JPH0722500A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH0722500A JPH0722500A JP18551793A JP18551793A JPH0722500A JP H0722500 A JPH0722500 A JP H0722500A JP 18551793 A JP18551793 A JP 18551793A JP 18551793 A JP18551793 A JP 18551793A JP H0722500 A JPH0722500 A JP H0722500A
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- JP
- Japan
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- processing chamber
- mounting table
- chamber
- wafer
- processing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高真空度、高温の処理室内で被処理体を処理
しても処理室内を汚染させない処理装置を得る。 【構成】 処理室内に位置し、この処理室内雰囲気に直
接曝されているヒータ２３の給電導体部３１と、この給
電導体部３１に接続されて電力を供給する供給線３２の
材質をカーボンで構成する。 【効果】 カーボンは非金属であるから、高真空度、高
温の下でもメタルコンタミネーションを発生させること
はなく、処理室内の雰囲気を汚染させない。
しても処理室内を汚染させない処理装置を得る。 【構成】 処理室内に位置し、この処理室内雰囲気に直
接曝されているヒータ２３の給電導体部３１と、この給
電導体部３１に接続されて電力を供給する供給線３２の
材質をカーボンで構成する。 【効果】 カーボンは非金属であるから、高真空度、高
温の下でもメタルコンタミネーションを発生させること
はなく、処理室内の雰囲気を汚染させない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置に関するもの
である。
である。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体ウエハ（以下、「ウエハ」
という）表面に絶縁膜やシリコンの薄膜を形成するのに
用いられるＣＶＤ装置を例にとって説明すると、かかる
ＣＶＤ装置においては、ウエハに対するＣＶＤ処理は、
気密に構成された処理室内に所定の処理ガスを導入した
所定の減圧雰囲気、例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度の高い真
空度の下で行われている。
という）表面に絶縁膜やシリコンの薄膜を形成するのに
用いられるＣＶＤ装置を例にとって説明すると、かかる
ＣＶＤ装置においては、ウエハに対するＣＶＤ処理は、
気密に構成された処理室内に所定の処理ガスを導入した
所定の減圧雰囲気、例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度の高い真
空度の下で行われている。
【０００３】そしてウエハはこのような処理室内に設け
られた載置台の上に載置されているが、上記載置台には
一般に、ウエハを吸着保持するため静電チャックが設け
られている。この種の静電チャックは、薄い電極板の上
下面を絶縁層で挟み、この電極板に直流電圧を印加した
際に発生するクーロン力によって、ウエハを吸着保持す
るように構成されている。
られた載置台の上に載置されているが、上記載置台には
一般に、ウエハを吸着保持するため静電チャックが設け
られている。この種の静電チャックは、薄い電極板の上
下面を絶縁層で挟み、この電極板に直流電圧を印加した
際に発生するクーロン力によって、ウエハを吸着保持す
るように構成されている。
【０００４】他方上記載置台の下面側には、前出処理室
外部に設けられている電源、例えば交流電源からの電力
の供給を受けて、上記載置台上のウエハを所定の温度に
加熱させるためのヒータなどの加熱装置が設けられてい
る。
外部に設けられている電源、例えば交流電源からの電力
の供給を受けて、上記載置台上のウエハを所定の温度に
加熱させるためのヒータなどの加熱装置が設けられてい
る。
【０００５】以上のようにＣＶＤ装置の処理室において
は、給電が必要な各種の装置、部材が収納されている
が、このような給電が必要な各種の装置に使用されてい
る従来の配線材は、タングステンワイヤなどの金属系の
配線材が使用されていた。
は、給電が必要な各種の装置、部材が収納されている
が、このような給電が必要な各種の装置に使用されてい
る従来の配線材は、タングステンワイヤなどの金属系の
配線材が使用されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、既述の
如くこの種の処理室内は高い真空度に設定されており、
しかもヒータなどの加熱装置によって高温雰囲気となっ
ているため、そのように例えばタングステンワイヤを処
理室内の配線材として使用すると、メタルコンタミネー
ションが発生し、処理室内雰囲気を汚染するおそれがあ
った。ウエハの処理には厳格に設定された雰囲気が必要
であるから、そのように処理室内が汚染されてしまう
と、即歩留まりの低下につながってしまう。
如くこの種の処理室内は高い真空度に設定されており、
しかもヒータなどの加熱装置によって高温雰囲気となっ
ているため、そのように例えばタングステンワイヤを処
理室内の配線材として使用すると、メタルコンタミネー
ションが発生し、処理室内雰囲気を汚染するおそれがあ
った。ウエハの処理には厳格に設定された雰囲気が必要
であるから、そのように処理室内が汚染されてしまう
と、即歩留まりの低下につながってしまう。
【０００７】そこで従来は、適宜の保護被覆材を配線材
に密着して被覆するなどし、さらに主要給電部分をなる
べく処理室外部に配置するなどして、配線材の設置箇所
を極力処理室外部に設けるようにしているが、そうする
と、配線まわりが複雑化してしまい、部材数の増加、ア
センブリの煩雑さを招き、さらに装置全体の設計の自由
度も制限されてしまう。
に密着して被覆するなどし、さらに主要給電部分をなる
べく処理室外部に配置するなどして、配線材の設置箇所
を極力処理室外部に設けるようにしているが、そうする
と、配線まわりが複雑化してしまい、部材数の増加、ア
センブリの煩雑さを招き、さらに装置全体の設計の自由
度も制限されてしまう。
【０００８】また最近は加熱装置の熱伝達効率の向上を
図るため、加熱装置を処理室内の載置台下面に直接設け
ることが模索されているが、そうすると該加熱装置の配
線まわりの処置が難しくなってしまい、また熱膨張率の
差などによる被覆部剥離、亀裂に伴う汚染の危険性がさ
らに増大するという問題があった。
図るため、加熱装置を処理室内の載置台下面に直接設け
ることが模索されているが、そうすると該加熱装置の配
線まわりの処置が難しくなってしまい、また熱膨張率の
差などによる被覆部剥離、亀裂に伴う汚染の危険性がさ
らに増大するという問題があった。
【０００９】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、処理室内が上述のような高真空度、高温の雰囲気
の下でも、メタルコンタミネーションが発生することの
ない処理装置をして、問題の解決を図ることを目的とす
るものである。
あり、処理室内が上述のような高真空度、高温の雰囲気
の下でも、メタルコンタミネーションが発生することの
ない処理装置をして、問題の解決を図ることを目的とす
るものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、気密に構成された処理室と、前記
処理室内に設けられた載置台と、前記載置台に載置され
た被処理体を加熱する加熱装置とを有し、前記載置台に
載置された前記被処理体を所定の減圧雰囲気で処理する
如く構成された処理装置において、前記処理室内で使用
される配線用の導電部材が、カーボンで構成されている
ことを特徴とする、処理装置が提供される。ここでいう
ところの配線用の導電部材とは、例えば処理室内の各種
装置の給電部に使用される配線材や、かかる配線材を接
続するための端子などが、その例として挙げられる。
め、本発明によれば、気密に構成された処理室と、前記
処理室内に設けられた載置台と、前記載置台に載置され
た被処理体を加熱する加熱装置とを有し、前記載置台に
載置された前記被処理体を所定の減圧雰囲気で処理する
如く構成された処理装置において、前記処理室内で使用
される配線用の導電部材が、カーボンで構成されている
ことを特徴とする、処理装置が提供される。ここでいう
ところの配線用の導電部材とは、例えば処理室内の各種
装置の給電部に使用される配線材や、かかる配線材を接
続するための端子などが、その例として挙げられる。
【００１１】
【作用】カーボンは耐熱性にすぐれており、しかも非金
属であるから、処理室内において上述のような高真空
度、高温の雰囲気の下に曝されても従来のようなメタル
コンタミネーションを処理室内に発生させることはな
い。
属であるから、処理室内において上述のような高真空
度、高温の雰囲気の下に曝されても従来のようなメタル
コンタミネーションを処理室内に発生させることはな
い。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例が適用されたＣＶＤ装
置に基づいて説明すると、図１は本発明の実施例が用い
られている枚葉式のＣＶＤ装置１の断面を模式的に示し
ており、同図からわかるように、このＣＶＤ装置１は気
密に構成された略円筒状の処理室２を有している。
置に基づいて説明すると、図１は本発明の実施例が用い
られている枚葉式のＣＶＤ装置１の断面を模式的に示し
ており、同図からわかるように、このＣＶＤ装置１は気
密に構成された略円筒状の処理室２を有している。
【００１３】上記処理室２の上面には、略中空形状のシ
ャワーヘッド３が気密に設けられている。このシャワー
ヘッド３の上部には、処理ガス導入管４が設けられてお
り、また一方、上記処理室２内に設けられている載置台
２１との対向面には、吐出口５が多数設けられている。
そして処理ガス導入管４から導入される処理ガス、例え
ばＳｉＨ4（シラン）＋Ｈ2との混合ガスは、このシャワ
ーヘッド３の中空部から上記多数の吐出口５を通じて、
処理室２内の載置台２１に向けて均等に吐出されるよう
になっている。
ャワーヘッド３が気密に設けられている。このシャワー
ヘッド３の上部には、処理ガス導入管４が設けられてお
り、また一方、上記処理室２内に設けられている載置台
２１との対向面には、吐出口５が多数設けられている。
そして処理ガス導入管４から導入される処理ガス、例え
ばＳｉＨ4（シラン）＋Ｈ2との混合ガスは、このシャワ
ーヘッド３の中空部から上記多数の吐出口５を通じて、
処理室２内の載置台２１に向けて均等に吐出されるよう
になっている。
【００１４】上記処理室２の底部近傍には、真空ポンプ
などの排気手段６に通ずる排気管７が設けられ、当該排
気手段６の作動により、上記処理室２は、所定の減圧雰
囲気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なよう
に構成されている。
などの排気手段６に通ずる排気管７が設けられ、当該排
気手段６の作動により、上記処理室２は、所定の減圧雰
囲気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なよう
に構成されている。
【００１５】上記処理室２の底部は、略円筒状の支持体
８によって支持された底板９によって構成され、さらに
この底板９の内部には冷却水溜１０が設けられており、
冷却水パイプ１１によって供給される冷却水が、上記冷
却水溜１０内を循環するように構成されている。
８によって支持された底板９によって構成され、さらに
この底板９の内部には冷却水溜１０が設けられており、
冷却水パイプ１１によって供給される冷却水が、上記冷
却水溜１０内を循環するように構成されている。
【００１６】前出載置台２１はその表面に絶縁処理が施
されており、上記底板９の上面に反射体１２を介して設
置されている。そして図１、図２に示されたように、こ
の載置台２１の上面には静電チャック２２が設けられ、
一方この載置台２１の奥まった下面にはヒータ２３が夫
々設けられている。
されており、上記底板９の上面に反射体１２を介して設
置されている。そして図１、図２に示されたように、こ
の載置台２１の上面には静電チャック２２が設けられ、
一方この載置台２１の奥まった下面にはヒータ２３が夫
々設けられている。
【００１７】上記静電チャック２２は、半円形状の薄い
電極板２４、２５の上下を絶縁体２６で覆った構造を有
し、図２に示したように、上記処理室２外部に設置され
ている相互に極性の異なった直流高圧電源２７、２８に
各々独立して接続されており、いわゆる双極型の静電チ
ャックの電極を構成している。そして上記直流高圧電源
２７、２８から上記電極板２４、２５に電圧が印加され
ると、その際に発生するクーロン力によって、上記静電
チャック２２の上面（載置面）に載置されたウエハＷを
吸着、保持するように構成されている。
電極板２４、２５の上下を絶縁体２６で覆った構造を有
し、図２に示したように、上記処理室２外部に設置され
ている相互に極性の異なった直流高圧電源２７、２８に
各々独立して接続されており、いわゆる双極型の静電チ
ャックの電極を構成している。そして上記直流高圧電源
２７、２８から上記電極板２４、２５に電圧が印加され
ると、その際に発生するクーロン力によって、上記静電
チャック２２の上面（載置面）に載置されたウエハＷを
吸着、保持するように構成されている。
【００１８】また上記ヒータ２３は、発熱体２３ａを略
渦巻状に配設して構成され、この発熱体２３ａは、絶縁
体２９で覆われて上記載置台２１の下面側に直接設けら
れている。そして上記処理室２外部に設けられた適宜の
交流電源３０から供給される電力によって、上記ヒータ
２３は、例えば４００゜Ｃ〜２０００゜Ｃまでの任意の
熱を発生するように構成され、上記静電チャック２２の
上面（載置面）に載置されたウエハＷを所定の温度、例
えば８００゜Ｃに維持することが可能である。
渦巻状に配設して構成され、この発熱体２３ａは、絶縁
体２９で覆われて上記載置台２１の下面側に直接設けら
れている。そして上記処理室２外部に設けられた適宜の
交流電源３０から供給される電力によって、上記ヒータ
２３は、例えば４００゜Ｃ〜２０００゜Ｃまでの任意の
熱を発生するように構成され、上記静電チャック２２の
上面（載置面）に載置されたウエハＷを所定の温度、例
えば８００゜Ｃに維持することが可能である。
【００１９】前出反射体１２は、その表面が鏡面仕上げ
されて高い反射率を確保しており、上記のような高温を
発するヒータ２３、およびこのヒータ２３によって加熱
された載置台２１の側面からの放射熱を反射し、周囲と
の断熱が図られるように構成されている。
されて高い反射率を確保しており、上記のような高温を
発するヒータ２３、およびこのヒータ２３によって加熱
された載置台２１の側面からの放射熱を反射し、周囲と
の断熱が図られるように構成されている。
【００２０】而して上記交流電源３０から上記ヒータ２
３への給電機構を図３に基づいて詳述すると、上記絶縁
体２９の内周側面の一部のエリアＱの絶縁体を除去し、
上記ヒータ２３におけるカーボン材からなる給電導体部
３１を露出させる。そしてカーボンワイヤからなる供給
線３２の一端部を上記給電導体部３１に電気的に接続さ
せる。
３への給電機構を図３に基づいて詳述すると、上記絶縁
体２９の内周側面の一部のエリアＱの絶縁体を除去し、
上記ヒータ２３におけるカーボン材からなる給電導体部
３１を露出させる。そしてカーボンワイヤからなる供給
線３２の一端部を上記給電導体部３１に電気的に接続さ
せる。
【００２１】一方反射体１２には、石英管などによって
構成された絶縁性を有する絶縁管３３を垂直方向に貫設
し、他方底板９にも当該石英管３３に連続するように、
導電体３４ａを内部に垂直に貫通させたセラッミク等の
絶縁材からなる導出体３４を垂直方向に貫設する。
構成された絶縁性を有する絶縁管３３を垂直方向に貫設
し、他方底板９にも当該石英管３３に連続するように、
導電体３４ａを内部に垂直に貫通させたセラッミク等の
絶縁材からなる導出体３４を垂直方向に貫設する。
【００２２】そして上記供給線３２の他端部を、上記絶
縁管３３内に挿入して、上記導出体３４の導電体３４ａ
の頂部に電気的に接続させるのである。なおこの導出体
３４の外方の突出部には、Ｏリングなどのシール材３５
を介して固定部材３６が底板９に対して気密に固定され
ている。
縁管３３内に挿入して、上記導出体３４の導電体３４ａ
の頂部に電気的に接続させるのである。なおこの導出体
３４の外方の突出部には、Ｏリングなどのシール材３５
を介して固定部材３６が底板９に対して気密に固定され
ている。
【００２３】以上のようにして構成された載置台２１に
は、さらに図１に示したように、その中心部に底板９、
上記反射体１２を貫通した伝熱媒体供給管４１、この伝
熱媒体供給管４１と通ずる流路４２が設けられ、処理室
２外部から上記伝熱媒体供給管４１を通じて供給され
た、例えばＨｅガスなどの伝熱媒体が、静電チャック２
２の載置面に載置されたウエハＷの裏面に供給されるよ
うに構成されている。
は、さらに図１に示したように、その中心部に底板９、
上記反射体１２を貫通した伝熱媒体供給管４１、この伝
熱媒体供給管４１と通ずる流路４２が設けられ、処理室
２外部から上記伝熱媒体供給管４１を通じて供給され
た、例えばＨｅガスなどの伝熱媒体が、静電チャック２
２の載置面に載置されたウエハＷの裏面に供給されるよ
うに構成されている。
【００２４】また上記載置台２１中には、温度センサ４
３の検知部４３ａが位置しており、載置台２１内部の温
度を逐次検出するように構成されている。そしてこの温
度センサ４３からの信号に基づいて、前出ヒータ２３の
パワー等が制御され、載置台２１の載置面を所定温度に
制御するように構成されている。
３の検知部４３ａが位置しており、載置台２１内部の温
度を逐次検出するように構成されている。そしてこの温
度センサ４３からの信号に基づいて、前出ヒータ２３の
パワー等が制御され、載置台２１の載置面を所定温度に
制御するように構成されている。
【００２５】上記載置台２１を取り囲むようにして設け
られた既述の反射体１２の外周には、さらに環状の隔壁
４４が底板９上に設置されており、この隔壁４４の側面
外周と、底板９の側面外周、及び前出支持体８の側面外
周と、処理室２の側壁２ａ内周とによって創出される環
状の空間内には、上記載置台２１の載置面に載置される
ウエハＷを、リフトアップ−リフトダウンさせるための
リフター５１が設けられている。
られた既述の反射体１２の外周には、さらに環状の隔壁
４４が底板９上に設置されており、この隔壁４４の側面
外周と、底板９の側面外周、及び前出支持体８の側面外
周と、処理室２の側壁２ａ内周とによって創出される環
状の空間内には、上記載置台２１の載置面に載置される
ウエハＷを、リフトアップ−リフトダウンさせるための
リフター５１が設けられている。
【００２６】このリフター５１の上部は、上記ウエハＷ
の曲率に適合した一対の半環状の載置部材５２、５３及
び当該各載置部材５２、５３の下面に垂直に設けられて
いる支持柱５４、５５とによって構成され、ウエハＷ
は、これら各載置部材５２、５３の内周周縁部に設けら
れた適宜の係止部上に載置されることによって、リフタ
ー５１の載置部材５２、５３上に支持されるようになっ
ている。
の曲率に適合した一対の半環状の載置部材５２、５３及
び当該各載置部材５２、５３の下面に垂直に設けられて
いる支持柱５４、５５とによって構成され、ウエハＷ
は、これら各載置部材５２、５３の内周周縁部に設けら
れた適宜の係止部上に載置されることによって、リフタ
ー５１の載置部材５２、５３上に支持されるようになっ
ている。
【００２７】一方上記リフター５１の下部構成は、図１
に示したように構成されており、上記各支持柱５４、５
５の下端部が、前出隔壁４４外周、底板９側面外周、及
び前出支持体８の側面外周と、処理室２の側壁２ａ内周
とによって創出される上記の環状の空間の底部を気密に
閉塞している環状の支持板５６を上下動自在に貫通し
て、モータなどの昇降駆動機構（図示せず）に接続され
ており、当該昇降駆動機構の作動によって、図１に示し
た往復矢印のように上下動する如く構成されている。
に示したように構成されており、上記各支持柱５４、５
５の下端部が、前出隔壁４４外周、底板９側面外周、及
び前出支持体８の側面外周と、処理室２の側壁２ａ内周
とによって創出される上記の環状の空間の底部を気密に
閉塞している環状の支持板５６を上下動自在に貫通し
て、モータなどの昇降駆動機構（図示せず）に接続され
ており、当該昇降駆動機構の作動によって、図１に示し
た往復矢印のように上下動する如く構成されている。
【００２８】また処理室２内おける上記支持板５６と上
記支持柱５４、５５との貫通箇所には、夫々ベローズ５
７、５８が介在しており、これら各ベローズ５７、５８
によって、処理室２内の気密性は確保されている。
記支持柱５４、５５との貫通箇所には、夫々ベローズ５
７、５８が介在しており、これら各ベローズ５７、５８
によって、処理室２内の気密性は確保されている。
【００２９】以上のように構成されている処理室２の外
方には、ゲートバルブ６１を介して気密に構成されたロ
ードロック室６２が設けられており、その底部に設けら
れた排気管６３から真空引きされて、このこのロードロ
ック室６２内も、上記処理室２と同様、所定の減圧雰囲
気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なように
構成されている。
方には、ゲートバルブ６１を介して気密に構成されたロ
ードロック室６２が設けられており、その底部に設けら
れた排気管６３から真空引きされて、このこのロードロ
ック室６２内も、上記処理室２と同様、所定の減圧雰囲
気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なように
構成されている。
【００３０】そしてこのロードロック室６２の内部に
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、上記処理室２内の
載置台２１との間でウエハＷを搬送させる搬送アーム６
４を備えた搬送装置６５が設けられている。
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、上記処理室２内の
載置台２１との間でウエハＷを搬送させる搬送アーム６
４を備えた搬送装置６５が設けられている。
【００３１】本発明の実施例が適用されたＣＶＤ装置１
は以上のように構成されており、次にその動作を説明す
ると、処理室２とロードロック室６２とが同一減圧雰囲
気になった時点で、ゲートバルブ６１が開放され、成膜
処理されるウエハＷは搬送装置６５の搬送アーム６４に
よって、処理室２内の載置台２１の上方にまで搬入され
る。
は以上のように構成されており、次にその動作を説明す
ると、処理室２とロードロック室６２とが同一減圧雰囲
気になった時点で、ゲートバルブ６１が開放され、成膜
処理されるウエハＷは搬送装置６５の搬送アーム６４に
よって、処理室２内の載置台２１の上方にまで搬入され
る。
【００３２】このときリフター５１の各載置部材５２、
５３は上昇しており、ウエハＷは、これら各載置部材５
２、５３の内周周縁部の係止部上に載置される。そして
ウエハＷをそのようにして載置した後、搬送アーム６４
はロードロック室６２内に後退し、ゲートバルブ６１は
閉鎖される。
５３は上昇しており、ウエハＷは、これら各載置部材５
２、５３の内周周縁部の係止部上に載置される。そして
ウエハＷをそのようにして載置した後、搬送アーム６４
はロードロック室６２内に後退し、ゲートバルブ６１は
閉鎖される。
【００３３】その後リフター５１の各載置部材５２、５
３は下降して、ウエハＷは載置台２１の静電チャック２
２の載置面に載置され、既述の高圧直流電源２７、２８
からの直流電圧を電極板２４、２５に印加させることに
よって、ウエハＷは、上記電圧印加の際に発生するクー
ロン力によって当該載置面に吸着保持される。
３は下降して、ウエハＷは載置台２１の静電チャック２
２の載置面に載置され、既述の高圧直流電源２７、２８
からの直流電圧を電極板２４、２５に印加させることに
よって、ウエハＷは、上記電圧印加の際に発生するクー
ロン力によって当該載置面に吸着保持される。
【００３４】而してその後、交流電源３０からの電力を
ヒータ２３に供給してヒータ２３を作動させてウエハＷ
を所定温度、例えば８００゜Ｃにまで加熱するととも
に、処理ガス導入管４から処理ガス、例えばＳｉＨ
4（シラン）＋Ｈ2を処理室２内に導入して、ウエハＷの
成膜処理が開始される。
ヒータ２３に供給してヒータ２３を作動させてウエハＷ
を所定温度、例えば８００゜Ｃにまで加熱するととも
に、処理ガス導入管４から処理ガス、例えばＳｉＨ
4（シラン）＋Ｈ2を処理室２内に導入して、ウエハＷの
成膜処理が開始される。
【００３５】かかる処理中、処理室２内は既述の如く処
理ガスが導入された高真空度に設定されており、しかも
上記ヒータ２３による加熱によって処理室２内は高い温
度になっているが、そのような厳格かつ過酷な雰囲気内
に、ヒータ２３の給電導体部３１、及びこの給電導体部
３１に電力を供給する供給線３２が露出していても、こ
れら給電導体部３１及び供給線３２の材質はカーボンで
構成されているから、メタルコンタミネーションが発生
することはなく、処理室２内の雰囲気が汚染されるおそ
れはないものである。
理ガスが導入された高真空度に設定されており、しかも
上記ヒータ２３による加熱によって処理室２内は高い温
度になっているが、そのような厳格かつ過酷な雰囲気内
に、ヒータ２３の給電導体部３１、及びこの給電導体部
３１に電力を供給する供給線３２が露出していても、こ
れら給電導体部３１及び供給線３２の材質はカーボンで
構成されているから、メタルコンタミネーションが発生
することはなく、処理室２内の雰囲気が汚染されるおそ
れはないものである。
【００３６】しかも供給線３２自体がメタルコンタミネ
ーションを発生させることはないので、該供給線３２を
処理室２外部に導出させるにあたり、図３に示したよう
にその配線周りを極めてシンプルに構成することが可能
であり、構造が複雑化せず、アセンブリも容易となって
いる。例えば導電体である反射体１２との絶縁を図るに
あたっては、上記実施例のように単純な絶縁管３３内に
供給線３２を挿入させるだけでよく、従来のタングステ
ンワイヤを使用した際にみられた完全な密着構造の被覆
処理は不要である。
ーションを発生させることはないので、該供給線３２を
処理室２外部に導出させるにあたり、図３に示したよう
にその配線周りを極めてシンプルに構成することが可能
であり、構造が複雑化せず、アセンブリも容易となって
いる。例えば導電体である反射体１２との絶縁を図るに
あたっては、上記実施例のように単純な絶縁管３３内に
供給線３２を挿入させるだけでよく、従来のタングステ
ンワイヤを使用した際にみられた完全な密着構造の被覆
処理は不要である。
【００３７】なお上記実施例は、いわゆる熱ＣＶＤ装置
に本発明を適用した例であったが、これに限らず本発明
は、プラズマＣＶＤ装置を始めとして、その他の半導体
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、ス
パッタ装置に適用することが可能である。なおかかる場
合、例えばプラズマＣＶＤ装置など、処理室内にプラズ
マを発生させて処理を行うような装置においては、プラ
ズマ発生の際の異常放電を防止するため、カーボンで構
成される上記配線材、端子、電気的接続部分を適宜の絶
縁材、例えば石英やセラミック等で被覆すればよい。
に本発明を適用した例であったが、これに限らず本発明
は、プラズマＣＶＤ装置を始めとして、その他の半導体
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、ス
パッタ装置に適用することが可能である。なおかかる場
合、例えばプラズマＣＶＤ装置など、処理室内にプラズ
マを発生させて処理を行うような装置においては、プラ
ズマ発生の際の異常放電を防止するため、カーボンで構
成される上記配線材、端子、電気的接続部分を適宜の絶
縁材、例えば石英やセラミック等で被覆すればよい。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、処理室内で使用される
配線用の導電部材がカーボンで構成されているため、処
理室内を高真空度、高温の雰囲気にして被処理体を処理
しても、メタルコンタミネーションが発生することはな
く、処理室内の雰囲気が汚染するおそれはないものであ
る。それゆえ歩留りが向上する。また処理室内の配線周
りに従来のような被覆処置を施す必要はなく、構造を単
純化することが可能である。それに伴って処理室内に設
置できる各種装置の選択幅が広がり、処理装置の設計の
自由度も向上する。
配線用の導電部材がカーボンで構成されているため、処
理室内を高真空度、高温の雰囲気にして被処理体を処理
しても、メタルコンタミネーションが発生することはな
く、処理室内の雰囲気が汚染するおそれはないものであ
る。それゆえ歩留りが向上する。また処理室内の配線周
りに従来のような被覆処置を施す必要はなく、構造を単
純化することが可能である。それに伴って処理室内に設
置できる各種装置の選択幅が広がり、処理装置の設計の
自由度も向上する。
【図１】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の断面を模
式的に示した説明図である。
式的に示した説明図である。
【図２】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の載置台の
断面を模式的に示した説明図である。
断面を模式的に示した説明図である。
【図３】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の載置台の
要部断面を模式的に示した説明図である。
要部断面を模式的に示した説明図である。
１ ＣＶＤ装置 ２ 処理室 ３ シャワーヘッド ４ 処理ガス導入管 ６ 排気手段 ２１ 載置台 ２２ 静電チャック ２３ ヒータ ２３ａ 発熱体 ２９ 絶縁体 ３０ 交流電源 ３１ 給電導体部 ３２ 供給線 ３３ 絶縁管 ３４ 導出体 ３４ａ 導電部 ３６ 固定部材 Ｗ ウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】気密に構成された処理室と、前記処理室内
に設けられた載置台と、前記載置台に載置された被処理
体を加熱する加熱装置とを有し、前記載置台に載置され
た前記被処理体を所定の減圧雰囲気で処理する如く構成
された処理装置において、前記処理室内で使用される配
線用の導電部材が、カーボンで構成されていることを特
徴とする、処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18551793A JPH0722500A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18551793A JPH0722500A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722500A true JPH0722500A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=16172178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18551793A Withdrawn JPH0722500A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722500A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004114377A1 (ja) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置 |
| JP2005072525A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Anelva Corp | 基板加熱装置及びマルチチャンバー基板処理装置 |
| JP2006525668A (ja) * | 2003-03-17 | 2006-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を熱処理する処理システムおよび方法 |
| JP5689483B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2015-03-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板支持具及び半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP18551793A patent/JPH0722500A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006525668A (ja) * | 2003-03-17 | 2006-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を熱処理する処理システムおよび方法 |
| WO2004114377A1 (ja) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置 |
| US7658801B2 (en) | 2003-06-23 | 2010-02-09 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2005072525A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Anelva Corp | 基板加熱装置及びマルチチャンバー基板処理装置 |
| JP4540953B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2010-09-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加熱装置及びマルチチャンバー基板処理装置 |
| JP5689483B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2015-03-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板支持具及び半導体装置の製造方法 |
| US9076644B2 (en) | 2011-01-18 | 2015-07-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, substrate supporter and method of manufacturing semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |