JPH07230366A - 画像処理装置 - Google Patents
画像処理装置Info
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- JPH07230366A JPH07230366A JP4338794A JP4338794A JPH07230366A JP H07230366 A JPH07230366 A JP H07230366A JP 4338794 A JP4338794 A JP 4338794A JP 4338794 A JP4338794 A JP 4338794A JP H07230366 A JPH07230366 A JP H07230366A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】画像メモリとしてシンクロナスDRAMを使用
し、より処理速度を向上させる。 【構成】アクセス要求元であるCPU1とSDRAM3
との間に中間バッファ4を設ける。CPU1からの要求
デ−タとその先のデ−タをSDRAM3から読み出し、
先読みしているデ−タを中間バッファ4のデ−タ保持手
段45に保持し、SDRAM3からリ−ドすることなし
にリ−ド要求デ−タを供給する。
し、より処理速度を向上させる。 【構成】アクセス要求元であるCPU1とSDRAM3
との間に中間バッファ4を設ける。CPU1からの要求
デ−タとその先のデ−タをSDRAM3から読み出し、
先読みしているデ−タを中間バッファ4のデ−タ保持手
段45に保持し、SDRAM3からリ−ドすることなし
にリ−ド要求デ−タを供給する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばプリンタ,ス
キャナ等の画像処理装置、特に記憶装置としてシンクロ
ナスDRAMを使用した画像処理装置の処理速度の向上
に関するものである。
キャナ等の画像処理装置、特に記憶装置としてシンクロ
ナスDRAMを使用した画像処理装置の処理速度の向上
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、画像処理装置に使用している半導
体記憶装置としては、大容量,低価格を実現するため
に、高速ペ−ジ・モ−ド,スタチック・コラム・モ−ド
あるいはニブル・モ−ドのDRAMで構成していた。
体記憶装置としては、大容量,低価格を実現するため
に、高速ペ−ジ・モ−ド,スタチック・コラム・モ−ド
あるいはニブル・モ−ドのDRAMで構成していた。
【0003】高速ペ−ジ・モ−ドのDRAMは行アドレ
ス・ストロ−ブ(RAS*、ここで*印は負論理を示
す)をアサ−トした状態で、列アドレス・ストロ−ブ
(CAS*)およびコラム・アドレスを入力することに
より、同一行アドレスに対して高速にランダムアクセス
を行えるものである。スタチック・コラム・モ−ドのD
RAMはRAS*をアサ−トした状態にて、コラム・ア
ドレスを変化させることにより、高速ペ−ジ・モ−ドの
場合と同様に同一行アドレスに対して高速にアクセスを
行えるものである。さらに、CAS*によってコラム・
アドレスをストロ−ブする必要がないので高速化が可能
である。また、ニブル・モ−ドのDRAMは通常のアク
セス終了後、RAS*をアサ−トした状態のままでCA
S*のトグル動作により、下位の2ビット分がインクリ
メントされたアドレスのデ−タがシ−ケンシャルにアク
セスされる。このニブル・モ−ドのDRAMは4ワ−ド
分しかバ−スト・アクセスできないが、他のモ−ドに比
べて高速である点に特色がある。
ス・ストロ−ブ(RAS*、ここで*印は負論理を示
す)をアサ−トした状態で、列アドレス・ストロ−ブ
(CAS*)およびコラム・アドレスを入力することに
より、同一行アドレスに対して高速にランダムアクセス
を行えるものである。スタチック・コラム・モ−ドのD
RAMはRAS*をアサ−トした状態にて、コラム・ア
ドレスを変化させることにより、高速ペ−ジ・モ−ドの
場合と同様に同一行アドレスに対して高速にアクセスを
行えるものである。さらに、CAS*によってコラム・
アドレスをストロ−ブする必要がないので高速化が可能
である。また、ニブル・モ−ドのDRAMは通常のアク
セス終了後、RAS*をアサ−トした状態のままでCA
S*のトグル動作により、下位の2ビット分がインクリ
メントされたアドレスのデ−タがシ−ケンシャルにアク
セスされる。このニブル・モ−ドのDRAMは4ワ−ド
分しかバ−スト・アクセスできないが、他のモ−ドに比
べて高速である点に特色がある。
【0004】上記各種モ−ドのDRAMは近傍空間に対
する連続アクセスのときに高速アクセスが可能であり、
特に高速動作を要求されるプリンタへの画像デ−タ送り
出し時及びスキャナの読取画像デ−タの書き込み時には
シ−ケンシャル・アクセスになるため、この特徴を有効
に活かすことができる。
する連続アクセスのときに高速アクセスが可能であり、
特に高速動作を要求されるプリンタへの画像デ−タ送り
出し時及びスキャナの読取画像デ−タの書き込み時には
シ−ケンシャル・アクセスになるため、この特徴を有効
に活かすことができる。
【0005】また、CPUの内部にキャッシュメモリを
有し、キャッシュメモリのミスヒット時のリフィル動作
を複数ワ−ドのブロック単位で行うように構成されてい
るものもある。この場合にもシ−ケンシャルなアクセス
あるいはシ−ケンシャルなアクセスに変換できるものが
多いので高速アクセス可能となるものが多い。
有し、キャッシュメモリのミスヒット時のリフィル動作
を複数ワ−ドのブロック単位で行うように構成されてい
るものもある。この場合にもシ−ケンシャルなアクセス
あるいはシ−ケンシャルなアクセスに変換できるものが
多いので高速アクセス可能となるものが多い。
【0006】しかしながら、各モ−ドのDRAMを使用
した場合、高速にアクセスが実現できるとはいえ、その
サイクルタイムは40nsec(25MHz)程度である。この
ため、さらに高速アクセスを実現するには高価なSRA
Mを使用したり、バンク・インタリ−ブの手法を使用す
る必要があった。バンク・インタリ−ブでは同時に先の
アドレスもアクセスすることでシ−ケンシャル・アクセ
スを高速化するものであるが、バンク分のバス幅が必要
になり、さらに最低構成単位が大きくなってしまうとい
う短所がある。
した場合、高速にアクセスが実現できるとはいえ、その
サイクルタイムは40nsec(25MHz)程度である。この
ため、さらに高速アクセスを実現するには高価なSRA
Mを使用したり、バンク・インタリ−ブの手法を使用す
る必要があった。バンク・インタリ−ブでは同時に先の
アドレスもアクセスすることでシ−ケンシャル・アクセ
スを高速化するものであるが、バンク分のバス幅が必要
になり、さらに最低構成単位が大きくなってしまうとい
う短所がある。
【0007】このような短所を解消する方法としてシン
クロナスDRAMの使用が挙げられる。シンクロナスD
RAMは通常のDRAMと異なり完全同期型である。し
たがってロ−・アドレスやコラム・アドレスのエント
リ,リフレッシュなどをクロックの立上りエッジに対し
てコマンドとして与える。リ−ドの場合は、最初のデ−
タまでのアクセス時間は通常のDRAMと変わらない
が、その後のデ−タはクロック毎に出力される。このと
きアクセスの順番はモ−ド設定にて行うので、コラム・
アドレスをクロック毎に入力する必要はない。ライトの
場合は、最初のデ−タからクロック毎に入力できる。そ
して、このクロックの周期が100MHzと高速のため、
高速アクセスを可能にしている。またバ−スト・アクセ
ス時の順番はシ−ケンシャル・モ−ドとインタリ−ブ・
モ−ドの2種類のモ−ドが設定できる。シ−ケンシャル
・モ−ドはスタ−ト・アドレスからバ−スト長分をイン
クリメントしながらアクセスしていくものである。この
とき、ブロック内の最大アドレスに達したらブロック内
の最小アドレスに戻る。インタリ−ブ・モ−ドはバ−ス
ト長をLとすると、スタ−ト・アドレスに対し零から
(L−1)まで順番に排他的論理和演算を行ったのと同
じアドレスの順番でアクセスを行っていく。ここでブロ
ックとはバ−スト長毎の区切りを示すものとする。した
がって例えば2M×8ビット構成の16Mのシンクロナス
DRAMでは、バ−スト長を4とすると、1個あたり
(2×1024×1024÷4)=(512×1024)のブロックがあ
ることになる。
クロナスDRAMの使用が挙げられる。シンクロナスD
RAMは通常のDRAMと異なり完全同期型である。し
たがってロ−・アドレスやコラム・アドレスのエント
リ,リフレッシュなどをクロックの立上りエッジに対し
てコマンドとして与える。リ−ドの場合は、最初のデ−
タまでのアクセス時間は通常のDRAMと変わらない
が、その後のデ−タはクロック毎に出力される。このと
きアクセスの順番はモ−ド設定にて行うので、コラム・
アドレスをクロック毎に入力する必要はない。ライトの
場合は、最初のデ−タからクロック毎に入力できる。そ
して、このクロックの周期が100MHzと高速のため、
高速アクセスを可能にしている。またバ−スト・アクセ
ス時の順番はシ−ケンシャル・モ−ドとインタリ−ブ・
モ−ドの2種類のモ−ドが設定できる。シ−ケンシャル
・モ−ドはスタ−ト・アドレスからバ−スト長分をイン
クリメントしながらアクセスしていくものである。この
とき、ブロック内の最大アドレスに達したらブロック内
の最小アドレスに戻る。インタリ−ブ・モ−ドはバ−ス
ト長をLとすると、スタ−ト・アドレスに対し零から
(L−1)まで順番に排他的論理和演算を行ったのと同
じアドレスの順番でアクセスを行っていく。ここでブロ
ックとはバ−スト長毎の区切りを示すものとする。した
がって例えば2M×8ビット構成の16Mのシンクロナス
DRAMでは、バ−スト長を4とすると、1個あたり
(2×1024×1024÷4)=(512×1024)のブロックがあ
ることになる。
【0008】そしてプリンタへの画像デ−タ転送のため
にの画像メモリ・アクセスの場合にはシ−ケンシャルに
アクセスしていく割合が非常に高いので、シンクロナス
DRAMを使用することにより高速転送が簡単に実現で
きる。また、CPUがキャッシュ・メモリをリフィルす
るとき、インタリ−ブ,シ−ケンシャル又は1ワ−ド・
アクセスとして行うものが多いが、シンクロナスDRA
Mを使用した場合には、これらに全て対応できるので高
速処理が実現できる。
にの画像メモリ・アクセスの場合にはシ−ケンシャルに
アクセスしていく割合が非常に高いので、シンクロナス
DRAMを使用することにより高速転送が簡単に実現で
きる。また、CPUがキャッシュ・メモリをリフィルす
るとき、インタリ−ブ,シ−ケンシャル又は1ワ−ド・
アクセスとして行うものが多いが、シンクロナスDRA
Mを使用した場合には、これらに全て対応できるので高
速処理が実現できる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにシンクロ
ナスDRAMを使用すると大容量で高速の画像メモリを
低価格で実現できるが、シンクロナスDRAMは最初の
リ−ド・デ−タを得るまでの時間は通常のDRAMと同
様であり、この時間が遅いという短所があった。さら
に、最初のリ−ド・デ−タを得るまでの時間が遅いこと
が、処理速度をより高めようとしたときの障害になって
しまう。
ナスDRAMを使用すると大容量で高速の画像メモリを
低価格で実現できるが、シンクロナスDRAMは最初の
リ−ド・デ−タを得るまでの時間は通常のDRAMと同
様であり、この時間が遅いという短所があった。さら
に、最初のリ−ド・デ−タを得るまでの時間が遅いこと
が、処理速度をより高めようとしたときの障害になって
しまう。
【0010】この発明はかかる短所を解消し、画像メモ
リとしてシンクロナスDRAMを使用し、より処理速度
を向上することができる画像処理装置を得ることを目的
とするものである。
リとしてシンクロナスDRAMを使用し、より処理速度
を向上することができる画像処理装置を得ることを目的
とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明に係る画像処理
装置は、中央演算装置とシンクロナスDRAMからなる
記憶装置とを有する画像処理装置において、中央演算装
置と記憶装置との間に中間バッファを有し、中間バッフ
ァには記憶装置から送られたデ−タを保持するデ−タ保
持手段とデ−タ出力手段とを有し、デ−タ出力手段はデ
−タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレスのデ−タを保
持しているときにはデ−タ保持手段に保持しているデ−
タを出力し、デ−タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレ
スのデ−タを保持していないときには要求デ−タ長より
多くのデ−タを記憶装置から読み出し、要求されている
デ−タのみを出力し、余剰のデ−タはデ−タ保持手段が
保持することを特徴とする。
装置は、中央演算装置とシンクロナスDRAMからなる
記憶装置とを有する画像処理装置において、中央演算装
置と記憶装置との間に中間バッファを有し、中間バッフ
ァには記憶装置から送られたデ−タを保持するデ−タ保
持手段とデ−タ出力手段とを有し、デ−タ出力手段はデ
−タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレスのデ−タを保
持しているときにはデ−タ保持手段に保持しているデ−
タを出力し、デ−タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレ
スのデ−タを保持していないときには要求デ−タ長より
多くのデ−タを記憶装置から読み出し、要求されている
デ−タのみを出力し、余剰のデ−タはデ−タ保持手段が
保持することを特徴とする。
【0012】また、第2の発明に係る画像処理装置は、
中央演算装置とシンクロナスDRAMからなる記憶装置
とを有する画像処理装置において、中央演算装置と記憶
装置との間に中間バッファを有し、中間バッファには記
憶装置から送られたデ−タを保持する複数のデ−タ保持
手段とデ−タ出力手段とを有し、デ−タ出力手段はデ−
タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレスのデ−タを保持
しているときにはデ−タ保持手段に保持しているデ−タ
を出力し、デ−タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレス
のデ−タを保持していないときには要求デ−タ長より多
くのデ−タを記憶装置から読み出し、要求されているデ
−タのみを出力し、デ−タ保持手段のうち有効なデ−タ
を保持していないデ−タ保持手段又は既にアクセス要求
元にデ−タを供給しているデ−タ保持手段があるとき
は、そのデ−タ保持手段に余剰のデ−タを保持させ、有
効なデ−タを保持していないデ−タ保持手段と既にアク
セス要求元にデ−タを供給しているデ−タ保持手段がな
いときは最も古いデ−タを保持しているデ−タ保持手段
に余剰のデ−タを保持させることを特徴とする。
中央演算装置とシンクロナスDRAMからなる記憶装置
とを有する画像処理装置において、中央演算装置と記憶
装置との間に中間バッファを有し、中間バッファには記
憶装置から送られたデ−タを保持する複数のデ−タ保持
手段とデ−タ出力手段とを有し、デ−タ出力手段はデ−
タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレスのデ−タを保持
しているときにはデ−タ保持手段に保持しているデ−タ
を出力し、デ−タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレス
のデ−タを保持していないときには要求デ−タ長より多
くのデ−タを記憶装置から読み出し、要求されているデ
−タのみを出力し、デ−タ保持手段のうち有効なデ−タ
を保持していないデ−タ保持手段又は既にアクセス要求
元にデ−タを供給しているデ−タ保持手段があるとき
は、そのデ−タ保持手段に余剰のデ−タを保持させ、有
効なデ−タを保持していないデ−タ保持手段と既にアク
セス要求元にデ−タを供給しているデ−タ保持手段がな
いときは最も古いデ−タを保持しているデ−タ保持手段
に余剰のデ−タを保持させることを特徴とする。
【0013】上記画像形成装置において、デ−タ保持手
段がリ−ド要求の対象アドレスのデ−タを保持していな
く、リ−ド要求がインストラクションであるときに、デ
−タ保持手段に余剰のデ−タを保持させることが好まし
い。
段がリ−ド要求の対象アドレスのデ−タを保持していな
く、リ−ド要求がインストラクションであるときに、デ
−タ保持手段に余剰のデ−タを保持させることが好まし
い。
【0014】また、デ−タ保持手段がリ−ド要求の対象
アドレスのデ−タを保持していなく、リ−ド要求が特定
のデ−タ長であるときに、デ−タ保持手段に余剰のデ−
タを保持させても良い。
アドレスのデ−タを保持していなく、リ−ド要求が特定
のデ−タ長であるときに、デ−タ保持手段に余剰のデ−
タを保持させても良い。
【0015】さらに、デ−タ保持手段がリ−ド要求の対
象アドレスのデ−タを保持していなく、リ−ド要求が対
象アドレス設定レジスタにて示されたアドレスの範囲内
にあるときに、デ−タ保持手段に余剰のデ−タを保持さ
せても良い。
象アドレスのデ−タを保持していなく、リ−ド要求が対
象アドレス設定レジスタにて示されたアドレスの範囲内
にあるときに、デ−タ保持手段に余剰のデ−タを保持さ
せても良い。
【0016】また、デ−タ保持手段にライト要求の対象
アドレスのデ−タを保持しているときに、デ−タ保持手
段に保持しているデ−タの供給を禁止したり、デ−タ保
持手段に保持しているデ−タをライトするデ−タに書換
えても良い。
アドレスのデ−タを保持しているときに、デ−タ保持手
段に保持しているデ−タの供給を禁止したり、デ−タ保
持手段に保持しているデ−タをライトするデ−タに書換
えても良い。
【0017】
【作用】この発明においては、アクセス要求元である中
央演算装置とシンクロナスDRAM(SDRAM)との
間に中間バッファを設け、中央演算装置からの要求デ−
タとその先のデ−タをSDRAMから読み出し、先読み
しているデ−タを中間バッファのデ−タ保持手段に保持
し、SDRAMからリ−ドすることなしにリ−ド要求デ
−タを供給する。
央演算装置とシンクロナスDRAM(SDRAM)との
間に中間バッファを設け、中央演算装置からの要求デ−
タとその先のデ−タをSDRAMから読み出し、先読み
しているデ−タを中間バッファのデ−タ保持手段に保持
し、SDRAMからリ−ドすることなしにリ−ド要求デ
−タを供給する。
【0018】また、中間バッファに複数のデ−タ保持手
段を設け、リ−ド要求に応じて最も古いデ−タを保持し
ているデ−タ保持手段に切り換えて使用し、デ−タ保持
手段に保持している新しいデ−タが書き変わることを防
ぐ。
段を設け、リ−ド要求に応じて最も古いデ−タを保持し
ているデ−タ保持手段に切り換えて使用し、デ−タ保持
手段に保持している新しいデ−タが書き変わることを防
ぐ。
【0019】また、リ−ド要求がインストラクションの
リ−ドであることを示している場合にデ−タ保持手段に
余剰デ−タを保持させたり、リ−ド要求が特定のデ−タ
長であるときに、デ−タ保持手段に余剰デ−タを保持さ
せ、インストラクション・アクセスの間にデ−タ・リ−
ドが起こってもデ−タ保持手段のデ−タが書き変わるこ
とを防ぐ。
リ−ドであることを示している場合にデ−タ保持手段に
余剰デ−タを保持させたり、リ−ド要求が特定のデ−タ
長であるときに、デ−タ保持手段に余剰デ−タを保持さ
せ、インストラクション・アクセスの間にデ−タ・リ−
ドが起こってもデ−タ保持手段のデ−タが書き変わるこ
とを防ぐ。
【0020】また、中間バッファにデ−タを保持する対
象のアドレスを設定するための対象アドレス設定レジス
タを持ち、リ−ド要求が対象アドレス設定レジスタに設
定されたアドレスの範囲内にあるときに、デ−タ保持手
段に余剰デ−タを保持させ、シ−ケンシャルなアクセス
の間に他のリ−ド・アクセスが発生した場合にも、デ−
タ保持手段に保持されながらその後の書換えによりSD
RAMから読み直さなければならないということを防
ぐ。
象のアドレスを設定するための対象アドレス設定レジス
タを持ち、リ−ド要求が対象アドレス設定レジスタに設
定されたアドレスの範囲内にあるときに、デ−タ保持手
段に余剰デ−タを保持させ、シ−ケンシャルなアクセス
の間に他のリ−ド・アクセスが発生した場合にも、デ−
タ保持手段に保持されながらその後の書換えによりSD
RAMから読み直さなければならないということを防
ぐ。
【0021】さらに、ライト要求の対象アドレスがデ−
タ保持手段で保持しているデ−タのアドレスである場合
に、デ−タ保持手段に保持しているデ−タを供給するこ
とを禁止したり、デ−タ保持手段が保持しているにライ
ト要求の対象アドレスのデ−タをライトするデ−タに書
換えて、古いデ−タを供給することを防ぐ。
タ保持手段で保持しているデ−タのアドレスである場合
に、デ−タ保持手段に保持しているデ−タを供給するこ
とを禁止したり、デ−タ保持手段が保持しているにライ
ト要求の対象アドレスのデ−タをライトするデ−タに書
換えて、古いデ−タを供給することを防ぐ。
【0022】
【実施例】図1はこの発明の一実施例を示すブロック図
である。図に示すように、画像処理装置は装置全体の制
御と画像処理等を行うCPU1と、CPU1のインスト
ラクションや各種パラメ−タを記憶したROM2と、シ
ンクロナスDRAM(SDRAM)3と、中間バッファ
4と、プリンタとの信号の授受を行うプリンタインタフ
ェ−ス(プリンタI/F)5と、ホストコンピュ−タ等
との信号の授受を行うホストインタフェ−ス(ホストI
/F)6と、CPU1からの要求を解釈し、装置各部の
制御を行うASIC7とを有する。CPU1に接続され
た高速デ−タを転送するCPUバス8には高速デ−タ転
送が要求されるプリンタインタフェ−ス5とASIC7
が接続され、このCPUバス8に中間バッファ4を介し
てSDRAM3が接続されている。低速バス9はASI
C7を介してCPUバス8に接続され、この低速バス9
にはROM2とホストインタフェ−ス6が接続されてい
る。
である。図に示すように、画像処理装置は装置全体の制
御と画像処理等を行うCPU1と、CPU1のインスト
ラクションや各種パラメ−タを記憶したROM2と、シ
ンクロナスDRAM(SDRAM)3と、中間バッファ
4と、プリンタとの信号の授受を行うプリンタインタフ
ェ−ス(プリンタI/F)5と、ホストコンピュ−タ等
との信号の授受を行うホストインタフェ−ス(ホストI
/F)6と、CPU1からの要求を解釈し、装置各部の
制御を行うASIC7とを有する。CPU1に接続され
た高速デ−タを転送するCPUバス8には高速デ−タ転
送が要求されるプリンタインタフェ−ス5とASIC7
が接続され、このCPUバス8に中間バッファ4を介し
てSDRAM3が接続されている。低速バス9はASI
C7を介してCPUバス8に接続され、この低速バス9
にはROM2とホストインタフェ−ス6が接続されてい
る。
【0023】CPU1にはオンチップにキャッシュ・メ
モリを持っており、インストラクション・キャッシュの
ミス・ヒット時には4ワ−ド毎のバ−スト・アクセスで
リフィルを行い、デ−タ・キャッシュのミス・ヒット時
には2ワ−ド毎のバ−スト・アクセスでリフィルを行
う。また、CPU1はリ−ド・アクセス時にステ−タス
端子にリ−ド要求はインストラクションとしてリ−ドを
行うのか、デ−タとしてリ−ドを行うのかを示してい
る。SDRAM3は画像デ−タを記憶するとともにCP
U1のインストラクションやCPU1のワ−キングデ−
タ等を記憶する。
モリを持っており、インストラクション・キャッシュの
ミス・ヒット時には4ワ−ド毎のバ−スト・アクセスで
リフィルを行い、デ−タ・キャッシュのミス・ヒット時
には2ワ−ド毎のバ−スト・アクセスでリフィルを行
う。また、CPU1はリ−ド・アクセス時にステ−タス
端子にリ−ド要求はインストラクションとしてリ−ドを
行うのか、デ−タとしてリ−ドを行うのかを示してい
る。SDRAM3は画像デ−タを記憶するとともにCP
U1のインストラクションやCPU1のワ−キングデ−
タ等を記憶する。
【0024】中間バッファ4は、図2の内部構成図に示
すように、中間バッファ制御部40と、CPUバス8側
のデ−タ・バス端子41と、SDRAM3側のデ−タ・
バス端子42と、ライト・レジスタ43と、SDRAM
側出力バッファ44と、例えば4段のFIFO構成とな
っているデ−タ保持手段45と、セレクタ47とリ−ド
・レジスタ48とCPU側出力バッファ49とからなる
デ−タ出力手段46とを有する。中間バッファ制御部4
0は中間バッファ4内の各部を制御するものであり、A
SIC7により生成したSDRAM3の制御信号である
CLK,SS*,RDE*,WDE*,RW*の各制御
信号が入力されている。なお、各信号の*印は負論理で
あることを示す。ここでCLKはクロック信号であり、
RDE*,WDE*,RW*の各制御信号自体のサンプ
リングやライト・レジスタ43,リ−ド・レジスタ48
のサンプリング・クロックとして使用される。またSS
*はリ−ド要求の対象デ−タがデ−タ保持手段45にあ
ることを示す信号であり、CLKでサンプリングされず
にそのままのタイミングで使用される。RDE*はCP
U側出力バッファ49のイネ−ブルを制御するための信
号であり、WDE*はデ−タ保持手段45へのデ−タ書
き込みを制御するための信号、RW*はSDRAM側出
力バッファ44のイネ−ブルを制御するための信号であ
る。
すように、中間バッファ制御部40と、CPUバス8側
のデ−タ・バス端子41と、SDRAM3側のデ−タ・
バス端子42と、ライト・レジスタ43と、SDRAM
側出力バッファ44と、例えば4段のFIFO構成とな
っているデ−タ保持手段45と、セレクタ47とリ−ド
・レジスタ48とCPU側出力バッファ49とからなる
デ−タ出力手段46とを有する。中間バッファ制御部4
0は中間バッファ4内の各部を制御するものであり、A
SIC7により生成したSDRAM3の制御信号である
CLK,SS*,RDE*,WDE*,RW*の各制御
信号が入力されている。なお、各信号の*印は負論理で
あることを示す。ここでCLKはクロック信号であり、
RDE*,WDE*,RW*の各制御信号自体のサンプ
リングやライト・レジスタ43,リ−ド・レジスタ48
のサンプリング・クロックとして使用される。またSS
*はリ−ド要求の対象デ−タがデ−タ保持手段45にあ
ることを示す信号であり、CLKでサンプリングされず
にそのままのタイミングで使用される。RDE*はCP
U側出力バッファ49のイネ−ブルを制御するための信
号であり、WDE*はデ−タ保持手段45へのデ−タ書
き込みを制御するための信号、RW*はSDRAM側出
力バッファ44のイネ−ブルを制御するための信号であ
る。
【0025】この中間バッファ4において、各種デ−タ
のライト時には、CPU1から送られたライト・デ−タ
がCPUバス8側のデ−タ・バス端子41から入力さ
れ、入力したライト・デ−タはライト・レジスタ43に
一度ラッチされる。このときSDRAM側出力バッファ
44はイネ−ブルとなっているので、ライト・レジスタ
43にラッチされているデ−タはSDRAM側出力バッ
ファ44にバッファリングされSDRAM3側のデ−タ
・バス端子42に出力される。ここでライト・レジスタ
43でデ−タを一度ラッチしているのは、SDRAM3
のセットアップタイム・マ−ジンを改善するためであ
る。
のライト時には、CPU1から送られたライト・デ−タ
がCPUバス8側のデ−タ・バス端子41から入力さ
れ、入力したライト・デ−タはライト・レジスタ43に
一度ラッチされる。このときSDRAM側出力バッファ
44はイネ−ブルとなっているので、ライト・レジスタ
43にラッチされているデ−タはSDRAM側出力バッ
ファ44にバッファリングされSDRAM3側のデ−タ
・バス端子42に出力される。ここでライト・レジスタ
43でデ−タを一度ラッチしているのは、SDRAM3
のセットアップタイム・マ−ジンを改善するためであ
る。
【0026】また、デ−タ・リ−ド時には、SDRAM
3に記憶されたデ−タがSDRAM3側のデ−タ・バス
端子42から入力され、デ−タ保持手段45とセレクタ
47に供給される。このときSDRAM側出力バッファ
44はディセ−ブルとなっている。セレクタ47はデ−
タ保持手段45にCPU1からリ−ド要求されたデ−タ
があるときは、デ−タ保持手段45にあるリ−ド要求さ
れたデ−タをリ−ド・レジスタ48に通す。また、デ−
タ保持手段45にCPU1からリ−ド要求されたデ−タ
がないとき、セレクタ47はSDRAM3側のデ−タ・
バス端子42から入力したデ−タをリ−ド・レジスタ4
8に通す。リ−ド・レジスタ48に送られたデ−タはリ
−ド・レジスタ48で一度ラッチされる。このときCP
U側出力バッファ49はイネ−ブルとなっているので、
リ−ド・レジスタ48にラッチされているデ−タはCP
U側出力バッファ49にバッファリングされCPUバス
8側のデ−タ・バス端子41に出力される。ここでCP
U1がインストラクション・キャッシュ・メモリのリフ
ィルをするときに、4ワ−ド毎のブロック・リフィルが
行われるが、SDRAM3は8ワ−ドのリ−ドが行われ
る。そこでCPU側出力バッファ49はSDRAM3側
のデ−タ・バス端子42から入力したデ−タのうち4ワ
−ド分のみCPUバス8側のデ−タ・バス端子41に出
力し、その後はディセ−ブルとなる。一方、デ−タ保持
手段45はSDRAM3からのバ−スト・リ−ドの最後
の4ワ−ド分のみを記憶する。
3に記憶されたデ−タがSDRAM3側のデ−タ・バス
端子42から入力され、デ−タ保持手段45とセレクタ
47に供給される。このときSDRAM側出力バッファ
44はディセ−ブルとなっている。セレクタ47はデ−
タ保持手段45にCPU1からリ−ド要求されたデ−タ
があるときは、デ−タ保持手段45にあるリ−ド要求さ
れたデ−タをリ−ド・レジスタ48に通す。また、デ−
タ保持手段45にCPU1からリ−ド要求されたデ−タ
がないとき、セレクタ47はSDRAM3側のデ−タ・
バス端子42から入力したデ−タをリ−ド・レジスタ4
8に通す。リ−ド・レジスタ48に送られたデ−タはリ
−ド・レジスタ48で一度ラッチされる。このときCP
U側出力バッファ49はイネ−ブルとなっているので、
リ−ド・レジスタ48にラッチされているデ−タはCP
U側出力バッファ49にバッファリングされCPUバス
8側のデ−タ・バス端子41に出力される。ここでCP
U1がインストラクション・キャッシュ・メモリのリフ
ィルをするときに、4ワ−ド毎のブロック・リフィルが
行われるが、SDRAM3は8ワ−ドのリ−ドが行われ
る。そこでCPU側出力バッファ49はSDRAM3側
のデ−タ・バス端子42から入力したデ−タのうち4ワ
−ド分のみCPUバス8側のデ−タ・バス端子41に出
力し、その後はディセ−ブルとなる。一方、デ−タ保持
手段45はSDRAM3からのバ−スト・リ−ドの最後
の4ワ−ド分のみを記憶する。
【0027】次ぎに上記のように構成された画像処理装
置でリ−ド時の動作を、図3のタイミングチャ−トを参
照して説明する。図3において、CLKは装置全体を管
理するクロック信号である。ALEはCPU1が出力す
る信号であり、この信号をアサ−トすることにより、C
PU1がCPUバス8にアクセス要求の対象アドレスを
出力していることを示す。またADはCPUバス8のア
ドレス/デ−タ・バスであり、アドレスとデ−タの両方
の転送に使用する。RD*,Burst*はCPU1が出力
する信号であり、CPU1のアクセス要求がリ−ドであ
るときにRD*をアサ−トし、さらにその要求が4ワ−
ド分のリ−ドであるときにBurst*をアサ−トする。C
S*,RAS*,CAS*,WE*はSDRAM3の制
御信号の一部であり、これらの信号を使用してSDRA
M3にコマンドを与える。すなわちCS*とRAS*を
アサ−トした場合はロ−・アドレスの入力要求であり、
CS*とCAS*をアサ−トした場合はコラム・アドレ
スの入力要求を示し、CS*とRAS*とWE*をアサ
−トした場合はプリチャ−ジ要求を示す。また、DRA
M−DはSDRAM3のデ−タ・バスである。
置でリ−ド時の動作を、図3のタイミングチャ−トを参
照して説明する。図3において、CLKは装置全体を管
理するクロック信号である。ALEはCPU1が出力す
る信号であり、この信号をアサ−トすることにより、C
PU1がCPUバス8にアクセス要求の対象アドレスを
出力していることを示す。またADはCPUバス8のア
ドレス/デ−タ・バスであり、アドレスとデ−タの両方
の転送に使用する。RD*,Burst*はCPU1が出力
する信号であり、CPU1のアクセス要求がリ−ドであ
るときにRD*をアサ−トし、さらにその要求が4ワ−
ド分のリ−ドであるときにBurst*をアサ−トする。C
S*,RAS*,CAS*,WE*はSDRAM3の制
御信号の一部であり、これらの信号を使用してSDRA
M3にコマンドを与える。すなわちCS*とRAS*を
アサ−トした場合はロ−・アドレスの入力要求であり、
CS*とCAS*をアサ−トした場合はコラム・アドレ
スの入力要求を示し、CS*とRAS*とWE*をアサ
−トした場合はプリチャ−ジ要求を示す。また、DRA
M−DはSDRAM3のデ−タ・バスである。
【0028】まず、ASIC7は1クロック目でRD
*,Burst*のアサ−トがサンプリングされるので、C
PU1が4ワ−ド分のリ−ドを要求していることを認識
する。また、ASIC7はそのときのアドレスはADバ
スにより(A0)であることを認識する。ASIC7の
内部には中間バッファ4のデ−タ保持手段45に保持さ
れているデ−タのアドレスを持っており、このアドレス
をCPU1からのアクセス要求アドレスと比較する。こ
の比較した結果、デ−タ保持手段45に保持しているデ
−タのアドレスとアクセス要求アドレスが一致していな
い場合は、SDRAM3からリ−ドするように、4クロ
ック目でロ−・アドレス、6クロック目でコラム・アド
レスの入力要求を送り出し、SDRAM3にサンプリン
グさせる。SDRAM3はこの要求を受けると、8クロ
ック目には最初のデ−タをDRAM−D上に出力する。
このとき中間バッファ4ではRDE*がアサ−トされて
いるのでADバス上にデ−タを出力するが、SS*がア
サ−トされていないので、DRAM−D上のデ−タをク
ロックの立上りでラッチしてタイミングを取り直してA
Dバスに出力する。そしてこのデ−タは9クロック目で
CPU1にサンプリングされる。
*,Burst*のアサ−トがサンプリングされるので、C
PU1が4ワ−ド分のリ−ドを要求していることを認識
する。また、ASIC7はそのときのアドレスはADバ
スにより(A0)であることを認識する。ASIC7の
内部には中間バッファ4のデ−タ保持手段45に保持さ
れているデ−タのアドレスを持っており、このアドレス
をCPU1からのアクセス要求アドレスと比較する。こ
の比較した結果、デ−タ保持手段45に保持しているデ
−タのアドレスとアクセス要求アドレスが一致していな
い場合は、SDRAM3からリ−ドするように、4クロ
ック目でロ−・アドレス、6クロック目でコラム・アド
レスの入力要求を送り出し、SDRAM3にサンプリン
グさせる。SDRAM3はこの要求を受けると、8クロ
ック目には最初のデ−タをDRAM−D上に出力する。
このとき中間バッファ4ではRDE*がアサ−トされて
いるのでADバス上にデ−タを出力するが、SS*がア
サ−トされていないので、DRAM−D上のデ−タをク
ロックの立上りでラッチしてタイミングを取り直してA
Dバスに出力する。そしてこのデ−タは9クロック目で
CPU1にサンプリングされる。
【0029】一方、SDRAM3は例えばバ−スト長4
で、シ−ケンシャル・モ−ドに設定されているので、9
クロック,10クロック,11クロックでインクリメントし
たデ−タを出力する。さらにSDRAM3から先のデ−
タを読むために10クロック目でコラム・アドレスをサン
プリングさせる。SDRAM3はこれを受けて12クロッ
クから4クロック分この先のデ−タを出力する。12クロ
ック目ではRDE*がネゲ−トされておりWDE*がア
サ−トされているので、ADバスへの出力をディセ−ブ
ルにし、DRAM−D上のデ−タを中間バッファ4のデ
−タ保持手段45にライトする。14クロック目ではAS
IC7はCPU1からの新しいワ−ドのリ−ド要求が認
識されるが、このアドレスは(A4)であり、中間バッ
ファ4のデ−タ保持手段45からデ−タが供給できるの
で、中間バッファ4が17クロック目でSS*とRDE*
のアサ−トをサンプリングできるようにする。SDRA
M3に対しては、次ぎのリ−ド要求に備えて15クロック
目でプリチャ−ジ・コマンドをサンプリングできるよう
にCS*とRAS*とWE*をアサ−トしたうえで、次
ぎのリ−ド要求に備えて17,19クロック目でロ−・アド
レス,コラム・アドレスをSDRAM3にサンプリング
させ、アクセス要求された先のアドレスをリ−ドし、中
間バッファ4のデ−タ保持手段45にライトする。
で、シ−ケンシャル・モ−ドに設定されているので、9
クロック,10クロック,11クロックでインクリメントし
たデ−タを出力する。さらにSDRAM3から先のデ−
タを読むために10クロック目でコラム・アドレスをサン
プリングさせる。SDRAM3はこれを受けて12クロッ
クから4クロック分この先のデ−タを出力する。12クロ
ック目ではRDE*がネゲ−トされておりWDE*がア
サ−トされているので、ADバスへの出力をディセ−ブ
ルにし、DRAM−D上のデ−タを中間バッファ4のデ
−タ保持手段45にライトする。14クロック目ではAS
IC7はCPU1からの新しいワ−ドのリ−ド要求が認
識されるが、このアドレスは(A4)であり、中間バッ
ファ4のデ−タ保持手段45からデ−タが供給できるの
で、中間バッファ4が17クロック目でSS*とRDE*
のアサ−トをサンプリングできるようにする。SDRA
M3に対しては、次ぎのリ−ド要求に備えて15クロック
目でプリチャ−ジ・コマンドをサンプリングできるよう
にCS*とRAS*とWE*をアサ−トしたうえで、次
ぎのリ−ド要求に備えて17,19クロック目でロ−・アド
レス,コラム・アドレスをSDRAM3にサンプリング
させ、アクセス要求された先のアドレスをリ−ドし、中
間バッファ4のデ−タ保持手段45にライトする。
【0030】デ−タのアクセスはシ−ケンシャルに行わ
れることが多いので、先読みしているデ−タをリ−ド要
求されることが多い。このような場合、上記のようにア
クセス要求元であるCPU1とSDRAM3との間に中
間バッファ4を設け、CPU1からの要求デ−タとその
先のデ−タをSDRAM3から読み出し、先読みしてい
るデ−タを中間バッファ4のデ−タ保持手段45に保持
しているから、SDRAM3からリ−ドすることなしに
リ−ド要求デ−タを供給することができる。したがって
高速にデ−タを供給することができる。また、先読みす
ることによる時間の損失は、先読みしたデ−タ量をバス
幅で割ったクロック数のみでできるから極めて小さく、
多くの場合バスのアビトレ−ション・サイクルの影に完
全に隠れてしまい、ペナルテ−を零にすることができ
る。
れることが多いので、先読みしているデ−タをリ−ド要
求されることが多い。このような場合、上記のようにア
クセス要求元であるCPU1とSDRAM3との間に中
間バッファ4を設け、CPU1からの要求デ−タとその
先のデ−タをSDRAM3から読み出し、先読みしてい
るデ−タを中間バッファ4のデ−タ保持手段45に保持
しているから、SDRAM3からリ−ドすることなしに
リ−ド要求デ−タを供給することができる。したがって
高速にデ−タを供給することができる。また、先読みす
ることによる時間の損失は、先読みしたデ−タ量をバス
幅で割ったクロック数のみでできるから極めて小さく、
多くの場合バスのアビトレ−ション・サイクルの影に完
全に隠れてしまい、ペナルテ−を零にすることができ
る。
【0031】なお、上記実施例は中間バッファ4に1個
のデ−タ保持手段45を設けた場合について説明した
が、中間バッファ4に複数のデ−タ保持手段を設けても
良い。
のデ−タ保持手段45を設けた場合について説明した
が、中間バッファ4に複数のデ−タ保持手段を設けても
良い。
【0032】図4は2個のデ−タ保持手段45a,45
bを設けた中間バッファ4の構成を示す。図に示すよう
に、中間バッファ制御部40にはCLK,SS*,RD
E*,WDE*,RW*の各制御信号以外にデ−タ保持
手段45aとデ−タ保持手段45bのどちらを使用する
かを示す制御信号FOが入力されている。この制御信号
FOにより、リ−ド要求時にデ−タ保持手段45aとデ
−タ保持手段45bのなかで最も古いデ−タを保持して
いるデ−タ保持手段に切り換えて使用する。このように
リ−ド要求に応じてデ−タ保持手段45aとデ−タ保持
手段45bを切り換えることにより、デ−タ保持手段に
保持している新しいデ−タが書き変わってしまっている
という確率を低減することができる。
bを設けた中間バッファ4の構成を示す。図に示すよう
に、中間バッファ制御部40にはCLK,SS*,RD
E*,WDE*,RW*の各制御信号以外にデ−タ保持
手段45aとデ−タ保持手段45bのどちらを使用する
かを示す制御信号FOが入力されている。この制御信号
FOにより、リ−ド要求時にデ−タ保持手段45aとデ
−タ保持手段45bのなかで最も古いデ−タを保持して
いるデ−タ保持手段に切り換えて使用する。このように
リ−ド要求に応じてデ−タ保持手段45aとデ−タ保持
手段45bを切り換えることにより、デ−タ保持手段に
保持している新しいデ−タが書き変わってしまっている
という確率を低減することができる。
【0033】この場合、リ−ド要求がインストラクショ
ンのリ−ドであることを示している場合にデ−タ保持手
段45に先読みしたデ−タを保持させると、インストラ
クション・アクセスの間にデ−タ・リ−ドが起こっても
デ−タ保持手段45のデ−タが書き変わってしまってい
るという確率を減少することができる。
ンのリ−ドであることを示している場合にデ−タ保持手
段45に先読みしたデ−タを保持させると、インストラ
クション・アクセスの間にデ−タ・リ−ドが起こっても
デ−タ保持手段45のデ−タが書き変わってしまってい
るという確率を減少することができる。
【0034】また、リ−ド要求が特定のデ−タ長である
ときに、デ−タ保持手段45に先読みしたデ−タを保持
させると、インストラクションと他のリ−ド・アクセス
のデ−タ長が異なるCPUではインストラクションのリ
−ドであることが判断でき、インストラクション・アク
セスの間にデ−タ・リ−ドが起こってもデ−タ保持手段
45のデ−タが書き変わってしまっているという確率を
減少することができる。
ときに、デ−タ保持手段45に先読みしたデ−タを保持
させると、インストラクションと他のリ−ド・アクセス
のデ−タ長が異なるCPUではインストラクションのリ
−ドであることが判断でき、インストラクション・アク
セスの間にデ−タ・リ−ドが起こってもデ−タ保持手段
45のデ−タが書き変わってしまっているという確率を
減少することができる。
【0035】また、中間バッファ4にデ−タを保持する
対象のアドレスを設定するための対象アドレス設定レジ
スタを持ち、リ−ド要求が対象アドレス設定レジスタに
設定されたアドレスの範囲内にあるときに、デ−タ保持
手段45に先読みしたデ−タを保持させると、シ−ケン
シャルなアクセスの間に他のリ−ド・アクセスが発生し
た場合にも、デ−タ保持手段45に保持されながらその
後の書換えによりSDRAM3から読み直さなければな
らないという確率を低減することができる。
対象のアドレスを設定するための対象アドレス設定レジ
スタを持ち、リ−ド要求が対象アドレス設定レジスタに
設定されたアドレスの範囲内にあるときに、デ−タ保持
手段45に先読みしたデ−タを保持させると、シ−ケン
シャルなアクセスの間に他のリ−ド・アクセスが発生し
た場合にも、デ−タ保持手段45に保持されながらその
後の書換えによりSDRAM3から読み直さなければな
らないという確率を低減することができる。
【0036】さらに、ライト要求の対象アドレスがデ−
タ保持手段45で保持しているデ−タのアドレスである
場合に、デ−タ保持手段45に保持しているデ−タをC
PU1に供給することを禁止することにより、古いデ−
タを供給することを防止することができる。また、この
場合、デ−タ保持手段45が保持しているにライト要求
の対象アドレスのデ−タをライトするデ−タに書換える
と、古いデ−タを供給することを防止することができる
とともに、さらにそのデ−タをリ−ドした場合にSDR
AM3からそのデ−タをリ−ドすることなしにデ−タを
供給することができる。
タ保持手段45で保持しているデ−タのアドレスである
場合に、デ−タ保持手段45に保持しているデ−タをC
PU1に供給することを禁止することにより、古いデ−
タを供給することを防止することができる。また、この
場合、デ−タ保持手段45が保持しているにライト要求
の対象アドレスのデ−タをライトするデ−タに書換える
と、古いデ−タを供給することを防止することができる
とともに、さらにそのデ−タをリ−ドした場合にSDR
AM3からそのデ−タをリ−ドすることなしにデ−タを
供給することができる。
【0037】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、アクセ
ス要求元であるCPUとSDRAMとの間に中間バッフ
ァを設け、CPUからの要求デ−タとその先のデ−タを
SDRAMから読み出し、先読みしているデ−タを中間
バッファのデ−タ保持手段に保持しているから、SDR
AMからリ−ドすることなしにリ−ド要求デ−タを供給
することができ、高速にデ−タを供給することができ
る。
ス要求元であるCPUとSDRAMとの間に中間バッフ
ァを設け、CPUからの要求デ−タとその先のデ−タを
SDRAMから読み出し、先読みしているデ−タを中間
バッファのデ−タ保持手段に保持しているから、SDR
AMからリ−ドすることなしにリ−ド要求デ−タを供給
することができ、高速にデ−タを供給することができ
る。
【0038】また、中間バッファに複数のデ−タ保持手
段を設け、リ−ド要求のときに最も古いデ−タを保持し
ているデ−タ保持手段に切り換えて使用すことにより、
デ−タ保持手段に保持している新しいデ−タが書き変わ
ってしまうことを防止することができる。
段を設け、リ−ド要求のときに最も古いデ−タを保持し
ているデ−タ保持手段に切り換えて使用すことにより、
デ−タ保持手段に保持している新しいデ−タが書き変わ
ってしまうことを防止することができる。
【0039】この複数のデ−タ保持手段を切り換える場
合、リ−ド要求がインストラクションのリ−ドであるこ
とを示している場合にデ−タ保持手段に先読みした余剰
デ−タを保持させると、インストラクション・アクセス
の間にデ−タ・リ−ドが起こってもデ−タ保持手段のデ
−タが書き変わってしまっているということを防止する
ことができる。
合、リ−ド要求がインストラクションのリ−ドであるこ
とを示している場合にデ−タ保持手段に先読みした余剰
デ−タを保持させると、インストラクション・アクセス
の間にデ−タ・リ−ドが起こってもデ−タ保持手段のデ
−タが書き変わってしまっているということを防止する
ことができる。
【0040】また、リ−ド要求が特定のデ−タ長である
ときに、デ−タ保持手段に先読みした余剰デ−タを保持
させると、インストラクションと他のリ−ド・アクセス
のデ−タ長が異なるCPUでインストラクションのリ−
ドであることが判断でき、インストラクション・アクセ
スの間にデ−タ・リ−ドが起こってもデ−タ保持手段の
デ−タが書き変わってしまっているという確率を減少す
ることができる。
ときに、デ−タ保持手段に先読みした余剰デ−タを保持
させると、インストラクションと他のリ−ド・アクセス
のデ−タ長が異なるCPUでインストラクションのリ−
ドであることが判断でき、インストラクション・アクセ
スの間にデ−タ・リ−ドが起こってもデ−タ保持手段の
デ−タが書き変わってしまっているという確率を減少す
ることができる。
【0041】また、中間バッファ4にデ−タを保持する
対象のアドレスを設定するための対象アドレス設定レジ
スタを持ち、リ−ド要求が対象アドレス設定レジスタに
設定されたアドレスの範囲内にあるときに、デ−タ保持
手段に先読みした余剰デ−タを保持させると、シ−ケン
シャルなアクセスの間に他のリ−ド・アクセスが発生し
た場合にも、デ−タ保持手段に保持されながらその後の
書換えによりSDRAMから読み直さなければならない
という確率を低減することができる。
対象のアドレスを設定するための対象アドレス設定レジ
スタを持ち、リ−ド要求が対象アドレス設定レジスタに
設定されたアドレスの範囲内にあるときに、デ−タ保持
手段に先読みした余剰デ−タを保持させると、シ−ケン
シャルなアクセスの間に他のリ−ド・アクセスが発生し
た場合にも、デ−タ保持手段に保持されながらその後の
書換えによりSDRAMから読み直さなければならない
という確率を低減することができる。
【0042】さらに、ライト要求の対象アドレスがデ−
タ保持手段で保持しているデ−タのアドレスである場合
に、デ−タ保持手段に保持しているデ−タを供給するこ
とを禁止することにより、古いデ−タを供給することを
防止することができる。
タ保持手段で保持しているデ−タのアドレスである場合
に、デ−タ保持手段に保持しているデ−タを供給するこ
とを禁止することにより、古いデ−タを供給することを
防止することができる。
【0043】また、デ−タ保持手段が保持しているにラ
イト要求の対象アドレスのデ−タをライトするデ−タに
書換えると、古いデ−タを供給することを防止すること
ができるとともに、さらにそのデ−タをリ−ドした場合
にSDRAMからそのデ−タをリ−ドすることなしにデ
−タを供給することができ、迅速にデ−タを供給するこ
とができる。
イト要求の対象アドレスのデ−タをライトするデ−タに
書換えると、古いデ−タを供給することを防止すること
ができるとともに、さらにそのデ−タをリ−ドした場合
にSDRAMからそのデ−タをリ−ドすることなしにデ
−タを供給することができ、迅速にデ−タを供給するこ
とができる。
【図1】この発明の実施例を示すブロック図である。
【図2】上記実施例の中間バッファの構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図3】上記実施例の動作を示すタイムチャ−トであ
る。
る。
【図4】他の実施例の中間バッファの構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
1 CPU 2 ROM 3 シンクロナスDRAM(SDRAM) 4 中間バッファ 7 ASIC 40 中間バッファ制御部 45 デ−タ保持手段 46 デ−タ出力手段 47 セレクタ 48 リ−ド・レジスタ 49 CPU側出力バッファ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 智樹 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコ−内
Claims (7)
- 【請求項1】 中央演算装置とシンクロナスDRAMか
らなる記憶装置とを有する画像処理装置において、中央
演算装置と記憶装置との間に中間バッファを有し、中間
バッファには記憶装置から送られたデ−タを保持するデ
−タ保持手段とデ−タ出力手段とを有し、デ−タ出力手
段はデ−タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレスのデ−
タを保持しているときにはデ−タ保持手段に保持してい
るデ−タを出力し、デ−タ保持手段がリ−ド要求の対象
アドレスのデ−タを保持していないときには要求デ−タ
長より多くのデ−タを記憶装置から読み出し、要求され
ているデ−タのみを出力し、余剰のデ−タはデ−タ保持
手段が保持することを特徴とする画像処理装置。 - 【請求項2】 中央演算装置とシンクロナスDRAMか
らなる記憶装置とを有する画像処理装置において、中央
演算装置と記憶装置との間に中間バッファを有し、中間
バッファには記憶装置から送られたデ−タを保持する複
数のデ−タ保持手段とデ−タ出力手段とを有し、デ−タ
出力手段はデ−タ保持手段がリ−ド要求の対象アドレス
のデ−タを保持しているときにはデ−タ保持手段に保持
しているデ−タを出力し、デ−タ保持手段がリ−ド要求
の対象アドレスのデ−タを保持していないときには要求
デ−タ長より多くのデ−タを記憶装置から読み出し、要
求されているデ−タのみを出力し、デ−タ保持手段のう
ち有効なデ−タを保持していないデ−タ保持手段又は既
にアクセス要求元にデ−タを供給しているデ−タ保持手
段があるときは、そのデ−タ保持手段に余剰のデ−タを
保持させ、有効なデ−タを保持していないデ−タ保持手
段と既にアクセス要求元にデ−タを供給しているデ−タ
保持手段がないときは最も古いデ−タを保持しているデ
−タ保持手段に余剰のデ−タを保持させることを特徴と
する画像処理装置。 - 【請求項3】 デ−タ保持手段がリ−ド要求の対象アド
レスのデ−タを保持していなく、リ−ド要求がインスト
ラクションであるときに、デ−タ保持手段に余剰のデ−
タを保持させる請求項1又は2記載の画像処理装置。 - 【請求項4】 デ−タ保持手段がリ−ド要求の対象アド
レスのデ−タを保持していなく、リ−ド要求が特定のデ
−タ長であるときに、デ−タ保持手段に余剰のデ−タを
保持させる請求項1又は2記載の画像処理装置。 - 【請求項5】 デ−タ保持手段がリ−ド要求の対象アド
レスのデ−タを保持していなく、リ−ド要求が対象アド
レス設定レジスタにて示されたアドレスの範囲内にある
ときに、デ−タ保持手段に余剰のデ−タを保持させる請
求項1又は2記載の画像処理装置。 - 【請求項6】 デ−タ保持手段にライト要求の対象アド
レスのデ−タを保持しているときに、デ−タ保持手段に
保持しているデ−タの供給を禁止する請求項1乃至5の
いずれかに記載の画像処理装置。 - 【請求項7】 デ−タ保持手段にライト要求の対象アド
レスのデ−タを保持しているときに、デ−タ保持手段に
保持しているデ−タをライトするデ−タに書換える請求
項1乃至5のいずれかに記載の画像処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4338794A JPH07230366A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 画像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4338794A JPH07230366A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 画像処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07230366A true JPH07230366A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12662399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4338794A Pending JPH07230366A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 画像処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07230366A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001175534A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Sanyo Electric Co Ltd | メモリ制御回路 |
JPWO2013137459A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2015-08-03 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | データ供給装置及びデータ処理装置 |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP4338794A patent/JPH07230366A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2001175534A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Sanyo Electric Co Ltd | メモリ制御回路 |
JPWO2013137459A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2015-08-03 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | データ供給装置及びデータ処理装置 |
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