JP4177571B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、パワーデバイスを含む半導体装置に関し、特に、インバータ用のスイッチング素子を備えた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図7は、特開平10−512450号公報に記載された、全体が500で表される電力用半導体装置の断面図である。半導体装置500は金属基板501を含む。金属基板501の上には、回路部550が設けられている。
回路部550は、絶縁基板502を含む。絶縁基板502上には、半導体素子504が半田層503により固定されている。半導体素子504の電極には、リード505がボンディングワイヤ506で接続されている。半導体素子504等は、モールド樹脂507により封止されている。回路部550は、金属基板501上に半田層508により固定されている。
【0003】
金属基板501の上には、また、制御回路基板510が設けられ、制御回路基板510上には、導体511や中継端子512が設けられている。
金属基板501の上には、また、中継基板520が設けられ、その上に導体521が設けられている。
回路部550のリード505は、導体511、521を介して、主回路端子530、制御端子531に接続されている。
【0004】
かかる半導体装置500は、金属基板501の裏面にヒートシンク(図示せず)を取り付けて使用される。金属基板501とヒートシンクとの間には、通常、グリース(図示せず)が薄く塗布される。ヒートシンクと金属基板501は、金属基板501に設けたねじ穴にねじを通して固定される(図示せず)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、半導体装置500では、高価な金属基板501上に回路部550等を設けるため、製造コストの削減が困難であった。特に、金属基板501上に設けられた回路配線に大電流を流す場合、回路配線を厚さ方向ではなく幅方向に広くする必要があるため金属基板501を小型化できなかった。
【0006】
また、半導体装置500からの放熱効率は、金属基板501とヒートシンクとの密着性に大きく依存する。金属基板501は、回路部550等を載置した最終製品の状態で、その裏面が平坦になるように予め設計され、最終製品となった後に、裏面が平坦に加工されるものではない。
このため、半導体装置500に複数の回路部550を組み込む場合、金属基板501の面積が大きくなり、裏面の平坦性を確保するのが困難であった。
【0007】
一方、金属基板501上に、半導体素子504を直接固定する場合、モールド樹脂507に反りが発生し、両者を接続する半田層の膜厚がばらつき、信頼性の低下、熱抵抗のばらつきが生じていた。
また、金属基板501とモールド樹脂507との間の密着が不充分となり、絶縁破壊が発生するという問題もあった。
【0008】
更に、主回路端子530等の位置を変更する場合には、回路部550を含めた半導体装置500全体の設計変更が必要であった。
【0009】
そこで、本発明は、ヒートシンクとの密着性が良く、小型化が可能で、かつ外部端子の設計変更が容易な半導体装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ケースに複数のパッケージが固定された半導体装置であって、半導体素子と該半導体素子に接続されたリード端子とが封止され、平行な表面と裏面とを有するパッケージと、外部端子が設けられ、平行な表面と裏面とを有する額縁状の枠体からなるケースとを含み、ケースの枠内に、複数の該パッケージが並んで配置され、該リード端子と該外部端子とが接続され、外部端子が、ばね作用を有する材料からなり、該パッケージの裏面が上記ケースの裏面より下方に位置することを特徴とする半導体装置である。
【0011】
かかる半導体装置では、パッケージの設計変更を行うことなく、ケースの設計変更のみで、外部端子の位置の変更のような設計変更を行うことができる。このため、設計変更に伴うコストが低減できるとともに、迅速な設計変更が可能となる。なお、ケースには、外部端子が枠体に封止されたインサートケースと、外部端子が枠体に別途取りつけられたアウターケースとが含まれる。
また、半導体装置の裏面に接続されるヒートシンクとの密着性が高くなり、良好な放熱特性を得ることができる。なお、中継端子を介してリード端子と外部端子とを接続する場合には、中継端子がばね作用を有するようにする。
【0012】
上記パッケージは、上記半導体素子を埋め込むモールド樹脂と、該半導体素子を載置し、裏面が該モールド樹脂から露出した絶縁基板とを含み、該ケースの裏面と該パッケージの裏面とが、同一平面にあることが好ましい。
【0013】
上記パッケージは、上記半導体素子が載置された表面と該表面と平行な裏面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の裏面に設けられた金属層を含むことが好ましい。半導体装置をヒートシンクに取り付ける場合に、絶縁基板、特にセラミック材料からなる絶縁基板の損傷を防止できるからである。
【0014】
上記モールド樹脂は、該モールド樹脂の底面から下方に延び、上記絶縁基板を囲むスカート状の突起部を有するものであっても良い。半導体装置をヒートシンクに取り付ける場合に、絶縁基板、特にセラミック材料からなる絶縁基板の損傷を防止できるからである。
【0015】
上記突起部に囲まれた中空部に、絶縁体を充填したことが好ましい。半導体素子とヒートシンクとの間の絶縁耐性を大きくできる。
【0016】
上記パッケージは、隣り合って配置された入力用の上記リード端子を有することが好ましい。入力用端子(電源端子)間の端子間距離を小さくし、インダクタンスを小さくすることにより、半導体素子のスイッチング時の損失を低減できる。
【0017】
また、本発明は、上記ケースが額縁状の枠体からなり、上記パッケージを挟んで対向する該枠体に、入力用外部端子と出力用外部端子とが設けられたことを特徴とする半導体装置でもある。
【0018】
また、本発明は、上記枠体の一辺に入力用外部端子が設けられ、該一辺に隣接する該枠体の他辺に出力用外部端子が設けられたことを特徴とする半導体装置でもある。
【0019】
また、本発明は、上記ケースの中に、複数の上記パッケージが、並置されたことを特徴とする半導体装置でもある。
本発明では、パッケージの変更を行わず、ケースの設計のみを変更することにより、搭載される半導体素子の数を変更できる。このため、低価格で、複数の品種の半導体装置を提供することが可能となる。
【0020】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、全体が100で表される、本実施の形態にかかる半導体装置の概略図である。また、図2は、図1のI−I方向の断面図である。
半導体装置100は、ケース10と、3つのパッケージ20を含む。ケース10は、樹脂材料からなる額縁状の枠体から形成され、外部端子11、12が設けられている。外部端子11、12は、枠体の樹脂に封止されて形成されても(インサートケース)、枠体形成後に取り付けられても(アウターリード)良い。外部端子11は入力端子であり、外部端子12は出力端子である。ケース10の四隅には、ヒートシンク(図示せず)と接続するための、ねじ穴30が設けられている。
【0021】
図2に示すように、パッケージ20は、例えば銅からなる金属ブロック21を含む。金属ブロック21の上には、金属のフレーム22を介して半導体素子23が固定されている。半導体素子23には、例えば、パワーFETやIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)が用いられる。
【0022】
半導体素子23の電極は、アルミニウム等からなる、直径300μm程度のボンディングワイヤ24によりリード25に接続されている。ここでは、半導体素子23は、直列接続された2つのパワーFETからなり、両端部がそれぞれ入力側の外部端子11に接続され、パワーFET同士の接続部が出力側の外部端子12に接続される。
【0023】
金属ブロック21等は、エポキシ樹脂等のモールド樹脂26により封止されている。モールド樹脂26には、制御端子27も同時に封止される。また、金属ブロック21の裏面には、セラミック等の絶縁基板28が、固定されている。絶縁基板28の膜厚は、例えば0.635mmである。
【0024】
リード25と外部端子11、12とを接続することにより、パッケージ20はケース10の中に固定される。
【0025】
次に、半導体装置100の製造方法について、簡単に説明する。
まず、パッケージ20の組み立ては、金属ブロック21の上に、半導体素子23等を設置した後に、トランスファモールド装置を用いて形成する。即ち、金属ブロック21等が固定されたリードフレームを金型内に配置した後、エポキシ樹脂等を金型に流し込んで、モールド樹脂26を形成する。この場合、金属ブロック21の裏面は、金型から露出させておく。モールド樹脂26を形成した後に、金属ブロック21を金型から取り出し、銀ペースト等を用いて、金属ブロック21の裏面に絶縁基板28を接合する。最後に、リードフレームの不要な部分を除去し、リードフレームを所望の形状に加工してリード25を形成する。これで、パッケージ20の組み立てが終了する。
【0026】
次に、ケース10の中にパッケージ20を入れて、外部端子11、12とリード25とを接続する。接続には、例えば半田等が用いられる。ケース10にパッケージ20を取り付ける場合に、ケース10の裏面と、パッケージ20の裏面(絶縁基板28)とが、略同一平面となるようにする。即ち、ケース10にヒートシンク(図示せず)を取り付けた場合に、絶縁基板28がヒートシンクと接するようにする。
【0027】
一般に、モールド樹脂と、ヒートスプレッダである金属ブロックとは、線膨張係数が異なる。このため、半導体素子の発熱により温度差が生じ、パッケージが反る場合がある。かかる反りの量が、例えば数100μmを超えた場合、パッケージとパッケージが固定されるヒートシンクとの間に隙間が生じ、放熱効果が低下する。特に、このような反りは、パッケージの厚みが大きいほど、大きくなる傾向にある。
【0028】
これに対して、本実施の形態にかかる半導体装置100では、半導体素子23を複数のパッケージ20に分けて封止し、これを、ケース10を用いて接続する構造となっている。このため、それぞれのパッケージ20が小型となり、パッケージ20は殆ど反らないようになる。このため、半導体装置100からヒートシンクに、安定した熱の放出が可能となる。
【0029】
なお、上述のパッケージ20が反る量を小さくするためには、ヒートスプレッダである金属ブロック21の線膨張率とモールド樹脂26の線膨張率とは、できるだけ近くすることが望ましい。例えば、金属ブロック21が銅からなる場合、モールド樹脂26の線膨張率は、16×10−6/℃程度であることが好ましい。
【0030】
また、本実施の形態では、樹脂モールド工程の後に、絶縁基板28を金属ブロック21の裏面に取り付けている。これは、樹脂モールド工程の前に絶縁基板28を取り付けると、パッケージ20の反り量が、より大きくなるためである。絶縁耐圧を大きくするためには、樹脂モールド工程の前に絶縁基板28を設け、モールド樹脂26と絶縁基板28とを密着させるほうが好ましいが、反り量を低減するためには、樹脂モールド工程の後に絶縁基板28を取り付けるのが好ましい。
【0031】
また、半導体装置100をコンバータとして使用する場合は、直列接続された2つのIGBTを含む半導体素子23が2つ必要になる。また、3相モータ用出力として使用する場合には、かかる半導体素子23が3つ必要になる。本実施の形態にかかる半導体装置100では、ケース10の構造のみを変えて、組み込まれるパッケージ20の数を調整することにより、パッケージ20の設計を変形することなく、2つ、3つ又はそれ以上の半導体素子23を組み込んだ半導体装置100を作製することができる。なお、パッケージ20に含まれる半導体素子23は、半導体装置100の用途に応じて任意に変更できる。
【0032】
図3は、全体が110で表される、本発明の実施の形態にかかる他の半導体装置の概略図である。図3中、図1と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図3の半導体装置110では、外部端子12の取り付け位置が、図1に示す半導体装置100と異なっている。
このように、外部端子11、12の位置は、半導体装置100、110に接続される外部配線のレイアウトにより変更する必要が生じる。この場合、図7に示す従来の半導体装置500では、回路部550、制御回路基板510、中継基板520等の設計変更をする必要があった。
【0033】
これに対して、本実施の形態にかかる半導体装置120では、図3に示すように、パッケージ20の設計を変更することなく、ケース10の設計変更だけで、外部端子12の位置の変更に対応することができる。
なお、中継端子13と外部端子12との間は、ケース10に埋め込まれた配線(図示せず)により接続されている。
【0034】
なお、半導体装置100、110のように外部端子11、12、更には中継端子13を設け、パッケージ20を並列に配置することにより、ブリッジ回路を形成できる。特に、入力側の外部端子12の端子間距離が小さいため、半導体装置100、120全体のインダクタンスを小さくし、半導体素子のスイッチング時に発生する損失を低減できる。
【0035】
また、絶縁基板28の材料には、例えば窒化アルミニウムのようなセラミック材料が好ましい。窒化アルミニウムは、一般的なモールド樹脂26に比較して、熱伝導率が100倍程度あり、非常に放熱特性に優れているからである。なお、少なくともモールド樹脂26より熱伝導率が高い材料であれば、窒化アルミニウムの代わりに使用することができる。
【0036】
また、金属ブロック21と絶縁基板28の接着には、銀ペーストを用いたが、例えば、金属ブロック21や絶縁基板28の接着面の凹凸を埋め込むようなグリース等の他の材料を用いてもかまわない。
【0037】
更に、絶縁基板28をセラミック材料から形成した場合、絶縁基板28とヒートシンク(図示せず)との間にグリースを塗布する必要がある。これに対して、可撓性、粘着性を有する他の材料から絶縁基板28を形成した場合には、グリースを用いることなく、絶縁基板28とヒートシンクとを接続できる。
【0038】
実施の形態2.
図4は、全体が120で表される、本実施の形態にかかる半導体装置の断面図である、図4は、図1のI−I方向に相当する断面図であり、図中、図2と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
半導体装置120では、外部端子11、12が、ばね作用を有する材料からなる。ばね作用を有する材料には、いわゆるばね材料のみならず、無酸素銅やタフピッチ銅、チタン入りの銅材料、導電性材料とばね材料からなるクラッド材等が含まれる。
また、パッケージ20の裏面が、ケース10の裏面からわずかに突出するように、ケース10とパッケージ20とが固定されている。
【0039】
半導体装置120は、ケース10のねじ穴30を用いて、ヒートシンク(図示せず)に接続される。半導体装置120をヒートシンクに載置してねじを締めた場合、弾性を有する外部端子11、12が反る。これにより、ケース10の裏面とパッケージ20の裏面とが、略同一平面となってヒートシンクに固定される。
【0040】
半導体装置120がヒートシンクに固定された状態では、外部端子11、12のばね作用により、パッケージ20がヒートシンクに押え付けられる。このため、パッケージ20とヒートシンクの接触状態が良くなり、放熱効率が向上する。特に、パッケージ20とヒートシンクとの間にグリースを挟みこんだ場合、パッケージ20がヒートシンクに押し付けられることにより、パッケージ20とヒートシンクとの間から余分なグリースが押し出され、熱抵抗の低い接続界面とすることができる。
【0041】
また、半導体装置120の使用中に、ケース10とヒートシンクとを取り付けるねじが緩んだ場合でも、外部端子11、12がばね作用を有するため、パッケージ20とヒートシンクとの接続は維持されたままであり、放熱効率の低下を防止できる。
【0042】
なお、図1、3のように、ケース10に複数のパッケージ20を取り付けて半導体装置120を形成した場合には、それぞれのパッケージ20が独立してヒートシンクに押し付けられる。このため、ヒートシンクの接続面が少々反った状態であっても、個々のパッケージ20が、かかるヒートシンクの接続面に独立して押し付けられ、良好な放熱効果を得ることができる。
また、ケース10にパッケージ20を1つだけ取り付けた場合も、同様に、良好な放熱効果を得ることができる。
【0043】
本実施の形態では、外部端子11、12が弾性を有する材料からなる場合について説明したが、外部端子11、12とは別に、ケース10とパッケージ20とを板ばね等のばね作用を有する部材で接続しても構わない。この場合、外部端子11、12は、ばね作用を有する必要は無いが、可撓性を有する材料から形成する必要がある。なお、図3に示すように、中継端子13を用いる場合には、中継端子13がばね作用を有するようにする。
【0044】
このように、本実施の形態にかかる半導体装置120では、パッケージ20をヒートシンクに押し付けて固定できるため、良好な放熱特性を得ることができる。
【0045】
実施の形態3.
図5は、全体が130で表される、本実施の形態にかかる半導体装置の断面図である、図5は、図1のI−I方向に相当する断面図であり、図中、図2と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
【0046】
本実施の形態にかかる半導体装置130は、半導体装置130をヒートシンクに取り付ける際の、絶縁基板28の割れを防止するものである。
半導体装置130では、まず、金属ブロック21の裏面に固定された絶縁基板28が、その両面に、例えば銅からなる金属層29a、29bを有する。即ち、絶縁基板28が可撓性を有する材料からなる場合には、絶縁基板28をヒートシンクに固定する場合に、絶縁基板28が割れることはなかった。しかしながら、発熱量が100Wを超えるような半導体装置の場合、熱伝導性の高いセラミック材料を絶縁基板28に用いることが好ましい。一方で、セラミック材料を絶縁基板28に用いた場合、ヒートシンクへの取り付け時に、セラミックが割れたり、欠けたりすることがあった。これは、特に、絶縁基板28の面積が大きいほど、ヒートシンクの接続面が粗いほど、顕著であった。
【0047】
これに対して、半導体装置130では、予め、両面に金属層29a、29bを設けた絶縁基板28が、金属ブロック21の裏面に固定されている。これにより、半導体装置130をヒートシンクに固定する場合の、絶縁基板28の割れ等を防止することができる。
【0048】
また、本実施の形態にかかる半導体装置130では、樹脂モールド26が下方にスカート状に突出した突起部31を有する。突起部31は、絶縁基板28を囲むように設けられ、その端部は、金属層29bの途中に位置する。突起部31は、樹脂モールド形成用の金型を、突起部を有する形状とすることにより、樹脂モールド26の形成時に同時に形成される。
【0049】
このように、樹脂モールド26が突起部31を有することにより、半導体装置130をヒートシンクに取り付ける際に、両者の接続面が平行とならず、半導体装置130の底面の一部がヒートシンクに押し付けられても、セラミックからなる絶縁基板28が割れたり欠けたりすることがなくなる。また、突起部31が絶縁基板28を囲むため、搬送時や取り扱い時に絶縁基板28に割れ等が発生するのを防止できる。
【0050】
特に、金属層29bが突起部31より下方にあるため、半導体装置130をヒートシンクに固定した場合に、金属層29bがヒートシンクに押し付けて固定され、放熱効率を向上させることができる。
【0051】
図6は、全体が140で表される、本実施の形態にかかる他の半導体装置である。半導体装置140では、突起部31の内側にシリコーン樹脂等からなる絶縁体32が設けられている。他の構造は、半導体装置130と同じである。
【0052】
半導体装置の使用電圧が高くなると、絶縁基板28を挟む金属層29a、29bの間で絶縁破壊が起こりやすくなる。これに対して、金属ブロック21に対して、絶縁基板28の面積をより広くすることにより、絶縁破壊は防止できるが、一方で、絶縁基板28を広くすることは、コストの高騰や、絶縁基板の割れ等を招くこととなる。
そこで、本実施の形態では、突起部31の内部に絶縁体32を埋め込み、絶縁基板28を広くすることなく絶縁耐性を高くしている。
樹脂モールド26に設けた突起部31と絶縁基板28との間は、絶縁体32を埋め込めるだけの中空部を設けることが好ましい。絶縁体32は、例えば、ディスペンサを用いて、突起部31の内部にシリコーン樹脂を注入し、キュアすることにより形成される。
【0053】
なお、半導体装置130、140には、両面に金属層29a、29bを設けた絶縁基板28を用いた。これは、絶縁基板28の側に、同質の材料なる層を設けることにより、絶縁基板28の反りを防止したものである。従って、絶縁基板28が反らない場合には、金属層29bのみを設けても構わない。
【0054】
また、本実施の形態にかかる構造は、半導体装置100、110、120のいずれの構造に対しても適用することができる。
【0055】
このように、本実施の形態にかかる半導体装置では、セラミック材料から絶縁基板を形成した場合でも、絶縁基板の割れ等を防止することができる。また、絶縁基板の上下での絶縁破壊も防止できる。
【0056】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる半導体装置では、ケースの設計変更のみで、半導体装置全体の設計を変更することができる。
【0057】
また、本発明にかかる半導体装置では、ヒートシンクとの密着性が高く、良好な放熱特性を得ることができる。
【0058】
また、本発明にかかる半導体装置では、金属ブロックとヒートシンクとの間の絶縁耐性を大きくできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の概略図である。
【図2】 本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の断面図である。
【図3】 本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の概略図である。
【図4】 本発明の実施の形態2にかかる半導体装置の断面図である。
【図5】 本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の断面図である。
【図6】 本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の断面図である。
【図7】 従来の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
10 ケース、11、12 外部端子、13 中継端子、20 パッケージ、21 金属ブロック、22 フレーム、23 半導体素子、24 ボンディングワイヤ、25 リード、26 モールド樹脂、27 制御端子、28 絶縁基板、30 ねじ穴、100 半導体装置。
Claims (9)
- ケースに複数のパッケージが固定された半導体装置であって、
半導体素子と該半導体素子に接続されたリード端子とが封止され、平行な表面と裏面とを有するパッケージと、
外部端子が設けられ、平行な表面と裏面とを有する額縁状の枠体からなるケースとを含み、
該ケースの枠内に、複数の該パッケージが並んで配置され、該リード端子と該外部端子とが接続され、
該外部端子が、ばね作用を有する材料からなり、該パッケージの裏面が上記ケースの裏面より下方に位置することを特徴とする半導体装置。 - 上記パッケージが、上記半導体素子を埋め込むモールド樹脂と、該半導体素子を載置し、裏面が該モールド樹脂から露出した絶縁基板とを含み、該ケースの裏面と該パッケージの裏面とが、同一平面にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記パッケージが、上記半導体素子が載置された表面と該表面と平行な裏面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の裏面に設けられた金属層を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 上記モールド樹脂が、該モールド樹脂の底面から下方に延び、上記絶縁基板を囲むスカート状の突起部を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 上記突起部に囲まれた中空部に、絶縁体を充填したことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 上記パッケージが、隣り合って配置された入力用の上記リード端子を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 上記パッケージを挟んで対向する該枠体に、入力用外部端子と出力用外部端子とが設けられたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記枠体の一辺に入力用外部端子が設けられ、該一辺に隣接する該枠体の他辺に出力用外部端子が設けられたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記複数のパッケージが、同一構造のパッケージからなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置。
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