JPH0722668A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH0722668A JPH0722668A JP5150927A JP15092793A JPH0722668A JP H0722668 A JPH0722668 A JP H0722668A JP 5150927 A JP5150927 A JP 5150927A JP 15092793 A JP15092793 A JP 15092793A JP H0722668 A JPH0722668 A JP H0722668A
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- Japan
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- effect element
- ferromagnetic body
- magnetoresistive effect
- metallic thin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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Abstract
(57)【要約】
【目的】互いに向きが直交している強磁性体金属薄膜か
らなる磁気抵抗効果素子の小型化。 【構成】ガラス基板1上に第1の強磁性体金属薄膜2を
形成し、その裏面に第2の強磁性体金属薄膜2を90度
向きを変えて形成する。第1の強磁性体金属薄膜2と第
2の強磁性体金属薄膜はスルーホール3によって接続し
ている。強磁性体金属薄膜2から外部への接続はワイヤ
ボンディング5にてリードフレーム4へ接続している。
1枚の基板の表裏にパターンを形成しているため、小型
化が図れる。
らなる磁気抵抗効果素子の小型化。 【構成】ガラス基板1上に第1の強磁性体金属薄膜2を
形成し、その裏面に第2の強磁性体金属薄膜2を90度
向きを変えて形成する。第1の強磁性体金属薄膜2と第
2の強磁性体金属薄膜はスルーホール3によって接続し
ている。強磁性体金属薄膜2から外部への接続はワイヤ
ボンディング5にてリードフレーム4へ接続している。
1枚の基板の表裏にパターンを形成しているため、小型
化が図れる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子に関
する。
する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の磁気抵抗効果素子は、図
3に示すように、X方向Y方向の磁界に反応するよう
に、基板1の同一面上に強磁性体金属薄膜2が互いに向
きが直交するように形成されたあと、ワイヤボンディン
グ5にてリードフレーム4へ接続するよう構成されてい
る。
3に示すように、X方向Y方向の磁界に反応するよう
に、基板1の同一面上に強磁性体金属薄膜2が互いに向
きが直交するように形成されたあと、ワイヤボンディン
グ5にてリードフレーム4へ接続するよう構成されてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の磁気抵抗効
果素子では同一面上に互いに直交する強磁性体金属薄膜
2が形成されているため、磁気抵抗効果素子が小型化で
きないという問題点があった。
果素子では同一面上に互いに直交する強磁性体金属薄膜
2が形成されているため、磁気抵抗効果素子が小型化で
きないという問題点があった。
【0004】本発明の目的は、上述の問題を解決し、小
型化可能な磁気抵抗効果素子を提供することにある。
型化可能な磁気抵抗効果素子を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るため、本発明による磁気抵抗効果素子は、互いに直交
する2つの強磁性体金属薄膜を基板の表面および裏面に
形成したことを特徴としている。
るため、本発明による磁気抵抗効果素子は、互いに直交
する2つの強磁性体金属薄膜を基板の表面および裏面に
形成したことを特徴としている。
【0006】
【実施例】次に本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
【0007】図1は、本発明の一実施例を示す斜視図で
ある。
ある。
【0008】図1において、ガラス基板等の非磁性体絶
縁基板1上に第1の強磁性体金属薄膜2が形成され、そ
の裏面に第2の強磁性体金属薄膜2が90度向きを変え
て形成されている。第1の強磁性体金属薄膜2と第2の
強磁性体金属薄膜2はスルーホール3によって電気的に
接続されている。強磁性体金属薄膜2から外部への接続
はワイヤボンディング5にてリードフレーム4に接続さ
れている。
縁基板1上に第1の強磁性体金属薄膜2が形成され、そ
の裏面に第2の強磁性体金属薄膜2が90度向きを変え
て形成されている。第1の強磁性体金属薄膜2と第2の
強磁性体金属薄膜2はスルーホール3によって電気的に
接続されている。強磁性体金属薄膜2から外部への接続
はワイヤボンディング5にてリードフレーム4に接続さ
れている。
【0009】図2は図1をモールド6で封止した実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように本発明による磁気抵
抗効果素子は、基板の両面に強磁性体金属薄膜を形成し
スルーホールによって接続しているため、基板を2分の
1に小型化できるという効果がある。また、磁界がX方
向,Y方向に発生した場合、それぞれの強磁性体金属薄
膜の中心が同じであるため、正確な磁界強度を得ること
ができるという効果がある。
抗効果素子は、基板の両面に強磁性体金属薄膜を形成し
スルーホールによって接続しているため、基板を2分の
1に小型化できるという効果がある。また、磁界がX方
向,Y方向に発生した場合、それぞれの強磁性体金属薄
膜の中心が同じであるため、正確な磁界強度を得ること
ができるという効果がある。
【図1】本発明による磁気抵抗効果素子の実施例を示す
斜視図。
斜視図。
【図2】図1に示した素子をモールド封止した断面図。
【図3】従来の一実施例を示す斜視図。
【図4】図3に示した従来素子をモールド封止した断面
図。
図。
1 ガラス基板 2 強磁性体金属薄膜 3 スルーホール 4 リードフレーム 5 ワイヤボンディング 6 モールド
Claims (3)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果を有する強磁性体金属薄膜
よりなる磁気抵抗素子を、非磁性体絶縁基板の上下面に
形成したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項2】 前記非磁性体絶縁基板の上下面に形成し
た前記磁気抵抗素子は、互いに直交していることを特徴
とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項3】 前記非磁性体絶縁基板の上下面に形成し
た前記磁気抵抗素子は、スルーホールにて接続されてい
ることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5150927A JPH0722668A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5150927A JPH0722668A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0722668A true JPH0722668A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15507456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5150927A Pending JPH0722668A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0722668A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017514114A (ja) * | 2014-03-25 | 2017-06-01 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. | 磁気抵抗式磁気イメージング・センサ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63215086A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁電変換素子 |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP5150927A patent/JPH0722668A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63215086A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁電変換素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017514114A (ja) * | 2014-03-25 | 2017-06-01 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. | 磁気抵抗式磁気イメージング・センサ |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980324 |