JPH07173610A - 透明導電性超薄膜及びその製造方法 - Google Patents
透明導電性超薄膜及びその製造方法Info
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- JPH07173610A JPH07173610A JP19796294A JP19796294A JPH07173610A JP H07173610 A JPH07173610 A JP H07173610A JP 19796294 A JP19796294 A JP 19796294A JP 19796294 A JP19796294 A JP 19796294A JP H07173610 A JPH07173610 A JP H07173610A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】基体上に形成された遷移金属の少なくとも１種
を含む膜厚１〜２００ｎｍの透明導電性超薄膜；及び気
化した遷移金属の少なくとも１種を、真空中で励起状態
の基体上に蒸着させて当該遷移金属の薄膜を形成するこ
とを特徴とする透明導電性超薄膜の製造方法。 【効果】透明性、導電性及び耐環境性に優れた薄膜を提
供できる。
を含む膜厚１〜２００ｎｍの透明導電性超薄膜；及び気
化した遷移金属の少なくとも１種を、真空中で励起状態
の基体上に蒸着させて当該遷移金属の薄膜を形成するこ
とを特徴とする透明導電性超薄膜の製造方法。 【効果】透明性、導電性及び耐環境性に優れた薄膜を提
供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電性超薄膜及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電性超薄膜は、液晶を用いた表示
器の電極、ガラスの防曇用発熱体などに広く利用されて
いる。
器の電極、ガラスの防曇用発熱体などに広く利用されて
いる。
【０００３】一般に、透明導電性超薄膜は、透明性及び
導電性を有することが基本的な特性として要求される。
従って、上記特性を有する物質である酸化スズ、酸化イ
ンジウム等が上記薄膜の原材料として従来より用いられ
ている。
導電性を有することが基本的な特性として要求される。
従って、上記特性を有する物質である酸化スズ、酸化イ
ンジウム等が上記薄膜の原材料として従来より用いられ
ている。
【０００４】しかしながら、酸化スズ等は腐食し易く、
耐環境性に欠けるため、例えば外気と触れるような部位
などに上記薄膜を使用することができない。従って、そ
の用途は極めて限られたものになる。
耐環境性に欠けるため、例えば外気と触れるような部位
などに上記薄膜を使用することができない。従って、そ
の用途は極めて限られたものになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、特
に耐環境性に優れた透明導電性超薄膜を提供することを
目的とする。
に耐環境性に優れた透明導電性超薄膜を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記従来技
術の問題点に鑑み鋭意研究を重ねた結果、遷移金属を含
む特定の薄膜が優れた透明性、導電性及び耐環境性を有
することを見出した。すなわち、本発明は、下記の透明
導電性超薄膜及びその製造方法を提供するものである。
術の問題点に鑑み鋭意研究を重ねた結果、遷移金属を含
む特定の薄膜が優れた透明性、導電性及び耐環境性を有
することを見出した。すなわち、本発明は、下記の透明
導電性超薄膜及びその製造方法を提供するものである。
【０００７】１． 基体上に形成された、遷移金属の少
なくとも１種を含む膜厚１〜２００ｎｍの透明導電性超
薄膜。
なくとも１種を含む膜厚１〜２００ｎｍの透明導電性超
薄膜。
【０００８】２． 気化した遷移金属の少なくとも１種
を、真空中で励起状態の基体上に蒸着させて当該遷移金
属の薄膜を形成することを特徴とする透明導電性超薄膜
の製造方法。
を、真空中で励起状態の基体上に蒸着させて当該遷移金
属の薄膜を形成することを特徴とする透明導電性超薄膜
の製造方法。
【０００９】以下、本発明について詳細に説明する。
【００１０】本発明において、基体としては、薄膜を形
成できる限り大きさ、形状、材質などは特に限定されな
いが、ガラス、セラミックス、有機高分子等が例示され
る。
成できる限り大きさ、形状、材質などは特に限定されな
いが、ガラス、セラミックス、有機高分子等が例示され
る。
【００１１】ガラスとしては、ケイ酸ガラス、ホウケイ
酸ガラス、アルカリガラスなどの酸化物ガラスが例示さ
れ、セラミックスとしては、アルミナ、マグネシア、ジ
ルコニア等の結晶質酸化物が例示され、有機高分子とし
ては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリビニルなどが例
示でき、好ましくはポリメチルメタクリレート、カプト
ンなどが挙げられる。特に好ましい基体材料としては、
ホウケイ酸ガラスが挙げられる。該基体は、液晶を用い
た表示器の電極、ガラスの防曇用発熱体などの用途に
は、透明性を有するものが好ましい。透明性を有する基
体とは、その透光性が１０〜１００％、好ましくは５０
〜１００％のものである。該透光性は可視光の透過率の
測定値を基準とする。薄膜が、帯電防止膜などの透明性
を必要としない用途に用いられる場合には、基体は透明
でなくてもよい。
酸ガラス、アルカリガラスなどの酸化物ガラスが例示さ
れ、セラミックスとしては、アルミナ、マグネシア、ジ
ルコニア等の結晶質酸化物が例示され、有機高分子とし
ては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリビニルなどが例
示でき、好ましくはポリメチルメタクリレート、カプト
ンなどが挙げられる。特に好ましい基体材料としては、
ホウケイ酸ガラスが挙げられる。該基体は、液晶を用い
た表示器の電極、ガラスの防曇用発熱体などの用途に
は、透明性を有するものが好ましい。透明性を有する基
体とは、その透光性が１０〜１００％、好ましくは５０
〜１００％のものである。該透光性は可視光の透過率の
測定値を基準とする。薄膜が、帯電防止膜などの透明性
を必要としない用途に用いられる場合には、基体は透明
でなくてもよい。
【００１２】本発明の透明導電性超薄膜は、遷移金属か
ら構成される。この遷移金属は、共立出版（株）の化学
大事典の周期律表において、ＩＢ、IIＢ、IIIＢ〜VII
Ｂ、VIIIＢの各族の元素を意味し、これらに含まれれば
特に限定されないが、好ましくはチタニウム、バナジウ
ム、クロミウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、
ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ロジウム、パラジ
ウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリ
ジウム、白金、金、ランタニド及びアクチニドに属する
金属などが好ましく、特にチタニウム及び金が好まし
い。該遷移金属は、金属単体として薄膜中に存在する場
合もあるが、基体表面の励起に炭素、窒素、酸素、水素
などのイオンビームを用いた場合には、その一部又は全
部が炭化物、窒化物、酸化物、水素化物等の形態で存在
する場合もある。薄膜の膜厚は、通常１〜２００ｎｍ程
度、好ましくは１〜１００ｎｍ程度である。膜厚が５〜
１００ｎｍの範囲内にあると、導電性及び透明性の両方
を有するため特に好ましい。また、膜厚が１０〜５０ｎ
ｍの範囲内にあると上記特性が特に優れるため、好まし
い。
ら構成される。この遷移金属は、共立出版（株）の化学
大事典の周期律表において、ＩＢ、IIＢ、IIIＢ〜VII
Ｂ、VIIIＢの各族の元素を意味し、これらに含まれれば
特に限定されないが、好ましくはチタニウム、バナジウ
ム、クロミウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、
ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ロジウム、パラジ
ウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリ
ジウム、白金、金、ランタニド及びアクチニドに属する
金属などが好ましく、特にチタニウム及び金が好まし
い。該遷移金属は、金属単体として薄膜中に存在する場
合もあるが、基体表面の励起に炭素、窒素、酸素、水素
などのイオンビームを用いた場合には、その一部又は全
部が炭化物、窒化物、酸化物、水素化物等の形態で存在
する場合もある。薄膜の膜厚は、通常１〜２００ｎｍ程
度、好ましくは１〜１００ｎｍ程度である。膜厚が５〜
１００ｎｍの範囲内にあると、導電性及び透明性の両方
を有するため特に好ましい。また、膜厚が１０〜５０ｎ
ｍの範囲内にあると上記特性が特に優れるため、好まし
い。
【００１３】本発明の透明導電性超薄膜は、非晶質構造
を有する場合が多いが、製造条件により結晶質の占める
割合が多くなることもある。非晶質であっても結晶質で
あってもその特性にはほとんど影響しない。本発明の透
明導電性超薄膜の透光性は、３０〜９５％程度、好まし
くは５０〜９５％程度であり、導電性は通常０．１〜１
００ｋΩ／□程度、好ましくは１〜１０ｋΩ／□程度で
ある。本発明の透明導電性超薄膜は、酸性水溶液への浸
漬、塩水噴霧等によってもその機能を失わない程度の耐
環境性を有する。
を有する場合が多いが、製造条件により結晶質の占める
割合が多くなることもある。非晶質であっても結晶質で
あってもその特性にはほとんど影響しない。本発明の透
明導電性超薄膜の透光性は、３０〜９５％程度、好まし
くは５０〜９５％程度であり、導電性は通常０．１〜１
００ｋΩ／□程度、好ましくは１〜１０ｋΩ／□程度で
ある。本発明の透明導電性超薄膜は、酸性水溶液への浸
漬、塩水噴霧等によってもその機能を失わない程度の耐
環境性を有する。
【００１４】次に、本発明の製造方法について説明す
る。まず、薄膜を形成させる基体の表面状態を励起状態
にする。薄膜が形成される基体表面を励起させるには、
基体にイオンビーム、プラズマ、電子ビーム、レーザー
などを照射すればよいが、基体表面が励起状態になる限
り、他の励起状態形成手段を用いてもよい。照射条件
は、基体の種類、遷移金属の種類、所望の膜厚等によっ
て適宜設定すればよい。本発明にいう「励起状態」と
は、具体的には基体表面が励起源を照射する前と比べ
て、より大きな熱運動エネルギーを持つ状態もしくはよ
り大きな内部エネルギーを持つ状態になることをいう。
イオンビーム、プラズマ、電子ビーム、レーザー等は、
単独で基体表面に照射しても良く、２種以上を組み合わ
せて照射してもよい。
る。まず、薄膜を形成させる基体の表面状態を励起状態
にする。薄膜が形成される基体表面を励起させるには、
基体にイオンビーム、プラズマ、電子ビーム、レーザー
などを照射すればよいが、基体表面が励起状態になる限
り、他の励起状態形成手段を用いてもよい。照射条件
は、基体の種類、遷移金属の種類、所望の膜厚等によっ
て適宜設定すればよい。本発明にいう「励起状態」と
は、具体的には基体表面が励起源を照射する前と比べ
て、より大きな熱運動エネルギーを持つ状態もしくはよ
り大きな内部エネルギーを持つ状態になることをいう。
イオンビーム、プラズマ、電子ビーム、レーザー等は、
単独で基体表面に照射しても良く、２種以上を組み合わ
せて照射してもよい。
【００１５】基体表面の励起は、蒸着中にイオンビー
ム、プラズマ、電子ビーム、レーザーなどを連続的また
は間欠的に照射して励起状態を保つのが好ましい。間欠
的に照射する場合、その照射頻度は１Ｈｚ以上であれば
よく、１０Ｈｚ以上であれば好ましい。
ム、プラズマ、電子ビーム、レーザーなどを連続的また
は間欠的に照射して励起状態を保つのが好ましい。間欠
的に照射する場合、その照射頻度は１Ｈｚ以上であれば
よく、１０Ｈｚ以上であれば好ましい。
【００１６】イオンビームに用いるイオンとしては、ヘ
リウム、ネオン、アルゴン、クリプトン等の不活性ガス
のイオン、あるいは炭素、窒素、酸素、水素などのイオ
ンが挙げられる。特に、炭素又は窒素のイオンビームを
用いる場合には、これらが遷移金属と反応して炭化物又
は窒化物を形成し、薄膜の耐環境性を更に向上させるこ
とができるため好ましい。イオンビーム中に電子を混入
し、全体として電気的に中性又は陰性になっていてもよ
い。イオンビームの加速電圧は、通常約１０Ｖ以上、好
ましくは１０Ｖ〜１００ｋＶであればよい。
リウム、ネオン、アルゴン、クリプトン等の不活性ガス
のイオン、あるいは炭素、窒素、酸素、水素などのイオ
ンが挙げられる。特に、炭素又は窒素のイオンビームを
用いる場合には、これらが遷移金属と反応して炭化物又
は窒化物を形成し、薄膜の耐環境性を更に向上させるこ
とができるため好ましい。イオンビーム中に電子を混入
し、全体として電気的に中性又は陰性になっていてもよ
い。イオンビームの加速電圧は、通常約１０Ｖ以上、好
ましくは１０Ｖ〜１００ｋＶであればよい。
【００１７】プラズマとして、高周波方式、直流方式な
どが例示される。
どが例示される。
【００１８】レーザーとして、ＹＡＧレーザー、炭酸ガ
スレーザー、エキシマレーザーが例示される。
スレーザー、エキシマレーザーが例示される。
【００１９】本発明の方法では、励起状態の基体表面に
気化させた金属を蒸着させ、透明導電性超薄膜を形成さ
せる。蒸着は、特に限定されず、真空蒸着法、レーザー
アブレーション法、イオンプレーティング法、イオンビ
ームデポジション法、ＣＶＤ法などの公知の蒸着方法が
適用できる。
気化させた金属を蒸着させ、透明導電性超薄膜を形成さ
せる。蒸着は、特に限定されず、真空蒸着法、レーザー
アブレーション法、イオンプレーティング法、イオンビ
ームデポジション法、ＣＶＤ法などの公知の蒸着方法が
適用できる。
【００２０】本発明の蒸着方法で、真空中にメタン、エ
タンなどの炭化水素ガス、エタノールなどの有機物、ヘ
リウム、アルゴンなどの不活性ガスあるいは窒素、水素
などを導入した状態で遷移金属の蒸着を行えば、薄膜形
成をより促進することができる。
タンなどの炭化水素ガス、エタノールなどの有機物、ヘ
リウム、アルゴンなどの不活性ガスあるいは窒素、水素
などを導入した状態で遷移金属の蒸着を行えば、薄膜形
成をより促進することができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の透明導電性超薄膜の製造方法に
よれば、気化した遷移金属を、真空中で励起状態にある
基体上に蒸着させるため、従来の金属酸化物からなる薄
膜とは異なる性質を持つ薄膜を得ることができる。
よれば、気化した遷移金属を、真空中で励起状態にある
基体上に蒸着させるため、従来の金属酸化物からなる薄
膜とは異なる性質を持つ薄膜を得ることができる。
【００２２】本発明の透明導電性超薄膜は、遷移金属か
ら構成された、膜厚１〜２００ｎｍという非常に薄い膜
であるため、優れた透明性及び導電性を有するととも
に、優れた耐環境性をも発揮することができる。従っ
て、上記薄膜は、その使用中に容易に酸化されたり、塩
分に侵されたりすることはなく、良好な透明性及び導電
性を発揮することができる。
ら構成された、膜厚１〜２００ｎｍという非常に薄い膜
であるため、優れた透明性及び導電性を有するととも
に、優れた耐環境性をも発揮することができる。従っ
て、上記薄膜は、その使用中に容易に酸化されたり、塩
分に侵されたりすることはなく、良好な透明性及び導電
性を発揮することができる。
【００２３】また、本発明の製造方法において、蒸着中
に絶えることなく連続的に基体を励起状態に維持する
と、薄膜は基体と強く密着し、また、薄膜表面は、他の
製造方法で製造された薄膜よりも平滑となる。従って、
本発明により耐環境性、透明性、電気伝導性に優れた薄
膜を製造することができる。
に絶えることなく連続的に基体を励起状態に維持する
と、薄膜は基体と強く密着し、また、薄膜表面は、他の
製造方法で製造された薄膜よりも平滑となる。従って、
本発明により耐環境性、透明性、電気伝導性に優れた薄
膜を製造することができる。
【００２４】このような特性を持つ本発明の透明導電性
超薄膜は、従来の薄膜よりも一層幅広い用途に用いるこ
とが可能となり、液晶表示素子用電極材料、防曇用発熱
体はもとより、外気にさらされるブラウン管の帯電防止
用コーティングなどの用途にも有用である。
超薄膜は、従来の薄膜よりも一層幅広い用途に用いるこ
とが可能となり、液晶表示素子用電極材料、防曇用発熱
体はもとより、外気にさらされるブラウン管の帯電防止
用コーティングなどの用途にも有用である。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を示し、本
発明の特徴とするところをより一層明確にする。
発明の特徴とするところをより一層明確にする。
【００２６】耐環境性の評価は、０．５％塩化ナトリウ
ム水溶液の噴霧を１時間行い、その後、透明性及び電気
伝導性の値の劣化が１０％以下であると、耐環境性に優
れていると判定した。また、上記の値の劣化が測定誤差
範囲内であり、更に、０．１規定の塩酸水溶液での浸漬
試験によっても、劣化が測定誤差範囲内であれば、耐環
境性が特に優れているものと規定する。
ム水溶液の噴霧を１時間行い、その後、透明性及び電気
伝導性の値の劣化が１０％以下であると、耐環境性に優
れていると判定した。また、上記の値の劣化が測定誤差
範囲内であり、更に、０．１規定の塩酸水溶液での浸漬
試験によっても、劣化が測定誤差範囲内であれば、耐環
境性が特に優れているものと規定する。
【００２７】実施例１ 真空中において、溶融石英の基体に対し、窒素のイオン
ビームを照射した。イオンビームの加速電圧は１０ｋ
Ｖ、イオンビームの電流密度は、０．１ｍＡ／ｃｍ2で
あった。イオンビームの照射と同時に基体上に電子ビー
ム加熱法によってチタニウムを蒸着した。このときの蒸
着速度は毎秒０．５ｎｍ、蒸着時間は２０秒間、蒸着膜
厚は１０ｎｍであった。
ビームを照射した。イオンビームの加速電圧は１０ｋ
Ｖ、イオンビームの電流密度は、０．１ｍＡ／ｃｍ2で
あった。イオンビームの照射と同時に基体上に電子ビー
ム加熱法によってチタニウムを蒸着した。このときの蒸
着速度は毎秒０．５ｎｍ、蒸着時間は２０秒間、蒸着膜
厚は１０ｎｍであった。
【００２８】得られたチタニウム含有薄膜の表面の電気
抵抗は５ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認さ
れた。また、その透光性は８５％であることから、上記
薄膜が透明導電性薄膜であることが確認された。更に、
上記薄膜について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び
塩酸水溶液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導
電性の変化はなく、耐環境性に特に優れていることも確
認された。
抵抗は５ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認さ
れた。また、その透光性は８５％であることから、上記
薄膜が透明導電性薄膜であることが確認された。更に、
上記薄膜について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び
塩酸水溶液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導
電性の変化はなく、耐環境性に特に優れていることも確
認された。
【００２９】上記薄膜の密着性を評価するために、薄膜
の上にエポキシ樹脂を塗布し、直径３ｍｍの平らな頂部
を持つスタッドを基体に垂直に接着した後、スタッドを
基体の垂直方向に引っ張ったところ、３Ｎの力で引っ張
っても薄膜は剥離しなかった。従って、この薄膜は、基
体に強く密着していることが明らかである。上記薄膜の
表面を原子間力走査プローブ顕微鏡によって表面粗さを
評価したところ、その表面粗さは２ｎｍ以下であった。
の上にエポキシ樹脂を塗布し、直径３ｍｍの平らな頂部
を持つスタッドを基体に垂直に接着した後、スタッドを
基体の垂直方向に引っ張ったところ、３Ｎの力で引っ張
っても薄膜は剥離しなかった。従って、この薄膜は、基
体に強く密着していることが明らかである。上記薄膜の
表面を原子間力走査プローブ顕微鏡によって表面粗さを
評価したところ、その表面粗さは２ｎｍ以下であった。
【００３０】比較例１ 比較のため、基体を励起しないで、窒素雰囲気中での蒸
着により窒化チタニウム超薄膜の形成を試みた。５×１
０-5Ｔｏｒｒの窒素分圧下で、０．５ｎｍ／秒の蒸着速
度により、チタニウムを石英基体上に４０秒間供給し
た。この試料を調べたところ、チタニウムを石英基体上
に４０秒間供給した。この試料を原子間力走査プローブ
顕微鏡で調べたところ、島状構造をしており、電気伝導
性はなかった。また、１日間大気中に放置したところ酸
化され酸化チタニウムとなった。従って、基体を励起し
なければ、所望の効果が得られないことが明らかであ
る。
着により窒化チタニウム超薄膜の形成を試みた。５×１
０-5Ｔｏｒｒの窒素分圧下で、０．５ｎｍ／秒の蒸着速
度により、チタニウムを石英基体上に４０秒間供給し
た。この試料を調べたところ、チタニウムを石英基体上
に４０秒間供給した。この試料を原子間力走査プローブ
顕微鏡で調べたところ、島状構造をしており、電気伝導
性はなかった。また、１日間大気中に放置したところ酸
化され酸化チタニウムとなった。従って、基体を励起し
なければ、所望の効果が得られないことが明らかであ
る。
【００３１】実施例２ 真空中において、酸化アルミニウム単結晶の基体に対
し、炭素のイオンビームを照射した。イオンビームの加
速電圧は１０ｋＶ、イオンビームの電流密度は０．１ｍ
Ａ／ｃｍ2であった。イオンビームの照射と同時に基体
上に電子ビーム加熱法によってバナジウムを蒸着した。
このときの蒸着速度は毎秒１ｎｍ、蒸着時間は２０秒
間、蒸着膜厚は２０ｎｍであった。また、このとき同時
にエキシマレーザーを５０ｍＪ、１００Ｈｚで照射し
た。
し、炭素のイオンビームを照射した。イオンビームの加
速電圧は１０ｋＶ、イオンビームの電流密度は０．１ｍ
Ａ／ｃｍ2であった。イオンビームの照射と同時に基体
上に電子ビーム加熱法によってバナジウムを蒸着した。
このときの蒸着速度は毎秒１ｎｍ、蒸着時間は２０秒
間、蒸着膜厚は２０ｎｍであった。また、このとき同時
にエキシマレーザーを５０ｍＪ、１００Ｈｚで照射し
た。
【００３２】得られたバナジウム含有薄膜の表面の電気
抵抗は６ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認さ
れた。また、その透光性は７５％であることから、上記
薄膜が透明導電性薄膜であることが確認された。更に、
上記薄膜について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び
塩酸水溶液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導
電性の変化はなく、耐環境性に特に優れていることも確
認された。
抵抗は６ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認さ
れた。また、その透光性は７５％であることから、上記
薄膜が透明導電性薄膜であることが確認された。更に、
上記薄膜について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び
塩酸水溶液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導
電性の変化はなく、耐環境性に特に優れていることも確
認された。
【００３３】実施例３ 真空中において、透明なアクリル樹脂平板の基体に対
し、炭素及び水素のイオンビームを照射した。イオンビ
ームの加速電圧は１０ｋＶ、イオンビームの電流密度は
０．０１ｍＡ／ｃｍ2であった。イオンビームの照射と
同時に基体上に電子ビーム加熱法によって金を蒸着し
た。このときの蒸着速度は毎秒０．１ｎｍ、蒸着時間は
１００秒間、蒸着膜厚は１０ｎｍであった。
し、炭素及び水素のイオンビームを照射した。イオンビ
ームの加速電圧は１０ｋＶ、イオンビームの電流密度は
０．０１ｍＡ／ｃｍ2であった。イオンビームの照射と
同時に基体上に電子ビーム加熱法によって金を蒸着し
た。このときの蒸着速度は毎秒０．１ｎｍ、蒸着時間は
１００秒間、蒸着膜厚は１０ｎｍであった。
【００３４】得られた金含有薄膜の表面の電気抵抗は１
ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認された。ま
た、その透光性は７０％であることから、上記薄膜が透
明導電性薄膜であることが確認された。更に、上記薄膜
について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び塩酸水溶
液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導電性の変
化はなく、耐環境性に特に優れていることも確認され
た。
ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認された。ま
た、その透光性は７０％であることから、上記薄膜が透
明導電性薄膜であることが確認された。更に、上記薄膜
について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び塩酸水溶
液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導電性の変
化はなく、耐環境性に特に優れていることも確認され
た。
【００３５】実施例４ 真空中において、酸化マグネシウムの基体に対し、ＹＡ
Ｇレーザーを１００ｍＷの強度で照射した。レーザーの
照射と同時に基体上に電子ビーム加熱法によってジルコ
ニウムを蒸着した。蒸着速度は毎秒０．５ｎｍ、蒸着時
間は１００秒間、蒸着膜厚は５０ｎｍであった。また、
蒸着中の真空容器内に、窒素ガスを導入し、その圧力を
１×１０-4Ｔｏｒｒとした。これによって形成された、
窒化ジルコニウム薄膜の表面抵抗は３ｋΩ／□であり、
導電性を有することが確認された。また、その透光性は
７０％であることから、上記薄膜が透明導電性薄膜であ
ることが確認された。更に、上記薄膜について、塩化ナ
トリウム水溶液噴霧試験及び塩酸水溶液浸漬試験を行っ
たところ、その透明性及び導電性の変化はなく、耐環境
性に特に優れていることも確認された。
Ｇレーザーを１００ｍＷの強度で照射した。レーザーの
照射と同時に基体上に電子ビーム加熱法によってジルコ
ニウムを蒸着した。蒸着速度は毎秒０．５ｎｍ、蒸着時
間は１００秒間、蒸着膜厚は５０ｎｍであった。また、
蒸着中の真空容器内に、窒素ガスを導入し、その圧力を
１×１０-4Ｔｏｒｒとした。これによって形成された、
窒化ジルコニウム薄膜の表面抵抗は３ｋΩ／□であり、
導電性を有することが確認された。また、その透光性は
７０％であることから、上記薄膜が透明導電性薄膜であ
ることが確認された。更に、上記薄膜について、塩化ナ
トリウム水溶液噴霧試験及び塩酸水溶液浸漬試験を行っ
たところ、その透明性及び導電性の変化はなく、耐環境
性に特に優れていることも確認された。
【００３６】実施例５ 真空中において、ホウケイ酸ガラスの基体に対し、１０
ｋＶで加速したアルゴンイオンを、０．０５ｍＡ／ｃｍ
2の電流密度で照射した。イオンビームの照射と同時に
基体上に電子ビーム加熱法によってハフニウムを蒸着し
た。蒸着速度は毎秒０．５ｎｍ、蒸着時間は１００秒
間、蒸着膜厚は５０ｎｍであった。このときの真空度は
１×１０-4Ｔｏｒｒであったが、そのうちの５×１０-5
Ｔｏｒｒは、窒素の導入による分圧であった。これによ
って形成された、窒化ハフニウム薄膜の表面抵抗は１０
ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認された。ま
た、その透光性は５５％であることから、上記薄膜が透
明導電性薄膜であることが確認された。更に、上記薄膜
について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び塩酸水溶
液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導電性の変
化はなく、耐環境性に特に優れていることも確認され
た。
ｋＶで加速したアルゴンイオンを、０．０５ｍＡ／ｃｍ
2の電流密度で照射した。イオンビームの照射と同時に
基体上に電子ビーム加熱法によってハフニウムを蒸着し
た。蒸着速度は毎秒０．５ｎｍ、蒸着時間は１００秒
間、蒸着膜厚は５０ｎｍであった。このときの真空度は
１×１０-4Ｔｏｒｒであったが、そのうちの５×１０-5
Ｔｏｒｒは、窒素の導入による分圧であった。これによ
って形成された、窒化ハフニウム薄膜の表面抵抗は１０
ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認された。ま
た、その透光性は５５％であることから、上記薄膜が透
明導電性薄膜であることが確認された。更に、上記薄膜
について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び塩酸水溶
液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導電性の変
化はなく、耐環境性に特に優れていることも確認され
た。
【００３７】実施例６ 真空中において、アルカリガラスの基体に対し、２０ｋ
Ｖで加速したヘリウムイオンを、０．１ｍＡ／ｃｍ2の
電流密度で照射した。イオンビームの照射と同時に基体
上に電子ビーム加熱法によってタングステンを蒸着し
た。蒸着速度は毎秒０．５ｎｍ、蒸着時間は１００秒
間、蒸着膜厚は２０ｎｍであった。このときの真空度は
１×１０-4Ｔｏｒｒであったが、そのうちの５×１０-5
Ｔｏｒｒは、メタンガスの導入による分圧であった。こ
れによって形成された、炭化タングステン薄膜の表面抵
抗は４０ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認さ
れた。また、その透光性は７０％であることから、上記
薄膜が透明導電性薄膜であることが確認された。更に、
上記薄膜について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び
塩酸水溶液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導
電性の変化はなく、耐環境性に特に優れていることも確
認された。
Ｖで加速したヘリウムイオンを、０．１ｍＡ／ｃｍ2の
電流密度で照射した。イオンビームの照射と同時に基体
上に電子ビーム加熱法によってタングステンを蒸着し
た。蒸着速度は毎秒０．５ｎｍ、蒸着時間は１００秒
間、蒸着膜厚は２０ｎｍであった。このときの真空度は
１×１０-4Ｔｏｒｒであったが、そのうちの５×１０-5
Ｔｏｒｒは、メタンガスの導入による分圧であった。こ
れによって形成された、炭化タングステン薄膜の表面抵
抗は４０ｋΩ／□であり、導電性を有することが確認さ
れた。また、その透光性は７０％であることから、上記
薄膜が透明導電性薄膜であることが確認された。更に、
上記薄膜について、塩化ナトリウム水溶液噴霧試験及び
塩酸水溶液浸漬試験を行ったところ、その透明性及び導
電性の変化はなく、耐環境性に特に優れていることも確
認された。
【手続補正書】
【提出日】平成６年８月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】比較例１ 比較のため、基体を励起しないで、窒素雰囲気中での蒸
着により窒化チタニウム超薄膜の形成を試みた。５×１
０−５Ｔｏｒｒの窒素分圧下で、０．５ｎｍ／秒の蒸着
速度により、チタニウムを石英基体上に４０秒間供給し
た。この試料を原子間力走査プローブ顕微鏡で調べたと
ころ、島状構造をしており、電気伝導性はなかった。ま
た、１日間大気中に放置したところ酸化され酸化チタニ
ウムとなった。従って、基体を励起しなければ、所望の
効果が得られないことが明らかである。
着により窒化チタニウム超薄膜の形成を試みた。５×１
０−５Ｔｏｒｒの窒素分圧下で、０．５ｎｍ／秒の蒸着
速度により、チタニウムを石英基体上に４０秒間供給し
た。この試料を原子間力走査プローブ顕微鏡で調べたと
ころ、島状構造をしており、電気伝導性はなかった。ま
た、１日間大気中に放置したところ酸化され酸化チタニ
ウムとなった。従って、基体を励起しなければ、所望の
効果が得られないことが明らかである。
Claims (2)
- 【請求項１】基体上に形成された、遷移金属の少なくと
も１種を含む膜厚１〜２００ｎｍの透明導電性超薄膜。 - 【請求項２】気化した遷移金属の少なくとも１種を、真
空中で励起状態の基体上に蒸着させて当該遷移金属の薄
膜を形成することを特徴とする透明導電性超薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19796294A JPH07173610A (ja) | 1993-08-02 | 1994-07-29 | 透明導電性超薄膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21092993 | 1993-08-02 | ||
| JP5-210929 | 1993-08-02 | ||
| JP19796294A JPH07173610A (ja) | 1993-08-02 | 1994-07-29 | 透明導電性超薄膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07173610A true JPH07173610A (ja) | 1995-07-11 |
Family
ID=26510677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19796294A Pending JPH07173610A (ja) | 1993-08-02 | 1994-07-29 | 透明導電性超薄膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07173610A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999003111A1 (de) * | 1997-07-08 | 1999-01-21 | Glas Platz | Elektrische vorrichtung, elektrisches gerät bzw. beleuchtungsvorrichtung |
| WO2004105055A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Nippon Soda Co., Ltd. | 透明導電膜付透光性基板 |
| JP2005290585A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Taiwan Textile Research Inst | 温度制御繊維製品及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206212A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-28 | Nitto Denko Corp | 積層体の製造法 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP19796294A patent/JPH07173610A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206212A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-28 | Nitto Denko Corp | 積層体の製造法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999003111A1 (de) * | 1997-07-08 | 1999-01-21 | Glas Platz | Elektrische vorrichtung, elektrisches gerät bzw. beleuchtungsvorrichtung |
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| JPWO2004105055A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2006-07-20 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜付透光性基板 |
| KR100743417B1 (ko) * | 2003-05-26 | 2007-07-30 | 닛뽕소다 가부시키가이샤 | 투명도전막 부착 투광성 기판 |
| JP4538410B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2010-09-08 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜付透光性基板の製造方法 |
| JP2005290585A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Taiwan Textile Research Inst | 温度制御繊維製品及びその製造方法 |
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