JPH07230980A - Hot pure water drying device - Google Patents
Hot pure water drying deviceInfo
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- JPH07230980A JPH07230980A JP2163994A JP2163994A JPH07230980A JP H07230980 A JPH07230980 A JP H07230980A JP 2163994 A JP2163994 A JP 2163994A JP 2163994 A JP2163994 A JP 2163994A JP H07230980 A JPH07230980 A JP H07230980A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は高清浄度を要求される製
品に対する乾燥技術、特に、洗浄処理後の半導体ウェハ
を乾燥するために用いて効果のある技術に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drying technique for products requiring high cleanliness, and more particularly to a technique effective for drying a semiconductor wafer after cleaning treatment.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、超ＬＳＩの製造においては、そ
の高密度・高集積化に伴い高度の清浄化が要求され、多
数の処理工程の間に何回かの洗浄工程が設けられ、更
に、この洗浄の度に乾燥が施される。この乾燥を行う乾
燥装置の１つに温純水乾燥装置がある。2. Description of the Related Art For example, in the manufacture of VLSI, a high degree of cleaning is required due to its high density and high integration, and several cleaning steps are provided between many processing steps. Drying is performed after each washing. There is a hot pure water drying device as one of the drying devices for performing this drying.
【０００３】図４は本発明者らによって考え出された温
純水乾燥装置を示す正面断面図である。FIG. 4 is a front sectional view showing a hot pure water drying device devised by the present inventors.
【０００４】上部が円筒形で下部が円錐形を有する温純
水槽１の下端には温純水を槽内に供給するための温純水
供給パイプ２が連結されている。また、温純水槽１の上
部には、Ｌ字形断面の溢水回収路３が設けられ、この溢
水回収路３の底面に排水パイプ４が連結されている。A hot pure water supply pipe 2 for supplying hot pure water into the tank is connected to the lower end of a hot pure water tank 1 having a cylindrical upper part and a conical lower part. Further, an overflow water collecting passage 3 having an L-shaped cross section is provided above the warm pure water tank 1, and a drain pipe 4 is connected to a bottom surface of the overflow water collecting passage 3.
【０００５】乾燥処理時には、温純水槽１内に半導体ウ
ェハ５と共に、この半導体ウェハ５を収納するカセット
６が槽内の温純水に浸される。このとき、半導体ウェハ
５はウェハ支持部７によって支えられ、このウェハ支持
部７の下部にカセット６が配設（不図示の収納具上にセ
ット）される。During the drying process, the semiconductor wafer 5 and the cassette 6 for storing the semiconductor wafer 5 are immersed in the warm pure water tank 1 in the warm pure water tank 1. At this time, the semiconductor wafer 5 is supported by the wafer supporting portion 7, and the cassette 6 is arranged below the wafer supporting portion 7 (set on a storage tool (not shown)).
【０００６】図５は図４の温純水乾燥装置の制御系を示
す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a control system of the warm pure water drying apparatus of FIG.
【０００７】カセット６はカセット昇降機構８のアーム
９の先端に載置され、半導体ウェハ５はウェハ昇降機構
１０のアーム１１の先端（図４では図示を省略してい
る）に形成されたウェハ支持部７上に載置される。そし
て、アーム９，１１の各々は、カセット昇降機構８及び
ウェハ昇降機構１０が駆動されることにより、個別に昇
降することができる。The cassette 6 is placed on the tip of the arm 9 of the cassette elevating mechanism 8, and the semiconductor wafer 5 is a wafer support formed on the tip of the arm 11 of the wafer elevating mechanism 10 (not shown in FIG. 4). It is placed on the section 7. Then, each of the arms 9 and 11 can be individually lifted by driving the cassette lifting mechanism 8 and the wafer lifting mechanism 10.
【０００８】以上のような構成の温純水乾燥装置におい
ては、温純水供給パイプ２から８０℃程度に加熱された
温純水が供給され、温純水槽１の上縁から溢水回収路３
へ溢水させ、この溢水は排水パイプ４を通して排水され
る。このような温純水槽１の中にカセット昇降機構８及
びウェハ昇降機構１０を用いて半導体ウェハ５及びカセ
ット６を同時に２００ｍｍ／分程度の速度で槽内の温純
水中に挿入される。この状態で半導体ウェハ５及びカセ
ット６が温純水によって十分に温められ、その後に半導
体ウェハ５が１００ｍｍ／分程度の低速で垂直に引き上
げられ、引き続いてカセット６が引き上げられる。この
後、半導体ウェハ５及びカセット６の乾燥が行われる。In the warm pure water drying apparatus having the above-mentioned structure, warm pure water heated to about 80 ° C. is supplied from the warm pure water supply pipe 2, and the overflow water recovery passage 3 is provided from the upper edge of the warm pure water tank 1.
The overflow water is drained through the drainage pipe 4. The semiconductor wafer 5 and the cassette 6 are simultaneously inserted into the warm pure water tank 1 at a speed of about 200 mm / min by using the cassette lifting mechanism 8 and the wafer lifting mechanism 10. In this state, the semiconductor wafer 5 and the cassette 6 are sufficiently warmed by hot pure water, and then the semiconductor wafer 5 is vertically pulled up at a low speed of about 100 mm / min, and then the cassette 6 is pulled up. Then, the semiconductor wafer 5 and the cassette 6 are dried.
【０００９】温純水乾燥装置は他の乾燥装置に比べて異
物を発生し難いという特長を有することで知られてい
る。他の乾燥装置、例えばスピン乾燥装置では回転によ
る発塵が出やすく、また、ＩＰＡ（イソプロピルアルコ
ール）蒸気乾燥装置では発火の危険性があるという問題
を抱えている。It is known that the warm pure water drying device has a feature that it is less likely to generate foreign matter than other drying devices. Other dryers, such as spin dryers, have a problem that dust is easily generated by rotation, and IPA (isopropyl alcohol) vapor dryers have a risk of ignition.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記の如く
温純水内から半導体ウェハ及びカセットを引き上げる温
純水乾燥装置では、その引き上げの際に各昇降機構及び
各アームの機械的な振動によって水面に振動が生じ、水
面の表面張力と引き上げ速度とのバランスが崩れ、水面
に浮上している異物が半導体ウェハに付着し易くなると
いう問題のあることが本発明者によって見い出された。However, in the hot pure water drying apparatus for pulling up the semiconductor wafer and the cassette from the hot pure water as described above, vibration of the water surface occurs due to mechanical vibration of each elevating mechanism and each arm during the pulling. The present inventor has found that there is a problem that the balance between the surface tension of the water surface and the pulling rate is lost, and the foreign matter floating on the water surface easily adheres to the semiconductor wafer.
【００１１】また、上記のような振動によって、半導体
ウェハと支持部との接触で発塵し、温純水槽内や温純水
面に浮遊する異物密度が増加し、半導体ウェハに付着す
る異物数が増加するという問題もある。Further, due to the vibration as described above, dust is generated due to the contact between the semiconductor wafer and the supporting portion, and the density of foreign matters floating in the hot pure water tank or on the hot pure water surface is increased, and the number of foreign matters attached to the semiconductor wafer is increased. There is also the problem of increase.
【００１２】更に、半導体ウェハ及びカセットを勢いよ
く温純水槽中に沈めると、半導体ウェハに付着していた
異物が半導体ウェハ表面から外れ、温純水中に拡散す
る。このように、一旦拡散した異物は、オーバーフロー
を行っても短時間での除去は困難である。Further, when the semiconductor wafer and the cassette are vigorously submerged in the hot pure water tank, the foreign matter adhering to the semiconductor wafer is detached from the surface of the semiconductor wafer and diffused into the hot pure water. As described above, it is difficult to remove the once diffused foreign matter in a short time even if the foreign matter overflows.
【００１３】以上のように、温純水内から半導体ウェハ
及びカセットを引き上げる温純水乾燥装置では、高密度
・高集積化に伴う高度の清浄化の要求に対応できないの
が現状である。As described above, the hot pure water drying apparatus for pulling up the semiconductor wafer and the cassette from the hot pure water cannot meet the demand for high-level cleaning accompanying high density and high integration.
【００１４】そこで、本発明の目的は、被乾燥体または
収納具の機械的な振動に起因する異物付着を低減し、被
乾燥体または収納具の高清浄化を可能にする技術を提供
することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a technique for reducing the adhesion of foreign matter due to mechanical vibration of the object to be dried or the container and enabling the object to be dried or the container to be highly cleaned. is there.
【００１５】また、本発明の他の目的は、温純水槽内の
異物を低減することのできる技術を提供することにあ
る。Another object of the present invention is to provide a technique capable of reducing foreign matters in the hot pure water tank.
【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.
【００１８】すなわち、本発明の温純水乾燥装置は、純
水を加熱した温純水を温純水槽中に溢水させながら前記
温純水に被乾燥体を浸す過程を経て前記被乾燥体の乾燥
を行う温純水乾燥装置であって、前記被乾燥体の温浴後
に前記温純水槽に対する温純水の供給を止め、前記温純
水槽内の温純水を前記温純水槽の底部から自然排水する
排水手段を設けるようにしている。That is, the warm pure water drying apparatus of the present invention is a warm pure water drying apparatus which dries the object to be dried through the process of immersing the object to be dried in the warm pure water while overflowing the warm pure water into which the pure water is heated. The hot pure water supply to the hot pure water tank is stopped after the hot bath of the object to be dried, and a draining means for naturally draining the hot pure water in the hot pure water tank from the bottom of the hot pure water tank is provided.
【００１９】[0019]
【作用】上記した手段によれば、温浴後に半導体ウェハ
や収納具の如き被乾燥体を固定した状態のまま、温純水
槽内の温純水が槽底部から自然排水される。自然排水と
することで、温純水界面が被乾燥体を通過する速度が均
一になり、水面に振動は生じない。したがって、水面の
異物が被乾燥体に付着することがない。According to the above-described means, the hot pure water in the hot pure water tank is naturally drained from the bottom of the hot pure water tank while the dried object such as the semiconductor wafer and the container is fixed after the hot bath. By using natural drainage, the speed at which the hot pure water interface passes through the material to be dried becomes uniform, and no vibration occurs on the water surface. Therefore, foreign matter on the water surface does not adhere to the object to be dried.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】図１は本発明による温純水乾燥装置の一実
施例を示す正面断面図である。また、図２は図１の温純
水乾燥装置の制御系を示す模式図である。FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment of a hot pure water drying apparatus according to the present invention. 2 is a schematic diagram showing a control system of the warm pure water drying apparatus of FIG.
【００２２】図１に示すように、温純水槽１２は全体が
円筒形を成し、下部は角度の緩い円錐形に形成されてい
る。また、温純水槽１２の上部には、Ｌ字形の断面を有
する溢水回収路１３が１周するように形成され、この溢
水回収路１３の底面の適当な位置に排水パイプ１４が連
結されている。As shown in FIG. 1, the warm pure water tank 12 has a cylindrical shape as a whole, and the lower portion is formed in a conical shape with a gentle angle. Further, an overflow water collecting passage 13 having an L-shaped cross section is formed on the upper part of the hot pure water tank 12 so as to make one round, and a drain pipe 14 is connected to an appropriate position on the bottom surface of the overflow water collecting passage 13. .
【００２３】さらに、温純水槽１２の円錐形部分の下端
には、途中に温純水バルブ１５を設けた温純水供給パイ
プ１６が連結されている。この温純水供給パイプ１６
は、温純水槽１２内は８０℃程度に加熱された温純水を
槽内に供給するために用いられる。Further, a hot pure water supply pipe 16 having a hot pure water valve 15 in the middle is connected to the lower end of the conical portion of the hot pure water tank 12. This warm pure water supply pipe 16
Is used to supply hot pure water heated to about 80 ° C. in the hot pure water tank 12 into the tank.
【００２４】また、温純水バルブ１５の排出側の温純水
供給パイプ１６には排水パイプ１７が接続され、この排
水パイプ１７の途中には排水バルブ１８が設けられてい
る。この排水バルブ１８は、温純水バルブ１５が開けら
れているときには閉じ、また、温純水バルブ１５が閉じ
ているときには開くように制御される。温純水槽１２内
には、図４で示したように、ウェハ支持部７で支承され
た半導体ウェハ５、及び収納具としてのカセット６が温
純水に浸水するように挿入される。A drain pipe 17 is connected to the warm pure water supply pipe 16 on the discharge side of the warm pure water valve 15, and a drain valve 18 is provided in the middle of the drain pipe 17. The drainage valve 18 is controlled so as to be closed when the hot pure water valve 15 is open and open when the hot pure water valve 15 is closed. As shown in FIG. 4, the semiconductor wafer 5 supported by the wafer support portion 7 and the cassette 6 as a storage tool are inserted into the warm pure water tank 12 so as to be submerged in the warm pure water.
【００２５】図２のように、制御系は油圧（またはエア
ー）或いはモータ駆動によるカセット昇降機構８及びウ
ェハ昇降機構１０を主体に構成され、そのアーム９の先
端にウェハ支持部７が形成されると共に、アーム９の先
端にカセット６が載置される。また、温純水バルブ１５
及び排水バルブ１８の開閉を制御するために、制御部１
９が設けられている。As shown in FIG. 2, the control system mainly comprises a cassette lifting mechanism 8 and a wafer lifting mechanism 10 driven by hydraulic pressure (or air) or a motor, and a wafer supporting portion 7 is formed at the tip of an arm 9 thereof. At the same time, the cassette 6 is placed on the tip of the arm 9. In addition, the warm pure water valve 15
In order to control the opening and closing of the drain valve 18, the control unit 1
9 is provided.
【００２６】以上の構成において、半導体ウェハ５及び
カセット６の乾燥を行う場合、まず、制御部１９によっ
て温純水バルブ１５が開けられると共に、排水バルブ１
８が閉じられる。この状態のまま、温純水供給パイプ１
６から８０℃程度に加熱された温純水を温純水槽１２へ
連続供給し、温純水槽１２内を温純水で満たし、温純水
のオーバーフロー状態が続くようにする。In the above structure, when the semiconductor wafer 5 and the cassette 6 are dried, the hot deionized water valve 15 is opened by the controller 19 and the drain valve 1 is first opened.
8 is closed. In this state, hot pure water supply pipe 1
Hot pure water heated to about 6 to 80 ° C. is continuously supplied to the hot pure water tank 12, and the hot pure water tank 12 is filled with the hot pure water so that the overflow state of the hot pure water continues.
【００２７】ついで、半導体ウェハ５をウェハ支持部７
に支持させ、また、カセット６をアーム９の先端にセッ
トし、その状態のままカセット昇降機構８及びウェハ昇
降機構１０を駆動し、半導体ウェハ５及びカセット６
を、例えば５０〜１５０ｍｍ／分程度の速度で下降さ
せ、温純水内へ挿入する。このとき、カセット６の上部
に隙間が生じるように半導体ウェハ５を位置決めする。Then, the semiconductor wafer 5 is placed on the wafer support 7
Further, the cassette 6 is set on the tip of the arm 9, and the cassette elevating mechanism 8 and the wafer elevating mechanism 10 are driven in this state to drive the semiconductor wafer 5 and the cassette 6
Is lowered at a speed of, for example, about 50 to 150 mm / min, and is inserted into warm pure water. At this time, the semiconductor wafer 5 is positioned so that a gap is formed above the cassette 6.
【００２８】半導体ウェハ５及びカセット６の降下速度
を５０〜１５０ｍｍ／分にして下降させることで、後記
するように、半導体ウェハ５及びカセット６に付着する
異物がウェハ表面から離脱し易くなり、温純水中に異物
が拡散するのを防止することができる。By lowering the descending speed of the semiconductor wafer 5 and the cassette 6 at 50 to 150 mm / min, foreign matter adhering to the semiconductor wafer 5 and the cassette 6 is easily detached from the wafer surface, as will be described later, and warm pure water is used. It is possible to prevent foreign matter from diffusing inside.
【００２９】この状態のまま、半導体ウェハ５が温純水
にほぼ等しい温度に達するまで（例えば、１分間）保持
され、制御部１９で設定した時間が経過した時点で、制
御部１９により温純水バルブ１５を閉じられると共に排
水バルブ１８が開けられる。このときのバルブ開度とし
ては、例えば、５０〜１５０ｍｍ／分の速度で排水が行
われるように設定する。この操作によって、温純水槽１
２内の温純水が徐々に排水パイプ１７から排出される。In this state, the semiconductor wafer 5 is held until it reaches a temperature almost equal to that of hot pure water (for example, 1 minute), and when the time set by the controller 19 has elapsed, the controller 19 controls the hot pure water valve 15. It is closed and the drain valve 18 is opened. The valve opening at this time is set so that drainage is performed at a speed of 50 to 150 mm / min, for example. By this operation, the warm pure water tank 1
The warm pure water in 2 is gradually discharged from the drain pipe 17.
【００３０】排出完了後に、カセット昇降機構８及びウ
ェハ昇降機構１０をアーム９，１１が上昇する方向へ駆
動し、半導体ウェハ５及びカセット６を温純水槽１２か
ら引き上げることにより、乾燥が終了する。After the discharge is completed, the cassette elevating mechanism 8 and the wafer elevating mechanism 10 are driven in the direction in which the arms 9 and 11 are raised, and the semiconductor wafer 5 and the cassette 6 are pulled up from the warm pure water tank 12, whereby the drying is completed.
【００３１】このように、半導体ウェハ５及びカセット
６を固定し、機械的な振動を生じないようにしたまま、
温純水を徐々に減少させていくことにより、水面に浮上
し或いは水中に拡散していた異物が温純水と共に槽外へ
排出され、表面張力による除去効果を損なうことなく半
導体ウェハ５の乾燥を行うことができ、異物付着量を低
減することができる。In this way, the semiconductor wafer 5 and the cassette 6 are fixed, and mechanical vibration is not generated,
By gradually reducing the amount of warm pure water, the foreign substances floating on the water surface or diffused in the water are discharged together with the warm pure water to the outside of the tank, and the semiconductor wafer 5 can be dried without impairing the removal effect due to surface tension. Therefore, the amount of foreign matter attached can be reduced.
【００３２】図３は半導体ウェハ及びカセットを温純水
槽から引き上げた場合（図４の構成例）と、半導体ウェ
ハ及びカセットを保持したまま温純水を排水した場合
（本発明）との異物数（１ウェハ当たりの個数）を比較
した特性図である。FIG. 3 shows the number of foreign matters (1) when the semiconductor wafer and the cassette are pulled up from the hot pure water tank (configuration example of FIG. 4) and when the hot pure water is drained while holding the semiconductor wafer and the cassette (the present invention). It is a characteristic view comparing the number per wafer).
【００３３】図３から明らかなように、半導体ウェハ及
びカセットを保持したまま温純水を排水（黒丸による特
性）の方が図４の構成例による特性（白丸特性）に比
べ、異物付着量を低減できることがわかる。しかも、温
純水の排水速度（ｍｍ／分）によって異物付着量を制御
でき、１１０ｍｍ／分程度の速度のときに最良の効果が
得られることもわかる。実用的には、５０〜１５０ｍｍ
／分が適していると思われる。なお、この速度は、半導
体ウェハ及びカセットを温純水槽に挿入する場合にも推
奨できる値であることを本発明者等は確認している。As is apparent from FIG. 3, draining hot pure water while holding the semiconductor wafer and the cassette (characteristics by black circles) can reduce the amount of foreign matter adhered as compared with the characteristic (characteristics by white circles) according to the configuration example of FIG. I understand. Moreover, it can be seen that the amount of foreign matter adhered can be controlled by the drainage rate (mm / min) of warm pure water, and the best effect can be obtained at a rate of about 110 mm / min. Practically, 50-150mm
/ Min seems suitable. The present inventors have confirmed that this speed is a value that can be recommended even when a semiconductor wafer and a cassette are inserted into a hot pure water tank.
【００３４】なお、乾燥処理を行わないときには、温純
水バルブ１５と排水バルブ１８を交互に連動開閉（給排
水制御手段）し、温純水槽１２内の温純水が入れ代わる
ようにし、滞留する異物を少しでも槽外へ排出し、清浄
化が図れるようにする。When the drying process is not performed, the hot pure water valve 15 and the drainage valve 18 are alternately opened / closed (water supply / drainage control means) so that the hot pure water in the hot pure water tank 12 is exchanged with each other so that any foreign matter staying in the hot water pure water tank 12 Discharge it to the outside so that it can be cleaned.
【００３５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【００３６】例えば、排水パイプ１７は温純水供給パイ
プ１６に接続する構成にしたが、温純水槽１２の底部に
独立に接続する構成にしてもよい。For example, the drain pipe 17 is connected to the hot pure water supply pipe 16, but it may be independently connected to the bottom of the hot pure water tank 12.
【００３７】更に、上記実施例では、被乾燥体の１つが
カセットであるとしたが、これは本発明者らが日常使用
しているものから選んだにすぎず、洗浄に伴う乾燥を必
要とする全てに本発明を適用できることは言うまでもな
い。Further, in the above-mentioned embodiment, one of the objects to be dried is the cassette, but this is only selected from the ones used by the present inventors on a daily basis, and it is necessary to dry it with washing. It goes without saying that the present invention can be applied to all of the above.
【００３８】また、以上の説明では、主として本発明者
によってなされた発明をその利用分野である半導体ウェ
ハの乾燥に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、例えば、液晶ガラス、磁気ディ
スクのような板状の製品の乾燥、及び化合物半導体等の
乾燥にも用いることができる。Further, in the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the drying of the semiconductor wafer which is the application field of the invention has been described, but the invention is not limited to this, and for example, liquid crystal glass. It can also be used for drying plate-shaped products such as magnetic disks, and for drying compound semiconductors and the like.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【００４０】すなわち、純水を加熱した温純水を温純水
槽中に溢水させながら前記温純水に被乾燥体を浸す過程
を経て前記被乾燥体の乾燥を行う温純水乾燥装置であっ
て、前記被乾燥体の温浴後に前記温純水槽に対する温純
水の供給を止め、前記温純水槽内の温純水を前記温純水
槽の底部から自然排水する排水手段を設けるようにした
ので、水面に浮上する異物が被乾燥体に付着することが
なく、清浄度を高めることができる。That is, the hot pure water drying apparatus for drying the object to be dried through a process of immersing the object to be dried in the hot pure water while overflowing the hot pure water obtained by heating pure water into the hot pure water tank, Since the supply of warm pure water to the warm pure water tank is stopped after the warm bath of No. 1 and the drainage means for spontaneously draining the warm pure water in the warm pure water tank from the bottom of the warm pure water tank is provided, foreign matters floating on the water surface are to be dried. Cleanliness can be improved without adhering to.
【図１】本発明による温純水乾燥装置の一実施例を示す
正面断面図である。FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment of a hot pure water drying apparatus according to the present invention.
【図２】図１の温純水乾燥装置の制御系を示す模式図で
ある。FIG. 2 is a schematic diagram showing a control system of the warm pure water drying apparatus of FIG.
【図３】半導体ウェハ及びカセットを温純水槽から引き
上げた場合と、半導体ウェハ及びカセットを保持したま
ま温純水を排水した場合との異物数を比較した特性図で
ある。FIG. 3 is a characteristic diagram comparing the number of foreign matters when the semiconductor wafer and the cassette are pulled out from the hot pure water tank and when the hot pure water is drained while holding the semiconductor wafer and the cassette.
【図４】本発明者らによって考え出された温純水乾燥装
置を示す正面断面図である。FIG. 4 is a front sectional view showing a warm pure water drying device devised by the present inventors.
【図５】図４の温純水乾燥装置の制御系を示す模式図で
ある。5 is a schematic diagram showing a control system of the warm pure water drying apparatus of FIG.
１ 温純水槽 ２ 温純水供給パイプ ３ 溢水回収路 ４ 排水パイプ ５ 半導体ウェハ ６ カセット ７ ウェハ支持部 ８ カセット昇降機構 ９ アーム １０ ウェハ昇降機構 １１ アーム １２ 温純水槽 １３ 溢水回収路 １４ 排水パイプ １５ 温純水バルブ １６ 温純水供給パイプ １７ 排水パイプ １８ 排水バルブ １９ 制御部 1 Hot Pure Water Tank 2 Hot Pure Water Supply Pipe 3 Overflow Recovery Path 4 Drain Pipe 5 Semiconductor Wafer 6 Cassette 7 Wafer Support 8 Cassette Lifting Mechanism 9 Arm 10 Wafer Lifting Mechanism 11 Arm 12 Hot Pure Water Tank 13 Overflow Recovery Path 14 Drain Pipe 15 Hot Pure Water Valve 16 Hot Pure Water Supply Pipe 17 Drain Pipe 18 Drain Valve 19 Controller
Claims (4)
水させながら前記温純水に被乾燥体を浸す過程を経て前
記被乾燥体の乾燥を行う温純水乾燥装置であって、前記
被乾燥体の温浴後に前記温純水槽に対する温純水の供給
を止め、前記温純水槽内の温純水を前記温純水槽の底部
から自然排水する排水手段を設けたことを特徴とする温
純水乾燥装置。1. A hot pure water drying apparatus for drying the object to be dried through a process of immersing the object to be dried in the hot pure water while overflowing the hot pure water obtained by heating pure water into the hot pure water tank. The hot pure water drying apparatus is provided with a draining means for stopping the supply of the hot pure water to the hot pure water tank after the hot bath and spontaneously draining the hot pure water in the hot pure water tank from the bottom of the hot pure water tank.
または排水速度と供給速度を５０〜１５０ｍｍ／分に設
定することを特徴とする請求項１記載の温純水乾燥装
置。2. The warm pure water drying apparatus according to claim 1, wherein a drainage speed of warm pure water to the warm pure water tank or a drainage speed and a supply speed are set to 50 to 150 mm / min.
に対する温純水の供給と排水を交互に繰り返す給排水制
御手段を設けたことを特徴とする請求項１記載の温純水
乾燥装置。3. The hot pure water drying apparatus according to claim 1, further comprising a water supply / drainage control means for alternately repeating the supply and the drain of the hot pure water to the hot pure water tank when the drying process is not performed.
鏡面状に仕上げられた板状製品であることを特徴とする
請求項１記載の温純水乾燥装置。4. The warm pure water drying apparatus according to claim 1, wherein the object to be dried is a semiconductor wafer or a plate-shaped product finished in a mirror surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163994A JPH07230980A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Hot pure water drying device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163994A JPH07230980A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Hot pure water drying device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230980A true JPH07230980A (en) | 1995-08-29 |
Family
ID=12060647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2163994A Pending JPH07230980A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Hot pure water drying device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230980A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480588B1 (en) * | 1997-07-15 | 2005-05-16 | 삼성전자주식회사 | Drying method of semiconductor device by using vacuum dryer |
| JP2020107674A (en) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社Sumco | Silicon wafer batch cleaning method and silicon wafer production method using the same, and method for decision of silicon wafer cleaning condition |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP2163994A patent/JPH07230980A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480588B1 (en) * | 1997-07-15 | 2005-05-16 | 삼성전자주식회사 | Drying method of semiconductor device by using vacuum dryer |
| JP2020107674A (en) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社Sumco | Silicon wafer batch cleaning method and silicon wafer production method using the same, and method for decision of silicon wafer cleaning condition |
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