JPH07183098A - マイクロ波増強装置を備えたプラズマ・スパッタリング装置 - Google Patents
マイクロ波増強装置を備えたプラズマ・スパッタリング装置Info
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- JPH07183098A JPH07183098A JP6253304A JP25330494A JPH07183098A JP H07183098 A JPH07183098 A JP H07183098A JP 6253304 A JP6253304 A JP 6253304A JP 25330494 A JP25330494 A JP 25330494A JP H07183098 A JPH07183098 A JP H07183098A
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- Japan
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- microwave
- plasma
- sputtering apparatus
- cathode
- plasma sputtering
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32247—Resonators
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング・プロセスでの放電電圧を低
減し得るプラズマ・スパックリング装置を提供すること
にある。 【構成】 本発明のプラズマ・スパッタリング装置はマ
イクロ波共振器（２１、２２）からマイクロ波をプラズ
マ・ボリューム内に送るときに、スパッタリング電極の
暗スペースを通ることがないように、マイクロ波が通る
スリット・システム（１９、２０および３１、３３）を
具備する。
減し得るプラズマ・スパックリング装置を提供すること
にある。 【構成】 本発明のプラズマ・スパッタリング装置はマ
イクロ波共振器（２１、２２）からマイクロ波をプラズ
マ・ボリューム内に送るときに、スパッタリング電極の
暗スペースを通ることがないように、マイクロ波が通る
スリット・システム（１９、２０および３１、３３）を
具備する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特許請求の範囲の請求項
１の前文部分に記載したプラズマ・スパッタリング装置
に関する。
１の前文部分に記載したプラズマ・スパッタリング装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の装置は、たとえば、ガラス板、
合成材料フィルムなどに薄い層を塗布する時に用いられ
る。これらの薄い層は非常に異なった目的を果たすこと
が多い。たとえば、コートした窓は特定の波長の光を反
射あるいは透過させるが、コートしたプラスチック・ア
イ・ガラスはより硬い面を受けるようになっている。コ
ンパクト・ディスクの場合、問題点はレーザビームの反
射または無反射であり、これが音楽あるいは音声につい
ての情報を含んでいる。
合成材料フィルムなどに薄い層を塗布する時に用いられ
る。これらの薄い層は非常に異なった目的を果たすこと
が多い。たとえば、コートした窓は特定の波長の光を反
射あるいは透過させるが、コートしたプラスチック・ア
イ・ガラスはより硬い面を受けるようになっている。コ
ンパクト・ディスクの場合、問題点はレーザビームの反
射または無反射であり、これが音楽あるいは音声につい
ての情報を含んでいる。
【０００３】薄い層を塗布する方法は、既に数多く提案
されており、電鋳技術とプラズマのコーティング・アウ
トのみが知られている。
されており、電鋳技術とプラズマのコーティング・アウ
トのみが知られている。
【０００４】プラズマのコーティング・アウトでは、い
わゆるスパッタリング技術が非常に重要であると考えら
れている。スパッタリング技術では、或る特別の金属か
らなるターゲットを電極のところに置き、荷電粒子、た
とえば、イオンを衝突させることによってスパッタリン
グする。スパッタリングされた粒子は次に基体、たとえ
ば、ガラス板上に積層される。
わゆるスパッタリング技術が非常に重要であると考えら
れている。スパッタリング技術では、或る特別の金属か
らなるターゲットを電極のところに置き、荷電粒子、た
とえば、イオンを衝突させることによってスパッタリン
グする。スパッタリングされた粒子は次に基体、たとえ
ば、ガラス板上に積層される。
【０００５】In-O、 Sn-O、 Zn-O、 Cd-Sn-O またはCd-In-
O のターゲット材料からなる透明な導電層を作るための
公知の構造では、ターゲットの表面上の磁界の強さは60
0 Oe以上であり、高周波交流電圧を重畳した直流電圧が
ターゲットに供給される(EP-A-0 447 850)。ここで用い
られるターゲット材料は、少量のSnを添加したIn-O（し
ばしば、ＩＴＯと呼ばれる）であり、非常に低い抵抗値
を持つ層を形成する。スパッタリング効果を改善するた
めに、プラズマにマイクロ波を送り込むことは公知であ
る(US-A-610 770、 US-A-4 721 553、 DE-A-3 920 834、 J
P-A-62 170 475、 JP Patents Abstracts C-469、 Januar
y 16, 1988, Vol.12、 No. 15; JP-A-63297 557、 JP Pat
ents Abstracts C-581、 April 4、 1989、 Vol. 13、 No.
134) 。ここで、マイクロ波は基体表面に対して平行あ
るいは直角にプラズマ領域に導入される。
O のターゲット材料からなる透明な導電層を作るための
公知の構造では、ターゲットの表面上の磁界の強さは60
0 Oe以上であり、高周波交流電圧を重畳した直流電圧が
ターゲットに供給される(EP-A-0 447 850)。ここで用い
られるターゲット材料は、少量のSnを添加したIn-O（し
ばしば、ＩＴＯと呼ばれる）であり、非常に低い抵抗値
を持つ層を形成する。スパッタリング効果を改善するた
めに、プラズマにマイクロ波を送り込むことは公知であ
る(US-A-610 770、 US-A-4 721 553、 DE-A-3 920 834、 J
P-A-62 170 475、 JP Patents Abstracts C-469、 Januar
y 16, 1988, Vol.12、 No. 15; JP-A-63297 557、 JP Pat
ents Abstracts C-581、 April 4、 1989、 Vol. 13、 No.
134) 。ここで、マイクロ波は基体表面に対して平行あ
るいは直角にプラズマ領域に導入される。
【０００６】また、マイクロ波を同軸または別体の中空
導波管を経てターゲットの表面と全く平行に基体とター
ゲットの間に導入するマグネトロン・スパッタリング装
置も知られている(Y. Yoshida: Microwave-enhanced ma
gnetron sputtering, Rev. Sci. Instrum. 63(1), Janu
ary 1992, pp. 179 - 183; Y. Yoshida: Property ofa
Microwave Magnetron Plasma Source Inside a Coaxial
Line, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 31, 1992, pp. 1480
-1484; DE-A-4 210 284) 。これらの中空導波管はそれ
らの端で比較的大きな直径となっており、共振器を含ん
でいない。
導波管を経てターゲットの表面と全く平行に基体とター
ゲットの間に導入するマグネトロン・スパッタリング装
置も知られている(Y. Yoshida: Microwave-enhanced ma
gnetron sputtering, Rev. Sci. Instrum. 63(1), Janu
ary 1992, pp. 179 - 183; Y. Yoshida: Property ofa
Microwave Magnetron Plasma Source Inside a Coaxial
Line, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 31, 1992, pp. 1480
-1484; DE-A-4 210 284) 。これらの中空導波管はそれ
らの端で比較的大きな直径となっており、共振器を含ん
でいない。
【０００７】大きな拡張性および均質性を有するマイク
ロ波・プラズマを発生する別の公知の装置では、供給用
導波管からのマイクロ波エネルギは第２導波管で定めら
れ、加工領域において均質なプラズマを発生できるよう
に出力を変えられる(DD-A-263 648)。しかしながら、こ
の装置はスパッタリング装置に関係がない。このことは
放電室の表面に誘電体プレートを設ける他のマイクロ波
プラズマ装置(DE-A-4134 900)にも当てはまる。
ロ波・プラズマを発生する別の公知の装置では、供給用
導波管からのマイクロ波エネルギは第２導波管で定めら
れ、加工領域において均質なプラズマを発生できるよう
に出力を変えられる(DD-A-263 648)。しかしながら、こ
の装置はスパッタリング装置に関係がない。このことは
放電室の表面に誘電体プレートを設ける他のマイクロ波
プラズマ装置(DE-A-4134 900)にも当てはまる。
【０００８】最後に、マイクロ波導波管共振器と１つ以
上のカップリング領域を備えるグロー放電発生装置が知
られている(DE-A-4 113 142)。この装置はマイクロ波導
波管共振器を包含するが、スパッタリング装置ではな
い。
上のカップリング領域を備えるグロー放電発生装置が知
られている(DE-A-4 113 142)。この装置はマイクロ波導
波管共振器を包含するが、スパッタリング装置ではな
い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】公衆審査にさらされて
いない特許出願では、プラズマにマイクロ波を照射する
という有利な方法が示唆されている(P 42 30 290.0、 P
42 30 291.9)。しかしながら、ターゲットのスパッタリ
ング中、特にＩＴＯスパッタリング中の放電電圧が比較
的高い。
いない特許出願では、プラズマにマイクロ波を照射する
という有利な方法が示唆されている(P 42 30 290.0、 P
42 30 291.9)。しかしながら、ターゲットのスパッタリ
ング中、特にＩＴＯスパッタリング中の放電電圧が比較
的高い。
【００１０】したがって、本発明はスパッタリング・プ
ロセスでの放電電圧を低減することを目的とする。
ロセスでの放電電圧を低減することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的は特許請求の範
囲の請求項１の特徴記載部分によって達成される。すな
わち、或る電位にあるターゲットと、ターゲットの前に
あるプラズマ・ボリューム内へマイクロ波を送り込むマ
イクロ波源と、ターゲットの前にあるプラズマ・ボリュ
ームとを備えたプラズマ・スパッタリング装置におい
て、ターゲットを取り囲む少なくとも１つのマイクロ波
リング共振器と、マイクロ波共振器からプラズマ・ボリ
ューム内へ送られるときにマイクロ波が通るスリット・
システムとを包含することを特徴とするプラズマ・スパ
ッタリング装置が提供される。
囲の請求項１の特徴記載部分によって達成される。すな
わち、或る電位にあるターゲットと、ターゲットの前に
あるプラズマ・ボリューム内へマイクロ波を送り込むマ
イクロ波源と、ターゲットの前にあるプラズマ・ボリュ
ームとを備えたプラズマ・スパッタリング装置におい
て、ターゲットを取り囲む少なくとも１つのマイクロ波
リング共振器と、マイクロ波共振器からプラズマ・ボリ
ューム内へ送られるときにマイクロ波が通るスリット・
システムとを包含することを特徴とするプラズマ・スパ
ッタリング装置が提供される。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例を図面に示し、以下、それを
詳しく説明する。
詳しく説明する。
【００１３】図１にはプラズマ室１の断面が示してあ
り、そのハウジング２のみが示してある。このハウジン
グ２内で、コートしようとしている基体３が支持体４上
に配置してあり、この支持体は電源６の正極に電線５を
介して接続している。ここで、基体３の取付部として役
立つ支持体４が固定配置する必要が無いということは了
解されたい。一般にインライン設備では可動キャリヤで
ある。支持体４は、また、正電位に接続する必要は無
く、むしろ、電気的な絶縁要素として設けてもよいし、
あるいは、特殊な電圧源に接続してもよい。特殊な電圧
源の場合、バイアス電圧を設定し、その助けによって、
基体３に衝突するイオンのエネルギの大きさを幾分制御
することができる。
り、そのハウジング２のみが示してある。このハウジン
グ２内で、コートしようとしている基体３が支持体４上
に配置してあり、この支持体は電源６の正極に電線５を
介して接続している。ここで、基体３の取付部として役
立つ支持体４が固定配置する必要が無いということは了
解されたい。一般にインライン設備では可動キャリヤで
ある。支持体４は、また、正電位に接続する必要は無
く、むしろ、電気的な絶縁要素として設けてもよいし、
あるいは、特殊な電圧源に接続してもよい。特殊な電圧
源の場合、バイアス電圧を設定し、その助けによって、
基体３に衝突するイオンのエネルギの大きさを幾分制御
することができる。
【００１４】基体３に対向してスパッタリング電極７が
設けてあり、このスパッタリング電極はカソード・チュ
ーブ８に接続している。カソード・チューブ８には電源
６の負極が接続してある。カソード・チューブ８は電気
絶縁体９、１０上に乗っており、これらの電気絶縁体は
共振器ハウジング１１、１２に乗っており、シールリン
グ１３、１４を包含する。
設けてあり、このスパッタリング電極はカソード・チュ
ーブ８に接続している。カソード・チューブ８には電源
６の負極が接続してある。カソード・チューブ８は電気
絶縁体９、１０上に乗っており、これらの電気絶縁体は
共振器ハウジング１１、１２に乗っており、シールリン
グ１３、１４を包含する。
【００１５】カソード・チューブ８内で、３つの永久磁
石１５〜１７がヨーク１８に接続している。スパッタリ
ング電極７の両側には共振器ハウジング１１、１２の開
口を表すスリット・システムが設けてある。共振器ハウ
ジング１１、１２内には、第１スリット１９または２０
および第２スリット３１または３３が設けてあり、これ
らのスリットは分離パネル３２または３４によって互い
に隔離されている。分離パネル３２、３４は銅、モリブ
デンあるいはアルミニウムのような金属からなる。しか
しながら、テフロン、 石英、トロロン（Trolon）あるい
はポリスチレンのような低損失誘電体からなるものでも
よい。スリット１９、３１または２０、３３の数は２つ
に限らない。スリットの数が多くなれば、それだけ共振
器からプラズマ・ボリュームへの単位距離当たりのマイ
クロ波エネルギが多くなる。しかしながら、スリットの
数が多すぎると、単位距離当たりのマイクロ波｛エネル
ギ｝が大きくなり過ぎ、マイクロ波エネルギを均一な強
さでカソードに沿ってプラズマ・ボリューム内へつなげ
ることがもはやできなくなる。一方、カソードに沿った
種々の部位で種々のレベルのマイクロ波エネルギを共振
器につなげたい場合には上記の効果を利用することがで
きる。
石１５〜１７がヨーク１８に接続している。スパッタリ
ング電極７の両側には共振器ハウジング１１、１２の開
口を表すスリット・システムが設けてある。共振器ハウ
ジング１１、１２内には、第１スリット１９または２０
および第２スリット３１または３３が設けてあり、これ
らのスリットは分離パネル３２または３４によって互い
に隔離されている。分離パネル３２、３４は銅、モリブ
デンあるいはアルミニウムのような金属からなる。しか
しながら、テフロン、 石英、トロロン（Trolon）あるい
はポリスチレンのような低損失誘電体からなるものでも
よい。スリット１９、３１または２０、３３の数は２つ
に限らない。スリットの数が多くなれば、それだけ共振
器からプラズマ・ボリュームへの単位距離当たりのマイ
クロ波エネルギが多くなる。しかしながら、スリットの
数が多すぎると、単位距離当たりのマイクロ波｛エネル
ギ｝が大きくなり過ぎ、マイクロ波エネルギを均一な強
さでカソードに沿ってプラズマ・ボリューム内へつなげ
ることがもはやできなくなる。一方、カソードに沿った
種々の部位で種々のレベルのマイクロ波エネルギを共振
器につなげたい場合には上記の効果を利用することがで
きる。
【００１６】スリット開口部の幅はプラズマがスリット
開口部内で点火される最短距離によって決まる。ガス圧
力および磁場に応じて、この距離は0.5 mmから3 mmであ
る。スリット幅は、プラズマがスリット内で燃焼できな
いように選ばなければならない。これらのスリットに対
して平行にカソード暗スペース３５または３６が延びて
いる。３５、３６で示す暗スペースはカソードと接地電
位にある共振器ハウジング１１、１２の外壁との間の暗
スペースである。
開口部内で点火される最短距離によって決まる。ガス圧
力および磁場に応じて、この距離は0.5 mmから3 mmであ
る。スリット幅は、プラズマがスリット内で燃焼できな
いように選ばなければならない。これらのスリットに対
して平行にカソード暗スペース３５または３６が延びて
いる。３５、３６で示す暗スペースはカソードと接地電
位にある共振器ハウジング１１、１２の外壁との間の暗
スペースである。
【００１７】スリット・システムは反射シート２３、２
４によって境されており、これらの反射シートの下には
カソード遮断箱２５、２６が配置してあり、これは電磁
石２７、２８を取り囲んでいる。ガス入口パイプが２
９、３０で示されている。
４によって境されており、これらの反射シートの下には
カソード遮断箱２５、２６が配置してあり、これは電磁
石２７、２８を取り囲んでいる。ガス入口パイプが２
９、３０で示されている。
【００１８】共振器２１または２２はギガヘルツ範囲の
マイクロ波周波数、好ましくは2.45GHz で作動する。共
振器２１、２２の寸法を小さく保つために、それらの内
部ボリュームにはマイクロ波低損失誘電体、たとえば、
テフロン、 Trolon、 ポリスチレンなどが満たしてある。
マイクロ波周波数、好ましくは2.45GHz で作動する。共
振器２１、２２の寸法を小さく保つために、それらの内
部ボリュームにはマイクロ波低損失誘電体、たとえば、
テフロン、 Trolon、 ポリスチレンなどが満たしてある。
【００１９】マイクロ波共振器１１、１２；２１、２２
は接地電位にあり、テフロン絶縁体９、１０によって負
電位にあるカソードから隔離されている。
は接地電位にあり、テフロン絶縁体９、１０によって負
電位にあるカソードから隔離されている。
【００２０】マイクロ波エネルギはスリット１９、３
１；２０、３３を経て共振器２１、２２からプラズマ・
ボリューム内に送られる。ここで、この構成では、暗ス
ペース３５、３６内でアークを発生させることになるの
で、マイクロ波エネルギがカソード８の暗スペース３
５、３６を通してプラズマ内へ通ることがないことが重
要である。また、さらに電磁石２７、２８を用い、これ
らの電磁石がカソード遮断箱２５、２６によって囲まれ
たプラズマ内でマイクロ波エネルギのイオン化効果を高
める。
１；２０、３３を経て共振器２１、２２からプラズマ・
ボリューム内に送られる。ここで、この構成では、暗ス
ペース３５、３６内でアークを発生させることになるの
で、マイクロ波エネルギがカソード８の暗スペース３
５、３６を通してプラズマ内へ通ることがないことが重
要である。また、さらに電磁石２７、２８を用い、これ
らの電磁石がカソード遮断箱２５、２６によって囲まれ
たプラズマ内でマイクロ波エネルギのイオン化効果を高
める。
【００２１】図２には図１の構成が斜視図で示されてい
る。ここで、マイクロ波に送られる導波管Ｔ要素４０が
明らかでる。このＴ要素は横方向の矩形導波管４２とそ
れに対して直角に延びる矩形導波管４１とからなる。４
３は導波管４１内へ送られるマイクロ波を示している。
横方向導波管４２は下向きに開いており、その結果、そ
こから出るマイクロ波５０、５１が下方に配置した共振
器１１、１２に達する。スリット１９、３１または２
０、３３からは、波形矢印５３、５４または５６、５
７、５８によって示すマイクロ波が出る。
る。ここで、マイクロ波に送られる導波管Ｔ要素４０が
明らかでる。このＴ要素は横方向の矩形導波管４２とそ
れに対して直角に延びる矩形導波管４１とからなる。４
３は導波管４１内へ送られるマイクロ波を示している。
横方向導波管４２は下向きに開いており、その結果、そ
こから出るマイクロ波５０、５１が下方に配置した共振
器１１、１２に達する。スリット１９、３１または２
０、３３からは、波形矢印５３、５４または５６、５
７、５８によって示すマイクロ波が出る。
【００２２】共振器の下部は上部と同じなので図２には
詳しく示していない。マイクロ波を送る導波管のみが省
略してある。こうして、閉じた回路が完成する。
詳しく示していない。マイクロ波を送る導波管のみが省
略してある。こうして、閉じた回路が完成する。
【００２３】図１、２に示すカソードが矩形カソードな
ので、リング共振器も矩形である。もし丸いカソードを
用いるならば、円形のリング共振器が有利であろう。
ので、リング共振器も矩形である。もし丸いカソードを
用いるならば、円形のリング共振器が有利であろう。
【００２４】
【発明の効果】本発明で達成される利点は、特にここで
は、スパッタリング中の放電電圧がかなり低減され、た
とえば、ＩＴＯスパッタリングの場合には２７０Ｖから
−１００Ｖまで低下去ることにある。この効果は、マイ
クロ波が種々のスリット形態を経てプラズマ・ボリュー
ム内へ送り込まれ、付加的なイオン化に貢献し、その結
果、放電電圧を低下させるマイクロ波リング共振器を用
いる結果である。本発明ではマイクロ波結合はカソード
の暗スペースを通しては生じず、むしろ別個のスリット
を通して生じ、火花放電が生じるアークを避けることが
できる。本発明によるリング共振器構造は非常にコンパ
クトであり、簡単である。これは長いカソードと容易に
組み合わせることができる。さらに、リング共振器は端
面に干渉反射を全く持たない点で有利である。
は、スパッタリング中の放電電圧がかなり低減され、た
とえば、ＩＴＯスパッタリングの場合には２７０Ｖから
−１００Ｖまで低下去ることにある。この効果は、マイ
クロ波が種々のスリット形態を経てプラズマ・ボリュー
ム内へ送り込まれ、付加的なイオン化に貢献し、その結
果、放電電圧を低下させるマイクロ波リング共振器を用
いる結果である。本発明ではマイクロ波結合はカソード
の暗スペースを通しては生じず、むしろ別個のスリット
を通して生じ、火花放電が生じるアークを避けることが
できる。本発明によるリング共振器構造は非常にコンパ
クトであり、簡単である。これは長いカソードと容易に
組み合わせることができる。さらに、リング共振器は端
面に干渉反射を全く持たない点で有利である。
【図１】マイクロ波照射するマグネトロン・カソードを
持つプラズマ室の断面図である。
持つプラズマ室の断面図である。
【図２】プラズマ室内へマイクロ波を照射する領域の斜
視図である。
視図である。
１ プラズマ室 ２ ハウジング ３ 基体 ４ 支持体 ５ 電線 ６ 電源 ７ スパッタリング電極 ８ カソード・チューブ ９ 電気絶縁体 １０ 電気絶縁体 １１ 共振器ハウジング １２ 共振器ハウジング １３ シールリング １４ シールリング １５ 永久磁石 １６ 永久磁石 １７ 永久磁石 １８ ヨーク １９ 第１スリット ２０ 第１スリット ２３ 反射シート ２４ 反射シート ２５ カソード遮断箱 ２６ カソード遮断箱 ２７ 電磁石 ２８ 電磁石 ２９ ガス入口パイプ ３０ ガス入口パイプ ３１ 第２スリット ３２ 分離パネル ３３ 第２スリット ３４ 分離パネル ３５ 暗スペース ３６ 暗スペース ４０ 導波管Ｔ要素 ４１ 矩形導波管 ４２ 横方向導波管 ４３ マイクロ波 ５０ マイクロ波 ５１ マイクロ波 ５３ マイクロ波 ５４ マイクロ波 ５６ マイクロ波 ５７ マイクロ波 ５８ マイクロ波
Claims (10)
- 【請求項１】 マイクロ波増強装置を備えたプラズマ・
スパッタリング装置であって、ａ）或る電位にあるター
ゲットと、ｂ）ターゲットの前にあるプラズマ・ボリュ
ーム内へマイクロ波を送り込むマイクロ波源と、ｃ）タ
ーゲットの前にあるプラズマ・ボリュームとを備えたプ
ラズマ・スパッタリング装置において、ｄ）ターゲット
を取り囲む少なくとも１つのマイクロ波リング共振器
と、ｅ）マイクロ波共振器からプラズマ・ボリューム内
へ送られるときにマイクロ波が通るスリット・システム
とを包含することを特徴とするプラズマ・スパッタリン
グ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ・スパッタリン
グ装置において、前記マイクロ波リング共振器に誘電体
が満たしてあることを特徴とするプラズマ・スパッタリ
ング装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のプラズマ・スパッタリン
グ装置において、前記誘電体がテフロン、トロロン（Tr
olon）またはポリスチレンであることを特徴とするプラ
ズマ・スパッタリング装置。 - 【請求項４】 請求項１記載のプラズマ・スパッタリン
グ装置において、マイクロ波がカソード暗スペースを通
らないように前記スリット・システムが設けてあること
を特徴とするプラズマ・スパッタリング装置。 - 【請求項５】 請求項１記載のプラズマ・スパッタリン
グ装置において、前記ターゲットがマグネトロン・カソ
ードの一構成要素であることを特徴とするプラズマ・ス
パッタリング装置。 - 【請求項６】 請求項１記載のプラズマ・スパッタリン
グ装置において、マイクロ波が好ましくは2.45 GHzの周
波数であることを特徴とするプラズマ・スパッタリング
装置。 - 【請求項７】 請求項１記載のプラズマ・スパッタリン
グ装置において、前記マイクロ波リング共振器が接地電
位にあることを特徴とするプラズマ・スパッタリング装
置。 - 【請求項８】 請求項１記載のプラズマ・スパッタリン
グ装置において、前記マイクロ波リング共振器とカソー
ドの間に絶縁体が設けてあることを特徴とするプラズマ
・スパッタリング装置。 - 【請求項９】 請求項１記載のプラズマ・スパッタリン
グ装置において、前記プラズマ・ボリュームが反射シー
ト（２３、２４）によって側方を境されていることを特
徴とするプラズマ・スパッタリング装置。 - 【請求項１０】 請求項１記載のプラズマ・スパッタリ
ング装置において、カソード遮断箱（２５、２６）がさ
らに設けてあり、その中に電磁石（２７、２８）が配置
してあることを特徴とするプラズマ・スパッタリング装
置。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE4336830A DE4336830A1 (de) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | Plasma-Zerstäubungsanlage mit Mikrowellenunterstützung |
| DE4336830.1 | 1993-10-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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