JPH07165882A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH07165882A JPH07165882A JP27261994A JP27261994A JPH07165882A JP H07165882 A JPH07165882 A JP H07165882A JP 27261994 A JP27261994 A JP 27261994A JP 27261994 A JP27261994 A JP 27261994A JP H07165882 A JPH07165882 A JP H07165882A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、信頼性に優れた半導
体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having excellent reliability.
【０００２】[0002]
【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子は、通常セラミックパッケージもしくはプラスチッ
クパッケージ等により封止され、半導体装置化されてい
る。上記セラミックパッケージは、構成材料そのものが
耐熱性を有し、耐湿性にも優れているため、温度，湿度
に対して強く、しかも中空パッケージのため機械的強度
も高く信頼性の高い封止が可能である。しかしながら、
構成材料が比較的高価なものであることと、量産性に劣
る欠点があるため、最近ではプラスチックパッケージを
用いた樹脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止
には、従来からエポキシ樹脂組成物が使用されており、
良好な成績を収めている。2. Description of the Related Art Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually sealed in ceramic packages or plastic packages to form semiconductor devices. The ceramic package itself has high heat resistance and excellent moisture resistance, so it is resistant to temperature and humidity, and because it is a hollow package, it has high mechanical strength and highly reliable sealing. Is. However,
Recently, resin encapsulation using a plastic package has become mainstream because of its relatively high cost as its constituent material and its drawback of being inferior in mass productivity. Epoxy resin compositions have been conventionally used for this type of resin encapsulation,
Has good results.
【０００３】上記エポキシ樹脂組成物としては、特に、
エポキシ樹脂と、硬化剤としてのフェノール樹脂と、そ
の他、硬化促進剤としての２−メチルイミダゾール、弾
性補強用併用樹脂としての末端カルボン酸ブタジエン−
アクリロニトリル共重合体、無機質充填剤としての溶融
シリカ等の組成系で構成されるものが、封止作業性（特
にトランスファー成形時の作業性）等に優れたものとし
て賞用されている。As the above-mentioned epoxy resin composition,
Epoxy resin, phenolic resin as a curing agent, 2-methylimidazole as a curing accelerator, and terminal carboxylic acid butadiene as a resin for elastic reinforcement-
Acrylonitrile copolymers, and those composed of a composition system such as fused silica as an inorganic filler have been praised for their excellent sealing workability (especially workability during transfer molding).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
分野の技術革新はめざましく、最近では、集積度の向上
とともに、素子サイズの大形化，配線の微細化が進む反
面、パッケージ形状の小形化，薄形化が進むようになっ
ており、これに伴って、半導体素子の封止材料において
も、従来以上の低応力性，耐熱性，耐湿性が要求される
ようになっている。これまでの封止用エポキシ樹脂組成
物では、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子の封止材料として
は充分優れているが、超ＬＳＩ等の半導体素子の封止材
料としては、充分に満足できるものではない。However, the technological innovation in the semiconductor field is remarkable, and recently, with the improvement of the integration degree, the device size has been made larger and the wiring has been made finer, while the package shape has been made smaller and thinner. As the shape of the semiconductor device has been increasing, the encapsulating material for semiconductor elements is required to have lower stress, heat resistance, and moisture resistance than ever before. The conventional sealing epoxy resin compositions are sufficiently excellent as sealing materials for semiconductor elements such as IC and LSI, but are not sufficiently satisfactory as sealing materials for semiconductor elements such as VLSI. Absent.
【０００５】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、耐熱性，耐湿性および低応力性に優れた半導
体装置の提供をその目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor device excellent in heat resistance, humidity resistance and low stress resistance.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。 （Ａ）下記の一般式（１）で表される４，４′−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３′，５，５′
−テトラメチルビフェニルが１０重量％以上含有されて
いるエポキシ樹脂。In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention seals a semiconductor element using an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). Take the configuration. (A) 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5' represented by the following general formula (1)
An epoxy resin containing 10% by weight or more of tetramethylbiphenyl.
【化５】 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。 （Ｃ）下記の一般式（２）で表されるシリコーン化合
物。[Chemical 5] (B) Novolac type phenolic resin. (C) A silicone compound represented by the following general formula (2).
【化６】 [Chemical 6]
【０００７】[0007]
【作用】すなわち、本発明者らは、上記エポキシ樹脂組
成物硬化物からなる封止樹脂の耐熱性，耐湿性および低
応力性を向上させることを目的として一連の研究を重ね
た。その結果、従来から用いられている通常のエポキシ
樹脂に代えて前記一般式（１）で表される特殊な結晶性
エポキシ樹脂を単独で用いるか、または通常のエポキシ
樹脂に特定の割合で上記特殊なエポキシ樹脂を加えて主
剤成分として用い、さらに特殊なシリコーン化合物を含
有したものを用いると耐熱性，耐湿性および低応力性に
優れた封止樹脂が得られるようになることを見出しこの
発明に到達した。That is, the present inventors have conducted a series of studies for the purpose of improving the heat resistance, moisture resistance and low stress of the encapsulating resin composed of the cured epoxy resin composition. As a result, the special crystalline epoxy resin represented by the general formula (1) is used alone instead of the conventional epoxy resin which has been conventionally used, or the special epoxy resin is used in a specific ratio to the ordinary epoxy resin. It has been found that a sealing resin excellent in heat resistance, humidity resistance and low stress can be obtained by using a resin containing a special epoxy compound and a special silicone compound Arrived
【０００８】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
前記一般式（１）で表される特殊なエポキシ樹脂が特定
の割合で含有されているエポキシ樹脂（Ａ成分）と、ノ
ボラック型フェノール樹脂（Ｂ成分）と、特殊なシリコ
ーン化合物（Ｃ成分）とを用いて得られるものであっ
て、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状
になっている。The epoxy resin composition used in the present invention is
An epoxy resin (component A) containing the special epoxy resin represented by the general formula (1) in a specific ratio, a novolac type phenol resin (component B), and a special silicone compound (component C). And is usually in the form of a powder or a tablet obtained by compressing it.
【０００９】上記Ａ成分となるエポキシ樹脂としては、
下記の一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂であ
る４，４′−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−
３，３′，５，５′−テトラメチルビフェニルが通常の
エポキシ樹脂中１０重量％（以下「％」と略す）以上含
有されているものが用いられる。As the epoxy resin as the above-mentioned component A,
4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy)-which is a crystalline epoxy resin represented by the following general formula (1)
A normal epoxy resin containing 3,3 ′, 5,5′-tetramethylbiphenyl in an amount of 10% by weight (hereinafter abbreviated as “%”) or more is used.
【００１０】[0010]
【化７】 [Chemical 7]
【００１１】なお、ここでいう「結晶性エポキシ樹脂」
とは、Ｘ線回折により多数の結晶のピークが表れる固形
エポキシ樹脂であって、物理的にはシャープな融点を示
しかつ溶融時には分子間相互作用が殆どなくなるため極
端に粘度が低下する性質を有するものである。The "crystalline epoxy resin" referred to here
Is a solid epoxy resin that shows a large number of crystal peaks by X-ray diffraction, has a physically sharp melting point, and has the property of extremely decreasing viscosity because intermolecular interaction is almost eliminated during melting. It is a thing.
【００１２】上記通常のエポキシ樹脂は、１分子中に２
個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれば、
特に限定するものではない。すなわち、従来から半導体
装置の封止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹
脂、例えばノボラック型エポキシ樹脂，クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂等が好適に用いられ、その他のビ
スフェノールＡ型のジグリシジルエーテルやその多量体
であるエピビス型エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂，レゾルシン型エポキシ樹脂，脂環式エポキ
シ樹脂等も好適なエポキシ樹脂として使用可能である。
上記ノボラック型エポキシ樹脂としては、通常、エポキ
シ当量１６０〜２１０，軟化点５０〜１３０℃のものが
用いられ、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂として
は、エポキシ当量１８０〜２１０，軟化点６０〜１１０
℃のものが一般に用いられる。The above-mentioned usual epoxy resin has 2 in one molecule.
If it is an epoxy compound having more than one epoxy group,
It is not particularly limited. That is, various epoxy resins conventionally used as sealing resins for semiconductor devices, such as novolac type epoxy resins and cresol novolac type epoxy resins, are preferably used, and other bisphenol A type diglycidyl ethers and large amounts thereof are used. The body of epibis type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, resorcin type epoxy resin, alicyclic epoxy resin and the like can also be used as suitable epoxy resins.
As the novolac type epoxy resin, those having an epoxy equivalent of 160 to 210 and a softening point of 50 to 130 ° C. are usually used, and as the cresol novolac type epoxy resin, an epoxy equivalent of 180 to 210 and a softening point of 60 to 110 are used.
Those at ℃ are generally used.
【００１３】上記Ｂ成分のノボラック型フェノール樹脂
は、上記Ａ成分である特殊なエポキシ樹脂の硬化剤とし
て作用するものであり、なかでも軟化点が５０〜１３０
℃、好ましくは７０〜９０℃、水酸基当量が１００〜１
３０のものを用いることが好ましい。The novolak-type phenol resin as the component B acts as a curing agent for the special epoxy resin as the component A, and has a softening point of 50 to 130.
℃, preferably 70 ~ 90 ℃, hydroxyl group equivalent 100 ~ 1
It is preferable to use the one of 30.
【００１４】上記エポキシ樹脂組成物中のＡ成分である
特殊なエポキシ樹脂とＢ成分であるノボラック型フェノ
ール樹脂との配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ
基と上記フェノール樹脂中の水酸基の当量比が０．８〜
１．２となるように配合することが好適である。この当
量比が１に近いほど好結果が得られる。The compounding ratio of the special epoxy resin which is the A component and the novolac type phenolic resin which is the B component in the epoxy resin composition is the equivalent ratio of the epoxy groups in the epoxy resin and the hydroxyl groups in the phenol resin. Is 0.8 ~
It is preferable to mix them so as to be 1.2. The closer the equivalence ratio is to 1, the better the result.
【００１５】上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられ
るＣ成分の特定のシリコーン化合物は、下記の一般式
（２）で表される構造を有するものである。The specific silicone compound of the C component used together with the A component and the B component has a structure represented by the following general formula (2).
【００１６】[0016]
【化８】 [Chemical 8]
【００１７】上記Ｃ成分のシリコーン化合物を用いるこ
とにより得られる封止樹脂は、特に耐湿性，耐熱衝撃
性，内部応力の低減効果に優れ、その結果、封止樹脂の
熱衝撃および熱応力に起因する微細な割れ，剥離（これ
が水分の浸入路となる）の発生が防止される。そして、
大きな熱衝撃等を繰り返し受ける等の苛酷な使用条件下
における耐湿信頼性の改善に優れた効果を奏する。The encapsulating resin obtained by using the above-mentioned C component silicone compound is particularly excellent in moisture resistance, thermal shock resistance and effect of reducing internal stress, and as a result, due to thermal shock and thermal stress of the encapsulating resin. The occurrence of fine cracks and peeling (which serves as a water entry path) is prevented. And
It has an excellent effect in improving the moisture resistance reliability under severe usage conditions such as being repeatedly subjected to a large thermal shock.
【００１８】このようなＣ成分のシリコーン化合物の含
有量は、上記Ａ，Ｂ，Ｃ成分の合計量の５０％以下、好
ましくは５〜３０％に設定することが好適である。Ｃ成
分の含有量が５０％を超えると、封止樹脂の樹脂強度に
著しい低下傾向がみられるようになるからである。The content of the C component silicone compound is preferably 50% or less, preferably 5 to 30% of the total amount of the A, B and C components. This is because when the content of the C component exceeds 50%, the resin strength of the encapsulating resin tends to be significantly reduced.
【００１９】なお、この発明に用いる、エポキシ樹脂組
成物の上記Ｃ成分は、Ａ成分である特殊なエポキシ樹脂
もしくはＢ成分であるノボラック型フェノール樹脂と反
応した状態、あるいは独立した状態、さらにはこれらが
混合した状態のいずれの状態でも含有される。The C component of the epoxy resin composition used in the present invention is in a state of reacting with a special epoxy resin as the A component or a novolac type phenol resin as the B component, or in an independent state, and further Is contained in any state of mixed state.
【００２０】また、この発明では、上記Ａ成分，Ｂ成分
およびＣ成分以外に必要に応じて硬化促進剤，充填剤，
離型剤等を用いることができる。Further, in the present invention, in addition to the components A, B and C, if necessary, a curing accelerator, a filler,
A release agent or the like can be used.
【００２１】上記硬化促進剤としては、フェノール硬化
エポキシ樹脂の硬化反応の触媒となるものは全て用いる
ことができ、例えば、２，４，６−トリ（ジメチルアミ
ノメチル）フェノール、２−メチルイミダゾール等をあ
げることができる。As the above-mentioned curing accelerator, any one which serves as a catalyst for the curing reaction of the phenol-cured epoxy resin can be used, and examples thereof include 2,4,6-tri (dimethylaminomethyl) phenol and 2-methylimidazole. Can be raised.
【００２２】上記充填剤としては、石英ガラス粉，珪石
粉，タルク等を用いることができる。As the filler, quartz glass powder, silica stone powder, talc, etc. can be used.
【００２３】上記離型剤としては、従来公知のステアリ
ン酸，パルミチン酸等の長鎖カルボン酸、ステアリン亜
鉛，ステアリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属
塩、カルナバワックス，モンタンワックス等のワックス
類等を用いることができる。Examples of the releasing agent include long-known carboxylic acids such as stearic acid and palmitic acid, metal salts of long-chain carboxylic acids such as stearin zinc and calcium stearate, waxes such as carnauba wax and montan wax. Can be used.
【００２４】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
例えばつぎのようにして製造することができる。すなわ
ち、上記Ａ〜Ｃ成分原料ならびに必要に応じて上記その
他の添加剤を適宜配合する。そして、この混合物をミキ
シングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混合
し、これを室温に冷却したのち公知の手段により粉砕
し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製造
することができる。この場合、上記配合に先立って特殊
なエポキシ樹脂（Ａ成分）もしくはノボラック型フェノ
ール樹脂（Ｂ成分）とシリコーン化合物（Ｃ成分）とを
予備溶融混合して用いてもよい。The epoxy resin composition used in the present invention is
For example, it can be manufactured as follows. That is, the raw materials of the components A to C and, if necessary, the above-mentioned other additives are properly mixed. Then, this mixture is melt-mixed in a kneading machine such as a mixing roll machine in a heated state, cooled to room temperature, then pulverized by a known means, and tableted as necessary to produce a series of steps. it can. In this case, a special epoxy resin (component A) or novolac type phenol resin (component B) and a silicone compound (component C) may be pre-melt mixed and used prior to the above-mentioned formulation.
【００２５】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は特に限定するものではなく、通常の
方法、例えばトランスファー成形等の公知のモールド方
法により行うことができる。The encapsulation of the semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited and can be carried out by a usual method, for example, a known molding method such as transfer molding.
【００２６】このようにして得られる半導体装置は、低
応力性，耐熱性，耐湿性に優れており、熱衝撃試験にお
ける耐パッケージクラック性が著しく改善されている。The semiconductor device thus obtained is excellent in low stress resistance, heat resistance and moisture resistance, and the package crack resistance in the thermal shock test is remarkably improved.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特殊なエポキシ樹脂が特定の割合に含有されている
エポキシ樹脂（Ａ成分）と、シリコーン化合物（Ｃ成
分）を含む特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて封止され
ており、その封止プラスチックパッケージが、従来のエ
ポキシ樹脂組成物製のものとは異なるため、内部応力が
小さく耐熱信頼性が高く、特に、苛酷な使用条件下にお
ける耐湿信頼性が先願に比べて一層高くなっている。そ
して、上記特殊なエポキシ樹脂組成物による封止によ
り、超ＬＳＩ等の封止に充分対応でき、素子サイズが１
６ｍｍ2 以上、素子上のＡリットル配線の幅が２μｍ以
下の特殊な半導体装置において、上記のような高信頼度
が得られるようになるのであり、これが大きな特徴であ
る。As described above, the semiconductor device of the present invention has a special epoxy resin containing a special epoxy resin in a specific ratio (component A) and a special epoxy resin containing a silicone compound (component C). Since it is encapsulated with a composition, and the encapsulating plastic package is different from the one made of the conventional epoxy resin composition, the internal stress is small and the heat resistance is high, especially under severe usage conditions. The moisture resistance reliability is higher than that of the previous application. The encapsulation with the above-mentioned special epoxy resin composition is sufficient for encapsulation of VLSI and the like, and the device size is 1
The above-mentioned high reliability can be obtained in a special semiconductor device in which the width of the A liter wiring on the element is 6 mm 2 or more and the width of the A liter wiring on the element is 2 μm or less, which is a major feature.
【００２８】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
【００２９】[0029]
【実施例１〜９】下記の表１に示すシリコーン化合物Ａ
〜Ｃを準備した。Examples 1 to 9 Silicone compound A shown in Table 1 below
~ C was prepared.
【００３０】[0030]
【表１】 [Table 1]
【００３１】つぎに、上記シリコーン化合物Ａ〜Ｃを用
い、さらに下記の表２および表３に示すような原料を準
備し、上記原料を同表に示す割合で配合し、ミキシング
ロール機（温度１００℃）で１０分間混練して冷却後粉
砕し目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。Next, using the above silicone compounds A to C, raw materials as shown in Tables 2 and 3 below were prepared, and the raw materials were blended in the ratios shown in the same table, and mixed in a mixing roll machine (temperature 100). (° C) for 10 minutes, cooled and pulverized to obtain the desired powdery epoxy resin composition.
【００３２】[0032]
【表２】 [Table 2]
【００３３】[0033]
【表３】 [Table 3]
【００３４】[0034]
【比較例１〜３】下記の表４に示す原料を用い、これら
の原料をミキシングロール機（ロール温度１００℃）で
１０分間混練し、得られたシート状組成物を用い、実施
例１〜９と同様にして粉末状のエポキシ樹脂組成物を得
た。Comparative Examples 1 to 3 Using the raw materials shown in Table 4 below, these raw materials were kneaded with a mixing roll machine (roll temperature 100 ° C.) for 10 minutes, and the obtained sheet-like composition was used. In the same manner as in 9, a powdery epoxy resin composition was obtained.
【００３５】[0035]
【表４】 [Table 4]
【００３６】以上の実施例および比較例によって得られ
た粉末状のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をト
ランスファー成形でモールドすることにより半導体装置
を得た。このようにして得られた半導体装置について、
電圧印加状態におけるプレッシャー釜による１０００時
間の信頼性テスト（以下「ＰＣＢＴテスト」と略す）お
よび−５０℃／３０分〜１５０℃／３０分の３００回の
温度サイクルテスト（以下「ＴＣＴテスト」と略す）の
測定を行った。その結果を下記の表５に示した。Using the powdery epoxy resin compositions obtained in the above Examples and Comparative Examples, semiconductor elements were molded by transfer molding to obtain semiconductor devices. Regarding the semiconductor device thus obtained,
A 1000 hour reliability test (hereinafter abbreviated as "PCBT test") using a pressure cooker in a voltage applied state and a temperature cycle test of 300 times at -50 ° C / 30 minutes to 150 ° C / 30 minutes (hereinafter abbreviated as "TCT test") ) Was measured. The results are shown in Table 5 below.
【００３７】[0037]
【表５】 [Table 5]
【００３８】表５の結果から、比較例品はＰＣＢＴテス
トおよびＴＣＴテストの双方においていずれも不良品お
よびクラックが発生した。これに対して、全ての実施例
品はＰＣＢＴテストおよびＴＣＴテストの双方の信頼性
評価テストにおいて、不良品およびクラックが全く発生
せず、良好な結果が得られた。このことから、この発明
での封止材料を用いた実施例品は内部応力が小さくかつ
耐湿信頼性が著しく向上していることがわかる。From the results shown in Table 5, the comparative product was defective and cracked in both the PCBT test and the TCT test. On the other hand, in all the example products, in the reliability evaluation tests of both the PCBT test and the TCT test, defective products and cracks did not occur at all, and good results were obtained. From this, it is understood that the example products using the sealing material of the present invention have small internal stress and remarkably improved moisture resistance reliability.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 山中 一人 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 石坂 整 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical indication location H01L 23/31 (72) One inventor Yamanaka One, 1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Incorporated (72) Inventor Sei Ishizaka 1-2 1-2 Shimohozumi, Ibaraki City, Osaka Prefecture Nitto Denko Corporation
Claims (4)
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置。 （Ａ）下記の一般式（１）で表される４，４′−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３′，５，５′
−テトラメチルビフェニルが１０重量％以上含有されて
いるエポキシ樹脂。 【化１】 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。 （Ｃ）下記の一般式（２）で表されるシリコーン化合
物。 【化２】 1. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). (A) 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5' represented by the following general formula (1)
An epoxy resin containing 10% by weight or more of tetramethylbiphenyl. [Chemical 1] (B) Novolac type phenolic resin. (C) A silicone compound represented by the following general formula (2). [Chemical 2]
ラック型フェノール樹脂との相互の含有割合は、エポキ
シ樹脂中のエポキシ基１当量に対してノボラック型フェ
ノール樹脂中の水酸基の当量比が０．８〜１．２の範囲
内になるよう設定されている請求項１記載の半導体装
置。2. The mutual content ratio of the component A epoxy resin and the component B novolac-type phenol resin is such that the equivalent ratio of the hydroxyl groups in the novolac-type phenol resin is 0 to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is set to fall within a range of 0.8 to 1.2.
が、エポキシ樹脂組成物中のＡ成分であるエポキシ樹
脂，Ｂ成分であるノボラック型フェノール樹脂およびＣ
成分であるシリコーン化合物の合計量に対して、５０重
量％以下に設定されている請求項１または２記載の半導
体装置。3. The epoxy resin composition comprising the epoxy resin as the component A, the novolac type phenolic resin as the component B, and the C component as the content of the silicone compound as the component C.
The semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the content is set to 50% by weight or less based on the total amount of the component silicone compound.
封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）下記の一般式（１）で表される４，４′−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３′，５，５′
−テトラメチルビフェニルが１０重量％以上含有されて
いるエポキシ樹脂。 【化３】 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。 （Ｃ）下記の一般式（２）で表されるシリコーン化合
物。 【化４】 4. An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing the following components (A) to (C). (A) 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5' represented by the following general formula (1)
An epoxy resin containing 10% by weight or more of tetramethylbiphenyl. [Chemical 3] (B) Novolac type phenolic resin. (C) A silicone compound represented by the following general formula (2). [Chemical 4]
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP27261994A JP2698761B2 (en) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | Semiconductor device |
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| JP (1) | JP2698761B2 (en) |
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1994
- 1994-11-07 JP JP27261994A patent/JP2698761B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2698761B2 (en) | 1998-01-19 |
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