JPH07240453A - 半導体ウエハ加工装置 - Google Patents
半導体ウエハ加工装置Info
- Publication number
- JPH07240453A JPH07240453A JP5513694A JP5513694A JPH07240453A JP H07240453 A JPH07240453 A JP H07240453A JP 5513694 A JP5513694 A JP 5513694A JP 5513694 A JP5513694 A JP 5513694A JP H07240453 A JPH07240453 A JP H07240453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- dicing
- wafer
- die bonding
- conveyor belt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 床専有面積を小さくすることができ、ダイシ
ング工程〜ダイボンディング工程間の加工処理時間を短
かくすることができる半導体ウエハ加工装置を提供す
る。 【構成】 半導体ウエハWは、ワックス塗布ローラ42
によってワックスが塗布された搬送ベルト16上に載置
され、スプロケット12、14等の駆動によって移動さ
れる搬送ベルト16と共に左方に搬送される。搬送途中
において半導体ウエハWは、ウエハ圧着部26で搬送ベ
ルト16に対して圧着固定され、X方向ダイシング部2
8及びY方向ダイシング部29でダイシングされ、洗浄
部30、乾燥部34でそれぞれ洗浄、乾燥され、更にダ
イボンディング部36まで搬送される。そして、ダイボ
ンディング部36において、ダイシング加工された半導
体ウエハWの各チップCPがリードフレーム98上にダ
イボンディングされる。
ング工程〜ダイボンディング工程間の加工処理時間を短
かくすることができる半導体ウエハ加工装置を提供す
る。 【構成】 半導体ウエハWは、ワックス塗布ローラ42
によってワックスが塗布された搬送ベルト16上に載置
され、スプロケット12、14等の駆動によって移動さ
れる搬送ベルト16と共に左方に搬送される。搬送途中
において半導体ウエハWは、ウエハ圧着部26で搬送ベ
ルト16に対して圧着固定され、X方向ダイシング部2
8及びY方向ダイシング部29でダイシングされ、洗浄
部30、乾燥部34でそれぞれ洗浄、乾燥され、更にダ
イボンディング部36まで搬送される。そして、ダイボ
ンディング部36において、ダイシング加工された半導
体ウエハWの各チップCPがリードフレーム98上にダ
イボンディングされる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ加工装置
に係り、特に、素子形成工程の終了した半導体ウエハ
を、所定寸法にダイシング加工し、リードフレームの所
定位置にダイボンディングするまでの工程を自動化した
半導体ウエハ加工装置に関する。
に係り、特に、素子形成工程の終了した半導体ウエハ
を、所定寸法にダイシング加工し、リードフレームの所
定位置にダイボンディングするまでの工程を自動化した
半導体ウエハ加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、個々の半導体集積回路(IC)
が完成するまでの半導体製造工程には、プロセス(素子
形成)工程を終了した半導体ウエハをダイシング加工
し、更に所定の加工処理を行ってリードフレームにダイ
ボンディングする工程が含まれる(この工程をダイシン
グ〜ダイボンディング工程と呼ぶ)。即ち、プロセス工
程を終了した半導体ウエハは、次の工程でチップにダイ
シング加工され、ダイシング加工された半導体ウエハは
洗浄処理され、洗浄処理された半導体ウエハ上の水分は
乾燥処理により除去され、更に半導体ウエハが分割され
て個々のチップが形成され、個々のチップはリードフレ
ームの所定位置にダイボンディング処理される。そし
て、このボンディング処理の終了後、リードフレームの
所定箇所とチップの所定箇所とが金線でワイヤボンディ
ングされ、更にプラスチック等でパッケージングされた
後、所定の検査等を経て、半導体集積回路が完成する。
従来のダイシング〜ダイボンディング工程では、図12
に示すように、個々の処理加工を行う、例えばダイシン
グ装置等が、それぞれ独立して配置され、また、各装置
間には中間仕掛り品を作業員が運搬するための通路が設
けられている。
が完成するまでの半導体製造工程には、プロセス(素子
形成)工程を終了した半導体ウエハをダイシング加工
し、更に所定の加工処理を行ってリードフレームにダイ
ボンディングする工程が含まれる(この工程をダイシン
グ〜ダイボンディング工程と呼ぶ)。即ち、プロセス工
程を終了した半導体ウエハは、次の工程でチップにダイ
シング加工され、ダイシング加工された半導体ウエハは
洗浄処理され、洗浄処理された半導体ウエハ上の水分は
乾燥処理により除去され、更に半導体ウエハが分割され
て個々のチップが形成され、個々のチップはリードフレ
ームの所定位置にダイボンディング処理される。そし
て、このボンディング処理の終了後、リードフレームの
所定箇所とチップの所定箇所とが金線でワイヤボンディ
ングされ、更にプラスチック等でパッケージングされた
後、所定の検査等を経て、半導体集積回路が完成する。
従来のダイシング〜ダイボンディング工程では、図12
に示すように、個々の処理加工を行う、例えばダイシン
グ装置等が、それぞれ独立して配置され、また、各装置
間には中間仕掛り品を作業員が運搬するための通路が設
けられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように従来では、
半導体ウエハが、各装置においてそれぞれ独立に処理さ
れ、各装置間の半導体ウエハの搬送が作業者によって行
われていたため、従来のダイシング〜ダイボンディング
工程を行う処理加工装置には、次のような不都合があっ
た。 作業員用の通路や、各装置毎に中間仕掛り品を一時的
にストックしておくカセットが必要となり、装置全体の
床専有面積が大きくなっていた。 例えばダイシング工程のように、加工に長い時間を要
する工程では、複数台のダイシング装置を備えなければ
ならず、装置全体のラインバランスが良くなかった。 個々の装置が独立していたため(バッチ処理)、不良
品がロット単位で発生していた。 各装置間の仕掛り品の移載作業のような低付加価値作
業が介在し、ダイシング工程〜ダイボンディング工程間
の加工処理時間が長かった。 工程が複雑化し、小ロット生産に適していなかった。
半導体ウエハが、各装置においてそれぞれ独立に処理さ
れ、各装置間の半導体ウエハの搬送が作業者によって行
われていたため、従来のダイシング〜ダイボンディング
工程を行う処理加工装置には、次のような不都合があっ
た。 作業員用の通路や、各装置毎に中間仕掛り品を一時的
にストックしておくカセットが必要となり、装置全体の
床専有面積が大きくなっていた。 例えばダイシング工程のように、加工に長い時間を要
する工程では、複数台のダイシング装置を備えなければ
ならず、装置全体のラインバランスが良くなかった。 個々の装置が独立していたため(バッチ処理)、不良
品がロット単位で発生していた。 各装置間の仕掛り品の移載作業のような低付加価値作
業が介在し、ダイシング工程〜ダイボンディング工程間
の加工処理時間が長かった。 工程が複雑化し、小ロット生産に適していなかった。
【0004】そこで、本発明の目的は、床専有面積を小
さくすることができ、ダイシング工程〜ダイボンディン
グ工程間の加工処理時間を短かくすることができる半導
体ウエハ加工装置を提供することにある。
さくすることができ、ダイシング工程〜ダイボンディン
グ工程間の加工処理時間を短かくすることができる半導
体ウエハ加工装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明で
は、帯状の搬送部材を長手方向に移動させる移動手段
と、この移動手段による移動途中において前記搬送部材
上に半導体ウエハを固定するウエハ固定手段と、このウ
エハ固定手段の下流側で前記搬送部材上の前記半導体ウ
エハをダイシング加工するダイシング手段と、このダイ
シング手段の下流側でダイシング加工を経て形成された
半導体チップをリードフレームにダイボンディングする
ダイボンディング手段とを半導体ウエハ加工装置に具備
させて前記目的を達成する。請求項2記載の発明では、
請求項1記載の半導体ウエハ加工装置において、前記移
動手段が、粘着材が付着されてロール状に巻かれた前記
搬送部材をローラで巻き取ることで長手方向に移動させ
ることによって前記目的を達成する。
は、帯状の搬送部材を長手方向に移動させる移動手段
と、この移動手段による移動途中において前記搬送部材
上に半導体ウエハを固定するウエハ固定手段と、このウ
エハ固定手段の下流側で前記搬送部材上の前記半導体ウ
エハをダイシング加工するダイシング手段と、このダイ
シング手段の下流側でダイシング加工を経て形成された
半導体チップをリードフレームにダイボンディングする
ダイボンディング手段とを半導体ウエハ加工装置に具備
させて前記目的を達成する。請求項2記載の発明では、
請求項1記載の半導体ウエハ加工装置において、前記移
動手段が、粘着材が付着されてロール状に巻かれた前記
搬送部材をローラで巻き取ることで長手方向に移動させ
ることによって前記目的を達成する。
【0006】請求項3記載の発明では、請求項1記載の
半導体ウエハ加工装置において、前記移動手段が、複数
のローラ間に巻きかけられた輪状の搬送部材を前記ロー
ラの回転により長手方向に移動させ、前記ウエハ固定手
段が、半導体ウエハを固定するための粘着材を前記ベル
ト上に付着させる粘着材付着手段とこの粘着材付着手段
によって粘着材が付着された前記ベルト上に半導体ウエ
ハを載置するウエハ載置手段とで構成されたことで前記
目的を達成する。請求項4記載の発明では、請求項1記
載の半導体ウエハ加工装置において、前記ダイシング手
段と前記ダイボンディング手段との間に、前記半導体ウ
エハの表面の付着物を除去する付着物除去手段が配設さ
れたことで前記目的を達成する。
半導体ウエハ加工装置において、前記移動手段が、複数
のローラ間に巻きかけられた輪状の搬送部材を前記ロー
ラの回転により長手方向に移動させ、前記ウエハ固定手
段が、半導体ウエハを固定するための粘着材を前記ベル
ト上に付着させる粘着材付着手段とこの粘着材付着手段
によって粘着材が付着された前記ベルト上に半導体ウエ
ハを載置するウエハ載置手段とで構成されたことで前記
目的を達成する。請求項4記載の発明では、請求項1記
載の半導体ウエハ加工装置において、前記ダイシング手
段と前記ダイボンディング手段との間に、前記半導体ウ
エハの表面の付着物を除去する付着物除去手段が配設さ
れたことで前記目的を達成する。
【0007】
【作用】請求項1記載の半導体ウエハ加工装置では、帯
状の搬送部材が移動手段によってその長手方向に移動さ
れる。ウエハ固定手段は、この移動手段による移動途中
において搬送部材上に半導体ウエハを固定する。ダイシ
ング手段は、ウエハ固定手段の下流側で搬送部材上の半
導体ウエハをダイシング加工する。ダイボンディング手
段は、ダイシング手段の下流側でダイシング加工を経て
形成された半導体チップをリードフレームにダイボンデ
ィングする。請求項2記載の半導体ウエハ加工装置で
は、移動手段が、粘着材が付着されてロール状に巻かれ
た搬送部材をローラで巻き取ることで長手方向に移動さ
せる。
状の搬送部材が移動手段によってその長手方向に移動さ
れる。ウエハ固定手段は、この移動手段による移動途中
において搬送部材上に半導体ウエハを固定する。ダイシ
ング手段は、ウエハ固定手段の下流側で搬送部材上の半
導体ウエハをダイシング加工する。ダイボンディング手
段は、ダイシング手段の下流側でダイシング加工を経て
形成された半導体チップをリードフレームにダイボンデ
ィングする。請求項2記載の半導体ウエハ加工装置で
は、移動手段が、粘着材が付着されてロール状に巻かれ
た搬送部材をローラで巻き取ることで長手方向に移動さ
せる。
【0008】請求項3記載の半導体ウエハ加工装置で
は、移動手段が、複数のローラ間に巻きかけられた輪状
の搬送部材をローラの回転により長手方向に移動させ
る。前記ベルト上には、粘着材付着手段によって半導体
ウエハを固定するための粘着材が付着され、この粘着材
が付着されたベルト上にウエハ載置手段は、半導体ウエ
ハを載置する。請求項4記載の半導体ウエハ加工装置で
は、ダイシング手段とダイボンディング手段との間に配
設された付着物除去手段が、搬送部材上の半導体ウエハ
表面の付着物を除去する。
は、移動手段が、複数のローラ間に巻きかけられた輪状
の搬送部材をローラの回転により長手方向に移動させ
る。前記ベルト上には、粘着材付着手段によって半導体
ウエハを固定するための粘着材が付着され、この粘着材
が付着されたベルト上にウエハ載置手段は、半導体ウエ
ハを載置する。請求項4記載の半導体ウエハ加工装置で
は、ダイシング手段とダイボンディング手段との間に配
設された付着物除去手段が、搬送部材上の半導体ウエハ
表面の付着物を除去する。
【0009】
【実施例】以下、本発明の半導体ウエハ加工装置におけ
る実施例を図1ないし図11を参照して詳細に説明す
る。図1及び図2は、第1の実施例による半導体ウエハ
加工装置10を表したものであり、図1は正面から、図
2は上方から見た場合の半導体ウエハ加工装置の内部を
表したものである。半導体ウエハ加工装置10の両側に
は、2つのスプロケット12、14がそれぞれ配置され
ており、これらは、例えば、パルスモータ等の図示しな
いモータによって所定ピッチ毎に互いに同期した速度で
回転するようになっている。スプロケット12とスプロ
ケット14との間には、図1に示すように半導体ウエハ
加工装置10のケーシングを長手方向に貫通する搬送ベ
ルト16が巻き掛けられている。
る実施例を図1ないし図11を参照して詳細に説明す
る。図1及び図2は、第1の実施例による半導体ウエハ
加工装置10を表したものであり、図1は正面から、図
2は上方から見た場合の半導体ウエハ加工装置の内部を
表したものである。半導体ウエハ加工装置10の両側に
は、2つのスプロケット12、14がそれぞれ配置され
ており、これらは、例えば、パルスモータ等の図示しな
いモータによって所定ピッチ毎に互いに同期した速度で
回転するようになっている。スプロケット12とスプロ
ケット14との間には、図1に示すように半導体ウエハ
加工装置10のケーシングを長手方向に貫通する搬送ベ
ルト16が巻き掛けられている。
【0010】図2に示すように、搬送ベルト16の両側
には、スプロケット12、14の突起18に引っ掛かる
穴20が全周に渡って形成され、スプロケット12、1
4の回転に同期して移動されるようになっている。搬送
ベルト16としては、スプロケット12、14による引
っ張りに対して変形しない強度を持ち、腐食しにくく、
かつ熱伝導性の良い材料が用いられる。例えば、0.3
〜0.5mm厚のステンレス製ベルトを用いる。また、
銅等、他の金属、あるいは金属以外のベルトでもよい。
には、スプロケット12、14の突起18に引っ掛かる
穴20が全周に渡って形成され、スプロケット12、1
4の回転に同期して移動されるようになっている。搬送
ベルト16としては、スプロケット12、14による引
っ張りに対して変形しない強度を持ち、腐食しにくく、
かつ熱伝導性の良い材料が用いられる。例えば、0.3
〜0.5mm厚のステンレス製ベルトを用いる。また、
銅等、他の金属、あるいは金属以外のベルトでもよい。
【0011】半導体ウエハ加工装置10の本体部分は、
プロセス工程を終了した半導体ウエハWに対して各種処
理を行う複数の処理部から主に構成されている。すなわ
ち、半導体ウエハ加工装置10は、搬送ベルト16表面
にワックスを塗布するワックス塗布部22と、搬送ベル
ト16上に半導体ウエハWを載置するウエハセット部2
4と、搬送ベルト16上に載置された半導体ウエハWを
圧着するウエハ圧着部26を備えている。また、半導体
ウエハ加工装置10は、半導体ウエハWをダイシング加
工するX方向ダイシング部28及びY方向ダイシング部
29と、ダイシング加工された半導体ウエハWを洗浄す
る洗浄部30と、洗浄部30において半導体ウエハW表
面に付着した水滴等を除去する乾燥部34と、乾燥後の
半導体ウエハWをリードフレームにダイボンディングす
るダイボンディング部36とを備えている。
プロセス工程を終了した半導体ウエハWに対して各種処
理を行う複数の処理部から主に構成されている。すなわ
ち、半導体ウエハ加工装置10は、搬送ベルト16表面
にワックスを塗布するワックス塗布部22と、搬送ベル
ト16上に半導体ウエハWを載置するウエハセット部2
4と、搬送ベルト16上に載置された半導体ウエハWを
圧着するウエハ圧着部26を備えている。また、半導体
ウエハ加工装置10は、半導体ウエハWをダイシング加
工するX方向ダイシング部28及びY方向ダイシング部
29と、ダイシング加工された半導体ウエハWを洗浄す
る洗浄部30と、洗浄部30において半導体ウエハW表
面に付着した水滴等を除去する乾燥部34と、乾燥後の
半導体ウエハWをリードフレームにダイボンディングす
るダイボンディング部36とを備えている。
【0012】各処理部22、24、26、28、29、
30、34、36は、それぞれ隔壁によって外部や隣接
する処理部から隔離されており、例えば、Y方向ダイシ
ング部29で発生する切り粉の、洗浄部163への進
入、あるいは、洗浄部163で使用する洗浄水の乾燥部
34への進入等が防止されるようになっている。図1に
示すように、ワックス塗布部22では、搬送ベルト16
の下面と接触して、これを支持する支持台40が設けら
れている。この支持台40の内部には、ヒータ38が設
けられており、搬送ベルト16を加熱するようになって
いる。ベルト固定台40の上方には、スポンジ材料でな
るワックス塗布ローラ42が、その外周面を搬送ベルト
16上面に接触させて配設されている。
30、34、36は、それぞれ隔壁によって外部や隣接
する処理部から隔離されており、例えば、Y方向ダイシ
ング部29で発生する切り粉の、洗浄部163への進
入、あるいは、洗浄部163で使用する洗浄水の乾燥部
34への進入等が防止されるようになっている。図1に
示すように、ワックス塗布部22では、搬送ベルト16
の下面と接触して、これを支持する支持台40が設けら
れている。この支持台40の内部には、ヒータ38が設
けられており、搬送ベルト16を加熱するようになって
いる。ベルト固定台40の上方には、スポンジ材料でな
るワックス塗布ローラ42が、その外周面を搬送ベルト
16上面に接触させて配設されている。
【0013】図2に示すように、ワックス塗布ローラ4
2は、モータ44によって回転されるようになってい
る。また、加熱されて液状となったワックスが図示しな
い供給装置によって矢印Aで示すように供給されること
で、ワックス塗布ローラ42の中心部分から外周面へと
ワックスがしみ出るようになっている。このワックスの
しみ出しによって搬送ベルト16の上面にワックスが均
一に塗布され、例えば、厚さ0.3〜0.5mm程度の
ワックスの層が搬送ベルト16上に形成される。なお、
このワックス塗布は、ワックスが浸された円盤形状のス
ポンジを、スタンプを押すように搬送ベルト16の上面
に押しつけることによって行ってもよい。また、ワック
ス塗布部22には、搬送ベルト16を支持すると共に搬
送方向に送るための、ローラ機構46が設けられてい
る。
2は、モータ44によって回転されるようになってい
る。また、加熱されて液状となったワックスが図示しな
い供給装置によって矢印Aで示すように供給されること
で、ワックス塗布ローラ42の中心部分から外周面へと
ワックスがしみ出るようになっている。このワックスの
しみ出しによって搬送ベルト16の上面にワックスが均
一に塗布され、例えば、厚さ0.3〜0.5mm程度の
ワックスの層が搬送ベルト16上に形成される。なお、
このワックス塗布は、ワックスが浸された円盤形状のス
ポンジを、スタンプを押すように搬送ベルト16の上面
に押しつけることによって行ってもよい。また、ワック
ス塗布部22には、搬送ベルト16を支持すると共に搬
送方向に送るための、ローラ機構46が設けられてい
る。
【0014】図3は、図1において左方から見た場合の
ローラ機構46の詳細を表したものである。この図に示
すように、ローラ機構46では、搬送ベルト16を上側
ローラ56と下側ローラ54とで上下に挟んでおり、各
ローラ54、56は、モータ58によってそれぞれ軸a
及びbを中心に回転されることで、搬送ベルト16を図
3の紙面垂直方向(図1、2において矢印E方向)に移
動させるようになっている。なお、モータ58は、スプ
ロケット12、14に同期して回転し、ローラ54、5
6による搬送ベルト16の送り量が、スプロケット1
2、14による送り量と同じになるようになっている。
上側ロータ56の中間部56aは両側に比べ小径となっ
ており、上側ローラ56が直接半導体ウエハWの上面に
接触しないようになっている。なお、他の処理部24、
26、28、29、30、34において設けられる、各
ローラ機構47、48、49、50、51、52も同様
の構成となっている。
ローラ機構46の詳細を表したものである。この図に示
すように、ローラ機構46では、搬送ベルト16を上側
ローラ56と下側ローラ54とで上下に挟んでおり、各
ローラ54、56は、モータ58によってそれぞれ軸a
及びbを中心に回転されることで、搬送ベルト16を図
3の紙面垂直方向(図1、2において矢印E方向)に移
動させるようになっている。なお、モータ58は、スプ
ロケット12、14に同期して回転し、ローラ54、5
6による搬送ベルト16の送り量が、スプロケット1
2、14による送り量と同じになるようになっている。
上側ロータ56の中間部56aは両側に比べ小径となっ
ており、上側ローラ56が直接半導体ウエハWの上面に
接触しないようになっている。なお、他の処理部24、
26、28、29、30、34において設けられる、各
ローラ機構47、48、49、50、51、52も同様
の構成となっている。
【0015】図2に示すように、ウエハセット部24に
は、複数の半導体ウエハWが格納されたウエハカセット
60から、半導体ウエハWを取り出し、搬送ベルト16
上の所定の位置に載置する搬送ロボット62が配設され
ている。搬送ロボット62は、そのアーム63の先端に
取り付けられた図示しないカメラによって、半導体ウエ
ハWのオリフラ(オリエンテーション・フラット)を基
準とした位置合わせを行い、半導体ウエハWを正確に搬
送ベルト16上の所定位置に載置するようになってい
る。搬送ベルト16上に載置された半導体ウエハWは、
スプロケット12、14や各ローラ機構46、47等に
よって搬送ベルト16が矢印E方向に移動されること
で、ウエハ圧着部26、X方向ダイシング部28、Y方
向ダイシング部29、洗浄部30、及び乾燥部34を経
て、ダイボンディング部36まで搬送されるようになっ
ている。なお、この半導体ウエハWの搬送は、スプロケ
ット12、14の所定ピッチ毎の回転によって断続的に
行われ、各処理部26、28等において処理が行われる
ときには、搬送動作が停止するようになっている。
は、複数の半導体ウエハWが格納されたウエハカセット
60から、半導体ウエハWを取り出し、搬送ベルト16
上の所定の位置に載置する搬送ロボット62が配設され
ている。搬送ロボット62は、そのアーム63の先端に
取り付けられた図示しないカメラによって、半導体ウエ
ハWのオリフラ(オリエンテーション・フラット)を基
準とした位置合わせを行い、半導体ウエハWを正確に搬
送ベルト16上の所定位置に載置するようになってい
る。搬送ベルト16上に載置された半導体ウエハWは、
スプロケット12、14や各ローラ機構46、47等に
よって搬送ベルト16が矢印E方向に移動されること
で、ウエハ圧着部26、X方向ダイシング部28、Y方
向ダイシング部29、洗浄部30、及び乾燥部34を経
て、ダイボンディング部36まで搬送されるようになっ
ている。なお、この半導体ウエハWの搬送は、スプロケ
ット12、14の所定ピッチ毎の回転によって断続的に
行われ、各処理部26、28等において処理が行われる
ときには、搬送動作が停止するようになっている。
【0016】ウエハ圧着部26には、搬送ベルト16を
支持する支持台70が設けられており、その上方には、
回転ローラ66を有するウエハ圧着ユニット68が配設
されている。ウエハ圧着ユニット68は回転ローラ66
を、ウエハセット部24から搬送されてきた半導体ウエ
ハW上で転がしながら矢印D方向に移動するようになっ
ている。これにより、半導体ウエハWは、ワックスの塗
布されている搬送ベルト16に対して圧着される。回転
ローラ66の外周面には、接触時に半導体ウエハWの上
面を保護するため、例えば、和紙が巻かれている。
支持する支持台70が設けられており、その上方には、
回転ローラ66を有するウエハ圧着ユニット68が配設
されている。ウエハ圧着ユニット68は回転ローラ66
を、ウエハセット部24から搬送されてきた半導体ウエ
ハW上で転がしながら矢印D方向に移動するようになっ
ている。これにより、半導体ウエハWは、ワックスの塗
布されている搬送ベルト16に対して圧着される。回転
ローラ66の外周面には、接触時に半導体ウエハWの上
面を保護するため、例えば、和紙が巻かれている。
【0017】X方向ダイシング部28には、円盤状のブ
レード74をスピンドルモータ72によって回転させて
半導体ウエハWをX方向に切断加工するダイシング装置
76が設けられている。また、Y方向ダイシング部29
には、スピンドルモータ80によって回転するブレード
82で半導体ウエハWをY方向に切断加工するダイシン
グ装置84が設けられている。このY方向ダイシング部
29、及びX方向ダイシング部28においては、搬送ベ
ルト16を加工時に固定するための固定台86、78が
それぞれ設けられている。
レード74をスピンドルモータ72によって回転させて
半導体ウエハWをX方向に切断加工するダイシング装置
76が設けられている。また、Y方向ダイシング部29
には、スピンドルモータ80によって回転するブレード
82で半導体ウエハWをY方向に切断加工するダイシン
グ装置84が設けられている。このY方向ダイシング部
29、及びX方向ダイシング部28においては、搬送ベ
ルト16を加工時に固定するための固定台86、78が
それぞれ設けられている。
【0018】図4は、図1において左方から見た場合の
固定台86の詳細を表したものである。固定台86は、
通路128が形成されたベース部124と、このベース
部124上に固定され、通路128と連通する通路13
0が形成されたベルト固定部120とを有している。ベ
ルト固定部120の凹部120aには、多孔質材料12
2が埋め込まれており、搬送ベルト16の下面は、この
多孔質材料122の上面と接触するようになっている。
ブレード82による切断加工を行うときには、加工中の
ブレード82の移動を妨げないように一部が切り欠かれ
た円筒形状のストッパ部材126が、半導体ウエハWの
外周を包囲する位置に降下し、搬送ベルト16を多孔質
材料122との間で挟むようになっている。また、通路
128に対して矢印Bで示すように空気が吸引されるこ
とで、通路130及び多孔質材料122を透過する空気
の流通により搬送ベルト16が多孔質材料122に対し
て吸着される。これにより、搬送ベルト16が固定台8
6に対して固定されるようになっている。なお、ストッ
パ部材126を用いず、空気吸引のみによって搬送ベル
ト16を固定してもよい。また、X方向ダイシング部2
8における固定台78も固定台86と同様の構成であ
る。
固定台86の詳細を表したものである。固定台86は、
通路128が形成されたベース部124と、このベース
部124上に固定され、通路128と連通する通路13
0が形成されたベルト固定部120とを有している。ベ
ルト固定部120の凹部120aには、多孔質材料12
2が埋め込まれており、搬送ベルト16の下面は、この
多孔質材料122の上面と接触するようになっている。
ブレード82による切断加工を行うときには、加工中の
ブレード82の移動を妨げないように一部が切り欠かれ
た円筒形状のストッパ部材126が、半導体ウエハWの
外周を包囲する位置に降下し、搬送ベルト16を多孔質
材料122との間で挟むようになっている。また、通路
128に対して矢印Bで示すように空気が吸引されるこ
とで、通路130及び多孔質材料122を透過する空気
の流通により搬送ベルト16が多孔質材料122に対し
て吸着される。これにより、搬送ベルト16が固定台8
6に対して固定されるようになっている。なお、ストッ
パ部材126を用いず、空気吸引のみによって搬送ベル
ト16を固定してもよい。また、X方向ダイシング部2
8における固定台78も固定台86と同様の構成であ
る。
【0019】洗浄部30には、搬送ベルト16の上下に
それぞれ回転ブラシ88、88が配設され、これらは、
それぞれモータ85、85によって回転するようになっ
ている。各回転ブラシ88、88には、図示しない供給
装置から洗浄水が供給されるようになっており、ブラシ
の先端部分に洗浄水が流出するようになっている。この
洗浄水が供給された回転ブラシ88、88を、回転させ
ながら半導体ウエハWの上面と搬送ベルト16の下面と
にそれぞれ接触させることで、半導体ウエハWと搬送ベ
ルト16下面の洗浄を行うようになっている。乾燥部3
4には、図示しないが、例えば、温風を吹きつけること
によって半導体ウエハW表面を乾燥させる乾燥装置が設
けられている。また、乾燥部34には、内部の空気を排
気するための排気ダクト91が取り付けられている。乾
燥装置としては、例えば、電熱線等で構成されたヒータ
等によって半導体ウエハWを加熱することで乾燥する装
置や、また、真空乾燥を行う装置であってもよい。但
し、熱を加えて乾燥させる場合は、搬送ベルト16に塗
布されたワックスが溶解温度以上にならないようにし、
ワックスによる半導体ウエハWの固定状態を維持するよ
うにする。
それぞれ回転ブラシ88、88が配設され、これらは、
それぞれモータ85、85によって回転するようになっ
ている。各回転ブラシ88、88には、図示しない供給
装置から洗浄水が供給されるようになっており、ブラシ
の先端部分に洗浄水が流出するようになっている。この
洗浄水が供給された回転ブラシ88、88を、回転させ
ながら半導体ウエハWの上面と搬送ベルト16の下面と
にそれぞれ接触させることで、半導体ウエハWと搬送ベ
ルト16下面の洗浄を行うようになっている。乾燥部3
4には、図示しないが、例えば、温風を吹きつけること
によって半導体ウエハW表面を乾燥させる乾燥装置が設
けられている。また、乾燥部34には、内部の空気を排
気するための排気ダクト91が取り付けられている。乾
燥装置としては、例えば、電熱線等で構成されたヒータ
等によって半導体ウエハWを加熱することで乾燥する装
置や、また、真空乾燥を行う装置であってもよい。但
し、熱を加えて乾燥させる場合は、搬送ベルト16に塗
布されたワックスが溶解温度以上にならないようにし、
ワックスによる半導体ウエハWの固定状態を維持するよ
うにする。
【0020】ダイボンディング部36には、ヒータ10
2を内蔵した支持台103が配設されており、この支持
台103によって搬送ベルト16が加熱され、塗布され
ているワックスが溶解するようになっている。このワッ
クスの溶解によって、半導体ウエハWの固定状態が解か
れ、各チップCPが搬送ベルト16から容易に剥離でき
るようになる。また、ダイボンディング部36は、半導
体ウエハWの表面を上方から撮像する検査用カメラ10
4が設けられており、この検査用カメラ104で撮像し
た画像を基に各チップCPのバッドマークの有無を調べ
ることにより、不良チップCPがあるか否かを検査する
ようになっている。更に、ダイボンディング部36に
は、半導体ウエハWの各チップCPを搬送して、リード
フレーム上に載置する搬送ロボット92が配設されてい
る。搬送ロボット92のアーム93の先端には、例え
ば、図5に示すように、空気吸引でチップCPを保持す
る吸引管134や、チップCPを正確に保持したり、所
定の位置に正確に載置するための位置合わせ用のカメラ
が取り付けられている。
2を内蔵した支持台103が配設されており、この支持
台103によって搬送ベルト16が加熱され、塗布され
ているワックスが溶解するようになっている。このワッ
クスの溶解によって、半導体ウエハWの固定状態が解か
れ、各チップCPが搬送ベルト16から容易に剥離でき
るようになる。また、ダイボンディング部36は、半導
体ウエハWの表面を上方から撮像する検査用カメラ10
4が設けられており、この検査用カメラ104で撮像し
た画像を基に各チップCPのバッドマークの有無を調べ
ることにより、不良チップCPがあるか否かを検査する
ようになっている。更に、ダイボンディング部36に
は、半導体ウエハWの各チップCPを搬送して、リード
フレーム上に載置する搬送ロボット92が配設されてい
る。搬送ロボット92のアーム93の先端には、例え
ば、図5に示すように、空気吸引でチップCPを保持す
る吸引管134や、チップCPを正確に保持したり、所
定の位置に正確に載置するための位置合わせ用のカメラ
が取り付けられている。
【0021】また、ダイボンディング部36には、搬送
ロボット92によって搬送ベルト16から剥離されたチ
ップCPの裏面に残存しているワックスを除去するため
のクリーニング装置94が設けられている。クリーニン
グ装置94では、2つのローラの間に巻き掛けられたク
リーニングベルトが、ローラの回転により一定方向に移
動するようになっており、このクリーニングベルト上面
にチップCPの裏面を接触させることでクリーニングを
行うようになっている。また、ダイボンディング部36
には、リードフレーム98を収納すると共にベルト99
上に載せて送りだすリードフレームセンダ96と、搬送
ロボット92によってチップCPが載置されたリードフ
レーム98を収容するリードフレームレシーバ100と
が設けられている。
ロボット92によって搬送ベルト16から剥離されたチ
ップCPの裏面に残存しているワックスを除去するため
のクリーニング装置94が設けられている。クリーニン
グ装置94では、2つのローラの間に巻き掛けられたク
リーニングベルトが、ローラの回転により一定方向に移
動するようになっており、このクリーニングベルト上面
にチップCPの裏面を接触させることでクリーニングを
行うようになっている。また、ダイボンディング部36
には、リードフレーム98を収納すると共にベルト99
上に載せて送りだすリードフレームセンダ96と、搬送
ロボット92によってチップCPが載置されたリードフ
レーム98を収容するリードフレームレシーバ100と
が設けられている。
【0022】図1に示すように、半導体ウエハ加工処理
装置10は、ダイボンディング部36から搬出された搬
送ベルト16に残った不良チップCPを回収する不良チ
ップ回収器108を備えている。また、搬送ベルト16
表面を、例えば、イソプロピルアルコールによって洗浄
して、ワックスを除去するベルト洗浄装置114を備え
ている。なお、支持台40と支持台64、支持台64と
支持台70、及び支持台70と固定台78の間隔等、各
処理部23、24、26等において半導体ウエハWの処
理が行われる位置(処理位置)の間隔はそれぞれ等し
く、これらの間隔と等しい間隔で搬送ベルト16上に半
導体ウエハWが載置されることで、全ての処理部23、
24、26、28、29、30、34、36において、
同時に半導体ウエハWに対する処理が行われるようにな
っている。
装置10は、ダイボンディング部36から搬出された搬
送ベルト16に残った不良チップCPを回収する不良チ
ップ回収器108を備えている。また、搬送ベルト16
表面を、例えば、イソプロピルアルコールによって洗浄
して、ワックスを除去するベルト洗浄装置114を備え
ている。なお、支持台40と支持台64、支持台64と
支持台70、及び支持台70と固定台78の間隔等、各
処理部23、24、26等において半導体ウエハWの処
理が行われる位置(処理位置)の間隔はそれぞれ等し
く、これらの間隔と等しい間隔で搬送ベルト16上に半
導体ウエハWが載置されることで、全ての処理部23、
24、26、28、29、30、34、36において、
同時に半導体ウエハWに対する処理が行われるようにな
っている。
【0023】次に、このように構成された実施例の動作
について説明する。先ず、スプロケット12、14やロ
ーラ機構46、47等によって、搬送ベルト16が、例
えば、1分毎に各処理位置の間隔に等しい距離だけ移動
される。搬送ベルト16が移動される時間間隔は、最も
処理時間が長いダイシング処理部28、29での処理時
間に合わせて設定される。ワックス塗布部22では、こ
の搬送ベルト16の移動によって、その上面をワックス
塗布ローラ42が転がり、これにより、搬送ベルト16
上にワックスが塗布される。このとき、搬送ベルト16
は、支持台40のヒータ38によって加熱されているの
で、塗布されたワックスは固化することなく、ウエハセ
ット部24へと搬送される。
について説明する。先ず、スプロケット12、14やロ
ーラ機構46、47等によって、搬送ベルト16が、例
えば、1分毎に各処理位置の間隔に等しい距離だけ移動
される。搬送ベルト16が移動される時間間隔は、最も
処理時間が長いダイシング処理部28、29での処理時
間に合わせて設定される。ワックス塗布部22では、こ
の搬送ベルト16の移動によって、その上面をワックス
塗布ローラ42が転がり、これにより、搬送ベルト16
上にワックスが塗布される。このとき、搬送ベルト16
は、支持台40のヒータ38によって加熱されているの
で、塗布されたワックスは固化することなく、ウエハセ
ット部24へと搬送される。
【0024】ウエハセット部24では、搬送ベルト16
が移動される各ピッチ毎に、順次搬送ロボット62が、
搬送ベルト16上の所定位置に半導体ウエハWを載置す
る。搬送ベルト16上に載置された半導体ウエハWは、
搬送ベルト16の移動で、支持台70上に搬送される。
そして、ウエハ圧着ユニット68が、回転ローラ66を
半導体ウエハW上で転がしながら矢印D方向に移動する
ことによって、回転ローラ66による荷重で半導体ウエ
ハWが、搬送ベルト16に対して圧着される。ワックス
塗布部22で塗布されたワックスは、この工程まで固化
しておらず、ほぼこの工程終了時に固化する。
が移動される各ピッチ毎に、順次搬送ロボット62が、
搬送ベルト16上の所定位置に半導体ウエハWを載置す
る。搬送ベルト16上に載置された半導体ウエハWは、
搬送ベルト16の移動で、支持台70上に搬送される。
そして、ウエハ圧着ユニット68が、回転ローラ66を
半導体ウエハW上で転がしながら矢印D方向に移動する
ことによって、回転ローラ66による荷重で半導体ウエ
ハWが、搬送ベルト16に対して圧着される。ワックス
塗布部22で塗布されたワックスは、この工程まで固化
しておらず、ほぼこの工程終了時に固化する。
【0025】搬送ベルト16に圧着され、ワックスが固
化した半導体ウエハWは、X方向ダイシング部28の固
定台78上に搬送され、固定台78によって搬送ベルト
16が固定されると共に、回転するブレード74によっ
てX方向にダイシング加工される。X方向のダイシング
が終了した半導体ウエハWは、更にY方向ダイシング部
29の固定台86上に搬送され、ブレード82によって
Y方向にダイシング加工される。これらX方向ダイシン
グ部28とY方向ダイシング部29での工程により、半
導体ウエハWは、采の目上に切断され、各チップCP毎
に分割される。なお、ここでのダイシング加工は、半導
体ウエハWを完全に切断するフルカット加工である。続
いて、半導体ウエハWは、洗浄部30内に搬送され、回
転ブラシ88によって洗浄される。また、このとき搬送
ベルト16の裏面も下側の回転ブラシ88によって洗浄
され、X方向ダイシング部28やY方向ダイシング部2
9で付着した切り粉等が除去される。そして、半導体ウ
エハWは、乾燥部34に搬送されると共に乾燥されて、
更に、ダイボンディング部36の支持台103上に搬送
される。このダイボンディング部36で、半導体ウエハ
Wは、先ず、支持台103のヒータ102によるワック
スの溶解で、搬送ベルト16から剥離可能となる。そし
て、検査用カメラ104によって不良チップCPの検査
を行い、不良チップCP以外のチップCPを、例えば、
図5に示すように、搬送ロボット92の吸引管134に
よって保持し、搬送ベルト16から剥離する。
化した半導体ウエハWは、X方向ダイシング部28の固
定台78上に搬送され、固定台78によって搬送ベルト
16が固定されると共に、回転するブレード74によっ
てX方向にダイシング加工される。X方向のダイシング
が終了した半導体ウエハWは、更にY方向ダイシング部
29の固定台86上に搬送され、ブレード82によって
Y方向にダイシング加工される。これらX方向ダイシン
グ部28とY方向ダイシング部29での工程により、半
導体ウエハWは、采の目上に切断され、各チップCP毎
に分割される。なお、ここでのダイシング加工は、半導
体ウエハWを完全に切断するフルカット加工である。続
いて、半導体ウエハWは、洗浄部30内に搬送され、回
転ブラシ88によって洗浄される。また、このとき搬送
ベルト16の裏面も下側の回転ブラシ88によって洗浄
され、X方向ダイシング部28やY方向ダイシング部2
9で付着した切り粉等が除去される。そして、半導体ウ
エハWは、乾燥部34に搬送されると共に乾燥されて、
更に、ダイボンディング部36の支持台103上に搬送
される。このダイボンディング部36で、半導体ウエハ
Wは、先ず、支持台103のヒータ102によるワック
スの溶解で、搬送ベルト16から剥離可能となる。そし
て、検査用カメラ104によって不良チップCPの検査
を行い、不良チップCP以外のチップCPを、例えば、
図5に示すように、搬送ロボット92の吸引管134に
よって保持し、搬送ベルト16から剥離する。
【0026】搬送ベルト16から半導体ウエハWを剥離
したら、搬送ロボット92は、先ず、チップCPをクリ
ーニング装置94に搬送し、その裏面のワックスを落と
す。そして、図示しないポジショナーに一旦載置してチ
ップCPの角度を合わせをする。例えば、図6に示すよ
うな形状の2つ保持具32で、チップCPを挟むこと
で、チップCPの角度を修正する。このとき、カメラ3
1によってチップCPの角を撮像することで、チッピン
グの有無を検査してもよい。一方、ダイボンディング部
36における搬送ベルト16の前方(図2において下
方)に位置するベルト99には、所定位置に接着剤が塗
布されたリードフレーム98が、順次リードフレームセ
ンダ96からリードフレームレシーバ100へと搬送さ
れている。
したら、搬送ロボット92は、先ず、チップCPをクリ
ーニング装置94に搬送し、その裏面のワックスを落と
す。そして、図示しないポジショナーに一旦載置してチ
ップCPの角度を合わせをする。例えば、図6に示すよ
うな形状の2つ保持具32で、チップCPを挟むこと
で、チップCPの角度を修正する。このとき、カメラ3
1によってチップCPの角を撮像することで、チッピン
グの有無を検査してもよい。一方、ダイボンディング部
36における搬送ベルト16の前方(図2において下
方)に位置するベルト99には、所定位置に接着剤が塗
布されたリードフレーム98が、順次リードフレームセ
ンダ96からリードフレームレシーバ100へと搬送さ
れている。
【0027】搬送ロボット92は、角度修正後のチップ
CPを再び保持して、アーム93先端に取り付けられた
カメラでリードフレーム98に対して位置合わせをしな
がら、リードフレーム98上の接着剤が塗布された所定
位置にチップCPを載置する。これにより、リードフレ
ーム98上にチップCPが固定され、チップCPが固定
されたリードフレーム98が、リードフレームレシーバ
100内に収容される。ダイボンディング工程が終わ
り、搬送ベルト16上に残された不良チップCPは、ダ
イボンディング部36の外に搬出され、不良チップ回収
器108の爪110によってかき取られる。
CPを再び保持して、アーム93先端に取り付けられた
カメラでリードフレーム98に対して位置合わせをしな
がら、リードフレーム98上の接着剤が塗布された所定
位置にチップCPを載置する。これにより、リードフレ
ーム98上にチップCPが固定され、チップCPが固定
されたリードフレーム98が、リードフレームレシーバ
100内に収容される。ダイボンディング工程が終わ
り、搬送ベルト16上に残された不良チップCPは、ダ
イボンディング部36の外に搬出され、不良チップ回収
器108の爪110によってかき取られる。
【0028】不良チップCPがかき取られた後、搬送ベ
ルト16は、ベルト洗浄装置114によって洗浄され
て、再び、ワックス塗布部22まで移動する。なお、以
上の各工程において異常が発生した場合には、運転ラン
プ106の警告灯が点灯し、作業者に知らせるようにな
っている。以上の実施例では、ワックスを搬送ベルト1
6上に塗布することで、半導体ウエハWを固定していた
が、ワックスの代わりに熱によって粘着力が低下する接
着剤を塗布してもよい。但し、接着剤としては、熱や特
定の薬品等で容易に溶解、あるいは剥離できるものを使
用する。また、ワックスの代わりに導伝性材料を使用し
てもよい。
ルト16は、ベルト洗浄装置114によって洗浄され
て、再び、ワックス塗布部22まで移動する。なお、以
上の各工程において異常が発生した場合には、運転ラン
プ106の警告灯が点灯し、作業者に知らせるようにな
っている。以上の実施例では、ワックスを搬送ベルト1
6上に塗布することで、半導体ウエハWを固定していた
が、ワックスの代わりに熱によって粘着力が低下する接
着剤を塗布してもよい。但し、接着剤としては、熱や特
定の薬品等で容易に溶解、あるいは剥離できるものを使
用する。また、ワックスの代わりに導伝性材料を使用し
てもよい。
【0029】図7及び図8は、第2の実施例による半導
体ウエハ加工装置を表したものであり、図7は正面か
ら、図8は側面から見た場合の半導体ウエハ加工装置を
表したものである。本実施例による半導体ウエハ加工装
置150は、半導体ウエハWを搬送するための搬送部材
として粘着フィルム156を用いる。すなわち、図7に
示すように、粘着フィルム156が巻かれた送りだしロ
ーラ152と、粘着フィルム156を巻き取る巻き取り
ローラ154とが、半導体ウエハ加工装置150の両側
に設けられている。送りだしローラ152と巻き取りロ
ーラ154とは、図示しない駆動モータによって、それ
ぞれ矢印P、Qで示す方向に回転するようになってお
り、送りだしローラ152から巻き取りローラ154へ
の粘着フィルム156の巻き取り動作によって、粘着フ
ィルム156が図7において左方から右方へと移動し、
移動途中で粘着フィルム156上に載置される半導体ウ
エハWを搬送するようになっている。粘着フィルム15
6は、例えば、ポリプロピレンからなり、その表面に粘
着材が塗布されている。なお、粘着材が塗布された面
は、図4においては上面となっている。
体ウエハ加工装置を表したものであり、図7は正面か
ら、図8は側面から見た場合の半導体ウエハ加工装置を
表したものである。本実施例による半導体ウエハ加工装
置150は、半導体ウエハWを搬送するための搬送部材
として粘着フィルム156を用いる。すなわち、図7に
示すように、粘着フィルム156が巻かれた送りだしロ
ーラ152と、粘着フィルム156を巻き取る巻き取り
ローラ154とが、半導体ウエハ加工装置150の両側
に設けられている。送りだしローラ152と巻き取りロ
ーラ154とは、図示しない駆動モータによって、それ
ぞれ矢印P、Qで示す方向に回転するようになってお
り、送りだしローラ152から巻き取りローラ154へ
の粘着フィルム156の巻き取り動作によって、粘着フ
ィルム156が図7において左方から右方へと移動し、
移動途中で粘着フィルム156上に載置される半導体ウ
エハWを搬送するようになっている。粘着フィルム15
6は、例えば、ポリプロピレンからなり、その表面に粘
着材が塗布されている。なお、粘着材が塗布された面
は、図4においては上面となっている。
【0030】半導体ウエハ加工装置150の本体部分
は、第1の実施例における半導体ウエハ加工装置10と
同様にプロセス工程を終了した半導体ウエハWに対して
各種処理を行う複数の処理部から主に構成されている。
すなわち、半導体ウエハ加工装置150は、粘着フィル
ム156上に半導体ウエハWを載置し固定するウエハセ
ット部160と、半導体ウエハWをそれぞれX方向(図
7において左右方向)とY方向(図7の紙面に垂直方
向)にダイシング加工するX方向ダイシング部161及
びY方向ダイシング部162と、ダイシング加工された
半導体ウエハWを洗浄する洗浄部163と、半導体ウエ
ハWを乾燥させる乾燥部164と、乾燥後の半導体ウエ
ハWをリードフレームにダイボンディングするダイボン
ディング部166とを備えている。
は、第1の実施例における半導体ウエハ加工装置10と
同様にプロセス工程を終了した半導体ウエハWに対して
各種処理を行う複数の処理部から主に構成されている。
すなわち、半導体ウエハ加工装置150は、粘着フィル
ム156上に半導体ウエハWを載置し固定するウエハセ
ット部160と、半導体ウエハWをそれぞれX方向(図
7において左右方向)とY方向(図7の紙面に垂直方
向)にダイシング加工するX方向ダイシング部161及
びY方向ダイシング部162と、ダイシング加工された
半導体ウエハWを洗浄する洗浄部163と、半導体ウエ
ハWを乾燥させる乾燥部164と、乾燥後の半導体ウエ
ハWをリードフレームにダイボンディングするダイボン
ディング部166とを備えている。
【0031】図7に示すように、各処理部160、16
1等には、それぞれ図3のローラ機構46等と同様に粘
着フィルム156を支持するローラ機構168、16
9、170、171、172が設けられている。ウエハ
セット部160には、半導体ウエハWを複数枚格納した
図示しないウエハカセットから半導体ウエハWを取り出
して粘着フィルム156上の所定位置に載置するウエハ
載置ユニット176が設けられている。また、ウエハ載
置ユニット176によって粘着フィルム156上に載置
されて搬送途中にある半導体ウエハW(図7において点
線で示す)を粘着フィルム156と共にローラで上下か
ら挟み込むことによって、半導体ウエハWを粘着フィル
ム156に対して圧着する圧着ローラ機構180が設け
られている。この圧着ローラ機構180の、半導体ウエ
ハWと接触する上側のローラには、半導体ウエハWの表
面を保護するため、例えば、和紙等が巻かれている。
1等には、それぞれ図3のローラ機構46等と同様に粘
着フィルム156を支持するローラ機構168、16
9、170、171、172が設けられている。ウエハ
セット部160には、半導体ウエハWを複数枚格納した
図示しないウエハカセットから半導体ウエハWを取り出
して粘着フィルム156上の所定位置に載置するウエハ
載置ユニット176が設けられている。また、ウエハ載
置ユニット176によって粘着フィルム156上に載置
されて搬送途中にある半導体ウエハW(図7において点
線で示す)を粘着フィルム156と共にローラで上下か
ら挟み込むことによって、半導体ウエハWを粘着フィル
ム156に対して圧着する圧着ローラ機構180が設け
られている。この圧着ローラ機構180の、半導体ウエ
ハWと接触する上側のローラには、半導体ウエハWの表
面を保護するため、例えば、和紙等が巻かれている。
【0032】X方向ダイシング部161には、固定台1
86上に搬送された半導体ウエハWをブレード182に
よってX方向にダイシング加工するX方向ダイシング装
置183が設けられている。また、Y方向ダイシング部
162には、ブレード188によって半導体ウエハWを
Y方向にダイシング加工するY方向ダイシング装置19
0が設けられている。X方向ダイシング部161の固定
台186と、Y方向ダイシング部162の固定台192
は、図4に示した固定台86と同様に空気吸引により粘
着フィルム156を固定するようになっている。洗浄部
163には、第1の実施例と同様に、洗浄水が供給され
る回転ブラシ194によって半導体ウエハW表面を洗浄
するウエハ洗浄装置196が設けられている。また、粘
着フィルム156を固定する固定台197が設けられて
いる。
86上に搬送された半導体ウエハWをブレード182に
よってX方向にダイシング加工するX方向ダイシング装
置183が設けられている。また、Y方向ダイシング部
162には、ブレード188によって半導体ウエハWを
Y方向にダイシング加工するY方向ダイシング装置19
0が設けられている。X方向ダイシング部161の固定
台186と、Y方向ダイシング部162の固定台192
は、図4に示した固定台86と同様に空気吸引により粘
着フィルム156を固定するようになっている。洗浄部
163には、第1の実施例と同様に、洗浄水が供給され
る回転ブラシ194によって半導体ウエハW表面を洗浄
するウエハ洗浄装置196が設けられている。また、粘
着フィルム156を固定する固定台197が設けられて
いる。
【0033】乾燥部164には、粘着フィルム156の
上下に、上側ヒータ200と、下側ヒータ202が設け
られており、上側ヒータ200によって半導体ウエハW
が、下側ヒータ202によって粘着フィルム156の裏
面が乾燥されるようになっている。乾燥部164の内部
の気体は、排気ダクト204から外部に排出されるよう
になっている。この乾燥部164での乾燥は、温風乾燥
や真空乾燥等によって行ってもよい。ダイボンディング
部166では、半導体ウエハW表面を撮像して不良チッ
プCPの検査を行うための検査用カメラ206と、図2
に示した搬送ロボット92と同様に、半導体ウエハWの
各チップCPを搬送する図示しない搬送ロボットが設け
られている。また、粘着フィルム156の下方にウエハ
突き上げ台210が設けられている。
上下に、上側ヒータ200と、下側ヒータ202が設け
られており、上側ヒータ200によって半導体ウエハW
が、下側ヒータ202によって粘着フィルム156の裏
面が乾燥されるようになっている。乾燥部164の内部
の気体は、排気ダクト204から外部に排出されるよう
になっている。この乾燥部164での乾燥は、温風乾燥
や真空乾燥等によって行ってもよい。ダイボンディング
部166では、半導体ウエハW表面を撮像して不良チッ
プCPの検査を行うための検査用カメラ206と、図2
に示した搬送ロボット92と同様に、半導体ウエハWの
各チップCPを搬送する図示しない搬送ロボットが設け
られている。また、粘着フィルム156の下方にウエハ
突き上げ台210が設けられている。
【0034】図9は、このウエハ突き上げ台210の構
造を表したものである。この図に示すように、ウエハ突
き上げ台210は、円筒形状のフィルム支持部材212
と、その内側で図示しない駆動装置により上下動する円
柱形状の突き上げ部材214とを有している。また、こ
のウエハ突き上げ台210の上方には、フィルム支持部
材212とほぼ同径の円筒形状を有するフィルム押さえ
リング216が配設されている。このフィルム押さえリ
ング216は、半導体ウエハWがウエハ突き上げ台21
0上の所定位置に搬送されたときに、粘着フィルム15
6上に降下して、図9に示すように、フィルム支持部材
212との間で挟み込むことで、粘着フィルム156を
保持するようになっている。突き上げ部材214は、そ
の上面がほぼ球面となっており、フィルム押さえリング
216とフィルム支持部材212とによって突き上げ部
材214が保持されたときに、図9に矢印で示すように
下から粘着フィルム156を突き上げることで、点線で
示すように粘着フィルム156を撓ませるようになって
いる。
造を表したものである。この図に示すように、ウエハ突
き上げ台210は、円筒形状のフィルム支持部材212
と、その内側で図示しない駆動装置により上下動する円
柱形状の突き上げ部材214とを有している。また、こ
のウエハ突き上げ台210の上方には、フィルム支持部
材212とほぼ同径の円筒形状を有するフィルム押さえ
リング216が配設されている。このフィルム押さえリ
ング216は、半導体ウエハWがウエハ突き上げ台21
0上の所定位置に搬送されたときに、粘着フィルム15
6上に降下して、図9に示すように、フィルム支持部材
212との間で挟み込むことで、粘着フィルム156を
保持するようになっている。突き上げ部材214は、そ
の上面がほぼ球面となっており、フィルム押さえリング
216とフィルム支持部材212とによって突き上げ部
材214が保持されたときに、図9に矢印で示すように
下から粘着フィルム156を突き上げることで、点線で
示すように粘着フィルム156を撓ませるようになって
いる。
【0035】粘着フィルム156が撓んだ状態では、ダ
イシング工程を終えた半導体ウエハWの各チップCP間
の距離が広がる。例えば、50μmから0.1mmまで
広がる。従って、図示しない搬送ロボットによって、例
えば、図5に示すようにチップCPを粘着フィルム15
6から剥離させるときに、吸引管134と粘着フィルム
156上の他のチップCPとが接触することなく、特定
のチップCPをより容易に保持することができる。
イシング工程を終えた半導体ウエハWの各チップCP間
の距離が広がる。例えば、50μmから0.1mmまで
広がる。従って、図示しない搬送ロボットによって、例
えば、図5に示すようにチップCPを粘着フィルム15
6から剥離させるときに、吸引管134と粘着フィルム
156上の他のチップCPとが接触することなく、特定
のチップCPをより容易に保持することができる。
【0036】図10は、上方から見た場合のダイボンデ
ィング部166を表したものである。この図に示すよう
に、ダイボンディング部166には、粘着フィルム15
6に沿って、リードフレーム230が収容されたリード
フレームセンダ224と、ダイボンディングされたリー
ドフレーム230が収容されるリードフレームレシーバ
226とが設けられている。リードフレームセンダ22
4とリードフレームレシーバ226との間には、リード
フレーム230をリードフレームセンダ224からリー
ドフレームレシーバ226へと搬送する搬送ベルト22
8が設けられている。また、搬送ベルト228と粘着フ
ィルム156との間には、搬送ベルト228上のリード
フレーム230に接着剤を塗布する接着剤塗布器220
と、図示しない搬送ロボットによって粘着フィルム15
6から剥離されたチップCPの角度を調整するためのポ
ジショナー222が配設されている。このポジショナー
222は、例えば、図5に示すように、チップ保持具3
2によってチップCPを挟むことで、その角度合わせを
行うものである。
ィング部166を表したものである。この図に示すよう
に、ダイボンディング部166には、粘着フィルム15
6に沿って、リードフレーム230が収容されたリード
フレームセンダ224と、ダイボンディングされたリー
ドフレーム230が収容されるリードフレームレシーバ
226とが設けられている。リードフレームセンダ22
4とリードフレームレシーバ226との間には、リード
フレーム230をリードフレームセンダ224からリー
ドフレームレシーバ226へと搬送する搬送ベルト22
8が設けられている。また、搬送ベルト228と粘着フ
ィルム156との間には、搬送ベルト228上のリード
フレーム230に接着剤を塗布する接着剤塗布器220
と、図示しない搬送ロボットによって粘着フィルム15
6から剥離されたチップCPの角度を調整するためのポ
ジショナー222が配設されている。このポジショナー
222は、例えば、図5に示すように、チップ保持具3
2によってチップCPを挟むことで、その角度合わせを
行うものである。
【0037】図7に示すように、ダイボンディング部1
66には、図示しない搬送ロボットによるチップCPの
搬送作業終了後に、粘着フィルム156上を検査して、
不良チップCP以外のチップCPが取り残されていない
かを検査するためのカメラ208が設けられている。な
お、本実施例でも、各処理部160、161、162、
163、164、166の間は、互いに隔離されてい
る。また、各処理部160〜166における半導体ウエ
ハWの処理位置の間隔はそれぞれ等しく、これらの間隔
と等しい間隔で粘着フィルム156上に半導体ウエハW
が載置されることで、全ての処理部160、161、1
62、163、164、166において、同時に半導体
ウエハWに対する処理が行われるようになっている。
66には、図示しない搬送ロボットによるチップCPの
搬送作業終了後に、粘着フィルム156上を検査して、
不良チップCP以外のチップCPが取り残されていない
かを検査するためのカメラ208が設けられている。な
お、本実施例でも、各処理部160、161、162、
163、164、166の間は、互いに隔離されてい
る。また、各処理部160〜166における半導体ウエ
ハWの処理位置の間隔はそれぞれ等しく、これらの間隔
と等しい間隔で粘着フィルム156上に半導体ウエハW
が載置されることで、全ての処理部160、161、1
62、163、164、166において、同時に半導体
ウエハWに対する処理が行われるようになっている。
【0038】次に、このように構成された実施例の動作
について説明する。粘着フィルム156は、例えば、1
分毎に各処理位置の間隔に等しい距離だけ移動される。
この粘着フィルム156の移動により、ウエハセット部
160で、粘着フィルム156上に圧着固定された半導
体ウエハWは、先ず、支持台178上から固定台186
上に搬送され、X方向ダイシング装置183によってX
方向にダイシング加工される。次に、半導体ウエハW
は、固定台192上に搬送され、Y方向ダイシング装置
190によってY方向にダイシング加工されて、各チッ
プCP毎の大きさに切断される。なお、ここでのダイシ
ング加工は、半導体ウエハの厚さを若干残す切溝加工で
あってもよい。ダイシング工程が終了した半導体ウエハ
Wは、洗浄部163内に搬送され、ウエハ洗浄装置19
6によって洗浄される。これにより、ダイシング工程で
付着した切り粉等が除去される。
について説明する。粘着フィルム156は、例えば、1
分毎に各処理位置の間隔に等しい距離だけ移動される。
この粘着フィルム156の移動により、ウエハセット部
160で、粘着フィルム156上に圧着固定された半導
体ウエハWは、先ず、支持台178上から固定台186
上に搬送され、X方向ダイシング装置183によってX
方向にダイシング加工される。次に、半導体ウエハW
は、固定台192上に搬送され、Y方向ダイシング装置
190によってY方向にダイシング加工されて、各チッ
プCP毎の大きさに切断される。なお、ここでのダイシ
ング加工は、半導体ウエハの厚さを若干残す切溝加工で
あってもよい。ダイシング工程が終了した半導体ウエハ
Wは、洗浄部163内に搬送され、ウエハ洗浄装置19
6によって洗浄される。これにより、ダイシング工程で
付着した切り粉等が除去される。
【0039】続いて、半導体ウエハWは、乾燥部34に
搬送されて、上側ヒータ200によって乾燥される。ま
た、同時に、粘着フィルム156の裏面が、下側ヒータ
202によって乾燥される。乾燥が終了した半導体ウエ
ハWは、次にダイボンディング部166のウエハ突き上
げ台210上に搬送され、図9に示したように、フィル
ム押さえリング216とウエハ突き上げ台210によっ
て保持される。そして、粘着フィルム156が、突き上
げ部材214によって下から突き上げられ、各チップC
Pの間隔が広がる。ダイシング部161、162におい
て切溝加工が行われた場合には、この突き上げによっ
て、各チップCPが分割される。
搬送されて、上側ヒータ200によって乾燥される。ま
た、同時に、粘着フィルム156の裏面が、下側ヒータ
202によって乾燥される。乾燥が終了した半導体ウエ
ハWは、次にダイボンディング部166のウエハ突き上
げ台210上に搬送され、図9に示したように、フィル
ム押さえリング216とウエハ突き上げ台210によっ
て保持される。そして、粘着フィルム156が、突き上
げ部材214によって下から突き上げられ、各チップC
Pの間隔が広がる。ダイシング部161、162におい
て切溝加工が行われた場合には、この突き上げによっ
て、各チップCPが分割される。
【0040】次に、検査用カメラ206によって不良チ
ップCPを検査して、ダイボンディング部166の図示
しない搬送ロボットが、互いの間隔を広げたチップCP
の内、不良チップCP以外のチップCPを保持して、粘
着フィルム156から図10に示したポジショナー22
2上に載置する。ポジショナー222でのチップCPの
角度修正を終了したら、搬送ロボットが、再びチップC
Pを保持して、接着剤が塗布された搬送ベルト228上
のリードフレーム230の所定の位置に載置する。そし
て、この搬送動作が繰り返されて不良チップCP以外の
全てのチップCPがダイボンドされる。チップCPが載
置されたリードフレーム230は、ヒータ232によっ
て加熱され、これにより、塗布された接着剤が硬化して
チップCPがリードフレーム230に対して固定され
る。
ップCPを検査して、ダイボンディング部166の図示
しない搬送ロボットが、互いの間隔を広げたチップCP
の内、不良チップCP以外のチップCPを保持して、粘
着フィルム156から図10に示したポジショナー22
2上に載置する。ポジショナー222でのチップCPの
角度修正を終了したら、搬送ロボットが、再びチップC
Pを保持して、接着剤が塗布された搬送ベルト228上
のリードフレーム230の所定の位置に載置する。そし
て、この搬送動作が繰り返されて不良チップCP以外の
全てのチップCPがダイボンドされる。チップCPが載
置されたリードフレーム230は、ヒータ232によっ
て加熱され、これにより、塗布された接着剤が硬化して
チップCPがリードフレーム230に対して固定され
る。
【0041】以上説明したように、半導体ウエハ加工装
置10、150によれば、半導体ウエハWが、搬送ベル
ト16、あるいは粘着フィルム156によってダイシン
グからダイボンディング工程まで連続的に搬送され、各
処理部26、28、29、30、34、36、及び16
1、162、163、164、166では、半導体ウエ
ハWの処理が同時に進行するので、従来は1日以上かか
っていたダイシング工程〜ダイポンディング工程間の処
理時間を大幅に短縮することができる。また、半導体ウ
エハWが、中間仕掛り品として一時的にストックされる
ことなく、1つの搬送部材16、156によって連続的
に搬送されるので、ラインバランスが良い。また、ダイ
シング〜ダイボンディング工程までを行う各処理部が、
搬送ベルト16あるいは粘着フィルム156に沿って、
一体的に配置されているので、装置の床専有面積を小さ
くすることができる。
置10、150によれば、半導体ウエハWが、搬送ベル
ト16、あるいは粘着フィルム156によってダイシン
グからダイボンディング工程まで連続的に搬送され、各
処理部26、28、29、30、34、36、及び16
1、162、163、164、166では、半導体ウエ
ハWの処理が同時に進行するので、従来は1日以上かか
っていたダイシング工程〜ダイポンディング工程間の処
理時間を大幅に短縮することができる。また、半導体ウ
エハWが、中間仕掛り品として一時的にストックされる
ことなく、1つの搬送部材16、156によって連続的
に搬送されるので、ラインバランスが良い。また、ダイ
シング〜ダイボンディング工程までを行う各処理部が、
搬送ベルト16あるいは粘着フィルム156に沿って、
一体的に配置されているので、装置の床専有面積を小さ
くすることができる。
【0042】以上の各実施例では、X方向ダイシング部
28、161とY方向ダイシング部29、162おい
て、それぞれ1つづつダイシング装置76や183、及
び84や190が設けられていたが、X方向ダイシング
部28、161とY方向ダイシング部29、162とに
それぞれ、2つづつダイシング装置を配設してもよい。
例えば、図11に示すように、1つ目のX方向用のダイ
シング装置で、先ず半導体ウエハWの点線X1で示す部
分を切断加工し、その後、2つ目のX方向用のダイシン
グ装置で点線X2の部分を切断加工する。ダイシング加
工に費やす時間は、他の工程での処理時間に比べ長いた
め、全体の処理時間を長くしてしまうが、このように1
方向のダイシング加工を2つのダイシング装置に分けて
行うことで、1つのダイシング装置による処理時間を半
減させることができる。従って、搬送ベルト16や粘着
フィルム156を送る間隔を短くして、装置全体の処理
時間を短縮することができる。また、ダイボンディング
工程における処理時間は、洗浄工程や乾燥工程等に比べ
て長いので、ダイボンディング工程も複数の装置で分担
して並列処理してもよい。例えば、ダイシング部では前
述のようにダイシング装置を2台づつ計4台配置すると
ともに、ダイボンディング部では、ダイボンディング工
程を分担した2台のダイボンディング装置を設ける。こ
れにより、ダイボンディング工程の処理時間も短縮さ
れ、各工程での処理時間が平均化されてラインバランス
を良くし、半導体ウエハ加工装置全体の処理時間を更に
短縮することができる。
28、161とY方向ダイシング部29、162おい
て、それぞれ1つづつダイシング装置76や183、及
び84や190が設けられていたが、X方向ダイシング
部28、161とY方向ダイシング部29、162とに
それぞれ、2つづつダイシング装置を配設してもよい。
例えば、図11に示すように、1つ目のX方向用のダイ
シング装置で、先ず半導体ウエハWの点線X1で示す部
分を切断加工し、その後、2つ目のX方向用のダイシン
グ装置で点線X2の部分を切断加工する。ダイシング加
工に費やす時間は、他の工程での処理時間に比べ長いた
め、全体の処理時間を長くしてしまうが、このように1
方向のダイシング加工を2つのダイシング装置に分けて
行うことで、1つのダイシング装置による処理時間を半
減させることができる。従って、搬送ベルト16や粘着
フィルム156を送る間隔を短くして、装置全体の処理
時間を短縮することができる。また、ダイボンディング
工程における処理時間は、洗浄工程や乾燥工程等に比べ
て長いので、ダイボンディング工程も複数の装置で分担
して並列処理してもよい。例えば、ダイシング部では前
述のようにダイシング装置を2台づつ計4台配置すると
ともに、ダイボンディング部では、ダイボンディング工
程を分担した2台のダイボンディング装置を設ける。こ
れにより、ダイボンディング工程の処理時間も短縮さ
れ、各工程での処理時間が平均化されてラインバランス
を良くし、半導体ウエハ加工装置全体の処理時間を更に
短縮することができる。
【0043】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ加工装置によれ
ば、床専有面積を小さくすることができ、ダイシング工
程〜ダイボンディング工程間の加工処理時間を短かくす
ることができる。
ば、床専有面積を小さくすることができ、ダイシング工
程〜ダイボンディング工程間の加工処理時間を短かくす
ることができる。
【図1】本発明の第1の実施例による半導体ウエハ加工
装置の正面図である。
装置の正面図である。
【図2】同装置の平面図である。
【図3】同装置のローラ機構を示した説明図である。
【図4】同装置におけるダイシング部の一部を示した説
明図である。
明図である。
【図5】チップを保持する機構の一例を示した説明図で
ある。
ある。
【図6】ポジショナーの一例を示した説明図である。
【図7】本発明の第2の実施例による半導体ウエハ加工
装置の正面図である。
装置の正面図である。
【図8】同装置の側面図である。
【図9】同装置のダイボンディング部の一部を示した説
明図である。
明図である。
【図10】同ダイボンディング部の平面図である。
【図11】ダイシング工程での他の処理方法を示した説
明図である。
明図である。
【図12】従来の各半導体ウエハ加工装置の配置を示し
た平面図である。
た平面図である。
10、150 半導体ウエハ加工装置 12、14 スプロケット 16 搬送ベルト 22 ワックス塗布部 24 ウエハセット部 26 ウエハ圧着部 28、161 X方向ダイシング部 29、162 Y方向ダイシング部 30、163 洗浄部 34、164 乾燥部 36、166ダイボンディング部 38、102 ヒータ 40、64、70、103、178 支持台 42 ワックス塗布ローラ 44 モータ 46、47、48、49、50、51、52、168、
169、170、171、172 ローラ機構 60 ウエハカセット 62 搬送ロボット 63 アーム 66 回転ローラ 68 ウエハ圧着ユニット 74、82、182、188 ブレード 76 X方向ダイシング装置 78、86、186、192、197 固定台 80 スピンドルモータ 84 Y方向ダイシング装置 85 モータ 88、194、回転ブラシ 94 クリーニング装置 96、224 リードフレームセンダ 98、230 リードフレーム 99 ベルト 100、226 リードフレームレシーバ 196 ウエハ洗浄装置 210 ウエハ突き上げ台 W 半導体ウエハ
169、170、171、172 ローラ機構 60 ウエハカセット 62 搬送ロボット 63 アーム 66 回転ローラ 68 ウエハ圧着ユニット 74、82、182、188 ブレード 76 X方向ダイシング装置 78、86、186、192、197 固定台 80 スピンドルモータ 84 Y方向ダイシング装置 85 モータ 88、194、回転ブラシ 94 クリーニング装置 96、224 リードフレームセンダ 98、230 リードフレーム 99 ベルト 100、226 リードフレームレシーバ 196 ウエハ洗浄装置 210 ウエハ突き上げ台 W 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/52 F 21/301 H01L 21/78 Q
Claims (4)
- 【請求項1】 帯状の搬送部材を長手方向に移動させる
移動手段と、 この移動手段による移動途中において前記搬送部材上に
半導体ウエハを固定するウエハ固定手段と、 このウエハ固定手段の下流側で、前記搬送部材上の前記
半導体ウエハをダイシング加工するダイシング手段と、 このダイシング手段の下流側で、ダイシング加工を経て
形成された半導体チップをリードフレームにダイボンデ
ィングするダイボンディング手段とを具備することを特
徴とする半導体ウエハ加工装置。 - 【請求項2】 前記移動手段は、粘着材が付着されてロ
ール状に巻かれた前記搬送部材をローラで巻き取ること
で長手方向に移動させることを特徴とする請求項1記載
の半導体ウエハ加工装置。 - 【請求項3】 前記移動手段は、複数のローラ間に巻き
かけられた輪状の搬送部材を、前記ローラの回転により
長手方向に移動させ、 前記ウエハ固定手段は、半導体ウエハを固定するための
粘着材を前記ベルト上に付着させる粘着材付着手段と、
この粘着材付着手段によって粘着材が付着された前記ベ
ルト上に半導体ウエハを載置するウエハ載置手段とで構
成されたことを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ
加工装置。 - 【請求項4】 前記ダイシング手段と前記ダイボンディ
ング手段との間に、前記半導体ウエハの表面の付着物を
除去する付着物除去手段が配設されたことを特徴とする
請求項1記載の半導体ウエハ加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5513694A JPH07240453A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 半導体ウエハ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5513694A JPH07240453A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 半導体ウエハ加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07240453A true JPH07240453A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12990375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5513694A Pending JPH07240453A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 半導体ウエハ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07240453A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005109492A1 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Hanmi Semiconductor Co., Ltd | Sawing and handler system for manufacturing semiconductor package |
US7112518B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-09-26 | New Wave Research | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
EP1789998A2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-05-30 | Rokko Systems PTE Ltd | Supply mechanism for the chuck of an integrated circuit dicing device |
EP1028455A3 (en) * | 1999-02-10 | 2007-08-22 | Disco Corporation | Cutting-and-transferring system and pellet transferring apparatus |
CN103000556A (zh) * | 2011-09-15 | 2013-03-27 | 株式会社迪思科 | 分割装置 |
JP2017011121A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライブ装置 |
CN116435230A (zh) * | 2023-06-15 | 2023-07-14 | 常州比太科技有限公司 | 一种硅片板输送清洗设备及工作方法 |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP5513694A patent/JPH07240453A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1028455A3 (en) * | 1999-02-10 | 2007-08-22 | Disco Corporation | Cutting-and-transferring system and pellet transferring apparatus |
US7112518B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-09-26 | New Wave Research | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
US7169688B2 (en) | 2002-06-10 | 2007-01-30 | New Wave Research, Inc. | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
WO2005109492A1 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Hanmi Semiconductor Co., Ltd | Sawing and handler system for manufacturing semiconductor package |
EP1789998A2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-05-30 | Rokko Systems PTE Ltd | Supply mechanism for the chuck of an integrated circuit dicing device |
EP1789998A4 (en) * | 2004-08-23 | 2011-09-14 | Rokko Systems Pte Ltd | FEEDING MECHANISM FOR THE CLAMPING DEVICE OF A DISTRIBUTION DEVICE FOR INTEGRATED CIRCUITS |
CN103000556A (zh) * | 2011-09-15 | 2013-03-27 | 株式会社迪思科 | 分割装置 |
JP2013065603A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 分割装置 |
JP2017011121A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライブ装置 |
CN116435230A (zh) * | 2023-06-15 | 2023-07-14 | 常州比太科技有限公司 | 一种硅片板输送清洗设备及工作方法 |
CN116435230B (zh) * | 2023-06-15 | 2023-08-11 | 常州比太科技有限公司 | 一种硅片板输送清洗设备及工作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3696690B2 (ja) | ウェーハの研磨装置システム | |
KR100197090B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 그 시스템 | |
JP6739873B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2003258067A (ja) | ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置 | |
CN101969037B (zh) | 粘接带粘贴方法和粘接带粘贴装置 | |
US7129118B2 (en) | Protective tape removing apparatus and method of assembling semiconductor package using the same | |
JP2002100591A (ja) | 電子部品の製造方法及び製造装置 | |
JP2010089109A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
JP7042944B2 (ja) | 搬送装置、および基板処理システム | |
TWI423365B (zh) | Coating, developing device, and coating and developing method | |
TW201324648A (zh) | 洗淨方法、電腦記憶媒體、洗淨裝置及剝離系統 | |
JPH0810686B2 (ja) | 半導体基板エッチング処理装置 | |
JPH07240453A (ja) | 半導体ウエハ加工装置 | |
JPH1027836A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
JP4649059B2 (ja) | ワーク搬送装置及びダイシング装置 | |
JPH11163006A (ja) | ペレットボンディング方法 | |
JPH11176790A (ja) | 洗浄装置 | |
JP3618080B2 (ja) | ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法 | |
JP3872159B2 (ja) | ブラシ洗浄装置及びウェーハの研磨装置システム | |
JPH06208979A (ja) | 半導体ウェーハの製造システム | |
JP2002083795A (ja) | 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 | |
JP2020080382A (ja) | ボンディング装置、ダイボンダ、及びボンディング方法 | |
JP2005056901A (ja) | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005347421A (ja) | 半導体装置の製造方法及び装置 | |
JPH09102478A (ja) | 半田ボールの被搭載面のクリーニング方法、クリーニング機構及び半田ボール搭載装置 |