JP2004079933A - Ledディスプレイとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】同一基板の表面に赤(R)、緑(G)、青(B)をそれぞれ発光する発光層2R,2G,2Bが互いに隣接して微細なピッチで配置されている。また同一基板の表面に互いに隣接して微細なピッチで青(B)、緑(G)、赤(R)の発光領域を設定し、各色を発光する発光層(2R,2G,2B)を各発光領域に順次または同時に形成する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色を発光して任意の色を表示するLEDディスプレイとその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LEDディスプレイの発光層は、従来、発光色によって異なる材料が用いられている。例えば、赤(R)はInGaAsやInGaP、緑(G)はGaP、InGaAsやInGaN、青(B)はInGaNである。そのため、従来のLEDディスプレイは、R、G、Bの発光色ごとにモールドされたLED素子を多数並べる方式で多色表示される。このようなLEDディスプレイは、例えば野外用大型ディスプレイとして既に実用化されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のLEDディスプレイは、R、G、Bの発光色ごとにモールドされたLED素子を多数並べるため、高精細のディスプレイにできない問題点があった。
【0004】
この問題点を解決するために、図5に模式的に示すような3in1フルカラーLEDが実用化されている。この3in1フルカラーLEDは、リードフレーム上にRGB各色のLEDチップをそれぞれ1個ずつ計3個載せて周囲をエポキシで封止したマルチチップ型のランプである。それぞれのチップから放射される光はモールドレンズの中で混色され1つの色となって外に取り出される。各チップに流す電流を適当な比率に調整することで、赤、緑、青のチップから出る光の量を変えてフルカラーの色表現を行うことができる。
【0005】
図6は、上述した3in1フルカラーLEDを使ったLEDディスプレイの模式的斜視図である。この図に示すように、一枚のパネル上に3in1フルカラーLEDを縦横に多数配置することにより、平面状の大型LEDディスプレイを容易に構成することができる。
【0006】
しかし、3in1フルカラーLEDの大きさは、小さいものでも2〜3mmの巾があるため、発光間隔が1mm未満の高精細なLEDディスプレイは従来製造できなかった。
【0007】
一方、LED以外の面内発光デバイスとして、有機ELディスプレイや無機ELディスプレイも知られている。有機ELディスプレイは、携帯電話用、車載用として実用化されているが、マスク蒸着法で作製されるため、40μm以上の高精細は困難であり、また有機物であるため寿命が短く、かつ耐環境性が低い問題点がある。また、無機ELディスプレイは、信頼性の高い表示デバイスであり、航空機用、車載用として実用化されているが、Bの発光が弱いため表示可能な色が限られ、また駆動電圧が高い問題点がある。
【0008】
本発明は上述した問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色を1mm未満の高精細な発光間隔で発光することができ、かつ各色の発光強度が高く任意の色を表示することができ、更に耐環境性があり信頼性が高いLEDディスプレイとその製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、同一基板の表面に赤(R)、緑(G)、青(B)をそれぞれ発光する各発光層(2R,2G,2B)を形成した、ことを特徴とするLEDディスプレイが提供される。
【0010】
本発明の好ましい実施形態によれば、前記赤(R)、緑(G)、青(B)の各発光層(2R,2G,2B)は、互いに隣接して微細なピッチで配置されている。
【0011】
上記本発明の構成によれば、同一基板の表面に赤(R)、緑(G)、青(B)をそれぞれ発光する各発光層(2R,2G,2B)が形成されているので、各発光層(2R,2G,2B)を、互いに隣接して微細なピッチで配置することにより、それぞれの各発光層(2R,2G,2B)の光が混色されて任意の色を表示することができる。
またこのピッチを1mm未満にすることにより、高精細な発光間隔で発光することができる。さらに、各発光層(2R,2G,2B)は同一基板に形成されている点以外は従来のLEDと同一であるので、各色の発光強度は高く任意の色を表示することができ、かつ耐環境性があり高い信頼性が得られる。
【0012】
また、本発明によれば、同一基板の表面に互いに隣接して微細なピッチで青(B)、緑(G)、赤(R)の発光領域を設定し、前記各色を発光する各発光層(2R,2G,2B)を前記発光領域に順次または同時に形成する、ことを特徴とするLEDディスプレイの製造方法が提供される。
【0013】
上記本発明の方法によれば、同一基板の表面に互いに隣接して微細なピッチで青(B)、緑(G)、赤(R)の発光領域を設定するので、このピッチを1mm未満にすることにより、高精細な発光間隔で発光させることができる。
また、前記B、G、Rの各色を発光する各発光層(2R,2G,2B)を前記発光領域に順次または同時に形成するので、各発光色に適した条件で同一基板の表面に赤(R)、緑(G)、青(B)の各発光層(2R,2G,2B)を形成できる。
【0014】
本発明の好ましい実施形態によれば、材料の選択成長、若しくは、選択ドープにより前記各発光層(2R,2G,2B)を形成する。
材料の選択成長により、選択的に結晶成長させる領域を、任意に設定することで、表示領域、表示形状を変化させることができる。
また選択ドープにより、ドーピング材料の選択、又は、成膜ガス濃度などを変えることで、同一基板内で多色の発光色を表示できるLEDディスプレイが可能になる。さらに、選択的にドーピングする領域を、任意に設定することで、表示領域、表示形状を変化させることができる。
【0015】
本発明の好ましい実施形態によれば、結晶成長用基板(1)を反応容器(6)内で所定の温度に保持し、反応容器内にIn,Ga,Nの前駆体を順次又は同時に供給し、MOCVD(有機金属気相成長法)またはMOMBE(有機金属分子ビームエピキタシー法)により、青(B)、緑(G)、赤(R)を発光するInGaNを同一基板の表面に順次または同時に成長させる。
【0016】
InGaN中のInのモル分率yを変化させて、InyGa1−yNの発光色を、青(B)、緑(G)、赤(R)に選択できるので、各発光色に適した所定の温度と、In,Ga,Nの前駆体とその組成を選択して、最適の条件で同一基板の表面に青(B)、緑(G)、赤(R)を発光するInGaNを所定の発光領域に成長させることができる。
【0017】
また、基板表面に高出力パルスレーザを照射させてその照射部分に、約400℃以上、約650℃未満の温度で、前記前駆体の組成を変えて、青(B)と緑(G)を発光するInGaNを異なる位置に成長させ、次いで、約400℃以上、約500℃未満の温度で、赤(R)を発光するInGaNを異なる位置に成長させるのがよい。
【0018】
この方法によれば、反応容器内にIn,Ga,Nの前駆体を順次又は同時に供給し、基板表面に高出力パルスレーザを照射させてその照射部分にInGaNを成長させるので、高出力パルスレーザにより前駆体を照射部分で励起してその分子結合(N−H結合、C−アミン結合、等)を切断し、その部分にInGaNを成長させることができる。
【0019】
また、レーザ光を照射してInGaNを微小領域に成長させることができるので、In,Ga,Nの前駆体の比率を順次変更することにより、同一の基板上に赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色を発光するLEDを微細なピッチで形成することができる。
【0020】
更に、約400℃以上、約650℃未満の温度で、前駆体の組成を変えて、青(B)と緑(G)を発光するInGaNを成長させた後、より低い温度で赤(R)を発光するInGaNを成長させるので、青(B)と緑(G)を発光するInGaNの熱分解を防止できる。
また、赤(R)を発光する赤色LEDを形成するために、約400℃以上、約500℃未満の温度で異なる位置に成長させるので、InGaN中のInのモル分率yを約0.7以上に高めても、基板の表面にInyGa1−yNの半導体被膜が成長する過程でInGaNの熱分解を防止することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を図面を参照して説明する。なお、各図において共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
【0022】
図1は、本発明によるLEDディスプレイの構成図である。この図に示すように、本発明によるLEDディスプレイは、同一基板1の表面に赤(R)、緑(G)、青(B)をそれぞれ発光する発光層2R,2G,2Bを形成したものである。赤(R)、緑(G)、青(B)の各発光層2R,2G,2Bは、互いに隣接して微細なピッチで配置されている。この間隔は、1mm未満の細かい(微細な)ピッチであり、好ましくは、0.1mm(100μm)未満のピッチであるのがよい。
【0023】
図2は図1の主要部の構成図である。この例における各発光層2R,2G,2Bは、InGaN/InGaNダブルヘテロ構造のLEDである。この図に示すように各発光層2R,2G,2Bは、(Al,Ga,In)Nの混晶からなる。各発光層2R,2G,2Bは、InGaN(正確にはInyGa1−yN)のInのモル分率yを調整することにより、赤(R)、緑(G)、青(B)の各発色を発光するようになっている。
【0024】
なお、本発明は図1及び図2に例示した構成に限定されず、同一基板の表面に赤(R)、緑(G)、青(B)をそれぞれ発光する各発光層2R,2G,2Bが互いに隣接して微細なピッチで配置されている限りで、異なる構成のLEDディスプレイであってもよい。
【0025】
上述した本発明の構成によれば、同一基板の表面に赤(R)、緑(G)、青(B)をそれぞれ発光する発光層2R,2G,2Bが、互いに隣接して微細なピッチで形成されているので、それぞれの各発光層2R,2G,2Bの光が混色されて任意の色を高精細な発光間隔で発光することができる。さらに、各発光層2R,2G,2Bは同一基板に形成されている点以外は従来のLEDと同一であるので、各色の発光強度は高く任意の色を表示することができ、かつ耐環境性があり高い信頼性が得られる。
【0026】
次ぎに本発明のLEDディスプレイの製造方法を説明する。
本発明の方法によれば、同一基板1の表面に互いに隣接して微細なピッチで青(B)、緑(G)、赤(R)の発光領域を設定し、前記各色を発光する発光層2R,2G,2Bを各発光領域に順次または同時に形成する。すなわち、LED発光可能な材料を、同一基板内の所望の領域に選択的に形成して、LEDディスプレイを作製する。
【0027】
各発光層2R,2G,2Bの形成は、材料の選択成長、若しくは、選択ドーピングによるのがよい。
【0028】
各発光層2R,2G,2Bを選択的に成長させる手段として、InGaNのような混晶材料の組成を制御する方法を適用することができる。すなわち、選択した領域毎に結晶成長させる組成を変えることでバンドギャップが変化し、これによって発光色が変化する。
【0029】
所望の領域毎に成長する組成を変える手段には、局所加熱、選択光照射などを用いながら反応ガス切り替えや濃度を制御すること、フォトリソグラフィーによってパターニングした金属薄膜を用いる手段などが適用できる。
【0030】
上述した材料の選択成長により、選択的に結晶成長させる領域を、任意に設定することで、表示領域、表示形状を変化させることができる。
【0031】
各発光層2R,2G,2Bを選択的にドーピングする手段として、例えばGaNのようなバンドギャップの広い材料にイオンドーピングして、特定の準位を形成させる手段を適用することができる。すなわち、選択した領域毎にドーピングするイオン種を変えることにより、形成される準位が変化し、それによって発光色が変化する。
【0032】
所望の領域にドーピングする手段には、イオンビームのスキャン、基板のスキャン、フォトリソグラフィーによるパターニングなどが適用できる。
【0033】
上述した選択ドープにより、ドーピング材料の選択、又は、成膜ガス濃度を変えることで、同一基板内で多色の発光色を表示できるLEDディスプレイが可能になる。さらに、選択的にドーピングする領域を、任意に設定することで、表示領域、表示形状を変化させることができる。
【0034】
【実施例】
図3は、本発明によるLEDディスプレイの製造する装置の模式図である。この図において、レーザコントローラー12により制御されたレーザ14a(例えばエキシマレーザ)により、レーザ光10を発生・放射する。このレーザ光10は、光学系14bとビームホモジナイザー14cを通り、ミラー14dで下向きに反射され、反応容器6に設けられた開口(図示せず)を通して、基板1の上面に照射される。基板1は、シリコン、SiC又はサファイアであるのがよい。
【0035】
レーザ光10は、ミラー14dの揺動又は光学系14bの移動により基板上を走査する。また、ステージコントローラー16により、基板1を二次元的に移動できるようになっている。更に、反応容器6(チャンバー)内はポンプ系15及びガス導入部17により所定のガス雰囲気にコントロールされる。
【0036】
図4は、図3の主要部の構成図である。この図において、基板1は反応容器6内で図示しない温度調節手段(例えばヒータ)によりInGaNが熱分解しない温度に保持される。また、反応容器6内にIn,Ga,Nの前駆体がガス導入部17より順次又は同時に供給される。InGaNが熱分解しない温度は、約400℃以上、約650℃未満であるのがよい。なお、約400℃未満ではInGaNの結晶ができにくく、約650℃以上では熱分解しやすくなる。
【0037】
上述した装置を用い、シリコン又はサファイアからなる基板1を反応容器6内で所定の温度に保持し、反応容器内にIn,Ga,Nの前駆体を順次又は同時に供給し、MOCVD(有機金属気相成長法)またはMOMBE(有機金属分子ビームエピキタシー法)により、青(B)、緑(G)、赤(R)を発光するInGaNを同一基板の表面に順次または同時に成長させる。
【0038】
また、基板表面に高出力パルスレーザを照射させてその照射部分に、約400℃以上、約650℃未満の温度で、前駆体の組成を変えて、青(B)と緑(G)を発光するInGaNを異なる位置に成長させ、次いで、約400℃以上、約500℃未満の温度で、赤(R)を発光するInGaNを異なる位置に成長させる。
【0039】
Gaの前駆体には例えばTMG(トリメチルガリウム)、Inの前駆体には例えばTMI(トリメチルインジウム)、Nの前駆体には例えばアンモニア、N2H2(ヒドラジン)及びTMNH2(トリメチルアミン)を用いる。
【0040】
なおこれらの前駆体の組成は、成長させるInyGa1−yN中の目的とするInのモル分率yに応じて変えるのがよい。例えば、Inのモル分率yを高くするためには、Inの前駆体のモル比を多くする。
【0041】
高出力パルスレーザには、例えば波長277nm以下のエキシマレーザを用いることにより、アンモニアを含む各種の前駆体を同一のパルスレーザで励起・分解してInGaNを成長させることができる。なお、波長277nm以上のエキシマレーザやYAGレーザ等であってもよい。YAGレーザの場合には、532nm、355nm、又は266nmの波長を用いることができる。
【0042】
基板1の表面に高出力パルスレーザを照射させてその照射部分にInGaNを成長させる方法には、MOCVD(有機金属気相成長法)またはMOMBE(有機金属分子ビームエピキタシー法)を適用する。
【0043】
上述した方法によれば、InGaN中のInのモル分率yを変化させて、InyGa1−yNの発光色を、青(B)、緑(G)、赤(R)に選択できるので、各発光色に適した所定の温度と、In,Ga,Nの前駆体とその組成を選択して、最適の条件で同一基板の表面に青(B)、緑(G)、赤(R)を発光するInGaNを所定の発光領域に成長させることができる。
【0044】
また、反応容器内にIn,Ga,Nの前駆体を順次又は同時に供給し、基板表面に高出力パルスレーザを照射させてその照射部分にInGaNを成長させるので、高出力パルスレーザにより前駆体を照射部分で励起してその分子結合(N−H結合、C−アミン結合、等)を切断し、その部分にInGaNを成長させることができる。
【0045】
また、レーザ光を照射してInGaNを微小領域に成長させることができるので、In,Ga,Nの前駆体の比率を順次変更することにより、同一の基板上に赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色を発光するLEDを微細なピッチで形成することができる。
【0046】
更に、約400℃以上、約650℃未満の温度で、前駆体の組成を変えて、青(B)と緑(G)を発光するInGaNを成長させた後、より低い温度で赤(R)を発光するInGaNを成長させるので、青(B)と緑(G)を発光するInGaNの熱分解を防止できる。
また、赤(R)を発光する赤色LEDを形成するために、約400℃以上、約500℃未満の温度で異なる位置に成長させるので、InGaN中のInのモル分率yを約0.7以上に高めても、基板の表面にInyGa1−yNの半導体被膜が成長する過程でInGaNの熱分解を防止することができる。
【0047】
なお、本発明は上述した実施例及び実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できることは勿論である。
【0048】
【発明の効果】
上述したように、本発明のLEDディスプレイとその製造方法によれば、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色を1mm未満の高精細な発光間隔で発光することができ、かつ各色の発光強度が高く任意の色を表示することができ、更に耐環境性があり信頼性が高い、等の優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるLEDディスプレイの構成図である。
【図2】図1の主要部の構成図である。
【図3】本発明によるLEDディスプレイの製造する装置の模式図である。
【図4】図3の主要部の構成図である。
【図5】従来の3in1フルカラーLEDの模式図である。
【図6】3in1フルカラーLEDを使ったLEDディスプレイの模式的斜視図である。
【符号の説明】
1 基板、2R,2G,2B 発光層、
6 反応容器、7 ヒータ、8 排気口、9 放射温度計
10 レーザ光、12 レーザーコントローラー、
14a エキシマレーザ、14b 光学系、
14c ビームホモジナイザー、14d ミラー、
15 ポンプ系、16 ステージコントローラー、
17 ガス導入部
Claims (6)
- 同一基板の表面に赤(R)、緑(G)、青(B)をそれぞれ発光する発光層(2R,2G,2B)を形成した、ことを特徴とするLEDディスプレイ。
- 前記赤(R)、緑(G)、青(B)の各発光層(2R,2G,2B)は、互いに隣接して微細なピッチで配置されている、ことを特徴とする請求項1に記載のLEDディスプレイ。
- 同一基板の表面に互いに隣接して微細なピッチで青(B)、緑(G)、赤(R)の発光領域を設定し、前記各色を発光する発光層(2R,2G,2B)を前記発光領域に順次または同時に形成する、ことを特徴とするLEDディスプレイの製造方法。
- 材料の選択成長、若しくは、選択ドープにより前記各発光層(2R,2G,2B)を形成する、ことを特徴とする請求項3に記載のLEDディスプレイの製造方法。
- 結晶成長用基板(1)を反応容器(6)内で所定の温度に保持し、反応容器内にIn,Ga,Nの前駆体を順次又は同時に供給し、MOCVD(有機金属気相成長法)またはMOMBE(有機金属分子ビームエピキタシー法)により、青(B)、緑(G)、赤(R)を発光するInGaNを同一基板の表面に順次または同時に成長させる、ことを特徴とする請求項3に記載のLEDディスプレイの製造方法。
- 基板表面に高出力パルスレーザを照射させてその照射部分に、約400℃以上、約650℃未満の温度で、前記前駆体の組成を変えて、青(B)と緑(G)を発光するInGaNを異なる位置に成長させ、次いで、約400℃以上、約500℃未満の温度で、赤(R)を発光するInGaNを異なる位置に成長させる、ことを特徴とする請求項5に記載のLEDディスプレイの製造方法。
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