JPH07230716A - 透明導電体及びその製造方法 - Google Patents
透明導電体及びその製造方法Info
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- JPH07230716A JPH07230716A JP2100994A JP2100994A JPH07230716A JP H07230716 A JPH07230716 A JP H07230716A JP 2100994 A JP2100994 A JP 2100994A JP 2100994 A JP2100994 A JP 2100994A JP H07230716 A JPH07230716 A JP H07230716A
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- zinc oxide
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- silicon oxide
- oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】十分な層間の密着性を有し、しかも表面硬度な
らびに透明性に優れた透明導電体を提供する。 【構成】透光性樹脂基板１１上に、シリコン系縮合物層
１２、シリコン酸化物層１３、酸化亜鉛とシリコン酸化
物との混合層１４、一定濃度のシリコンを含有する酸化
亜鉛層からなる導電膜１５がこの順序で設けられ、前記
混合層１４中における酸化亜鉛濃度がシリコンを含有す
る酸化亜鉛層側に近づくに従って次第に高くなるように
形成されている。
らびに透明性に優れた透明導電体を提供する。 【構成】透光性樹脂基板１１上に、シリコン系縮合物層
１２、シリコン酸化物層１３、酸化亜鉛とシリコン酸化
物との混合層１４、一定濃度のシリコンを含有する酸化
亜鉛層からなる導電膜１５がこの順序で設けられ、前記
混合層１４中における酸化亜鉛濃度がシリコンを含有す
る酸化亜鉛層側に近づくに従って次第に高くなるように
形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透光性樹脂を基板とす
る導電性に優れた透明導電体及びその製造方法に関す
る。
る導電性に優れた透明導電体及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂基板上に透明導電層を形成す
る場合、その樹脂基板としてポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート等の
樹脂プレートが使用されている。これらの樹脂基板は、
表面硬度が低いため透明導電層を形成するには、表面硬
度を向上させる必要があり、具体的には、例えば、樹脂
基板上に中間層として有機系ハードコート層又は金属酸
化物層を形成したり、有機系ハードコート層と金属酸化
物層の積層構造を形成することにより、表面硬度の向上
を図る方法が開示されている（特開昭６３−３１０９５
８号公報、特開昭６３−１０８６１４号公報等）。
る場合、その樹脂基板としてポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート等の
樹脂プレートが使用されている。これらの樹脂基板は、
表面硬度が低いため透明導電層を形成するには、表面硬
度を向上させる必要があり、具体的には、例えば、樹脂
基板上に中間層として有機系ハードコート層又は金属酸
化物層を形成したり、有機系ハードコート層と金属酸化
物層の積層構造を形成することにより、表面硬度の向上
を図る方法が開示されている（特開昭６３−３１０９５
８号公報、特開昭６３−１０８６１４号公報等）。
【０００３】しかしながら、上記の樹脂基板は元来その
表面硬度が低いため、有機系ハードコート層を中間層と
して設けても、表面硬度の大幅な向上は認められず、さ
らにその上に金属酸化物層を積層しても熱膨張率の違い
により、成膜後や高温放置下で層の剥離やクラックが発
生するという問題点があった。
表面硬度が低いため、有機系ハードコート層を中間層と
して設けても、表面硬度の大幅な向上は認められず、さ
らにその上に金属酸化物層を積層しても熱膨張率の違い
により、成膜後や高温放置下で層の剥離やクラックが発
生するという問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、十分な層間の
密着性を有し、しかも表面硬度ならびに透明性に優れた
透明導電体を提供することにある。
鑑みてなされたものであり、その目的は、十分な層間の
密着性を有し、しかも表面硬度ならびに透明性に優れた
透明導電体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電体は、
透光性樹脂基板上に、シリコン系縮合物層、シリコン酸
化物層、酸化亜鉛とシリコン酸化物との混合層、一定濃
度のシリコン含有酸化亜鉛層がこの順序で設けられてい
る。
透光性樹脂基板上に、シリコン系縮合物層、シリコン酸
化物層、酸化亜鉛とシリコン酸化物との混合層、一定濃
度のシリコン含有酸化亜鉛層がこの順序で設けられてい
る。
【０００６】上記透光性樹脂基板としては、ポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレ
フタレート等の樹脂シート又は樹脂プレートが挙げられ
るが、成膜中に加熱が必要であるところから耐熱性の良
好なポリカーボネートの樹脂シート又は樹脂プレートが
好ましい。
ネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレ
フタレート等の樹脂シート又は樹脂プレートが挙げられ
るが、成膜中に加熱が必要であるところから耐熱性の良
好なポリカーボネートの樹脂シート又は樹脂プレートが
好ましい。
【０００７】上記シリコン系縮合物層は、上記樹脂基材
上にシランカップリング剤を塗布することにより形成さ
れる。このシリコン系縮合物層によって、後述の透明導
電膜の表面硬度の向上が図られる。
上にシランカップリング剤を塗布することにより形成さ
れる。このシリコン系縮合物層によって、後述の透明導
電膜の表面硬度の向上が図られる。
【０００８】シランカップリング剤としては、官能性有
機基を持ったカーボンファンクショナルアルコキシシラ
ンを中心に、これとアルキルトリアルコキシシラン又は
テトラアルコキシシランを組み合わせて部分共加水分解
を行わせたものと、アルキルトリアルコキシシランの加
水分解物にコロイダルシリカを組み合わせたものに大別
され、この両者が使用可能である。
機基を持ったカーボンファンクショナルアルコキシシラ
ンを中心に、これとアルキルトリアルコキシシラン又は
テトラアルコキシシランを組み合わせて部分共加水分解
を行わせたものと、アルキルトリアルコキシシランの加
水分解物にコロイダルシリカを組み合わせたものに大別
され、この両者が使用可能である。
【０００９】上記シランカップリング剤としては、固形
分濃度２０〜２５重量％、粘度４〜８ｃｐｓ、比重０．
９〜０．９８のものが好ましく、このような性状のシラ
ンカップリング剤を樹脂基板に塗布し熱硬化させること
により、鉛筆硬度２Ｈ〜５Ｈのシリコン系縮合物層が得
られる。
分濃度２０〜２５重量％、粘度４〜８ｃｐｓ、比重０．
９〜０．９８のものが好ましく、このような性状のシラ
ンカップリング剤を樹脂基板に塗布し熱硬化させること
により、鉛筆硬度２Ｈ〜５Ｈのシリコン系縮合物層が得
られる。
【００１０】上記シランカップリング剤の塗布方法とし
ては、従来公知のディッピング法、スプレー法等が用い
られる。
ては、従来公知のディッピング法、スプレー法等が用い
られる。
【００１１】また、上記シリコン系縮合物層の膜厚は１
〜１０μｍが好ましく、より好ましくは３〜５μｍであ
る。
〜１０μｍが好ましく、より好ましくは３〜５μｍであ
る。
【００１２】上記シリコン酸化物層は、透明導電膜の耐
擦傷性を向上させるためにシリコン系縮合物層上に設け
られる。このシリコン酸化物層の膜厚は１μｍ以上あれ
ば十分な性能が得られるが、余りに厚くなると成膜時の
膜の残留応力で基板の変形が起こるので、１〜５μｍが
好ましい。
擦傷性を向上させるためにシリコン系縮合物層上に設け
られる。このシリコン酸化物層の膜厚は１μｍ以上あれ
ば十分な性能が得られるが、余りに厚くなると成膜時の
膜の残留応力で基板の変形が起こるので、１〜５μｍが
好ましい。
【００１３】上記シリコン酸化物層上に、シリコン酸化
物と酸化亜鉛との混合層が形成される。この混合層は、
次工程でこの上に形成されるシリコン含有酸化亜鉛層と
上記シリコン酸化物層と密着性を改善するために設けら
れるものであり、シリコン酸化物層側からシリコン含有
酸化亜鉛層へ近づくにつれて酸化亜鉛濃度が徐々に高く
なるように形成される。
物と酸化亜鉛との混合層が形成される。この混合層は、
次工程でこの上に形成されるシリコン含有酸化亜鉛層と
上記シリコン酸化物層と密着性を改善するために設けら
れるものであり、シリコン酸化物層側からシリコン含有
酸化亜鉛層へ近づくにつれて酸化亜鉛濃度が徐々に高く
なるように形成される。
【００１４】この混合層の厚さは、薄くなると密着性の
改善効果が得られず、厚くなると混合層の応力が大きく
なり過ぎてクラックや剥離を起こすので、２０００〜７
０００Åが好ましい。
改善効果が得られず、厚くなると混合層の応力が大きく
なり過ぎてクラックや剥離を起こすので、２０００〜７
０００Åが好ましい。
【００１５】さらに、上記シリコン酸化物と酸化亜鉛と
の混合層上に、透明な導電膜としてシリコン含有酸化亜
鉛層が形成される。このシリコン含有酸化亜鉛層は酸化
亜鉛を主成分とし、比抵抗を低下させるためにＳｉが不
純物として添加されている。Ｓｉの量は、酸化亜鉛に対
して０．１〜２０重量％が好ましく、より好ましくは５
〜１５重量％である。
の混合層上に、透明な導電膜としてシリコン含有酸化亜
鉛層が形成される。このシリコン含有酸化亜鉛層は酸化
亜鉛を主成分とし、比抵抗を低下させるためにＳｉが不
純物として添加されている。Ｓｉの量は、酸化亜鉛に対
して０．１〜２０重量％が好ましく、より好ましくは５
〜１５重量％である。
【００１６】上記シリコン含有酸化亜鉛層の膜厚は、用
途や要求性能等によって決定されるため特に限定されな
いが、電気抵抗率の制御性、透明性などを考慮すると、
１００〜８０００Åが好ましい。
途や要求性能等によって決定されるため特に限定されな
いが、電気抵抗率の制御性、透明性などを考慮すると、
１００〜８０００Åが好ましい。
【００１７】上記シリコン酸化物層、シリコン酸化物と
酸化亜鉛との混合層ならびにシリコン含有酸化亜鉛層を
形成する方法としては、物理蒸着法であれば特に限定は
なく、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法等が挙げられるが、樹脂基板の熱変形温度を考
慮すると、真空蒸着法又はスパッタリング法が好まし
い。
酸化亜鉛との混合層ならびにシリコン含有酸化亜鉛層を
形成する方法としては、物理蒸着法であれば特に限定は
なく、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法等が挙げられるが、樹脂基板の熱変形温度を考
慮すると、真空蒸着法又はスパッタリング法が好まし
い。
【００１８】以下、本発明２について説明する。本発明
２の透明導電体の製造方法は、シランカップリング剤を
塗布し、シリコン系縮合物層を形成した透光性樹脂基板
上に、物理蒸着法によってシリコン酸化物層、シリコン
酸化物と酸化亜鉛との混合層ならびに導電膜をこの順序
で形成する方法である。
２の透明導電体の製造方法は、シランカップリング剤を
塗布し、シリコン系縮合物層を形成した透光性樹脂基板
上に、物理蒸着法によってシリコン酸化物層、シリコン
酸化物と酸化亜鉛との混合層ならびに導電膜をこの順序
で形成する方法である。
【００１９】上記透光性樹脂基板としては、本発明で用
いられるものと同一の樹脂シート又は樹脂プレートが使
用される。この樹脂基板上に、本発明と同一のシランカ
ップリング剤を使用して、本発明と同様な方法によりシ
リコン系縮合物層が形成される。
いられるものと同一の樹脂シート又は樹脂プレートが使
用される。この樹脂基板上に、本発明と同一のシランカ
ップリング剤を使用して、本発明と同様な方法によりシ
リコン系縮合物層が形成される。
【００２０】次に、上記シランカップリング剤が塗布さ
れた樹脂基板上に、スパッタリング法により、透明導電
体を製造する方法を説明する。図１は、多元同時スパッ
タリング法に用いられるスパッタリング装置の概要図で
ある。図１は、多元同時スパッタリング法に用いるスパ
ッタリング装置の概要図である。図中１は真空槽を示
し、真空槽１は油回転ポンプとクライオポンプとを組み
合わせた排気装置（図示せず）により、所定の圧力（具
体的には、２×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に保たれる。上記
真空槽１内の下部には２個のターゲットが設けられてお
り、Ａがシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）、Ｂが酸化亜鉛
（ＺｎＯ）である。
れた樹脂基板上に、スパッタリング法により、透明導電
体を製造する方法を説明する。図１は、多元同時スパッ
タリング法に用いられるスパッタリング装置の概要図で
ある。図１は、多元同時スパッタリング法に用いるスパ
ッタリング装置の概要図である。図中１は真空槽を示
し、真空槽１は油回転ポンプとクライオポンプとを組み
合わせた排気装置（図示せず）により、所定の圧力（具
体的には、２×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に保たれる。上記
真空槽１内の下部には２個のターゲットが設けられてお
り、Ａがシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）、Ｂが酸化亜鉛
（ＺｎＯ）である。
【００２１】ターゲットＡ及びＢは、それぞれ別々のマ
ッチングボックス２、高周波電源３に接続されており、
Ａ、Ｂはそれぞれ異なった高周波電力でスパッタリング
することができる。また、ターゲットＢについては、直
流電源４への切替えが可能であり、直流電源４によるス
パッタリングも行うことができる。また、上記スパッタ
リング装置は、二つのターゲットＡ及びＢへの投入電力
を個別に制御することにより、樹脂基板上へ積層する被
膜（複合膜）の組成を制御することができる。
ッチングボックス２、高周波電源３に接続されており、
Ａ、Ｂはそれぞれ異なった高周波電力でスパッタリング
することができる。また、ターゲットＢについては、直
流電源４への切替えが可能であり、直流電源４によるス
パッタリングも行うことができる。また、上記スパッタ
リング装置は、二つのターゲットＡ及びＢへの投入電力
を個別に制御することにより、樹脂基板上へ積層する被
膜（複合膜）の組成を制御することができる。
【００２２】上記真空槽１内の上部の、ターゲットＡ及
びＢと対向する位置に、樹脂基板Ｃを取り付けるための
スパッターテーブル５が配置されている。このスパッタ
ーテーブル５はモーター６によって、一定の回転速度で
回転可能となされている。また、スパッターテーブル５
と、ターゲットＡ及びＢの間にはシャッター７が設けら
れている。
びＢと対向する位置に、樹脂基板Ｃを取り付けるための
スパッターテーブル５が配置されている。このスパッタ
ーテーブル５はモーター６によって、一定の回転速度で
回転可能となされている。また、スパッターテーブル５
と、ターゲットＡ及びＢの間にはシャッター７が設けら
れている。
【００２３】実際にスパッタリングを行うには、まず、
スパッターテーブル５にシリコン系縮合物剤が塗布され
た樹脂基板Ｃを取り付け、さらにターゲットＡにシリコ
ン酸化物を、ターゲットＢに酸化亜鉛をそれぞれ取り付
けた後、モーター６によって１０〜１０００ｒｐｍの回
転速度で回転させる。尚、この時点ではシャッター７は
閉じたままの状態にしておく。
スパッターテーブル５にシリコン系縮合物剤が塗布され
た樹脂基板Ｃを取り付け、さらにターゲットＡにシリコ
ン酸化物を、ターゲットＢに酸化亜鉛をそれぞれ取り付
けた後、モーター６によって１０〜１０００ｒｐｍの回
転速度で回転させる。尚、この時点ではシャッター７は
閉じたままの状態にしておく。
【００２４】次に、排気装置（図示せず）によって、真
空槽１内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に排気した後、赤
外線ランプ４によって樹脂基板Ｃをその耐熱温度近辺ま
で加熱する。その後、ガス導入バルブ８を開くことによ
って、アルゴンガス等の不活性ガスを真空槽１内に導入
する。真空槽１内の圧力は不活性ガスの導入量をマスフ
ローコントローラー９により調節することによって制御
する。真空槽１内圧力は小さくなると二つのターゲット
での同時蒸発による組成制御が困難となり、圧力が大き
くなると放電が不安定となって連続的な成膜が困難とな
るので、２×１０-3〜８×１０-3Ｔｏｒｒの範囲が好ま
しい。
空槽１内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に排気した後、赤
外線ランプ４によって樹脂基板Ｃをその耐熱温度近辺ま
で加熱する。その後、ガス導入バルブ８を開くことによ
って、アルゴンガス等の不活性ガスを真空槽１内に導入
する。真空槽１内の圧力は不活性ガスの導入量をマスフ
ローコントローラー９により調節することによって制御
する。真空槽１内圧力は小さくなると二つのターゲット
での同時蒸発による組成制御が困難となり、圧力が大き
くなると放電が不安定となって連続的な成膜が困難とな
るので、２×１０-3〜８×１０-3Ｔｏｒｒの範囲が好ま
しい。
【００２５】続いて、ターゲットＡ及びＢに、それぞれ
独立した電源により高周波電力を投入して放電を行わ
せ、ターゲットＡ及びＢへの投入電力を各々所定の電力
値に設定した後、シャッター７を開け、各ターゲット
Ａ、Ｂをスパッタリングすることにより、樹脂基板Ｃ上
への成膜を行う。
独立した電源により高周波電力を投入して放電を行わ
せ、ターゲットＡ及びＢへの投入電力を各々所定の電力
値に設定した後、シャッター７を開け、各ターゲット
Ａ、Ｂをスパッタリングすることにより、樹脂基板Ｃ上
への成膜を行う。
【００２６】成膜開始後、各ターゲットＡ、Ｂへの投入
電力を制御することにより、シリコン酸化物と酸化亜鉛
の成膜速度を制御し、それぞれの膜中での含有量を制御
することができる。
電力を制御することにより、シリコン酸化物と酸化亜鉛
の成膜速度を制御し、それぞれの膜中での含有量を制御
することができる。
【００２７】本発明２の製造方法において、図２に示す
ように、まず、ターゲットＡのみを蒸発させてで樹脂基
板Ｃ上へ所定の膜厚となるように成膜した（第１領域）
後、ターゲットＡを蒸発させた状態で、ターゲットＢを
所定の投入電力よりも小さい電力を投入して蒸発させ
る。さらに、ターゲットＡの投入電力を直線的に徐々に
減少させると共に、ターゲットＢの投入電力を直線的に
徐々に増加させながら、シリコン酸化物と酸化亜鉛の混
合層を成膜する（第２領域）。次いで、ターゲットＡ及
びＢへの投入電力をそれぞれ一定に保って所定の抵抗値
となるように導電膜を形成する（第３領域）。
ように、まず、ターゲットＡのみを蒸発させてで樹脂基
板Ｃ上へ所定の膜厚となるように成膜した（第１領域）
後、ターゲットＡを蒸発させた状態で、ターゲットＢを
所定の投入電力よりも小さい電力を投入して蒸発させ
る。さらに、ターゲットＡの投入電力を直線的に徐々に
減少させると共に、ターゲットＢの投入電力を直線的に
徐々に増加させながら、シリコン酸化物と酸化亜鉛の混
合層を成膜する（第２領域）。次いで、ターゲットＡ及
びＢへの投入電力をそれぞれ一定に保って所定の抵抗値
となるように導電膜を形成する（第３領域）。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （実施例１〜６）ポリカーボネート基板（旭硝子社製、
１００×１００×２ｍｍ）表面をエタノールで洗浄して
表面の油分を除去した後、基板上にアルコキシシランの
加水分解物とコロイダルシリカとの混合物（日本精化社
製「ＮＳＣ１２７４」）をディッピング法によって塗布
し、１２０℃で２時間加熱硬化処理して、膜厚３μｍの
シリコン系縮合物層を形成した。
１００×１００×２ｍｍ）表面をエタノールで洗浄して
表面の油分を除去した後、基板上にアルコキシシランの
加水分解物とコロイダルシリカとの混合物（日本精化社
製「ＮＳＣ１２７４」）をディッピング法によって塗布
し、１２０℃で２時間加熱硬化処理して、膜厚３μｍの
シリコン系縮合物層を形成した。
【００２９】次いで、シリコン系縮合物層が形成された
ポリカーボネート基板Ｃを、図１に示したスパッタリン
グ装置内のスパッターテーブル５に取り付け、ターゲッ
トＡとしてシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）を、ターゲット
Ｂとして酸化亜鉛（ＺｎＯ）をそれぞれ取り付けた後、
装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気
し、赤外線ランプ４により基板Ｃを１２０℃に加熱し
た。
ポリカーボネート基板Ｃを、図１に示したスパッタリン
グ装置内のスパッターテーブル５に取り付け、ターゲッ
トＡとしてシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）を、ターゲット
Ｂとして酸化亜鉛（ＺｎＯ）をそれぞれ取り付けた後、
装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気
し、赤外線ランプ４により基板Ｃを１２０℃に加熱し
た。
【００３０】続いて、ガス導入バルブ８を開き、装置内
にＡｒガスを３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、Ｓ
ｉＯ2 ターゲットＡをスパッタリングして基板Ｃ上に表
１に示した第１領域（図２に示した）の電力を投入し
て、シリコン酸化物層を形成した。さらに、同じ雰囲気
中でＳｉＯ2 ターゲットＡとＺｎＯターゲットＢに、表
１及び２に示したように、直線的に増減する第２領域
（図２に示した）の電力を投入してシリコン酸化物と酸
化亜鉛の混合層を形成した。最後に、ＳｉＯ2 ターゲッ
トＡとＺｎＯターゲットＢに、表１及び２に示した第３
領域（図２に示した）の電力を投入して、シリコン含有
酸化亜鉛の透明導電膜を形成し、透明導電体を得た。
尚、ターゲットＡ及びＢへの投入電力及び膜厚を表１に
示した。
にＡｒガスを３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、Ｓ
ｉＯ2 ターゲットＡをスパッタリングして基板Ｃ上に表
１に示した第１領域（図２に示した）の電力を投入し
て、シリコン酸化物層を形成した。さらに、同じ雰囲気
中でＳｉＯ2 ターゲットＡとＺｎＯターゲットＢに、表
１及び２に示したように、直線的に増減する第２領域
（図２に示した）の電力を投入してシリコン酸化物と酸
化亜鉛の混合層を形成した。最後に、ＳｉＯ2 ターゲッ
トＡとＺｎＯターゲットＢに、表１及び２に示した第３
領域（図２に示した）の電力を投入して、シリコン含有
酸化亜鉛の透明導電膜を形成し、透明導電体を得た。
尚、ターゲットＡ及びＢへの投入電力及び膜厚を表１に
示した。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】（比較例１）実施例１と同様にしてシリコ
ン系縮合物層が形成されたポリカーボネート基板Ｃを、
図１に示したスパッタリング装置内のスパッターテーブ
ル５に取り付け、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下にな
るまで真空排気した後、ガス導入バルブ８を開き、装置
内にＡｒガスを３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、
この雰囲気中でターゲットＡ及びＢへ表３に示した電力
（図２に示した第３領域）を投入して導電層を形成し、
透明導電体を得た。
ン系縮合物層が形成されたポリカーボネート基板Ｃを、
図１に示したスパッタリング装置内のスパッターテーブ
ル５に取り付け、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下にな
るまで真空排気した後、ガス導入バルブ８を開き、装置
内にＡｒガスを３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、
この雰囲気中でターゲットＡ及びＢへ表３に示した電力
（図２に示した第３領域）を投入して導電層を形成し、
透明導電体を得た。
【００３４】（比較例２）実施例１と同様にして膜厚１
μｍのシリコン系縮合物層が形成されたポリカーボネー
ト基板Ｃを、図１に示したスパッタリング装置内のスパ
ッターテーブル５に取り付け、装置内を２×１０-5Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した後、ガス導入バルブ８
を開き、装置内にＡｒガスを３×１０-3Ｔｏｒｒになる
まで導入し、この雰囲気中でターゲットＡ及びＢへ表２
に示した電力（図２に示した第１領域）を投入してシリ
コン酸化物層を形成した。さらに、ターゲットＡ及びＢ
へ表３に示した電力（図２に示した第３領域）を投入し
て導電層を形成し、透明導電体を得た。
μｍのシリコン系縮合物層が形成されたポリカーボネー
ト基板Ｃを、図１に示したスパッタリング装置内のスパ
ッターテーブル５に取り付け、装置内を２×１０-5Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した後、ガス導入バルブ８
を開き、装置内にＡｒガスを３×１０-3Ｔｏｒｒになる
まで導入し、この雰囲気中でターゲットＡ及びＢへ表２
に示した電力（図２に示した第１領域）を投入してシリ
コン酸化物層を形成した。さらに、ターゲットＡ及びＢ
へ表３に示した電力（図２に示した第３領域）を投入し
て導電層を形成し、透明導電体を得た。
【００３５】（比較例３）シリコン酸化物層の膜厚を６
μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導
電体を得た。
μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導
電体を得た。
【００３６】
【表３】
【００３７】透明導電体の性能評価 上記実施例及び比較例で得られた透明導電体につき下記
の性能評価を行い、その結果を表４に示した。 （１）比抵抗 抵抗率計（三菱油化社製「ロレスタＭＣＰ−Ｔ５０
０」、四端子測定）を用いて測定した。
の性能評価を行い、その結果を表４に示した。 （１）比抵抗 抵抗率計（三菱油化社製「ロレスタＭＣＰ−Ｔ５０
０」、四端子測定）を用いて測定した。
【００３８】（２）Ｓｉ含有量 Ｘ線マイクロアナライザー（日本電子社製「ＸＡ−ＳＳ
Ｍ４０」）
Ｍ４０」）
【００３９】（３）光線透過率 自記分光光度計（島津製作所製「ＵＶ−３１０２Ｐ
Ｃ」）を用いて、５５０ｎｍの波長における光線透過率
を測定した。
Ｃ」）を用いて、５５０ｎｍの波長における光線透過率
を測定した。
【００４０】（４）表面硬度 ＪＩＳ Ｋ５４００に準拠して、鉛筆硬度を測定した。
【００４１】（５）密着性 ＪＩＳ Ｋ５４００に準拠して碁盤目テープ剥離試験を
行い、剥離面を１〜１０段階（評価点数）に区分して評
価した。
行い、剥離面を１〜１０段階（評価点数）に区分して評
価した。
【００４２】（６）耐熱性 １００℃に加熱されたオーブン中で２時間放置した後、
表面状態を目視観察した。
表面状態を目視観察した。
【００４３】
【表４】
【００４４】
【発明の効果】本発明の透明導電体は、上述の構成であ
り、透光性樹脂基板上にシリコン系縮合物層、シリコン
酸化物層、シリコン酸化物と酸化亜鉛との混合層ならび
にシリコン含有酸化亜鉛導電膜がこの順序で形成されて
いるので、十分な層間の密着性を有し、しかも表面硬度
ならびに透明性に優れる。本発明２の透明導電体の製造
方法は、上述の構成であり、十分な層間の密着性を有
し、しかも表面硬度ならびに透明性に優れた透明導電体
を提供する。
り、透光性樹脂基板上にシリコン系縮合物層、シリコン
酸化物層、シリコン酸化物と酸化亜鉛との混合層ならび
にシリコン含有酸化亜鉛導電膜がこの順序で形成されて
いるので、十分な層間の密着性を有し、しかも表面硬度
ならびに透明性に優れる。本発明２の透明導電体の製造
方法は、上述の構成であり、十分な層間の密着性を有
し、しかも表面硬度ならびに透明性に優れた透明導電体
を提供する。
【図１】本発明で用いられるスパッタリング装置を示す
概要図である。
概要図である。
【図２】スパッタリングにおいて、成膜プロセス（ター
ゲットに投入する高周波電力）を示すグラフである。
ゲットに投入する高周波電力）を示すグラフである。
【図３】本発明の透明導電体を示す模式断面図である。
【符号の説明】 １ 真空槽 ２ マッチングボックス ３ 高周波電源 ４ 赤外線ランプ ５ スパッターテーブル ６ モーター ７ シャッター ８ ガス導入バルブ ９ マスフローコントローラー Ａ，Ｂ ターゲット Ｃ 基材 １１ 透光性樹脂基板 １２ シリコン系縮合物層 １３ シリコン酸化物（ＳｉＯ2)層 １４ シリコン酸化物／酸化亜鉛混合層 １５ シリコン含有酸化亜鉛層
Claims (2)
- 【請求項１】透光性樹脂基板上に、シリコン系縮合物
層、シリコン酸化物層、酸化亜鉛とシリコン酸化物との
混合層、一定濃度のシリコンを含有する酸化亜鉛層から
なる導電膜がこの順序で設けられ、前記混合層中におけ
る酸化亜鉛濃度がシリコン含有酸化亜鉛層側に近づくに
従って次第に高くなるように形成されていることを特徴
とする透明導電体。 - 【請求項２】シランカップリング剤を塗布してシリコン
系縮合物層を形成した透光性樹脂基板上に、物理蒸着法
にてシリコン酸化物を蒸発させてシリコン酸化物被膜を
形成した後、シリコン酸化物の濃度を徐々に低下させる
と共に酸化亜鉛の濃度を徐々に高めながら蒸発させてシ
リコン酸化物と酸化亜鉛との混合被膜を形成し、さらに
酸化亜鉛の濃度がシリコン酸化物の濃度より高くなるよ
うにして、シリコン酸化物と酸化亜鉛を蒸発させシリコ
ンを含有する酸化亜鉛層を導電膜として形成することを
特徴とする透明導電体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100994A JPH07230716A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 透明導電体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100994A JPH07230716A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 透明導電体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230716A true JPH07230716A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12043074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2100994A Pending JPH07230716A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 透明導電体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230716A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2166132A2 (en) * | 2008-05-13 | 2010-03-24 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and method for production thereof |
| US7736824B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-06-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask, and method of manufacture |
| US20110011450A1 (en) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods and structures for bonding elements |
| JP2014043094A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-03-13 | Toray Ind Inc | ガスバリア性フィルム |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP2100994A patent/JPH07230716A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7736824B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-06-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask, and method of manufacture |
| EP2166132A2 (en) * | 2008-05-13 | 2010-03-24 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and method for production thereof |
| EP2166132A3 (en) * | 2008-05-13 | 2010-03-31 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and method for production thereof |
| US20110011450A1 (en) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods and structures for bonding elements |
| US9070818B2 (en) * | 2009-07-17 | 2015-06-30 | Soitec | Methods and structures for bonding elements |
| JP2014043094A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-03-13 | Toray Ind Inc | ガスバリア性フィルム |
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