JPH07202322A - サーミスタ - Google Patents
サーミスタInfo
- Publication number
- JPH07202322A JPH07202322A JP35149293A JP35149293A JPH07202322A JP H07202322 A JPH07202322 A JP H07202322A JP 35149293 A JP35149293 A JP 35149293A JP 35149293 A JP35149293 A JP 35149293A JP H07202322 A JPH07202322 A JP H07202322A
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- semiconductor laser
- heat sink
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- thermistor element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明によるサーミスタを用いて半導体レー
ザモジュールを動作使用する場合に、サーミスタ素体の
信頼性の向上と、半導体レーザの精度のよい温度制御を
同時に保証する。 【構成】 本発明によるサーミスタ１４では、半導体レ
ーザ１は、半導体レーザ１の温度を検出するためのサー
ミスタ素体３が設置されているヒートシンク１２の上面
のスペース１３に設置される。これにより、電子冷却素
子７からみた半導体レーザ１およびサーミスタ素体３ま
での熱抵抗はほぼ等しい。したがって、半導体レーザ１
の温度変化を正確に検出することができるので、精度よ
く半導体レーザ１の温度制御を行うことができる。ま
た、サーミスタ素体３は、ガラスで封止されている。し
たがって、経時的にサーミスタ素体３と電極５が剥がれ
ることなどが生じて抵抗値が増加することはなく、サー
ミスタ素体３の信頼性が向上する。
ザモジュールを動作使用する場合に、サーミスタ素体の
信頼性の向上と、半導体レーザの精度のよい温度制御を
同時に保証する。 【構成】 本発明によるサーミスタ１４では、半導体レ
ーザ１は、半導体レーザ１の温度を検出するためのサー
ミスタ素体３が設置されているヒートシンク１２の上面
のスペース１３に設置される。これにより、電子冷却素
子７からみた半導体レーザ１およびサーミスタ素体３ま
での熱抵抗はほぼ等しい。したがって、半導体レーザ１
の温度変化を正確に検出することができるので、精度よ
く半導体レーザ１の温度制御を行うことができる。ま
た、サーミスタ素体３は、ガラスで封止されている。し
たがって、経時的にサーミスタ素体３と電極５が剥がれ
ることなどが生じて抵抗値が増加することはなく、サー
ミスタ素体３の信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光情報処理等
に用いられる半導体レーザモジュールの内部に実装され
るサーミスタに関する。
に用いられる半導体レーザモジュールの内部に実装され
るサーミスタに関する。
【従来の技術】半導体レーザの発振波長や光出力などの
発振条件は、温度により変化する。このため、光ファイ
バ伝送装置などに用いる半導体レーザモジュールでは、
安定な信号伝送を行う安定な発振条件のため、半導体レ
ーザの温度制御が必要である。このような半導体レーザ
モジュールにおいては、半導体レーザの温度を検出する
サーミスタの温度検出結果に基づいて、電子冷却素子を
制御する制御回路を用いて、半導体レーザの温度制御を
行う。従来のサーミスタを用いた半導体レーザモジュー
ルの温度制御部分の構成を図２に斜視図で示す。半導体
レーザモジュールは、レーザ光を出射する半導体レーザ
１と、半導体レーザ１を固定するためのヒートシンク２
と、半導体レーザ１の温度を検出するための温度センサ
であるガラスで封止されたサーミスタ素体３と、サーミ
スタ素体を設置した基板４と、基板４の上面に形成され
た電極５と、基板４と基板４上に設置されたサーミスタ
素体３を含んで構成されるサーミスタ６と、半導体レー
ザ１を冷却するための電子冷却素子７とから構成されて
いる。半導体レーザ１はヒートシンク２の上に設置され
ており、サーミスタ素体３は別の基板４の上に設置され
ている。したがって、半導体レーザ１を設置したヒート
シンク２と、サーミスタ６とを、電子冷却素子７上に設
置する際、電子冷却素子７からみた半導体レーザ１およ
びサーミスタ素体３までの熱伝導の経路が異なり熱抵抗
の差がある。このため半導体レーザ１の温度変化を正確
にモニタできなくなる。この結果、半導体レーザ１に対
して精度のよい温度制御ができないという問題がある。
このような半導体レーザモジュールの温度制御部分の構
成については、文献（仲川他「周波数応答に優れた冷却
素子内蔵ＬＤモジュール」昭和６３年度電子情報通信学
会全国大会、Ｃ−４５０、１−５５５ページ）に示され
ている。このような構成より、半導体レーザ１に対して
精度のよい温度制御ができるように改善した半導体レー
ザモジュールの温度制御部分の構成を図３に斜視図で示
す。図３の構成は、半導体レーザ１を固定するためのヒ
ートシンク８と、半導体レーザ１の温度を検出する温度
センサであるサーミスタ９と、サーミスタ９を固定する
ためのステム１０と、サーミスタ９の両面にメタライズ
されている電極１１とを有している。電子冷却素子７の
上にステム１０が設置され、ステム１０の上にサーミス
タ９が設置され、サーミスタ９の上にヒートシンク８が
設置し、ヒートシンク８の上に半導体レーザ１が設置さ
れている。このため、サーミスタ９を半導体レーザ１と
電子冷却素子７の間に設置することにより、半導体レー
ザ１より発生した熱はヒートシンク８を通過した後、図
２の場合のように電子冷却素子７の上面、基板４を介さ
ずに、直接サーミスタ９に流れ込むようになっている。
従って図２の場合にように、電子冷却素子７の上面や基
板４を熱が通過する事によって熱抵抗に比例した温度差
が生じるという事がない。このような半導体レーザモジ
ュールの温度制御部分の構成については、文献（特開昭
６１−１３１５８０号公報）に示されている。
発振条件は、温度により変化する。このため、光ファイ
バ伝送装置などに用いる半導体レーザモジュールでは、
安定な信号伝送を行う安定な発振条件のため、半導体レ
ーザの温度制御が必要である。このような半導体レーザ
モジュールにおいては、半導体レーザの温度を検出する
サーミスタの温度検出結果に基づいて、電子冷却素子を
制御する制御回路を用いて、半導体レーザの温度制御を
行う。従来のサーミスタを用いた半導体レーザモジュー
ルの温度制御部分の構成を図２に斜視図で示す。半導体
レーザモジュールは、レーザ光を出射する半導体レーザ
１と、半導体レーザ１を固定するためのヒートシンク２
と、半導体レーザ１の温度を検出するための温度センサ
であるガラスで封止されたサーミスタ素体３と、サーミ
スタ素体を設置した基板４と、基板４の上面に形成され
た電極５と、基板４と基板４上に設置されたサーミスタ
素体３を含んで構成されるサーミスタ６と、半導体レー
ザ１を冷却するための電子冷却素子７とから構成されて
いる。半導体レーザ１はヒートシンク２の上に設置され
ており、サーミスタ素体３は別の基板４の上に設置され
ている。したがって、半導体レーザ１を設置したヒート
シンク２と、サーミスタ６とを、電子冷却素子７上に設
置する際、電子冷却素子７からみた半導体レーザ１およ
びサーミスタ素体３までの熱伝導の経路が異なり熱抵抗
の差がある。このため半導体レーザ１の温度変化を正確
にモニタできなくなる。この結果、半導体レーザ１に対
して精度のよい温度制御ができないという問題がある。
このような半導体レーザモジュールの温度制御部分の構
成については、文献（仲川他「周波数応答に優れた冷却
素子内蔵ＬＤモジュール」昭和６３年度電子情報通信学
会全国大会、Ｃ−４５０、１−５５５ページ）に示され
ている。このような構成より、半導体レーザ１に対して
精度のよい温度制御ができるように改善した半導体レー
ザモジュールの温度制御部分の構成を図３に斜視図で示
す。図３の構成は、半導体レーザ１を固定するためのヒ
ートシンク８と、半導体レーザ１の温度を検出する温度
センサであるサーミスタ９と、サーミスタ９を固定する
ためのステム１０と、サーミスタ９の両面にメタライズ
されている電極１１とを有している。電子冷却素子７の
上にステム１０が設置され、ステム１０の上にサーミス
タ９が設置され、サーミスタ９の上にヒートシンク８が
設置し、ヒートシンク８の上に半導体レーザ１が設置さ
れている。このため、サーミスタ９を半導体レーザ１と
電子冷却素子７の間に設置することにより、半導体レー
ザ１より発生した熱はヒートシンク８を通過した後、図
２の場合のように電子冷却素子７の上面、基板４を介さ
ずに、直接サーミスタ９に流れ込むようになっている。
従って図２の場合にように、電子冷却素子７の上面や基
板４を熱が通過する事によって熱抵抗に比例した温度差
が生じるという事がない。このような半導体レーザモジ
ュールの温度制御部分の構成については、文献（特開昭
６１−１３１５８０号公報）に示されている。
【発明が解決しようとする課題】このような従来のサー
ミスタ９を用いた半導体レーザモジュールの温度制御部
分の構成では、ベアのサーミスタ９を使用しているが、
このようなサーミスタ９では経時的に、サーミスタ９の
上下にメタライズされた電極１１が剥がれることなどが
生じて抵抗値が増加するなどの信頼性上の問題があっ
た。この信頼性上の問題を解決したものが、図２に示す
サーミスタ６である。サーミスタ素体３をガラスで封止
することにより、サーミスタ素体３の信頼性が向上す
る。しかし、ベアのサーミスタ９のように上下にメタラ
イズした電極１１を形成することができないため、半導
体レーザ１に対して精度のよい温度制御ができる図３の
ような半導体レーザモジュールの温度制御部分の構成が
できないという問題があった。本発明の目的は上述の欠
点を除去したサーミスタを提供することにある。
ミスタ９を用いた半導体レーザモジュールの温度制御部
分の構成では、ベアのサーミスタ９を使用しているが、
このようなサーミスタ９では経時的に、サーミスタ９の
上下にメタライズされた電極１１が剥がれることなどが
生じて抵抗値が増加するなどの信頼性上の問題があっ
た。この信頼性上の問題を解決したものが、図２に示す
サーミスタ６である。サーミスタ素体３をガラスで封止
することにより、サーミスタ素体３の信頼性が向上す
る。しかし、ベアのサーミスタ９のように上下にメタラ
イズした電極１１を形成することができないため、半導
体レーザ１に対して精度のよい温度制御ができる図３の
ような半導体レーザモジュールの温度制御部分の構成が
できないという問題があった。本発明の目的は上述の欠
点を除去したサーミスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明によるサーミスタでは、半導体レーザと、ガラ
スで封止されたサーミスタ素体をヒートシンクの同一面
上に設置している。
に本発明によるサーミスタでは、半導体レーザと、ガラ
スで封止されたサーミスタ素体をヒートシンクの同一面
上に設置している。
【実施例】次に本発明の一実施例を図に基づいて説明す
る。図１は、本発明によるサーミスタの一実施例を示す
斜視図である。半導体レーザ１の温度を検出するための
サーミスタ素体３は、図３のヒートシンク８とは異なる
ヒートシンク１２の上に設置されている。ヒートシンク
１２の材料はＡ１Ｎ（窒化アルミニウムセラミックス）
である。半導体レーザ１は、サーミスタ素体３を設置し
たヒートシンク１２に設けたスペース１３に設置され
る。ヒートシンク１２、サーミスタ素体３、電極５、ス
ペース１３で構成されるサーミスタ１４は、電子冷却素
子７の上に設置される。半導体レーザ１とサーミスタ素
体３は、同じヒートシンク１２の同一面上で、かつ半導
体レーザ１をサーミスタ素体３のより近傍に設置するこ
とができる。したがって、半導体レーザ１とサーミスタ
素体３は、電子冷却素子７からみて同じ熱抵抗となり、
サーミスタ素体３は電子冷却素子７からみた半導体レー
ザ１の温度を正確に検出することができる。このため、
半導体レーザ１に対して精度のよい温度制御ができるよ
うになる。サーミスタ１４は、図３のベアのサーミスタ
９とは異なり、サーミスタ素体３全体と、電極５のサー
ミスタ素体３に接する部分がガスで封止されている。し
たがって、サーミスタ１４では、経時的にサーミスタ素
体３と電極５が剥がれることなどが生じて抵抗値が増加
することはなく、サーミスタ素体３の信頼性が向上す
る。なお、ヒートシンク１２はＡ１Ｎ（窒化アルミニウ
ムセラミックス）でなく、Ｔ−ｃＢＮ（立方晶型窒化硼
素）でもよい。
る。図１は、本発明によるサーミスタの一実施例を示す
斜視図である。半導体レーザ１の温度を検出するための
サーミスタ素体３は、図３のヒートシンク８とは異なる
ヒートシンク１２の上に設置されている。ヒートシンク
１２の材料はＡ１Ｎ（窒化アルミニウムセラミックス）
である。半導体レーザ１は、サーミスタ素体３を設置し
たヒートシンク１２に設けたスペース１３に設置され
る。ヒートシンク１２、サーミスタ素体３、電極５、ス
ペース１３で構成されるサーミスタ１４は、電子冷却素
子７の上に設置される。半導体レーザ１とサーミスタ素
体３は、同じヒートシンク１２の同一面上で、かつ半導
体レーザ１をサーミスタ素体３のより近傍に設置するこ
とができる。したがって、半導体レーザ１とサーミスタ
素体３は、電子冷却素子７からみて同じ熱抵抗となり、
サーミスタ素体３は電子冷却素子７からみた半導体レー
ザ１の温度を正確に検出することができる。このため、
半導体レーザ１に対して精度のよい温度制御ができるよ
うになる。サーミスタ１４は、図３のベアのサーミスタ
９とは異なり、サーミスタ素体３全体と、電極５のサー
ミスタ素体３に接する部分がガスで封止されている。し
たがって、サーミスタ１４では、経時的にサーミスタ素
体３と電極５が剥がれることなどが生じて抵抗値が増加
することはなく、サーミスタ素体３の信頼性が向上す
る。なお、ヒートシンク１２はＡ１Ｎ（窒化アルミニウ
ムセラミックス）でなく、Ｔ−ｃＢＮ（立方晶型窒化硼
素）でもよい。
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるサー
ミスタでは、半導体レーザを、温度センサ部分であるサ
ーミスタ素体のより近傍で、かつ同じヒートシンクの同
一面上に設置することができるので、半導体レーザの温
度を正確に検出でき、半導体レーザの温度制御を精度よ
く行うことができる。また、サーミスタ素体をガラスで
封止することにより、サーミスタ素体の信頼性が向上す
る。したがって、本発明によるサーミスタを用いれば、
サーミスタ素体の信頼性の向上と、半導体レーザの精度
のよい温度制御が同時に保証できる。
ミスタでは、半導体レーザを、温度センサ部分であるサ
ーミスタ素体のより近傍で、かつ同じヒートシンクの同
一面上に設置することができるので、半導体レーザの温
度を正確に検出でき、半導体レーザの温度制御を精度よ
く行うことができる。また、サーミスタ素体をガラスで
封止することにより、サーミスタ素体の信頼性が向上す
る。したがって、本発明によるサーミスタを用いれば、
サーミスタ素体の信頼性の向上と、半導体レーザの精度
のよい温度制御が同時に保証できる。
【図１】本発明によるサーミスタの一実施例を示す斜視
図である。
図である。
【図２】従来のサーミスタを用いた半導体レーザモジュ
ールの温度制御部分の構成を示す斜視図である。
ールの温度制御部分の構成を示す斜視図である。
【図３】従来のサーミスタを用いた半導体レーザモジュ
ールの温度制御部分の他構成を示す斜視図である。
ールの温度制御部分の他構成を示す斜視図である。
１ 半導体レーザ ２ ヒートシンク ３ サーミスタ素体 ４ 基板 ５ 電極 ６ サーミスタ ７ 電子冷却素子 ８ ヒートシンク ９ サーミスタ １０ ステム １１ 電極 １２ ヒートシンク １３ スペース １４ サーミスタ
Claims (5)
- 【請求項１】 ヒートシンク基板と前記ヒートシンク基
板上に設置されたサーミスタ素体から構成されるサーミ
スタにおいて、前記ヒートシンク基板上に温度制御対象
物を設置するスペースを設けていることを特徴とするサ
ーミスタ。 - 【請求項２】 前記温度制御対象物が半導体レーザであ
ることを特徴とする請求項１記載のサーミスタ。 - 【請求項３】 前記サーミスタ素体がガラスで封止され
ていることを特徴とする請求項１記載のサーミスタ。 - 【請求項４】 前記ヒートシンクの材料がＴ−ｃＢＮ
（立方晶型窒化硼素）であることを特徴とする請求項１
記載のサーミスタ。 - 【請求項５】 前記ヒートシンクの材料がＡ１Ｎ（窒化
アルミニウムセラミックス）であることを特徴とする請
求項１記載のサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35149293A JPH07202322A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35149293A JPH07202322A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202322A true JPH07202322A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18417668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35149293A Pending JPH07202322A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202322A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232679A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | 半導体レーザモジュールおよび光伝送システム |
| JP4609818B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2011-01-12 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513843A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 放熱部品および該放熱部品を備えた半導体レーザー |
| JPH0555710A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Nec Corp | 半導体レーザモジユール |
| JPH0525756B2 (ja) * | 1984-06-25 | 1993-04-13 | Mitsui Toatsu Chemicals | |
| JPH05160520A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-06-25 | Sharp Corp | 光半導体素子用パッケージ |
| JPH05224100A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| JPH05315705A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH06326382A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Koshin Kogaku:Kk | 外部共振半導体レーザー |
| JPH07130922A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Fujitsu Ltd | 冷却装置付半導体装置 |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP35149293A patent/JPH07202322A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525756B2 (ja) * | 1984-06-25 | 1993-04-13 | Mitsui Toatsu Chemicals | |
| JPH0513843A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 放熱部品および該放熱部品を備えた半導体レーザー |
| JPH0555710A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Nec Corp | 半導体レーザモジユール |
| JPH05160520A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-06-25 | Sharp Corp | 光半導体素子用パッケージ |
| JPH05224100A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| JPH05315705A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH06326382A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Koshin Kogaku:Kk | 外部共振半導体レーザー |
| JPH07130922A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Fujitsu Ltd | 冷却装置付半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232679A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | 半導体レーザモジュールおよび光伝送システム |
| JP4609818B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2011-01-12 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980224 |