JPH07221263A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH07221263A
JPH07221263A JP6008499A JP849994A JPH07221263A JP H07221263 A JPH07221263 A JP H07221263A JP 6008499 A JP6008499 A JP 6008499A JP 849994 A JP849994 A JP 849994A JP H07221263 A JPH07221263 A JP H07221263A
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JP
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wiring terminal
semiconductor device
wiring
deformation
stress
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JP6008499A
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Masahiko Hoshi
雅彦 星
Yukio Kamida
行雄 紙田
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Hitachi Ltd
Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Haramachi Electronics Ltd
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Publication date
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    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置の配線端子での応力集中の懸念を無
くし、信頼性の高い半導体装置をローコストで提供する
こと。 【構成】半導体チップ1と端子金具9の間を接続する有
配線端子6a、6bのうち、中央付近に配置されている
ため、ケース8が変形したとき大きな変形を受ける配線
端子6aについては、そのCベンド部の上側部分と下側
部分の長さを変えるなどし、これにより周辺付近に配置
されている配線端子6bよりも大きな変形適応量が与え
られるようにしたもの。 【効果】ケース8の変形により配線端子半田付部2a、
2bに現われる応力が均一化されるので、応力集中によ
る半田付部での亀裂発生の懸念が無く、高い熱的信頼性
を得ることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、内部絶縁型の半導体モ
ジュールに係り、特に、比較的大電流容量のパッケージ
型パワー半導体モジュールに好適な半導体装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】複数の半導体チップを内蔵してパッケー
ジ化した半導体モジュールは、民生用から産業用にまで
幅広く使用されており、このため、かなりの大容量で、
しかもかなり悪い熱的環境においても充分に高い信頼性
が要求されることも多い。
【0003】そこで、このような要望に応え得る半導体
モジュール形式の一例として、容器で封止された支持基
板面に絶縁板を介して積層配置した半導体チップと、上
記容器の上記支持基板面に対してほぼ平行になった平面
部に配置した端子金具とを備え、上記容器内での上記半
導体チップと上記端子金具の間での電気的接続を、複数
個の配線端子を介して行なうようにした半導体装置が知
られており、これによれば、半導体チップが比較的薄い
絶縁板を介しだけで、ヒートシンクを兼ねた支持基板に
接合されるので、内部絶縁型でありながら効率的な冷却
が可能になり、配線端子が絶縁板上の導体層に直接半田
付けすることができることと相俟って、高い信頼性のも
とで、容易に大電流に対応できることにになり、大電
流、高耐圧で、且つ、スイッチング周波数の高いパワー
半導体モジュール、特に半導体素子としてIGBT(絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を用いたパワー半
導体モジュールなどに広く採用されている。
【0004】そこで、このようなパワー半導体モジュー
ルの従来技術による半導体装置の一例について、図8
(a)、(b)により説明する。なお、図8(a)は側断面を示
したもので、同図(b)は内部平面を示したものである。
そして、これらの図において、1は半導体チップ(半導
体素子)、2は導体層、3は絶縁板、4は金属層、5は
支持基板、6は配線端子、7はボンディングワイヤ、8
はケース、8aはケースの側板部、9は外部導線接続用
端子金具、そして10は封止材である。
【0005】絶縁板3は、アルミナなどの絶縁材で作ら
れ、その一方の面(上面)には、図8(a)に示されている
ように配線パターンが形成された導体層2が、そして、
他方の面(下面)には、半田などのろう材による接合を可
能にするための金属層4が、それぞれ設けられている。
【0006】そして、複数個のIGBTなどの半導体チ
ップ1は、それぞれの絶縁板3の導体層2に形成されて
いる配線パターンの所定の部分に半田などによりろう付
けされ、さらに金属層4が支持基板5にろう付けされる
ことにより、支持基板5に積層される。そして、これら
の半導体チップ1は、さらにAl(アルミニウム)線など
のボンディングワイヤ7により、配線パターンの所定の
部分に対して配線が施されている。
【0007】支持基板5は、半導体チップ1で発生した
熱を放散させるためのヒートシンクを兼ねており、この
ため、熱伝導の良いCu(銅)材やCu合金材などで作られ
ている。そして、この支持基板5は、実装状態では所定
の冷却フィンに取付けられ、放熱が図られるるようにな
っているのが一般的であるが、支持基板5自体にフィン
が形成してあり、冷却フィンを兼ねるように構成されて
いることもある。
【0008】配線端子6は、導体層2に形成されている
配線パターンの所定の部分を、ケース8の表面(上面)に
設けてあるそれぞれの外部導線接続用端子金具9に接続
するもので、このため、図8(a)に示されているよう
に、アルファベットのCの字形をしたCベンドと呼ばれ
る折り曲げ部分を有し、接続後、配線端子半田付部2c
に加わる応力が、このCベンド部分で緩和されるように
してある。
【0009】ケース8は、半導体装置の容器を構成する
もので、所定のプラスチックなどの絶縁材により、側板
部8aを有する底の無い箱型に作られており、支持基板
5に接着することにより内部が封止されるようになって
いる。そして、このとき、ケース8の内部には、シリコ
ンゲルなどの封止材10が充填され、半導体チップ1を
含む内部素子をコーティングすると共に、湿気などが内
部に侵入するのを防止できるようにしている。
【0010】なお、このような半導体装置では、図8
(b)に示されているように、その平面形状が長方形に作
られているのが一般的であり、従って、図示のように、
支持基板5の各辺e、fはそれぞれ異なる寸法になり、
e>fとなっている。
【0011】なお、この種の技術に関連する公知例とし
ては、特開平4−316353号公報を挙げることがで
きる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術は、温度
変化などに伴うケースの変形について配慮がされておら
ず、このため、以下に説明するように、配線端子の接続
部での信頼性の保持の点で問題があった。
【0013】すなわち、このような半導体装置では、そ
の動作と停止に伴なって半導体装置自体に現われる温度
変化や、熱的に過酷な使用環境のもとで外部からが与え
られる温度変化などにより、半導体装置内部に充填され
ている封止材の膨張、収縮が繰り返され、これによるケ
ースの変形によって各配線端子の半田付部に繰り返し応
力が加わり、応力集中を受けた配線端子の半田付部は破
断に至ってしまう虞れがあり、従って、半導体装置内各
部での封止材の変形量、及び配置位置の違いによる各配
線端子の半田付部に発生する応力について考慮する必要
がある。
【0014】一方、このような複数の半導体チップを備
えた半導体装置では、それに対応して絶縁板も複数個存
在し、それぞれの絶縁板から配線端子を取り出さなけれ
ばならないことから、内部に存在する各配線端子は、半
導体装置内の様々な位置に配置されている。この結果、
半導体装置内の中央部付近に配置された配線端子の半田
付部には、封止材の熱変形による応力が集中し、断線に
至る確率が高い。
【0015】他方、年々大容量化と、スイッチング周波
数の高周波化に対する要求が高まっているパワー半導体
モジュール(特にIGBTモジュール)では、その配線抵
抗による電位降下の問題から、配線端子の断面積大きく
する必要があるが、断面積を大きくすると、さらに応力
が増大してしまう。
【0016】そのため、半導体装置内の全部の配線端子
の応力を低減するには限界があり、半導体装置内におけ
る各配線端子の半田付部に発生する応力の均一化が、熱
的環境における信頼性を確保する上で重要になってい
る。
【0017】ここで、温度変化による半導体装置の変形
について、図9(a)と、図9(b)により説明する。なお、
図9(a)は横断面で、図9(b)は縦断面である。温度が上
昇して、ケース8内に充填してある封止材10が膨張す
ると、ケース8が変形し、各配線端子6の上端(端子金
具9に接続された方の端部)は上方に引き上げられ、こ
の結果、配線端子6の半田付部2cに応力が発生する。
【0018】このときのケース8の変形は、側板部8a
があるため、図示のように、ケース8の表面(上面)の中
央部での変形量が大きくなり、この部分がわん曲した形
になる。従って、ケース8内の中央付近に配置された配
線端子6の変形量は、周辺付近に配置された配線端子5
cの変形量に比して大きくなり、その半田付部2cに高
い値の応力が加えられてしまう。
【0019】このときの変形量の計算による一例を示す
と、ケース8の内部の寸法を、高さ10mm、縦110
mm、横60mmとし、これを−40℃から+150℃
まで温度変化させたとき、中央付近に配置された配線端
子は上方に0.082mmとなり、周辺に配置された配
線端子では上方に0.073mmとなり、周辺での値に
対して中央付近の値は約13%増となる。
【0020】しかして、従来技術では、このような点に
ついての配慮がされておらず、同一形状の配線端子が配
置してあるので、ケース内の中央付近に配置された配線
端子の半田付部に応力が集中し、温度変化の繰返しによ
り早期亀裂が発生して破断に至る虞れがあり、信頼性の
保持が困難になっているのである。
【0021】本発明の目的は、半導体装置の配線端子で
の応力集中の懸念を無くし、信頼性の高い半導体装置を
ローコストで提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明の一によれば、上
記目的は、変形適応量を異にした配線端子を用い、大き
な変形量を受ける部分には変形適応量が大きな配線端子
を配置することにより達成される。具体的には、上記目
的は、変形量が大きい中央付近に配置される配線端子の
Cベンド部の長さを、周辺付近に配置される配線端子の
Cベンド部の長さよりも長くすることにより達成され、
或いは、変形量が大きい中央付近に配置される配線端子
では、Cベンド部の上部と下部の長さの内、一方の長さ
が長くなるようにして達成される。
【0023】同じく、本発明の他の一によれば、上記目
的は、各配線端子に対する半田付部の面積を変え、変形
量が大きい中央付近に配置される配線端子に対する半田
付部が、周辺に配置される配線端子に対する半田付部よ
りも広い面積にされるようにして達成される。
【0024】
【作用】まず、本発明の一によれば、ケースの変形量の
程度に応じて、変形適応量が異なる配線端子が配置さ
れ、この結果、各配線端子の半田付部に発生する応力が
均一化されるので、特定の配線端子への応力集中による
破断の虞れがなくなり、充分に高い信頼性を得ることが
できる。
【0025】また、本発明の他の一によれば、ケースの
変形により大きな応力が与えられてしまう中央付近に配
置される配線端子に対しては、予め、広い接合面積を有
する半田付部が対応されるようになり、この結果、半田
付部での単位面積当りに受ける応力が均一化されるの
で、特定の配線端子への応力集中による破断の虞れがな
くなり、充分に高い信頼性を得ることができる。
【0026】また、これらの結果、配線端子接合用半田
層での早期亀裂発生が防止でき、半導体装置の長寿命化
が可能となる。
【0027】
【実施例】以下、本発明による半導体装置について、図
示の幾つかの実施例により詳細に説明する。まず、図1
は本発明の第一の実施例で、本発明を、例えばインバー
タ装置用のパワー半導体モジュールとして実施したもの
である。この図1の実施例において、6aは内部の中央
付近に配置されている配線端子で、6bは周辺付近に配
置されている配線端子であり、また、2aは中央付近に
配置されている配線端子6aが接合される半田付部で、
2bは周辺付近に配置されている配線端子6bが接合さ
れる半田付部であり、その他の構成は、図8に示した従
来技術と同じである。なお、この実施例でも、図1(a)
は側断面を、そして同図(b)は内部平面を、それぞれ示
したものである。
【0028】配線端子6a、6bは、いずれも従来技術
と同様に、それぞれCベンド部を有しているが、しか
し、この実施例では、図1(a)に明瞭に示してあるよう
に、中央付近に配置されている配線端子6aでは、その
Cベンド部の上側部分と下側部分の長さが変えてあり、
図示のように、上側部分の方が長くしてある。また、こ
の結果、配線端子6aの接続導電路全体の部分の長さ
は、周辺付近に配置されている配線端子6bの長さの約
1.1倍の長さになっている。
【0029】さらに、この実施例では、図1(b)に明瞭
に示してあるように、半田付部2a、2bの面積が変え
てあり、中央付近に配置されている配線端子6aに対す
る半田付部2aの面積の方が、周辺付近に配置されてい
る配線端子6bに対する半田付部2bの面積よりも広く
作られている。
【0030】次に、この実施例において、配線端子のC
ベンド部の上側部分の長さを変えた理由について、以下
に説明する。まず、図2は、配線端子6a、6bの詳細
を示したものであるが、以下、これを半田付部に発生す
る応力についての解析モデルとし、Cベンド長さがLの
配線端子の下端部を固定し、最上部を強制変位させたと
きに半田付部に発生する応力について評価することにす
る。なお、このとき、配線端子のCベンド部の幅Wを
1.0mm、厚みTは1.2mmであり、変形量は弾性変
形領域内にとどまっているものと仮定して解析した。
【0031】図3は、この解析によって得られた配線端
子半田付部に発生する応力σと、Cベンド長さLの関係
を示したもので、同一変位量では、Lが小となる程、半
田付部に発生する応力σが大となり、また、Cベンド長
さLが変らないとすると、変位量が大きくなる程、応力
σ大きくなることが判る。
【0032】従って、配線端子6a、及び配線端子6b
として、Cベンド長さLが同一長さの配線端子を用いた
とすると、ケース8の変形量に応じて配線端子6aの半
田付部では1.13σの応力が発生するのに対して、配
線端子6bの半田付部では、σの応力が発生するだけに
留まる。。
【0033】そこで、図1の実施例において、中央付近
の配線端子6aとして、そのCベンド長さLを10%増
やした応力緩和形状を持つ配線端子を採用することによ
り、半田付部2aに発生する応力を13%減少させるこ
とができ、この結果、ケース8の変形量が異なる位置に
配置された各配線端子の半田付部に発生する応力が均一
化されることになり、熱的信頼性の高い半導体装置を得
ることができる。
【0034】また、この結果、特定の配線端子の半田付
部の半田層にだけ亀裂が発生して半導体装置の寿命が左
右されてしまう虞れがなくなり、この点でも熱的信頼性
の高い半導体装置を得ることができる。
【0035】次に、配線端子の幅Wと、配線端子半田付
部に発生する応力σの関係を図4に示す。この図4は、
ケース8の変形量、つまり配線端子上端部の変位量と、
Cベンド長さLを一定にしたままで、配線端子幅Wだけ
を変化させたとき、配線端子の半田付部に発生する応力
σの大きさを示したもので、配線端子の幅Wを3Wとし
た場合、配線端子半田付部に発生する応力は1.2σに
もなり、配線端子幅Wが増えると配線端子半田付部に発
生する応力も増加することが判る。
【0036】従って、配線端子半田付部に発生する応力
の低減のためには、配線端子幅Wを狭くすることによっ
ても達成できるが、しかし、この場合には、配線抵抗の
増加と許容電流値の低下が懸念されるので、この方法を
半導体装置の配線端子に適用するのは好ましくない。
【0037】次に、配線端子厚みTと、配線端子半田付
部に発生する応力σの関係を図5に示す。この図5は、
ケース8の変形量とCベンド長さLは変えないで、配線
端子厚みTだけを変えた場合で、配線端子厚みTを3T
にすると、配線端子の半田付部に発生する応力は1.5
σとなり、配線端子幅Wを変えた場合と同様に、配線端
子厚みTが増えると、配線端子半田付部に発生する応力
σも増加することが判る。
【0038】従って、配線端子半田付部に発生する応力
の低減は、この配線端子厚みTを薄くすることによって
も達成できるが、しかし、この場合でも、配線抵抗の増
加と許容電流値の低下が懸念されるので、この方法を半
導体装置の配線端子に適用することも、好ましくない。
【0039】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。図6は、Cベンド部の上部の長さと、Cベンドの下
部の長さを変えた配線端子の一実施例で、図において、
L1はCベンド上部長さを、L2はCベンド下部長さで
あり、これらの長さの関係は、この実施例では、L1≧
L2にしてある。
【0040】次に、図7は、図6に示した配線端子の長
さL1を一定にしたまま長さL2を変え、長さL1と長
さL2の比を変えたときの、配線端子半田付部に発生す
る応力σの変化を示したもので、配線端子の幅Wは5m
m、配線端子の厚みTは1.2mmであり、弾性領域内
の変形であると仮定し、L1とL2の比が1:1のとき
の配線端子半田付部に発生する応力をσとしてある。そ
して、このときの応力のピークは、図6の配線端子半田
付部の前部Aに発生する。
【0041】そこで、L2を短くし、L1:L2が1:
0.5にしてやると、このときの配線端子半田付部に発
生する応力は、図示のように、0.2σと、前記1:1
の場合に比べ非常に小さい値となる。そして、このと
き、応力のピークは、図6の配線端子半田付部の中央部
Bに発生していることから、この部分の半田層には亀裂
が発生しずらく、応力緩和に対しては有効であると考え
られる。
【0042】次に、L2を更に短くし、L1:L2を
1:0.3にしたときは、逆に配線端子半田付部に発生
する応力が1.4σとなってしまい、L1:L2が1:
1の場合に比べ応力値が大きくなり、応力のピークも図
6の配線端子半田付部の後部Cに発生していることか
ら、半田亀裂の要因となることが懸念され、従って、こ
の場合は、応力緩和に対しては有効ではないと考えられ
る。
【0043】次に、配線端子におけるCベンド上部長さ
L1を固定し、Cベンド下部長さL2を変化させたとき
の配線端子変形メカニズムについて、以下、さらに詳し
く説明する。図6の配線端子の最上部を上方に強制的に
変位させたとき、まず、L1:L2が1:1の場合は、
その変形量はCベンド上部、Cベンド下部、及びCベン
ド屈折部Dで分担して吸収される。そして、このときで
のCベンド下部の変形は半田付部にも影響し、半田付部
の後部Cが支点となり、半田付部の前部Aを持ち上げ
る。従って、応力のピークは半田付部の前部Aに発生す
る。
【0044】次に、L1:L2が1:0.5の場合は、
L2がL1の約1/2と短くなり、L1に比べ剛性が高
くなったことにより、Cベンド下部の変形は微小なもの
となる。そして、その変形量は、Cベンド上部、及びC
ベンド屈折部Dで分担し吸収される。このように、Cベ
ンド下部の変形が微小なものとなった結果、半田付部に
はほぼ均一な応力が発生し、一応、半田付部の中央部B
に応力のピークが発生するものの、非常に小さいピーク
となる。
【0045】また、L1:L2が1:0.3の場合に
は、Cベンド下部長さL2はL1の約1/3と短くなる
ので、L1:L2が1:0.5の場合に比して、応力の
作用点がさらにCベンド屈折部Dに接近するため、Cベ
ンド屈折部Dで吸収されるはずの変形が配線端子半田付
部にも影響を及ぼし、今度は半田付部の前部Aが支点と
なって半田付部の後部Cを持ち上げ、この結果、半田付
部の後部Cに応力のピークが発生する。
【0046】以上のことから、配線端子の応力緩和に関
しては、配線端子のCベンド上部長さL1と、Cベンド
下部長さL2の長さの比L1:L2は、1:0.5が最
適であることが判る。
【0047】以上の結果、図1の実施例においては、中
央付近に配置されている配線端子6aとしては、L1:
L2=1:0.5の配線端子を採用し、周辺に配置され
ている配線端子6bとしては、L1:L2=1:1の配
線端子を採用した。従って、この実施例よれば、ケース
8の変形により、異なった変位量が与えられてしまう各
配線端子についても、それらの半田付部に発生する応力
は均一化されるので、熱的信頼性の高い半導体装置を得
ることができ、且つ、特定の配線端子の半田亀裂で半導
体装置の寿命が左右される虞れがなくなるので、この点
でも熱的信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【0048】また、この実施例では、周辺に配置されて
いる配線端子6bについては、その接続導電路全体の部
分の長さを短くすることができるので、抵抗やリアクタ
ンスが少なく抑えられ、特性の良い半導体装置を得るこ
とができる。
【0049】ところで、以上の実施例では、Cベンド部
の上側部分の長さを下側部分の長さよりも長くすること
により、つまり、このCベンド部からなる折り曲げ部の
形状を変えることにより、中央付近に配置されている配
線端子6aに大きな変形適応量が与えられるようにして
いるが、反対に、Cベンド部の下側部分の長さを上側部
分の長さよりも長くして、大きな変形適応量が与えられ
るようにしてもよく、或いは、Cベンド部の上側部分の
長さと下側部分の長さは同じにしたままで、このCベン
ド部全体の長さを増加させて、つまり、このCベンド部
からなる折り曲げ部の寸法を変えることにより、大きな
変形適応量が与えられるようにしても良い。
【0050】また、このときでの寸法の変更は、Cベン
ド部からなる折り曲げ部の長さの変更に限らず、図2に
示した幅Wや、厚さTの変更によって与えられるように
しても良く、更には、配線端子の材質の変更によって与
えられるようにしてもよい。
【0051】次に、上記したように、この図1の実施例
では、半田付部2a、2bの面積が変えてあり、中央付
近に配置されている配線端子6aに対する半田付部2a
の面積の方が、周辺付近に配置されている配線端子6b
に対する半田付部2bの面積よりも広く作られている。
【0052】そして、これに対応して、各配線端子の
内、配線端子6aについては、図2に示した半田付部の
幅wと長さl(エル)が大きく作られており、この結果、
配線端子6aと半田付部2aとの接着面積w×lが広く
されている。
【0053】従って、この実施例によれば、ケース8の
変形により影響を受けやすい配線端子と導体層2との接
合部については、その接合面積が広くされるので、この
部分での半田接着強度が増し、配線端子半田付部に発生
する応力の影響を緩和させることができ、この結果、熱
的信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【0054】また、この結果、接着面積w×lが大きく
されている配線端子6aでは、端子自体に掛る応力が大
きくなっても、接着面の単位面積当りでは、応力が変ら
ないようにできるので、変形量の異なる各配線端子の半
田接合面での応力の均一化が可能になり、更に、この点
でも充分に熱的信頼性の高い半導体装置を得ることがで
きる。
【0055】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置の故障の大
きな要因の一つである、温度変化による配線端子半田付
部での亀裂発生の確率を複数個の端子間で均一化でき、
さらに局所的な半田亀裂の発生を防止することができの
で、信頼性の高い半導体装置を容易に得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体装置の一実施例を示す説明
図である。
【図2】本発明における配線端子の一実施例を示す拡大
斜視図である。
【図3】本発明の一実施例における配線端子の折り曲げ
部の長さに対する応力の解析結果を示す特性図である。
【図4】本発明の一実施例における配線端子の折り曲げ
部の幅に対する応力の解析結果を示す特性図である。
【図5】本発明の一実施例における配線端子の折り曲げ
部の厚さに対する応力の解析結果を示す特性図である。
【図6】本発明における配線端子の他の一実施例を示す
拡大平面図である。は、半導体装置の温度変化における
変形を示した側面図断面である。
【図7】本発明の一実施例における配線端子の折り曲げ
部の長さの比に対する応力の解析結果を示す特性図であ
る。
【図8】半導体装置の従来例を示す説明図である。
【図9】半導体装置におけるケースの変形状態を示す説
明図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ(半導体素子) 2 導体層 2a、2b 半田付部 3 絶縁板 4 金属層 5 支持基板 6a 中央付近に配置された配線端子 6b 周辺付近に配置された配線端子 7 ボンディングワイヤ 8 ケース 8a ケースの側板部 9 外部導体接続用の端子金具 10 封止材

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 容器で封止された支持基板面に絶縁板を
    介して積層配置した半導体チップと、上記容器の上記支
    持基板面に対してほぼ平行になった平面部に配置した端
    子金具とを備え、上記容器内での上記半導体チップと上
    記端子金具の間での電気的接続を、折り曲げ部を有する
    複数個の配線端子を介して行なうようにした半導体装置
    において、上記折り曲げ部による変形適応量を異にした
    配線端子を用い、上記容器の変形により大きな変位量を
    受ける部分には変形適応量が大きな配線端子を配置した
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1の発明において、上記変形適応
    量の変更が、上記折り曲げ部の形状を変更することによ
    り与えられていることを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項3】 請求項1の発明において、上記変形適応
    量の変更が、上記折り曲げ部の寸法を変更することによ
    り与えられていることを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項4】 容器で封止された支持基板面に絶縁板を
    介して積層配置した半導体チップと、上記容器の上記支
    持基板面に対してほぼ平行になった平面部に配置した端
    子金具とを備え、上記容器内での上記半導体チップと上
    記端子金具の間での電気的接続を、複数個の配線端子を
    介して行なうようにした半導体装置において、上記配線
    端子の上記半導体チップ側での接合部の面積を変え、上
    記容器の変形により大きな変位量を受ける部分に配置さ
    れている配線端子に対する接合部の面積を、他の部分に
    配置されている配線端子に対する接合部の面積よりも広
    くしたことを特徴とする半導体装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295158A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg 材料結合式で配設された端子要素を有するパワー半導体モジュール
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