CN109075107A - 干式蚀刻装置 - Google Patents

干式蚀刻装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109075107A
CN109075107A CN201780024513.8A CN201780024513A CN109075107A CN 109075107 A CN109075107 A CN 109075107A CN 201780024513 A CN201780024513 A CN 201780024513A CN 109075107 A CN109075107 A CN 109075107A
Authority
CN
China
Prior art keywords
negative pole
dry
pole part
etching device
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780024513.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109075107B (zh
Inventor
崔相俊
姜智声
李炅珍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kuku Creation Co Ltd
Original Assignee
Kuku Creation Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kuku Creation Co Ltd filed Critical Kuku Creation Co Ltd
Publication of CN109075107A publication Critical patent/CN109075107A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109075107B publication Critical patent/CN109075107B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

与材质无关地能够适用的干式蚀刻装置。本发明的一实施例公开的干式蚀刻装置包括：阳极部；阴极部，被施加随着时间而将极性为阳的电压和阴的电压双向交替的双向电压电源，并与所述阳极部分开配置；载置部，将加工对象物放置于所述阴极部的面向于所述阳极部的面；以及双向电压电源供给部，给所述阴极部施加所述双向电压电源。

Description

干式蚀刻装置
技术领域
本发明涉及干式蚀刻装置，更加具体地，涉及与材质无关地能够适用的干式蚀刻装置。
背景技术
半导体等各种材料或产品的加工工序中采用有蚀刻工艺。
这种蚀刻工艺为将加工对象物的表面的一部分蚀刻掉的工艺，一般采用使用化学方法的湿式(wet)蚀刻法。
最近，对各种材质采用蚀刻工艺，但这种湿式蚀刻工艺在适用对象方面存在限度。
于是，最近提出有非湿式蚀刻法的干式(dry)蚀刻法。
图1为用于说明采用这种干式蚀刻法而对半导体的铜(Cu)进行蚀刻的过程的图。
首先，对硅材10上沉积了硬掩膜(hard mask)20的加工对象物实施平板印刷(lithography)过程之后，对所述硬掩膜20实施干式蚀刻而完成蚀刻。
然后，除去在上述的平板印刷过程中涂覆的光刻胶(PR：30)膜等之后，在真空室内沉积铜(Cu)膜42。
然后，在所沉积的铜膜42之上用电镀(electro-plating)法沉积铜(Cu)44之后，将位于硬掩膜20之上的铜用化学机械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)法除去。
但是，这种现有的干式蚀刻法存在由于包括化学工艺而加工过程长，而且只有少数的挥发性物质才能适用于干式蚀刻法而无法将多种多样的材质适用于干式蚀刻法的问题。
发明内容
(发明所要解决的问题)
本发明是为了解决上述的现有问题而创作的，本发明所要解决的课题为提供一种不依赖于化学工艺，并能够适用于多种多样的材质的干式蚀刻装置及其控制方法。
本发明的课题并不限于上面所提及的课题，关于未提及的其他的课题，本领域的普通技术人员根据本说明书的具体内容能够清楚地理解。
(解决问题所采用的措施)
为了解决上述的课题，本发明的一实施例公开的干式蚀刻装置包括：阳极部；阴极部，被施加随着时间而将极性为阳的电压和阴的电压双向交替的双向电压电源，并与所述阳极部分开配置；载置部，将加工对象物放置于所述阴极部的面向于所述阳极部的面；以及双向电压电源供给部，给所述阴极部施加所述双向电压电源。
所述阴极部设置于上侧，所述阳极部位于下侧。
此时，在下面的说明中，以重力方向为基准，重力所向的方向称之为下侧，与其相反的方向称之为上侧。
进一步包括间隔调节部，用于调节所述阴极部和阳极部之间的距离。
所述间隔调节部包括：马达，产生旋转力；联结件，在所述马达的旋转力的作用下进行旋转，并沿着旋转中心轴形成有通孔，所述通孔的内周面形成有螺纹；以及支撑棒，与所述联结件的内周面啮合，并向上部延伸而支撑所述阴极部，在所述马达的旋转力的作用下所述联结件旋转，从而所述支撑棒及被所述支撑棒支撑的阴极部进行升降而调节所述阴极部和阳极部之间的距离。
所述载置部将所述加工对象物弹性支撑而将所述加工对象物紧贴于所述阴极部的面向于阴极部的面。
所述载置部包括：第一部件，***至设置于所述阳极部的下侧的固定片并能够沿上下方向移动，而且向上侧延伸；第二部件，形成于所述第一部件的上端并具有比所述第一部件更大的直径，而且将加工对象物紧贴于所述阴极部；以及弹簧，包住所述第一部件的外侧，下端被所述固定片支撑且上端被所述第二部件支撑而将所述第二部件相对于所述固定片弹性支撑。
进一步包括直流电源施加部，给所述阳极部施加直流电压电源，以使对所述加工对象物的离子的撞击(hitting)时间变短，电子的撞击(hitting)时间变长。
而且，直流电压电源的-侧或+侧施加于所述阳极部。
施加于所述阴极部的低频交流电源的频率低于1MHz。
所述双向电压包括电压的波形向+或-侧变动的升压区间以及电压向0收拢的降压区间。
所述直流电压电源施加部给所述阳极部施加的直流电压电源是，所述双向电压电源供给部给所述阴极部施加的双向电压电源的最大电压的1～200％。
被所述间隔调节部调节的所述阴极部和阳极部之间的距离为3mm～50mm。
进一步包括设置于所述阳极部的面向于所述阴极部的面的第一阳极绝缘体。
或者，进一步包括：基部，以能够接地的方式设置于所述阳极部的下侧；设置于所述基部和所述阳极部之间的第二阳极绝缘体。
绝缘而不会给所述加工对象物施加电流。
所述阴极部包括：第一导体，配置于最上侧并能够接地；第二导体，配置于所述第一导体的下侧，并从所述双向电压电源供给部施加双向电压电源；以及阴极绝缘体，所述阴极绝缘体配置于所述第一导体和第二导体之间及所述第二导体的周缘。
所述阴极绝缘体为氧化铝(Al2O3)等的氧化物或者氮化铝(AlN)等的氮化物的绝缘体。
此时，与加工对象物接触的绝缘物利用一体型涂装技术或者使用导热性优异的粘合材的粘合技术而与施加双向电压电源的部分接合，据此将所产生的热量迅速向冷却部释放而能够顺畅地进行温度的控制。此外，包括电容率大的材料而使等离子特性的控制变得容易。
进一步包括温度控制部，对所述阴极部进行冷却或提供热量而在预定的温度区间内完成加工，以使加工对象物的在干式蚀刻过程中因温度而引起的蚀刻加工的变化最小。
所述温度控制部包括：冷却通道，形成于所述第二导体的内部，并流动有冷却水；以及冷媒循环部，使冷却水在所述冷却通道内循环。
此外，所述温度控制部进一步包括对所述第二导体114的温度进行测定的温度测定部。
(发明的效果)
根据本发明的干式蚀刻装置，蚀刻加工时间与现有技术相比显著减少，从而提高了生产性，能够在不受材质的制约下进行干式蚀刻，从能够对多种多样的材质及产品进行干式蚀刻，不发生再沉积(redeposition)，从而被时刻部分能够形成为没有再沉积物或污染而整洁。
本发明的效果并不限于上面所提及的效果，关于未提及的其他的效果，本领域的普通技术人员根据本说明书的具体内容能够清楚地理解。
附图说明
参照附图而阅读下面所述的本申请的优选实施例的详细说明及上面所述的摘要的话，能够更好地理解。附图中示出优选实施例，以便更好地呈现本发明。但是，本申请并不限于附图中所示的尺寸及机构。
图1为示出利用现有的干式蚀刻法而在半导体上形成铜层的过程的图。
图2为示出本发明的一实施例的干式蚀刻装置的截面图。
图3为示出本发明的另一实施例的干式蚀刻装置的截面图。
图4为示出在等离子蚀刻过程中被蚀刻的原子a在等离子或气体e的作用下弹回(rebound)而再沉积(re-deposition)的景象的图。
图5为示出双向电压电源表现出交流形态的波形，并给阳极部施加直流电源时形成于阴极和阳极之间的双向电压电源的电压波形变化的图表。
图6为示出双向电压电源表现出对称性的双极形态的波形，并给阳极部施加直流电源时形成于阴极和阳极之间的双向电压电源的电压波形变化的图表。
图7为示出双向电压电源表现出非对称性的双极形态的波形，并给阳极部施加直流电源时形成于阴极和阳极之间的双向电压电源的电压波形变化的图表。
图8为示出给阳极部施加直流电源时被蚀刻的原子a的运动景象的图。
图9为示出本发明的一实施例的干式蚀刻装置的控制方法的流程图。
图10为示出利用本发明的一实施例的干式蚀刻装置及其控制方法而在半导体上形成铜膜过程的图。
图11为利用现有的湿式蚀刻方法和本发明的一实施例的干式蚀刻装置及其控制方法而被蚀刻部分的景象的图。
具体实施方式
参照附图而对能够具体实现本发明的目的的本发明的优选实施例。在本实施例的说明过程中，对相同的结构使用相同的名称及相同的附图标记，并省略对其的说明。
与在背景技术中介绍的现有的干式蚀刻法相比，为了突破材质的限度，本申请人关注到了高能离子源需要更加强劲地撞击加工对象物，并且根据加工对象物而加工温度不同，而且设定加工温度时需要以加工对象物的加工过程中的加工温度的偏差较小地维持的点。作为一个例子，为了防止光刻胶(PR)被固化的情况，加工对象物的温度超过80℃。此外，能够抑制因加工对象物的加工过程中的加工温度的偏差而引起的蚀刻收率的偏差的产生，而且能够实现一部分加工对象物材料的温度的上限或下限的设定等的多种多样的加工温度框架(profile)的设定控制。
另一方面，本申请人着眼于等离子的鞘区(Sheath Region)的扩大、高电压及1MHz以下的双向电压电源的使用、以及等离子密度的提高的概念，以使高能离子源以更高的动能撞击加工对象物。
此外，为了顺畅地进行加工对象物的温度控制，着眼于绝缘而不会给加工对象物施加电流的概念和给加工对象物所位于的阴极部追加温度控制功能的概念。此时，与加工对象物接触的绝缘物利用一体型涂装技术或者使用导热性优异的粘合材的粘合技术而与施加双向电压电源的部分接合，据此将所产生的热量迅速向冷却部释放而能够顺畅地进行温度的控制。
如图2所示，向这种方面着眼的本实施例的干式蚀刻装置100包括：阳极部120、阴极部110、载置部140、以及双向电压电源供给部130。
所述阳极部120和阴极部110在上下方向上相互分开而配置于附图中未示出的外壳(未图示)的内部。
所述外壳(未图示)在内部形成用于配置后述的各种构成要素的空间，并且该内部能够成为真空或往该内部注入氩气(Ar)等的气体，该外壳具有打开及关闭功能而能够对该内部进行加工对象物W的放入或取出。
此时，所述阴极部110配置于上侧，所述阳极部120配置于下侧。
而且，所述双向电压电源供给部130给所述阴极部110施加双向电压的电源。
此时，所述双向电压的电源称之为随着时间而将极性为阳的电压和阴的电压双向交替的电流。
此外，所述双向电压的电源的频率为1MHz以下的频率。
如上所述，能够通过施加双向电压的电源的来使电荷积蓄时间变长，这对鞘区的扩大起到贡献。此外，因鞘区的扩大而能够确保离子向加工对象物侧加速的时间，从而能够用更高的能量撞击加工对象物W的表面。在后详细说明这种双向电压的电源。
另一方面，加工对象物W紧贴于所述阴极部110的面向于阳极部120的下侧面。
从而，对所述加工对象物W的下侧面进行蚀刻，据此蚀刻而从所述加工对象物W的表面脱落的原子在重力作用下向阳极部120侧掉落，从而能够防止脱落的原子再次沉积于加工对象物W的表面的再沉积(reseposition)现象。
所述载置部140为将所述加工对象物W紧贴于所述阴极部110的下侧面的构成要素。
此外，进一步包括用于调节所述阴极部110和阳极部120之间的距离的间隔调节部150。
通常，电荷量Q与所施加的电压V、电容率ε以及加工对象物的面积A成比例，与阴极部和阳极部之间的距离d成反比(Q＝VεA/d)。
从而，通过间隔调节部150调节阴极部110和阳极部120之间的距离的来在对具有各种各样的面积A的各种加工对象物进行蚀刻时也能够以规定的或最佳的电荷量的状态进行加工。
这种间隔调节部150包括马达152、联结件154及支撑棒156。此时，支撑棒156采用绝缘材料，以使对阴极部110和阳极部120之间的等离子的影响最小。
所述马达152为产生旋转力的构成要素，在本实施例中，以能够精密调节旋转角度的步进马达为例进行说明。此外，所述步进马达由另外设置的控制部190控制。
所述联结件154在所述马达152的旋转力的作用下进行旋转，并沿着旋转中心轴形成有与所述中心旋转轴同轴的通孔，所述通孔的内周面形成有螺纹。此时，所述联结件154的旋转中心轴沿着上下方向形成。
而且，所述支撑棒156向上下方向延伸，并外周面形成有与所述联结件154的内周面啮合的螺纹，从而***于所述联结件154的通孔的内周面而与其啮合，而且所述支撑棒156的上端支撑所述阴极部110。
从而，当所述马达152旋转时所述联结件154也旋转，据此，所述支撑棒156与马达152的旋转角度及联结件154的间距(pitch)相当的量进行升降，从而被所述支撑棒156的上端支撑的阴极部110也进行升降而调节所述阴极部110和阳极部120之间的距离。
此时，被所述间隔调节部150调节的所述阴极部110和阳极部120之间的距离为3mm～50mm之间。此外，为了加工对象物的外形形状和安装于治具及阴极部110的方式顺畅，间隔调节部150能够连接于与支撑在上端的阴极部110隔开的另外的其他支撑台(例如，真空室等)而使用。
所述载置部140为将加工对象物W弹性支撑而尽管所述阴极部110进行升降也能够使加工对象物W紧贴于所述阴极部110的下侧面的构成要素。
这样的载置部140包括第一部件144、第二部件146及弹簧148。
所述第一部件144形成为***至设置于所述阳极部120的下侧的固定片142并能够沿上下方向移动，而且向上侧延伸。
此时，所述固定片142固定于所述外壳(未图示)。
而且，所述第二部件146形成于所述第一部件144的上端并具有比所述第一部件144更大的直径。而且，所述第二部件146的上端支撑所述加工对象物W而使其紧贴于所述阴极部110。此时，第二部件146采用绝缘材料，以使对阴极部110和阳极部120之间的等离子的影响最小。第二部件146根据加工对象物W的形状而能够具有圆形、四角形、多角形及圆锥形等的多种多样的形状。
而且，所述弹簧148包住所述第一部件144的外侧，下端被所述固定片142支撑且上端被第二部件146支撑而将所述第二部件144相对于所述固定片142弹性支撑。
从而，在所述弹簧148的作用下支撑在所述第二部件146的加工对象物W始终向上侧弹性支撑，因此即使所述阴极部110上升，加工对象物W也能够紧贴于阴极部110。此时，弹簧148采用绝缘材料，以使对阴极部110和阳极部120之间的等离子的影响最小。
另一方面，如图3所示，所述阳极部220的下侧设置有能够接地的基部222，所述基部222的上侧设置有阳极部220，而且所述基部222和阳极部220之间设置绝缘的第二阳极绝缘体224。
另一方面，如图4所示，蚀刻而从所述加工对象物W的表面脱落并向阳极部120侧掉落的原子a中的一部分遇到朝向所述加工对象物W的表面的离子i或等离子而与其撞击，从而再次朝向加工对象物W的表面而发生再沉积于加工对象物W的表面的再沉积(reseposition)现象。
为了防止这种现象，本实施例的干式蚀刻装置进一步包括直流电源施加部160，其将直流电压电源的直流的-侧或+侧施加给所述阳极部120，以使对所述加工对象物W的离子的撞击(hitting)时间变短，电子的撞击(hitting)时间变长。在本实施例中，以所述直流电压电源施加部160施加-侧的直流电压电源的情况为例而说明。
在说明所述直流电压电源施加部160所起到的作用之前，先说明从所述双向电压电源供给部提供至所述阴极部114的电压波形的形态。
如上所述，提供至阴极部的电压波形被称之为随着时间而电压的极性+和-交替的电压，由所述双向电压电源供给部130生成的双向电压的波形能够表现出如图5所示的通常的交流形态的正弦(sign)波形、或者能够表现出如图6及如图7所示的梯形形态的双极(bipolar)波形。
即，在本发明中，所述双向电压电源为与波形的形态及大小无关地以电压为0的点为基准随着时间而电压的极***替成+和-的电压。
*另一方面，当所述双向电压的波形表现出如图6及图7所示的梯形形态的双极(bipolar)波形时，电压的波形包括升压区间(U)和降压区间(D)。
此时，在所述电压的波形中，将向+或-侧发散的区间称之为升压区间(U)，将向0收拢的区间称之为降压区间(D)。
此外，将在所述升压区间(U)和降压区间(D)维持规定的电压的区间称之为维持区间(D)。
根据从所述双向电压电源供给部提供的双向电压的波形，所述维持区间(D)有可能出现，也有可能不会出现。
此外，在所述双向电压电源供给部130中，由所述双向电压电源供给部130产生的双向电压电源的波形被控制部190控制。
所述控制部190能够由与所述双向电压电源供给部130连接的终端或电脑(PC)等构成。当然，本发明并不限于此，所述控制部190可为具备有输入单元、显示单元、演算单元以及通信单元的模组。
另一方面，当所述双向电压的波形表现出如图6及图7所示的梯形形态的双极(bipolar)波形时，升压区间(U)、降压区间(D)及维持区间(D)的倾斜度及长度在所述控制部190的控制下被控制。
即，如图6所示，所述升压区间(U)和降压区间(D)的倾斜度对称，或者，如图7所示，所述升压区间(U)和降压区间(D)的倾斜度不同。或者，即使附图中未示出，但也能够调节所述维持区间(M)的长度，维持区间(M)被控制而除了峰值点以外，还能够以0Voltage状态出现。
这是根据所述加工对象物W所需的、撞击(hitting)电子(electron)的时间及强度和撞击(hitting)离子(ion)的时间及强度而由所述控制部190调节。
下面，说明所述直流电压电源施加部160所起到的作用。
图5为示出由所述双向电压电源供给部130生成的双向电压的波形为通常的交流形态的正弦(sign)波形，并给所述阳极部120施加直流时形成于阴极部110和阳极部120之间的双向电压电源的波形变化的图表。
如上所述，由所述双向电压电源供给部130生成的交流形态的所述双向电流的波形施加到所述阴极部110，因此如图5所示，形成于阴极部110和阳极部120之间的双向电流的波形成为交流形态的波形。
但是，如图5所示，所述直流电压电源施加部160给所述阳极部120施加直流的-侧的话，形成于阴极部110和阳极部120之间的交流形态的双向电压的波形向上侧移动。在图5的图表中，在交流波形向0Voltage下侧(-侧)下降的状态下，离子撞击加工对象物W，在交流波形向0Voltage上侧(+侧)上升的状态下，电子撞击加工对象物W。
或者，如图6及图7所示，在由所述双向电压电源供给部130生成的所述双向电压电源的波形表现出梯形形态的双极(bipolar)波形的情况下，所述直流电压电源施加部160给所述阳极部120施加直流的-侧的话，形成于阴极部110和阳极部120之间的双极形态的双向电压的波形也能够向上侧移动。在图6的图表中，在双极形态的双向电压电源的波形向0Voltage下侧下降的状态下，离子撞击加工对象物W，在双极形态的双向电压电源的波形向0Voltage上侧上升的状态下，电子撞击加工对象物W。
在图5至图7中，以双向电压电源与原来的波形形态时相比移动(Shift)了20％的情况为例而说明。
从而，如图8所示，蚀刻而从所述加工对象物W的表面脱落并向阳极部120侧掉落的原子a到达至阳极部120的时间充分，因此能够防止再沉积(redeposition)现象。
此时，所述直流电压电源施加部160给所述阳极部120施加的直流电压电源是，所述双向电压电源供给部130给所述阴极部110施加到双向电压电源的最大电压的1～200％。
另一方面，如图2及图3所示，所述阴极部110包括第一导体(conductor)112、第二导体114以及阴极绝缘体116。
所述第一导体112配置于最上侧，并由能够接地的金属等的导体形成。
所述第二导体114配置于所述第一导体112的下侧，并从所述双向电压电源供给部130施加有低频的交流电源，而且由铝(Al)等的导电性金属形成。
此外，所述阴极绝缘体116配置于所述第一导体112和第二导体114之间及所述第二导体114的外侧缘，以使第二导体114与外部成绝缘。
如果能够起到绝缘体的作用的话，所述阴极绝缘体116的材质为任何材质也无妨，可是设置于作为与所述加工对象物W接触的面的下侧面的薄的绝缘体118为氧化铝(Al2O3)等的氧化物或者氮化铝(AlN)等的氮化物的绝缘体。
此时，与加工对象物接触的绝缘物利用一体型涂装技术或者使用导热性优异的粘合材的粘合技术而与施加双向电压电源的部分接合。从而将所产生的热量迅速向冷却部释放而能够顺畅地进行温度的控制。而且，所述绝缘体118对所述阴极部110的容量(capacity)的增加起到贡献。这种绝缘体118的厚度为3mm以下，但本发明并不会被绝缘体118的厚度所限定。
从而，由于绝缘而电流不会流向与所述阴极部110接触的加工对象物W，因此能够防止加工对象物W的温度上升。
此外，进一步包括用于调节所述阴极部110的温度的温度控制部170。
所述温度控制部170为控制所述阴极部110的温度而将与所述阴极部110接触的加工对象物的温度维持在加工温度区间内的构成要素。
此时，加工温度区间是指，根据加工对象物的材质及加工的种类等而能够获得良质的加工结果的加工工艺中的维持温度的范围。
即，在加工中维持能够实现顺畅的加工的温度而能够维持加工对象物的最佳的加工结果。
所述温度控制部170包括冷却通道172、冷媒循环部174及温度测定部176。
所述冷却通道172呈管状并形成于第二导体114的内部，管的内部流动冷却水。在本实施例中，从所述第一导体112的表面向下侧延伸至所述第二导体114的内侧，并在所述第二导体114的内部水平延伸而对所述第一导体112和第二导体114进行冷却。
而且，所述冷媒循环部174使冷却水在所述冷却通道172的内部循环。
而且，所述温度测定部176对所述第二导体114的温度进行测定。
从而，当驱动所述冷媒循环部174而温度上升时，另外设置的控制部190控制所述冷媒循环部174而使所述冷却水的循环量增多，以使所述温度测定部176所测定的温度不超出所设定的温度范围的上限值。
或者，所述控制部190控制冷媒循环部174而控制冷却水的循环量，以使所述温度测定部176所测定的温度不超出所设定的温度范围的下限值。
从而，具有所述温度控制部170控制所述阴极部110的温度的同时，控制与所述阴极部110接触的加工对象物的温度的效果。
下面，说明对上述的干式蚀刻装置进行控制的干式蚀刻装置的控制方法。
如图9所示，本实施例的干式蚀刻装置的控制方法包括：加工对象物放置步骤S110、距离调节步骤S120、双向电压电源施加步骤S130、直流施加步骤S140、蚀刻步骤S150以及温度调节步骤S160。
所述加工对象物放置步骤S110为在所述干式蚀刻装置的外壳的内侧将加工对象物W紧贴于所述阴极部110的下侧面而放置的步骤。此时，所述加工对象物W的欲蚀刻的面面向位于下侧的阳极部120。
从而，对所述加工对象物W的下侧面进行蚀刻，据此蚀刻而从所述加工对象物W的表面脱落的原子a在重力作用下向阳极部120侧掉落，从而能够防止脱落的原子再次沉积于加工对象物W的表面的再沉积(reseposition)现象。
此时，所述加工对象物W被夹住于所述载置部140和阴极部110之间而固定。
所述距离调节步骤S120为调节所述阴极部110和阳极部120之间的距离而在具有最佳的电子量的状态下进行等离子蚀刻加工的步骤。
在此步骤中，利用另外设置的控制部190而使所述马达152旋转，据此所述支撑棒156进行升降，所述阴极部110跟着升降而调节与所述阳极部120之间的距离。
此时，所述阴极部110和所述阳极部120之间的距离为3mm～50mm之间。
从而，以多种多样的形状和面积的加工对象物W作为对象而进行加工时，也能够调节成最佳的距离而以最佳的电荷量进行蚀刻加工。
所述双向电压电源施加步骤S130为给所述阴极部110施加双向电压电源的步骤。
此时，施加于所述阴极部110的双向电压电源的频率低于1MHz。
如此，通过施加比较低频带的双向电压电源的来使电荷积蓄时间变长，这对鞘区的扩大起到贡献。此外，确保离子向加工对象物侧加速的时间而能够用更高能量的等离子撞击加工对象物W的表面。
施加所述双向电压电源时，所述外壳的内部可以为充填有氩气(Ar)等的气体的状态。
而且，所述直流施加步骤S140为能够与所述双向电压电源施加步骤S130一同进行，并给所述阳极部120施加-侧或+侧的直流的步骤。在本实施例中，以施加直流的-侧为例而进行说明，但本发明并不一定限定于此。
如图5至图7所示，给所述阳极部120施加直流时形成于阴极部110和阳极部120之间的双向电压电源的波形整体向+侧移动，从而对所述加工对象物W的离子的撞击(hitting)时间变长，电子的撞击(hitting)时间变短。据此，如图6所示，蚀刻而从所述加工对象物W的表面脱落并向阳极部120侧掉落的原子a到达至阳极部120的时间充分，因此能够防止再沉积(redeposition)现象。
此时，所述直流电压电源施加部160给所述阳极部120施加的直流是，所述双向电压电源供给部130给所述阴极部110施加的交流电压的最大电压的1～200％。
进行所述双向电压电源施加步骤S130和直流施加步骤S140时，也能够进行对加工对象物W进行蚀刻的蚀刻步骤S150。
另一方面，进行所述蚀刻步骤S150的过程中，还可进行温度控制步骤S160。在所述温度控制步骤S160中，当驱动所述冷媒循环部174而温度上升时，另外设置的控制部190控制所述冷媒循环部174而使所述冷却水的循环量增多，以使所述温度测定部176所测定的温度不超出所设定的温度范围。
从而，具有所述温度控制部170控制所述阴极部110的温度的同时，控制与所述阴极部110接触的加工对象物W的温度的效果。当然，所述温度控制部170还可控制所述加工对象物W的冷却速度，并控制而使加工对象物W的的温度不超出所设定的温度范围的下限值。
图10为示出利用本发明的一实施例的干式蚀刻装置及其控制方法而蚀刻半导体上的铜(Cu)的过程的图。
如图10所示，对硅材10上均匀地沉积了铜(Cu)层46的加工对象物W实施平板印刷过程而形成光刻胶层30之后，利用上述的本实施例的干式蚀刻装置100而进行蚀刻的话，除了涂覆有在平板印刷过程中形成的光刻胶(PR：30)以外的部分的剩余部分全部被蚀刻。之后，去除PR30而结束整个工艺。
这与背景技术中所述的现有的干式蚀刻过程相比，显著减少了步骤数。
另一方面，图11为利用了现有的湿式蚀刻法而被蚀刻部分的截面和利用本发明的一实施例的干式蚀刻装置及其控制方法而被蚀刻部分的截面相比较的图。
如图11(a)所示，现有的湿式蚀刻法具有向所有方向均等蚀刻的各向同性的特性，因此对光刻胶以下的侧面与光刻胶的膜厚相当的量进行蚀刻而被时刻部分呈下面部分厚且越往上走变窄的抛物线的形态。但是如图11(b)所示，利用本发明的干式蚀刻装置及其控制方法的蚀刻方法具有各向异性的特性，因此被时刻部分的截面能够形成为上面部分和下面部分具有相同宽度的整洁的轮廓(profile)。
基于如上的本发明的优选实施例，除了上述的实施例以外，在不脱离本发明的要旨的范围内能够实现其他的特定形态，这对本领域的普通技术人员来说是显而易见的。因此，上述的实施例并非是限定性的例子，而是示例性的例子，据此，本发明并不限定于上述的内容，在所附的权利要求的范围及其等同的范围内能够进行变更。

Claims (18)

1.一种干式蚀刻装置，其特征在于，包括：
阳极部；
阴极部，被施加随着时间而将极性为阳的电压和阴的电压双向交替的双向电压电源，并与所述阳极部分开配置；
载置部，将加工对象物放置于所述阴极部的面向于所述阳极部的面；
双向电压电源供给部，给所述阴极部施加所述双向电压电源；以及
控制部，控制所述双向电压电源的波形，
所述双向电压电源包括电压的波形向+或-侧发散的升压区间、向0收拢的区间的降压区间、以及在所述升压区间和降压区间稳定地维持电压的维持区间，并呈所述升压区间及降压区间的倾斜度稳定地维持的双极波形，
所述升压区间、降压区间及所述维持区间的倾斜度及长度由所述控制部控制。
2.根据权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
所述阴极部设置于上侧，
所述阳极部位于下侧。
3.根据权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
进一步包括间隔调节部，用于调节所述阴极部和阳极部之间的距离。
4.根据权利要求3所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
所述间隔调节部包括：
马达，产生旋转力；
联结件，在所述马达的旋转力的作用下进行旋转，并沿着旋转中心轴形成有通孔，所述通孔的内周面形成有螺纹；以及
支撑棒，与所述联结件的内周面啮合，并向上部延伸而支撑所述阴极部，
在所述马达的旋转力的作用下所述联结件旋转，从而所述支撑棒及被所述支撑棒支撑的阴极部进行升降而调节所述阴极部和阳极部之间的距离。
5.根据权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
所述载置部将所述加工对象物弹性支撑而将所述加工对象物紧贴于所述阴极部的面向于阴极部的面。
6.根据权利要求5所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
所述载置部包括：
第一部件，***至设置于所述阳极部的下侧的固定片并能够沿上下方向移动，而且向上侧延伸；
第二部件，形成于所述第一部件的上端并具有比所述第一部件更大的直径，而且将加工对象物紧贴于所述阴极部；以及
弹簧，包住所述第一部件的外侧，下端被所述固定片支撑且上端被所述第二部件支撑而将所述第二部件相对于所述固定片弹性支撑。
7.根据权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
进一步包括直流电源施加部，给所述阳极部施加直流电压电源，以使对所述加工对象物的离子的撞击(hitting)时间变短，电子的撞击(hitting)时间变长。
8.根据权利要求7所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
直流电压电源的阴的电压或阳的电压施加于所述阳极部。
9.根据权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，，其特征在于，
施加于所述阴极部的低频交流电源的频率低于1MHz。
10.根据权利要求7所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
所述直流电压电源施加部给所述阳极部施加的直流电压电源是，所述双向电压电源供给部给所述阴极部施加的交流电压的最大电压的1～200％。
11.根据权利要求3所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
被所述间隔调节部调节的所述阴极部和阳极部之间的距离为3mm～50mm。
12.根据权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
进一步包括：
基部，其能够接地并设置于所述阳极部的下侧；
第二阳极绝缘体，其设置于所述基部和所述阳极部之间。
13.根据权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
第二导体的面向于加工对象物的面成绝缘而不会给所述加工对象物施加电流。
14.根据权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
所述阴极部包括：
第一导体，配置于最上侧并能够接地；
第二导体，配置于所述第一导体的下侧，并从所述双向电压电源供给部施加双向电压电源；以及
阴极绝缘体，所述阴极绝缘体配置于所述第一导体和第二导体之间及所述第二导体的周缘。
15.根据权利要求14所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
在所述阴极绝缘体中，与所述加工对象物接触的面的第二导体和阴极绝缘体由包括氧化铝(Al2O3)或者氮化铝(AlN)的材质形成。
16.根据权利要求14所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
进一步包括温度控制部，对所述阴极部进行冷却或升温而使加工对象物的温度维持在加工温度区间内。
17.根据权利要求16所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
所述温度控制部包括：
冷却通道，形成于所述第二导体的内部，并流动有冷却水；以及
冷媒循环部，使冷却水在所述冷却通道内循环。
18.根据权利要求17所述的干式蚀刻装置，其特征在于，
所述温度控制部进一步包括温度测定部，其对所述第二导体114的温度进行测定。
CN201780024513.8A 2016-04-18 2017-04-17 干式蚀刻装置 Active CN109075107B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0047031 2016-04-18
KR1020160047031A KR101800321B1 (ko) 2016-04-18 2016-04-18 건식 에칭장치
PCT/KR2017/004110 WO2017183872A1 (ko) 2016-04-18 2017-04-17 건식 에칭장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109075107A true CN109075107A (zh) 2018-12-21
CN109075107B CN109075107B (zh) 2022-04-12

Family

ID=60116445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780024513.8A Active CN109075107B (zh) 2016-04-18 2017-04-17 干式蚀刻装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11348802B2 (zh)
KR (1) KR101800321B1 (zh)
CN (1) CN109075107B (zh)
WO (1) WO2017183872A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112750738A (zh) * 2021-01-18 2021-05-04 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7068140B2 (ja) * 2018-11-05 2022-05-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN110592650A (zh) * 2019-09-03 2019-12-20 昆山东威科技股份有限公司 一种电解蚀刻装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5354413A (en) * 1993-03-18 1994-10-11 Advanced Micro Devices, Inc. Electrode position controller for a semiconductor etching device
JPH07221071A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Nec Kyushu Ltd ドライエッチング装置
US6251792B1 (en) * 1990-07-31 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Plasma etch processes
US20010013504A1 (en) * 1994-04-28 2001-08-16 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JP2002190473A (ja) * 2001-09-25 2002-07-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US20040255863A1 (en) * 2001-12-13 2004-12-23 Tsutomu Higashiura Plasma process apparatus
CN101010790A (zh) * 2004-09-06 2007-08-01 东京毅力科创株式会社 晶片夹具
KR20090106730A (ko) * 2008-04-07 2009-10-12 (주)소슬 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
CN101847558A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US20110049100A1 (en) * 2008-01-16 2011-03-03 Charm Engineering Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
CN103168337A (zh) * 2010-07-15 2013-06-19 巴黎高等理工学院 电容耦合反应器中用梯形波形激励的等离子体加工
US20130333616A1 (en) * 2012-06-18 2013-12-19 Tel Solar Ag Plasma processing system with movable chamber housing parts
KR20140068090A (ko) * 2011-09-26 2014-06-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20150129112A1 (en) * 2013-11-12 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Shower head assembly, plasma processing apparatus and method for manufacturing a shower head assembly

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63238288A (ja) * 1987-03-27 1988-10-04 Fujitsu Ltd ドライエツチング方法
US5075256A (en) * 1989-08-25 1991-12-24 Applied Materials, Inc. Process for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer
JPH03203317A (ja) * 1989-12-29 1991-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
US6245189B1 (en) * 1994-12-05 2001-06-12 Nordson Corporation High Throughput plasma treatment system
US7951262B2 (en) * 2004-06-21 2011-05-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
KR20100004857A (ko) * 2008-07-03 2010-01-13 주성엔지니어링(주) 건식 에칭 장치
KR101214758B1 (ko) * 2010-02-26 2012-12-21 성균관대학교산학협력단 식각 방법
JP2012004160A (ja) * 2010-06-14 2012-01-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP5809396B2 (ja) * 2010-06-24 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US20140263182A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Tokyo Electron Limited Dc pulse etcher

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6251792B1 (en) * 1990-07-31 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Plasma etch processes
US5354413A (en) * 1993-03-18 1994-10-11 Advanced Micro Devices, Inc. Electrode position controller for a semiconductor etching device
JPH07221071A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Nec Kyushu Ltd ドライエッチング装置
US20010013504A1 (en) * 1994-04-28 2001-08-16 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JP2002190473A (ja) * 2001-09-25 2002-07-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US20040255863A1 (en) * 2001-12-13 2004-12-23 Tsutomu Higashiura Plasma process apparatus
CN101010790A (zh) * 2004-09-06 2007-08-01 东京毅力科创株式会社 晶片夹具
US20110049100A1 (en) * 2008-01-16 2011-03-03 Charm Engineering Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
KR20090106730A (ko) * 2008-04-07 2009-10-12 (주)소슬 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
CN101847558A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN103168337A (zh) * 2010-07-15 2013-06-19 巴黎高等理工学院 电容耦合反应器中用梯形波形激励的等离子体加工
KR20140068090A (ko) * 2011-09-26 2014-06-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20130333616A1 (en) * 2012-06-18 2013-12-19 Tel Solar Ag Plasma processing system with movable chamber housing parts
US20150129112A1 (en) * 2013-11-12 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Shower head assembly, plasma processing apparatus and method for manufacturing a shower head assembly

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112750738A (zh) * 2021-01-18 2021-05-04 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法
CN112750738B (zh) * 2021-01-18 2024-02-23 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101800321B1 (ko) 2017-11-22
US11348802B2 (en) 2022-05-31
KR20170119183A (ko) 2017-10-26
CN109075107B (zh) 2022-04-12
US20190122893A1 (en) 2019-04-25
WO2017183872A1 (ko) 2017-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5350043B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN109075107A (zh) 干式蚀刻装置
TWI392043B (zh) A substrate holding member and a substrate processing apparatus
JP2019529695A (ja) 高密度、低応力のアモルファスカーボン膜、ならびにその堆積のための方法および装置
JP5067530B2 (ja) Ｍｅｍｓベースの接触伝導型静電チャックによる処理用基板のクランプ方法
TW201127221A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW201207996A (en) Methods for depositing metal in high aspect ratio features
KR20080070643A (ko) 유전체 및/또는 상이한 두께, 프로파일 및/또는 형상을갖는 공동을 갖는 정전 척 어셈블리, 그 사용 방법 및그것을 포함한 장치
US8973526B2 (en) Plasma deposition apparatus and method
CN1679148A (zh) 等离子体处理方法及等离子体处理装置
JP6898456B2 (ja) ドライエッチング装置及びその制御方法
JPH06302678A (ja) 静電チャック
CN109075062A (zh) 干式蚀刻装置的控制方法
KR102419550B1 (ko) 수평 설치형 건식 에칭장치
CN113862645B (zh) 承载装置及半导体工艺腔室
JP2011035026A (ja) ドライエッチング装置、半導体装置の製造方法、制御リング
JP2004193360A (ja) プラズマ処理装置
CN106298420B (zh) 下电极以及半导体加工设备
CN102387655A (zh) 用于等离子体设备的下电极及等离子体设备
TW202121472A (zh) 電漿處理裝置
CN106816354A (zh) 一种下电极和反应腔室
JP3637827B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2023158266A (ja) プラズマエッチングシステム
CN115572949A (zh) 一种双镀源物理气相沉积工艺及多模式物理气相沉积设备
KR20180080983A (ko) 텅스텐옥사이드 벌크로 이루어진 플라즈마 장치용 부품

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant