JPH071676Y2 - Tftマトリクスアレイ - Google Patents

Tftマトリクスアレイ

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JPH071676Y2
JPH071676Y2 JP1988122906U JP12290688U JPH071676Y2 JP H071676 Y2 JPH071676 Y2 JP H071676Y2 JP 1988122906 U JP1988122906 U JP 1988122906U JP 12290688 U JP12290688 U JP 12290688U JP H071676 Y2 JPH071676 Y2 JP H071676Y2
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JP
Japan
Prior art keywords
tft
matrix array
bus line
terminal
tft matrix
Prior art date
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Application number
JP1988122906U
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JPH0244722U (ja
Inventor
紀夫 中谷
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案はアクティブマトリクス型の液晶表示素子に用い
られるTFTマトリクスアレイに関する。
(ロ)従来の技術 マトリクス状にTFTを形成して成るアクティブマトリク
ス方式液晶パネルは、高品位な表示が得られることから
注目されている。しかしながら、アクティブマトリクス
方式液晶パネルは、製造プロセスが多く、構造も複雑で
あることから、ドレインバスラインやゲートバスライン
等の各配線電極の断線及び配線電極のクロスオーバー部
でのシヨートなどの欠陥が多発する惧れがあった。
(ハ)考案が解決しようとする課題 上述の欠陥対策として、デバイス構造などに欠陥救済の
ためにバイパスラインの追加を行なった冗長構成が必要
となる(実開昭61−181号)。このような何らかの冗長
構成と同時に欠陥発生場所を探し出す検査工程がパネル
製造には不可欠となる。欠陥発生場所を探し出すため
に、端子又は画素領域に対応してそのアドレスを教える
ための何らかのマークが必要であり、本考案はその要求
を満たすためのものである。
(ニ)課題を解決するための手段 絶縁基板上に複数のTFTをマトリクス配置し、該TFTの配
線電極であるゲートバスライン又はドレインバスライン
と絶縁基板周辺位置に設けたゲートバスライン用端子又
はドレインバスライン用端子とを層間絶縁膜のコンタク
トホールを介して接続した端子構造を有するTFTマトリ
クスアレイに於いて、 上記コンタクトホールが、数字の形状に前記層間絶縁膜
を取り除いたパターンであり、TFTマトリクスアレイ領
域の外側に形成されていることを特徴としたTFTマトリ
クスアレイ。
(ホ)作用 本考案のTFTマトリクスアレイによれば、コンタクトホ
ールの形状自体でゲートバスライン又はドレインバスラ
インのアドレスが判別できるので、別体のアドレス表示
用パターンを付設する必要がなく、素子面積の集積化が
図れる。
(ヘ)実施例 第3図は液晶表示パネル用のTFTマトリクスアレイの平
面模式図であり、240本のゲートバスラインとその端子
電極G及び480本のドレインバスラインとその端子電極
Dが交差し、その交点には表示電極(図示せず)をソー
ス側に結合したTFT(図示せず)が形成してある。従っ
てゲート端子Gには(1)〜(240)のアドレスが又、
ドレイン端子Dには(1)〜(480)のアドレスがあり
それらを判別する必要がある。
第1図及び第2図に第3図のTFTマトリクスアレイに本
考案を採用した実施例を示す。第1図は第3図の124番
目のドレイン端子Dの断面構造図である。1は端子電極
であり、2はドレインバスライン、3はTFTゲート絶縁
膜を兼ねた層間絶縁膜、4はガラス基板であり、層間絶
縁膜3にはコンタクトホール5が形成してある。このコ
ンタクトホール5の形状を第1図に示す。
第1図は122〜124番目のドレイン端子Dの平面図であ
る。ドレインバスライン2が接続される端子電極1のア
ドレスに対応した数字で層間絶縁膜3にコンタクトホー
ル5の1部が形成されており、このコンタクトホール形
状を観察することで、何番目の端子か判る事になる。
尚、図の6は端子露出用の層間絶縁膜3の開口である。
(ト)考案の効果 本考案によれば、TFTの検査工程において必要な端子の
アドレスが容易に判別できるTFTマトリクスアレイが実
現できる。又、別体のアドレス表示マークを付設する必
要がないので、素子面積の集積化が図れ、しかも製造工
程の増加はない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案のTFTマトリクスアレイのドレイン端子
の断面図、第2図は本考案のTFTマトリクスアレイのド
レイン端子の平面図、第3図はTFTパネルの模式図であ
る。 1…端子電極、2…ドレインバスライン、3…層間絶縁
膜、4…ガラス基板、5…コンタクトホール。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板上に複数のTFT(薄膜トランジス
    タ)をマトリクス配置し、該TFTの配線電極であるゲー
    トバスライン又はドレインバスラインと絶縁基板周辺位
    置に設けたゲートバスライン用端子又はドレインバスラ
    イン用端子とを絶縁膜のコンタクトホールを介して接続
    した端子構造を有するTFTマトリクスアレイに於いて、 上記コンタクトホールが、数字の形状に前記絶縁膜を取
    り除いたパターンであり、TFTマトリクス領域の外側に
    形成されていることを特徴としたTFTマトリクスアレ
    イ。
JP1988122906U 1988-09-20 1988-09-20 Tftマトリクスアレイ Expired - Lifetime JPH071676Y2 (ja)

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