JPH07174522A - 半導体装置の寸法測定装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 自動的に半導体装置の寸法を高速で精度良く
測定する半導体装置の寸法測定装置及び装置を得ること
を目的とする。 【構成】 半導体装置１を載置した透明載置板４の下方
にＬＥＤ照明６ａ〜６ｃを設け、第１及び第２の仰角２
４ａ、２６ａで射出した第１及び第２の光情報２３ａ、
２５ａを等距離光反射手段３０ａ，３０ｂにより等距離
となるように第１及び第２の撮像装置２９ａ，２９ｂで
受光する。この画像情報を元に半導体装置１の平坦性、
スタンドオフ、リード長さ等を求め、さらに透明載置板
４の異常を検知し、測定結果６０を表示する。 【効果】 撮像装置の台数が削減でき、正確かつ迅速に
半導体装置の寸法測定を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、寸法測定装置及び方
法、特に、表面実装型半導体装置の外観形状の寸法を測
定する寸法測定装置及び方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図３３は、例えば従来の半導体装置のリ
ード平坦性測定装置を示す構成模式図であり、図におい
て、１は半導体装置、１ａは半導体装置１のパッケー
ジ、２は半導体装置１のリード、２ａはリード２の端
面、３は半導体装置１を載置する載置台、３ａは載置台
３の繰り抜き部、４は半導体装置１を載置し載置台３ａ
に嵌め込まれた透明載置板、４ａは透明載置板４に形成
された遮光帯パターン、５は載置台３を回転させる駆動
電動機、５ａは載置台３と駆動電動機５とを接続するベ
ルト、６Ａ及び６Ｂは半導体装置１を透明載置板４を介
して下方から照明するそれぞれ第１及び第２の照明装置
である。

【０００３】７ａは半導体装置１及び遮光体パターン４
ａを撮像する第１の撮像装置、７ｂは第１の撮像装置７
ａと異なる仰角で半導体装置１及び遮光帯パターン４ａ
を撮像する第２の撮像装置、８ａ及び８ｂはそれぞれ第
１の撮像装置７ａ及び第２の撮像装置７ｂから出力され
るそれぞれ第１及び第２の画像情報、９ａ及び９ｂは第
１の画像情報８ａ及び第２の画像情報８ｂが入力される
それぞれ第１及び第２のリード端距離検出手段、１０ａ
及び１０ｂは第１のリード端距離検出手段９ａ及び第２
のリード端距離検出手段９ｂから出力されるそれぞれ第
１及び第２の距離情報、１１は第１及び第２の距離情報
１０ａ及び１０ｂが入力されるリード下面高さ検出手
段、１２はリード下面高さ検出手段１１から出力される
高さ情報である。１３は高さ情報１２が入力される記憶
装置であり、その各構成部分である区分１３ａ〜１３ｄ
から構成されている。１４は記憶装置１３から出力され
る高さ情報、１５は高さ情報１４が入力されるリード平
坦性検出手段である。

【０００４】従来のリード平坦性測定装置は上述したよ
うに構成され、次のように動作する。表面実装型の半導
体装置１は、封止樹脂であるパッケージ１ａの各側辺か
ら多数のリード２が下向きに突出しており、リード２の
先端部は外方向に水平に折り曲げられている。載置台３
は、載置台３を回転可能とする支持手段（図示しない）
で支持されている。載置台３の繰り抜き部３ａに固定さ
れた透明載置板４には、載置される半導体装置１の各側
面のリード２の端面２ａに対し、所定の距離を空け遮光
帯パターン４ａがその上面に形成されている。

【０００５】駆動電動機５は、ベルト５ａを介し載置台
３を９０度宛回転させる。また、透明載置板４上の半導
体装置１の一側面におけるリード２の端面２ａに対し、
下方から上向きに光を照射する第１の照明装置６Ａと、
斜め上方方向に光を照射する第２の照明装置６Ｂとが配
置されている。第１の撮像装置７ａは、第１の照明装置
６Ａの上方に配置され、リード２の端面２ａを撮像して
画像情報８ａを出力する。また、第２の撮像装置７ｂ
は、第２の照明装置６Ｂの斜め上方外側に配置され、リ
ード２の端面２ａを傾斜角をつけて撮像し、画像情報８
ｂを出力する。

【０００６】第１のリード端距離検出手段９ａは、リー
ド２の端面２ａと遮光帯パターン４ａとの距離を画像情
報８ａから検出する。また、第２のリード端距離検出手
段９ｂは、リード２の端面２ａと遮光帯パターン４ａと
の距離を画像情報８ｂから検出する。リード下面高さ検
出手段１１は、第１及び第２のリード端距離検出手段１
０ａ、１０ｂからのそれぞれ第１及び第２の距離情報１
０ａ、１０ｂが入力され、リード２の下面と透明載置板
４からの高さを算出する。記憶装置１３は、リード下面
高さ検出手段１１からの高さ情報１２が入力され、半導
体装置１の各側面におけるリード２の群ごとの高さ情報
を記憶装置１３の区分１３ａから１３ｄに記憶する。リ
ード平坦性検出手段１５には、記憶装置１３からの各リ
ード２の群の高さ情報１２が入力され、その高さの最大
値を平坦性として検出する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したようなリード
平坦性測定装置では、半導体装置１が位置ズレを起こさ
ないように低速で載置台３を回転するので、半導体装置
１の全てのリード平坦性を測定するのに長時間を要する
という問題点があった。また、半導体装置１のリード２
が突出する側面全てに撮像装置を配置すると、この撮像
装置が半導体装置１の自動搬送の障害となり自動搬送で
きず、また、リード２が傾斜しているので、第１の撮像
装置７ａと第２の撮像装置７ｂとは異なる位置のリード
２の端面２ａを撮像してしまい測定精度が低いという問
題点もあった。さらに、半導体装置１のバッケージ下面
を認識していないため、半導体装置１のスタンドオフ
や、リード長さを測定することができず、透明載置板４
に異常物が付着したり、傷がついたりすると測定できな
いという問題点もあった。

【０００８】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、自動搬送手段を用いて、自動的に
半導体装置の寸法を高速で測定すると共に、精度の高い
測定を可能とし、さらに、安価な半導体装置の寸法測定
装置及び方法を得ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る発明は、表面実装型半導体装置を載置し、遮光帯
パターンが形成された透明載置板と、この透明載置板の
下方に設置された照明装置と、この照明装置から発せら
れ、上記半導体装置のリードが埋設された側辺及び上記
遮光帯パターンを上記リードの軸線方向で大きい仰角及
び小さい仰角で射出したそれぞれ第１及び第２の光情報
を撮像する第１及び第２の撮像装置と、上記第１及び第
２の光情報を反射させ上記第１及び第２の撮像装置に入
光させる第１及び第２の光情報反射手段と、上記第１及
び第２の光情報反射手段と上記第１及び第２の撮像装置
との間にそれぞれ配置され、上記第１及び第２の光情報
の上記照明装置から上記第１及び第２の撮像装置までの
距離を等しくする光反射手段とを備えたものである。

【００１０】この発明の請求項第２項に係る発明は、請
求項第１項の装置に、撮像装置の画像情報を記憶する記
憶手段と、上記画像情報により半導体装置及び透明載置
板に形成された遮光帯パターンの位置を検出する位置検
出手段と、上記半導体装置と上記遮光帯パターンとの距
離を計測する距離計測手段とをさらに備えたものであ
る。

【００１１】この発明の請求項第３項に係る発明は、請
求項第２項の装置に、仰角測定パターンが形成された透
明載置板と、照明装置からの第１及び第２の光情報の仰
角を測定する仰角測定手段とをさらに備えたものであ
る。

【００１２】この発明の請求項第４項に係る発明は、請
求項第３項の装置に、距離計測手段からの距離情報及び
仰角測定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導
体装置のリードとの高さを測定する平坦性測定手段をさ
らに備えたものである。

【００１３】この発明の請求項第５項に係る発明は、請
求項第３項の装置に、距離計測手段からの距離情報及び
仰角測定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導
体装置のパッケージとの高さを測定するスタンドオフ測
定手段をさらに備えたものである。

【００１４】この発明の請求項第６項に係る発明は、請
求項第３項の装置に、距離計測手段からの距離情報及び
仰角測定手段からの仰角情報により、半導体装置のリー
ド長さを測定するリード長測定手段をさらに備えたもの
である。

【００１５】この発明の請求項第７項に係る発明は、請
求項第３項の装置に、位置検出手段からの異常情報によ
り、透明載置板上に半導体装置が載置されていない透明
載置板の異常を検知する異常検知手段をさらに備えたも
のである。

【００１６】この発明の請求項第８項に係る発明は、請
求項第３項の装置に、透明載置板上に半導体装置が載置
されていない透明載置板の異常を検知する異常検知手段
と、透明載置板と半導体装置のリードとの高さを測定す
る平坦性測定手段と、透明載置板と半導体装置のパッケ
ージとの高さを測定するスタンドオフ測定手段と、半導
体装置のリード長さを測定するリード長測定手段とを備
え、上記異常検知手段からの異常検知情報、上記平坦性
測定手段からの平坦性測定情報、上記スタンドオフ測定
手段からのスタンドオフ測定情報及び上記リード長測定
手段からのリード長測定情報により、所定の基準地と比
較して検査する検査手段をさらに備えたものである。

【００１７】この発明の請求項第９項に係る発明は、請
求項第２項の装置に、照明装置の光源はＬＥＤであり、
照明の出力の制御を行うＬＥＤ制御手段と、ＬＥＤの発
光制御及びＬＥＤの発光と連動した画像情報の記憶手段
への入力のタイミングを制御する画像入力制御手段とを
さらに備えたものである。

【００１８】この発明の請求項第１０項に係る発明は、
請求項第１項の装置に、半導体装置の大きさより小さい
画像情報の視野を持つ撮像装置を複数台備えたものであ
る。

【００１９】この発明の請求項第１１項に係る発明は、
請求項第１項の装置に、透明載置板の上方に半導体装置
の載置、取り除きを行う自動搬送手段をさらに備えたも
のである。

【００２０】この発明の請求項第１２項に係る発明は、
半導体装置一側辺のリード群とこの半導体装置を載置す
る透明載置板に形成された遮光帯パターンとを異なる２
方向から照明装置により光を照射し、上記半導体装置及
び上記遮光帯パターンを照射した２つの光情報を反射手
段により１つの撮像装置で撮像し、上記撮像装置の画像
情報をそれぞれ異なるタイミングで記憶装置に記憶し、
上記半導体装置の一側辺の個々のリードの先端位置と、
個々のリードに対応する遮光帯パターンの位置を上記光
情報の方向毎に位置検出手段で検出し、個々のリード先
端から個々のリードに対応する遮光帯パターンとの距離
を上記光情報の方向毎に距離計測手段で計測し、２つの
光情報の方向が異なる距離情報と２つの光情報の既知の
仰角から平坦性測定手段により個々のリードの平坦性を
測定し、上記記憶手段に記憶された各半導体装置のリー
ドを持つ辺の画像情報毎に平坦性を順次測定することに
より、上記半導体装置の全てのリードの下面と上記透明
載置板との高さを測定するものである。

【００２１】この発明の請求項第１３項に係る発明は、
請求項第１２項において、遮光帯パターンの位置の検出
を位置検出手段により画像情報の明るさの変化量から１
画素以下の分解能で行うものである。

【００２２】

【作用】この発明の請求項第１項においては、半導体装
置及び透明載置板を移動することなく、半導体装置の一
側辺のリード郡と遮光帯パターンを異なる二方向から見
たときの二つの光情報を反射する二つの反射手段と、別
の光反射手段により、等距離になるように一つの撮像装
置に入力する。

【００２３】この発明の請求項第２項においては、各光
学部の撮像装置の画像情報を、それぞれ異なるタイミン
グで記憶装置に記憶し、各半導体装置の一側辺の個々の
リードの先端位置と、個々のリードに対応する遮光帯パ
ターンの位置を、光情報の方向毎に位置検出手段で検出
し、個々のリード先端からの個々のリードに対応する遮
光帯パターンとの距離を、光情報の方向毎に距離計測手
段で計測する。

【００２４】この発明の請求項第３項においては、全て
の光情報の仰角を仰角測定手段で測定し、各光情報毎に
保持し、平坦性測定、スタンドオフ測定又はリード長さ
測定に仰角データを使用する。

【００２５】この発明の請求項第４項においては、距離
情報及び仰角情報から透明載置板と半導体装置のリード
との高さを測定するので、測定値が正確になる。

【００２６】この発明の請求項第５項においては、距離
情報及び仰角情報から透明載置板と半導体装置のパッケ
ージとの高さを測定するので、測定値が正確になる。

【００２７】この発明の請求項第６項においては、距離
情報及び仰角情報から半導体装置のリード長さを測定す
るので、測定値が正確になる。

【００２８】この発明の請求項第７項においては、透明
載置板上に半導体装置が載置されていない透明載置板の
異常を検知するので、透明載置板の清掃や交換時期が判
る。

【００２９】この発明の請求項第８項においては、平坦
性測定情報、スタンドオフ測定情報及びリード長測定情
報を既知の基準値で検査する。

【００３０】この発明の請求項第９項においては、画像
入力制御手段は各光学部のＬＥＤの点灯、消灯を制御
し、点灯しているＬＥＤに対応する光学部の撮像装置の
画像情報を選択し、選択された光学部以外のＬＥＤを消
灯し、ＬＥＤの発光タイミングと合わせて記憶装置にこ
の選択された画像情報の記憶を制御し、一つの画像情報
の記憶が終了したら、別の画像情報を記憶装置に記憶す
ることで、他の光学部からの光が入光しない画像情報を
記憶する。

【００３１】この発明の請求項第１０項においては、一
つの画像情報の視野の大きさよりも小さな撮像装置を複
数台横に並べたので、一つの画像情報の視野の大きさよ
りも大きな半導体装置を測定するとき、他の光の反射手
段を用いずに測定する。

【００３２】この発明の請求項第１１項においては、自
動搬送手段により半導体装置を自動的に透明載置板に載
置でき、検査結果により半導体装置の収納位置を変える
ことができる。

【００３３】この発明の請求項第１２項においては、透
明載置板に載置された半導体装置のリードの透明載置板
からの高さを、透明載置板に形成された遮光帯パターン
とリード先端を小さい仰角又は大きい仰角で見たときの
距離及び小さい仰角又は大きい仰角の角度から正確に測
定できる。

【００３４】この発明の請求項第１３項においては、位
置検出手段が１画素以下の分解能で位置を検出するの
で、位置情報が正確になる。

【００３５】

【実施例】

実施例１．図１は、この発明の実施例１による半導体装
置の寸法測定装置を示す概略構成図であり、図２はその
動作説明図である。これらの図において、表面実装型の
半導体装置１のパッケージ１ａ側面からは、多数のリー
ド２が突出している。１６は半導体装置１を真空吸着す
る吸着ヘッドであり、１７は吸着ヘッド１６を上下移動
させる吸着ヘッド駆動部、１８は吸着ヘッド駆動部１７
を水平方向に移動する移動テーブルである。

【００３６】３は半導体装置１の載置台、４は載置台３
に固定された透明載置板であり、載置される半導体装置
１の各側面のリード２群の外側上面に遮光帯パターン４
ａが形成されている（図２３）。６ａは透明載置板４の
下に取り付けられた中央ＬＥＤ照明、６ｂは透明載置板
４の斜め下方に取り付けられた第１のＬＥＤ照明、６ｃ
は透明載置板４の斜め下方で第１のＬＥＤ照明６ｂの反
対側に取り付けられた第２のＬＥＤ照明である。１９ａ
は中央ＬＥＤ照明６ａからの光２０を散乱する下方散乱
板、１９ｂは６ｂ及び６ｃからの光２０を散乱する側方
散乱板、２１は中央ＬＥＤ照明６ａからの光２０と第１
のＬＥＤ照明６ｂからの光２０とを分離し、又は中央Ｌ
ＥＤ照明６ａからの光２０と第２のＬＥＤ照明６ｃから
の光２０とを分離する遮光板、２２は第１のＬＥＤ照明
６ｂ及び第２のＬＥＤ照明６ｃからの光２０を反射し、
側方散乱板１９ｂに入光させる照明反射板である。

【００３７】２２ａは半導体装置１のリード軸線方向に
おいて半導体装置１に対して第１のＬＥＤ照明６ｂと反
射側にある第１の光学部、２２ｂは半導体装置１に対し
て第１の光学部２２ａの反射側に設けられた第２の光学
部であり、透明載置板４上に載置された半導体装置１側
面のリード２をそれぞれ別々に撮像するように配置され
ている。２３ａ及び２３ｂは半導体装置１のリード軸線
方向において透明載置板４に対し大きな第１の仰角２４
ａ及び２４ｂで第１の光学部２２ａ及び第２の光学部２
２ｂにそれぞれ入光する第１の光情報、２５ａ及び２５
ｂは第１の仰角２４ａ及び２４ｂと異なる小さな第２の
仰角２６ａ及び２６ｂでそれぞれ第１の光学部２２ａ及
び２２ｂに入光する第２の光情報である。

【００３８】２７ａ及び２７ｂはそれぞれ第１の光学部
２２ａ及び第２の光学部２２ｂに取り付けられ、それぞ
れ第１の光情報２３ａ及び第２の光情報２３ｂを反射す
る第１の光情報反射手段、２８ａ及び２８ｂはそれぞれ
第１の光学部２２ａ及び第２の光学部２２ｂに取り付け
られ、第２の光情報２５ａ及び２５ｂを反射する第２の
光情報反射手段、２９ａ及び２９ｂはそれぞれ第１の光
情報２３ａ及び２３ｂ並びに第２の光情報２５ａ及び２
５ｂが入力するそれぞれ第１の撮像装置及び第２の撮像
装置、３０ａ及び３０ｂはそれぞれ第１の光学部２２ａ
及び第２の光学部２２ｂに取り付けられ、第１の光情報
２３ａ及び２３ｂと第２の光情報２５ａ及び２５ｂのリ
ード２群とそれぞれ第１の撮像装置２９ａ及び第２の撮
像装置２９ｂまでの距離が等しくなるように、第２の光
情報反射手段２８ａ及び２８ｂで反射した第２の光情報
２５ａ及び２５ｂを反射する等距離光反射手段である。

【００３９】３１ａは第１の撮像装置２９ａから出力さ
れる第１の画像情報、３１ｂは第２の撮像装置２９ｂか
ら出力される第２の画像情報、３２は第１の画像情報３
１ａ及び第２の画像情報３１ｂが入力され記憶される画
像入力記憶手段、３３は画像入力記憶手段３２から出力
される同期信号、３４は画像情報アドレス３５と画像情
報読みだし信号３６によって画像入力記憶手段３２から
出力される画像情報、３７はこの画像情報３４が入力さ
れる位置検出手段、３８は位置検出手段３７から出力さ
れ異常検知手段４０に入力される異常情報、３９は位置
検出手段３７から出力され距離計測手段４１に入力され
る位置情報、４２ａ及び４２ｂは距離計測手段４１から
出力され平坦性測定手段４３に入力されるそれぞれ第１
及び第２のリード遮光帯パターン距離情報、４４ａは距
離計測手段４１から出力されスタンドオフ測定手段４５
に入力される第１の光情報２３ａ及び２３ｂから得られ
た第１のパッケージ遮光帯パターン距離情報、４４ｂは
第２の光情報２５ａ及び２５ｂから得られた第２のパッ
ケージ遮光帯パターン距離情報である。

【００４０】４６ａは距離計測手段４１から出力されリ
ード長測定手段４７に入力される第１の光情報２３ａ及
び２３ｂから得られた第１のリードパッケージ距離情
報、４６ｂは同じく第２の光情報２５ａ及び２５ｂから
得られた第２のリードパッケージ距離情報、４８ａは距
離計測手段４１から出力され仰角測定手段４９に入力さ
れる第１の光情報２３ａ及び２３ｂから得られた第１の
遮光パターン距離情報、４８ｂは同じく第２の光情報２
５ａ及び２５ｂから得られた第２の遮光パターン距離情
報、５０は仰角測定手段４９から出力される仰角情報、
５１はこの仰角情報５０を記憶する仰角データ、５２は
この仰角データ５１から出力され平坦性測定手段４３、
スタンドオフ測定手段４５及びリード長測定手段４７に
入力される第１の光学部２２ａ及び第２の光学部２２ｂ
毎の仰角情報である。５３は異常検出手段４０から出力
される異常検知情報５４と、平坦性測定手段４３から出
力される平坦性測定情報５５と、スタンドオフ測定手段
４５から出力されるスタンドオフ測定情報５６と、リー
ド長測定手段４７から出力されるリード長測定情報５７
と、品種データ５８で記憶されている既知の品種情報５
８ａが入力されると共に、検査結果５９と測定結果６０
を出力する検査手段である。６１はこれらの検査結果５
９と測定結果６０を表示する表示手段である。

【００４１】６２は吸着ヘッド駆動部１７を制御する吸
着ヘッド制御信号６３と、移動テーブル１８を制御する
移動テーブル制御信号６４を出力すると共に、検査結果
５９が入力され載置信号６５を出力し、さらに画像入力
完了信号６６を入力する搬送制御部である。６７は載置
信号６５と同期信号３３を入力し、中央ＬＥＤ発光信号
６８ａ、第１のＬＥＤ発光信号６８ｂ、第２のＬＥＤ発
光信号６８ｃ、第１の画像情報入力信号６９ａ及び第２
の画像情報入力信号６９ｂを出力する画像入力制御手段
である。７０は中央ＬＥＤ発光信号６８ａ、第１のＬＥ
Ｄ発光信号６８ｂ、第２のＬＥＤ発光信号６８ｃを入力
すると共に、中央ＬＥＤ照明６ａに中央ＬＥＤ制御信号
７１ａ、第１のＬＥＤ照明６ｂに第１のＬＥＤ制御信号
７１ｂ、第２のＬＥＤ照明６ｃに第２のＬＥＤ制御信号
７１ｃを出力するＬＥＤ制御手段である。

【００４２】次に、上述した半導体装置の寸法測定装置
の概略的な動作について説明する。図３は、半導体装置
の寸法測定装置の１サイクルの動作を示すタイミングチ
ャートである。図において、搬送制御部６２は、吸着ヘ
ッド駆動部１７を吸着ヘッド制御信号６３で制御し、移
動テーブル１８を移動テーブル制御信号６４で制御す
る。移動テーブル１８は、吸着ヘッド１６で吸着した半
導体装置１を吸着ヘッド駆動部１７と共に移送する。吸
着ヘッド駆動部１７は、吸着ヘッド１６を下に降ろし、
吸着された半導体装置１の吸着を外して透明載置板４上
に半導体装置１を置き（図４）、搬送制御部６２から載
置信号６５が画像入力制御手段６７に入力される。画像
入力制御手段６７は、この載置信号６５が入力されてか
ら、各ＬＥＤ発光信号６８ａ〜６８ｃを出力する。ＬＥ
Ｄ制御手段７０は、各ＬＥＤ制御信号７１ａ〜７１ｃ
で、各ＬＥＤ照明６ａ〜６ｃの点灯消灯を制御する。ま
た画像入力制御手段６７は、第１の画像情報入力信号６
９ａを出力して画像入力記憶手段３２に第１の画像情報
３１ａを記憶させる。第１の画像情報３１ａの記憶が完
了したら、続いて第２の画像情報入力信号６９ｂを出力
し、画像入力記憶手段３２に第２の画像情報３１ｂを記
憶させる。第１の画像情報３１ａと第２の画像情報３１
ｂの記憶が完了したら、搬送制御部６２に画像入力完了
信号６６を出力する。搬送制御部６２は、吸着ヘッド駆
動部１７を吸着ヘッド制御信号６３で制御して吸着ヘッ
ド１６で半導体装置１を吸着して上方向に上昇させ、移
動テーブル制御信号６４で半導体装置１を吸着ヘッド駆
動部１７及び吸着ヘッド１６ごと移動し、次の半導体装
置１を透明載置板４に移動する。

【００４３】次に、画像入力記憶手段３２に記憶された
第１の画像情報３１ａのうち、パッケージ１ａの側辺
と、リード２の端面２ａと、遮光帯パターン４ａとの座
標を位置検出手段３７で検出し、第２の画像情報３１ｂ
のパッケージ１ａの側辺と、リード先端２ａと遮光帯パ
ターン４ａとの座標を検出して、位置検出信号３９を距
離計測手段４１に出力する。距離計測手段４１は、位置
検出信号３９から各画像情報３１ａ、３１ｂのうち、第
１の光情報２３についてのリード先端２ａから遮光帯パ
ターン４ａまでの距離と、第２の光情報２５についての
リード先端２ａから遮光帯パターン４ａまでの距離を計
測し、平坦性測定手段４３に第１のリード遮光帯パター
ン距離情報４２ａと、第２のリード遮光帯パターン距離
情報４２ｂを出力する。また、距離計測手段４１は位置
信号３９から、各画像情報３１ａ，３１ｂの、第１の光
情報２３についてのパッケージ１ａ側辺から遮光帯パタ
ーン４ａまでの距離と、第２の光情報２５についてのパ
ッケージ１ａ側辺から遮光帯パターン４ａまでの距離を
計測し、平坦性測定手段４３に第１のパッケージ遮光帯
パターン距離情報４４ａと、第２のパッケージ遮光帯パ
ターン距離情報４４ｂとを出力する。

【００４４】さらに、距離計測手段４１は、位置検出信
号３９から各画像情報３１ａ、３１ｂのうち、第１の光
情報２３についてのパターン１ａ側辺から遮光帯パター
ン４ａまでの距離と、第２の光情報２５についてのリー
ド先端２ａからパッケージ１ａ側辺までの距離を計測
し、平坦性測定手段４３に第１のリードパッケージ距離
情報４６ａと、第２のリードパッケージ距離情報４６ｂ
を出力する。次に、平坦性測定手段４３は、距離データ
５１に記憶されている第１及び第２の光学部２２ａ、２
２ｂごとの仰角情報５２と、第１のリード遮光帯パター
ン距離情報４２ａと、第２のリード遮光帯パターン記憶
情報４２ｂとからリード２群の平坦性を測定し、平坦性
測定情報５５を検査手段５３に出力する。スタンドオフ
測定手段４５は、距離データ５１に記憶されている第１
及び第２の光学部２２ａ、２２ｂごとの仰角情報５２
と、第１のパッケージ遮光帯パターン距離情報４４ａ
と、第２のパッケージ遮光帯パターン距離情報４４ｂか
らパッケージ１ａ側辺のスタンドオフを測定し、スタン
ドオフ測定情報５６を検査手段５３に出力する。リード
長測定手段４７は、距離データ５１に記憶されている第
１及び第２の光学部２２ａ、２２ｂごとの仰角情報５２
と、第１のリードパッケージ距離情報４６ａと、第２の
リードパッケージ記憶情報４６ｂからリード長さを測定
し、リード長測定情報５７を検査手段５３に出力する。

【００４５】また、画像入力制御手段３２は、位置検出
手段３７の動作が完了し、かつ半導体装置１が透明載置
板４上に無いとき、上述と同じように第１及び第２の画
像情報３１ａ、３２ｂを画像入力記憶手段３２に記憶す
る。次に、位置検出手段３７は、第１及び第２の画像情
報３１ａ、３１ｂに異常の位置を検知し、異常情報３８
を異常検知手段に出力する。異常検知手段４０は、異常
情報３８から異常物の大きさを測定し、異常検知情報５
４を検査手段５３に出力する。ついで、検査手段５３は
品質データ５８から出力される品質情報５８ａにより平
坦性測定情報５５と、スタンドオフ情報５６と、リード
長測定情報５７と、異常検知情報５４とを検査し、検査
結果５９と測定結果６０を表示する。検査結果５９によ
って、搬送手段６２は、移動テーブル１８の移動を停止
したり、半導体装置１の収納先（図示しない）を変えた
りする。

【００４６】次に、画像入力制御手段６７によるＬＥＤ
照明６の発光と、画像情報３１の画像入力記憶手段３２
の入力動作について、図５のタイミングチャートにより
説明する。画像入力制御手段６７は、載置信号６５が
「無し」から載置中に変化してからカウントを可能と
し、同期信号３３が「Ｌ」から「Ｈ」に変化する数をカ
ウントする。画像入力制御手段６７は、中央ＬＥＤ発光
信号６８ａを常時「点灯」にし、カウント値７１が
「２」になったとき、第１のＬＥＤ発光信号６８ｂを消
灯し、第２のＬＥＤ発光信号６８ｃを点灯し、カウント
値７１が「５」になったとき、第１のＬＥＤ発光信号６
８ｂを点灯し、第２のＬＥＤ発光信号６８ｃを消灯す
る。また、カウント値７１が「１」になったとき、第１
の画像入力信号６９ａを「入力」にし、カウント値７１
が「２」でかつ同期信号３３が「Ｈ」から「Ｌ」に変化
したときに第１の画像入力信号６９ａを停止し、カウン
ト値７１が「４」になったとき、第２の画像入力信号６
９ｂを「入力」にし、カウント値７１が「３」で同期信
号３３が「Ｈ」から「Ｌ」に変化したときに第２の画像
入力信号６９ｂを「停止」にし、同時に画像入力完了信
号６６を入力完了とする。

【００４７】搬送制御部６２は、入力完了信号６６が入
力完了になったら半導体装置１を透明載置板４から移動
し、載置信号６５を「無し」にし、画像入力制御手段６
７は、載置信号６５が「無し」になったらカウント値７
１をクリアし、入力完了信号６６を「入力未」にする。
次に、ＬＥＤ制御手段７０の動作を図６により説明す
る。ＬＥＤ制御手段７０では、定電圧電源７０ａにより
三端子レギュレータ７０ｂと可変抵抗器７０ｃで任意の
電圧のＬＥＤ電源７０ｄを得る。ＬＥＤ発光信号６９
は、フオトカプラ７０ｅでアイソレートされ、トランジ
スタ７０ｆに入力される。ＬＥＤ制御手段７０は、この
トランジスタ７０ｆでＬＥＤ照明６の点灯と消灯を制御
し、可変抵抗器７０ｃで発光の出力を制御する。

【００４８】次に、画像入力記憶手段３２の動作を図７
により説明する。第１の画像情報入力信号６９ａが「入
力」になると、メモリーコントロール３２ａからアナロ
グスイッチ３２ｂに画像情報選択信号３２ｃが入力さ
れ、第１の画像情報３１ａが選択される。アナログ値で
ある第１の画像情報３１ａはアンプ３１ｄで増幅され、
Ａ／Ｄコンバータ３１ｅでデジタル値３１ｆに変換され
る。またメモリーコントロール３２ａから出力される第
１のコントロール信号３２ｇで第１のメモリー３２ｈが
選択され、かつ第１のメモリー３２ｈは書き込み状態と
なる。クロック発生器３２ｉから出力されるクロック信
号３２ｊによって、横アドレス発生器３２ｋで横アドレ
ス３２ｌが出力され、同期信号発生器３２ｍから出力さ
れる同期信号３３によって、縦アドレス発生器３２ｎは
縦アドレス３２ｏが出力される。各トライステートバッ
ファ３２ｐは、メモリーコントロール３２ａから出力さ
れる切り替え信号３２ｑで画像情報３１の入力側が選択
され、第１のメモリー３２ｇは、デジタル値３１ｄの第
１の画像情報３１ａを横アドレス３２ｌと縦アドレス３
２ｏを合成したアドレス３２ｒで第１の画像情報入力信
号６９ａが停止になるまで記憶する。なお、第２の画像
情報３１ｂの第２のメモリーコントロール３２ｓの記憶
動作は、第１の画像情報３１ａの場合とほぼ同等である
ので、その説明を省略する。

【００４９】また、画像情報読みだし信号３５がメモリ
コントロール３２に入力されると、この画像情報読みだ
し信号３６により第１のメモリー３２ｇか第２のメモリ
ー３２ｓかを、第１のコントロール信号３２ｇ又は第２
のコントロール信号３２ｔで選択し、かつ選択されたメ
モリーは読みだし状態になる。各トライステートバッフ
ァ３２ｐは、切り替え信号３２ｑにより画像情報の出力
側が選択され、記憶手段３２は画像情報アドレス３６に
従い、メモリー３２ｈ、３２ｓから画像情報３２ｕを読
みだし、記憶画像情報３４を出力する。また、記憶手段
は同期信号発生器３２ｍで同期信号３３を出力する。

【００５０】次に、位置検出手段３７の動作について説
明する。図８は、位置検出手段３７の動作の全体を表す
フローチャートであり、横方向エッヂ強度検出処理７２
ａにより画像情報３１から横方向エッヂ強度情報７３ａ
を出力し、縦方向エッヂ強度検出処理７２ｂにより画像
情報３１から縦方向エッヂ強度情報７３ｂを出力する。
ついで、横方向エッヂ位置検出処理７４ａにより横方向
エッヂ強度情報７３ａから横方向エッヂ位置情報７５ａ
を出力し、縦方向エッヂ位置検出処理７４ｂにより縦方
向エッヂ強度情報７３ｂから縦方向エッヂ位置情報７５
ｂを出力する。さらに、座標位置検出処理７６により横
方向エッヂ位置情報７５ａと縦方向エッヂ位置情報７５
ｂから位置検出情報３９を出力する。

【００５１】図９は、横方向エッヂ強度検出処理７２ａ
又は縦方向エッヂ強度検出処理７２ｂの動作を示すエッ
ヂ強度検出処理手段７２のフローチャートである。図に
おいて、エッヂ強度検出処理手段７２は、最初に画像情
報読みだしアドレス３６とエッヂ強度読みだしアドレス
７７の初期化と加算値７８を「０」にし、画像情報の読
みだし７９により画像情報アドレスの位置３６にある１
画素８０分の画像情報３４と、画像情報アドレス３６の
次の位置にある１画素８０分の画像情報３４を読み出
し、微分８１によりこの二つの画像情報３６の差分をと
る。次に、この差分値８２が所定の値８２ａと比較し、
大きければ差分加算値７８にこの加算値を加算し、小さ
ければ差分加算値７８を「０」にする。次に、加算値記
憶８３によりエッヂ強度情報７３のエッヂ強度情報アド
レス７７の位置にこの差分加算値７８を記憶する。次
に、画像情報全てにこの動作を完了していれば、エッヂ
強度検出処理を終了し、完了していなければ画像情報読
みだしアドレス３６とエッヂ強度情報アドレス７７を一
つ増やし、画像情報読み出し７９の前に戻る。

【００５２】図１０は、横方向エッヂ位置検出処理７４
ａまたは縦方向エッヂ位置検出処理７４ｂの動作を示す
エッヂ位置検出処理７４のフローチャートである。図に
おいて、最初にエッヂ強度情報アドレス８４とエッヂ位
置情報アドレス７７を最大値にする。次に、エッヂ位置
データ初期化８５によりエッヂ位置フラグ８６をリセッ
トし、エッヂ位置データ８７を「０」にし、ついで、エ
ッヂ強度情報読み込み８８によりエッヂ強度データ８９
にエッヂ位置情報アドレス７７の位置にあるエッヂ強度
情報７３を１画素８０分読みだす。次に、このエッヂ強
度データ８９が所定の基準値９０と比較し、小さければ
書き込み処理９１を行って、エッヂ位置データ初期化８
５に戻り、大きければこのエッヂ強度データ８９の半分
の値を位置強度データ９２にする。

【００５３】次に、書き込み処理９１を行い、エッヂ強
度データ８９を保存データ９３に記憶し、エッヂ強度情
報読み込み８８を行い、このエッヂ強度データ８９と位
置強度データ９２との比較を行い、大きければ一つ前の
書き込み処理９１に戻り、小さければエッヂ位置フラグ
８６をセットし、エッヂ位置演算処理９４を行い、書き
込み処理９１を行う。次に、エッヂ位置フラグ８６のリ
セットとエッヂ位置データ８７を「０」にし、エッヂ位
置情報読み込み８８を行い、エッヂ強度データ８９が
「０」であれば書き込み処理９１を行ってエッヂ位置デ
ータ初期化８５に戻り、「０」で無ければエッヂ位置演
算処理９４後の書き込み処理９１に戻る。書き込み処理
９１は、エッヂ位置情報７５にエッヂ位置フラグ８６と
エッヂ位置データ８７をエッヂ位置情報アドレス８４の
位置に記憶し、エッヂ強度情報アドレス７７とエッヂ位
置情報アドレス８４を一つ減らし、エッヂ強度情報アド
レス７７全てにエッヂ位置検出７４を完了していれば、
エッヂ位置検出処理を終了９５し、完了していなけれ
ば、書き込み処理を終了９６する。エッヂ位置演算処理
９４により、次の式１の演算を行う。なお、エッヂ位置
データは、１より小さい値になる。

【００５４】

【数１】

【００５５】図１１は、記憶手段３２に入力するアナロ
グの画像情報３１の一部を拡大した一例で、各升目は１
画素８０で各升目に明るさを示す。図１２は、図１１の
アナログ画像情報３１を記憶手段３２でデジタル変換
し、記憶した記憶画像情報３４で各升目にデジタル値３
１ｄを示す。図１３は、図１２の記憶画像情報３４を横
方向エッヂ強度検出処理７２ａが左から右に実行した横
エッヂ強度情報７３ａで、図１４は、図１２の強度画像
情報３４を縦方向エッヂ強度検出処理７２ｂが上から下
に実行した縦エッヂ強度情報７３ｂである。図１５は、
図１３の横エッヂ強度情報７３ａを横方向エッヂ位置検
出処理７４ａが右から左に実行した横エッヂ位置情報７
５ｂで、上段はエッヂ位置フラグ８６、下段はエッヂ位
置データ８７を示す。図１６は、図１２の縦エッヂ強度
情報７３ｂを縦方向エッヂ位置検出処理７４ｂが下から
上に実行した縦エッヂ位置情報７６ｂで、上段はエッヂ
位置フラグ８６、下段はエッヂ位置データ８７を示す。

【００５６】次に、画像の濃淡処理法による画素以下の
位置検出方法について説明する。この位置検出方法は、
画像が明から暗あるいは暗から明に変化する所からエッ
ヂを求め、この位置を認識する方法である。図１７
（ａ）に示すように、明から暗又は暗から明に変化する
変化量（ΔＶ）の半分の値（ΔＶ／２）の明るさになる
所をエッヂとし、この位置を含む前後の２画素の明るさ
と位置から、このエッヂの位置をサブピクセルで検出す
る。この方式によれば、１画素の１／４の精度でエッヂ
位置が検出できる。

【００５７】図１７（ａ）は、アナログの画像情報によ
る位置と明るさの関係を示した線図であり、この関係を
デジタル信号で表したものが図１７（ｂ）である。さら
に図１７（ｃ）は、図１７（ｂ）の一部を拡大したもの
で、ΔＶ／２の線とこれを含む両側の２画素Ｐ_i、Ｐ_i+1
との明るさを結ぶ交点の座標がエッヂ位置ｘとなる。従
って、図１７（ｄ）から、求めるｘはΔＰ＝１画素×Δ
Ｖ_p／ΔＶ_iであり、エッヂ位置ｘ＝Ｐ_i＋ΔＰとなり、
１画素の１／４の精度でエッヂ位置が検出できる。

【００５８】次に、座標位置検出処理７６について説明
する。図１８は、画像情報３１の一例を示す図であり、
図中の上部は、第１の光情報２３によるもの、下部は第
２の光情報２５によるものであり、第２の光情報２５は
光反射手段３０により第１の光情報２３に対し上下が逆
転している。暗い部分９７が半導体装置１と遮光帯パタ
ーン４ａに対応しており、升目は１画素８０で左から右
にＸ座標９８、上から下にＹ座標９９を示し、１００及
び９７はそれぞれ明部及び暗部を示す。図１９は、図１
８の横エッヂ強度検出処理７２ａと、横エッヂ位置検出
処理７４ａの結果を示す横エッヂ位置情報７５ａの一例
であり、升目内の「１」は、明から暗に変化するエッヂ
位置フラグ８６ａ、「Ｆ」は、暗から明に変化するエッ
ヂ位置フラグ８６ｂであり、何も無いところは図１９に
おける「０」に対応しエッヂの無かった所であり、エッ
ヂ位置データ８７の図中の表示は省略する。図２０は、
図１６を縦エッヂ強度検出処理７２ｂと、縦エッヂ位置
検出処理７４ｂした結果である縦エッヂ位置情報７５ｂ
の一例であり、升目内の「１」は、明から暗に変化する
エッヂ位置フラグ８６ａ、「Ｆ」は、暗から明に変化す
るエッヂ位置フラグ８６ｂ、何も無いところは図２０で
「０」のエッヂの無かった所であり、エッヂ位置データ
８７の図中の表示は省略する。

【００５９】図１９の横エッヂ位置情報７５ａのエッヂ
位置フラグ８６が「１」と「Ｆ」に交互に変化する所が
リード２の存在する所１０１、「１」と「Ｆ」で囲まれ
たところがリード２部、「Ｆ」と「１」で囲まれた所が
パッケージ１ａ部とし、リード２部の数が半導体装置１
の一側辺にあるリード２群の数である。図１９では、リ
ード２は６本ある。エッヂ位置フラグ８７が「１」のＸ
座標９８と、ここのエッヂ位置情報８７を加算したもの
が図２１に示す左座標１０２ａであり、「Ｆ」のＸ座標
９８と、ここのエッヂ位置情報８７を加算したものが右
座標１０２ｂである。左座標１０２ａとこの左座標１０
２ａの右隣にある右座標１０３ｂを加算し、２で割った
ものがリードＸ座標１０３であり、右座標１０２ｂとこ
の右座標１０２ｂの右隣にある左座標１０２ａを加算
し、２で割ったものがパッケージＸ座標１０４である。
第１の光情報２３によるものは第１のリードＸ座標１０
３ａ群、第１のパッケージ座標１０４ａ群で、第２の光
情報２５によるものが、第２のリードＸ座標１０３ｂ
群、第２のリードＸ座標１０４ｂ群とする。

【００６０】図２０の縦エッヂ位置情報７５ｂにおい
て、第１のリードＸ座標１０３ａの整数の値でＹ軸９９
の方向に上から下にサーチし、エッヂ位置フラグ８６が
「Ｆ」のＹ座標９９とこのエッヂ位置データ８７を加算
したものが第１のリードＹ座標１０５ａである。さらに
サーチを続け、「１」のＹ座標９９とここのエッヂ位置
データ８７を加算したものが第１の遮光帯パターンＹ座
標１０６ａであり、これは第１のパッケージＸ座標１０
４ａの整数の値である。Ｙ軸９９の方向に上から下にサ
ーチし、エッヂ位置フラグ８６が「Ｆ」のＹ座標９９と
ここのエッヂ位置データ８７を加算したものが第１のパ
ッケージＹ座標１０７ａであり、第２のリードＸ座標１
０３ｂの整数の値である。Ｙ軸９９の方向に下から上に
サーチし、エッヂ位置フラグ８６が「１」のＹ座標９９
とここのエッヂ位置データ８７を加算したものが第２の
リードＹ座標１０５ｂである。さらにサーチを続け、
「Ｆ」のＹ座標９９とここのエッヂ位置データ８７を加
算したものが第２の遮光帯パターンＹ座標１０６ｂであ
る。第２のパッケージＸ座標１０４ｂの整数の値でＹ軸
９９の方向に下から上にサーチし、エッヂ位置フラグ８
６が１のＹ座標９９とここのエッヂ位置データ８７を加
算したものが第２のパッケージＹ座標１０７ｂである。
全てのリード２とパッケージ１ａについて検出したもの
が位置検出情報３９である。

【００６１】次に、距離計数手段４１について説明する
が、図２１は図１８の画像情報３１上に位置検出手段３
７で得られた位置検出情報３９を重ねて示したものであ
る。第１のリード遮光帯パターン距離データ４１ａは、
第１のリードＹ座標１０５ａとこれに対応する第１の遮
光帯パターンＹ座標１０６ａとの差分の絶対値であり、
第２のリード遮光帯パターン距離データ４１ｂは、第２
のリードＹ座標１０５ｂとこれに対応する第２の遮光帯
パターンＹ座標１０７ｂとの差分の絶対値である。第１
のパッケージ遮光帯パターン距離データ４１ｃは、第１
のパッケージＹ座標１０７ａとこれに対応する第１の遮
光帯パターンＹ座標１０６ａとの差分の絶対値であり、
第２のパッケージ遮光帯パターン距離データ４１ｄは、
第２のパッケージＹ座標１０７ｂとこれに対応する第１
の遮光帯パターンＹ座標１０６ｂとの差分の絶対値であ
る。第１のリードパッケージ距離データ４１ｅは、第１
のリードＹ座標１０５ａとこれに対応する第１のパッケ
ージＹ座標１０６ａとの差分の絶対値である。第２のリ
ードパッケージ距離データ４１ｆは、第２のリードＹ座
標１０５ｂとこれに対応する第２のパッケージＹ座標１
０６ｂと差分の絶対値である。

【００６２】第１のリード遮光帯パターン距離情報４２
ａは、第１のリード遮光帯パターン距離データ４１ａ
を、第１の画像情報３１ａと第２の画像情報３１ｂの第
１の光情報２３内に存在するリード２全てについて求め
たものであり、第２のリード遮光帯パターン距離情報４
２ｂは、第２のリード遮光帯パターン距離データ４１ｂ
を、第１の画像情報３１ａと第２の画像情報３１ｂの第
２の光情報２５内に存在するリード２全てについて求め
たものである。第１のパッケージ遮光帯パターン距離情
報４４ａは、第１のパッケージ遮光帯パターン距離デー
タ４１ｃを、第１の画像情報３１ａと第２の画像情報３
１ｂの第１の光情報２３内に存在するパッケージ１ａ全
てについて求めたものである。第２のパッケージ遮光帯
パターン距離情報４４ｂは、第２のパッケージ遮光帯パ
ターン距離データ４１ｄを、第１の画像情報３１ａと第
２の画像情報３１ｂの第２の光情報２５内に存在するパ
ッケージ１ａ全てについて求めたものであり、第１のリ
ードパッケージ距離情報４６ａは、第１のリードパッケ
ージ距離データ４１ｅを、第１の画像情報３１ａと第２
の画像情報３１ｂの第１の光情報２５内に存在するリー
ド２全てについて求めたものである。第２のリードパッ
ケージ距離情報４６ｂは、第１のリードパッケージ距離
データ４１ｆを、第１の画像情報３１ａと第２の画像情
報３１ｂの第１の光情報２５内に存在するリード２全て
について求めたものである。

【００６３】次に、平坦性測定手段４３と、スタンドオ
フ測定手段４５と、リード長測定手段４７について説明
する。図２２は、図１８の画像情報３１上に、距離計測
手段４１で得られた各距離情報の結果を重ねて示したも
のであり、図２３は、透明載置板４に置かれた半導体装
置１の一部を横から見た側面図である。

【００６４】平坦性測定手段４３は、第１の画像情報３
１ａの場合、第１の画像情報３１ａで得られた第１のリ
ード遮光帯パターン距離データ４１ａと、同じリードの
第２のリード遮光帯パターン距離データ４１ｂと、第１
の光学部２２ａの第１の仰角２４ａと第２の仰角２６ａ
とで式２の演算を行い、リード２の透明載置板４からの
高さである平坦性データ４３ａを算出するものである。
第２の画像情報３１ｂの場合、第２の画像情報３１ｂで
得られた第１のリード遮光帯パターン距離データ４１
と、同じリードの第２のリード遮光帯パターン距離デー
タ４１ｂと、第２の光学部２２ｂの第１の仰角２４ｂ
と、第２の仰角２６ｂとで式２の演算を行い、リード２
の透明載置板４からの高さである平坦性データ４３ａを
算出し、半導体装置１の全てのリード２の平坦性データ
４３ａを算出し、平坦性測定情報５５を得る。なお、第
１の仰角２４ａ、２４ｂを第１の仰角２４、第２の仰角
２６ａ、２６ｂを第２の仰角２６のように適宜簡略化し
て示す。

【００６５】

【数２】

【００６６】スタンドオフ測定手段４５は、第１の画像
情報３１ａの場合、第１の画像情報３１ａで得られた第
１のパッケージ遮光帯パターン距離データ４１ｃと、同
じパッケージの第２のパッケージ遮光帯パターン距離デ
ータ４１ｄと、第１の光学部２２ａの第１の仰角２４ａ
と第２の仰角２６ａとで次の式３の演算を行い、スタン
ドオフデータ４５ａを算出する。第２の画像情報３１ｂ
の場合、第２の画像情報３１ｂで得られた第１のパッケ
ージ遮光帯パターン距離データ４１ｃと、同じパッケー
ジ１ａの第２のパッケージ遮光帯パターン距離データ４
１ｄと、第２の光学部２２ｂの第１の仰角２４ｂと、第
２の仰角２６ｂとで式３の演算を行い、スタンドオフデ
ータ４５ａを算出し、半導体装置１全てのリード２とリ
ード２の間のパッケージ１ａにつき算出し、スタンドオ
フ測定情報５６を得る。

【００６７】

【数３】

【００６８】リード長測定手段４７は、第１の画像情報
３１ａの場合、第１の画像情報３１ａ２から得られる第
１のリードパッケージ距離データ４１ｅと、同じリード
２の第２のリードパッケージ距離データ４１ｆと、第１
の光学部２２ａの第１の仰角２４ａと、第２の仰角２６
ａとで次の式４の演算を行い、パッケージ１ａからリー
ド先端２ａまでのリード長データ１７ａを算出する。第
２の画像情報３１ｂの場合、第２の画像情報３１ｂから
得られる第１のリードパッケージ距離データ４１ｅと、
同じリード２の第２のリードパッケージ距離データ４１
ｆと、第１の光学部２２ａの第１の仰角２４ｂと、第２
の仰角２６ｂとで式４の演算を行い、パッケージ１ａか
らリード先端２ａまでのリード長データ１７ａを算出
し、半導体装置１全てのリード２につき算出しリード長
測定情報５７を得る。

【００６９】

【数４】

【００７０】次に、異常検知手段４０について説明す
る。図２４は、半導体装置１が透明載置板４に無いとき
に撮像された画像情報３１の一例を示し、１０８は透明
載置板４上の異常物（異物）である。なお、図２４では
異常物１０８は１つである。位置検出手段３７は、遮光
帯パターン４ａ以外の場所に明るさの変化する異常物１
０８がある場合、異常物左Ｘ座標１０９ａと異常物右Ｘ
座標１０９ｂとを異常情報３８として出力する。異常検
知手段４０は、異常情報３８に異常物左Ｘ座標１０９ｂ
があるき、異常物左Ｘ座標１０９ａと異常物左Ｘ座標１
０９ａと異常物右Ｘ座標１０９ｂの組を教えて異常物１
０８の異物数１０９ｃを検知し、異常物右Ｘ座標１０９
ａから異常物左Ｘ座標１０９ｂの差分をとり異物の大き
さ１０９ｄを測定する。また、異物左Ｘ座標１０９ａと
異物右Ｘ座標１０９ｂが無いときは、異物数１０９ｃを
「０」にし、第１の画像情報３１ａ及び第２の画像情報
３１ｂでの結果を集計して異常検知情報５４を出力す
る。

【００７１】次に、検査手段５３について説明する。図
２５は、検査手段５３の一例を示すブロック図であり、
検査手段５３は、平坦性測定情報５５の平坦性データ４
３ａ群と既に品質データ５８に登録済みである平坦性基
準値１１０ａとを比較し、全てが平坦性基準値１１０ａ
以内であれば平坦性検査結果５９ａを良とし、そうでな
ければ不良とする。また検査手段５３は、スタンドオフ
測定情報５６のスタンドオフデータ４５ａ群とスタンド
オフ基準値１１０ｂとを比較し、全てがスタンドオフ基
準値１１０ｂ以内であればスタンドオフ検査結果５９ｂ
を良とし、そうでなければ不良とする。さらに、検査手
段５３は、リード長測定情報５７のリード長データ４７
ａ群とリード長基準値１１０ｃとを比較し、全てがリー
ド長基準値１１０ｃ以内であればリード長検査結果５９
ｃを良とし、そうでなければ不良とする。また、検査手
段５３は、異常検知情報５４の異常物数１０９ｃが
「０」であれば異常検査結果５９ｄを良とし、「０」で
なくとも異常物の大きさ１０９ｄ群が全て異常物基準値
１１０ｄ以内であれば、異常物１０８は半導体装置１の
寸法測定に差し支えないと判断して異常検査結果５９ｄ
を良とし、異常物基準値１１０ｄ以上であれば不良とす
る。なお、検査手段５３はこれらの検査結果５９を搬送
制御部６２に出力し、表示手段６１に検査結果５９とこ
れらの測定情報６０を出力する。

【００７２】搬送制御部６２は、検査結果５９が全て良
なら半導体装置１を良品収納部（図示しない）に搬送
し、不良があれば不良品収納部（図示しない）に搬送す
る。異常検査結果５９ｄが不良ならば搬送動作を停止
し、透明載置板４に異常があることの警報（図示しな
い）を発する。

【００７３】次に、この発明の仰角測定手段４９につい
て説明する。図２６は仰角測定用の透明載置板１１１を
示す斜視図であり、透明載置板４上に遮光帯パターン４
ａと一定の距離をあけて遮光パターン４ｂを形成したも
のである。図２７は、この仰角測定用透明載置板１１１
を横から見た側面図である。図２８は、仰角測定用透明
載置板１１１の画像情報３１の一例であり、半導体装置
１の寸法を測定しないとき、透明載置板４を外し仰角測
定用透明載置板１１１を載置台３に設置する。次に、画
像入力記憶手段３２に画像情報３１を記憶し、位置検出
手段３７は、第１の光情報２３の遮光パターン４ｂの位
置を第１の光情報２３内の上から下にサーチし、暗９７
から明１００に変化する位置全ての平均をとって、第１
の遮光パターン位置データ１１１ａとし、遮光帯パター
ン４ａの位置を明１００から暗９７に変化する位置の全
ての平均をとって第１の遮光帯パターン位置データ１１
１ｂとする。また、第２の光情報２５の遮光帯パターン
４ａの位置を第２の光情報２５内の上から下にサーチ
し、暗９７から明１００に変化する位置全ての平均をと
って第２の遮光帯パターン位置データ１１１ｃとし、遮
光パターン４ｂの位置を明１００から暗９７に変化する
位置の全ての平均をとって第２の遮光パターン位置デー
タ１１１ｄとし、これらの位置検出情報３９を出力す
る。

【００７４】次に、距離計数手段４１は、第１の遮光パ
ターン位置データ１１１ａと第１の遮光帯パターン位置
データ１１１ｂの差分の絶対値の第１の遮光パターン距
離情報４８ａを出力し、第２の遮光パターン位置データ
１１１ｄと第２の遮光帯パターン位置データ１１１ｃの
差分の絶対値の第２遮光パターン距離情報４８ｂを出力
する。

【００７５】仰角測定手段４９は、第１の仰角２４を第
１の遮光パターン距離情報４８ａと既知の遮光パターン
寸法１１２とを次の式５で計算し、第２の仰角２６を第
１の遮光パターン距離情報４８ｂと既知の遮光パターン
寸法１１２とを式６で計算する。第１の光学部の第１の
仰角２４ａと第２の仰角２４ｂは、第１の画像情報３１
ａで求められ、第２の光学部の第１の仰角２４ｂと第２
の仰角２６ｂは、第２の画像情報３１ｂから求められ、
これらの仰角は、仰角データ５１に記憶される。

【００７６】

【数５】

【００７７】

【数６】

【００７８】図２９は、半導体装置１が画像情報３１の
視野の大きさ１１３よりも大きいときに、撮像装置２９
を複数台並べた一例を示し、図は半導体装置１と複数の
撮像装置２９をリード２軸線上から横に見たときの側面
図であり、光情報反射手段等及び透明載置板４の図示は
省略する。撮像装置２９の大きさ１１４は画像情報３１
の視野の大きさより小さく視野１１３と視野の重なり１
１５を持たせ、半導体装置１の側面と平行に半導体装置
１の一側辺の大きさ１１６をカバーするように撮像装置
２９を複数台設置したもので、半導体装置の大きさ等は
次の式７の関係がある。なお、撮像装置２９はレンズ部
１１７と撮像部１１８からなり、撮像装置の大きさ１１
４は、レンズ部１１７と撮像部１１８のどちらか一方の
大きい方が大きさである。

【００７９】

【数７】

【００８０】実施例２．図３０は、この発明の実施例２
による半導体装置の寸法測定装置を示す概略平面図であ
る。図において、載置台３、半導体装置１を載置した透
明載置板、第１ないし第４の光学部２２ａ〜２２ｄと、
ＬＥＤ制御手段と画像入力記憶手段と画像入力制御手段
を模式的に示してあり、他の部分は図１とほぼ等しいた
め図示は省略する。２２ｃ及び２２ｄはそれぞれ第３及
び第４の光学部であり、２９ｃ及び２９ｄはそれぞれ第
３及び第４の撮像装置、６ｃ及び６ｄはそれぞれ第３及
び第４のＬＥＤ照明である。６８ｃ及び６８ｄは画像入
力制御手段６７から出力されＬＥＤ制御手段７０に入力
するそれぞれ第３及び第４のＬＥＤ発光信号、７１ｃ及
び７１ｄは画像入力制御手段６７で制御され、ＬＥＤ制
御手段７０から出力するそれぞれ第３及び第４のＬＥＤ
発光信号、３１ｃは第３の撮像装置２９ｃから出力され
画像入力記憶手段３２に入力する第３の画像情報、３１
ｄは第４の撮像装置２９ｄから出力され画像入力記憶手
段３２に入力する第４の画像情報、６９ｃ及び６９ｄは
画像入力制御手段６７から出力され画像入力記憶手段３
２に入力されるそれぞれ第３及び第４の画像情報入力信
号である。

【００８１】図３１は、画像入力記憶手段の他の実施例
であり、３２ｖは第３の画像情報３１ｃが入力される第
３のメモリー、３２ｗは第４の画像情報３１ｄが入力さ
れる第４のメモリー、３２ｘは第３のメモリー３２ｖを
コントロールする第３のコントロール信号、３２ｙは第
４のメモリー３２ｗをコントロールする第３のコントロ
ール信号である。

【００８２】図３０に示すように、パッケージ１ａの４
つの側辺にリード２を持つ半導体装置１の寸法を測定す
る場合、リード２を持つ４つの側辺全てに対応する光学
部を４組配置し、各光学部に対応するＬＥＤ照明を４式
設置し、４つのＬＥＤ照明をＬＥＤ制御信号で制御し、
各画像情報を、各画像情報入力信号で入力を制御し、各
画像情報を各画像入力記憶手段の各メモリーに記憶す
る。

【００８３】実施例３．図３２は、Ｊリード２Ａを持つ
半導体装置１を透明載置板４に載置したものである。こ
の発明によれば、図３２に示すようなリード２Ａが半導
体装置１の内側にＪ字型に曲げられた半導体装置１の寸
法も上述と同様に測定できる。

【００８４】

【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、表面実装型半導体装置を載置し、遮光帯パタ
ーンが形成された透明載置板と、この透明載置板の下方
に設置された照明装置と、この照明装置から発せられ、
上記半導体装置のリードが埋設された側辺及び上記遮光
帯パターンを上記リードの軸線方向で大きい仰角及び小
さい仰角で射出したそれぞれ第１及び第２の光情報を撮
像する第１及び第２の撮像装置と、上記第１及び第２の
光情報を反射させ上記第１及び第２の撮像装置に入光さ
せる第１及び第２の光情報反射手段と、上記第１及び第
２の光情報反射手段と上記第１及び第２の撮像装置との
間にそれぞれ配置され、上記第１及び第２の光情報の上
記照明装置から上記第１及び第２の撮像装置までの距離
を等しくする光反射手段とを備えたので、半導体装置の
リードの透明載置板からの高さを、透明載置板上に形成
された遮光帯パターンと、リード先端を小さい仰角又は
大きい仰角で見たときの距離と、大きな仰角又は小さい
仰角で見たときの距離と、小さな仰角又は大きい仰角の
角度とから、正確に測定できるという効果を奏する。ま
た、小さい仰角で見たときの光情報と、大きな仰角で見
たときの光情報を１つの撮像装置に入力するので、撮像
装置の台数が削減でき、装置が安価になり、かつ透明載
置板の上方が空くため、装置が小型化できるという効果
も奏する。さらに、半導体装置のリードを持つ側辺全て
に、光学部を配置したので、半導体装置を透明載置板ご
と移動する必要がなく、移動時間が削減でき、測定が高
速にできるという効果を奏する。

【００８５】この発明の請求項第２項は、撮像装置の画
像情報を記憶する記憶手段と、上記画像情報により半導
体装置及び透明載置板に形成された遮光帯パターンの位
置を検出する位置検出手段と、上記半導体装置と上記遮
光帯パターンとの距離を計測する距離計測手段とをさら
に備えたので、個々のリードに対応する遮光帯パターン
の位置や距離を正確に計測できるという効果を奏する。

【００８６】この発明の請求項第３項は、仰角測定パタ
ーンが形成された透明載置板と、照明装置からの第１及
び第２の光情報の仰角を測定する仰角測定手段とをさら
に備えたので、仰角の測定精度が向上し、さらに半導体
装置の寸法測定精度が向上するという効果を奏する。

【００８７】この発明の請求項第４項は、距離計測手段
からの距離情報及び仰角測定手段からの仰角情報によ
り、透明載置板と半導体装置のリードとの高さを測定す
る平坦性測定手段をさらに備えたので、平坦性の測定精
度が向上するという効果を奏する。

【００８８】この発明の請求項第５項は、距離計測手段
からの距離情報及び仰角測定手段からの仰角情報によ
り、透明載置板と半導体装置のパッケージとの高さを測
定するスタンドオフ測定手段をさらに備えたので、スタ
ンドオフの測定精度が向上するという効果を奏する。

【００８９】この発明の請求項第６項は、距離計測手段
からの距離情報及び仰角測定手段からの仰角情報によ
り、半導体装置のリード長さを測定するリード長測定手
段をさらに備えたので、リード長さの測定精度が向上す
るという効果を奏する。

【００９０】この発明の請求項第７項は、位置検出手段
からの異常情報により、透明載置板上に半導体装置が載
置されていない透明載置板の異常を検知する異常検知手
段をさらに備えたので、透明載置板の清掃時期や交換時
期が容易に判断できるという効果を奏する。

【００９１】この発明の請求項第８項は、透明載置板上
に半導体装置が載置されていない透明載置板の異常を検
知する異常検知手段と、透明載置板と半導体装置のリー
ドとの高さを測定する平坦性測定手段と、透明載置板と
半導体装置のパッケージとの高さを測定するスタンドオ
フ測定手段と、半導体装置のリード長さを測定するリー
ド長測定手段とを備え、上記異常検知手段からの異常検
知情報、上記平坦性測定手段からの平坦性測定情報、上
記スタンドオフ測定手段からのスタンドオフ測定情報及
び上記リード長測定手段からのリード長測定情報によ
り、所定の基準地と比較して検査する検査手段をさらに
備えたので、透明載置板の清掃や交換を促し、異常のあ
る透明載置板で測定しないので、半導体装置の寸法測定
の信頼性が向上するという効果を奏する。

【００９２】この発明の請求項第９項は、照明装置の光
源はＬＥＤであり、照明の出力の制御を行うＬＥＤ制御
手段と、ＬＥＤの発光制御及びＬＥＤの発光と連動した
画像情報の記憶手段への入力のタイミングを制御する画
像入力制御手段とをさらに備えたので、ＬＥＤ照明は高
速に点灯、消灯ができるため、ＬＥＤ照明を同期信号に
連動して点灯消灯を制御し、かつ点灯消灯のタイミング
で画像情報の記憶の制御するので、無駄な時間を削減し
て画像情報の記憶が高速になるという効果を奏する。ま
た、画像情報の記憶が完了したら、半導体装置の透明載
置板からの移動が可能になったことを知らせる画像入力
完了信号を出力するため、半導体装置の寸法を測定中に
透明載置板上半導体装置を取り除き、次の半導体装置を
透明載置板に載置できるので、装置の動作が高速になる
という効果を奏する。

【００９３】この発明の請求項第１０項は、半導体装置
の大きさより小さい画像情報の視野を持つ撮像装置を複
数台備えたので、画像情報の視野の大きさよりも大きな
半導体装置の寸法を測定する場合、撮像装置を横に並べ
るだけで大きな半導体装置の寸法測定が可能となるとい
う効果を奏する。

【００９４】この発明の請求項第１１項は、半導体装置
を透明載置板上に載置し取り除く自動搬送手段をさらに
備えたので、この自動搬送手段により正確かつ半導体装
置にダメージを与えずに透明載置板上に載置できると共
に、検査結果が良品の半導体装置と不良品の半導体装置
を別々に収納するので、良品と不良品との分離が容易に
行えるという効果を奏する。

【００９５】この発明の請求項第１２項は、半導体装置
一側辺のリード群とこの半導体装置を載置する透明載置
板に形成された遮光帯パターンとを異なる２方向から照
明装置により光を照射し、上記半導体装置及び上記遮光
帯パターンを照射した２つの光情報を反射手段により１
つの撮像装置で撮像し、上記撮像装置の画像情報をそれ
ぞれ異なるタイミングで記憶装置に記憶し、上記半導体
装置の一側辺の個々のリードの先端位置と、個々のリー
ドに対応する遮光帯パターンの位置を上記光情報の方向
毎に位置検出手段で検出し、個々のリード先端から個々
のリードに対応する遮光帯パターンとの距離を上記光情
報の方向毎に距離計測手段で計測し、２つの光情報の方
向が異なる距離情報と２つの光情報の既知の仰角から平
坦性測定手段により個々のリードの平坦性を測定し、上
記記憶手段に記憶された各半導体装置のリードを持つ辺
の画像情報毎に平坦性を順次測定することにより、上記
半導体装置の全てのリードの下面と上記透明載置板との
高さを測定するので、半導体装置の外観形状の寸法を正
確、迅速に測定することができるという効果を奏する。

【００９６】この発明の請求項第１３項は、遮光帯パタ
ーンの位置の検出は、位置検出手段により画像情報の明
るさの変化量から１画素以下の分解能で行うので、位置
検出の分解能が上がり、寸法測定精度が向上するという
効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例による半導体装置の寸法測
定装置を示す概略構成図である。

【図２】図１に示した半導体装置の寸法測定装置の動作
説明図である。

【図３】図１に示した半導体装置の寸法測定装置の１サ
イクルの動作を示すタイミングチャートである。

【図４】半導体装置が透明載置板上に載置された状態を
示す斜視図である。

【図５】画像情報制御手段の画像情報の入力動作を示す
タイミングチャートである。

【図６】ＬＥＤ制御手段の回路図である。

【図７】画像入力記憶手段のブロック図である。

【図８】位置検出手段の全体概要動作を示すフローチャ
ートである。

【図９】エッヂ強度検出処理の動作を示すフローチャー
トである。

【図１０】エッヂ位置検出処理の動作を示すフローチャ
ートである。

【図１１】アナログ画像情報の一部を拡大したものであ
る。

【図１２】図１０をデジタル化した結果の一例である。

【図１３】図１０の横方向エッヂ強度検出処理の結果で
ある、横方向エッヂ強度情報である。

【図１４】図１０の縦方向エッヂ強度検出処理の結果で
ある、縦方向エッヂ強度情報である。

【図１５】図１３の横方向エッヂ位置検出処理の結果で
ある、横方向エッヂ位置情報である。

【図１６】図１４の縦方向エッヂ位置検出処理の結果で
ある、縦方向エッヂ位置情報である。

【図１７】画像の濃淡処理法による画素以下の位置検出
方法を示す説明図である。

【図１８】画像情報の一例を示す概略図である。

【図１９】図１８に示した横方向エッヂ位置検出処理の
結果である横方向エッヂ位置情報を示す概略図である。

【図２０】図１８に示した縦方向エッヂ位置検出処理の
結果である縦方向エッヂ位置情報を示す概略図である。

【図２１】図１８に示した位置検出情報を示す概略図で
ある。

【図２２】図１８に示した距離計測情報を示す概略図で
ある。

【図２３】透明載置板に載置された半導体装置の一部を
示す側面図である。

【図２４】透明載置板に半導体装置が無いときの画像情
報の一例を示す概略図である。

【図２５】検査手段の動作を示すブロック図である。

【図２６】仰角測定用透明載置板の一例を示す斜視図で
ある。

【図２７】仰角測定用透明載置板の一部を示す側面図で
ある。

【図２８】仰角測定用透明載置板の画像情報の一例を示
す概略図である。

【図２９】撮像装置の視野よりも大きな半導体装置を測
定するときに撮像装置を複数台並べたときの一例を示す
概略図である。

【図３０】この発明の実施例２による半導体装置の寸法
測定装置を示す概略構成図である。

【図３１】この発明の実施例２による画像入力記憶手段
のブロック図である。

【図３２】Ｊ字型に曲げられたリードを持つ半導体装置
が透明載置板に載置している状態を示す斜視図である。

【図３３】従来の半導体装置のリード平坦性測定装置を
示す構成模式図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 １ａ パッケージ ２ リード ２ａ リードの端面 ２Ａ Ｊリード ４ 透明載置板 ４ａ 遮光帯パターン ６ａ 中央ＬＥＤ照明 ６ｂ 第１のＬＥＤ照明 ６ｃ 第２のＬＥＤ照明 ６ｄ 第３のＬＥＤ照明 ６ｅ 第４のＬＥＤ照明 １６ 吸着ヘッド １７ 吸着ヘッド駆動部 １８ 移動テーブル １９ａ 下方散乱板 １９ｂ 側方散乱板 ２０ 光 ２１ 遮光板 ２２ 照明反射板 ２２ａ 第１の光学部 ２２ｂ 第２の光学部 ２２ｃ 第３の光学部 ２２ｄ 第４の光学部 ２３ａ、２３ｂ 第１の光情報 ２４ａ、２４ｂ 第１の仰角 ２５ａ、２５ｂ 第２の光情報 ２６ａ、２６ｂ 第２の仰角 ２７ａ、２７ｂ 第１の光情報反射手段 ２８ａ、２８ｂ 第２の光情報反射手段 ２９ａ 第１の撮像装置 ２９ｂ 第２の撮像装置 ２９ｃ 第３の撮像装置 ２９ｄ 第４の撮像装置 ３０ａ、３０ｂ 等距離光反射手段 ３１ 画像情報 ３１ａ 第１の画像情報 ３１ｂ 第２の画像情報 ３１ｄ デジタル値 ３１ｆ デジタル値 ３２ 画像入力記憶手段 ３２ｇ 第１のコントロール信号 ３２ｉ クロック信号 ３２ｊ 横アドレス ３２ｏ 縦アドレス ３２ｑ 切り替え信号 ３２ｒ アドレス ３２ｔ 第２のコントロール信号 ３３ 同期信号 ３４ （記録）画像情報 ３５ 画像情報アドレス ３６ 画像情報読み出し信号 ３７ 位置検出手段 ３８ 異常情報 ３９ 位置情報 ４０ 異常検知手段 ４１ 距離計測手段 ４１ａ 第１のリード遮光帯パターン距離データ ４１ｂ 第２のリード遮光帯パターン距離データ ４１ｃ 第１のパッケージ遮光帯パターン距離データ ４１ｄ 第２のパッケージ遮光帯パターン距離データ ４１ｅ 第１のリードパッケージ距離データ ４１ｆ 第２のリードパッケージ距離データ ４２ａ 第１のリード遮光帯パターン距離情報 ４２ｂ 第２のリード遮光帯パターン距離情報 ４３ 平坦性測定手段 ４３ａ 平坦性データ ４４ａ 第１のパッケージ遮光帯パターン距離情報 ４４ｂ 第２のパッケージ遮光帯パターン距離情報 ４５ スタンドオフ測定手段 ４５ａ スタンドオフデータ ４６ａ 第１のリードパッケージ距離情報 ４６ｂ 第２のリードパッケージ距離情報 ４７ リード長測定手段 ４８ａ 第１の遮光パターン距離情報 ４８ｂ 第２の遮光パターン距離情報 ４９ 仰角測定手段 ５０ 仰角情報群 ５１ 仰角データ ５２ 仰角情報 ５３ 検査手段 ５４ 異常検知情報 ５５ 平坦性測定情報 ５６ スタンドオフ測定情報 ５７ リード長測定情報 ５８ 品種データ ５８ａ 品種情報 ５９ 検査結果 ６０ 測定結果 ６１ 表示手段 ６２ 搬送制御部 ６３ 吸着ヘッド制御信号 ６４ 移動テーブル制御信号 ６５ 載置信号 ６６ 画像入力完了信号 ６７ 画像入力制御手段 ６８ａ 中央ＬＥＤ発光信号 ６８ｂ 第１のＬＥＤ発光信号 ６８ｃ 第２のＬＥＤ発光信号 ６９ａ 第１の画像情報入力信号 ６９ｂ 第２の画像情報入力信号 ７０ ＬＥＤ制御手段 ７０ａ 定電圧電源 ７０ｂ 三端子レギュレータ ７０ｃ 可変抵抗器 ７０ｄ ＬＥＤ電源 ７０ｅ フォトカップラ ７０ｆ トランジスタ ７１ａ 中央ＬＥＤ制御信号 ７１ｂ 第１のＬＥＤ制御信号 ７１ｃ 第２のＬＥＤ制御信号 ７３ａ 横方向エッヂ強度（位置）情報 ７３ｂ 縦方向エッヂ強度（位置）情報 ７５ａ 横（方向）エッヂ位置情報 ７５ｂ 縦（方向）エッヂ位置情報 ８０ １画素 ８６（ａ） エッヂ位置フラグ ８７ エッヂ位置データ ８９ エッヂ強度データ ９０ エッヂ位置用基準値 ９２ 位置強度データ ９３ 保存データ ９５、９６ 終了 ９７ 暗部 １００ 明部 １０３ａ 第１のリードｘ座標 １０３ｂ 第２のリードｙ座標 １０４ａ 第１のパッケージｘ座標 １０４ｂ 第２のパッケージｙ座標 １０５ａ 第１のリードｙ座標 １０５ｂ 第２のリードｙ座標 １０６ａ 第１の遮光帯パターンｙ座標 １０６ｂ 第２の遮光帯パターンｙ座標 １０７ａ 第１のパッケージｙ座標 １０７ｂ 第２のパッケージｙ座標 １０８ 異常物 １０９ａ 異常物左ｘ座標 １０９ｂ 異常物右ｘ座標 １０９ｄ 異常物の大きさ １１０ａ 平坦性基準値 １１０ｂ スタンドオフ基準値 １１０ｃ リード長基準値 １１０ｄ 異常物基準値 １１１ 仰角測定用透明載置板 １１１ａ 第１の遮光パターン位置データ １１１ｂ 第１の遮光帯パターン位置データ １１１ｃ 第２の遮光帯パターン位置データ １１１ｄ 第２の遮光パターン位置データ １１２ 遮光パターン寸法 １１３ 視野の大きさ １１４ 撮像装置の大きさ １１５ 視野の重なり １１６ 一側辺の大きさ １１７ レンズ部 １１８ 撮像部

【手続補正書】

【提出日】平成７年３月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２０】この発明の請求項第１２項に係る発明は、
半導体装置一側辺のリード群とこの半導体装置を載置す
る透明載置板に形成された遮光帯パターンとを異なる２
方向から照明装置により光を照射し、上記半導体装置及
び上記遮光帯パターンを照射した２つの光情報を反射手
段により１つの撮像装置で撮像し、上記撮像装置の画像
情報をそれぞれ記憶装置に記憶し、上記半導体装置の一
側辺の個々のリードの先端位置と、個々のリードに対応
する遮光帯パターンの位置を上記光情報の方向毎に位置
検出手段で検出し、個々のリード先端から個々のリード
に対応する遮光帯パターンとの距離を上記光情報の方向
毎に距離計測手段で計測し、２つの光情報の方向が異な
る距離情報と２つの光情報の既知の仰角から平坦性測定
手段により個々のリードの平坦性を測定し、上記記憶手
段に記憶された各半導体装置のリードを持つ辺の画像情
報毎に平坦性を順次測定することにより、上記半導体装
置の全てのリードの下面と上記透明載置板との高さを測
定するものである。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５７】図１７（ａ）は、アナログの画像情報によ
る位置と明るさの関係を示した線図であり、この関係を
デジタル信号で表したものが図１７（ｂ）である。さら
に図１７（ｃ）は、図１７（ｂ）の一部を拡大したもの
で、ΔＶ／２の線とこれを含む両側の２画素Ｐ_i、Ｐ_i+1
との明るさを結ぶ交点の座標がエッジ位置ｘとなる。従
って、図１７（ｄ）から、求めるｘはΔＰ＝１画素×Δ
Ｖ_p／ΔＶ_iであり、エッジ位置ｘ＝Ｐ_i＋ΔＰとなり、
１画素の大きさより細かい大きさで（精度で）エッジ位
置が検出できる。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面実装型半導体装置を載置し、遮光帯
   パターンが形成された透明載置板と、 この透明載置板の下方に設置された照明装置と、 この照明装置から発せられ、上記半導体装置のリードが
   埋設された側辺及び上記遮光帯パターンを上記リードの
   軸線方向で大きい仰角及び小さい仰角で射出したそれぞ
   れ第１及び第２の光情報を撮像する第１及び第２の撮像
   装置と、 上記第１及び第２の光情報を反射させ上記第１及び第２
   の撮像装置に入光させる第１及び第２の光情報反射手段
   と、 上記第１及び第２の光情報反射手段と上記第１及び第２
   の撮像装置との間にそれぞれ配置され、上記第１及び第
   ２の光情報の上記照明装置から上記第１及び第２の撮像
   装置までの距離を等しくする光反射手段とを備えたこと
   を特徴とする半導体装置の寸法測定装置。
2. 【請求項２】 撮像装置の画像情報を記憶する記憶手段
   と、 上記画像情報により半導体装置及び透明載置板に形成さ
   れた遮光帯パターンの位置を検出する位置検出手段と、 上記半導体装置と上記遮光帯パターンとの距離を計測す
   る距離計測手段とをさらに備えたことを特徴とする請求
   項第１項記載の半導体装置の寸法測定装置。
3. 【請求項３】 仰角測定パターンが形成された透明載置
   板と、 照明装置からの第１及び第２の光情報の仰角を測定する
   仰角測定手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項
   第２項記載の半導体装置の寸法測定装置。
4. 【請求項４】 距離計測手段からの距離情報及び仰角測
   定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導体装置
   のリードとの高さを測定する平坦性測定手段をさらに備
   えたことを特徴とする請求項第３項記載の半導体装置の
   寸法測定装置。
5. 【請求項５】 距離計測手段からの距離情報及び仰角測
   定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導体装置
   のパッケージとの高さを測定するスタンドオフ測定手段
   をさらに備えたことを特徴とする請求項第３項記載の半
   導体装置の寸法測定装置。
6. 【請求項６】 距離計測手段からの距離情報及び仰角測
   定手段からの仰角情報により、半導体装置のリード長さ
   を測定するリード長測定手段をさらに備えたことを特徴
   とする請求項第３項記載の半導体装置の寸法測定装置。
7. 【請求項７】 位置検出手段からの異常情報により、透
   明載置板上に半導体装置が載置されていない透明載置板
   の異常を検知する異常検知手段をさらに備えたことを特
   徴とする請求項第３項記載の半導体装置の寸法測定装
   置。
8. 【請求項８】 透明載置板上に半導体装置が載置されて
   いない透明載置板の異常を検知する異常検知手段と、 透明載置板と半導体装置のリードとの高さを測定する平
   坦性測定手段と、 透明載置板と半導体装置のパッケージとの高さを測定す
   るスタンドオフ測定手段と、 半導体装置のリード長さを測定するリード長測定手段と
   を備え、 上記異常検知手段からの異常検知情報、上記平坦性測定
   手段からの平坦性測定情報、上記スタンドオフ測定手段
   からのスタンドオフ測定情報及び上記リード長測定手段
   からのリード長測定情報により、所定の基準地と比較し
   て検査する検査手段をさらに備えたことを特徴とする請
   求項第３項記載の半導体装置の寸法測定装置。
9. 【請求項９】 照明装置の光源はＬＥＤであり、照明の
   出力の制御を行うＬＥＤ制御手段と、 ＬＥＤの発光制御及びＬＥＤの発光と連動した画像情報
   の記憶手段への入力のタイミングを制御する画像入力制
   御手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項第２項
   記載の半導体装置の寸法測定装置。
10. 【請求項１０】 半導体装置の大きさより小さい画像情
    報の視野を持つ撮像装置を複数台備えたことを特徴とす
    る請求項第１項記載の半導体装置の寸法測定装置。
11. 【請求項１１】 半導体装置を透明載置板上に載置し取
    り除く自動搬送手段をさらに備えたことを特徴とする請
    求項第１項記載の半導体装置の寸法測定装置。
12. 【請求項１２】 半導体装置一側辺のリード群とこの半
    導体装置を載置する透明載置板に形成された遮光帯パタ
    ーンとを異なる２方向から照明装置により光を照射し、 上記半導体装置及び上記遮光帯パターンを照射した２つ
    の光情報を反射手段により１つの撮像装置で撮像し、 上記撮像装置の画像情報をそれぞれ異なるタイミングで
    記憶装置に記憶し、 上記半導体装置の一側辺の個々のリードの先端位置と、
    個々のリードに対応する遮光帯パターンの位置を上記光
    情報の方向毎に位置検出手段で検出し、 個々のリード先端から個々のリードに対応する遮光帯パ
    ターンとの距離を上記光情報の方向毎に距離計測手段で
    計測し、 ２つの光情報の方向が異なる距離情報と２つの光情報の
    既知の仰角から平坦性測定手段により個々のリードの平
    坦性を測定し、 上記記憶手段に記憶された各半導体装置のリードを持つ
    辺の画像情報毎に平坦性を順次測定することにより、上
    記半導体装置の全てのリードの下面と上記透明載置板と
    の高さを測定することを特徴とする半導体装置の寸法測
    定方法。
13. 【請求項１３】 遮光帯パターンの位置の検出は、位置
    検出手段により画像情報の明るさの変化量から１画素以
    下の分解能で行うことを特徴とする請求項第１１項記載
    の半導体装置の寸法測定方法。