JPH07174522A - 半導体装置の寸法測定装置及び方法 - Google Patents
半導体装置の寸法測定装置及び方法Info
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- JPH07174522A JPH07174522A JP5322702A JP32270293A JPH07174522A JP H07174522 A JPH07174522 A JP H07174522A JP 5322702 A JP5322702 A JP 5322702A JP 32270293 A JP32270293 A JP 32270293A JP H07174522 A JPH07174522 A JP H07174522A
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- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 自動的に半導体装置の寸法を高速で精度良く
測定する半導体装置の寸法測定装置及び装置を得ること
を目的とする。 【構成】 半導体装置1を載置した透明載置板4の下方
にLED照明6a〜6cを設け、第1及び第2の仰角2
4a、26aで射出した第1及び第2の光情報23a、
25aを等距離光反射手段30a,30bにより等距離
となるように第1及び第2の撮像装置29a,29bで
受光する。この画像情報を元に半導体装置1の平坦性、
スタンドオフ、リード長さ等を求め、さらに透明載置板
4の異常を検知し、測定結果60を表示する。 【効果】 撮像装置の台数が削減でき、正確かつ迅速に
半導体装置の寸法測定を行うことができる。
測定する半導体装置の寸法測定装置及び装置を得ること
を目的とする。 【構成】 半導体装置1を載置した透明載置板4の下方
にLED照明6a〜6cを設け、第1及び第2の仰角2
4a、26aで射出した第1及び第2の光情報23a、
25aを等距離光反射手段30a,30bにより等距離
となるように第1及び第2の撮像装置29a,29bで
受光する。この画像情報を元に半導体装置1の平坦性、
スタンドオフ、リード長さ等を求め、さらに透明載置板
4の異常を検知し、測定結果60を表示する。 【効果】 撮像装置の台数が削減でき、正確かつ迅速に
半導体装置の寸法測定を行うことができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、寸法測定装置及び方
法、特に、表面実装型半導体装置の外観形状の寸法を測
定する寸法測定装置及び方法に関するものである。
法、特に、表面実装型半導体装置の外観形状の寸法を測
定する寸法測定装置及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図33は、例えば従来の半導体装置のリ
ード平坦性測定装置を示す構成模式図であり、図におい
て、1は半導体装置、1aは半導体装置1のパッケー
ジ、2は半導体装置1のリード、2aはリード2の端
面、3は半導体装置1を載置する載置台、3aは載置台
3の繰り抜き部、4は半導体装置1を載置し載置台3a
に嵌め込まれた透明載置板、4aは透明載置板4に形成
された遮光帯パターン、5は載置台3を回転させる駆動
電動機、5aは載置台3と駆動電動機5とを接続するベ
ルト、6A及び6Bは半導体装置1を透明載置板4を介
して下方から照明するそれぞれ第1及び第2の照明装置
である。
ード平坦性測定装置を示す構成模式図であり、図におい
て、1は半導体装置、1aは半導体装置1のパッケー
ジ、2は半導体装置1のリード、2aはリード2の端
面、3は半導体装置1を載置する載置台、3aは載置台
3の繰り抜き部、4は半導体装置1を載置し載置台3a
に嵌め込まれた透明載置板、4aは透明載置板4に形成
された遮光帯パターン、5は載置台3を回転させる駆動
電動機、5aは載置台3と駆動電動機5とを接続するベ
ルト、6A及び6Bは半導体装置1を透明載置板4を介
して下方から照明するそれぞれ第1及び第2の照明装置
である。
【0003】7aは半導体装置1及び遮光体パターン4
aを撮像する第1の撮像装置、7bは第1の撮像装置7
aと異なる仰角で半導体装置1及び遮光帯パターン4a
を撮像する第2の撮像装置、8a及び8bはそれぞれ第
1の撮像装置7a及び第2の撮像装置7bから出力され
るそれぞれ第1及び第2の画像情報、9a及び9bは第
1の画像情報8a及び第2の画像情報8bが入力される
それぞれ第1及び第2のリード端距離検出手段、10a
及び10bは第1のリード端距離検出手段9a及び第2
のリード端距離検出手段9bから出力されるそれぞれ第
1及び第2の距離情報、11は第1及び第2の距離情報
10a及び10bが入力されるリード下面高さ検出手
段、12はリード下面高さ検出手段11から出力される
高さ情報である。13は高さ情報12が入力される記憶
装置であり、その各構成部分である区分13a〜13d
から構成されている。14は記憶装置13から出力され
る高さ情報、15は高さ情報14が入力されるリード平
坦性検出手段である。
aを撮像する第1の撮像装置、7bは第1の撮像装置7
aと異なる仰角で半導体装置1及び遮光帯パターン4a
を撮像する第2の撮像装置、8a及び8bはそれぞれ第
1の撮像装置7a及び第2の撮像装置7bから出力され
るそれぞれ第1及び第2の画像情報、9a及び9bは第
1の画像情報8a及び第2の画像情報8bが入力される
それぞれ第1及び第2のリード端距離検出手段、10a
及び10bは第1のリード端距離検出手段9a及び第2
のリード端距離検出手段9bから出力されるそれぞれ第
1及び第2の距離情報、11は第1及び第2の距離情報
10a及び10bが入力されるリード下面高さ検出手
段、12はリード下面高さ検出手段11から出力される
高さ情報である。13は高さ情報12が入力される記憶
装置であり、その各構成部分である区分13a〜13d
から構成されている。14は記憶装置13から出力され
る高さ情報、15は高さ情報14が入力されるリード平
坦性検出手段である。
【0004】従来のリード平坦性測定装置は上述したよ
うに構成され、次のように動作する。表面実装型の半導
体装置1は、封止樹脂であるパッケージ1aの各側辺か
ら多数のリード2が下向きに突出しており、リード2の
先端部は外方向に水平に折り曲げられている。載置台3
は、載置台3を回転可能とする支持手段(図示しない)
で支持されている。載置台3の繰り抜き部3aに固定さ
れた透明載置板4には、載置される半導体装置1の各側
面のリード2の端面2aに対し、所定の距離を空け遮光
帯パターン4aがその上面に形成されている。
うに構成され、次のように動作する。表面実装型の半導
体装置1は、封止樹脂であるパッケージ1aの各側辺か
ら多数のリード2が下向きに突出しており、リード2の
先端部は外方向に水平に折り曲げられている。載置台3
は、載置台3を回転可能とする支持手段(図示しない)
で支持されている。載置台3の繰り抜き部3aに固定さ
れた透明載置板4には、載置される半導体装置1の各側
面のリード2の端面2aに対し、所定の距離を空け遮光
帯パターン4aがその上面に形成されている。
【0005】駆動電動機5は、ベルト5aを介し載置台
3を90度宛回転させる。また、透明載置板4上の半導
体装置1の一側面におけるリード2の端面2aに対し、
下方から上向きに光を照射する第1の照明装置6Aと、
斜め上方方向に光を照射する第2の照明装置6Bとが配
置されている。第1の撮像装置7aは、第1の照明装置
6Aの上方に配置され、リード2の端面2aを撮像して
画像情報8aを出力する。また、第2の撮像装置7b
は、第2の照明装置6Bの斜め上方外側に配置され、リ
ード2の端面2aを傾斜角をつけて撮像し、画像情報8
bを出力する。
3を90度宛回転させる。また、透明載置板4上の半導
体装置1の一側面におけるリード2の端面2aに対し、
下方から上向きに光を照射する第1の照明装置6Aと、
斜め上方方向に光を照射する第2の照明装置6Bとが配
置されている。第1の撮像装置7aは、第1の照明装置
6Aの上方に配置され、リード2の端面2aを撮像して
画像情報8aを出力する。また、第2の撮像装置7b
は、第2の照明装置6Bの斜め上方外側に配置され、リ
ード2の端面2aを傾斜角をつけて撮像し、画像情報8
bを出力する。
【0006】第1のリード端距離検出手段9aは、リー
ド2の端面2aと遮光帯パターン4aとの距離を画像情
報8aから検出する。また、第2のリード端距離検出手
段9bは、リード2の端面2aと遮光帯パターン4aと
の距離を画像情報8bから検出する。リード下面高さ検
出手段11は、第1及び第2のリード端距離検出手段1
0a、10bからのそれぞれ第1及び第2の距離情報1
0a、10bが入力され、リード2の下面と透明載置板
4からの高さを算出する。記憶装置13は、リード下面
高さ検出手段11からの高さ情報12が入力され、半導
体装置1の各側面におけるリード2の群ごとの高さ情報
を記憶装置13の区分13aから13dに記憶する。リ
ード平坦性検出手段15には、記憶装置13からの各リ
ード2の群の高さ情報12が入力され、その高さの最大
値を平坦性として検出する。
ド2の端面2aと遮光帯パターン4aとの距離を画像情
報8aから検出する。また、第2のリード端距離検出手
段9bは、リード2の端面2aと遮光帯パターン4aと
の距離を画像情報8bから検出する。リード下面高さ検
出手段11は、第1及び第2のリード端距離検出手段1
0a、10bからのそれぞれ第1及び第2の距離情報1
0a、10bが入力され、リード2の下面と透明載置板
4からの高さを算出する。記憶装置13は、リード下面
高さ検出手段11からの高さ情報12が入力され、半導
体装置1の各側面におけるリード2の群ごとの高さ情報
を記憶装置13の区分13aから13dに記憶する。リ
ード平坦性検出手段15には、記憶装置13からの各リ
ード2の群の高さ情報12が入力され、その高さの最大
値を平坦性として検出する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述したようなリード
平坦性測定装置では、半導体装置1が位置ズレを起こさ
ないように低速で載置台3を回転するので、半導体装置
1の全てのリード平坦性を測定するのに長時間を要する
という問題点があった。また、半導体装置1のリード2
が突出する側面全てに撮像装置を配置すると、この撮像
装置が半導体装置1の自動搬送の障害となり自動搬送で
きず、また、リード2が傾斜しているので、第1の撮像
装置7aと第2の撮像装置7bとは異なる位置のリード
2の端面2aを撮像してしまい測定精度が低いという問
題点もあった。さらに、半導体装置1のバッケージ下面
を認識していないため、半導体装置1のスタンドオフ
や、リード長さを測定することができず、透明載置板4
に異常物が付着したり、傷がついたりすると測定できな
いという問題点もあった。
平坦性測定装置では、半導体装置1が位置ズレを起こさ
ないように低速で載置台3を回転するので、半導体装置
1の全てのリード平坦性を測定するのに長時間を要する
という問題点があった。また、半導体装置1のリード2
が突出する側面全てに撮像装置を配置すると、この撮像
装置が半導体装置1の自動搬送の障害となり自動搬送で
きず、また、リード2が傾斜しているので、第1の撮像
装置7aと第2の撮像装置7bとは異なる位置のリード
2の端面2aを撮像してしまい測定精度が低いという問
題点もあった。さらに、半導体装置1のバッケージ下面
を認識していないため、半導体装置1のスタンドオフ
や、リード長さを測定することができず、透明載置板4
に異常物が付着したり、傷がついたりすると測定できな
いという問題点もあった。
【0008】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、自動搬送手段を用いて、自動的に
半導体装置の寸法を高速で測定すると共に、精度の高い
測定を可能とし、さらに、安価な半導体装置の寸法測定
装置及び方法を得ることを目的とする。
めになされたもので、自動搬送手段を用いて、自動的に
半導体装置の寸法を高速で測定すると共に、精度の高い
測定を可能とし、さらに、安価な半導体装置の寸法測定
装置及び方法を得ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第1項
に係る発明は、表面実装型半導体装置を載置し、遮光帯
パターンが形成された透明載置板と、この透明載置板の
下方に設置された照明装置と、この照明装置から発せら
れ、上記半導体装置のリードが埋設された側辺及び上記
遮光帯パターンを上記リードの軸線方向で大きい仰角及
び小さい仰角で射出したそれぞれ第1及び第2の光情報
を撮像する第1及び第2の撮像装置と、上記第1及び第
2の光情報を反射させ上記第1及び第2の撮像装置に入
光させる第1及び第2の光情報反射手段と、上記第1及
び第2の光情報反射手段と上記第1及び第2の撮像装置
との間にそれぞれ配置され、上記第1及び第2の光情報
の上記照明装置から上記第1及び第2の撮像装置までの
距離を等しくする光反射手段とを備えたものである。
に係る発明は、表面実装型半導体装置を載置し、遮光帯
パターンが形成された透明載置板と、この透明載置板の
下方に設置された照明装置と、この照明装置から発せら
れ、上記半導体装置のリードが埋設された側辺及び上記
遮光帯パターンを上記リードの軸線方向で大きい仰角及
び小さい仰角で射出したそれぞれ第1及び第2の光情報
を撮像する第1及び第2の撮像装置と、上記第1及び第
2の光情報を反射させ上記第1及び第2の撮像装置に入
光させる第1及び第2の光情報反射手段と、上記第1及
び第2の光情報反射手段と上記第1及び第2の撮像装置
との間にそれぞれ配置され、上記第1及び第2の光情報
の上記照明装置から上記第1及び第2の撮像装置までの
距離を等しくする光反射手段とを備えたものである。
【0010】この発明の請求項第2項に係る発明は、請
求項第1項の装置に、撮像装置の画像情報を記憶する記
憶手段と、上記画像情報により半導体装置及び透明載置
板に形成された遮光帯パターンの位置を検出する位置検
出手段と、上記半導体装置と上記遮光帯パターンとの距
離を計測する距離計測手段とをさらに備えたものであ
る。
求項第1項の装置に、撮像装置の画像情報を記憶する記
憶手段と、上記画像情報により半導体装置及び透明載置
板に形成された遮光帯パターンの位置を検出する位置検
出手段と、上記半導体装置と上記遮光帯パターンとの距
離を計測する距離計測手段とをさらに備えたものであ
る。
【0011】この発明の請求項第3項に係る発明は、請
求項第2項の装置に、仰角測定パターンが形成された透
明載置板と、照明装置からの第1及び第2の光情報の仰
角を測定する仰角測定手段とをさらに備えたものであ
る。
求項第2項の装置に、仰角測定パターンが形成された透
明載置板と、照明装置からの第1及び第2の光情報の仰
角を測定する仰角測定手段とをさらに備えたものであ
る。
【0012】この発明の請求項第4項に係る発明は、請
求項第3項の装置に、距離計測手段からの距離情報及び
仰角測定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導
体装置のリードとの高さを測定する平坦性測定手段をさ
らに備えたものである。
求項第3項の装置に、距離計測手段からの距離情報及び
仰角測定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導
体装置のリードとの高さを測定する平坦性測定手段をさ
らに備えたものである。
【0013】この発明の請求項第5項に係る発明は、請
求項第3項の装置に、距離計測手段からの距離情報及び
仰角測定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導
体装置のパッケージとの高さを測定するスタンドオフ測
定手段をさらに備えたものである。
求項第3項の装置に、距離計測手段からの距離情報及び
仰角測定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導
体装置のパッケージとの高さを測定するスタンドオフ測
定手段をさらに備えたものである。
【0014】この発明の請求項第6項に係る発明は、請
求項第3項の装置に、距離計測手段からの距離情報及び
仰角測定手段からの仰角情報により、半導体装置のリー
ド長さを測定するリード長測定手段をさらに備えたもの
である。
求項第3項の装置に、距離計測手段からの距離情報及び
仰角測定手段からの仰角情報により、半導体装置のリー
ド長さを測定するリード長測定手段をさらに備えたもの
である。
【0015】この発明の請求項第7項に係る発明は、請
求項第3項の装置に、位置検出手段からの異常情報によ
り、透明載置板上に半導体装置が載置されていない透明
載置板の異常を検知する異常検知手段をさらに備えたも
のである。
求項第3項の装置に、位置検出手段からの異常情報によ
り、透明載置板上に半導体装置が載置されていない透明
載置板の異常を検知する異常検知手段をさらに備えたも
のである。
【0016】この発明の請求項第8項に係る発明は、請
求項第3項の装置に、透明載置板上に半導体装置が載置
されていない透明載置板の異常を検知する異常検知手段
と、透明載置板と半導体装置のリードとの高さを測定す
る平坦性測定手段と、透明載置板と半導体装置のパッケ
ージとの高さを測定するスタンドオフ測定手段と、半導
体装置のリード長さを測定するリード長測定手段とを備
え、上記異常検知手段からの異常検知情報、上記平坦性
測定手段からの平坦性測定情報、上記スタンドオフ測定
手段からのスタンドオフ測定情報及び上記リード長測定
手段からのリード長測定情報により、所定の基準地と比
較して検査する検査手段をさらに備えたものである。
求項第3項の装置に、透明載置板上に半導体装置が載置
されていない透明載置板の異常を検知する異常検知手段
と、透明載置板と半導体装置のリードとの高さを測定す
る平坦性測定手段と、透明載置板と半導体装置のパッケ
ージとの高さを測定するスタンドオフ測定手段と、半導
体装置のリード長さを測定するリード長測定手段とを備
え、上記異常検知手段からの異常検知情報、上記平坦性
測定手段からの平坦性測定情報、上記スタンドオフ測定
手段からのスタンドオフ測定情報及び上記リード長測定
手段からのリード長測定情報により、所定の基準地と比
較して検査する検査手段をさらに備えたものである。
【0017】この発明の請求項第9項に係る発明は、請
求項第2項の装置に、照明装置の光源はLEDであり、
照明の出力の制御を行うLED制御手段と、LEDの発
光制御及びLEDの発光と連動した画像情報の記憶手段
への入力のタイミングを制御する画像入力制御手段とを
さらに備えたものである。
求項第2項の装置に、照明装置の光源はLEDであり、
照明の出力の制御を行うLED制御手段と、LEDの発
光制御及びLEDの発光と連動した画像情報の記憶手段
への入力のタイミングを制御する画像入力制御手段とを
さらに備えたものである。
【0018】この発明の請求項第10項に係る発明は、
請求項第1項の装置に、半導体装置の大きさより小さい
画像情報の視野を持つ撮像装置を複数台備えたものであ
る。
請求項第1項の装置に、半導体装置の大きさより小さい
画像情報の視野を持つ撮像装置を複数台備えたものであ
る。
【0019】この発明の請求項第11項に係る発明は、
請求項第1項の装置に、透明載置板の上方に半導体装置
の載置、取り除きを行う自動搬送手段をさらに備えたも
のである。
請求項第1項の装置に、透明載置板の上方に半導体装置
の載置、取り除きを行う自動搬送手段をさらに備えたも
のである。
【0020】この発明の請求項第12項に係る発明は、
半導体装置一側辺のリード群とこの半導体装置を載置す
る透明載置板に形成された遮光帯パターンとを異なる2
方向から照明装置により光を照射し、上記半導体装置及
び上記遮光帯パターンを照射した2つの光情報を反射手
段により1つの撮像装置で撮像し、上記撮像装置の画像
情報をそれぞれ異なるタイミングで記憶装置に記憶し、
上記半導体装置の一側辺の個々のリードの先端位置と、
個々のリードに対応する遮光帯パターンの位置を上記光
情報の方向毎に位置検出手段で検出し、個々のリード先
端から個々のリードに対応する遮光帯パターンとの距離
を上記光情報の方向毎に距離計測手段で計測し、2つの
光情報の方向が異なる距離情報と2つの光情報の既知の
仰角から平坦性測定手段により個々のリードの平坦性を
測定し、上記記憶手段に記憶された各半導体装置のリー
ドを持つ辺の画像情報毎に平坦性を順次測定することに
より、上記半導体装置の全てのリードの下面と上記透明
載置板との高さを測定するものである。
半導体装置一側辺のリード群とこの半導体装置を載置す
る透明載置板に形成された遮光帯パターンとを異なる2
方向から照明装置により光を照射し、上記半導体装置及
び上記遮光帯パターンを照射した2つの光情報を反射手
段により1つの撮像装置で撮像し、上記撮像装置の画像
情報をそれぞれ異なるタイミングで記憶装置に記憶し、
上記半導体装置の一側辺の個々のリードの先端位置と、
個々のリードに対応する遮光帯パターンの位置を上記光
情報の方向毎に位置検出手段で検出し、個々のリード先
端から個々のリードに対応する遮光帯パターンとの距離
を上記光情報の方向毎に距離計測手段で計測し、2つの
光情報の方向が異なる距離情報と2つの光情報の既知の
仰角から平坦性測定手段により個々のリードの平坦性を
測定し、上記記憶手段に記憶された各半導体装置のリー
ドを持つ辺の画像情報毎に平坦性を順次測定することに
より、上記半導体装置の全てのリードの下面と上記透明
載置板との高さを測定するものである。
【0021】この発明の請求項第13項に係る発明は、
請求項第12項において、遮光帯パターンの位置の検出
を位置検出手段により画像情報の明るさの変化量から1
画素以下の分解能で行うものである。
請求項第12項において、遮光帯パターンの位置の検出
を位置検出手段により画像情報の明るさの変化量から1
画素以下の分解能で行うものである。
【0022】
【作用】この発明の請求項第1項においては、半導体装
置及び透明載置板を移動することなく、半導体装置の一
側辺のリード郡と遮光帯パターンを異なる二方向から見
たときの二つの光情報を反射する二つの反射手段と、別
の光反射手段により、等距離になるように一つの撮像装
置に入力する。
置及び透明載置板を移動することなく、半導体装置の一
側辺のリード郡と遮光帯パターンを異なる二方向から見
たときの二つの光情報を反射する二つの反射手段と、別
の光反射手段により、等距離になるように一つの撮像装
置に入力する。
【0023】この発明の請求項第2項においては、各光
学部の撮像装置の画像情報を、それぞれ異なるタイミン
グで記憶装置に記憶し、各半導体装置の一側辺の個々の
リードの先端位置と、個々のリードに対応する遮光帯パ
ターンの位置を、光情報の方向毎に位置検出手段で検出
し、個々のリード先端からの個々のリードに対応する遮
光帯パターンとの距離を、光情報の方向毎に距離計測手
段で計測する。
学部の撮像装置の画像情報を、それぞれ異なるタイミン
グで記憶装置に記憶し、各半導体装置の一側辺の個々の
リードの先端位置と、個々のリードに対応する遮光帯パ
ターンの位置を、光情報の方向毎に位置検出手段で検出
し、個々のリード先端からの個々のリードに対応する遮
光帯パターンとの距離を、光情報の方向毎に距離計測手
段で計測する。
【0024】この発明の請求項第3項においては、全て
の光情報の仰角を仰角測定手段で測定し、各光情報毎に
保持し、平坦性測定、スタンドオフ測定又はリード長さ
測定に仰角データを使用する。
の光情報の仰角を仰角測定手段で測定し、各光情報毎に
保持し、平坦性測定、スタンドオフ測定又はリード長さ
測定に仰角データを使用する。
【0025】この発明の請求項第4項においては、距離
情報及び仰角情報から透明載置板と半導体装置のリード
との高さを測定するので、測定値が正確になる。
情報及び仰角情報から透明載置板と半導体装置のリード
との高さを測定するので、測定値が正確になる。
【0026】この発明の請求項第5項においては、距離
情報及び仰角情報から透明載置板と半導体装置のパッケ
ージとの高さを測定するので、測定値が正確になる。
情報及び仰角情報から透明載置板と半導体装置のパッケ
ージとの高さを測定するので、測定値が正確になる。
【0027】この発明の請求項第6項においては、距離
情報及び仰角情報から半導体装置のリード長さを測定す
るので、測定値が正確になる。
情報及び仰角情報から半導体装置のリード長さを測定す
るので、測定値が正確になる。
【0028】この発明の請求項第7項においては、透明
載置板上に半導体装置が載置されていない透明載置板の
異常を検知するので、透明載置板の清掃や交換時期が判
る。
載置板上に半導体装置が載置されていない透明載置板の
異常を検知するので、透明載置板の清掃や交換時期が判
る。
【0029】この発明の請求項第8項においては、平坦
性測定情報、スタンドオフ測定情報及びリード長測定情
報を既知の基準値で検査する。
性測定情報、スタンドオフ測定情報及びリード長測定情
報を既知の基準値で検査する。
【0030】この発明の請求項第9項においては、画像
入力制御手段は各光学部のLEDの点灯、消灯を制御
し、点灯しているLEDに対応する光学部の撮像装置の
画像情報を選択し、選択された光学部以外のLEDを消
灯し、LEDの発光タイミングと合わせて記憶装置にこ
の選択された画像情報の記憶を制御し、一つの画像情報
の記憶が終了したら、別の画像情報を記憶装置に記憶す
ることで、他の光学部からの光が入光しない画像情報を
記憶する。
入力制御手段は各光学部のLEDの点灯、消灯を制御
し、点灯しているLEDに対応する光学部の撮像装置の
画像情報を選択し、選択された光学部以外のLEDを消
灯し、LEDの発光タイミングと合わせて記憶装置にこ
の選択された画像情報の記憶を制御し、一つの画像情報
の記憶が終了したら、別の画像情報を記憶装置に記憶す
ることで、他の光学部からの光が入光しない画像情報を
記憶する。
【0031】この発明の請求項第10項においては、一
つの画像情報の視野の大きさよりも小さな撮像装置を複
数台横に並べたので、一つの画像情報の視野の大きさよ
りも大きな半導体装置を測定するとき、他の光の反射手
段を用いずに測定する。
つの画像情報の視野の大きさよりも小さな撮像装置を複
数台横に並べたので、一つの画像情報の視野の大きさよ
りも大きな半導体装置を測定するとき、他の光の反射手
段を用いずに測定する。
【0032】この発明の請求項第11項においては、自
動搬送手段により半導体装置を自動的に透明載置板に載
置でき、検査結果により半導体装置の収納位置を変える
ことができる。
動搬送手段により半導体装置を自動的に透明載置板に載
置でき、検査結果により半導体装置の収納位置を変える
ことができる。
【0033】この発明の請求項第12項においては、透
明載置板に載置された半導体装置のリードの透明載置板
からの高さを、透明載置板に形成された遮光帯パターン
とリード先端を小さい仰角又は大きい仰角で見たときの
距離及び小さい仰角又は大きい仰角の角度から正確に測
定できる。
明載置板に載置された半導体装置のリードの透明載置板
からの高さを、透明載置板に形成された遮光帯パターン
とリード先端を小さい仰角又は大きい仰角で見たときの
距離及び小さい仰角又は大きい仰角の角度から正確に測
定できる。
【0034】この発明の請求項第13項においては、位
置検出手段が1画素以下の分解能で位置を検出するの
で、位置情報が正確になる。
置検出手段が1画素以下の分解能で位置を検出するの
で、位置情報が正確になる。
【0035】
実施例1.図1は、この発明の実施例1による半導体装
置の寸法測定装置を示す概略構成図であり、図2はその
動作説明図である。これらの図において、表面実装型の
半導体装置1のパッケージ1a側面からは、多数のリー
ド2が突出している。16は半導体装置1を真空吸着す
る吸着ヘッドであり、17は吸着ヘッド16を上下移動
させる吸着ヘッド駆動部、18は吸着ヘッド駆動部17
を水平方向に移動する移動テーブルである。
置の寸法測定装置を示す概略構成図であり、図2はその
動作説明図である。これらの図において、表面実装型の
半導体装置1のパッケージ1a側面からは、多数のリー
ド2が突出している。16は半導体装置1を真空吸着す
る吸着ヘッドであり、17は吸着ヘッド16を上下移動
させる吸着ヘッド駆動部、18は吸着ヘッド駆動部17
を水平方向に移動する移動テーブルである。
【0036】3は半導体装置1の載置台、4は載置台3
に固定された透明載置板であり、載置される半導体装置
1の各側面のリード2群の外側上面に遮光帯パターン4
aが形成されている(図23)。6aは透明載置板4の
下に取り付けられた中央LED照明、6bは透明載置板
4の斜め下方に取り付けられた第1のLED照明、6c
は透明載置板4の斜め下方で第1のLED照明6bの反
対側に取り付けられた第2のLED照明である。19a
は中央LED照明6aからの光20を散乱する下方散乱
板、19bは6b及び6cからの光20を散乱する側方
散乱板、21は中央LED照明6aからの光20と第1
のLED照明6bからの光20とを分離し、又は中央L
ED照明6aからの光20と第2のLED照明6cから
の光20とを分離する遮光板、22は第1のLED照明
6b及び第2のLED照明6cからの光20を反射し、
側方散乱板19bに入光させる照明反射板である。
に固定された透明載置板であり、載置される半導体装置
1の各側面のリード2群の外側上面に遮光帯パターン4
aが形成されている(図23)。6aは透明載置板4の
下に取り付けられた中央LED照明、6bは透明載置板
4の斜め下方に取り付けられた第1のLED照明、6c
は透明載置板4の斜め下方で第1のLED照明6bの反
対側に取り付けられた第2のLED照明である。19a
は中央LED照明6aからの光20を散乱する下方散乱
板、19bは6b及び6cからの光20を散乱する側方
散乱板、21は中央LED照明6aからの光20と第1
のLED照明6bからの光20とを分離し、又は中央L
ED照明6aからの光20と第2のLED照明6cから
の光20とを分離する遮光板、22は第1のLED照明
6b及び第2のLED照明6cからの光20を反射し、
側方散乱板19bに入光させる照明反射板である。
【0037】22aは半導体装置1のリード軸線方向に
おいて半導体装置1に対して第1のLED照明6bと反
射側にある第1の光学部、22bは半導体装置1に対し
て第1の光学部22aの反射側に設けられた第2の光学
部であり、透明載置板4上に載置された半導体装置1側
面のリード2をそれぞれ別々に撮像するように配置され
ている。23a及び23bは半導体装置1のリード軸線
方向において透明載置板4に対し大きな第1の仰角24
a及び24bで第1の光学部22a及び第2の光学部2
2bにそれぞれ入光する第1の光情報、25a及び25
bは第1の仰角24a及び24bと異なる小さな第2の
仰角26a及び26bでそれぞれ第1の光学部22a及
び22bに入光する第2の光情報である。
おいて半導体装置1に対して第1のLED照明6bと反
射側にある第1の光学部、22bは半導体装置1に対し
て第1の光学部22aの反射側に設けられた第2の光学
部であり、透明載置板4上に載置された半導体装置1側
面のリード2をそれぞれ別々に撮像するように配置され
ている。23a及び23bは半導体装置1のリード軸線
方向において透明載置板4に対し大きな第1の仰角24
a及び24bで第1の光学部22a及び第2の光学部2
2bにそれぞれ入光する第1の光情報、25a及び25
bは第1の仰角24a及び24bと異なる小さな第2の
仰角26a及び26bでそれぞれ第1の光学部22a及
び22bに入光する第2の光情報である。
【0038】27a及び27bはそれぞれ第1の光学部
22a及び第2の光学部22bに取り付けられ、それぞ
れ第1の光情報23a及び第2の光情報23bを反射す
る第1の光情報反射手段、28a及び28bはそれぞれ
第1の光学部22a及び第2の光学部22bに取り付け
られ、第2の光情報25a及び25bを反射する第2の
光情報反射手段、29a及び29bはそれぞれ第1の光
情報23a及び23b並びに第2の光情報25a及び2
5bが入力するそれぞれ第1の撮像装置及び第2の撮像
装置、30a及び30bはそれぞれ第1の光学部22a
及び第2の光学部22bに取り付けられ、第1の光情報
23a及び23bと第2の光情報25a及び25bのリ
ード2群とそれぞれ第1の撮像装置29a及び第2の撮
像装置29bまでの距離が等しくなるように、第2の光
情報反射手段28a及び28bで反射した第2の光情報
25a及び25bを反射する等距離光反射手段である。
22a及び第2の光学部22bに取り付けられ、それぞ
れ第1の光情報23a及び第2の光情報23bを反射す
る第1の光情報反射手段、28a及び28bはそれぞれ
第1の光学部22a及び第2の光学部22bに取り付け
られ、第2の光情報25a及び25bを反射する第2の
光情報反射手段、29a及び29bはそれぞれ第1の光
情報23a及び23b並びに第2の光情報25a及び2
5bが入力するそれぞれ第1の撮像装置及び第2の撮像
装置、30a及び30bはそれぞれ第1の光学部22a
及び第2の光学部22bに取り付けられ、第1の光情報
23a及び23bと第2の光情報25a及び25bのリ
ード2群とそれぞれ第1の撮像装置29a及び第2の撮
像装置29bまでの距離が等しくなるように、第2の光
情報反射手段28a及び28bで反射した第2の光情報
25a及び25bを反射する等距離光反射手段である。
【0039】31aは第1の撮像装置29aから出力さ
れる第1の画像情報、31bは第2の撮像装置29bか
ら出力される第2の画像情報、32は第1の画像情報3
1a及び第2の画像情報31bが入力され記憶される画
像入力記憶手段、33は画像入力記憶手段32から出力
される同期信号、34は画像情報アドレス35と画像情
報読みだし信号36によって画像入力記憶手段32から
出力される画像情報、37はこの画像情報34が入力さ
れる位置検出手段、38は位置検出手段37から出力さ
れ異常検知手段40に入力される異常情報、39は位置
検出手段37から出力され距離計測手段41に入力され
る位置情報、42a及び42bは距離計測手段41から
出力され平坦性測定手段43に入力されるそれぞれ第1
及び第2のリード遮光帯パターン距離情報、44aは距
離計測手段41から出力されスタンドオフ測定手段45
に入力される第1の光情報23a及び23bから得られ
た第1のパッケージ遮光帯パターン距離情報、44bは
第2の光情報25a及び25bから得られた第2のパッ
ケージ遮光帯パターン距離情報である。
れる第1の画像情報、31bは第2の撮像装置29bか
ら出力される第2の画像情報、32は第1の画像情報3
1a及び第2の画像情報31bが入力され記憶される画
像入力記憶手段、33は画像入力記憶手段32から出力
される同期信号、34は画像情報アドレス35と画像情
報読みだし信号36によって画像入力記憶手段32から
出力される画像情報、37はこの画像情報34が入力さ
れる位置検出手段、38は位置検出手段37から出力さ
れ異常検知手段40に入力される異常情報、39は位置
検出手段37から出力され距離計測手段41に入力され
る位置情報、42a及び42bは距離計測手段41から
出力され平坦性測定手段43に入力されるそれぞれ第1
及び第2のリード遮光帯パターン距離情報、44aは距
離計測手段41から出力されスタンドオフ測定手段45
に入力される第1の光情報23a及び23bから得られ
た第1のパッケージ遮光帯パターン距離情報、44bは
第2の光情報25a及び25bから得られた第2のパッ
ケージ遮光帯パターン距離情報である。
【0040】46aは距離計測手段41から出力されリ
ード長測定手段47に入力される第1の光情報23a及
び23bから得られた第1のリードパッケージ距離情
報、46bは同じく第2の光情報25a及び25bから
得られた第2のリードパッケージ距離情報、48aは距
離計測手段41から出力され仰角測定手段49に入力さ
れる第1の光情報23a及び23bから得られた第1の
遮光パターン距離情報、48bは同じく第2の光情報2
5a及び25bから得られた第2の遮光パターン距離情
報、50は仰角測定手段49から出力される仰角情報、
51はこの仰角情報50を記憶する仰角データ、52は
この仰角データ51から出力され平坦性測定手段43、
スタンドオフ測定手段45及びリード長測定手段47に
入力される第1の光学部22a及び第2の光学部22b
毎の仰角情報である。53は異常検出手段40から出力
される異常検知情報54と、平坦性測定手段43から出
力される平坦性測定情報55と、スタンドオフ測定手段
45から出力されるスタンドオフ測定情報56と、リー
ド長測定手段47から出力されるリード長測定情報57
と、品種データ58で記憶されている既知の品種情報5
8aが入力されると共に、検査結果59と測定結果60
を出力する検査手段である。61はこれらの検査結果5
9と測定結果60を表示する表示手段である。
ード長測定手段47に入力される第1の光情報23a及
び23bから得られた第1のリードパッケージ距離情
報、46bは同じく第2の光情報25a及び25bから
得られた第2のリードパッケージ距離情報、48aは距
離計測手段41から出力され仰角測定手段49に入力さ
れる第1の光情報23a及び23bから得られた第1の
遮光パターン距離情報、48bは同じく第2の光情報2
5a及び25bから得られた第2の遮光パターン距離情
報、50は仰角測定手段49から出力される仰角情報、
51はこの仰角情報50を記憶する仰角データ、52は
この仰角データ51から出力され平坦性測定手段43、
スタンドオフ測定手段45及びリード長測定手段47に
入力される第1の光学部22a及び第2の光学部22b
毎の仰角情報である。53は異常検出手段40から出力
される異常検知情報54と、平坦性測定手段43から出
力される平坦性測定情報55と、スタンドオフ測定手段
45から出力されるスタンドオフ測定情報56と、リー
ド長測定手段47から出力されるリード長測定情報57
と、品種データ58で記憶されている既知の品種情報5
8aが入力されると共に、検査結果59と測定結果60
を出力する検査手段である。61はこれらの検査結果5
9と測定結果60を表示する表示手段である。
【0041】62は吸着ヘッド駆動部17を制御する吸
着ヘッド制御信号63と、移動テーブル18を制御する
移動テーブル制御信号64を出力すると共に、検査結果
59が入力され載置信号65を出力し、さらに画像入力
完了信号66を入力する搬送制御部である。67は載置
信号65と同期信号33を入力し、中央LED発光信号
68a、第1のLED発光信号68b、第2のLED発
光信号68c、第1の画像情報入力信号69a及び第2
の画像情報入力信号69bを出力する画像入力制御手段
である。70は中央LED発光信号68a、第1のLE
D発光信号68b、第2のLED発光信号68cを入力
すると共に、中央LED照明6aに中央LED制御信号
71a、第1のLED照明6bに第1のLED制御信号
71b、第2のLED照明6cに第2のLED制御信号
71cを出力するLED制御手段である。
着ヘッド制御信号63と、移動テーブル18を制御する
移動テーブル制御信号64を出力すると共に、検査結果
59が入力され載置信号65を出力し、さらに画像入力
完了信号66を入力する搬送制御部である。67は載置
信号65と同期信号33を入力し、中央LED発光信号
68a、第1のLED発光信号68b、第2のLED発
光信号68c、第1の画像情報入力信号69a及び第2
の画像情報入力信号69bを出力する画像入力制御手段
である。70は中央LED発光信号68a、第1のLE
D発光信号68b、第2のLED発光信号68cを入力
すると共に、中央LED照明6aに中央LED制御信号
71a、第1のLED照明6bに第1のLED制御信号
71b、第2のLED照明6cに第2のLED制御信号
71cを出力するLED制御手段である。
【0042】次に、上述した半導体装置の寸法測定装置
の概略的な動作について説明する。図3は、半導体装置
の寸法測定装置の1サイクルの動作を示すタイミングチ
ャートである。図において、搬送制御部62は、吸着ヘ
ッド駆動部17を吸着ヘッド制御信号63で制御し、移
動テーブル18を移動テーブル制御信号64で制御す
る。移動テーブル18は、吸着ヘッド16で吸着した半
導体装置1を吸着ヘッド駆動部17と共に移送する。吸
着ヘッド駆動部17は、吸着ヘッド16を下に降ろし、
吸着された半導体装置1の吸着を外して透明載置板4上
に半導体装置1を置き(図4)、搬送制御部62から載
置信号65が画像入力制御手段67に入力される。画像
入力制御手段67は、この載置信号65が入力されてか
ら、各LED発光信号68a〜68cを出力する。LE
D制御手段70は、各LED制御信号71a〜71c
で、各LED照明6a〜6cの点灯消灯を制御する。ま
た画像入力制御手段67は、第1の画像情報入力信号6
9aを出力して画像入力記憶手段32に第1の画像情報
31aを記憶させる。第1の画像情報31aの記憶が完
了したら、続いて第2の画像情報入力信号69bを出力
し、画像入力記憶手段32に第2の画像情報31bを記
憶させる。第1の画像情報31aと第2の画像情報31
bの記憶が完了したら、搬送制御部62に画像入力完了
信号66を出力する。搬送制御部62は、吸着ヘッド駆
動部17を吸着ヘッド制御信号63で制御して吸着ヘッ
ド16で半導体装置1を吸着して上方向に上昇させ、移
動テーブル制御信号64で半導体装置1を吸着ヘッド駆
動部17及び吸着ヘッド16ごと移動し、次の半導体装
置1を透明載置板4に移動する。
の概略的な動作について説明する。図3は、半導体装置
の寸法測定装置の1サイクルの動作を示すタイミングチ
ャートである。図において、搬送制御部62は、吸着ヘ
ッド駆動部17を吸着ヘッド制御信号63で制御し、移
動テーブル18を移動テーブル制御信号64で制御す
る。移動テーブル18は、吸着ヘッド16で吸着した半
導体装置1を吸着ヘッド駆動部17と共に移送する。吸
着ヘッド駆動部17は、吸着ヘッド16を下に降ろし、
吸着された半導体装置1の吸着を外して透明載置板4上
に半導体装置1を置き(図4)、搬送制御部62から載
置信号65が画像入力制御手段67に入力される。画像
入力制御手段67は、この載置信号65が入力されてか
ら、各LED発光信号68a〜68cを出力する。LE
D制御手段70は、各LED制御信号71a〜71c
で、各LED照明6a〜6cの点灯消灯を制御する。ま
た画像入力制御手段67は、第1の画像情報入力信号6
9aを出力して画像入力記憶手段32に第1の画像情報
31aを記憶させる。第1の画像情報31aの記憶が完
了したら、続いて第2の画像情報入力信号69bを出力
し、画像入力記憶手段32に第2の画像情報31bを記
憶させる。第1の画像情報31aと第2の画像情報31
bの記憶が完了したら、搬送制御部62に画像入力完了
信号66を出力する。搬送制御部62は、吸着ヘッド駆
動部17を吸着ヘッド制御信号63で制御して吸着ヘッ
ド16で半導体装置1を吸着して上方向に上昇させ、移
動テーブル制御信号64で半導体装置1を吸着ヘッド駆
動部17及び吸着ヘッド16ごと移動し、次の半導体装
置1を透明載置板4に移動する。
【0043】次に、画像入力記憶手段32に記憶された
第1の画像情報31aのうち、パッケージ1aの側辺
と、リード2の端面2aと、遮光帯パターン4aとの座
標を位置検出手段37で検出し、第2の画像情報31b
のパッケージ1aの側辺と、リード先端2aと遮光帯パ
ターン4aとの座標を検出して、位置検出信号39を距
離計測手段41に出力する。距離計測手段41は、位置
検出信号39から各画像情報31a、31bのうち、第
1の光情報23についてのリード先端2aから遮光帯パ
ターン4aまでの距離と、第2の光情報25についての
リード先端2aから遮光帯パターン4aまでの距離を計
測し、平坦性測定手段43に第1のリード遮光帯パター
ン距離情報42aと、第2のリード遮光帯パターン距離
情報42bを出力する。また、距離計測手段41は位置
信号39から、各画像情報31a,31bの、第1の光
情報23についてのパッケージ1a側辺から遮光帯パタ
ーン4aまでの距離と、第2の光情報25についてのパ
ッケージ1a側辺から遮光帯パターン4aまでの距離を
計測し、平坦性測定手段43に第1のパッケージ遮光帯
パターン距離情報44aと、第2のパッケージ遮光帯パ
ターン距離情報44bとを出力する。
第1の画像情報31aのうち、パッケージ1aの側辺
と、リード2の端面2aと、遮光帯パターン4aとの座
標を位置検出手段37で検出し、第2の画像情報31b
のパッケージ1aの側辺と、リード先端2aと遮光帯パ
ターン4aとの座標を検出して、位置検出信号39を距
離計測手段41に出力する。距離計測手段41は、位置
検出信号39から各画像情報31a、31bのうち、第
1の光情報23についてのリード先端2aから遮光帯パ
ターン4aまでの距離と、第2の光情報25についての
リード先端2aから遮光帯パターン4aまでの距離を計
測し、平坦性測定手段43に第1のリード遮光帯パター
ン距離情報42aと、第2のリード遮光帯パターン距離
情報42bを出力する。また、距離計測手段41は位置
信号39から、各画像情報31a,31bの、第1の光
情報23についてのパッケージ1a側辺から遮光帯パタ
ーン4aまでの距離と、第2の光情報25についてのパ
ッケージ1a側辺から遮光帯パターン4aまでの距離を
計測し、平坦性測定手段43に第1のパッケージ遮光帯
パターン距離情報44aと、第2のパッケージ遮光帯パ
ターン距離情報44bとを出力する。
【0044】さらに、距離計測手段41は、位置検出信
号39から各画像情報31a、31bのうち、第1の光
情報23についてのパターン1a側辺から遮光帯パター
ン4aまでの距離と、第2の光情報25についてのリー
ド先端2aからパッケージ1a側辺までの距離を計測
し、平坦性測定手段43に第1のリードパッケージ距離
情報46aと、第2のリードパッケージ距離情報46b
を出力する。次に、平坦性測定手段43は、距離データ
51に記憶されている第1及び第2の光学部22a、2
2bごとの仰角情報52と、第1のリード遮光帯パター
ン距離情報42aと、第2のリード遮光帯パターン記憶
情報42bとからリード2群の平坦性を測定し、平坦性
測定情報55を検査手段53に出力する。スタンドオフ
測定手段45は、距離データ51に記憶されている第1
及び第2の光学部22a、22bごとの仰角情報52
と、第1のパッケージ遮光帯パターン距離情報44a
と、第2のパッケージ遮光帯パターン距離情報44bか
らパッケージ1a側辺のスタンドオフを測定し、スタン
ドオフ測定情報56を検査手段53に出力する。リード
長測定手段47は、距離データ51に記憶されている第
1及び第2の光学部22a、22bごとの仰角情報52
と、第1のリードパッケージ距離情報46aと、第2の
リードパッケージ記憶情報46bからリード長さを測定
し、リード長測定情報57を検査手段53に出力する。
号39から各画像情報31a、31bのうち、第1の光
情報23についてのパターン1a側辺から遮光帯パター
ン4aまでの距離と、第2の光情報25についてのリー
ド先端2aからパッケージ1a側辺までの距離を計測
し、平坦性測定手段43に第1のリードパッケージ距離
情報46aと、第2のリードパッケージ距離情報46b
を出力する。次に、平坦性測定手段43は、距離データ
51に記憶されている第1及び第2の光学部22a、2
2bごとの仰角情報52と、第1のリード遮光帯パター
ン距離情報42aと、第2のリード遮光帯パターン記憶
情報42bとからリード2群の平坦性を測定し、平坦性
測定情報55を検査手段53に出力する。スタンドオフ
測定手段45は、距離データ51に記憶されている第1
及び第2の光学部22a、22bごとの仰角情報52
と、第1のパッケージ遮光帯パターン距離情報44a
と、第2のパッケージ遮光帯パターン距離情報44bか
らパッケージ1a側辺のスタンドオフを測定し、スタン
ドオフ測定情報56を検査手段53に出力する。リード
長測定手段47は、距離データ51に記憶されている第
1及び第2の光学部22a、22bごとの仰角情報52
と、第1のリードパッケージ距離情報46aと、第2の
リードパッケージ記憶情報46bからリード長さを測定
し、リード長測定情報57を検査手段53に出力する。
【0045】また、画像入力制御手段32は、位置検出
手段37の動作が完了し、かつ半導体装置1が透明載置
板4上に無いとき、上述と同じように第1及び第2の画
像情報31a、32bを画像入力記憶手段32に記憶す
る。次に、位置検出手段37は、第1及び第2の画像情
報31a、31bに異常の位置を検知し、異常情報38
を異常検知手段に出力する。異常検知手段40は、異常
情報38から異常物の大きさを測定し、異常検知情報5
4を検査手段53に出力する。ついで、検査手段53は
品質データ58から出力される品質情報58aにより平
坦性測定情報55と、スタンドオフ情報56と、リード
長測定情報57と、異常検知情報54とを検査し、検査
結果59と測定結果60を表示する。検査結果59によ
って、搬送手段62は、移動テーブル18の移動を停止
したり、半導体装置1の収納先(図示しない)を変えた
りする。
手段37の動作が完了し、かつ半導体装置1が透明載置
板4上に無いとき、上述と同じように第1及び第2の画
像情報31a、32bを画像入力記憶手段32に記憶す
る。次に、位置検出手段37は、第1及び第2の画像情
報31a、31bに異常の位置を検知し、異常情報38
を異常検知手段に出力する。異常検知手段40は、異常
情報38から異常物の大きさを測定し、異常検知情報5
4を検査手段53に出力する。ついで、検査手段53は
品質データ58から出力される品質情報58aにより平
坦性測定情報55と、スタンドオフ情報56と、リード
長測定情報57と、異常検知情報54とを検査し、検査
結果59と測定結果60を表示する。検査結果59によ
って、搬送手段62は、移動テーブル18の移動を停止
したり、半導体装置1の収納先(図示しない)を変えた
りする。
【0046】次に、画像入力制御手段67によるLED
照明6の発光と、画像情報31の画像入力記憶手段32
の入力動作について、図5のタイミングチャートにより
説明する。画像入力制御手段67は、載置信号65が
「無し」から載置中に変化してからカウントを可能と
し、同期信号33が「L」から「H」に変化する数をカ
ウントする。画像入力制御手段67は、中央LED発光
信号68aを常時「点灯」にし、カウント値71が
「2」になったとき、第1のLED発光信号68bを消
灯し、第2のLED発光信号68cを点灯し、カウント
値71が「5」になったとき、第1のLED発光信号6
8bを点灯し、第2のLED発光信号68cを消灯す
る。また、カウント値71が「1」になったとき、第1
の画像入力信号69aを「入力」にし、カウント値71
が「2」でかつ同期信号33が「H」から「L」に変化
したときに第1の画像入力信号69aを停止し、カウン
ト値71が「4」になったとき、第2の画像入力信号6
9bを「入力」にし、カウント値71が「3」で同期信
号33が「H」から「L」に変化したときに第2の画像
入力信号69bを「停止」にし、同時に画像入力完了信
号66を入力完了とする。
照明6の発光と、画像情報31の画像入力記憶手段32
の入力動作について、図5のタイミングチャートにより
説明する。画像入力制御手段67は、載置信号65が
「無し」から載置中に変化してからカウントを可能と
し、同期信号33が「L」から「H」に変化する数をカ
ウントする。画像入力制御手段67は、中央LED発光
信号68aを常時「点灯」にし、カウント値71が
「2」になったとき、第1のLED発光信号68bを消
灯し、第2のLED発光信号68cを点灯し、カウント
値71が「5」になったとき、第1のLED発光信号6
8bを点灯し、第2のLED発光信号68cを消灯す
る。また、カウント値71が「1」になったとき、第1
の画像入力信号69aを「入力」にし、カウント値71
が「2」でかつ同期信号33が「H」から「L」に変化
したときに第1の画像入力信号69aを停止し、カウン
ト値71が「4」になったとき、第2の画像入力信号6
9bを「入力」にし、カウント値71が「3」で同期信
号33が「H」から「L」に変化したときに第2の画像
入力信号69bを「停止」にし、同時に画像入力完了信
号66を入力完了とする。
【0047】搬送制御部62は、入力完了信号66が入
力完了になったら半導体装置1を透明載置板4から移動
し、載置信号65を「無し」にし、画像入力制御手段6
7は、載置信号65が「無し」になったらカウント値7
1をクリアし、入力完了信号66を「入力未」にする。
次に、LED制御手段70の動作を図6により説明す
る。LED制御手段70では、定電圧電源70aにより
三端子レギュレータ70bと可変抵抗器70cで任意の
電圧のLED電源70dを得る。LED発光信号69
は、フオトカプラ70eでアイソレートされ、トランジ
スタ70fに入力される。LED制御手段70は、この
トランジスタ70fでLED照明6の点灯と消灯を制御
し、可変抵抗器70cで発光の出力を制御する。
力完了になったら半導体装置1を透明載置板4から移動
し、載置信号65を「無し」にし、画像入力制御手段6
7は、載置信号65が「無し」になったらカウント値7
1をクリアし、入力完了信号66を「入力未」にする。
次に、LED制御手段70の動作を図6により説明す
る。LED制御手段70では、定電圧電源70aにより
三端子レギュレータ70bと可変抵抗器70cで任意の
電圧のLED電源70dを得る。LED発光信号69
は、フオトカプラ70eでアイソレートされ、トランジ
スタ70fに入力される。LED制御手段70は、この
トランジスタ70fでLED照明6の点灯と消灯を制御
し、可変抵抗器70cで発光の出力を制御する。
【0048】次に、画像入力記憶手段32の動作を図7
により説明する。第1の画像情報入力信号69aが「入
力」になると、メモリーコントロール32aからアナロ
グスイッチ32bに画像情報選択信号32cが入力さ
れ、第1の画像情報31aが選択される。アナログ値で
ある第1の画像情報31aはアンプ31dで増幅され、
A/Dコンバータ31eでデジタル値31fに変換され
る。またメモリーコントロール32aから出力される第
1のコントロール信号32gで第1のメモリー32hが
選択され、かつ第1のメモリー32hは書き込み状態と
なる。クロック発生器32iから出力されるクロック信
号32jによって、横アドレス発生器32kで横アドレ
ス32lが出力され、同期信号発生器32mから出力さ
れる同期信号33によって、縦アドレス発生器32nは
縦アドレス32oが出力される。各トライステートバッ
ファ32pは、メモリーコントロール32aから出力さ
れる切り替え信号32qで画像情報31の入力側が選択
され、第1のメモリー32gは、デジタル値31dの第
1の画像情報31aを横アドレス32lと縦アドレス3
2oを合成したアドレス32rで第1の画像情報入力信
号69aが停止になるまで記憶する。なお、第2の画像
情報31bの第2のメモリーコントロール32sの記憶
動作は、第1の画像情報31aの場合とほぼ同等である
ので、その説明を省略する。
により説明する。第1の画像情報入力信号69aが「入
力」になると、メモリーコントロール32aからアナロ
グスイッチ32bに画像情報選択信号32cが入力さ
れ、第1の画像情報31aが選択される。アナログ値で
ある第1の画像情報31aはアンプ31dで増幅され、
A/Dコンバータ31eでデジタル値31fに変換され
る。またメモリーコントロール32aから出力される第
1のコントロール信号32gで第1のメモリー32hが
選択され、かつ第1のメモリー32hは書き込み状態と
なる。クロック発生器32iから出力されるクロック信
号32jによって、横アドレス発生器32kで横アドレ
ス32lが出力され、同期信号発生器32mから出力さ
れる同期信号33によって、縦アドレス発生器32nは
縦アドレス32oが出力される。各トライステートバッ
ファ32pは、メモリーコントロール32aから出力さ
れる切り替え信号32qで画像情報31の入力側が選択
され、第1のメモリー32gは、デジタル値31dの第
1の画像情報31aを横アドレス32lと縦アドレス3
2oを合成したアドレス32rで第1の画像情報入力信
号69aが停止になるまで記憶する。なお、第2の画像
情報31bの第2のメモリーコントロール32sの記憶
動作は、第1の画像情報31aの場合とほぼ同等である
ので、その説明を省略する。
【0049】また、画像情報読みだし信号35がメモリ
コントロール32に入力されると、この画像情報読みだ
し信号36により第1のメモリー32gか第2のメモリ
ー32sかを、第1のコントロール信号32g又は第2
のコントロール信号32tで選択し、かつ選択されたメ
モリーは読みだし状態になる。各トライステートバッフ
ァ32pは、切り替え信号32qにより画像情報の出力
側が選択され、記憶手段32は画像情報アドレス36に
従い、メモリー32h、32sから画像情報32uを読
みだし、記憶画像情報34を出力する。また、記憶手段
は同期信号発生器32mで同期信号33を出力する。
コントロール32に入力されると、この画像情報読みだ
し信号36により第1のメモリー32gか第2のメモリ
ー32sかを、第1のコントロール信号32g又は第2
のコントロール信号32tで選択し、かつ選択されたメ
モリーは読みだし状態になる。各トライステートバッフ
ァ32pは、切り替え信号32qにより画像情報の出力
側が選択され、記憶手段32は画像情報アドレス36に
従い、メモリー32h、32sから画像情報32uを読
みだし、記憶画像情報34を出力する。また、記憶手段
は同期信号発生器32mで同期信号33を出力する。
【0050】次に、位置検出手段37の動作について説
明する。図8は、位置検出手段37の動作の全体を表す
フローチャートであり、横方向エッヂ強度検出処理72
aにより画像情報31から横方向エッヂ強度情報73a
を出力し、縦方向エッヂ強度検出処理72bにより画像
情報31から縦方向エッヂ強度情報73bを出力する。
ついで、横方向エッヂ位置検出処理74aにより横方向
エッヂ強度情報73aから横方向エッヂ位置情報75a
を出力し、縦方向エッヂ位置検出処理74bにより縦方
向エッヂ強度情報73bから縦方向エッヂ位置情報75
bを出力する。さらに、座標位置検出処理76により横
方向エッヂ位置情報75aと縦方向エッヂ位置情報75
bから位置検出情報39を出力する。
明する。図8は、位置検出手段37の動作の全体を表す
フローチャートであり、横方向エッヂ強度検出処理72
aにより画像情報31から横方向エッヂ強度情報73a
を出力し、縦方向エッヂ強度検出処理72bにより画像
情報31から縦方向エッヂ強度情報73bを出力する。
ついで、横方向エッヂ位置検出処理74aにより横方向
エッヂ強度情報73aから横方向エッヂ位置情報75a
を出力し、縦方向エッヂ位置検出処理74bにより縦方
向エッヂ強度情報73bから縦方向エッヂ位置情報75
bを出力する。さらに、座標位置検出処理76により横
方向エッヂ位置情報75aと縦方向エッヂ位置情報75
bから位置検出情報39を出力する。
【0051】図9は、横方向エッヂ強度検出処理72a
又は縦方向エッヂ強度検出処理72bの動作を示すエッ
ヂ強度検出処理手段72のフローチャートである。図に
おいて、エッヂ強度検出処理手段72は、最初に画像情
報読みだしアドレス36とエッヂ強度読みだしアドレス
77の初期化と加算値78を「0」にし、画像情報の読
みだし79により画像情報アドレスの位置36にある1
画素80分の画像情報34と、画像情報アドレス36の
次の位置にある1画素80分の画像情報34を読み出
し、微分81によりこの二つの画像情報36の差分をと
る。次に、この差分値82が所定の値82aと比較し、
大きければ差分加算値78にこの加算値を加算し、小さ
ければ差分加算値78を「0」にする。次に、加算値記
憶83によりエッヂ強度情報73のエッヂ強度情報アド
レス77の位置にこの差分加算値78を記憶する。次
に、画像情報全てにこの動作を完了していれば、エッヂ
強度検出処理を終了し、完了していなければ画像情報読
みだしアドレス36とエッヂ強度情報アドレス77を一
つ増やし、画像情報読み出し79の前に戻る。
又は縦方向エッヂ強度検出処理72bの動作を示すエッ
ヂ強度検出処理手段72のフローチャートである。図に
おいて、エッヂ強度検出処理手段72は、最初に画像情
報読みだしアドレス36とエッヂ強度読みだしアドレス
77の初期化と加算値78を「0」にし、画像情報の読
みだし79により画像情報アドレスの位置36にある1
画素80分の画像情報34と、画像情報アドレス36の
次の位置にある1画素80分の画像情報34を読み出
し、微分81によりこの二つの画像情報36の差分をと
る。次に、この差分値82が所定の値82aと比較し、
大きければ差分加算値78にこの加算値を加算し、小さ
ければ差分加算値78を「0」にする。次に、加算値記
憶83によりエッヂ強度情報73のエッヂ強度情報アド
レス77の位置にこの差分加算値78を記憶する。次
に、画像情報全てにこの動作を完了していれば、エッヂ
強度検出処理を終了し、完了していなければ画像情報読
みだしアドレス36とエッヂ強度情報アドレス77を一
つ増やし、画像情報読み出し79の前に戻る。
【0052】図10は、横方向エッヂ位置検出処理74
aまたは縦方向エッヂ位置検出処理74bの動作を示す
エッヂ位置検出処理74のフローチャートである。図に
おいて、最初にエッヂ強度情報アドレス84とエッヂ位
置情報アドレス77を最大値にする。次に、エッヂ位置
データ初期化85によりエッヂ位置フラグ86をリセッ
トし、エッヂ位置データ87を「0」にし、ついで、エ
ッヂ強度情報読み込み88によりエッヂ強度データ89
にエッヂ位置情報アドレス77の位置にあるエッヂ強度
情報73を1画素80分読みだす。次に、このエッヂ強
度データ89が所定の基準値90と比較し、小さければ
書き込み処理91を行って、エッヂ位置データ初期化8
5に戻り、大きければこのエッヂ強度データ89の半分
の値を位置強度データ92にする。
aまたは縦方向エッヂ位置検出処理74bの動作を示す
エッヂ位置検出処理74のフローチャートである。図に
おいて、最初にエッヂ強度情報アドレス84とエッヂ位
置情報アドレス77を最大値にする。次に、エッヂ位置
データ初期化85によりエッヂ位置フラグ86をリセッ
トし、エッヂ位置データ87を「0」にし、ついで、エ
ッヂ強度情報読み込み88によりエッヂ強度データ89
にエッヂ位置情報アドレス77の位置にあるエッヂ強度
情報73を1画素80分読みだす。次に、このエッヂ強
度データ89が所定の基準値90と比較し、小さければ
書き込み処理91を行って、エッヂ位置データ初期化8
5に戻り、大きければこのエッヂ強度データ89の半分
の値を位置強度データ92にする。
【0053】次に、書き込み処理91を行い、エッヂ強
度データ89を保存データ93に記憶し、エッヂ強度情
報読み込み88を行い、このエッヂ強度データ89と位
置強度データ92との比較を行い、大きければ一つ前の
書き込み処理91に戻り、小さければエッヂ位置フラグ
86をセットし、エッヂ位置演算処理94を行い、書き
込み処理91を行う。次に、エッヂ位置フラグ86のリ
セットとエッヂ位置データ87を「0」にし、エッヂ位
置情報読み込み88を行い、エッヂ強度データ89が
「0」であれば書き込み処理91を行ってエッヂ位置デ
ータ初期化85に戻り、「0」で無ければエッヂ位置演
算処理94後の書き込み処理91に戻る。書き込み処理
91は、エッヂ位置情報75にエッヂ位置フラグ86と
エッヂ位置データ87をエッヂ位置情報アドレス84の
位置に記憶し、エッヂ強度情報アドレス77とエッヂ位
置情報アドレス84を一つ減らし、エッヂ強度情報アド
レス77全てにエッヂ位置検出74を完了していれば、
エッヂ位置検出処理を終了95し、完了していなけれ
ば、書き込み処理を終了96する。エッヂ位置演算処理
94により、次の式1の演算を行う。なお、エッヂ位置
データは、1より小さい値になる。
度データ89を保存データ93に記憶し、エッヂ強度情
報読み込み88を行い、このエッヂ強度データ89と位
置強度データ92との比較を行い、大きければ一つ前の
書き込み処理91に戻り、小さければエッヂ位置フラグ
86をセットし、エッヂ位置演算処理94を行い、書き
込み処理91を行う。次に、エッヂ位置フラグ86のリ
セットとエッヂ位置データ87を「0」にし、エッヂ位
置情報読み込み88を行い、エッヂ強度データ89が
「0」であれば書き込み処理91を行ってエッヂ位置デ
ータ初期化85に戻り、「0」で無ければエッヂ位置演
算処理94後の書き込み処理91に戻る。書き込み処理
91は、エッヂ位置情報75にエッヂ位置フラグ86と
エッヂ位置データ87をエッヂ位置情報アドレス84の
位置に記憶し、エッヂ強度情報アドレス77とエッヂ位
置情報アドレス84を一つ減らし、エッヂ強度情報アド
レス77全てにエッヂ位置検出74を完了していれば、
エッヂ位置検出処理を終了95し、完了していなけれ
ば、書き込み処理を終了96する。エッヂ位置演算処理
94により、次の式1の演算を行う。なお、エッヂ位置
データは、1より小さい値になる。
【0054】
【数1】
【0055】図11は、記憶手段32に入力するアナロ
グの画像情報31の一部を拡大した一例で、各升目は1
画素80で各升目に明るさを示す。図12は、図11の
アナログ画像情報31を記憶手段32でデジタル変換
し、記憶した記憶画像情報34で各升目にデジタル値3
1dを示す。図13は、図12の記憶画像情報34を横
方向エッヂ強度検出処理72aが左から右に実行した横
エッヂ強度情報73aで、図14は、図12の強度画像
情報34を縦方向エッヂ強度検出処理72bが上から下
に実行した縦エッヂ強度情報73bである。図15は、
図13の横エッヂ強度情報73aを横方向エッヂ位置検
出処理74aが右から左に実行した横エッヂ位置情報7
5bで、上段はエッヂ位置フラグ86、下段はエッヂ位
置データ87を示す。図16は、図12の縦エッヂ強度
情報73bを縦方向エッヂ位置検出処理74bが下から
上に実行した縦エッヂ位置情報76bで、上段はエッヂ
位置フラグ86、下段はエッヂ位置データ87を示す。
グの画像情報31の一部を拡大した一例で、各升目は1
画素80で各升目に明るさを示す。図12は、図11の
アナログ画像情報31を記憶手段32でデジタル変換
し、記憶した記憶画像情報34で各升目にデジタル値3
1dを示す。図13は、図12の記憶画像情報34を横
方向エッヂ強度検出処理72aが左から右に実行した横
エッヂ強度情報73aで、図14は、図12の強度画像
情報34を縦方向エッヂ強度検出処理72bが上から下
に実行した縦エッヂ強度情報73bである。図15は、
図13の横エッヂ強度情報73aを横方向エッヂ位置検
出処理74aが右から左に実行した横エッヂ位置情報7
5bで、上段はエッヂ位置フラグ86、下段はエッヂ位
置データ87を示す。図16は、図12の縦エッヂ強度
情報73bを縦方向エッヂ位置検出処理74bが下から
上に実行した縦エッヂ位置情報76bで、上段はエッヂ
位置フラグ86、下段はエッヂ位置データ87を示す。
【0056】次に、画像の濃淡処理法による画素以下の
位置検出方法について説明する。この位置検出方法は、
画像が明から暗あるいは暗から明に変化する所からエッ
ヂを求め、この位置を認識する方法である。図17
(a)に示すように、明から暗又は暗から明に変化する
変化量(ΔV)の半分の値(ΔV/2)の明るさになる
所をエッヂとし、この位置を含む前後の2画素の明るさ
と位置から、このエッヂの位置をサブピクセルで検出す
る。この方式によれば、1画素の1/4の精度でエッヂ
位置が検出できる。
位置検出方法について説明する。この位置検出方法は、
画像が明から暗あるいは暗から明に変化する所からエッ
ヂを求め、この位置を認識する方法である。図17
(a)に示すように、明から暗又は暗から明に変化する
変化量(ΔV)の半分の値(ΔV/2)の明るさになる
所をエッヂとし、この位置を含む前後の2画素の明るさ
と位置から、このエッヂの位置をサブピクセルで検出す
る。この方式によれば、1画素の1/4の精度でエッヂ
位置が検出できる。
【0057】図17(a)は、アナログの画像情報によ
る位置と明るさの関係を示した線図であり、この関係を
デジタル信号で表したものが図17(b)である。さら
に図17(c)は、図17(b)の一部を拡大したもの
で、ΔV/2の線とこれを含む両側の2画素Pi、Pi+1
との明るさを結ぶ交点の座標がエッヂ位置xとなる。従
って、図17(d)から、求めるxはΔP=1画素×Δ
Vp/ΔViであり、エッヂ位置x=Pi+ΔPとなり、
1画素の1/4の精度でエッヂ位置が検出できる。
る位置と明るさの関係を示した線図であり、この関係を
デジタル信号で表したものが図17(b)である。さら
に図17(c)は、図17(b)の一部を拡大したもの
で、ΔV/2の線とこれを含む両側の2画素Pi、Pi+1
との明るさを結ぶ交点の座標がエッヂ位置xとなる。従
って、図17(d)から、求めるxはΔP=1画素×Δ
Vp/ΔViであり、エッヂ位置x=Pi+ΔPとなり、
1画素の1/4の精度でエッヂ位置が検出できる。
【0058】次に、座標位置検出処理76について説明
する。図18は、画像情報31の一例を示す図であり、
図中の上部は、第1の光情報23によるもの、下部は第
2の光情報25によるものであり、第2の光情報25は
光反射手段30により第1の光情報23に対し上下が逆
転している。暗い部分97が半導体装置1と遮光帯パタ
ーン4aに対応しており、升目は1画素80で左から右
にX座標98、上から下にY座標99を示し、100及
び97はそれぞれ明部及び暗部を示す。図19は、図1
8の横エッヂ強度検出処理72aと、横エッヂ位置検出
処理74aの結果を示す横エッヂ位置情報75aの一例
であり、升目内の「1」は、明から暗に変化するエッヂ
位置フラグ86a、「F」は、暗から明に変化するエッ
ヂ位置フラグ86bであり、何も無いところは図19に
おける「0」に対応しエッヂの無かった所であり、エッ
ヂ位置データ87の図中の表示は省略する。図20は、
図16を縦エッヂ強度検出処理72bと、縦エッヂ位置
検出処理74bした結果である縦エッヂ位置情報75b
の一例であり、升目内の「1」は、明から暗に変化する
エッヂ位置フラグ86a、「F」は、暗から明に変化す
るエッヂ位置フラグ86b、何も無いところは図20で
「0」のエッヂの無かった所であり、エッヂ位置データ
87の図中の表示は省略する。
する。図18は、画像情報31の一例を示す図であり、
図中の上部は、第1の光情報23によるもの、下部は第
2の光情報25によるものであり、第2の光情報25は
光反射手段30により第1の光情報23に対し上下が逆
転している。暗い部分97が半導体装置1と遮光帯パタ
ーン4aに対応しており、升目は1画素80で左から右
にX座標98、上から下にY座標99を示し、100及
び97はそれぞれ明部及び暗部を示す。図19は、図1
8の横エッヂ強度検出処理72aと、横エッヂ位置検出
処理74aの結果を示す横エッヂ位置情報75aの一例
であり、升目内の「1」は、明から暗に変化するエッヂ
位置フラグ86a、「F」は、暗から明に変化するエッ
ヂ位置フラグ86bであり、何も無いところは図19に
おける「0」に対応しエッヂの無かった所であり、エッ
ヂ位置データ87の図中の表示は省略する。図20は、
図16を縦エッヂ強度検出処理72bと、縦エッヂ位置
検出処理74bした結果である縦エッヂ位置情報75b
の一例であり、升目内の「1」は、明から暗に変化する
エッヂ位置フラグ86a、「F」は、暗から明に変化す
るエッヂ位置フラグ86b、何も無いところは図20で
「0」のエッヂの無かった所であり、エッヂ位置データ
87の図中の表示は省略する。
【0059】図19の横エッヂ位置情報75aのエッヂ
位置フラグ86が「1」と「F」に交互に変化する所が
リード2の存在する所101、「1」と「F」で囲まれ
たところがリード2部、「F」と「1」で囲まれた所が
パッケージ1a部とし、リード2部の数が半導体装置1
の一側辺にあるリード2群の数である。図19では、リ
ード2は6本ある。エッヂ位置フラグ87が「1」のX
座標98と、ここのエッヂ位置情報87を加算したもの
が図21に示す左座標102aであり、「F」のX座標
98と、ここのエッヂ位置情報87を加算したものが右
座標102bである。左座標102aとこの左座標10
2aの右隣にある右座標103bを加算し、2で割った
ものがリードX座標103であり、右座標102bとこ
の右座標102bの右隣にある左座標102aを加算
し、2で割ったものがパッケージX座標104である。
第1の光情報23によるものは第1のリードX座標10
3a群、第1のパッケージ座標104a群で、第2の光
情報25によるものが、第2のリードX座標103b
群、第2のリードX座標104b群とする。
位置フラグ86が「1」と「F」に交互に変化する所が
リード2の存在する所101、「1」と「F」で囲まれ
たところがリード2部、「F」と「1」で囲まれた所が
パッケージ1a部とし、リード2部の数が半導体装置1
の一側辺にあるリード2群の数である。図19では、リ
ード2は6本ある。エッヂ位置フラグ87が「1」のX
座標98と、ここのエッヂ位置情報87を加算したもの
が図21に示す左座標102aであり、「F」のX座標
98と、ここのエッヂ位置情報87を加算したものが右
座標102bである。左座標102aとこの左座標10
2aの右隣にある右座標103bを加算し、2で割った
ものがリードX座標103であり、右座標102bとこ
の右座標102bの右隣にある左座標102aを加算
し、2で割ったものがパッケージX座標104である。
第1の光情報23によるものは第1のリードX座標10
3a群、第1のパッケージ座標104a群で、第2の光
情報25によるものが、第2のリードX座標103b
群、第2のリードX座標104b群とする。
【0060】図20の縦エッヂ位置情報75bにおい
て、第1のリードX座標103aの整数の値でY軸99
の方向に上から下にサーチし、エッヂ位置フラグ86が
「F」のY座標99とこのエッヂ位置データ87を加算
したものが第1のリードY座標105aである。さらに
サーチを続け、「1」のY座標99とここのエッヂ位置
データ87を加算したものが第1の遮光帯パターンY座
標106aであり、これは第1のパッケージX座標10
4aの整数の値である。Y軸99の方向に上から下にサ
ーチし、エッヂ位置フラグ86が「F」のY座標99と
ここのエッヂ位置データ87を加算したものが第1のパ
ッケージY座標107aであり、第2のリードX座標1
03bの整数の値である。Y軸99の方向に下から上に
サーチし、エッヂ位置フラグ86が「1」のY座標99
とここのエッヂ位置データ87を加算したものが第2の
リードY座標105bである。さらにサーチを続け、
「F」のY座標99とここのエッヂ位置データ87を加
算したものが第2の遮光帯パターンY座標106bであ
る。第2のパッケージX座標104bの整数の値でY軸
99の方向に下から上にサーチし、エッヂ位置フラグ8
6が1のY座標99とここのエッヂ位置データ87を加
算したものが第2のパッケージY座標107bである。
全てのリード2とパッケージ1aについて検出したもの
が位置検出情報39である。
て、第1のリードX座標103aの整数の値でY軸99
の方向に上から下にサーチし、エッヂ位置フラグ86が
「F」のY座標99とこのエッヂ位置データ87を加算
したものが第1のリードY座標105aである。さらに
サーチを続け、「1」のY座標99とここのエッヂ位置
データ87を加算したものが第1の遮光帯パターンY座
標106aであり、これは第1のパッケージX座標10
4aの整数の値である。Y軸99の方向に上から下にサ
ーチし、エッヂ位置フラグ86が「F」のY座標99と
ここのエッヂ位置データ87を加算したものが第1のパ
ッケージY座標107aであり、第2のリードX座標1
03bの整数の値である。Y軸99の方向に下から上に
サーチし、エッヂ位置フラグ86が「1」のY座標99
とここのエッヂ位置データ87を加算したものが第2の
リードY座標105bである。さらにサーチを続け、
「F」のY座標99とここのエッヂ位置データ87を加
算したものが第2の遮光帯パターンY座標106bであ
る。第2のパッケージX座標104bの整数の値でY軸
99の方向に下から上にサーチし、エッヂ位置フラグ8
6が1のY座標99とここのエッヂ位置データ87を加
算したものが第2のパッケージY座標107bである。
全てのリード2とパッケージ1aについて検出したもの
が位置検出情報39である。
【0061】次に、距離計数手段41について説明する
が、図21は図18の画像情報31上に位置検出手段3
7で得られた位置検出情報39を重ねて示したものであ
る。第1のリード遮光帯パターン距離データ41aは、
第1のリードY座標105aとこれに対応する第1の遮
光帯パターンY座標106aとの差分の絶対値であり、
第2のリード遮光帯パターン距離データ41bは、第2
のリードY座標105bとこれに対応する第2の遮光帯
パターンY座標107bとの差分の絶対値である。第1
のパッケージ遮光帯パターン距離データ41cは、第1
のパッケージY座標107aとこれに対応する第1の遮
光帯パターンY座標106aとの差分の絶対値であり、
第2のパッケージ遮光帯パターン距離データ41dは、
第2のパッケージY座標107bとこれに対応する第1
の遮光帯パターンY座標106bとの差分の絶対値であ
る。第1のリードパッケージ距離データ41eは、第1
のリードY座標105aとこれに対応する第1のパッケ
ージY座標106aとの差分の絶対値である。第2のリ
ードパッケージ距離データ41fは、第2のリードY座
標105bとこれに対応する第2のパッケージY座標1
06bと差分の絶対値である。
が、図21は図18の画像情報31上に位置検出手段3
7で得られた位置検出情報39を重ねて示したものであ
る。第1のリード遮光帯パターン距離データ41aは、
第1のリードY座標105aとこれに対応する第1の遮
光帯パターンY座標106aとの差分の絶対値であり、
第2のリード遮光帯パターン距離データ41bは、第2
のリードY座標105bとこれに対応する第2の遮光帯
パターンY座標107bとの差分の絶対値である。第1
のパッケージ遮光帯パターン距離データ41cは、第1
のパッケージY座標107aとこれに対応する第1の遮
光帯パターンY座標106aとの差分の絶対値であり、
第2のパッケージ遮光帯パターン距離データ41dは、
第2のパッケージY座標107bとこれに対応する第1
の遮光帯パターンY座標106bとの差分の絶対値であ
る。第1のリードパッケージ距離データ41eは、第1
のリードY座標105aとこれに対応する第1のパッケ
ージY座標106aとの差分の絶対値である。第2のリ
ードパッケージ距離データ41fは、第2のリードY座
標105bとこれに対応する第2のパッケージY座標1
06bと差分の絶対値である。
【0062】第1のリード遮光帯パターン距離情報42
aは、第1のリード遮光帯パターン距離データ41a
を、第1の画像情報31aと第2の画像情報31bの第
1の光情報23内に存在するリード2全てについて求め
たものであり、第2のリード遮光帯パターン距離情報4
2bは、第2のリード遮光帯パターン距離データ41b
を、第1の画像情報31aと第2の画像情報31bの第
2の光情報25内に存在するリード2全てについて求め
たものである。第1のパッケージ遮光帯パターン距離情
報44aは、第1のパッケージ遮光帯パターン距離デー
タ41cを、第1の画像情報31aと第2の画像情報3
1bの第1の光情報23内に存在するパッケージ1a全
てについて求めたものである。第2のパッケージ遮光帯
パターン距離情報44bは、第2のパッケージ遮光帯パ
ターン距離データ41dを、第1の画像情報31aと第
2の画像情報31bの第2の光情報25内に存在するパ
ッケージ1a全てについて求めたものであり、第1のリ
ードパッケージ距離情報46aは、第1のリードパッケ
ージ距離データ41eを、第1の画像情報31aと第2
の画像情報31bの第1の光情報25内に存在するリー
ド2全てについて求めたものである。第2のリードパッ
ケージ距離情報46bは、第1のリードパッケージ距離
データ41fを、第1の画像情報31aと第2の画像情
報31bの第1の光情報25内に存在するリード2全て
について求めたものである。
aは、第1のリード遮光帯パターン距離データ41a
を、第1の画像情報31aと第2の画像情報31bの第
1の光情報23内に存在するリード2全てについて求め
たものであり、第2のリード遮光帯パターン距離情報4
2bは、第2のリード遮光帯パターン距離データ41b
を、第1の画像情報31aと第2の画像情報31bの第
2の光情報25内に存在するリード2全てについて求め
たものである。第1のパッケージ遮光帯パターン距離情
報44aは、第1のパッケージ遮光帯パターン距離デー
タ41cを、第1の画像情報31aと第2の画像情報3
1bの第1の光情報23内に存在するパッケージ1a全
てについて求めたものである。第2のパッケージ遮光帯
パターン距離情報44bは、第2のパッケージ遮光帯パ
ターン距離データ41dを、第1の画像情報31aと第
2の画像情報31bの第2の光情報25内に存在するパ
ッケージ1a全てについて求めたものであり、第1のリ
ードパッケージ距離情報46aは、第1のリードパッケ
ージ距離データ41eを、第1の画像情報31aと第2
の画像情報31bの第1の光情報25内に存在するリー
ド2全てについて求めたものである。第2のリードパッ
ケージ距離情報46bは、第1のリードパッケージ距離
データ41fを、第1の画像情報31aと第2の画像情
報31bの第1の光情報25内に存在するリード2全て
について求めたものである。
【0063】次に、平坦性測定手段43と、スタンドオ
フ測定手段45と、リード長測定手段47について説明
する。図22は、図18の画像情報31上に、距離計測
手段41で得られた各距離情報の結果を重ねて示したも
のであり、図23は、透明載置板4に置かれた半導体装
置1の一部を横から見た側面図である。
フ測定手段45と、リード長測定手段47について説明
する。図22は、図18の画像情報31上に、距離計測
手段41で得られた各距離情報の結果を重ねて示したも
のであり、図23は、透明載置板4に置かれた半導体装
置1の一部を横から見た側面図である。
【0064】平坦性測定手段43は、第1の画像情報3
1aの場合、第1の画像情報31aで得られた第1のリ
ード遮光帯パターン距離データ41aと、同じリードの
第2のリード遮光帯パターン距離データ41bと、第1
の光学部22aの第1の仰角24aと第2の仰角26a
とで式2の演算を行い、リード2の透明載置板4からの
高さである平坦性データ43aを算出するものである。
第2の画像情報31bの場合、第2の画像情報31bで
得られた第1のリード遮光帯パターン距離データ41
と、同じリードの第2のリード遮光帯パターン距離デー
タ41bと、第2の光学部22bの第1の仰角24b
と、第2の仰角26bとで式2の演算を行い、リード2
の透明載置板4からの高さである平坦性データ43aを
算出し、半導体装置1の全てのリード2の平坦性データ
43aを算出し、平坦性測定情報55を得る。なお、第
1の仰角24a、24bを第1の仰角24、第2の仰角
26a、26bを第2の仰角26のように適宜簡略化し
て示す。
1aの場合、第1の画像情報31aで得られた第1のリ
ード遮光帯パターン距離データ41aと、同じリードの
第2のリード遮光帯パターン距離データ41bと、第1
の光学部22aの第1の仰角24aと第2の仰角26a
とで式2の演算を行い、リード2の透明載置板4からの
高さである平坦性データ43aを算出するものである。
第2の画像情報31bの場合、第2の画像情報31bで
得られた第1のリード遮光帯パターン距離データ41
と、同じリードの第2のリード遮光帯パターン距離デー
タ41bと、第2の光学部22bの第1の仰角24b
と、第2の仰角26bとで式2の演算を行い、リード2
の透明載置板4からの高さである平坦性データ43aを
算出し、半導体装置1の全てのリード2の平坦性データ
43aを算出し、平坦性測定情報55を得る。なお、第
1の仰角24a、24bを第1の仰角24、第2の仰角
26a、26bを第2の仰角26のように適宜簡略化し
て示す。
【0065】
【数2】
【0066】スタンドオフ測定手段45は、第1の画像
情報31aの場合、第1の画像情報31aで得られた第
1のパッケージ遮光帯パターン距離データ41cと、同
じパッケージの第2のパッケージ遮光帯パターン距離デ
ータ41dと、第1の光学部22aの第1の仰角24a
と第2の仰角26aとで次の式3の演算を行い、スタン
ドオフデータ45aを算出する。第2の画像情報31b
の場合、第2の画像情報31bで得られた第1のパッケ
ージ遮光帯パターン距離データ41cと、同じパッケー
ジ1aの第2のパッケージ遮光帯パターン距離データ4
1dと、第2の光学部22bの第1の仰角24bと、第
2の仰角26bとで式3の演算を行い、スタンドオフデ
ータ45aを算出し、半導体装置1全てのリード2とリ
ード2の間のパッケージ1aにつき算出し、スタンドオ
フ測定情報56を得る。
情報31aの場合、第1の画像情報31aで得られた第
1のパッケージ遮光帯パターン距離データ41cと、同
じパッケージの第2のパッケージ遮光帯パターン距離デ
ータ41dと、第1の光学部22aの第1の仰角24a
と第2の仰角26aとで次の式3の演算を行い、スタン
ドオフデータ45aを算出する。第2の画像情報31b
の場合、第2の画像情報31bで得られた第1のパッケ
ージ遮光帯パターン距離データ41cと、同じパッケー
ジ1aの第2のパッケージ遮光帯パターン距離データ4
1dと、第2の光学部22bの第1の仰角24bと、第
2の仰角26bとで式3の演算を行い、スタンドオフデ
ータ45aを算出し、半導体装置1全てのリード2とリ
ード2の間のパッケージ1aにつき算出し、スタンドオ
フ測定情報56を得る。
【0067】
【数3】
【0068】リード長測定手段47は、第1の画像情報
31aの場合、第1の画像情報31a2から得られる第
1のリードパッケージ距離データ41eと、同じリード
2の第2のリードパッケージ距離データ41fと、第1
の光学部22aの第1の仰角24aと、第2の仰角26
aとで次の式4の演算を行い、パッケージ1aからリー
ド先端2aまでのリード長データ17aを算出する。第
2の画像情報31bの場合、第2の画像情報31bから
得られる第1のリードパッケージ距離データ41eと、
同じリード2の第2のリードパッケージ距離データ41
fと、第1の光学部22aの第1の仰角24bと、第2
の仰角26bとで式4の演算を行い、パッケージ1aか
らリード先端2aまでのリード長データ17aを算出
し、半導体装置1全てのリード2につき算出しリード長
測定情報57を得る。
31aの場合、第1の画像情報31a2から得られる第
1のリードパッケージ距離データ41eと、同じリード
2の第2のリードパッケージ距離データ41fと、第1
の光学部22aの第1の仰角24aと、第2の仰角26
aとで次の式4の演算を行い、パッケージ1aからリー
ド先端2aまでのリード長データ17aを算出する。第
2の画像情報31bの場合、第2の画像情報31bから
得られる第1のリードパッケージ距離データ41eと、
同じリード2の第2のリードパッケージ距離データ41
fと、第1の光学部22aの第1の仰角24bと、第2
の仰角26bとで式4の演算を行い、パッケージ1aか
らリード先端2aまでのリード長データ17aを算出
し、半導体装置1全てのリード2につき算出しリード長
測定情報57を得る。
【0069】
【数4】
【0070】次に、異常検知手段40について説明す
る。図24は、半導体装置1が透明載置板4に無いとき
に撮像された画像情報31の一例を示し、108は透明
載置板4上の異常物(異物)である。なお、図24では
異常物108は1つである。位置検出手段37は、遮光
帯パターン4a以外の場所に明るさの変化する異常物1
08がある場合、異常物左X座標109aと異常物右X
座標109bとを異常情報38として出力する。異常検
知手段40は、異常情報38に異常物左X座標109b
があるき、異常物左X座標109aと異常物左X座標1
09aと異常物右X座標109bの組を教えて異常物1
08の異物数109cを検知し、異常物右X座標109
aから異常物左X座標109bの差分をとり異物の大き
さ109dを測定する。また、異物左X座標109aと
異物右X座標109bが無いときは、異物数109cを
「0」にし、第1の画像情報31a及び第2の画像情報
31bでの結果を集計して異常検知情報54を出力す
る。
る。図24は、半導体装置1が透明載置板4に無いとき
に撮像された画像情報31の一例を示し、108は透明
載置板4上の異常物(異物)である。なお、図24では
異常物108は1つである。位置検出手段37は、遮光
帯パターン4a以外の場所に明るさの変化する異常物1
08がある場合、異常物左X座標109aと異常物右X
座標109bとを異常情報38として出力する。異常検
知手段40は、異常情報38に異常物左X座標109b
があるき、異常物左X座標109aと異常物左X座標1
09aと異常物右X座標109bの組を教えて異常物1
08の異物数109cを検知し、異常物右X座標109
aから異常物左X座標109bの差分をとり異物の大き
さ109dを測定する。また、異物左X座標109aと
異物右X座標109bが無いときは、異物数109cを
「0」にし、第1の画像情報31a及び第2の画像情報
31bでの結果を集計して異常検知情報54を出力す
る。
【0071】次に、検査手段53について説明する。図
25は、検査手段53の一例を示すブロック図であり、
検査手段53は、平坦性測定情報55の平坦性データ4
3a群と既に品質データ58に登録済みである平坦性基
準値110aとを比較し、全てが平坦性基準値110a
以内であれば平坦性検査結果59aを良とし、そうでな
ければ不良とする。また検査手段53は、スタンドオフ
測定情報56のスタンドオフデータ45a群とスタンド
オフ基準値110bとを比較し、全てがスタンドオフ基
準値110b以内であればスタンドオフ検査結果59b
を良とし、そうでなければ不良とする。さらに、検査手
段53は、リード長測定情報57のリード長データ47
a群とリード長基準値110cとを比較し、全てがリー
ド長基準値110c以内であればリード長検査結果59
cを良とし、そうでなければ不良とする。また、検査手
段53は、異常検知情報54の異常物数109cが
「0」であれば異常検査結果59dを良とし、「0」で
なくとも異常物の大きさ109d群が全て異常物基準値
110d以内であれば、異常物108は半導体装置1の
寸法測定に差し支えないと判断して異常検査結果59d
を良とし、異常物基準値110d以上であれば不良とす
る。なお、検査手段53はこれらの検査結果59を搬送
制御部62に出力し、表示手段61に検査結果59とこ
れらの測定情報60を出力する。
25は、検査手段53の一例を示すブロック図であり、
検査手段53は、平坦性測定情報55の平坦性データ4
3a群と既に品質データ58に登録済みである平坦性基
準値110aとを比較し、全てが平坦性基準値110a
以内であれば平坦性検査結果59aを良とし、そうでな
ければ不良とする。また検査手段53は、スタンドオフ
測定情報56のスタンドオフデータ45a群とスタンド
オフ基準値110bとを比較し、全てがスタンドオフ基
準値110b以内であればスタンドオフ検査結果59b
を良とし、そうでなければ不良とする。さらに、検査手
段53は、リード長測定情報57のリード長データ47
a群とリード長基準値110cとを比較し、全てがリー
ド長基準値110c以内であればリード長検査結果59
cを良とし、そうでなければ不良とする。また、検査手
段53は、異常検知情報54の異常物数109cが
「0」であれば異常検査結果59dを良とし、「0」で
なくとも異常物の大きさ109d群が全て異常物基準値
110d以内であれば、異常物108は半導体装置1の
寸法測定に差し支えないと判断して異常検査結果59d
を良とし、異常物基準値110d以上であれば不良とす
る。なお、検査手段53はこれらの検査結果59を搬送
制御部62に出力し、表示手段61に検査結果59とこ
れらの測定情報60を出力する。
【0072】搬送制御部62は、検査結果59が全て良
なら半導体装置1を良品収納部(図示しない)に搬送
し、不良があれば不良品収納部(図示しない)に搬送す
る。異常検査結果59dが不良ならば搬送動作を停止
し、透明載置板4に異常があることの警報(図示しな
い)を発する。
なら半導体装置1を良品収納部(図示しない)に搬送
し、不良があれば不良品収納部(図示しない)に搬送す
る。異常検査結果59dが不良ならば搬送動作を停止
し、透明載置板4に異常があることの警報(図示しな
い)を発する。
【0073】次に、この発明の仰角測定手段49につい
て説明する。図26は仰角測定用の透明載置板111を
示す斜視図であり、透明載置板4上に遮光帯パターン4
aと一定の距離をあけて遮光パターン4bを形成したも
のである。図27は、この仰角測定用透明載置板111
を横から見た側面図である。図28は、仰角測定用透明
載置板111の画像情報31の一例であり、半導体装置
1の寸法を測定しないとき、透明載置板4を外し仰角測
定用透明載置板111を載置台3に設置する。次に、画
像入力記憶手段32に画像情報31を記憶し、位置検出
手段37は、第1の光情報23の遮光パターン4bの位
置を第1の光情報23内の上から下にサーチし、暗97
から明100に変化する位置全ての平均をとって、第1
の遮光パターン位置データ111aとし、遮光帯パター
ン4aの位置を明100から暗97に変化する位置の全
ての平均をとって第1の遮光帯パターン位置データ11
1bとする。また、第2の光情報25の遮光帯パターン
4aの位置を第2の光情報25内の上から下にサーチ
し、暗97から明100に変化する位置全ての平均をと
って第2の遮光帯パターン位置データ111cとし、遮
光パターン4bの位置を明100から暗97に変化する
位置の全ての平均をとって第2の遮光パターン位置デー
タ111dとし、これらの位置検出情報39を出力す
る。
て説明する。図26は仰角測定用の透明載置板111を
示す斜視図であり、透明載置板4上に遮光帯パターン4
aと一定の距離をあけて遮光パターン4bを形成したも
のである。図27は、この仰角測定用透明載置板111
を横から見た側面図である。図28は、仰角測定用透明
載置板111の画像情報31の一例であり、半導体装置
1の寸法を測定しないとき、透明載置板4を外し仰角測
定用透明載置板111を載置台3に設置する。次に、画
像入力記憶手段32に画像情報31を記憶し、位置検出
手段37は、第1の光情報23の遮光パターン4bの位
置を第1の光情報23内の上から下にサーチし、暗97
から明100に変化する位置全ての平均をとって、第1
の遮光パターン位置データ111aとし、遮光帯パター
ン4aの位置を明100から暗97に変化する位置の全
ての平均をとって第1の遮光帯パターン位置データ11
1bとする。また、第2の光情報25の遮光帯パターン
4aの位置を第2の光情報25内の上から下にサーチ
し、暗97から明100に変化する位置全ての平均をと
って第2の遮光帯パターン位置データ111cとし、遮
光パターン4bの位置を明100から暗97に変化する
位置の全ての平均をとって第2の遮光パターン位置デー
タ111dとし、これらの位置検出情報39を出力す
る。
【0074】次に、距離計数手段41は、第1の遮光パ
ターン位置データ111aと第1の遮光帯パターン位置
データ111bの差分の絶対値の第1の遮光パターン距
離情報48aを出力し、第2の遮光パターン位置データ
111dと第2の遮光帯パターン位置データ111cの
差分の絶対値の第2遮光パターン距離情報48bを出力
する。
ターン位置データ111aと第1の遮光帯パターン位置
データ111bの差分の絶対値の第1の遮光パターン距
離情報48aを出力し、第2の遮光パターン位置データ
111dと第2の遮光帯パターン位置データ111cの
差分の絶対値の第2遮光パターン距離情報48bを出力
する。
【0075】仰角測定手段49は、第1の仰角24を第
1の遮光パターン距離情報48aと既知の遮光パターン
寸法112とを次の式5で計算し、第2の仰角26を第
1の遮光パターン距離情報48bと既知の遮光パターン
寸法112とを式6で計算する。第1の光学部の第1の
仰角24aと第2の仰角24bは、第1の画像情報31
aで求められ、第2の光学部の第1の仰角24bと第2
の仰角26bは、第2の画像情報31bから求められ、
これらの仰角は、仰角データ51に記憶される。
1の遮光パターン距離情報48aと既知の遮光パターン
寸法112とを次の式5で計算し、第2の仰角26を第
1の遮光パターン距離情報48bと既知の遮光パターン
寸法112とを式6で計算する。第1の光学部の第1の
仰角24aと第2の仰角24bは、第1の画像情報31
aで求められ、第2の光学部の第1の仰角24bと第2
の仰角26bは、第2の画像情報31bから求められ、
これらの仰角は、仰角データ51に記憶される。
【0076】
【数5】
【0077】
【数6】
【0078】図29は、半導体装置1が画像情報31の
視野の大きさ113よりも大きいときに、撮像装置29
を複数台並べた一例を示し、図は半導体装置1と複数の
撮像装置29をリード2軸線上から横に見たときの側面
図であり、光情報反射手段等及び透明載置板4の図示は
省略する。撮像装置29の大きさ114は画像情報31
の視野の大きさより小さく視野113と視野の重なり1
15を持たせ、半導体装置1の側面と平行に半導体装置
1の一側辺の大きさ116をカバーするように撮像装置
29を複数台設置したもので、半導体装置の大きさ等は
次の式7の関係がある。なお、撮像装置29はレンズ部
117と撮像部118からなり、撮像装置の大きさ11
4は、レンズ部117と撮像部118のどちらか一方の
大きい方が大きさである。
視野の大きさ113よりも大きいときに、撮像装置29
を複数台並べた一例を示し、図は半導体装置1と複数の
撮像装置29をリード2軸線上から横に見たときの側面
図であり、光情報反射手段等及び透明載置板4の図示は
省略する。撮像装置29の大きさ114は画像情報31
の視野の大きさより小さく視野113と視野の重なり1
15を持たせ、半導体装置1の側面と平行に半導体装置
1の一側辺の大きさ116をカバーするように撮像装置
29を複数台設置したもので、半導体装置の大きさ等は
次の式7の関係がある。なお、撮像装置29はレンズ部
117と撮像部118からなり、撮像装置の大きさ11
4は、レンズ部117と撮像部118のどちらか一方の
大きい方が大きさである。
【0079】
【数7】
【0080】実施例2.図30は、この発明の実施例2
による半導体装置の寸法測定装置を示す概略平面図であ
る。図において、載置台3、半導体装置1を載置した透
明載置板、第1ないし第4の光学部22a〜22dと、
LED制御手段と画像入力記憶手段と画像入力制御手段
を模式的に示してあり、他の部分は図1とほぼ等しいた
め図示は省略する。22c及び22dはそれぞれ第3及
び第4の光学部であり、29c及び29dはそれぞれ第
3及び第4の撮像装置、6c及び6dはそれぞれ第3及
び第4のLED照明である。68c及び68dは画像入
力制御手段67から出力されLED制御手段70に入力
するそれぞれ第3及び第4のLED発光信号、71c及
び71dは画像入力制御手段67で制御され、LED制
御手段70から出力するそれぞれ第3及び第4のLED
発光信号、31cは第3の撮像装置29cから出力され
画像入力記憶手段32に入力する第3の画像情報、31
dは第4の撮像装置29dから出力され画像入力記憶手
段32に入力する第4の画像情報、69c及び69dは
画像入力制御手段67から出力され画像入力記憶手段3
2に入力されるそれぞれ第3及び第4の画像情報入力信
号である。
による半導体装置の寸法測定装置を示す概略平面図であ
る。図において、載置台3、半導体装置1を載置した透
明載置板、第1ないし第4の光学部22a〜22dと、
LED制御手段と画像入力記憶手段と画像入力制御手段
を模式的に示してあり、他の部分は図1とほぼ等しいた
め図示は省略する。22c及び22dはそれぞれ第3及
び第4の光学部であり、29c及び29dはそれぞれ第
3及び第4の撮像装置、6c及び6dはそれぞれ第3及
び第4のLED照明である。68c及び68dは画像入
力制御手段67から出力されLED制御手段70に入力
するそれぞれ第3及び第4のLED発光信号、71c及
び71dは画像入力制御手段67で制御され、LED制
御手段70から出力するそれぞれ第3及び第4のLED
発光信号、31cは第3の撮像装置29cから出力され
画像入力記憶手段32に入力する第3の画像情報、31
dは第4の撮像装置29dから出力され画像入力記憶手
段32に入力する第4の画像情報、69c及び69dは
画像入力制御手段67から出力され画像入力記憶手段3
2に入力されるそれぞれ第3及び第4の画像情報入力信
号である。
【0081】図31は、画像入力記憶手段の他の実施例
であり、32vは第3の画像情報31cが入力される第
3のメモリー、32wは第4の画像情報31dが入力さ
れる第4のメモリー、32xは第3のメモリー32vを
コントロールする第3のコントロール信号、32yは第
4のメモリー32wをコントロールする第3のコントロ
ール信号である。
であり、32vは第3の画像情報31cが入力される第
3のメモリー、32wは第4の画像情報31dが入力さ
れる第4のメモリー、32xは第3のメモリー32vを
コントロールする第3のコントロール信号、32yは第
4のメモリー32wをコントロールする第3のコントロ
ール信号である。
【0082】図30に示すように、パッケージ1aの4
つの側辺にリード2を持つ半導体装置1の寸法を測定す
る場合、リード2を持つ4つの側辺全てに対応する光学
部を4組配置し、各光学部に対応するLED照明を4式
設置し、4つのLED照明をLED制御信号で制御し、
各画像情報を、各画像情報入力信号で入力を制御し、各
画像情報を各画像入力記憶手段の各メモリーに記憶す
る。
つの側辺にリード2を持つ半導体装置1の寸法を測定す
る場合、リード2を持つ4つの側辺全てに対応する光学
部を4組配置し、各光学部に対応するLED照明を4式
設置し、4つのLED照明をLED制御信号で制御し、
各画像情報を、各画像情報入力信号で入力を制御し、各
画像情報を各画像入力記憶手段の各メモリーに記憶す
る。
【0083】実施例3.図32は、Jリード2Aを持つ
半導体装置1を透明載置板4に載置したものである。こ
の発明によれば、図32に示すようなリード2Aが半導
体装置1の内側にJ字型に曲げられた半導体装置1の寸
法も上述と同様に測定できる。
半導体装置1を透明載置板4に載置したものである。こ
の発明によれば、図32に示すようなリード2Aが半導
体装置1の内側にJ字型に曲げられた半導体装置1の寸
法も上述と同様に測定できる。
【0084】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第1項は、表面実装型半導体装置を載置し、遮光帯パタ
ーンが形成された透明載置板と、この透明載置板の下方
に設置された照明装置と、この照明装置から発せられ、
上記半導体装置のリードが埋設された側辺及び上記遮光
帯パターンを上記リードの軸線方向で大きい仰角及び小
さい仰角で射出したそれぞれ第1及び第2の光情報を撮
像する第1及び第2の撮像装置と、上記第1及び第2の
光情報を反射させ上記第1及び第2の撮像装置に入光さ
せる第1及び第2の光情報反射手段と、上記第1及び第
2の光情報反射手段と上記第1及び第2の撮像装置との
間にそれぞれ配置され、上記第1及び第2の光情報の上
記照明装置から上記第1及び第2の撮像装置までの距離
を等しくする光反射手段とを備えたので、半導体装置の
リードの透明載置板からの高さを、透明載置板上に形成
された遮光帯パターンと、リード先端を小さい仰角又は
大きい仰角で見たときの距離と、大きな仰角又は小さい
仰角で見たときの距離と、小さな仰角又は大きい仰角の
角度とから、正確に測定できるという効果を奏する。ま
た、小さい仰角で見たときの光情報と、大きな仰角で見
たときの光情報を1つの撮像装置に入力するので、撮像
装置の台数が削減でき、装置が安価になり、かつ透明載
置板の上方が空くため、装置が小型化できるという効果
も奏する。さらに、半導体装置のリードを持つ側辺全て
に、光学部を配置したので、半導体装置を透明載置板ご
と移動する必要がなく、移動時間が削減でき、測定が高
速にできるという効果を奏する。
第1項は、表面実装型半導体装置を載置し、遮光帯パタ
ーンが形成された透明載置板と、この透明載置板の下方
に設置された照明装置と、この照明装置から発せられ、
上記半導体装置のリードが埋設された側辺及び上記遮光
帯パターンを上記リードの軸線方向で大きい仰角及び小
さい仰角で射出したそれぞれ第1及び第2の光情報を撮
像する第1及び第2の撮像装置と、上記第1及び第2の
光情報を反射させ上記第1及び第2の撮像装置に入光さ
せる第1及び第2の光情報反射手段と、上記第1及び第
2の光情報反射手段と上記第1及び第2の撮像装置との
間にそれぞれ配置され、上記第1及び第2の光情報の上
記照明装置から上記第1及び第2の撮像装置までの距離
を等しくする光反射手段とを備えたので、半導体装置の
リードの透明載置板からの高さを、透明載置板上に形成
された遮光帯パターンと、リード先端を小さい仰角又は
大きい仰角で見たときの距離と、大きな仰角又は小さい
仰角で見たときの距離と、小さな仰角又は大きい仰角の
角度とから、正確に測定できるという効果を奏する。ま
た、小さい仰角で見たときの光情報と、大きな仰角で見
たときの光情報を1つの撮像装置に入力するので、撮像
装置の台数が削減でき、装置が安価になり、かつ透明載
置板の上方が空くため、装置が小型化できるという効果
も奏する。さらに、半導体装置のリードを持つ側辺全て
に、光学部を配置したので、半導体装置を透明載置板ご
と移動する必要がなく、移動時間が削減でき、測定が高
速にできるという効果を奏する。
【0085】この発明の請求項第2項は、撮像装置の画
像情報を記憶する記憶手段と、上記画像情報により半導
体装置及び透明載置板に形成された遮光帯パターンの位
置を検出する位置検出手段と、上記半導体装置と上記遮
光帯パターンとの距離を計測する距離計測手段とをさら
に備えたので、個々のリードに対応する遮光帯パターン
の位置や距離を正確に計測できるという効果を奏する。
像情報を記憶する記憶手段と、上記画像情報により半導
体装置及び透明載置板に形成された遮光帯パターンの位
置を検出する位置検出手段と、上記半導体装置と上記遮
光帯パターンとの距離を計測する距離計測手段とをさら
に備えたので、個々のリードに対応する遮光帯パターン
の位置や距離を正確に計測できるという効果を奏する。
【0086】この発明の請求項第3項は、仰角測定パタ
ーンが形成された透明載置板と、照明装置からの第1及
び第2の光情報の仰角を測定する仰角測定手段とをさら
に備えたので、仰角の測定精度が向上し、さらに半導体
装置の寸法測定精度が向上するという効果を奏する。
ーンが形成された透明載置板と、照明装置からの第1及
び第2の光情報の仰角を測定する仰角測定手段とをさら
に備えたので、仰角の測定精度が向上し、さらに半導体
装置の寸法測定精度が向上するという効果を奏する。
【0087】この発明の請求項第4項は、距離計測手段
からの距離情報及び仰角測定手段からの仰角情報によ
り、透明載置板と半導体装置のリードとの高さを測定す
る平坦性測定手段をさらに備えたので、平坦性の測定精
度が向上するという効果を奏する。
からの距離情報及び仰角測定手段からの仰角情報によ
り、透明載置板と半導体装置のリードとの高さを測定す
る平坦性測定手段をさらに備えたので、平坦性の測定精
度が向上するという効果を奏する。
【0088】この発明の請求項第5項は、距離計測手段
からの距離情報及び仰角測定手段からの仰角情報によ
り、透明載置板と半導体装置のパッケージとの高さを測
定するスタンドオフ測定手段をさらに備えたので、スタ
ンドオフの測定精度が向上するという効果を奏する。
からの距離情報及び仰角測定手段からの仰角情報によ
り、透明載置板と半導体装置のパッケージとの高さを測
定するスタンドオフ測定手段をさらに備えたので、スタ
ンドオフの測定精度が向上するという効果を奏する。
【0089】この発明の請求項第6項は、距離計測手段
からの距離情報及び仰角測定手段からの仰角情報によ
り、半導体装置のリード長さを測定するリード長測定手
段をさらに備えたので、リード長さの測定精度が向上す
るという効果を奏する。
からの距離情報及び仰角測定手段からの仰角情報によ
り、半導体装置のリード長さを測定するリード長測定手
段をさらに備えたので、リード長さの測定精度が向上す
るという効果を奏する。
【0090】この発明の請求項第7項は、位置検出手段
からの異常情報により、透明載置板上に半導体装置が載
置されていない透明載置板の異常を検知する異常検知手
段をさらに備えたので、透明載置板の清掃時期や交換時
期が容易に判断できるという効果を奏する。
からの異常情報により、透明載置板上に半導体装置が載
置されていない透明載置板の異常を検知する異常検知手
段をさらに備えたので、透明載置板の清掃時期や交換時
期が容易に判断できるという効果を奏する。
【0091】この発明の請求項第8項は、透明載置板上
に半導体装置が載置されていない透明載置板の異常を検
知する異常検知手段と、透明載置板と半導体装置のリー
ドとの高さを測定する平坦性測定手段と、透明載置板と
半導体装置のパッケージとの高さを測定するスタンドオ
フ測定手段と、半導体装置のリード長さを測定するリー
ド長測定手段とを備え、上記異常検知手段からの異常検
知情報、上記平坦性測定手段からの平坦性測定情報、上
記スタンドオフ測定手段からのスタンドオフ測定情報及
び上記リード長測定手段からのリード長測定情報によ
り、所定の基準地と比較して検査する検査手段をさらに
備えたので、透明載置板の清掃や交換を促し、異常のあ
る透明載置板で測定しないので、半導体装置の寸法測定
の信頼性が向上するという効果を奏する。
に半導体装置が載置されていない透明載置板の異常を検
知する異常検知手段と、透明載置板と半導体装置のリー
ドとの高さを測定する平坦性測定手段と、透明載置板と
半導体装置のパッケージとの高さを測定するスタンドオ
フ測定手段と、半導体装置のリード長さを測定するリー
ド長測定手段とを備え、上記異常検知手段からの異常検
知情報、上記平坦性測定手段からの平坦性測定情報、上
記スタンドオフ測定手段からのスタンドオフ測定情報及
び上記リード長測定手段からのリード長測定情報によ
り、所定の基準地と比較して検査する検査手段をさらに
備えたので、透明載置板の清掃や交換を促し、異常のあ
る透明載置板で測定しないので、半導体装置の寸法測定
の信頼性が向上するという効果を奏する。
【0092】この発明の請求項第9項は、照明装置の光
源はLEDであり、照明の出力の制御を行うLED制御
手段と、LEDの発光制御及びLEDの発光と連動した
画像情報の記憶手段への入力のタイミングを制御する画
像入力制御手段とをさらに備えたので、LED照明は高
速に点灯、消灯ができるため、LED照明を同期信号に
連動して点灯消灯を制御し、かつ点灯消灯のタイミング
で画像情報の記憶の制御するので、無駄な時間を削減し
て画像情報の記憶が高速になるという効果を奏する。ま
た、画像情報の記憶が完了したら、半導体装置の透明載
置板からの移動が可能になったことを知らせる画像入力
完了信号を出力するため、半導体装置の寸法を測定中に
透明載置板上半導体装置を取り除き、次の半導体装置を
透明載置板に載置できるので、装置の動作が高速になる
という効果を奏する。
源はLEDであり、照明の出力の制御を行うLED制御
手段と、LEDの発光制御及びLEDの発光と連動した
画像情報の記憶手段への入力のタイミングを制御する画
像入力制御手段とをさらに備えたので、LED照明は高
速に点灯、消灯ができるため、LED照明を同期信号に
連動して点灯消灯を制御し、かつ点灯消灯のタイミング
で画像情報の記憶の制御するので、無駄な時間を削減し
て画像情報の記憶が高速になるという効果を奏する。ま
た、画像情報の記憶が完了したら、半導体装置の透明載
置板からの移動が可能になったことを知らせる画像入力
完了信号を出力するため、半導体装置の寸法を測定中に
透明載置板上半導体装置を取り除き、次の半導体装置を
透明載置板に載置できるので、装置の動作が高速になる
という効果を奏する。
【0093】この発明の請求項第10項は、半導体装置
の大きさより小さい画像情報の視野を持つ撮像装置を複
数台備えたので、画像情報の視野の大きさよりも大きな
半導体装置の寸法を測定する場合、撮像装置を横に並べ
るだけで大きな半導体装置の寸法測定が可能となるとい
う効果を奏する。
の大きさより小さい画像情報の視野を持つ撮像装置を複
数台備えたので、画像情報の視野の大きさよりも大きな
半導体装置の寸法を測定する場合、撮像装置を横に並べ
るだけで大きな半導体装置の寸法測定が可能となるとい
う効果を奏する。
【0094】この発明の請求項第11項は、半導体装置
を透明載置板上に載置し取り除く自動搬送手段をさらに
備えたので、この自動搬送手段により正確かつ半導体装
置にダメージを与えずに透明載置板上に載置できると共
に、検査結果が良品の半導体装置と不良品の半導体装置
を別々に収納するので、良品と不良品との分離が容易に
行えるという効果を奏する。
を透明載置板上に載置し取り除く自動搬送手段をさらに
備えたので、この自動搬送手段により正確かつ半導体装
置にダメージを与えずに透明載置板上に載置できると共
に、検査結果が良品の半導体装置と不良品の半導体装置
を別々に収納するので、良品と不良品との分離が容易に
行えるという効果を奏する。
【0095】この発明の請求項第12項は、半導体装置
一側辺のリード群とこの半導体装置を載置する透明載置
板に形成された遮光帯パターンとを異なる2方向から照
明装置により光を照射し、上記半導体装置及び上記遮光
帯パターンを照射した2つの光情報を反射手段により1
つの撮像装置で撮像し、上記撮像装置の画像情報をそれ
ぞれ異なるタイミングで記憶装置に記憶し、上記半導体
装置の一側辺の個々のリードの先端位置と、個々のリー
ドに対応する遮光帯パターンの位置を上記光情報の方向
毎に位置検出手段で検出し、個々のリード先端から個々
のリードに対応する遮光帯パターンとの距離を上記光情
報の方向毎に距離計測手段で計測し、2つの光情報の方
向が異なる距離情報と2つの光情報の既知の仰角から平
坦性測定手段により個々のリードの平坦性を測定し、上
記記憶手段に記憶された各半導体装置のリードを持つ辺
の画像情報毎に平坦性を順次測定することにより、上記
半導体装置の全てのリードの下面と上記透明載置板との
高さを測定するので、半導体装置の外観形状の寸法を正
確、迅速に測定することができるという効果を奏する。
一側辺のリード群とこの半導体装置を載置する透明載置
板に形成された遮光帯パターンとを異なる2方向から照
明装置により光を照射し、上記半導体装置及び上記遮光
帯パターンを照射した2つの光情報を反射手段により1
つの撮像装置で撮像し、上記撮像装置の画像情報をそれ
ぞれ異なるタイミングで記憶装置に記憶し、上記半導体
装置の一側辺の個々のリードの先端位置と、個々のリー
ドに対応する遮光帯パターンの位置を上記光情報の方向
毎に位置検出手段で検出し、個々のリード先端から個々
のリードに対応する遮光帯パターンとの距離を上記光情
報の方向毎に距離計測手段で計測し、2つの光情報の方
向が異なる距離情報と2つの光情報の既知の仰角から平
坦性測定手段により個々のリードの平坦性を測定し、上
記記憶手段に記憶された各半導体装置のリードを持つ辺
の画像情報毎に平坦性を順次測定することにより、上記
半導体装置の全てのリードの下面と上記透明載置板との
高さを測定するので、半導体装置の外観形状の寸法を正
確、迅速に測定することができるという効果を奏する。
【0096】この発明の請求項第13項は、遮光帯パタ
ーンの位置の検出は、位置検出手段により画像情報の明
るさの変化量から1画素以下の分解能で行うので、位置
検出の分解能が上がり、寸法測定精度が向上するという
効果を奏する。
ーンの位置の検出は、位置検出手段により画像情報の明
るさの変化量から1画素以下の分解能で行うので、位置
検出の分解能が上がり、寸法測定精度が向上するという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体装置の寸法測
定装置を示す概略構成図である。
定装置を示す概略構成図である。
【図2】図1に示した半導体装置の寸法測定装置の動作
説明図である。
説明図である。
【図3】図1に示した半導体装置の寸法測定装置の1サ
イクルの動作を示すタイミングチャートである。
イクルの動作を示すタイミングチャートである。
【図4】半導体装置が透明載置板上に載置された状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図5】画像情報制御手段の画像情報の入力動作を示す
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
【図6】LED制御手段の回路図である。
【図7】画像入力記憶手段のブロック図である。
【図8】位置検出手段の全体概要動作を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図9】エッヂ強度検出処理の動作を示すフローチャー
トである。
トである。
【図10】エッヂ位置検出処理の動作を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図11】アナログ画像情報の一部を拡大したものであ
る。
る。
【図12】図10をデジタル化した結果の一例である。
【図13】図10の横方向エッヂ強度検出処理の結果で
ある、横方向エッヂ強度情報である。
ある、横方向エッヂ強度情報である。
【図14】図10の縦方向エッヂ強度検出処理の結果で
ある、縦方向エッヂ強度情報である。
ある、縦方向エッヂ強度情報である。
【図15】図13の横方向エッヂ位置検出処理の結果で
ある、横方向エッヂ位置情報である。
ある、横方向エッヂ位置情報である。
【図16】図14の縦方向エッヂ位置検出処理の結果で
ある、縦方向エッヂ位置情報である。
ある、縦方向エッヂ位置情報である。
【図17】画像の濃淡処理法による画素以下の位置検出
方法を示す説明図である。
方法を示す説明図である。
【図18】画像情報の一例を示す概略図である。
【図19】図18に示した横方向エッヂ位置検出処理の
結果である横方向エッヂ位置情報を示す概略図である。
結果である横方向エッヂ位置情報を示す概略図である。
【図20】図18に示した縦方向エッヂ位置検出処理の
結果である縦方向エッヂ位置情報を示す概略図である。
結果である縦方向エッヂ位置情報を示す概略図である。
【図21】図18に示した位置検出情報を示す概略図で
ある。
ある。
【図22】図18に示した距離計測情報を示す概略図で
ある。
ある。
【図23】透明載置板に載置された半導体装置の一部を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図24】透明載置板に半導体装置が無いときの画像情
報の一例を示す概略図である。
報の一例を示す概略図である。
【図25】検査手段の動作を示すブロック図である。
【図26】仰角測定用透明載置板の一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図27】仰角測定用透明載置板の一部を示す側面図で
ある。
ある。
【図28】仰角測定用透明載置板の画像情報の一例を示
す概略図である。
す概略図である。
【図29】撮像装置の視野よりも大きな半導体装置を測
定するときに撮像装置を複数台並べたときの一例を示す
概略図である。
定するときに撮像装置を複数台並べたときの一例を示す
概略図である。
【図30】この発明の実施例2による半導体装置の寸法
測定装置を示す概略構成図である。
測定装置を示す概略構成図である。
【図31】この発明の実施例2による画像入力記憶手段
のブロック図である。
のブロック図である。
【図32】J字型に曲げられたリードを持つ半導体装置
が透明載置板に載置している状態を示す斜視図である。
が透明載置板に載置している状態を示す斜視図である。
【図33】従来の半導体装置のリード平坦性測定装置を
示す構成模式図である。
示す構成模式図である。
1 半導体装置 1a パッケージ 2 リード 2a リードの端面 2A Jリード 4 透明載置板 4a 遮光帯パターン 6a 中央LED照明 6b 第1のLED照明 6c 第2のLED照明 6d 第3のLED照明 6e 第4のLED照明 16 吸着ヘッド 17 吸着ヘッド駆動部 18 移動テーブル 19a 下方散乱板 19b 側方散乱板 20 光 21 遮光板 22 照明反射板 22a 第1の光学部 22b 第2の光学部 22c 第3の光学部 22d 第4の光学部 23a、23b 第1の光情報 24a、24b 第1の仰角 25a、25b 第2の光情報 26a、26b 第2の仰角 27a、27b 第1の光情報反射手段 28a、28b 第2の光情報反射手段 29a 第1の撮像装置 29b 第2の撮像装置 29c 第3の撮像装置 29d 第4の撮像装置 30a、30b 等距離光反射手段 31 画像情報 31a 第1の画像情報 31b 第2の画像情報 31d デジタル値 31f デジタル値 32 画像入力記憶手段 32g 第1のコントロール信号 32i クロック信号 32j 横アドレス 32o 縦アドレス 32q 切り替え信号 32r アドレス 32t 第2のコントロール信号 33 同期信号 34 (記録)画像情報 35 画像情報アドレス 36 画像情報読み出し信号 37 位置検出手段 38 異常情報 39 位置情報 40 異常検知手段 41 距離計測手段 41a 第1のリード遮光帯パターン距離データ 41b 第2のリード遮光帯パターン距離データ 41c 第1のパッケージ遮光帯パターン距離データ 41d 第2のパッケージ遮光帯パターン距離データ 41e 第1のリードパッケージ距離データ 41f 第2のリードパッケージ距離データ 42a 第1のリード遮光帯パターン距離情報 42b 第2のリード遮光帯パターン距離情報 43 平坦性測定手段 43a 平坦性データ 44a 第1のパッケージ遮光帯パターン距離情報 44b 第2のパッケージ遮光帯パターン距離情報 45 スタンドオフ測定手段 45a スタンドオフデータ 46a 第1のリードパッケージ距離情報 46b 第2のリードパッケージ距離情報 47 リード長測定手段 48a 第1の遮光パターン距離情報 48b 第2の遮光パターン距離情報 49 仰角測定手段 50 仰角情報群 51 仰角データ 52 仰角情報 53 検査手段 54 異常検知情報 55 平坦性測定情報 56 スタンドオフ測定情報 57 リード長測定情報 58 品種データ 58a 品種情報 59 検査結果 60 測定結果 61 表示手段 62 搬送制御部 63 吸着ヘッド制御信号 64 移動テーブル制御信号 65 載置信号 66 画像入力完了信号 67 画像入力制御手段 68a 中央LED発光信号 68b 第1のLED発光信号 68c 第2のLED発光信号 69a 第1の画像情報入力信号 69b 第2の画像情報入力信号 70 LED制御手段 70a 定電圧電源 70b 三端子レギュレータ 70c 可変抵抗器 70d LED電源 70e フォトカップラ 70f トランジスタ 71a 中央LED制御信号 71b 第1のLED制御信号 71c 第2のLED制御信号 73a 横方向エッヂ強度(位置)情報 73b 縦方向エッヂ強度(位置)情報 75a 横(方向)エッヂ位置情報 75b 縦(方向)エッヂ位置情報 80 1画素 86(a) エッヂ位置フラグ 87 エッヂ位置データ 89 エッヂ強度データ 90 エッヂ位置用基準値 92 位置強度データ 93 保存データ 95、96 終了 97 暗部 100 明部 103a 第1のリードx座標 103b 第2のリードy座標 104a 第1のパッケージx座標 104b 第2のパッケージy座標 105a 第1のリードy座標 105b 第2のリードy座標 106a 第1の遮光帯パターンy座標 106b 第2の遮光帯パターンy座標 107a 第1のパッケージy座標 107b 第2のパッケージy座標 108 異常物 109a 異常物左x座標 109b 異常物右x座標 109d 異常物の大きさ 110a 平坦性基準値 110b スタンドオフ基準値 110c リード長基準値 110d 異常物基準値 111 仰角測定用透明載置板 111a 第1の遮光パターン位置データ 111b 第1の遮光帯パターン位置データ 111c 第2の遮光帯パターン位置データ 111d 第2の遮光パターン位置データ 112 遮光パターン寸法 113 視野の大きさ 114 撮像装置の大きさ 115 視野の重なり 116 一側辺の大きさ 117 レンズ部 118 撮像部
【手続補正書】
【提出日】平成7年3月7日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】この発明の請求項第12項に係る発明は、
半導体装置一側辺のリード群とこの半導体装置を載置す
る透明載置板に形成された遮光帯パターンとを異なる2
方向から照明装置により光を照射し、上記半導体装置及
び上記遮光帯パターンを照射した2つの光情報を反射手
段により1つの撮像装置で撮像し、上記撮像装置の画像
情報をそれぞれ記憶装置に記憶し、上記半導体装置の一
側辺の個々のリードの先端位置と、個々のリードに対応
する遮光帯パターンの位置を上記光情報の方向毎に位置
検出手段で検出し、個々のリード先端から個々のリード
に対応する遮光帯パターンとの距離を上記光情報の方向
毎に距離計測手段で計測し、2つの光情報の方向が異な
る距離情報と2つの光情報の既知の仰角から平坦性測定
手段により個々のリードの平坦性を測定し、上記記憶手
段に記憶された各半導体装置のリードを持つ辺の画像情
報毎に平坦性を順次測定することにより、上記半導体装
置の全てのリードの下面と上記透明載置板との高さを測
定するものである。
半導体装置一側辺のリード群とこの半導体装置を載置す
る透明載置板に形成された遮光帯パターンとを異なる2
方向から照明装置により光を照射し、上記半導体装置及
び上記遮光帯パターンを照射した2つの光情報を反射手
段により1つの撮像装置で撮像し、上記撮像装置の画像
情報をそれぞれ記憶装置に記憶し、上記半導体装置の一
側辺の個々のリードの先端位置と、個々のリードに対応
する遮光帯パターンの位置を上記光情報の方向毎に位置
検出手段で検出し、個々のリード先端から個々のリード
に対応する遮光帯パターンとの距離を上記光情報の方向
毎に距離計測手段で計測し、2つの光情報の方向が異な
る距離情報と2つの光情報の既知の仰角から平坦性測定
手段により個々のリードの平坦性を測定し、上記記憶手
段に記憶された各半導体装置のリードを持つ辺の画像情
報毎に平坦性を順次測定することにより、上記半導体装
置の全てのリードの下面と上記透明載置板との高さを測
定するものである。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0057
【補正方法】変更
【補正内容】
【0057】図17(a)は、アナログの画像情報によ
る位置と明るさの関係を示した線図であり、この関係を
デジタル信号で表したものが図17(b)である。さら
に図17(c)は、図17(b)の一部を拡大したもの
で、ΔV/2の線とこれを含む両側の2画素Pi、Pi+1
との明るさを結ぶ交点の座標がエッジ位置xとなる。従
って、図17(d)から、求めるxはΔP=1画素×Δ
Vp/ΔViであり、エッジ位置x=Pi+ΔPとなり、
1画素の大きさより細かい大きさで(精度で)エッジ位
置が検出できる。
る位置と明るさの関係を示した線図であり、この関係を
デジタル信号で表したものが図17(b)である。さら
に図17(c)は、図17(b)の一部を拡大したもの
で、ΔV/2の線とこれを含む両側の2画素Pi、Pi+1
との明るさを結ぶ交点の座標がエッジ位置xとなる。従
って、図17(d)から、求めるxはΔP=1画素×Δ
Vp/ΔViであり、エッジ位置x=Pi+ΔPとなり、
1画素の大きさより細かい大きさで(精度で)エッジ位
置が検出できる。
Claims (13)
- 【請求項1】 表面実装型半導体装置を載置し、遮光帯
パターンが形成された透明載置板と、 この透明載置板の下方に設置された照明装置と、 この照明装置から発せられ、上記半導体装置のリードが
埋設された側辺及び上記遮光帯パターンを上記リードの
軸線方向で大きい仰角及び小さい仰角で射出したそれぞ
れ第1及び第2の光情報を撮像する第1及び第2の撮像
装置と、 上記第1及び第2の光情報を反射させ上記第1及び第2
の撮像装置に入光させる第1及び第2の光情報反射手段
と、 上記第1及び第2の光情報反射手段と上記第1及び第2
の撮像装置との間にそれぞれ配置され、上記第1及び第
2の光情報の上記照明装置から上記第1及び第2の撮像
装置までの距離を等しくする光反射手段とを備えたこと
を特徴とする半導体装置の寸法測定装置。 - 【請求項2】 撮像装置の画像情報を記憶する記憶手段
と、 上記画像情報により半導体装置及び透明載置板に形成さ
れた遮光帯パターンの位置を検出する位置検出手段と、 上記半導体装置と上記遮光帯パターンとの距離を計測す
る距離計測手段とをさらに備えたことを特徴とする請求
項第1項記載の半導体装置の寸法測定装置。 - 【請求項3】 仰角測定パターンが形成された透明載置
板と、 照明装置からの第1及び第2の光情報の仰角を測定する
仰角測定手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項
第2項記載の半導体装置の寸法測定装置。 - 【請求項4】 距離計測手段からの距離情報及び仰角測
定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導体装置
のリードとの高さを測定する平坦性測定手段をさらに備
えたことを特徴とする請求項第3項記載の半導体装置の
寸法測定装置。 - 【請求項5】 距離計測手段からの距離情報及び仰角測
定手段からの仰角情報により、透明載置板と半導体装置
のパッケージとの高さを測定するスタンドオフ測定手段
をさらに備えたことを特徴とする請求項第3項記載の半
導体装置の寸法測定装置。 - 【請求項6】 距離計測手段からの距離情報及び仰角測
定手段からの仰角情報により、半導体装置のリード長さ
を測定するリード長測定手段をさらに備えたことを特徴
とする請求項第3項記載の半導体装置の寸法測定装置。 - 【請求項7】 位置検出手段からの異常情報により、透
明載置板上に半導体装置が載置されていない透明載置板
の異常を検知する異常検知手段をさらに備えたことを特
徴とする請求項第3項記載の半導体装置の寸法測定装
置。 - 【請求項8】 透明載置板上に半導体装置が載置されて
いない透明載置板の異常を検知する異常検知手段と、 透明載置板と半導体装置のリードとの高さを測定する平
坦性測定手段と、 透明載置板と半導体装置のパッケージとの高さを測定す
るスタンドオフ測定手段と、 半導体装置のリード長さを測定するリード長測定手段と
を備え、 上記異常検知手段からの異常検知情報、上記平坦性測定
手段からの平坦性測定情報、上記スタンドオフ測定手段
からのスタンドオフ測定情報及び上記リード長測定手段
からのリード長測定情報により、所定の基準地と比較し
て検査する検査手段をさらに備えたことを特徴とする請
求項第3項記載の半導体装置の寸法測定装置。 - 【請求項9】 照明装置の光源はLEDであり、照明の
出力の制御を行うLED制御手段と、 LEDの発光制御及びLEDの発光と連動した画像情報
の記憶手段への入力のタイミングを制御する画像入力制
御手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項第2項
記載の半導体装置の寸法測定装置。 - 【請求項10】 半導体装置の大きさより小さい画像情
報の視野を持つ撮像装置を複数台備えたことを特徴とす
る請求項第1項記載の半導体装置の寸法測定装置。 - 【請求項11】 半導体装置を透明載置板上に載置し取
り除く自動搬送手段をさらに備えたことを特徴とする請
求項第1項記載の半導体装置の寸法測定装置。 - 【請求項12】 半導体装置一側辺のリード群とこの半
導体装置を載置する透明載置板に形成された遮光帯パタ
ーンとを異なる2方向から照明装置により光を照射し、 上記半導体装置及び上記遮光帯パターンを照射した2つ
の光情報を反射手段により1つの撮像装置で撮像し、 上記撮像装置の画像情報をそれぞれ異なるタイミングで
記憶装置に記憶し、 上記半導体装置の一側辺の個々のリードの先端位置と、
個々のリードに対応する遮光帯パターンの位置を上記光
情報の方向毎に位置検出手段で検出し、 個々のリード先端から個々のリードに対応する遮光帯パ
ターンとの距離を上記光情報の方向毎に距離計測手段で
計測し、 2つの光情報の方向が異なる距離情報と2つの光情報の
既知の仰角から平坦性測定手段により個々のリードの平
坦性を測定し、 上記記憶手段に記憶された各半導体装置のリードを持つ
辺の画像情報毎に平坦性を順次測定することにより、上
記半導体装置の全てのリードの下面と上記透明載置板と
の高さを測定することを特徴とする半導体装置の寸法測
定方法。 - 【請求項13】 遮光帯パターンの位置の検出は、位置
検出手段により画像情報の明るさの変化量から1画素以
下の分解能で行うことを特徴とする請求項第11項記載
の半導体装置の寸法測定方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32270293A JP3333615B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 半導体装置の寸法測定装置及び方法 |
US08/361,224 US5528371A (en) | 1993-12-21 | 1994-12-21 | Measurement apparatus for measuring dimensions of semiconductor device and method of measuring the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32270293A JP3333615B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 半導体装置の寸法測定装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07174522A true JPH07174522A (ja) | 1995-07-14 |
JP3333615B2 JP3333615B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=18146670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32270293A Expired - Fee Related JP3333615B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 半導体装置の寸法測定装置及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5528371A (ja) |
JP (1) | JP3333615B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008203229A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子部品の端子位置検出方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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SG42307A1 (en) * | 1996-01-09 | 1997-08-15 | Peng Seng Toh | Measurement and inspection of leads on integrated circuit packages |
US5859924A (en) * | 1996-07-12 | 1999-01-12 | Robotic Vision Systems, Inc. | Method and system for measuring object features |
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US5991434A (en) * | 1996-11-12 | 1999-11-23 | St. Onge; James W. | IC lead inspection system configurable for different camera positions |
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US6072898A (en) | 1998-01-16 | 2000-06-06 | Beaty; Elwin M. | Method and apparatus for three dimensional inspection of electronic components |
JPH11237210A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-08-31 | Komatsu Ltd | 半導体パッケージの検査装置 |
SG84530A1 (en) * | 1998-05-21 | 2001-11-20 | Agilent Technologies Inc | Cross optical axis inspection system for integrated circuits |
JP2000056417A (ja) * | 1998-08-03 | 2000-02-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 印画紙製造装置及び印画紙製造方法 |
SG72860A1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-03-20 | Agilent Technologies Inc | Leaded components inspection system |
EP1220596A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-03 | Icos Vision Systems N.V. | A method and an apparatus for measuring positions of contact elements of an electronic component |
JP4307054B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | 部品撮像装置 |
CA2573077A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Dofasco Inc. | Flatness monitor |
US8170322B2 (en) * | 2006-03-22 | 2012-05-01 | Jadak Llc | Optical imaging system and method using a reflective background |
CN107889522B (zh) * | 2015-08-26 | 2020-08-28 | Abb瑞士股份有限公司 | 对象多视角检测设备及其方法 |
JP7199241B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2023-01-05 | 株式会社東芝 | 半導体検査システム及び半導体検査装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0756877B2 (ja) * | 1990-01-24 | 1995-06-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置のリード平坦性測定装置 |
-
1993
- 1993-12-21 JP JP32270293A patent/JP3333615B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-12-21 US US08/361,224 patent/US5528371A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008203229A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子部品の端子位置検出方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5528371A (en) | 1996-06-18 |
JP3333615B2 (ja) | 2002-10-15 |
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