JPH07262801A - 薄膜発光素子及び発光装置 - Google Patents
薄膜発光素子及び発光装置Info
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- JPH07262801A JPH07262801A JP7959494A JP7959494A JPH07262801A JP H07262801 A JPH07262801 A JP H07262801A JP 7959494 A JP7959494 A JP 7959494A JP 7959494 A JP7959494 A JP 7959494A JP H07262801 A JPH07262801 A JP H07262801A
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- thin film
- light emitting
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 白色のフォトルミネセンス光を発光する薄膜
型の素子を得る。 【構成】 ＲＦマグネトロン型ＥＣＲスパッタ装置を用
い、そのターゲットをpure Ｚｎ金属とし、雰囲気ガス
をＡｒ＋Ｏ2ガスとし、２３０℃に加熱したＲ面サファ
イア基板の表面に７１Å／ｍｉｎの成膜速度で９８０Å
の膜厚にＺｎＯエピタキシャル膜を成長させた。ＺｎＯ
エピタキシャル膜を１.８°Ｋに冷却した状態で、出力
パワー１ｍＷのＨｅ−Ｃｄレーザー光を照射すると、白
色のフォトルミネセンス光が観測された。
型の素子を得る。 【構成】 ＲＦマグネトロン型ＥＣＲスパッタ装置を用
い、そのターゲットをpure Ｚｎ金属とし、雰囲気ガス
をＡｒ＋Ｏ2ガスとし、２３０℃に加熱したＲ面サファ
イア基板の表面に７１Å／ｍｉｎの成膜速度で９８０Å
の膜厚にＺｎＯエピタキシャル膜を成長させた。ＺｎＯ
エピタキシャル膜を１.８°Ｋに冷却した状態で、出力
パワー１ｍＷのＨｅ−Ｃｄレーザー光を照射すると、白
色のフォトルミネセンス光が観測された。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜発光素子及び発光装
置に関する。具体的にいうと、本発明はフォトルミネセ
ンスによる白色発光の可能な薄膜発光素子と当該薄膜発
光素子を用いた白色光の発光装置に関する。
置に関する。具体的にいうと、本発明はフォトルミネセ
ンスによる白色発光の可能な薄膜発光素子と当該薄膜発
光素子を用いた白色光の発光装置に関する。
【０００２】
【背景技術】エネルギーギャップ（Ｅｇ）よりも大きな
エネルギーを持った励起光を半導体結晶に照射したと
き、半導体中で励起された電子すなわちエネルギー的に
高い状態になった電子の状態が、もとの熱平衡状態（基
底状態）に戻るとき光を出す現象をフォトルミネセンス
という。電子が励起され発光する過程にはいくつかの種
類があり、フォトルミネセンススペクトルを分析するこ
とによって半導体試料の性質を知ることができるので、
フォトルミネセンスは半導体評価技術の一つとして用い
られている。
エネルギーを持った励起光を半導体結晶に照射したと
き、半導体中で励起された電子すなわちエネルギー的に
高い状態になった電子の状態が、もとの熱平衡状態（基
底状態）に戻るとき光を出す現象をフォトルミネセンス
という。電子が励起され発光する過程にはいくつかの種
類があり、フォトルミネセンススペクトルを分析するこ
とによって半導体試料の性質を知ることができるので、
フォトルミネセンスは半導体評価技術の一つとして用い
られている。
【０００３】フォトルミネセンスの発光機構のうち重要
なものとしては、励起子発光がある。励起子とは、光や
熱のエネルギーで励起されながら、完全には自由になら
ず、互いに作用しあっている電子と正孔の対をいう。す
なわち、半導体のエネルギーギャップに相当するエネル
ギー以上の光などによって励起されると、価電子帯から
伝導帯に電子が遷移し、伝導帯に自由な電子と価電子帯
に自由な正孔がそれぞれ同数ずつ発生する。もし、エネ
ルギーギャップに相当するエネルギーより低いエネルギ
ーによって励起されたような場合には、電子と正孔は完
全には分離せず、クーロン引力で相互に作用し合うこと
になる。この状態の電子と正孔の対を励起子という。さ
らに、励起子はイオン化したドナーやアクセプタに束縛
された束縛励起子と、運動エネルギーが大きく束縛され
ない自由励起子に分けられる。そして、自由励起子によ
る発光は純度の高い結晶が十分低温にあるとき起こり、
鋭いスペクトル線として観測される。また、束縛励起子
が再結合するときには、自由励起子の場合より低いエネ
ルギーで起こり、スペクトル線も狭い。
なものとしては、励起子発光がある。励起子とは、光や
熱のエネルギーで励起されながら、完全には自由になら
ず、互いに作用しあっている電子と正孔の対をいう。す
なわち、半導体のエネルギーギャップに相当するエネル
ギー以上の光などによって励起されると、価電子帯から
伝導帯に電子が遷移し、伝導帯に自由な電子と価電子帯
に自由な正孔がそれぞれ同数ずつ発生する。もし、エネ
ルギーギャップに相当するエネルギーより低いエネルギ
ーによって励起されたような場合には、電子と正孔は完
全には分離せず、クーロン引力で相互に作用し合うこと
になる。この状態の電子と正孔の対を励起子という。さ
らに、励起子はイオン化したドナーやアクセプタに束縛
された束縛励起子と、運動エネルギーが大きく束縛され
ない自由励起子に分けられる。そして、自由励起子によ
る発光は純度の高い結晶が十分低温にあるとき起こり、
鋭いスペクトル線として観測される。また、束縛励起子
が再結合するときには、自由励起子の場合より低いエネ
ルギーで起こり、スペクトル線も狭い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにフォトル
ミネセンスによる発光では、可視スペクトル領域と比較
して発光波長の幅が非常に狭いため、これまで観測され
ているフォトルミネセンス光はいずれも赤、緑などの単
色（有色）光であって、これまでのところ単体で白色発
光の可能なフォトルミネセンスは観測されていない。特
に、白色発光可能な薄膜型フォトルミネセンスは報告さ
れていない。また、従来、白色を発光させるためには、
光の三原色である三つの発光素子を必要とし、これらの
発光素子の光の強度のバランスをとって白色を合成して
いる。しかし、このような方法では、光の強度のバラン
スをとるために手間がかかるとともに、設備や構成が大
がかりで不経済であった。
ミネセンスによる発光では、可視スペクトル領域と比較
して発光波長の幅が非常に狭いため、これまで観測され
ているフォトルミネセンス光はいずれも赤、緑などの単
色（有色）光であって、これまでのところ単体で白色発
光の可能なフォトルミネセンスは観測されていない。特
に、白色発光可能な薄膜型フォトルミネセンスは報告さ
れていない。また、従来、白色を発光させるためには、
光の三原色である三つの発光素子を必要とし、これらの
発光素子の光の強度のバランスをとって白色を合成して
いる。しかし、このような方法では、光の強度のバラン
スをとるために手間がかかるとともに、設備や構成が大
がかりで不経済であった。
【０００５】しかし、今後フォトルミネセンスの研究開
発が進み、表示用の発光装置等としての応用研究が進ん
だ場合には、フォトルミネセンスによる白色発光可能な
素子が必要となってくることは明らかである。
発が進み、表示用の発光装置等としての応用研究が進ん
だ場合には、フォトルミネセンスによる白色発光可能な
素子が必要となってくることは明らかである。
【０００６】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、白色発光可
能なフォトルミネセンスによる薄膜発光素子とその薄膜
発光素子を利用した発光装置を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、白色発光可
能なフォトルミネセンスによる薄膜発光素子とその薄膜
発光素子を利用した発光装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜発光素子
は、基板上に形成したＺｎＯエピタキシャル膜よりなる
ことを特徴としている。
は、基板上に形成したＺｎＯエピタキシャル膜よりなる
ことを特徴としている。
【０００８】上記薄膜発光素子においては、基板として
サファイア基板を用いるのが好ましい。また、ＺｎＯエ
ピタキシャル膜はＥＣＲスパッタ法により基板の上に成
膜することができる。
サファイア基板を用いるのが好ましい。また、ＺｎＯエ
ピタキシャル膜はＥＣＲスパッタ法により基板の上に成
膜することができる。
【０００９】本発明の発光装置は、上記薄膜発光素子と
当該薄膜発光素子を発光させるための励起光を出射する
投光器とを備えたことを特徴としている。
当該薄膜発光素子を発光させるための励起光を出射する
投光器とを備えたことを特徴としている。
【００１０】
【作用】フォトルミネセンスの材料としてＺｎＯ膜に着
目し、基板の上にＺｎＯエピタキシャル膜を形成したと
ころ、レーザー光のような励起光を照射させることによ
って白色を呈するフォトルミネセンス光を確認すること
ができた。
目し、基板の上にＺｎＯエピタキシャル膜を形成したと
ころ、レーザー光のような励起光を照射させることによ
って白色を呈するフォトルミネセンス光を確認すること
ができた。
【００１１】また、この薄膜発光素子は薄膜型であるの
で、点光源としての利用に止まらず、大面積の面発光素
子や面型表示用素子などとして用いることができる。
で、点光源としての利用に止まらず、大面積の面発光素
子や面型表示用素子などとして用いることができる。
【００１２】特に、基板としてサファイア基板を用いれ
ば、サファイア基板の格子定数とＺｎＯの格子定数とが
近いためＺｎＯエピタキシャル膜を得ることができ、白
色発光に好ましいＺｎＯエピタキシャル膜を得ることが
できる。また、成膜方法としては、ＥＣＲスパッタ法を
用いることによって欠陥の少ない良好なＺｎＯエピタキ
シャル膜を得ることができた。
ば、サファイア基板の格子定数とＺｎＯの格子定数とが
近いためＺｎＯエピタキシャル膜を得ることができ、白
色発光に好ましいＺｎＯエピタキシャル膜を得ることが
できる。また、成膜方法としては、ＥＣＲスパッタ法を
用いることによって欠陥の少ない良好なＺｎＯエピタキ
シャル膜を得ることができた。
【００１３】また、本発明の発光装置によれば、フォト
ルミネセンスを利用した白色表示可能な面状の薄型ディ
スプレイ用パネルなどを実現することができる。
ルミネセンスを利用した白色表示可能な面状の薄型ディ
スプレイ用パネルなどを実現することができる。
【００１４】
【実施例】図１に示すものは本発明の一実施例による薄
膜発光素子を示す断面図である。この薄膜発光素子１に
おいては、基板としてサファイア基板２を用い、その主
面にＥＣＲスパッタ法によって薄膜状のＺｎＯエピタキ
シャル膜３を成膜している。基板としてはサファイア基
板２に限るものではないが、サファイア結晶とＺｎＯ結
晶とは格子定数が近いため、サファイア基板２を用いる
ことにより良好なＺｎＯ結晶をエピタキシャル成長させ
ることができる。このような構成の薄膜発光素子１の表
面にレーザー光４を照射すると、一定条件下において
は、レーザー光４の照射点が局所的に発光し、その発光
点が白色を呈した。以下、実際に確認した具体的実施例
（試作例）について説明する。
膜発光素子を示す断面図である。この薄膜発光素子１に
おいては、基板としてサファイア基板２を用い、その主
面にＥＣＲスパッタ法によって薄膜状のＺｎＯエピタキ
シャル膜３を成膜している。基板としてはサファイア基
板２に限るものではないが、サファイア結晶とＺｎＯ結
晶とは格子定数が近いため、サファイア基板２を用いる
ことにより良好なＺｎＯ結晶をエピタキシャル成長させ
ることができる。このような構成の薄膜発光素子１の表
面にレーザー光４を照射すると、一定条件下において
は、レーザー光４の照射点が局所的に発光し、その発光
点が白色を呈した。以下、実際に確認した具体的実施例
（試作例）について説明する。
【００１５】（具体的実施例１）基板としてはＲ面サフ
ァイア基板を準備した。また、ＺｎＯ膜をエピタキシャ
ル成長させるためのスパッタ装置としては、ＲＦ（高周
波）マグネトロン型ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）
スパッタ装置を用い、そのターゲットを純粋なＺｎ（pu
re Ｚｎ）金属とし、雰囲気ガスはＡｒ＋Ｏ2ガスとし
た。そして、Ｒ面サファイア基板を２３０℃に加熱し、
ＲＦマグネトロンＥＣＲスパッタ装置により７１Å／ｍ
ｉｎの成膜速度でサファイア基板のＲ面上に９８０Åの
膜厚でＺｎＯエピタキシャル膜を成長させた。
ァイア基板を準備した。また、ＺｎＯ膜をエピタキシャ
ル成長させるためのスパッタ装置としては、ＲＦ（高周
波）マグネトロン型ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）
スパッタ装置を用い、そのターゲットを純粋なＺｎ（pu
re Ｚｎ）金属とし、雰囲気ガスはＡｒ＋Ｏ2ガスとし
た。そして、Ｒ面サファイア基板を２３０℃に加熱し、
ＲＦマグネトロンＥＣＲスパッタ装置により７１Å／ｍ
ｉｎの成膜速度でサファイア基板のＲ面上に９８０Åの
膜厚でＺｎＯエピタキシャル膜を成長させた。
【００１６】このようにして作製した薄膜発光素子のＺ
ｎＯエピタキシャル膜の結晶構造を電子線回折パターン
により確認した。この電子線回折パターンを図２に概略
的に示す。この結果、ＺｎＯ膜はｃ軸方向（六方晶系の
ｃ軸）がサファイア基板のＲ面と並行に配向したエピタ
キシャル膜であることを確認した。なお、ＺｎＯ膜の屈
折率ｎはバルクＺｎＯの屈折率と等しく、ｎ＝１.９８
９であることも確認した。
ｎＯエピタキシャル膜の結晶構造を電子線回折パターン
により確認した。この電子線回折パターンを図２に概略
的に示す。この結果、ＺｎＯ膜はｃ軸方向（六方晶系の
ｃ軸）がサファイア基板のＲ面と並行に配向したエピタ
キシャル膜であることを確認した。なお、ＺｎＯ膜の屈
折率ｎはバルクＺｎＯの屈折率と等しく、ｎ＝１.９８
９であることも確認した。
【００１７】この後、この薄膜発光素子の表面にレーザ
ー光を照射してフォトルミネセンス測定を行なった。図
３は検出系として、０.５ｍｍのスリットを有する分光
器を用い、ＺｎＯエピタキシャル膜を１.８°Ｋに冷却
した状態で、出力パワー１ｍＷのＨｅ−Ｃｄレーザー光
を薄膜発光素子に照射した場合のフォトルミネセンス測
定の結果を表わしたものであって、横軸は発光波長λ、
縦軸は光強度（単位ａ．ｕ．）である。この場合、図３
に示されているように、可視スペクトル領域（３８００
〜７８００Å）にわたる広い発光スペクトルが確認さ
れ、視覚により白色発光を確認できた。
ー光を照射してフォトルミネセンス測定を行なった。図
３は検出系として、０.５ｍｍのスリットを有する分光
器を用い、ＺｎＯエピタキシャル膜を１.８°Ｋに冷却
した状態で、出力パワー１ｍＷのＨｅ−Ｃｄレーザー光
を薄膜発光素子に照射した場合のフォトルミネセンス測
定の結果を表わしたものであって、横軸は発光波長λ、
縦軸は光強度（単位ａ．ｕ．）である。この場合、図３
に示されているように、可視スペクトル領域（３８００
〜７８００Å）にわたる広い発光スペクトルが確認さ
れ、視覚により白色発光を確認できた。
【００１８】（具体的実施例２）つぎに、ＺｎＯ結晶の
結晶欠陥を少なくして結晶の完全性を高めるように注意
しながら、同じくＲＦマグネトロンＥＣＲスパッタ装置
を用いてＣ面サファイア基板の表面に３２５０ÅのＺｎ
Ｏエピタキシャル膜を成膜した。この薄膜発光素子で
は、ＺｎＯのｃ軸はＣ面サファイア基板と垂直（つま
り、サファイア基板のｃ軸方向と平行）に配向してい
た。このようにして作製した薄膜発光素子に波長１８０
０Åのエキシマレーザー光を照射したところ、わずかに
青味掛かった白色発光が常温で観測された。なお、Ｒ面
サファイア基板の表面に３２５０ÅのＺｎＯエピタキシ
ャル膜を成膜した場合も同様の結果が得られた。
結晶欠陥を少なくして結晶の完全性を高めるように注意
しながら、同じくＲＦマグネトロンＥＣＲスパッタ装置
を用いてＣ面サファイア基板の表面に３２５０ÅのＺｎ
Ｏエピタキシャル膜を成膜した。この薄膜発光素子で
は、ＺｎＯのｃ軸はＣ面サファイア基板と垂直（つま
り、サファイア基板のｃ軸方向と平行）に配向してい
た。このようにして作製した薄膜発光素子に波長１８０
０Åのエキシマレーザー光を照射したところ、わずかに
青味掛かった白色発光が常温で観測された。なお、Ｒ面
サファイア基板の表面に３２５０ÅのＺｎＯエピタキシ
ャル膜を成膜した場合も同様の結果が得られた。
【００１９】（応用例）上記のようにして得られた薄膜
発光素子については、種々の応用が考えられる。例え
ば、小さな面積とすれば、発光ダイオードに代わる白色
点光源としての利用が考えられる。また、面型としての
特徴を考慮すれば、平面型光源（面状発光パネル）とし
ての利用も考えられる。すなわち、適当な寸法に作製し
た薄膜発光素子の全面にレーザー光のような励起光を投
光器により照射ないし走査させることにより、全面白色
発光させることができ、照明用の発光装置に用いること
ができる。
発光素子については、種々の応用が考えられる。例え
ば、小さな面積とすれば、発光ダイオードに代わる白色
点光源としての利用が考えられる。また、面型としての
特徴を考慮すれば、平面型光源（面状発光パネル）とし
ての利用も考えられる。すなわち、適当な寸法に作製し
た薄膜発光素子の全面にレーザー光のような励起光を投
光器により照射ないし走査させることにより、全面白色
発光させることができ、照明用の発光装置に用いること
ができる。
【００２０】図４（ａ）に示すように、励起光４ａを出
力する光源と当該励起光を走査する走査機構（光スキャ
ナ）とからなる投光器５を本発明の薄膜発光素子１と組
合せることにより、ブラウン管等に代わる薄型の白黒デ
ィスプレイ装置（表示用の発光装置）６ａに用いること
ができる。また、図４（ｂ）に示すように、投光器５と
薄膜発光素子１とを分離して遠隔より励起光４ａを走査
させるようにすれば、ディスプレイ面側では電源等の駆
動源が不要な白黒ディスプレー装置６ｂを作製すること
ができる。さらに、基板２ａが励起光４ａに対して透明
な材質によって作製されている場合には、図４（ｃ）に
示すように、裏面側から励起光４ａを走査させて裏面走
査型の白黒ディスプレイ装置６ｃとすることもできる。
力する光源と当該励起光を走査する走査機構（光スキャ
ナ）とからなる投光器５を本発明の薄膜発光素子１と組
合せることにより、ブラウン管等に代わる薄型の白黒デ
ィスプレイ装置（表示用の発光装置）６ａに用いること
ができる。また、図４（ｂ）に示すように、投光器５と
薄膜発光素子１とを分離して遠隔より励起光４ａを走査
させるようにすれば、ディスプレイ面側では電源等の駆
動源が不要な白黒ディスプレー装置６ｂを作製すること
ができる。さらに、基板２ａが励起光４ａに対して透明
な材質によって作製されている場合には、図４（ｃ）に
示すように、裏面側から励起光４ａを走査させて裏面走
査型の白黒ディスプレイ装置６ｃとすることもできる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の薄膜発光素子によれば、レーザ
ー光のような励起光を照射させることにより白色フォト
ルミネセンス光を発光させることができ、従来存在しな
かった発光色のフォトルミネセンス素子を作製すること
ができる。しかも、点光源としての利用に止まらず、大
面積の面発光素子や面型表示用素子などとして用いるこ
とができ、広い分野における応用が考えられる。
ー光のような励起光を照射させることにより白色フォト
ルミネセンス光を発光させることができ、従来存在しな
かった発光色のフォトルミネセンス素子を作製すること
ができる。しかも、点光源としての利用に止まらず、大
面積の面発光素子や面型表示用素子などとして用いるこ
とができ、広い分野における応用が考えられる。
【００２２】また、本発明の発光装置によれば、フォト
ルミネセンスを利用した白色表示可能な面状の薄型ディ
スプレイ用パネルなどを実現することができる。
ルミネセンスを利用した白色表示可能な面状の薄型ディ
スプレイ用パネルなどを実現することができる。
【図１】本発明の一実施例による薄膜発光素子の構成を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】具体的実施例の電子線回折パターンを示す図で
ある。
ある。
【図３】同上の具体的実施例におけるフォトルミネセン
ス測定のスペクトルを示す図である。
ス測定のスペクトルを示す図である。
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）は上記薄膜発光素子を用い
た各種ディスプレイ装置の概略図である。
た各種ディスプレイ装置の概略図である。
１ 薄膜発光素子 ２ サファイア基板 ３ ＺｎＯエピタキシャル膜 ４ レーザー光 ５ 投光器
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成したＺｎＯエピタキシャル
膜よりなることを特徴とする薄膜発光素子。 - 【請求項２】 前記基板がサファイア基板であることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜発光素子。 - 【請求項３】 前記ＺｎＯエピタキシャル膜がＥＣＲス
パッタ法により成膜されたものであることを特徴とする
請求項１又は２に記載の薄膜発光素子。 - 【請求項４】 請求項１，２又は３に記載の薄膜発光素
子と当該薄膜発光素子を発光させるための励起光を出射
する投光器とを備えた発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7959494A JPH07262801A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 薄膜発光素子及び発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7959494A JPH07262801A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 薄膜発光素子及び発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07262801A true JPH07262801A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13694329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7959494A Pending JPH07262801A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 薄膜発光素子及び発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07262801A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010070677A (ko) * | 2001-04-14 | 2001-07-27 | 김영창 | 증착온도에 따른 단파장 산화아연 발광소자의 제조방법 |
| US6448585B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor luminescent element and method of manufacturing the same |
| WO2003034510A1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-04-24 | Bluetron Inc. | P-type zinc oxide thin film, compound semiconductor using the same and method for producing the same |
| US6590336B1 (en) | 1999-08-31 | 2003-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting device having a polar plane piezoelectric film and manufacture thereof |
| EP1843404A2 (en) * | 1998-08-03 | 2007-10-10 | The Curators Of The University Of Missouri | Zinc oxide films containing p-type dopant and process for preparing same |
| JP2009094535A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-04-30 | Casio Comput Co Ltd | 酸化亜鉛半導体膜 |
| WO2020008294A1 (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 金属酸窒化物膜の作製方法 |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP7959494A patent/JPH07262801A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1843404A3 (en) * | 1998-08-03 | 2010-05-05 | The Curators Of The University Of Missouri | Zinc oxide films containing p-type dopant and process for preparing same |
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