JPH07176457A - Method and apparatus for coating semiconductor substrate with chemicals - Google Patents
Method and apparatus for coating semiconductor substrate with chemicalsInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板への薬液塗
布方法及び塗布装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for applying a chemical solution onto a semiconductor substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３は、従来の回転塗布機における回転
塗布部分を示す概略図を示す。図３に示されるように従
来の回転塗布機は、半導体基板４に薬液を滴下するノズ
ル１と、半導体基板４を吸着し、これを回転させる真空
チャック５と、半導体基板４から振り切られた薬液を受
ける塗布カップ１４と、半導体基板４の裏面へ回り込ん
だ薬液を取り除くバックリンス用ノズル６と、半導体基
板４から飛散した薬液を排気する排気機構７と、薬液を
供給するための図示しないポンプとからなる８は真空チ
ャック５を回転させるモータである。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a schematic view showing a spin coating portion in a conventional spin coating machine. As shown in FIG. 3, the conventional spin coater has a nozzle 1 for dropping a chemical solution onto a semiconductor substrate 4, a vacuum chuck 5 for adsorbing the semiconductor substrate 4 and rotating the same, and a chemical solution shaken off from the semiconductor substrate 4. A coating cup 14 for receiving the liquid, a back rinse nozzle 6 for removing the chemical liquid that has flowed to the back surface of the semiconductor substrate 4, an exhaust mechanism 7 for exhausting the chemical liquid scattered from the semiconductor substrate 4, and a pump (not shown) for supplying the chemical liquid. Reference numeral 8 is a motor for rotating the vacuum chuck 5.
【０００３】次に従来技術の回転塗布方法を示す。円形
の半導体基板４を接触部分が円形の真空チャック５で中
心を吸着し、薬液を前記半導体基板４の中央に薬液ノズ
ル１で滴下する。塗布方法は、薬液を滴下する際に半導
体基板４が静止しているスタティック塗布と半導体基板
４を１００〜１０００ｒｐｍで回転させているダイナミ
ック塗布の二つに分けられるが、この２つの方法の差
は、薬液滴下時に基板を回転させているか静止させてい
るかの違いのみである。Next, a conventional spin coating method will be described. The center of the circular semiconductor substrate 4 is adsorbed by a vacuum chuck 5 having a circular contact portion, and a chemical liquid is dropped onto the center of the semiconductor substrate 4 by a chemical liquid nozzle 1. The coating method can be divided into two, static coating in which the semiconductor substrate 4 is stationary when the chemical solution is dropped and dynamic coating in which the semiconductor substrate 4 is rotated at 100 to 1000 rpm. The difference between these two methods is The only difference is whether the substrate is rotated or stationary when the drug droplet is dropped.
【０００４】次に、前記半導体基板４を１０００〜６０
００ｒｐｍで回転させ所望の膜厚が得られるように１０
〜３０秒程度の間薬液を塗り広げる。次に、１０００〜
３０００ｒｐｍで回転させながら、半導体基板４の裏面
にノズル６からバックリンスを噴射し、半導体基板４の
裏面に付着した薬液を除去する。塗布膜厚は、薬液の粘
度と塗布時の回転数により決定される。塗布膜厚の回転
数依存性を図４に示す。Next, the semiconductor substrate 4 is set to 1000-60.
Rotate at 00 rpm to obtain desired film thickness 10
Spread the chemical solution for about 30 seconds. Next, 1000 ~
While rotating at 3000 rpm, a back rinse is sprayed from the nozzle 6 to the back surface of the semiconductor substrate 4 to remove the chemical liquid adhering to the back surface of the semiconductor substrate 4. The coating film thickness is determined by the viscosity of the chemical solution and the number of rotations during coating. The rotation speed dependency of the coating film thickness is shown in FIG.
【０００５】次に、塗布される薬液の膜厚のバラツキの
発生原因を説明する。薬液は半導体基板４の回転により
半導体基板４上へ拡散されるが、このとき同時に溶剤が
揮発し半導体基板４へ薬液が定着する。従って、溶剤の
揮発する速さと拡散される速さとにより、塗布膜厚の分
布が決まる。薬液の揮発速度が速い場合は、中央が厚い
状態で薬液が半導体基板４へ定着し、逆に揮発速度が遅
い場合は、中央は薄く周辺が厚くなる。即ち、塗布膜厚
の分布を制御できるのは、半径方向についてのみであ
る。Next, the cause of the variation in the film thickness of the applied chemical liquid will be described. The chemical liquid is diffused onto the semiconductor substrate 4 by the rotation of the semiconductor substrate 4, and at the same time, the solvent volatilizes and the chemical liquid is fixed on the semiconductor substrate 4. Therefore, the distribution of the coating film thickness is determined by the volatilization speed and the diffusion speed of the solvent. When the chemical solution has a high volatilization rate, the chemical solution is fixed to the semiconductor substrate 4 in a thick center, and conversely, when the chemical solution has a slow volatilization rate, the center is thin and the periphery is thick. That is, the distribution of the coating film thickness can be controlled only in the radial direction.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来の回転塗布方法で
は、塗布される薬液は遠心力で常に半導体基板の中心か
ら半径方向に外側へ移動する。そのため図５（ａ），
（ｂ）に示されるように、半径方向のパターン１２と円
周方向のパターン１３とでは塗布膜１４の塗布状態に差
が発生してしまう。図６に示すように、この塗布状態の
違いは、半導体基板上にすべて同じ向きに半導体装置を
作成する現在の露光装置では、半導体装置内で同一のパ
ターンであっても半導体基板上の位置により半径方向パ
ターン１２と円周方向パターン１３となるもの及びその
中間のものがあり、同一半導体基板内で作られた半導体
装置であっても面内で薬液の塗布状態の違いにより寸法
や形状が変化してしまうという問題を引き起こす。In the conventional spin coating method, the applied chemical liquid is always moved radially outward from the center of the semiconductor substrate by the centrifugal force. Therefore, as shown in FIG.
As shown in (b), a difference occurs in the coating state of the coating film 14 between the pattern 12 in the radial direction and the pattern 13 in the circumferential direction. As shown in FIG. 6, this difference in the coating state depends on the position on the semiconductor substrate in the current exposure apparatus that manufactures semiconductor devices in the same direction on the semiconductor substrate, even if the patterns are the same in the semiconductor device. There are a radial pattern 12 and a circumferential pattern 13 and intermediate ones. Even semiconductor devices manufactured on the same semiconductor substrate have different sizes and shapes due to differences in the coating state of the chemical solution within the plane. Cause the problem of doing.
【０００７】さらに、同心円上に発生する塗布ムラの他
にストリエーションとよばれる放射線状に発生する塗布
ムラもある。このムラは、薬液が中心付近から外周方向
にのみ移動することが原因で発生する。また、マスクと
ウエハの位置合わせのため、ウエハ上にアライメントマ
ークと呼ぶマークを形成するが、アライメントマークも
凹凸によって形成されているので前記塗布ムラが発生
し、アライメントに光を用いた場合には膜厚の変化によ
り干渉縞が発生し、特に円周方向パターンとなる場合は
図７（ａ），（ｂ）に示したように干渉縞１５がパター
ンに非対称に発生し、アライメント誤差が発生するとい
う問題もある。Further, in addition to the coating unevenness that occurs on the concentric circles, there is also radial coating unevenness called striation. This unevenness is caused by the fact that the chemical moves only from the vicinity of the center toward the outer circumference. Further, in order to align the mask and the wafer, a mark called an alignment mark is formed on the wafer. However, since the alignment mark is also formed by unevenness, the coating unevenness occurs and when light is used for alignment, Interference fringes are generated due to the change of the film thickness, and particularly in the case of a circumferential pattern, the interference fringes 15 are asymmetrically generated in the pattern as shown in FIGS. 7A and 7B, and an alignment error is generated. There is also a problem.
【０００８】本発明の目的は、パターン方向の違いによ
る塗布ムラとストリエーションの発生をなくした半導体
基板への薬液塗布方法及び塗布装置を提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a method and apparatus for applying a chemical solution to a semiconductor substrate, which eliminates the occurrence of coating unevenness and striations due to the difference in pattern direction.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体基板への薬液塗布方法は、半導
体基板に異なる２種類の回転を与えることにより、該基
板上に薬液を塗布する半導体基板への薬液塗布方法であ
って、半導体基板に与える第１の回転は、半導体基板の
中心を回転中心とする回転であり、半導体基板に与える
第２の回転は、半導体基板の中心以外を回転中心とする
回転である。In order to achieve the above-mentioned object, a method for applying a chemical liquid to a semiconductor substrate according to the present invention applies the chemical liquid onto the substrate by applying two different kinds of rotations to the semiconductor substrate. In the method of applying a chemical solution to a semiconductor substrate, the first rotation given to the semiconductor substrate is rotation about the center of the semiconductor substrate, and the second rotation given to the semiconductor substrate is other than the center of the semiconductor substrate. The rotation is the center of rotation.
【００１０】また、第１の回転により半導体基板を低速
回転させることにより、半導体基板上に薬液を拡散さ
せ、第２の回転により半導体基板を高速回転させること
により、半導体基板上での薬液の膜厚を均一化させるも
のである。Further, by rotating the semiconductor substrate at a low speed by the first rotation, the chemical liquid is diffused on the semiconductor substrate, and by rotating the semiconductor substrate at a high speed by the second rotation, the film of the chemical liquid on the semiconductor substrate is formed. The thickness is made uniform.
【００１１】また、本発明に係る半導体基板への薬液塗
布装置は、第１の回転機構と第２の回転機構とを有し、
半導体基板に異なる２種類の回転を与えることにより、
該基板上に薬液を塗布する半導体基板への薬液塗布装置
であって、第１の回転機構は、第２の回転機構を支持し
て回転するものであり、第２の回転機構は、第１の回転
機構の回転中心からずれた位置で該第１の回転機構に回
転可能に支持され、かつ半導体基板を支持し、該基板の
中心を回転中心として半導体基板を回転させるものであ
る。The chemical liquid coating apparatus for a semiconductor substrate according to the present invention has a first rotating mechanism and a second rotating mechanism,
By applying two different types of rotation to the semiconductor substrate,
A device for applying a chemical solution onto a semiconductor substrate for applying a chemical solution onto the substrate, wherein the first rotating mechanism supports and rotates the second rotating mechanism, and the second rotating mechanism comprises the first rotating mechanism. Is rotatably supported by the first rotating mechanism at a position deviated from the center of rotation of the rotating mechanism, supports the semiconductor substrate, and rotates the semiconductor substrate with the center of the substrate as the center of rotation.
【００１２】また、第２の回転機構は、低速回転される
ものであり、第１の回転機構は、高速回転されるもので
ある。The second rotating mechanism is rotated at a low speed, and the first rotating mechanism is rotated at a high speed.
【００１３】[0013]
【作用】半導体基板に異なる２種類の回転を与えて該基
板に薬液を塗布する。半導体基板の中心を回転中心とし
て該基板を回転させることにより、半導体基板上に薬液
を拡散させ、半導体基板の中心よりずれた位置を回転中
心として該基板を回転させることにより、半導体基板上
での薬液の膜厚を均一化させる。Function: Two different types of rotation are applied to the semiconductor substrate to apply the chemical liquid to the substrate. By rotating the substrate with the center of the semiconductor substrate as the center of rotation, the chemical liquid is diffused on the semiconductor substrate, and by rotating the substrate with the position displaced from the center of the semiconductor substrate as the center of rotation, Make the film thickness of the chemical solution uniform.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１５】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示す平面図、図２は、同縦断面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view showing Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the same.
【００１６】図において、本発明に係る半導体基板への
薬液塗布方法は、薬液を塗布すべき半導体基板４に異な
る２種類の回転を与えることにより、該基板９上に薬液
を塗布するものであり、半導体基板４に与える第１の回
転は、半導体基板４の中心を回転中心とする回転であ
り、半導体基板４に与える第２の回転は、半導体基板４
の中心以外を回転中心とする回転である。In the figure, the method for applying a chemical solution to a semiconductor substrate according to the present invention applies the chemical solution onto the substrate 9 by applying two different kinds of rotations to the semiconductor substrate 4 to which the chemical solution is applied. , The first rotation applied to the semiconductor substrate 4 is rotation about the center of the semiconductor substrate 4, and the second rotation applied to the semiconductor substrate 4 is the semiconductor substrate 4
The rotation is about the center other than the center of rotation.
【００１７】さらに、本発明に係る半導体基板への薬液
塗布方法は、第１の回転により半導体基板４を低速回転
させることにより、半導体基板４上に薬液を拡散させ、
第２の回転により半導体基板４を高速回転させることに
より、半導体基板４上での薬液の膜厚を均一化させる。Further, in the method for applying a chemical liquid to a semiconductor substrate according to the present invention, the chemical liquid is diffused on the semiconductor substrate 4 by rotating the semiconductor substrate 4 at a low speed by the first rotation,
By rotating the semiconductor substrate 4 at a high speed by the second rotation, the film thickness of the chemical solution on the semiconductor substrate 4 is made uniform.
【００１８】また本発明に係る半導体基板への薬液塗布
方法を実施する薬液塗布装置は、第１の回転機構として
の回転ステージ２と、第２の回転機構としての真空チャ
ック５，５…とを有し、半導体基板４に異なる２種類の
回転を与えることにより、該基板４上に薬液を塗布する
ものであり、回転ステージ２は、チャック５を支持して
回転するものであり、チャック５は、回転ステージ２の
回転中心からずれた位置で回転ステージ２に回転可能に
支持され、かつ半導体基板４を支持し、該基板４の中心
を回転中心として半導体基板４を回転させるものであ
る。Further, the chemical liquid coating apparatus for carrying out the chemical liquid coating method for a semiconductor substrate according to the present invention comprises a rotary stage 2 as a first rotary mechanism and vacuum chucks 5, 5 ... As a second rotary mechanism. The semiconductor substrate 4 is provided with two different types of rotations to apply the chemical liquid onto the substrate 4. The rotary stage 2 supports and rotates the chuck 5, and the chuck 5 is The semiconductor substrate 4 is rotatably supported by the rotary stage 2 at a position deviated from the center of rotation of the rotary stage 2, supports the semiconductor substrate 4, and rotates the semiconductor substrate 4 with the center of the substrate 4 as the center of rotation.
【００１９】またチャック５は、モータ８により低速回
転されるものであり、回転ステージ２は、モータ１１に
より高速回転されるものである。The chuck 5 is rotated at a low speed by a motor 8, and the rotary stage 2 is rotated at a high speed by a motor 11.
【００２０】また、回転ステージ２上には、各チャック
５の周囲を取囲んで塗布カップ３が設けられており、各
塗布カップ３で取囲まれた空間には、カップ排気ダクト
７が開口されている。A coating cup 3 is provided on the rotary stage 2 so as to surround each chuck 5, and a cup exhaust duct 7 is opened in a space surrounded by each coating cup 3. ing.
【００２１】また、各真空チャック５を回転させるモー
タ８は導線１０により図示しないコントローラに接続さ
れているとともに、回転ステージ２を回転させるモータ
１１も図示しないコントローラに接続されている。ま
た、真空チャック５は配管９を介して図示しない真空源
に接続されており、真空チャック５は半導体基板４を真
空吸着するようになっている。The motor 8 for rotating each vacuum chuck 5 is connected to a controller (not shown) by a conductor 10, and the motor 11 for rotating the rotary stage 2 is also connected to a controller (not shown). Further, the vacuum chuck 5 is connected to a vacuum source (not shown) via a pipe 9, and the vacuum chuck 5 vacuum-sucks the semiconductor substrate 4.
【００２２】また、真空チャック５に隣接させてバック
リンスノズル６が設けられている。また、導線１０，配
管９，バックリンスノズル６の配管，カップ排気ダクト
７は回転ステージ２と共に回転するため、その接続は同
軸としてある。また山液の半導体基板４への滴下のため
の薬液ノズル１は、回転ステージ２の上方に設けてあ
り、塗布ップ３の停止位置を監視するか、もしくは定位
置へ停止させ薬液ノズル１を半導体基板４の中心に移動
させ薬液を滴下する。A back rinse nozzle 6 is provided adjacent to the vacuum chuck 5. Further, since the conductor 10, the pipe 9, the pipe of the back rinse nozzle 6, and the cup exhaust duct 7 rotate together with the rotary stage 2, their connections are coaxial. Further, the chemical liquid nozzle 1 for dropping the mountain liquid onto the semiconductor substrate 4 is provided above the rotary stage 2 and monitors the stop position of the coating cup 3 or stops the chemical liquid nozzle 1 at a fixed position. The chemical solution is dropped onto the center of the semiconductor substrate 4.
【００２３】ここでは、回転ステージ２上に塗布カップ
３が２つ配置されたものを説明したが、塗布カップ３の
数は１つでも３つ以上でもよい。Here, the case where two coating cups 3 are arranged on the rotary stage 2 has been described, but the number of coating cups 3 may be one or three or more.
【００２４】次に、本発明の塗布機を用いた塗布方法に
ついて詳しく説明する。まず最初に半導体基板４を塗布
カップ３内の真空チャック５へ載せ、半導体基板４を真
空チャック５に吸着させる。次に薬液ノズル１を半導体
基板４の中央へ移動させ、薬液を滴下する。１枚目の半
導体基板４への滴下が終了したら、２枚目の半導体基板
４の中央へ薬液ノズル１を移動し薬液を半導体基板４の
中央へ滴下する。Next, the coating method using the coating machine of the present invention will be described in detail. First, the semiconductor substrate 4 is placed on the vacuum chuck 5 in the coating cup 3, and the semiconductor substrate 4 is attracted to the vacuum chuck 5. Next, the chemical solution nozzle 1 is moved to the center of the semiconductor substrate 4, and the chemical solution is dropped. When the dropping onto the first semiconductor substrate 4 is completed, the chemical liquid nozzle 1 is moved to the center of the second semiconductor substrate 4 and the chemical liquid is dropped onto the center of the semiconductor substrate 4.
【００２５】薬液の滴下が終了したら、まず前記塗布カ
ップ３内で５０〜１０００ｒｐｍで０．１〜３秒間半導
体基板４を回転させ薬液を半導体基板４上に拡散させ
る。次に前記塗布カップ３を設置した回転ステージ２を
５００〜６０００ｒｐｍで回転させ、同時に前記塗布カ
ップ３内のチャック５も１０〜２０００ｒｐｍで回転さ
せる。この２つの回転を１０〜３０秒間維持し、その後
回転ステージ２の回転を停止させ、それと同時に塗布カ
ップ３内のチャックの回転数を１０００〜３０００ｒｐ
ｍ程度の回転数とし、半導体基板４の裏面にバックリン
スノズル６から薬液を溶解する溶剤を噴射し、半導体基
板４の裏面に付着した薬液を除去する。When the dropping of the chemical liquid is completed, first, the semiconductor substrate 4 is rotated in the coating cup 3 at 50 to 1000 rpm for 0.1 to 3 seconds to diffuse the chemical liquid on the semiconductor substrate 4. Next, the rotary stage 2 provided with the coating cup 3 is rotated at 500 to 6000 rpm, and at the same time, the chuck 5 in the coating cup 3 is also rotated at 10 to 2000 rpm. These two rotations are maintained for 10 to 30 seconds, after which the rotation of the rotary stage 2 is stopped, and at the same time, the rotation speed of the chuck in the coating cup 3 is set to 1000 to 3000 rp.
The number of rotations is set to about m, and a solvent that dissolves the chemical liquid is sprayed from the back rinse nozzle 6 onto the back surface of the semiconductor substrate 4 to remove the chemical liquid adhering to the back surface of the semiconductor substrate 4.
【００２６】さらに、バックリンス液の噴射を止め、半
導体基板４の回転を１〜１０秒ほど続け、半導体基板４
の裏面へ付着したバックリンス液を乾燥させる。Further, the injection of the back rinse liquid is stopped, and the rotation of the semiconductor substrate 4 is continued for about 1 to 10 seconds.
The back rinse liquid adhering to the back surface of the is dried.
【００２７】（実施例２）図８は、本発明の実施例２を
示す図である。本実施例は、半導体基板４の中心を回転
軸として回転させる第１の回転機構と、半導体基板４の
中心以外に回転中心を持つ第２の回転機構とを塗布カッ
プ１６内に配置していることを特徴としている。本実施
例は、実施例１に比べて装置寸法が従来の塗布機に近い
大きさにできるという利点がある。尚、１７はバランス
おもりである。(Second Embodiment) FIG. 8 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. In this embodiment, a first rotating mechanism that rotates the semiconductor substrate 4 about the center of rotation and a second rotating mechanism that has a rotation center other than the center of the semiconductor substrate 4 are arranged in the coating cup 16. It is characterized by that. The present embodiment has an advantage over the first embodiment in that the size of the apparatus can be made close to that of a conventional coating machine. In addition, 17 is a balance weight.
【００２８】本実施例の動作を順を追って説明する。半
導体基板４を、第１の回転機構としての真空チャック５
に吸着する。次に薬液ノズル１を半導体基板４の中央へ
移動させ、薬液を滴下する。薬液の滴下が終了したら、
まず真空チャック５の回転を５０〜１０００ｒｐｍとし
て０．１〜３秒間半導体基板４を回転させ、薬液を半導
体基板４上に拡散する。The operation of this embodiment will be described step by step. The semiconductor substrate 4 is attached to the vacuum chuck 5 as a first rotating mechanism.
Adsorb to. Next, the chemical solution nozzle 1 is moved to the center of the semiconductor substrate 4, and the chemical solution is dropped. When the dropping of the drug solution is completed,
First, the semiconductor substrate 4 is rotated for 0.1 to 3 seconds by setting the rotation of the vacuum chuck 5 to 50 to 1000 rpm to diffuse the chemical solution onto the semiconductor substrate 4.
【００２９】次に第２の回転機構を５００〜６０００ｒ
ｐｍとし、同時に前記第１の回転数を１０〜２０００ｒ
ｐｍとする。この２つの回転を、１０〜３０秒間維持
し、次に前記第１の回転を１０〜１０００ｒｐｍとし前
記第２の回転を１０００〜３０００ｒｐｍ程度の回転数
とし、半導体基板４の裏面にバックリンス液を噴射し、
半導体基板４の裏面に付着した薬液を除去する。さら
に、バックリンス液を止め半導体基板４の回転を１〜１
０秒程度続け、半導体基板４の裏面へ付着したバックリ
ンス液を乾燥させる。Next, the second rotating mechanism is set to 500 to 6000r.
pm, and at the same time, the first rotation speed is 10 to 2000r.
pm. These two rotations are maintained for 10 to 30 seconds, then the first rotation is set to 10 to 1000 rpm, the second rotation is set to about 1000 to 3000 rpm, and a back rinse liquid is applied to the back surface of the semiconductor substrate 4. Jetting,
The chemical liquid adhering to the back surface of the semiconductor substrate 4 is removed. Further, the back rinse liquid is stopped and the rotation of the semiconductor substrate 4 is reduced by 1 to 1
The back rinse liquid attached to the back surface of the semiconductor substrate 4 is dried for about 0 seconds.
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明は半導体基板の中心を回転中心と
する第１の回転と半導体基板の中心以外を回転中心とす
る第２の回転を同時に持つため、半導体基板上を移動す
る薬液の移動する方向は、半導体基板上に固定した座標
系から観察した場合、塗布中に時間的に変化する。その
ため、パターン方向の違いにより発生する塗布ムラとス
トリエーションは時間的に平均化されるので発生しな
い。もし発生したとしても非常に軽微である。The present invention has the first rotation about the center of the semiconductor substrate as the center of rotation and the second rotation about the center of the semiconductor substrate other than the center of the semiconductor substrate at the same time. Therefore, the movement of the chemical solution moving on the semiconductor substrate. The direction of application changes temporally during coating when observed from a coordinate system fixed on the semiconductor substrate. Therefore, the coating unevenness and the striation caused by the difference in the pattern direction are averaged over time and do not occur. If it occurs, it is very slight.
【００３１】その結果、塗布膜厚の変化によるパターン
の異常を低減でき、さらにマスクとウエハの位置合わせ
のためのアライメントマークでは膜内の多重干渉の影響
を低減でき、アライメント誤差も低減可能である。As a result, pattern abnormalities due to changes in the coating film thickness can be reduced, and the alignment mark for aligning the mask and the wafer can reduce the influence of multiple interference in the film and also reduce the alignment error. .
【図１】本発明の第１の実施例の塗布機の要部を示す平
面図である。FIG. 1 is a plan view showing a main part of a coating machine according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例の塗布機の要部を示す断
面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a main part of a coating machine according to a first embodiment of the present invention.
【図３】従来の塗布機の要部の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of a conventional coating machine.
【図４】薬液の塗布特性の図である。FIG. 4 is a diagram showing application characteristics of a chemical solution.
【図５】（ａ），（ｂ）は、半導体基板上のパターン配
置図である。5A and 5B are pattern layout diagrams on a semiconductor substrate.
【図６】パターン方向による塗布状態の図である。FIG. 6 is a diagram showing a coating state according to a pattern direction.
【図７】塗布ムラによる干渉縞発生の模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram of generation of interference fringes due to coating unevenness.
【図８】本発明の第２の実施例の塗布機の要部構成を示
す、塗布カップ部の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a coating cup portion showing a main part configuration of a coating machine according to a second embodiment of the present invention.
１ 薬液ノズル ２ 回転ステージ ３ 塗布カップ ４ 半導体基板 ５ 真空チャック ６ バックリンスノズル ７ カップ排気ダクト ８ モータ １１ モータ １２ 円周方向パターン １３ 半径方向パターン 1 Chemical Liquid Nozzle 2 Rotating Stage 3 Coating Cup 4 Semiconductor Substrate 5 Vacuum Chuck 6 Back Rinse Nozzle 7 Cup Exhaust Duct 8 Motor 11 Motor 12 Circumferential Pattern 13 Radial Pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ０５Ｄ 1/40 Ａ 7717−4Ｄ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location // B05D 1/40 A 7717-4D
Claims (4)
ることにより、該基板上に薬液を塗布する半導体基板へ
の薬液塗布方法であって、 半導体基板に与える第１の回転は、半導体基板の中心を
回転中心とする回転であり、 半導体基板に与える第２の回転は、半導体基板の中心以
外を回転中心とする回転であることを特徴とする半導体
基板への薬液塗布方法。1. A method for applying a chemical solution to a semiconductor substrate by applying two different types of rotation to the semiconductor substrate, wherein the first rotation applied to the semiconductor substrate is the rotation of the semiconductor substrate. A method of applying a chemical solution to a semiconductor substrate, wherein the rotation is about a center and the second rotation is a rotation about a center other than the center of the semiconductor substrate.
させることにより、半導体基板上に薬液を拡散させ、 第２の回転により半導体基板を高速回転させることによ
り、半導体基板上での薬液の膜厚を均一化させることを
特徴とする請求項１に記載の半導体基板への薬液塗布方
法。2. A film of chemical liquid on the semiconductor substrate by rotating the semiconductor substrate at a low speed by the first rotation to diffuse the chemical liquid on the semiconductor substrate and rotating the semiconductor substrate at a high speed by the second rotation. The method for applying a chemical liquid to a semiconductor substrate according to claim 1, wherein the thickness is made uniform.
し、半導体基板に異なる２種類の回転を与えることによ
り、該基板上に薬液を塗布する半導体基板への薬液塗布
装置であって、 第１の回転機構は、第２の回転機構を支持して回転する
ものであり、 第２の回転機構は、第１の回転機構の回転中心からずれ
た位置で該第１の回転機構に回転可能に支持され、かつ
半導体基板を支持し、該基板の中心を回転中心として半
導体基板を回転させるものであることを特徴とする半導
体基板への薬液塗布装置。3. A chemical solution coating device for a semiconductor substrate, which has a first rotation mechanism and a second rotation mechanism, and applies a chemical solution to the semiconductor substrate by applying two different types of rotation to the semiconductor substrate. Then, the first rotating mechanism supports and rotates the second rotating mechanism, and the second rotating mechanism rotates the first rotating mechanism at a position deviated from the rotation center of the first rotating mechanism. An apparatus for applying a chemical liquid to a semiconductor substrate, which is rotatably supported by a mechanism, supports a semiconductor substrate, and rotates the semiconductor substrate with the center of the substrate as a rotation center.
であり、 第１の回転機構は、高速回転されるものであることを特
徴とする請求項３に記載の半導体基板への薬液塗布装
置。4. The chemical solution for a semiconductor substrate according to claim 3, wherein the second rotating mechanism is rotated at a low speed, and the first rotating mechanism is rotated at a high speed. Coating device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31215993A JPH07176457A (en) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | Method and apparatus for coating semiconductor substrate with chemicals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31215993A JPH07176457A (en) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | Method and apparatus for coating semiconductor substrate with chemicals |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176457A true JPH07176457A (en) | 1995-07-14 |
Family
ID=18025954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31215993A Pending JPH07176457A (en) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | Method and apparatus for coating semiconductor substrate with chemicals |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07176457A (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226146A (en) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Nissan Motor Co Ltd | Car antenna installing structure |
| JPS62279631A (en) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | Apparatus for manufacturing semiconductor integrated circuit device |
| JPH01281726A (en) * | 1988-05-07 | 1989-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | Chemical solution coating device for semiconductor wafer |
| JPH0263575A (en) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | Spin coater |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP31215993A patent/JPH07176457A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6226146A (en) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Nissan Motor Co Ltd | Car antenna installing structure |
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