JPH07240444A - 半導体チップ試験装置 - Google Patents
半導体チップ試験装置Info
- Publication number
- JPH07240444A JPH07240444A JP5317694A JP5317694A JPH07240444A JP H07240444 A JPH07240444 A JP H07240444A JP 5317694 A JP5317694 A JP 5317694A JP 5317694 A JP5317694 A JP 5317694A JP H07240444 A JPH07240444 A JP H07240444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- contact
- semiconductor
- group
- individually
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハに検査のための特段の構成を設けるこ
となく、しかも個々の半導体チップに分離する以前の状
態で、同時並列的に試験をすることができしかもチップ
に対応してプローブの接点動作を選択することができる
半導体チップ試験装置を提供することにある。 【構成】 半導体チップ試験装置は、支持絶縁体に半導
体チップの表面に形成されている個々のボンディングパ
ッドに対面する導体膜群およびそれらを外部へ接続する
配線を形成する。電気接点群をそれぞれ独立にウエハ面
方向に移動し前記各電気接点群が半導体チップ面の単位
ボンディングパッド群に対して電気的に接触または切離
し移動可能にする。
となく、しかも個々の半導体チップに分離する以前の状
態で、同時並列的に試験をすることができしかもチップ
に対応してプローブの接点動作を選択することができる
半導体チップ試験装置を提供することにある。 【構成】 半導体チップ試験装置は、支持絶縁体に半導
体チップの表面に形成されている個々のボンディングパ
ッドに対面する導体膜群およびそれらを外部へ接続する
配線を形成する。電気接点群をそれぞれ独立にウエハ面
方向に移動し前記各電気接点群が半導体チップ面の単位
ボンディングパッド群に対して電気的に接触または切離
し移動可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの特性を
試験するための試験装置、さらに詳しく言えばウエハの
状態でチップに切断する前にチップのテストを行うこと
ができるようにプローブに改良を施した半導体チップ試
験装置に関する。
試験するための試験装置、さらに詳しく言えばウエハの
状態でチップに切断する前にチップのテストを行うこと
ができるようにプローブに改良を施した半導体チップ試
験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハの状態でチップの特性を試験、ウ
エハプローブテストをする半導体チップ試験装置が提案
され実施されている。半導体ＩＣのバーンインテストま
たは加速エイジングテストについて多くの研究がなさ
れ、ウエハからチップを切り出してリードフレームに接
続しモールドしたものについてのバーンインテストはす
でに行われている。バーンインテストによりいわゆる初
期不良の問題を解決することができる。しかし完成の段
階で不良品を出すよりももっと早い段階で不良のチップ
を排除することができると無駄が少なくなる。またこの
バーンインテストにより得られたデータはただちに製造
工程の分析に利用できプロセスを改良するためのデータ
が得られる。そのためにウエハの状態でチップを切り出
す前にバーンインテストを行いたいという強い要請があ
る。例えば集積回路のウエハレベルのバーンイン試験の
発明（特開平３−８６５２８号）は、スクラブレーンに
より分離された部分に接触パッドを設ける構成を提案し
ている。また半導体チップの選別方法および装置（特開
平３−３８８５０号）の発明は、導電性ゴムシートを局
部的に加圧することにより、その部分を接点として利用
するプローブを提案している。
エハプローブテストをする半導体チップ試験装置が提案
され実施されている。半導体ＩＣのバーンインテストま
たは加速エイジングテストについて多くの研究がなさ
れ、ウエハからチップを切り出してリードフレームに接
続しモールドしたものについてのバーンインテストはす
でに行われている。バーンインテストによりいわゆる初
期不良の問題を解決することができる。しかし完成の段
階で不良品を出すよりももっと早い段階で不良のチップ
を排除することができると無駄が少なくなる。またこの
バーンインテストにより得られたデータはただちに製造
工程の分析に利用できプロセスを改良するためのデータ
が得られる。そのためにウエハの状態でチップを切り出
す前にバーンインテストを行いたいという強い要請があ
る。例えば集積回路のウエハレベルのバーンイン試験の
発明（特開平３−８６５２８号）は、スクラブレーンに
より分離された部分に接触パッドを設ける構成を提案し
ている。また半導体チップの選別方法および装置（特開
平３−３８８５０号）の発明は、導電性ゴムシートを局
部的に加圧することにより、その部分を接点として利用
するプローブを提案している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の発明のようにバ
ーンインテストをするための構造をウエハ側に設けるこ
とは、ウエハの利用率を下げるだけではなく工程が複雑
になる可能性がある。前記導電性ゴムシートを局部的に
加圧することにより、その部分を接点として利用するプ
ローブは極めて優れているが解決されるべき２〜３の問
題が残されている。すなわち、チップのパッドの全てに
対応する接点を同時に形成（オン）するのは分解精度か
ら言って問題がある。特定のチップを回路から分離した
いと思ってもチップごとにプローブを選択的に動作をさ
せることは困難である。また接点部分の接触抵抗を十分
に低くすることは容易ではない。本発明の目的はウエハ
に検査のための特段の構成を設けることなく、しかも個
々の半導体チップに分離する以前の状態で、同時並列的
に試験することができる半導体チップ試験装置を提供す
ることにある。本発明のさらに他の目的は、チップに対
応してプローブの接点動作を選択することができる半導
体チップ試験装置を提供することにある。
ーンインテストをするための構造をウエハ側に設けるこ
とは、ウエハの利用率を下げるだけではなく工程が複雑
になる可能性がある。前記導電性ゴムシートを局部的に
加圧することにより、その部分を接点として利用するプ
ローブは極めて優れているが解決されるべき２〜３の問
題が残されている。すなわち、チップのパッドの全てに
対応する接点を同時に形成（オン）するのは分解精度か
ら言って問題がある。特定のチップを回路から分離した
いと思ってもチップごとにプローブを選択的に動作をさ
せることは困難である。また接点部分の接触抵抗を十分
に低くすることは容易ではない。本発明の目的はウエハ
に検査のための特段の構成を設けることなく、しかも個
々の半導体チップに分離する以前の状態で、同時並列的
に試験することができる半導体チップ試験装置を提供す
ることにある。本発明のさらに他の目的は、チップに対
応してプローブの接点動作を選択することができる半導
体チップ試験装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明による半導体チップ試験装置は、半導体ウエハ
上に形成された複数の半導体チップの特性を個々の半導
体チップに分離する以前の状態で同時並列的に試験する
装置であって、支持絶縁体に半導体チップの表面に形成
されている個々のボンディングパッドに対面する導体膜
群およびそれらを外部へ接続する配線を形成し、前記個
々のボンディングパッドに対面する導体膜群の表面に電
気接点を配設して構成されている。
に本発明による半導体チップ試験装置は、半導体ウエハ
上に形成された複数の半導体チップの特性を個々の半導
体チップに分離する以前の状態で同時並列的に試験する
装置であって、支持絶縁体に半導体チップの表面に形成
されている個々のボンディングパッドに対面する導体膜
群およびそれらを外部へ接続する配線を形成し、前記個
々のボンディングパッドに対面する導体膜群の表面に電
気接点を配設して構成されている。
【０００５】
【実施例】以下図面等を参照して、本発明をさらに詳し
く説明する。図１は、本発明による半導体チップ試験装
置全体の基本構成を示す略図である。図９は、前記半導
体チップ試験装置の試験の対象である半導体チップが多
数設けられている半導体ウエハを一部拡大して示した図
である。半導体ウエハ１０には多数の半導体チップ１
１，１２，１３，１４，１５・・・が設けられており、
各チップの周縁には１〜２０のパッド１６が設けられて
おりチップ内部の回路はこれらのパッドに接続されてい
る。通常これらのチップを切断した後にパッドとリード
フレームを接続しパッケージングすることにより半導体
ＩＣが構成される。本発明による半導体チップ試験装置
はこれらのチップを切断して分離しない前にバーンイン
テストを含めて必要なテストを行うことができるもので
ある。図１に示すように本発明による半導体チップ試験
装置は基本的にウエハ治具Ａとプローブ治具Ｂから構成
されている。ウエハ治具Ａで半導体ウエハＷを支持し、
プローブ治具Ｂでプローブ組立Ｐを支持する。各治具
Ａ，Ｂに関連して治具位置合わせ手段ＡＬＤが設けられ
ており、これにより前記プローブ治具Ｂと前記ウエハ治
具Ａは位置合わせ対面結合させられる。前記半導体ウエ
ハＷ，１０上に形成された前述の半導体チップ１１〜１
５・・の特性は、個々の半導体チップに分離する以前の
状態で、同時並列的に試験される。前記プローブ組立Ｐ
には前記ウエハＷに形成された半導体チップの表面に形
成されている個々のボンディングパッド１６に対面して
接触する位置にそれぞれ電気接点が形成されている。こ
の部分については実施例を参照して後に詳述する。
く説明する。図１は、本発明による半導体チップ試験装
置全体の基本構成を示す略図である。図９は、前記半導
体チップ試験装置の試験の対象である半導体チップが多
数設けられている半導体ウエハを一部拡大して示した図
である。半導体ウエハ１０には多数の半導体チップ１
１，１２，１３，１４，１５・・・が設けられており、
各チップの周縁には１〜２０のパッド１６が設けられて
おりチップ内部の回路はこれらのパッドに接続されてい
る。通常これらのチップを切断した後にパッドとリード
フレームを接続しパッケージングすることにより半導体
ＩＣが構成される。本発明による半導体チップ試験装置
はこれらのチップを切断して分離しない前にバーンイン
テストを含めて必要なテストを行うことができるもので
ある。図１に示すように本発明による半導体チップ試験
装置は基本的にウエハ治具Ａとプローブ治具Ｂから構成
されている。ウエハ治具Ａで半導体ウエハＷを支持し、
プローブ治具Ｂでプローブ組立Ｐを支持する。各治具
Ａ，Ｂに関連して治具位置合わせ手段ＡＬＤが設けられ
ており、これにより前記プローブ治具Ｂと前記ウエハ治
具Ａは位置合わせ対面結合させられる。前記半導体ウエ
ハＷ，１０上に形成された前述の半導体チップ１１〜１
５・・の特性は、個々の半導体チップに分離する以前の
状態で、同時並列的に試験される。前記プローブ組立Ｐ
には前記ウエハＷに形成された半導体チップの表面に形
成されている個々のボンディングパッド１６に対面して
接触する位置にそれぞれ電気接点が形成されている。こ
の部分については実施例を参照して後に詳述する。
【０００６】前記電気接点と前記プローブ治具Ｂ側の前
記治具位置合わせ手段ＡＬＤとの相対位置関係はプロー
ブ治具側の位置調整手段ＡＪＤにより調整される。前記
プローブ治具Ｂおよびウエハ治具Ａは、半導体ウエハＷ
の線膨張率と近似する線膨張率を持つ材料、例えばイン
バー合金などで構成されている。これにより半導体チッ
プ試験装置の温度変化により治具と半導体ウエハ間の結
合に不具合が生じないようにしてある。すなわちこれに
より個々の半導体チップとその半導体チップに対応する
接点群とが温度変化による位置ずれを生じない構造にし
てある。また前記半導体ウエハＷ上に形成されている個
々の半導体チップのボンディングパッドの位置と前記ウ
エハ治具Ａ側の前記治具位置合わせ手段ＡＬＤとの相対
位置関係はウエハ治具Ａ側の相対位置調整手段ＡＪＤに
より調節される。前記相対位置調整手段ＡＪＤは前述の
ようにプローブ治具側およびウエハ治具側の両方で行っ
ても良いし、いずれか一方でも良い。ウエハ治具Ａとプ
ローブ治具Ｂを略同一平面に配置して工具顕微鏡などを
利用して位置合わせをすれば、極めて高い精度の位置調
整が可能となる。
記治具位置合わせ手段ＡＬＤとの相対位置関係はプロー
ブ治具側の位置調整手段ＡＪＤにより調整される。前記
プローブ治具Ｂおよびウエハ治具Ａは、半導体ウエハＷ
の線膨張率と近似する線膨張率を持つ材料、例えばイン
バー合金などで構成されている。これにより半導体チッ
プ試験装置の温度変化により治具と半導体ウエハ間の結
合に不具合が生じないようにしてある。すなわちこれに
より個々の半導体チップとその半導体チップに対応する
接点群とが温度変化による位置ずれを生じない構造にし
てある。また前記半導体ウエハＷ上に形成されている個
々の半導体チップのボンディングパッドの位置と前記ウ
エハ治具Ａ側の前記治具位置合わせ手段ＡＬＤとの相対
位置関係はウエハ治具Ａ側の相対位置調整手段ＡＪＤに
より調節される。前記相対位置調整手段ＡＪＤは前述の
ようにプローブ治具側およびウエハ治具側の両方で行っ
ても良いし、いずれか一方でも良い。ウエハ治具Ａとプ
ローブ治具Ｂを略同一平面に配置して工具顕微鏡などを
利用して位置合わせをすれば、極めて高い精度の位置調
整が可能となる。
【０００７】前記ウエハ治具Ａ側および前記プローブ治
具Ｂ側にそれぞれの治具を加熱する加熱手段Ｈが設けら
れている。この加熱手段により加熱されたウエハＷの温
度は接触センサＳにより検出され、その検出出力により
加熱手段の温度制御がなされる。プローブ治具Ｂ側には
プローブを駆動し、プローブを介してウエハＷに動作電
力を供給しウエハチップから得られるチップの情報を外
部に中継するための中継回路ＣＰＤが設けられている。
具Ｂ側にそれぞれの治具を加熱する加熱手段Ｈが設けら
れている。この加熱手段により加熱されたウエハＷの温
度は接触センサＳにより検出され、その検出出力により
加熱手段の温度制御がなされる。プローブ治具Ｂ側には
プローブを駆動し、プローブを介してウエハＷに動作電
力を供給しウエハチップから得られるチップの情報を外
部に中継するための中継回路ＣＰＤが設けられている。
【０００８】図２は、本発明による半導体チップ試験装
置のプローブ組立の第１の実施例を示す正面部分断面
図、図３は前記第１の実施例の絶縁ブロックを取り出し
て示した平面図、正面図および底面図である。支持絶縁
体は、絶縁ブロック２０と軟質配線基板４０を含んでい
る。前記各絶縁ブロック２０には個々の半導体チップ一
個分のパッドの数に対応する前記電気接点２１，２１・
・２１が一群として配設されている。それぞれの絶縁ブ
ロック２０は同時にまた独立にウエハ１０面方向に移動
し前記各電気接点群２１，２１・・２１が半導体チップ
面１０の単位ボンディングパッド群に対して電気的に接
触または切離し移動可能に支持されている。前記各電気
接点２１，２１・・２１は、前記各絶縁ブロック２０の
背面の連絡接続端２３・・２３への配線接続２２，２２
・・２２を有している。軟質配線基板４０は前記背面の
連絡接続端２３・・２３に接続し前記各配線接続２２，
２２・・２２を外部（図１のＣＰＤ）に接続する。絶縁
ブロック案内３０はウエハ１０と近似の線膨張率を持つ
材質で形成されたものである。絶縁ブロック案内３０に
は絶縁ブロック２０に対応する位置に案内孔が設けられ
ている。駆動部材５０は前記絶縁ブロック２０に対応し
て設けられ絶縁ブロック２０をウエハ１０方向に駆動す
る。
置のプローブ組立の第１の実施例を示す正面部分断面
図、図３は前記第１の実施例の絶縁ブロックを取り出し
て示した平面図、正面図および底面図である。支持絶縁
体は、絶縁ブロック２０と軟質配線基板４０を含んでい
る。前記各絶縁ブロック２０には個々の半導体チップ一
個分のパッドの数に対応する前記電気接点２１，２１・
・２１が一群として配設されている。それぞれの絶縁ブ
ロック２０は同時にまた独立にウエハ１０面方向に移動
し前記各電気接点群２１，２１・・２１が半導体チップ
面１０の単位ボンディングパッド群に対して電気的に接
触または切離し移動可能に支持されている。前記各電気
接点２１，２１・・２１は、前記各絶縁ブロック２０の
背面の連絡接続端２３・・２３への配線接続２２，２２
・・２２を有している。軟質配線基板４０は前記背面の
連絡接続端２３・・２３に接続し前記各配線接続２２，
２２・・２２を外部（図１のＣＰＤ）に接続する。絶縁
ブロック案内３０はウエハ１０と近似の線膨張率を持つ
材質で形成されたものである。絶縁ブロック案内３０に
は絶縁ブロック２０に対応する位置に案内孔が設けられ
ている。駆動部材５０は前記絶縁ブロック２０に対応し
て設けられ絶縁ブロック２０をウエハ１０方向に駆動す
る。
【０００９】前記電気接点は直径および厚さが１０〜２
００μｍ程度の極めて小さいものであるが、以下のよう
にして正確に配列して製造できる。前記電気接点２１，
２１，・・２１は、それぞれ独立した金属球または金属
半球を前記配線接続２２，２２・・２２端にスポット溶
接または半田付けして電気接点とすることができる。ま
た前記電気接点２１，２１，・・２１をそれぞれ独立し
た導電性ゴムを印刷またはディスペンサーにより凸状に
形成してその部分を電気接点とすることもできる。な
お、この導電性ゴムは従来の異方導電性をもつ構造のも
のとは異なる。この場合裏側から均一におしても凸状部
分のみが導通して接点として動作する。前記導体膜群の
表面に電気メッキにより金属を凸状に形成して電気接点
とした構造とすることもできる。
００μｍ程度の極めて小さいものであるが、以下のよう
にして正確に配列して製造できる。前記電気接点２１，
２１，・・２１は、それぞれ独立した金属球または金属
半球を前記配線接続２２，２２・・２２端にスポット溶
接または半田付けして電気接点とすることができる。ま
た前記電気接点２１，２１，・・２１をそれぞれ独立し
た導電性ゴムを印刷またはディスペンサーにより凸状に
形成してその部分を電気接点とすることもできる。な
お、この導電性ゴムは従来の異方導電性をもつ構造のも
のとは異なる。この場合裏側から均一におしても凸状部
分のみが導通して接点として動作する。前記導体膜群の
表面に電気メッキにより金属を凸状に形成して電気接点
とした構造とすることもできる。
【００１０】前述した接点を駆動する駆動部材５０とし
て、電磁的なアクチュエータ、電歪アクチュエータ、流
体アクチュエータを利用できる。前記膜状構造の個々の
チップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点群
をパッドに接触させる駆動手段５０として、ストローク
は１０〜１００μｍ程度で極めて小さくて済み、半導体
ウエハ面方向へ個々に伸縮可能とした圧電素子アクチュ
エータを利用することができる。前記膜状構造の個々の
チップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点群
をパッドに接触させる駆動手段５０は電磁力によって半
導体ウエハ面方向へ個々に移動可能とした電磁アクチュ
エータを利用することもできる。前記膜状構造の個々の
チップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点群
をパッドに接触させる駆動手段は空気圧によって半導体
ウエハ面方向へ個々に移動させる空気アクチュエータを
利用することができる。図８にその例を示してある。
て、電磁的なアクチュエータ、電歪アクチュエータ、流
体アクチュエータを利用できる。前記膜状構造の個々の
チップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点群
をパッドに接触させる駆動手段５０として、ストローク
は１０〜１００μｍ程度で極めて小さくて済み、半導体
ウエハ面方向へ個々に伸縮可能とした圧電素子アクチュ
エータを利用することができる。前記膜状構造の個々の
チップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点群
をパッドに接触させる駆動手段５０は電磁力によって半
導体ウエハ面方向へ個々に移動可能とした電磁アクチュ
エータを利用することもできる。前記膜状構造の個々の
チップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点群
をパッドに接触させる駆動手段は空気圧によって半導体
ウエハ面方向へ個々に移動させる空気アクチュエータを
利用することができる。図８にその例を示してある。
【００１１】図４は、本発明による半導体チップ試験装
置のプローブ組立の第２の実施例を示す正面部分断面
図、図５は本発明による半導体チップ試験装置のプロー
ブ組立の前記第２の実施例の接点バーを取り出し示した
接点バーの平面図、正面図である。絶縁ブロックの上端
には前記電気接点２１，２１・・２１が個々に半導体チ
ップ表面の凹凸（パッド部分）に対応して弾性力で倣う
ようセラミックスの弾性絶縁材料の櫛形構造２４，・・
２４としてある。個々の櫛歯２４，・・２４の先端付近
に個々の前記電気接点２１，２１・・２１を配設した構
造となっている。この実施例はデュアルインラインパッ
ケージのチップに適した構造としてあるが図９に示した
ように４辺にパッドがあるものにも同様に適用できる。
置のプローブ組立の第２の実施例を示す正面部分断面
図、図５は本発明による半導体チップ試験装置のプロー
ブ組立の前記第２の実施例の接点バーを取り出し示した
接点バーの平面図、正面図である。絶縁ブロックの上端
には前記電気接点２１，２１・・２１が個々に半導体チ
ップ表面の凹凸（パッド部分）に対応して弾性力で倣う
ようセラミックスの弾性絶縁材料の櫛形構造２４，・・
２４としてある。個々の櫛歯２４，・・２４の先端付近
に個々の前記電気接点２１，２１・・２１を配設した構
造となっている。この実施例はデュアルインラインパッ
ケージのチップに適した構造としてあるが図９に示した
ように４辺にパッドがあるものにも同様に適用できる。
【００１２】図６は、本発明による半導体チップ試験装
置のプローブ組立の第３の実施例を示す正面部分断面
図、図７は本発明による半導体チップ試験装置の支持絶
縁体の拡大図である。前記支持絶縁体では、図７（図８
に示す構造も同様である。）に示すように電気接点２
１，２１・・２１が個々に半導体チップ表面の凹凸に対
応して自由に倣うよう軟質材料の膜状構造７０の上に形
成されている。駆動手段５０は前記膜状構造７０の個々
のチップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点
群をウエハの半導体チップのパッドに接触させる。図７
に示す膜状構造７０では前記電気接点２１，・・２１が
個々に半導体チップ表面の凹凸に対応して自由に倣うよ
う前記支持絶縁体の個々の半導体チップに対応する電気
接点群２１，２１・・２１部分が溝７１により半島状に
周囲から切り離された構造である。駆動手段５０の上端
にはゴム状のパッド５１が設けられていて、半島状の部
分が駆動手段５０にパッド５１を介して接着固定されて
いる。このため、駆動手段５０が前記プローブ治具Ｂの
本体６０によって位置を規制されると、結果的に前記半
島状の部分の位置はウエハの半導体チップと対面する位
置に規制される。またこのとき、半島状の部分を連絡す
る橋部の幅を狭くして伸縮容易とするか、またはジグザ
グ状や迷路状に形成することにより、膜状構造７０と半
導体ウエハとの線膨張計数が異なっても膜状構造の温度
変化による伸縮により半島状の部分に膜の無理な引張り
応力がかかることを避けることができるため、半導体チ
ップと半島状の部分との位置ずれを生ずることがない。
また、個々の半島状部分は大きさが数ｍｍ角と小さいた
め、半島状部分自体の温度による寸法変化はプローブ接
点の許容位置誤差に対して充分小さく設計できる。駆動
手段５０として前述した電磁的なアクチュエータ、電歪
アクチュエータを使用することができる。
置のプローブ組立の第３の実施例を示す正面部分断面
図、図７は本発明による半導体チップ試験装置の支持絶
縁体の拡大図である。前記支持絶縁体では、図７（図８
に示す構造も同様である。）に示すように電気接点２
１，２１・・２１が個々に半導体チップ表面の凹凸に対
応して自由に倣うよう軟質材料の膜状構造７０の上に形
成されている。駆動手段５０は前記膜状構造７０の個々
のチップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点
群をウエハの半導体チップのパッドに接触させる。図７
に示す膜状構造７０では前記電気接点２１，・・２１が
個々に半導体チップ表面の凹凸に対応して自由に倣うよ
う前記支持絶縁体の個々の半導体チップに対応する電気
接点群２１，２１・・２１部分が溝７１により半島状に
周囲から切り離された構造である。駆動手段５０の上端
にはゴム状のパッド５１が設けられていて、半島状の部
分が駆動手段５０にパッド５１を介して接着固定されて
いる。このため、駆動手段５０が前記プローブ治具Ｂの
本体６０によって位置を規制されると、結果的に前記半
島状の部分の位置はウエハの半導体チップと対面する位
置に規制される。またこのとき、半島状の部分を連絡す
る橋部の幅を狭くして伸縮容易とするか、またはジグザ
グ状や迷路状に形成することにより、膜状構造７０と半
導体ウエハとの線膨張計数が異なっても膜状構造の温度
変化による伸縮により半島状の部分に膜の無理な引張り
応力がかかることを避けることができるため、半導体チ
ップと半島状の部分との位置ずれを生ずることがない。
また、個々の半島状部分は大きさが数ｍｍ角と小さいた
め、半島状部分自体の温度による寸法変化はプローブ接
点の許容位置誤差に対して充分小さく設計できる。駆動
手段５０として前述した電磁的なアクチュエータ、電歪
アクチュエータを使用することができる。
【００１３】図８は、本発明による半導体チップ試験装
置のプローブ組立の第４の実施例の動作状態を説明する
ための正面断面図である。この実施例では駆動手段８０
として前述した空気アクチュエータを使用したものであ
って、図の駆動手段８０Ａに相当するところは、空気で
おされて膜状構造７０での電気接点２１，・・２１がウ
エハＷ上の対応する半導体チップ表面の接点群２１，２
１・・２１に電気的に接触させられている。図の駆動手
段８０Ｂに相当するところは、空気で押されていないか
ら膜状構造７０での電気接点２１，・・２１はウエハＷ
上の対応する半導体チップ表面のパッドに電気的に接触
させられていない。
置のプローブ組立の第４の実施例の動作状態を説明する
ための正面断面図である。この実施例では駆動手段８０
として前述した空気アクチュエータを使用したものであ
って、図の駆動手段８０Ａに相当するところは、空気で
おされて膜状構造７０での電気接点２１，・・２１がウ
エハＷ上の対応する半導体チップ表面の接点群２１，２
１・・２１に電気的に接触させられている。図の駆動手
段８０Ｂに相当するところは、空気で押されていないか
ら膜状構造７０での電気接点２１，・・２１はウエハＷ
上の対応する半導体チップ表面のパッドに電気的に接触
させられていない。
【００１４】
【発明の効果】以上詳しく説明したように本発明による
半導体チップ試験装置は、半導体ウエハ上に形成された
複数の半導体チップの特性を個々の半導体チップに分離
する以前の状態で同時並列的に試験する装置であって、
支持絶縁体に半導体チップの表面に形成されている個々
のボンディングパッドに対面する導体膜群およびそれら
を外部へ接続する配線を形成し、前記個々のボンディン
グパッドに対面する導体膜群の表面に電気接点を配設し
て構成されている。前記電気接点を部分的に駆動するこ
とによりチップの情報を取り出すことができる。
半導体チップ試験装置は、半導体ウエハ上に形成された
複数の半導体チップの特性を個々の半導体チップに分離
する以前の状態で同時並列的に試験する装置であって、
支持絶縁体に半導体チップの表面に形成されている個々
のボンディングパッドに対面する導体膜群およびそれら
を外部へ接続する配線を形成し、前記個々のボンディン
グパッドに対面する導体膜群の表面に電気接点を配設し
て構成されている。前記電気接点を部分的に駆動するこ
とによりチップの情報を取り出すことができる。
【図１】本発明による半導体チップ試験装置全体の基本
構成を示す略図的正面断面図である。
構成を示す略図的正面断面図である。
【図２】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の第１の実施例を示す正面部分断面図である。
組立の第１の実施例を示す正面部分断面図である。
【図３】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の前記第１の実施例の接点バーを取り出し示した接
点バーの平面図、正面図底面図である。
組立の前記第１の実施例の接点バーを取り出し示した接
点バーの平面図、正面図底面図である。
【図４】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の第２の実施例を示す正面部分断面図である。
組立の第２の実施例を示す正面部分断面図である。
【図５】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の前記第２の実施例の接点バーを取り出し示した接
点バーの平面図、正面図である。
組立の前記第２の実施例の接点バーを取り出し示した接
点バーの平面図、正面図である。
【図６】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の第３の実施例を示す正面部分断面図である。
組立の第３の実施例を示す正面部分断面図である。
【図７】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の前記第３の実施例の支持絶縁体膜を示す平面図で
ある。
組立の前記第３の実施例の支持絶縁体膜を示す平面図で
ある。
【図８】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の前記第４の実施例の動作状態を説明するための正
面断面図である。
組立の前記第４の実施例の動作状態を説明するための正
面断面図である。
【図９】本発明による半導体チップ試験装置の試験の対
象であるウエハの構造を拡大して示した略図である。
象であるウエハの構造を拡大して示した略図である。
Ａ ウエハ治具 Ｂ プローブ治具 Ｃ チェンバ Ｈ 加熱手段 Ｐ プローブ組立 Ｓ ウエハ温度センサ ＡＬＤ 治具位置合わせ手段 ＡＪＤ プローブ，ウエハ位置調整手段 ＣＰＤ （プローブ駆動，チップ駆動，チップ情報）中
継回路 Ｗ，１０ ウエハ １１，１２，１３，１４，１５ チップ １６ パッド ２０ 絶縁ブロック ２１ 電気接点 ２２ 導体配線 ２３ 連絡接続パッド ３０ 絶縁ブロック案内 ４０ 可撓性接続手段（軟質配線基板） ５０ 駆動ブロック ５１ ゴム状のパッド ６０ 駆動ブロック案内 ７０ 絶縁膜 ７１ 絶縁膜切り出し溝 ８０ 空気アクチュエータ
継回路 Ｗ，１０ ウエハ １１，１２，１３，１４，１５ チップ １６ パッド ２０ 絶縁ブロック ２１ 電気接点 ２２ 導体配線 ２３ 連絡接続パッド ３０ 絶縁ブロック案内 ４０ 可撓性接続手段（軟質配線基板） ５０ 駆動ブロック ５１ ゴム状のパッド ６０ 駆動ブロック案内 ７０ 絶縁膜 ７１ 絶縁膜切り出し溝 ８０ 空気アクチュエータ
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上に形成された複数の半導
体チップの特性を個々の半導体チップに分離する以前の
状態で同時並列的に試験する装置であって、 支持絶縁体に半導体チップの表面に形成されている個々
のボンディングパッドに対面する導体膜群およびそれら
を外部へ接続する配線を形成し、 前記個々のボンディングパッドに対面する導体膜群の表
面に電気接点を配設して構成した半導体チップ試験装
置。 - 【請求項２】 前記電気接点は、それぞれ独立した金属
球または金属半球を溶接または半田付けして電気接点と
した構造である請求項１記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項３】 前記電気接点は、それぞれ独立した導電
性ゴムを凸状にして電気接点とした構造である請求項１
記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項４】 前記電気接点は、前記導体膜群の表面に
電気メッキにより金属を凸状に形成して電気接点とした
構造である請求項１記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項５】 前記支持絶縁体は、絶縁ブロックと軟質
配線基板を含み、 前記各絶縁ブロックは個々の半導体チップ一個分に対応
する前記電気接点が一群として配設され、 それぞれ独立にウエハ面方向に移動し前記各電気接点群
が半導体チップ面の単位ボンディングパッド群に対して
電気的に接触または切離し移動可能であり、 前記各電気接点を前記各絶縁ブロック背面へ接続する配
線接続を有し、 前記軟質配線基板は前記各配線接続を外部に接続する配
線を有する請求項１記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項６】 前記絶縁ブロックは前記電気接点が個々
に半導体チップ表面の凹凸に対応して弾性力で倣うよう
セラミックスやガラスなど弾性絶縁材料の櫛形構造とし
て、 個々の櫛歯の先端付近に個々の前記電気接点を配設した
構造である請求項５記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項７】 前記支持絶縁体は、前記電気接点が個々
に半導体チップ表面の凹凸に対応して自由に倣うよう軟
質材料の膜状構造と、 前記膜状構造の個々のチップ面積に相当する面積を個々
に駆動して前記接点群をパッドに接触させる駆動手段か
らなる請求項１記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項８】 前記電気接点が個々に半導体チップ表面
の凹凸に対応して自由に倣うよう軟質材料の膜状構造
は、前記支持絶縁体の個々の半導体チップに対応する電
気接点群部分が半島状に周囲から切り離された構造であ
る請求項７記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項９】 前記膜状構造の個々のチップ面積に相当
する面積を個々に駆動して前記接点群をパッドに接触さ
せる駆動手段は圧電素子によって半導体ウエハ面方向へ
個々に伸縮可能とした請求項７記載の半導体チップ試験
装置。 - 【請求項１０】 前記膜状構造の個々のチップ面積に相
当する面積を個々に駆動して前記接点群をパッドに接触
させる駆動手段は電磁力によって半導体ウエハ面方向へ
個々に移動可能とした構造である請求項７記載の半導体
チップ試験装置。 - 【請求項１１】 前記膜状構造の個々のチップ面積に相
当する面積を個々に駆動して前記接点群をパッドに接触
させる駆動手段は空気圧によって半導体ウエハ面方向へ
個々に移動可能とした構造の請求項７記載の半導体チッ
プ試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053176A JP3057999B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 半導体チップ試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053176A JP3057999B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 半導体チップ試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240444A true JPH07240444A (ja) | 1995-09-12 |
| JP3057999B2 JP3057999B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=12935560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6053176A Expired - Lifetime JP3057999B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 半導体チップ試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3057999B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214235A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Ibiden Co Ltd | 半導体ウエハ−の検査方法及びその装置 |
| JPS62162979A (ja) * | 1986-01-11 | 1987-07-18 | Nec Corp | 個別エア−シリンダ方式汎用フイクスチヤ |
| JPH01146534U (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | ||
| JPH0221578U (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-13 | ||
| JPH0348171A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Mitsubishi Materials Corp | 混成集積回路板の電気的特性検査を行う方法 |
| JPH05218150A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブカード |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP6053176A patent/JP3057999B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214235A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Ibiden Co Ltd | 半導体ウエハ−の検査方法及びその装置 |
| JPS62162979A (ja) * | 1986-01-11 | 1987-07-18 | Nec Corp | 個別エア−シリンダ方式汎用フイクスチヤ |
| JPH01146534U (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | ||
| JPH0221578U (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-13 | ||
| JPH0348171A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Mitsubishi Materials Corp | 混成集積回路板の電気的特性検査を行う方法 |
| JPH05218150A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブカード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3057999B2 (ja) | 2000-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5016892B2 (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
| JP4465995B2 (ja) | プローブシート、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法 | |
| CN1612322B (zh) | 半导体集成电路器件的制造方法 | |
| KR100779329B1 (ko) | 세그멘트형 접촉자 | |
| EP1637893B1 (en) | Method and apparatus for testing electrical characteristics of object under test | |
| JPH07115113A (ja) | 半導体ウエハの試験装置および試験方法 | |
| KR20090094841A (ko) | 강화 접촉 요소 | |
| US7304487B2 (en) | Test method of semiconductor devices | |
| JPH05340964A (ja) | ウエハ及びチップの試験装置 | |
| KR100384287B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| JPH08148533A (ja) | 半導体ウェハの試験装置及び試験方法 | |
| US20020053922A1 (en) | Assembly apparatus and method of contactor | |
| JP3057999B2 (ja) | 半導体チップ試験装置 | |
| US6897083B2 (en) | Micro-electromechanical actuator and methods of use and fabrication | |
| JPH11154694A (ja) | ウェハ一括型測定検査用アライメント方法およびプローブカードの製造方法 | |
| US7598100B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device | |
| JP2009098153A (ja) | 薄膜プローブの製造方法 | |
| JPH08111438A (ja) | 集積回路素子用プローバ | |
| JPH01295185A (ja) | 検査装置 | |
| JP2002168904A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2008294373A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11121563A (ja) | バンプ検査方法およびバンプ検査用基板 | |
| JP2001165993A (ja) | 半導体検査装置の製造方法 | |
| JPH08227920A (ja) | 半導体チップの検査装置及び半導体チップのバーンイン方法 | |
| JP2000353728A (ja) | ウエハー基板型プローブカード |