の第1の回転ローラと、 前記第1の回転ローラの下部に水平に設けられ前記第1
の回転ローラ表面のポリイミド樹脂膜から前記所定の厚
さのポリイミド樹脂膜を生成する第2の回転ローラとを
備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハ
の塗布装置。
2. The coating means is a horizontal first rotary roller for kneading a polyimide resin liquid, and is horizontally provided below the first rotary roller.
2. A semiconductor wafer coating apparatus according to claim 1, further comprising a second rotating roller for generating the polyimide resin film having the predetermined thickness from the polyimide resin film on the surface of the rotating roller.
JP5040794A 1994-03-22 1994-03-22 Coating apparatus for semiconductor wafer Pending JPH07263474A (en)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004504723A (en) * 2000-07-17 2004-02-12 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト Electronic chip component having integrated circuit and method of manufacturing the same
KR100806810B1 (en) * 2002-03-12 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 A Mask Aligner
JP2011515827A (en) * 2008-02-07 2011-05-19 サンパワー コーポレイション Non-contact type edge coating apparatus for solar cell substrate and method of using the same
JP2011528618A (en) * 2008-07-21 2011-11-24 サンパワー コーポレイション Edge coating apparatus and method for non-circular solar cell substrate
JP2014221452A (en) * 2013-05-13 2014-11-27 株式会社エナテック Coating applicator and application method
JP2022099172A (en) * 2020-12-22 2022-07-04 株式会社エナテック Coating device and coating method
WO2023125394A1 (en) * 2021-12-31 2023-07-06 苏州太阳井新能源有限公司 Edge coating apparatus and coating method for photovoltaic cell sheets

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004504723A (en) * 2000-07-17 2004-02-12 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト Electronic chip component having integrated circuit and method of manufacturing the same
US6969917B2 (en) 2000-07-17 2005-11-29 Infineon Technologies Ag Electronic chip component with an integrated circuit and fabrication method
KR100806810B1 (en) * 2002-03-12 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 A Mask Aligner
JP2011515827A (en) * 2008-02-07 2011-05-19 サンパワー コーポレイション Non-contact type edge coating apparatus for solar cell substrate and method of using the same
JP2011528618A (en) * 2008-07-21 2011-11-24 サンパワー コーポレイション Edge coating apparatus and method for non-circular solar cell substrate
JP2014221452A (en) * 2013-05-13 2014-11-27 株式会社エナテック Coating applicator and application method
JP2022099172A (en) * 2020-12-22 2022-07-04 株式会社エナテック Coating device and coating method
WO2023125394A1 (en) * 2021-12-31 2023-07-06 苏州太阳井新能源有限公司 Edge coating apparatus and coating method for photovoltaic cell sheets

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