JPH07161789A - 電子部品のリード検査装置 - Google Patents
電子部品のリード検査装置Info
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- JPH07161789A JPH07161789A JP34082993A JP34082993A JPH07161789A JP H07161789 A JPH07161789 A JP H07161789A JP 34082993 A JP34082993 A JP 34082993A JP 34082993 A JP34082993 A JP 34082993A JP H07161789 A JPH07161789 A JP H07161789A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 IC等の電子部品のリードの変形を高速で且
つ正確に検査し、しかも検査基板上へのセット誤差にか
かわらず高精度検査を可能にする。 【構成】 検査基板14上にはプリント配線手段によっ
てパッケージ側電極15と、各ICリード12に対応す
る多数のリード側電極16が形成されている。このう
ち、リード側電極16はギャップ16cを介して隣合う
2本の電極16a,16bにより構成されると共に、検
査基板14の表面には絶縁皮膜が形成され、これが各電
極15,16a,16b群及びそのリード線部を覆った
状態となっている。リード側電極16のギャップ16c
の存在により、ICリード12の位置に対する静電容量
の変化特性はICを検査基板14上にセットするマウン
ト機構の位置決め誤差の範囲内ではICリード12の位
置に対して平坦特性を有するように設定されている。
つ正確に検査し、しかも検査基板上へのセット誤差にか
かわらず高精度検査を可能にする。 【構成】 検査基板14上にはプリント配線手段によっ
てパッケージ側電極15と、各ICリード12に対応す
る多数のリード側電極16が形成されている。このう
ち、リード側電極16はギャップ16cを介して隣合う
2本の電極16a,16bにより構成されると共に、検
査基板14の表面には絶縁皮膜が形成され、これが各電
極15,16a,16b群及びそのリード線部を覆った
状態となっている。リード側電極16のギャップ16c
の存在により、ICリード12の位置に対する静電容量
の変化特性はICを検査基板14上にセットするマウン
ト機構の位置決め誤差の範囲内ではICリード12の位
置に対して平坦特性を有するように設定されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、IC等の電子部品のパ
ッケージから導出されたリードの曲がり不良等を検出す
るに好適する電子部品のリード検査装置に関する。
ッケージから導出されたリードの曲がり不良等を検出す
るに好適する電子部品のリード検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品、例えばICをプリント基板に
搭載して半田付けを行う際、もしICリードが曲がって
いると、ICリードの先端がプリント基板のランドから
浮き上がったり、ランドからずれたりするため、半田付
け不良が発生し易い。そこで、ICの実装工程では、前
もって各ICについてICリードの曲がり状態を計測
し、不良品を除外しておく必要がある。この場合、IC
リードの許容される変形量は、例えば浮き変形について
は数十μm以内という値であるから、相当な高精度な計
測が要求される。
搭載して半田付けを行う際、もしICリードが曲がって
いると、ICリードの先端がプリント基板のランドから
浮き上がったり、ランドからずれたりするため、半田付
け不良が発生し易い。そこで、ICの実装工程では、前
もって各ICについてICリードの曲がり状態を計測
し、不良品を除外しておく必要がある。この場合、IC
リードの許容される変形量は、例えば浮き変形について
は数十μm以内という値であるから、相当な高精度な計
測が要求される。
【0003】かかる用途に使用されるICリードの検査
装置としては、例えば特開平4−15507号公報に記
載されているように光学的変位センサを利用したものが
ある。これは、変位センサからICリードの先端部に光
ビームを照射すると共に、その反射光を光電変換素子に
て受けることにより、反射光の角度に基づいてICリー
ドとの間の距離を測定する構成である。ICリードに曲
がり変形があれば、変位センサとICリードとの間の距
離が基準値とは異なることになるため、それを検出する
ことができるのである。
装置としては、例えば特開平4−15507号公報に記
載されているように光学的変位センサを利用したものが
ある。これは、変位センサからICリードの先端部に光
ビームを照射すると共に、その反射光を光電変換素子に
て受けることにより、反射光の角度に基づいてICリー
ドとの間の距離を測定する構成である。ICリードに曲
がり変形があれば、変位センサとICリードとの間の距
離が基準値とは異なることになるため、それを検出する
ことができるのである。
【0004】ところが、上記構成の検査装置では、変位
センサが極めて細い光ビームを用いるため、1個のIC
チップについて全てのICリードの曲がり変形を計測す
るには、光学的変位センサを機械的に移動させることに
より、光ビームを各ICリードの先端に順次照射する構
成としなくてはならない。このため、光学的変位センサ
をICリード群の並び方向に順次送るための機械的送り
機構が必要になり、この結果、各ICリードの変形検出
精度が送り機構の精度に制約されることになって十分な
精度が得られないことがあり、また全ICリードについ
て測定するためには比較的長い時間を要してしまうとい
う問題がある。
センサが極めて細い光ビームを用いるため、1個のIC
チップについて全てのICリードの曲がり変形を計測す
るには、光学的変位センサを機械的に移動させることに
より、光ビームを各ICリードの先端に順次照射する構
成としなくてはならない。このため、光学的変位センサ
をICリード群の並び方向に順次送るための機械的送り
機構が必要になり、この結果、各ICリードの変形検出
精度が送り機構の精度に制約されることになって十分な
精度が得られないことがあり、また全ICリードについ
て測定するためには比較的長い時間を要してしまうとい
う問題がある。
【0005】一方、機械的送り機構を不要にできる構成
として、次の構成も供されている。これは、ICリード
群の上方及び左側方の2カ所に線光源を設け、ここから
ICリード群に向けて互いに直交する方向に平行光線を
照射すると共に、その光をICリード群の下方及び右側
方に設けたCCD等のラインセンサにて受光する構成で
ある。この構成では、線光源からの光はラインセンサに
入射し、その際、各ICリードに対応する部分に陰が生
ずるから、各ICリードに曲がり変形がない場合の陰の
位置や大きさ等を記憶させておけば、検査しようとする
ICのICリードの陰の位置や大きさによって、各IC
リードの曲がり変形を検出できるのである。
として、次の構成も供されている。これは、ICリード
群の上方及び左側方の2カ所に線光源を設け、ここから
ICリード群に向けて互いに直交する方向に平行光線を
照射すると共に、その光をICリード群の下方及び右側
方に設けたCCD等のラインセンサにて受光する構成で
ある。この構成では、線光源からの光はラインセンサに
入射し、その際、各ICリードに対応する部分に陰が生
ずるから、各ICリードに曲がり変形がない場合の陰の
位置や大きさ等を記憶させておけば、検査しようとする
ICのICリードの陰の位置や大きさによって、各IC
リードの曲がり変形を検出できるのである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の検査
装置では、ICの上下左右に線光源やラインセンサを位
置させねばならないため、検査装置全体として大型化す
るという欠点がある。しかも、ICが大型となってIC
リード群が長くなると、これに合わせて線光源も長くし
なくてはならないから、検査用の光線の平行度を確保し
難くなり、結局、測定精度を低下させる原因となる。
装置では、ICの上下左右に線光源やラインセンサを位
置させねばならないため、検査装置全体として大型化す
るという欠点がある。しかも、ICが大型となってIC
リード群が長くなると、これに合わせて線光源も長くし
なくてはならないから、検査用の光線の平行度を確保し
難くなり、結局、測定精度を低下させる原因となる。
【0007】また、半田付け時にはICはプリント基板
上に載せられる形態になるから、各ICリードはICの
自重によって極めて僅かながらも撓むことになる。しか
るに、上記従来の検査装置では、構造上、ICは空中に
浮かせた状態で測定することになるから、半田付け時の
状態とは相違した状態で測定されることになり、正確な
測定が行われないことがある。
上に載せられる形態になるから、各ICリードはICの
自重によって極めて僅かながらも撓むことになる。しか
るに、上記従来の検査装置では、構造上、ICは空中に
浮かせた状態で測定することになるから、半田付け時の
状態とは相違した状態で測定されることになり、正確な
測定が行われないことがある。
【0008】そこで、本出願人は、ICリードの変形を
静電容量を測定して検出できるICリードの検査装置を
開発して既に出願した(例えば特願平4−213489
号)。これは、検査基板上に検査すべきICの各ICリ
ードに対応する多数の電極を形成しておくと共に、IC
リードと各電極との間の静電容量を測定する構成であ
り、ICリードに浮き上がり等の変形がある場合にはそ
のICリードが検査基板の電極から浮き上がるために静
電容量が小さくなり、これを基準値と比較し、測定され
た静電容量が基準値に比べて小さいときにはそのICリ
ードに曲がり変形があると判断するものである。これに
よれば、ICリードに曲がり変形があって電極から浮き
上がっているような場合には、その曲がり変形を電子的
に検出することができ、従って、ICリードの変形を高
速で且つ正確に検査することができ、しかも検査装置全
体として小形に構成できるという優れた利点が得られ
る。
静電容量を測定して検出できるICリードの検査装置を
開発して既に出願した(例えば特願平4−213489
号)。これは、検査基板上に検査すべきICの各ICリ
ードに対応する多数の電極を形成しておくと共に、IC
リードと各電極との間の静電容量を測定する構成であ
り、ICリードに浮き上がり等の変形がある場合にはそ
のICリードが検査基板の電極から浮き上がるために静
電容量が小さくなり、これを基準値と比較し、測定され
た静電容量が基準値に比べて小さいときにはそのICリ
ードに曲がり変形があると判断するものである。これに
よれば、ICリードに曲がり変形があって電極から浮き
上がっているような場合には、その曲がり変形を電子的
に検出することができ、従って、ICリードの変形を高
速で且つ正確に検査することができ、しかも検査装置全
体として小形に構成できるという優れた利点が得られ
る。
【0009】しかし、反面、ICを検査基板上にセット
するマウント機構にはある程度の位置決め誤差があるこ
とは避けられないから、仮に、そのマウント機構によっ
てICリードが電極から横にずれた状態でICが検査基
板上にセットされてしまうと、そのずれの分だけICリ
ードと電極との間の静電容量が小さくなる。この事情を
詳述するに、仮に、リード側電極1と電子部品のリード
2とが図1(A)に示すような関係にあったとすると、
リード2の電極1に対するずれ方向の位置xに関する静
電容量Cの変化特性は同図(B)に実線で示すようにリ
ード2が電極1の中心に対応するときに最大値を示し、
中心からの「ずれ量」が大きくなる程、静電容量が急速
に低下する傾向を呈する。このような変化特性の元で
は、マウント機構の位置決め誤差によって電子部品が電
極1の中心からずれてセットされると、その「ずれ量」
に応じて静電容量が低下するから、「ずれ量」によって
は測定された静電容量が基準値を下回ることになり、I
Cリードに浮き上がり変形がないにもかかわらず、その
ICリードに変形があると判断されてしまう可能性があ
る。
するマウント機構にはある程度の位置決め誤差があるこ
とは避けられないから、仮に、そのマウント機構によっ
てICリードが電極から横にずれた状態でICが検査基
板上にセットされてしまうと、そのずれの分だけICリ
ードと電極との間の静電容量が小さくなる。この事情を
詳述するに、仮に、リード側電極1と電子部品のリード
2とが図1(A)に示すような関係にあったとすると、
リード2の電極1に対するずれ方向の位置xに関する静
電容量Cの変化特性は同図(B)に実線で示すようにリ
ード2が電極1の中心に対応するときに最大値を示し、
中心からの「ずれ量」が大きくなる程、静電容量が急速
に低下する傾向を呈する。このような変化特性の元で
は、マウント機構の位置決め誤差によって電子部品が電
極1の中心からずれてセットされると、その「ずれ量」
に応じて静電容量が低下するから、「ずれ量」によって
は測定された静電容量が基準値を下回ることになり、I
Cリードに浮き上がり変形がないにもかかわらず、その
ICリードに変形があると判断されてしまう可能性があ
る。
【0010】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、従って、IC等の電子部品のリードの変形を高速
で且つ正確に検査しつつ検査装置全体として小形に構成
できることは勿論のこと、その電子部品を検査基板上に
セットするためのマウント機構の位置決め誤差にかかわ
らず検査を正確に行うことができる電子部品のリード検
査装置を提供することを目的とする。
あり、従って、IC等の電子部品のリードの変形を高速
で且つ正確に検査しつつ検査装置全体として小形に構成
できることは勿論のこと、その電子部品を検査基板上に
セットするためのマウント機構の位置決め誤差にかかわ
らず検査を正確に行うことができる電子部品のリード検
査装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明のリード検査装置は、検査すべき電子部品を
マウント機構により検査基板上の所定位置に載置してそ
の電子部品から導出されているリードの曲がり変形を検
査するものであって、検査基板上に設けられ電子部品の
パッケージから導出されたリードに対向するリード側電
極と、このリード側電極を覆うべく前記検査基板に形成
された絶縁皮膜と、リードが絶縁皮膜を介して各リード
側電極に対向された状態におけるリードと各リード側電
極との間の静電容量を測定する静電容量測定手段と、測
定された静電容量に基づいてリードの状態を判別する状
態判別手段とを備え、リードの位置に対する静電容量の
変化特性は少なくとも前記マウント機構の位置決め誤差
の範囲内ではリードの位置に対して平坦特性を有するよ
うに設定したところに特徴を有する(請求項1の発
明)。
め、本発明のリード検査装置は、検査すべき電子部品を
マウント機構により検査基板上の所定位置に載置してそ
の電子部品から導出されているリードの曲がり変形を検
査するものであって、検査基板上に設けられ電子部品の
パッケージから導出されたリードに対向するリード側電
極と、このリード側電極を覆うべく前記検査基板に形成
された絶縁皮膜と、リードが絶縁皮膜を介して各リード
側電極に対向された状態におけるリードと各リード側電
極との間の静電容量を測定する静電容量測定手段と、測
定された静電容量に基づいてリードの状態を判別する状
態判別手段とを備え、リードの位置に対する静電容量の
変化特性は少なくとも前記マウント機構の位置決め誤差
の範囲内ではリードの位置に対して平坦特性を有するよ
うに設定したところに特徴を有する(請求項1の発
明)。
【0012】また、検査基板には電子部品のパッケージ
に対応したパッケージ側電極を設け、リードとリード側
電極との間の静電容量をパッケージ側電極と各リード側
電極との静電容量に基づいて測定する構成とすることも
できる(請求項2の発明)。
に対応したパッケージ側電極を設け、リードとリード側
電極との間の静電容量をパッケージ側電極と各リード側
電極との静電容量に基づいて測定する構成とすることも
できる(請求項2の発明)。
【0013】更に、リードの位置に対する合成静電容量
の変化特性を少なくともマウント機構の位置決め誤差の
範囲内でリードの位置に対して平坦特性を有するように
設定するために、リード側電極の所定位置にギャップを
設ける構成としてもよく(請求項3の発明)、或いは、
リード側電極の近傍に電子部品のリードと同極性になる
補助電極を設ける構成としてもよい(請求項4の発
明)。
の変化特性を少なくともマウント機構の位置決め誤差の
範囲内でリードの位置に対して平坦特性を有するように
設定するために、リード側電極の所定位置にギャップを
設ける構成としてもよく(請求項3の発明)、或いは、
リード側電極の近傍に電子部品のリードと同極性になる
補助電極を設ける構成としてもよい(請求項4の発
明)。
【0014】
【作用】本発明の構成において、電子部品のリードの検
査を行うには、検査すべき電子部品をマウント機構によ
って検査基板上にセットし、そのリードが絶縁皮膜を介
して複数のリード側電極に対向した状態とする。この
時、仮にリードが曲がっていてリード側電極から浮き上
がるように変形している場合には、リードとリード側電
極との間の静電容量は、リードの曲がりがない場合に比
べて小さくなる。従って、静電容量測定手段によって測
定された静電容量が基準値よりも小さい場合には、状態
判別手段によってリードに曲がり変形があると判断され
る。
査を行うには、検査すべき電子部品をマウント機構によ
って検査基板上にセットし、そのリードが絶縁皮膜を介
して複数のリード側電極に対向した状態とする。この
時、仮にリードが曲がっていてリード側電極から浮き上
がるように変形している場合には、リードとリード側電
極との間の静電容量は、リードの曲がりがない場合に比
べて小さくなる。従って、静電容量測定手段によって測
定された静電容量が基準値よりも小さい場合には、状態
判別手段によってリードに曲がり変形があると判断され
る。
【0015】この場合、本発明では、リード側電極を絶
縁皮膜によって覆う構成としているから、その比誘電率
に応じてリードとリード側電極との間の静電容量を大き
くできて測定の正確性を高めることが可能になり、更
に、リードをリード側電極の上に電気的に非接触状態で
載せることができるから、リードの検査を電子部品の実
装状態に近い状態で行うことができる。
縁皮膜によって覆う構成としているから、その比誘電率
に応じてリードとリード側電極との間の静電容量を大き
くできて測定の正確性を高めることが可能になり、更
に、リードをリード側電極の上に電気的に非接触状態で
載せることができるから、リードの検査を電子部品の実
装状態に近い状態で行うことができる。
【0016】即ち、仮に絶縁皮膜がない状態で静電容量
を測定しようとすると、リードがリード側電極に接触し
てこれらをショートさせることを防ぐために、リードが
電極から浮き上がった状態となるようにしなくてはなら
ない。すると、まず電極との間の距離を極めて正確に設
定しなくてはならなくなるため、検査基板に接近する方
向の位置決め上の困難が生じ、その誤差がエアギャップ
寸法の測定誤差に影響することになる。しかも、リード
が宙に浮き上がった状態となるから、プリント基板の上
に載せられる半田付け時の状態とは相違した状態で測定
されることになる。これに対し、本発明の構成では、単
に絶縁皮膜の上にリードを載せればよいから、電極との
間の距離設定上の問題は少なく、またリードが絶縁皮膜
に接した状態となるため、電子部品の実装時の状態に極
めて近い状態で検査を行うことができる。
を測定しようとすると、リードがリード側電極に接触し
てこれらをショートさせることを防ぐために、リードが
電極から浮き上がった状態となるようにしなくてはなら
ない。すると、まず電極との間の距離を極めて正確に設
定しなくてはならなくなるため、検査基板に接近する方
向の位置決め上の困難が生じ、その誤差がエアギャップ
寸法の測定誤差に影響することになる。しかも、リード
が宙に浮き上がった状態となるから、プリント基板の上
に載せられる半田付け時の状態とは相違した状態で測定
されることになる。これに対し、本発明の構成では、単
に絶縁皮膜の上にリードを載せればよいから、電極との
間の距離設定上の問題は少なく、またリードが絶縁皮膜
に接した状態となるため、電子部品の実装時の状態に極
めて近い状態で検査を行うことができる。
【0017】また、マウント機構の位置決め誤差に起因
して電子部品が正規の位置にセットされなかったとして
も、本発明では、リードの位置に対する静電容量の変化
特性はマウント機構の位置決め誤差の範囲内ではリード
の位置に対して平坦特性を有するように設定されている
から、それによっては静電容量はほとんど変化せず、従
って、リードに曲がり変形があるものと誤って判断され
てしまうことはない。すなわち、例えば図2(A)に示
すようにリード側電極1をギャップ1cを挟んだ2つの
電極1a,1bに分割して設けると、ギャップ1Cの存
在によって静電容量の変化特性は同図(B)に実線で示
すように、ピークが低くなった平坦特性を示すようにな
る。すると、仮に、マウント機構の位置決め誤差によっ
てリード2がリード側電極1の中心からずれてセットさ
れたとしても、それに起因する静電容量の低下がほとん
ど生じないため、誤動作が防止されるのである。
して電子部品が正規の位置にセットされなかったとして
も、本発明では、リードの位置に対する静電容量の変化
特性はマウント機構の位置決め誤差の範囲内ではリード
の位置に対して平坦特性を有するように設定されている
から、それによっては静電容量はほとんど変化せず、従
って、リードに曲がり変形があるものと誤って判断され
てしまうことはない。すなわち、例えば図2(A)に示
すようにリード側電極1をギャップ1cを挟んだ2つの
電極1a,1bに分割して設けると、ギャップ1Cの存
在によって静電容量の変化特性は同図(B)に実線で示
すように、ピークが低くなった平坦特性を示すようにな
る。すると、仮に、マウント機構の位置決め誤差によっ
てリード2がリード側電極1の中心からずれてセットさ
れたとしても、それに起因する静電容量の低下がほとん
ど生じないため、誤動作が防止されるのである。
【0018】なお、リードとリード側電極との間の合成
静電容量を測定するには、リードとリード側電極に直接
に電圧を印加して流れ込む電流を測定するに限らず、請
求項2の発明のように、検査基板に設けたパッケージ側
電極とリード側電極との間の静電容量を測定する構成に
できる。この場合には、リードのうち電子部品のパッケ
ージ内部に位置する部分とパッケージ側電極との間の静
電容量と、リードのリード側電極との間の静電容量との
合成容量が測定されるが、前者はリードの曲がり変形に
影響を受けない固定値であるから、容易に後者を算出で
きる。更に、請求項4の発明のように、リード側電極の
近傍に補助電極を設けてこれをリード側電極とは逆極性
となるようにすると、単にギャップを設ける場合に比べ
て静電容量の変化特性をより広範囲に変化させることが
できるようになる。
静電容量を測定するには、リードとリード側電極に直接
に電圧を印加して流れ込む電流を測定するに限らず、請
求項2の発明のように、検査基板に設けたパッケージ側
電極とリード側電極との間の静電容量を測定する構成に
できる。この場合には、リードのうち電子部品のパッケ
ージ内部に位置する部分とパッケージ側電極との間の静
電容量と、リードのリード側電極との間の静電容量との
合成容量が測定されるが、前者はリードの曲がり変形に
影響を受けない固定値であるから、容易に後者を算出で
きる。更に、請求項4の発明のように、リード側電極の
近傍に補助電極を設けてこれをリード側電極とは逆極性
となるようにすると、単にギャップを設ける場合に比べ
て静電容量の変化特性をより広範囲に変化させることが
できるようになる。
【0019】
【発明の効果】このように本発明の検査装置によれば、
静電容量を測定してリードの変形を検査するから、検査
の高速化及び精度向上が可能であり、しかも検査装置全
体として小形に構成でき、且つ、電子部品の実装状態に
近い状態で検査して適切な検査結果を得ることができ、
更に、マウント機構の位置決め誤差があったとしても、
その影響を受けることなく正確な検査を行うことができ
るという優れた効果を奏する。また、パッケージ側電極
を設けた請求項2の発明によれば、加えてリードとリー
ド側電極との間の静電容量を簡単に測定できるようにな
るという効果も得られる。
静電容量を測定してリードの変形を検査するから、検査
の高速化及び精度向上が可能であり、しかも検査装置全
体として小形に構成でき、且つ、電子部品の実装状態に
近い状態で検査して適切な検査結果を得ることができ、
更に、マウント機構の位置決め誤差があったとしても、
その影響を受けることなく正確な検査を行うことができ
るという優れた効果を奏する。また、パッケージ側電極
を設けた請求項2の発明によれば、加えてリードとリー
ド側電極との間の静電容量を簡単に測定できるようにな
るという効果も得られる。
【0020】
【実施例】以下、本発明をICのリード検査装置に適用
した一実施例について図3ないし図10を参照して説明
する。
した一実施例について図3ないし図10を参照して説明
する。
【0021】まず、本実施例において検査されるICに
ついて簡単に述べる。これは、図3に示すように、IC
パッケージ11の側部から多数のICリード12(1本
のみ図示)を列をなして導出してなる構成で、各ICリ
ード12の先端部は図示しないプリント基板のランドに
半田付けされる平坦部12aとなっていると共に、IC
リード12基端側はICパッケージ11内に位置するパ
ッケージ内導体部12bに連なる周知の構成である。な
お、このICリード12の寸法は、本実施例では、幅寸
法WIC(図4参照)が300μm、厚さ100μm、平
坦部12aの長さLが800μmとなっている。このI
C13を図示しないプリント基板に実装して製品を組み
立てるには、例えば図示しない組立ロボットの吸着装置
によってICパッケージ11を吸着して搬送し、そのI
Cリード12の平坦部12aがプリント基板のランドに
接触するようにプリント基板上に載せ、その状態で半田
付けが行われる。そして、かかる組立ロボットの吸着装
置にICが供給される前には、マウント機構によって検
査すべきIC13を本実施例の検査基板14上の所定位
置にセットした状態で各ICリード12の曲がり変形等
の有無が検査されるのである。上記マウント機構は図示
はしないがアームの先端に真空吸着用の吸着パッドを備
え、その吸着パッドによってICパッケージ11を吸着
した状態で検査基板14上の所定位置に位置決めして搬
送する周知の構成で、本実施例に適用したものでは、そ
の位置決め誤差は±100μmであった。
ついて簡単に述べる。これは、図3に示すように、IC
パッケージ11の側部から多数のICリード12(1本
のみ図示)を列をなして導出してなる構成で、各ICリ
ード12の先端部は図示しないプリント基板のランドに
半田付けされる平坦部12aとなっていると共に、IC
リード12基端側はICパッケージ11内に位置するパ
ッケージ内導体部12bに連なる周知の構成である。な
お、このICリード12の寸法は、本実施例では、幅寸
法WIC(図4参照)が300μm、厚さ100μm、平
坦部12aの長さLが800μmとなっている。このI
C13を図示しないプリント基板に実装して製品を組み
立てるには、例えば図示しない組立ロボットの吸着装置
によってICパッケージ11を吸着して搬送し、そのI
Cリード12の平坦部12aがプリント基板のランドに
接触するようにプリント基板上に載せ、その状態で半田
付けが行われる。そして、かかる組立ロボットの吸着装
置にICが供給される前には、マウント機構によって検
査すべきIC13を本実施例の検査基板14上の所定位
置にセットした状態で各ICリード12の曲がり変形等
の有無が検査されるのである。上記マウント機構は図示
はしないがアームの先端に真空吸着用の吸着パッドを備
え、その吸着パッドによってICパッケージ11を吸着
した状態で検査基板14上の所定位置に位置決めして搬
送する周知の構成で、本実施例に適用したものでは、そ
の位置決め誤差は±100μmであった。
【0022】さて、図3には併せて本実施例のリード検
査装置の電極部分が示されている。すなわち、検査基板
14上にはプリント配線手段によってパッケージ側電極
15及び各ICリード12に対応する多数のリード側電
極16が形成されている。このうち、パッケージ側電極
15はICパッケージ11の底面部外周に対応する枠状
に形成されており、リード側電極16はギャップ16c
を介して隣合う2本の電極16a,16bにより構成さ
れ、それぞれICリード12の延長方向に延びる矩形状
をなすように形成されている。なお、図面の簡略化のた
めに図示はしていないが、ICリード12と同数組の電
極16a,16b対が検査基板14上にICリード12
群と同様に列をなして並んだ形態となっている。更に、
図7に示すように検査基板14の表面には絶縁皮膜17
が形成され、これが各電極15,16a,16b群及び
そのリード線部を覆った状態となっている。ここで、各
ICリード12に対応するリード側電極16a,16b
につき、図4を参照して、より具体的に述べると、各リ
ード側電極16a,16bの幅寸法Wは80μm、長さ
寸法LはICリード12の平坦部12aと同じ800μ
mで、各リード側電極16a,16b間のギャップ距離
Gは220μmである。従って、ICリード12が両電
極16a,16bの中心にセットされた場合には、両電
極16a,16bの外側縁部はICリード12の左右両
側縁部の外側に位置するようになる。
査装置の電極部分が示されている。すなわち、検査基板
14上にはプリント配線手段によってパッケージ側電極
15及び各ICリード12に対応する多数のリード側電
極16が形成されている。このうち、パッケージ側電極
15はICパッケージ11の底面部外周に対応する枠状
に形成されており、リード側電極16はギャップ16c
を介して隣合う2本の電極16a,16bにより構成さ
れ、それぞれICリード12の延長方向に延びる矩形状
をなすように形成されている。なお、図面の簡略化のた
めに図示はしていないが、ICリード12と同数組の電
極16a,16b対が検査基板14上にICリード12
群と同様に列をなして並んだ形態となっている。更に、
図7に示すように検査基板14の表面には絶縁皮膜17
が形成され、これが各電極15,16a,16b群及び
そのリード線部を覆った状態となっている。ここで、各
ICリード12に対応するリード側電極16a,16b
につき、図4を参照して、より具体的に述べると、各リ
ード側電極16a,16bの幅寸法Wは80μm、長さ
寸法LはICリード12の平坦部12aと同じ800μ
mで、各リード側電極16a,16b間のギャップ距離
Gは220μmである。従って、ICリード12が両電
極16a,16bの中心にセットされた場合には、両電
極16a,16bの外側縁部はICリード12の左右両
側縁部の外側に位置するようになる。
【0023】上述の各電極群に対して静電容量測定手段
に相当する容量測定回路20及び状態判別手段に相当す
る状態判別回路30が図5に示すように構成されてい
る。なお、同図において、リード側電極16a又は16
bとパッケージ側電極15との間の静電容量Cは、各リ
ード側電極16a又は16b毎に1つのコンデンサ記号
にて表記してある。本実施例の容量測定回路20の基本
原理は、発振回路21からリード側電極16a又は16
bとパッケージ側電極15との間に所定周波数の交流電
圧を印加し、その電極間に流れる電流の大きさに基づい
て上記電極間の静電容量を測定するものである。発振回
路21の出力ラインの一方はグランドラインに接続さ
れ、他方は選択回路22に接続されている。選択回路2
2はリード側電極16a,16bの電極対数(ICリー
ド12の本数)に対応する数の1回路2接点形のスイッ
チ素子22aを備えたもので、図5に示すように各スイ
ッチの共通接点側が各リード側電極16a,16bに接
続されている。この選択回路22は、多数のリード側電
極16a又は16bのうちのいずれかを上記発振回路2
1に選択的に接続し、それ以外のリード側電極16a,
16bをグランドラインへ接地する機能を有する。
に相当する容量測定回路20及び状態判別手段に相当す
る状態判別回路30が図5に示すように構成されてい
る。なお、同図において、リード側電極16a又は16
bとパッケージ側電極15との間の静電容量Cは、各リ
ード側電極16a又は16b毎に1つのコンデンサ記号
にて表記してある。本実施例の容量測定回路20の基本
原理は、発振回路21からリード側電極16a又は16
bとパッケージ側電極15との間に所定周波数の交流電
圧を印加し、その電極間に流れる電流の大きさに基づい
て上記電極間の静電容量を測定するものである。発振回
路21の出力ラインの一方はグランドラインに接続さ
れ、他方は選択回路22に接続されている。選択回路2
2はリード側電極16a,16bの電極対数(ICリー
ド12の本数)に対応する数の1回路2接点形のスイッ
チ素子22aを備えたもので、図5に示すように各スイ
ッチの共通接点側が各リード側電極16a,16bに接
続されている。この選択回路22は、多数のリード側電
極16a又は16bのうちのいずれかを上記発振回路2
1に選択的に接続し、それ以外のリード側電極16a,
16bをグランドラインへ接地する機能を有する。
【0024】一方、パッケージ側電極15は容量測定回
路20に接続され、リード側電極16a又は16bとパ
ッケージ側電極15との間の静電容量Cを測定するよう
になっている。検査基板14上にIC13を載置した状
態における各ICリード12毎の上記静電容量Cに関係
する等価回路は図6に示すようになる。同図において、
C1 ,C2 はリード側電極16a又は16bとICリー
ド12の平坦部12aとの間の容量、C3 はICパッケ
ージ11内に位置するパッケージ内導体部12bとパッ
ケージ側電極15との間の容量、C4 ,C5 はパッケー
ジ側電極15とリード側電極16a,16bとの間の容
量を示す。ここで、C4 ,C5 は検査基板14上の各電
極の配置パターンによって決まる固定値であり、またC
3 もICパッケージ11内に位置するパッケージ内導体
部12bの形状等によって決まる固定値である。各IC
リード12の状態(曲がりや傾き等)によってはC1 ,
C2 のみが変化し、それに応じてリード側電極16a又
は16bとパッケージ側電極15との間の静電容量Cが
変化する。
路20に接続され、リード側電極16a又は16bとパ
ッケージ側電極15との間の静電容量Cを測定するよう
になっている。検査基板14上にIC13を載置した状
態における各ICリード12毎の上記静電容量Cに関係
する等価回路は図6に示すようになる。同図において、
C1 ,C2 はリード側電極16a又は16bとICリー
ド12の平坦部12aとの間の容量、C3 はICパッケ
ージ11内に位置するパッケージ内導体部12bとパッ
ケージ側電極15との間の容量、C4 ,C5 はパッケー
ジ側電極15とリード側電極16a,16bとの間の容
量を示す。ここで、C4 ,C5 は検査基板14上の各電
極の配置パターンによって決まる固定値であり、またC
3 もICパッケージ11内に位置するパッケージ内導体
部12bの形状等によって決まる固定値である。各IC
リード12の状態(曲がりや傾き等)によってはC1 ,
C2 のみが変化し、それに応じてリード側電極16a又
は16bとパッケージ側電極15との間の静電容量Cが
変化する。
【0025】上記静電容量Cを測定するため、容量測定
回路20は本実施例では図5に示すように、反転増幅形
に構成したオペアンプ23、バンドパスフィルタ24、
絶対値回路25及びローパスフィルタ26を備えて構成
されている。ここで、選択回路22にて選択されたいず
れかのリード側電極16a又は16bに発振回路21か
らの交流電圧が印加されると、リード側電極16a又は
16bとパッケージ側電極15との間を全体の静電容量
Cに応じた電流が流れ、これが電流−電圧変換抵抗27
にて電圧変換され、これが増幅されてオペアンプ23の
出力電圧となる。なお、電流−電圧変換抵抗27に並列
に接続したコンデンサ28は、オペアンプ23の入力と
グランドライン間の浮遊容量による位相回転を補償する
ためのものである。オペアンプ23の出力電圧はバンド
パスフィルタ24を通って絶対値回路25にて両波整流
され、ローパスフィルタ26にて平滑化されるから、容
量測定回路20からは上記静電容量Cに応じたレベルの
直流電圧が出力される。なお、ローパスフィルタ26の
遮断周波数は回路の応答周波数に影響を与えるから、高
速測定を行う場合には、ある程度大きな値とすることが
望ましい。また、バンドパスフィルタ24は例えばセラ
ミックフィルタのような固体フィルタ等が好適し、前段
のオペアンプ23の内部ノイズや電極群から拾われる外
部ノイズを除去するためのものである。
回路20は本実施例では図5に示すように、反転増幅形
に構成したオペアンプ23、バンドパスフィルタ24、
絶対値回路25及びローパスフィルタ26を備えて構成
されている。ここで、選択回路22にて選択されたいず
れかのリード側電極16a又は16bに発振回路21か
らの交流電圧が印加されると、リード側電極16a又は
16bとパッケージ側電極15との間を全体の静電容量
Cに応じた電流が流れ、これが電流−電圧変換抵抗27
にて電圧変換され、これが増幅されてオペアンプ23の
出力電圧となる。なお、電流−電圧変換抵抗27に並列
に接続したコンデンサ28は、オペアンプ23の入力と
グランドライン間の浮遊容量による位相回転を補償する
ためのものである。オペアンプ23の出力電圧はバンド
パスフィルタ24を通って絶対値回路25にて両波整流
され、ローパスフィルタ26にて平滑化されるから、容
量測定回路20からは上記静電容量Cに応じたレベルの
直流電圧が出力される。なお、ローパスフィルタ26の
遮断周波数は回路の応答周波数に影響を与えるから、高
速測定を行う場合には、ある程度大きな値とすることが
望ましい。また、バンドパスフィルタ24は例えばセラ
ミックフィルタのような固体フィルタ等が好適し、前段
のオペアンプ23の内部ノイズや電極群から拾われる外
部ノイズを除去するためのものである。
【0026】一方、状態判別回路30はやはり図5に示
すような構成で、容量測定回路20からの直流出力電圧
をA/D変換回路31にてデジタル信号に変換し、演算
処理回路32に与える。この演算処理回路32では、検
査しようとしているIC13の各ICリード12につい
ての各リード側電極16a,16bとの間の合成静電容
量(C1 +C2 )に応じたデジタル値と、基準値記憶回
路33に記憶されている基準値CR0とを比較し、その結
果、後述するように合成静電容量(C1+C2)が基準値
CR0よりも小さいと判断された場合には、出力表示回路
34にてICリード12に変形が発見された旨の表示及
びそのICリード12の番号の表示を行わせると共に、
不良信号を出力させるようになっている。なお、少なく
とも1本のICリード12について不良信号が出力され
た場合には、該当するICは組立ロボットのハンドに吸
着されることがないように図示しない排除機構によって
除外されるようになっている。また、基準値記憶回路3
3に記憶される基準値CR0は、良品限界のIC13を検
査基板14の所定箇所にセットした場合の合成静電容量
(C1 +C2 )の値を記憶して利用するようになってい
る。
すような構成で、容量測定回路20からの直流出力電圧
をA/D変換回路31にてデジタル信号に変換し、演算
処理回路32に与える。この演算処理回路32では、検
査しようとしているIC13の各ICリード12につい
ての各リード側電極16a,16bとの間の合成静電容
量(C1 +C2 )に応じたデジタル値と、基準値記憶回
路33に記憶されている基準値CR0とを比較し、その結
果、後述するように合成静電容量(C1+C2)が基準値
CR0よりも小さいと判断された場合には、出力表示回路
34にてICリード12に変形が発見された旨の表示及
びそのICリード12の番号の表示を行わせると共に、
不良信号を出力させるようになっている。なお、少なく
とも1本のICリード12について不良信号が出力され
た場合には、該当するICは組立ロボットのハンドに吸
着されることがないように図示しない排除機構によって
除外されるようになっている。また、基準値記憶回路3
3に記憶される基準値CR0は、良品限界のIC13を検
査基板14の所定箇所にセットした場合の合成静電容量
(C1 +C2 )の値を記憶して利用するようになってい
る。
【0027】次に、本実施例の作用について述べる。上
記構成では、検査すべきICは図示しないマウント機構
の吸着装置にてICパッケージ11部分が吸着され、そ
のICリード12群が対をなす1組のリード側電極16
a,16bに対向し、且つICパッケージ11がパッケ
ージ側電極15に対向するように前記検査基板14の上
に位置決めされる。この場合、各ICリード12の平坦
部12aはリード側電極16a,16bの真上に絶縁皮
膜17を介し、且つ、これに接して対向するようにな
り、ICリード12の1本毎に図6の等価回路に示した
ように各容量C1 〜C5 が形成される。
記構成では、検査すべきICは図示しないマウント機構
の吸着装置にてICパッケージ11部分が吸着され、そ
のICリード12群が対をなす1組のリード側電極16
a,16bに対向し、且つICパッケージ11がパッケ
ージ側電極15に対向するように前記検査基板14の上
に位置決めされる。この場合、各ICリード12の平坦
部12aはリード側電極16a,16bの真上に絶縁皮
膜17を介し、且つ、これに接して対向するようにな
り、ICリード12の1本毎に図6の等価回路に示した
ように各容量C1 〜C5 が形成される。
【0028】このようにしてICが所定位置にセットさ
れると、検査装置の制御回路40からの信号に応じて選
択回路22の各スイッチ素子22aが切り替わり、所定
の順序でリード側電極16a,16bのいずれかを選択
的に有効化する。この結果、有効化されたリード側電極
16a又は16bに発振回路21からの交流電圧が印加
されることになり、そのリード側電極16a又は16b
とパッケージ側電極15との間にはその静電容量Cに応
じた電流が流れることになる。
れると、検査装置の制御回路40からの信号に応じて選
択回路22の各スイッチ素子22aが切り替わり、所定
の順序でリード側電極16a,16bのいずれかを選択
的に有効化する。この結果、有効化されたリード側電極
16a又は16bに発振回路21からの交流電圧が印加
されることになり、そのリード側電極16a又は16b
とパッケージ側電極15との間にはその静電容量Cに応
じた電流が流れることになる。
【0029】ここで、各ICリード12についての上記
静電容量Cの値は、そのICリード12の状態とICリ
ード12のセット位置に応じて相違する。即ち、ICリ
ード12に曲がり変形がなく、且つ、各ICリード12
が各リード側電極16a,16bの中心にセットされた
とすれば、図7に示すように各ICリード12の平坦部
12aは、絶縁皮膜17に接触しながら、両リード側電
極16a,16bの中央に対向するから、各リード側電
極16a,16bとICリード12の平坦部12aとの
間の静電容量C1 ,C2 は最大値となる。
静電容量Cの値は、そのICリード12の状態とICリ
ード12のセット位置に応じて相違する。即ち、ICリ
ード12に曲がり変形がなく、且つ、各ICリード12
が各リード側電極16a,16bの中心にセットされた
とすれば、図7に示すように各ICリード12の平坦部
12aは、絶縁皮膜17に接触しながら、両リード側電
極16a,16bの中央に対向するから、各リード側電
極16a,16bとICリード12の平坦部12aとの
間の静電容量C1 ,C2 は最大値となる。
【0030】しかし、仮に、ICリード12群のうちの
1本が上方に曲がり変形している場合には、図8に示す
ように、ICリード12の平坦部12aと絶縁皮膜17
との間にエアギャップが発生するから、静電容量C1 ,
C2 が共に小さくなる。従って、両容量C1 ,C2 の合
成値(C1 +C2 )が基準値CR0よりも小さい場合に
は、ICリード12が検査基板14から浮き上がってい
ると判断できる。本実施例では、リード側電極16a又
は16bとパッケージ側電極15との間の静電容量Cに
応じた値の電流が流れ、その電流値に応じた電圧が容量
測定回路20から出力され、これに基づき演算処理回路
32にて各静電容量C1 ,C2 が算出され、更に、それ
らの合成静電容量(C1 +C2 )が算出されて基準値C
R0と比較される。なお、容量C3 〜C5 は固定値である
から、容量C1 ,C2 の変化は静電容量Cの測定によっ
て容易に導き出すことができ、更に、両容量C1 ,C2
の合成値(C1 +C2 )は単純加算により簡単に求める
ことができる。そして、この実施例では、ICリード1
2群のうちの一部についての両容量C1 ,C2 の合成値
(C1 +C2 )が基準値CR0よりも小さい場合には、そ
のICリード12に上方への曲がり変形があるとして演
算処理回路32からの信号に基づいてそのICリード1
2の番号を記憶する共に、そのIC13を図示しない排
出機構によって除外するようになっている。
1本が上方に曲がり変形している場合には、図8に示す
ように、ICリード12の平坦部12aと絶縁皮膜17
との間にエアギャップが発生するから、静電容量C1 ,
C2 が共に小さくなる。従って、両容量C1 ,C2 の合
成値(C1 +C2 )が基準値CR0よりも小さい場合に
は、ICリード12が検査基板14から浮き上がってい
ると判断できる。本実施例では、リード側電極16a又
は16bとパッケージ側電極15との間の静電容量Cに
応じた値の電流が流れ、その電流値に応じた電圧が容量
測定回路20から出力され、これに基づき演算処理回路
32にて各静電容量C1 ,C2 が算出され、更に、それ
らの合成静電容量(C1 +C2 )が算出されて基準値C
R0と比較される。なお、容量C3 〜C5 は固定値である
から、容量C1 ,C2 の変化は静電容量Cの測定によっ
て容易に導き出すことができ、更に、両容量C1 ,C2
の合成値(C1 +C2 )は単純加算により簡単に求める
ことができる。そして、この実施例では、ICリード1
2群のうちの一部についての両容量C1 ,C2 の合成値
(C1 +C2 )が基準値CR0よりも小さい場合には、そ
のICリード12に上方への曲がり変形があるとして演
算処理回路32からの信号に基づいてそのICリード1
2の番号を記憶する共に、そのIC13を図示しない排
出機構によって除外するようになっている。
【0031】ところで、本実施例では、図4に示すよう
にリード側電極16a,16bの形状を定めている。こ
の電極形状のもとでICリード12の浮き上がり量50
μmの場合における合成静電容量(C1+C2)の値とI
Cリード12の中心位置からの「ずれ量」との関係を実
測したところ、図10に実線で示す通りであった。すな
わち、マウント機構の位置決め誤差の範囲(±100μ
m)を僅かに越える範囲内では、合成静電容量はICリ
ード12の「ずれ量」に対してほぼ平坦特性を示した。
従って、マウント機構の位置決め誤差に起因してIC1
3が各リード側電極16a,16bの中央からずれてセ
ットされたとしても、本実施例では、合成静電容量(C
1+C2)はほとんど変化しないのである。このため、マ
ウント機構がIC13をその位置決め誤差内で両電極1
6a,16bの中心からずれた位置にセットしたとして
も、ICリード12に曲がり変形があるものと誤って判
断されてしまうことはなく、誤動作が確実に防止され
る。なお、一部のICリード12が大きく横方向にずれ
変形している場合には、リード側電極16a,16bと
の対向面積が減少することにより合成静電容量(C1+
C2 )が小さくなるから、やはり曲がり不良として検出
される。また、本実施例の検査装置による曲がり検査を
行った後に、画像処理装置等を利用した他の検査を行う
こともできる。
にリード側電極16a,16bの形状を定めている。こ
の電極形状のもとでICリード12の浮き上がり量50
μmの場合における合成静電容量(C1+C2)の値とI
Cリード12の中心位置からの「ずれ量」との関係を実
測したところ、図10に実線で示す通りであった。すな
わち、マウント機構の位置決め誤差の範囲(±100μ
m)を僅かに越える範囲内では、合成静電容量はICリ
ード12の「ずれ量」に対してほぼ平坦特性を示した。
従って、マウント機構の位置決め誤差に起因してIC1
3が各リード側電極16a,16bの中央からずれてセ
ットされたとしても、本実施例では、合成静電容量(C
1+C2)はほとんど変化しないのである。このため、マ
ウント機構がIC13をその位置決め誤差内で両電極1
6a,16bの中心からずれた位置にセットしたとして
も、ICリード12に曲がり変形があるものと誤って判
断されてしまうことはなく、誤動作が確実に防止され
る。なお、一部のICリード12が大きく横方向にずれ
変形している場合には、リード側電極16a,16bと
の対向面積が減少することにより合成静電容量(C1+
C2 )が小さくなるから、やはり曲がり不良として検出
される。また、本実施例の検査装置による曲がり検査を
行った後に、画像処理装置等を利用した他の検査を行う
こともできる。
【0032】以上述べたように、本実施例によれば次の
通りの効果を奏する。ICの検査のための機械的構造部
分は多数の電極を形成した検査基板14だけであり、線
光源とラインセンサとを対向状態で組合わせる必要があ
る従来の光学的検査装置に比べて検査部を格段に小型化
することができる。勿論、送り機構にて光学的変位セン
サを機械的に移動させる構成に比べても、機械部分が単
純であって小型化が可能である。このように検査部を小
型化できることは、部品実装ロボットに簡単に組み込む
ことが可能になることを意味し、特筆すべき利点であ
る。また、本実施例ではICリード12群を1本ずつ検
査するようにしているが、このためには選択回路22の
各スイッチ素子22aを順次切り換えて各リード側電極
16a,16bを順次有効化すればよいから、その切換
を極めて高速で行うことができ、ICリード群を1本ず
つ機械的に走査する従来の構成に比べると、検査に要す
る時間を大幅に短縮化することができる。
通りの効果を奏する。ICの検査のための機械的構造部
分は多数の電極を形成した検査基板14だけであり、線
光源とラインセンサとを対向状態で組合わせる必要があ
る従来の光学的検査装置に比べて検査部を格段に小型化
することができる。勿論、送り機構にて光学的変位セン
サを機械的に移動させる構成に比べても、機械部分が単
純であって小型化が可能である。このように検査部を小
型化できることは、部品実装ロボットに簡単に組み込む
ことが可能になることを意味し、特筆すべき利点であ
る。また、本実施例ではICリード12群を1本ずつ検
査するようにしているが、このためには選択回路22の
各スイッチ素子22aを順次切り換えて各リード側電極
16a,16bを順次有効化すればよいから、その切換
を極めて高速で行うことができ、ICリード群を1本ず
つ機械的に走査する従来の構成に比べると、検査に要す
る時間を大幅に短縮化することができる。
【0033】更に、一般にこの種の検査の目的は、プリ
ント基板への半田付け不良を発生させるようなICリー
ドの曲がり変形を検査しようとするところにある。従っ
て、ICは半田付けされる状態において検査されること
が理想である。例えば曲がり変形の方向によっては、宙
に浮いた状態では比較的大きな曲がり変形量であっても
プリント基板上に搭載されるとICの自重によってIC
リードの曲がり変形が修復されてプリント基板のランド
に密着すること等もあるからである。しかるに、従来の
光学的検査装置では、ICは半田付け時の状態とは相違
して空中に浮いた状態で測定されていた。これに対して
本実施例の検査装置によれば、ICは検査基板14上に
載せられた状態で検査が行われる。このため、ICリー
ド12群は半田付け時の状態と全く同様な状態となって
測定されるから、正確に曲がり変形の程度を測定でき、
検査の目的に最も適合することになる。
ント基板への半田付け不良を発生させるようなICリー
ドの曲がり変形を検査しようとするところにある。従っ
て、ICは半田付けされる状態において検査されること
が理想である。例えば曲がり変形の方向によっては、宙
に浮いた状態では比較的大きな曲がり変形量であっても
プリント基板上に搭載されるとICの自重によってIC
リードの曲がり変形が修復されてプリント基板のランド
に密着すること等もあるからである。しかるに、従来の
光学的検査装置では、ICは半田付け時の状態とは相違
して空中に浮いた状態で測定されていた。これに対して
本実施例の検査装置によれば、ICは検査基板14上に
載せられた状態で検査が行われる。このため、ICリー
ド12群は半田付け時の状態と全く同様な状態となって
測定されるから、正確に曲がり変形の程度を測定でき、
検査の目的に最も適合することになる。
【0034】また、本発明では、ICリード12の位置
に対する合成静電容量(C1+C2)の変化特性はマウン
ト機構の位置決め誤差の範囲内ではICリード12の位
置に対して平坦特性を有するように設定されているか
ら、マウント機構の位置決め誤差があっても測定される
合成静電容量はほとんど変化せず、従って、マウント機
構の位置決め誤差によってIC13が検査基板14上に
僅かにずれてセットされた場合に、ICリード12に曲
がり変形があるものと誤って判断されてしまうことを確
実に防止することができる。しかも、このような位置決
め誤差に起因する静電容量の変動を、合成静電容量が平
坦特性を有するように設定するという巧みな構成により
キャンセルするものであるから構造が極めて簡単で、ま
た、ソフト的に対処するものに比べて高速処理が可能に
なり、検査の迅速化に大きく寄与する。
に対する合成静電容量(C1+C2)の変化特性はマウン
ト機構の位置決め誤差の範囲内ではICリード12の位
置に対して平坦特性を有するように設定されているか
ら、マウント機構の位置決め誤差があっても測定される
合成静電容量はほとんど変化せず、従って、マウント機
構の位置決め誤差によってIC13が検査基板14上に
僅かにずれてセットされた場合に、ICリード12に曲
がり変形があるものと誤って判断されてしまうことを確
実に防止することができる。しかも、このような位置決
め誤差に起因する静電容量の変動を、合成静電容量が平
坦特性を有するように設定するという巧みな構成により
キャンセルするものであるから構造が極めて簡単で、ま
た、ソフト的に対処するものに比べて高速処理が可能に
なり、検査の迅速化に大きく寄与する。
【0035】また、特に本実施例では、検査基板14に
パッケージ側電極15を設け、そのパッケージ側電極1
5とリード側電極16a又は16bとの間の静電容量C
に基づいて各静電容量C1,C2を測定する構成としたか
ら、ICリード12に対して非接触で各静電容量C1,
C2を測定することができ、容量測定のための構成が簡
単になる。
パッケージ側電極15を設け、そのパッケージ側電極1
5とリード側電極16a又は16bとの間の静電容量C
に基づいて各静電容量C1,C2を測定する構成としたか
ら、ICリード12に対して非接触で各静電容量C1,
C2を測定することができ、容量測定のための構成が簡
単になる。
【0036】更に、特に本実施例では、選択回路22に
おいて有効化されていないリード側電極16a又は16
bは接地する構成としたから、入出力間容量を介した漏
洩電流を最小にすることができ、その分、測定誤差を小
さくすることができる。
おいて有効化されていないリード側電極16a又は16
bは接地する構成としたから、入出力間容量を介した漏
洩電流を最小にすることができ、その分、測定誤差を小
さくすることができる。
【0037】<他の実施例>なお、本発明は上記した実
施例に限定されるものではなく、例えば次のように変形
して実施することができる。
施例に限定されるものではなく、例えば次のように変形
して実施することができる。
【0038】(イ)リードを検査する電子部品としては
種々のものが適用可能であり、例えば図11に示すよう
に、中央に凹部61aを有する矩形のパッケージ61に
多数のリード62を配置したPLCCソケットのリード
検査に適用してもよく、要は、パッケージからリードを
導出した形態の電子部品に広く適用することができる。
種々のものが適用可能であり、例えば図11に示すよう
に、中央に凹部61aを有する矩形のパッケージ61に
多数のリード62を配置したPLCCソケットのリード
検査に適用してもよく、要は、パッケージからリードを
導出した形態の電子部品に広く適用することができる。
【0039】(ロ)リードとリード側電極との間の静電
容量を測定するには、必ずしも前記実施例のようなパッ
ケージ側電極15を設けなくとも、例えばリードに電極
を接触させ、その電極とリード側電極との間の静電容量
を測定する構成としても良い。また、パッケージ側電極
を設ける場合でも、必ずしも前記実施例のように検査基
板上に設けるに限らず、例えばマウント機構の吸着装置
側に設けてもよい。
容量を測定するには、必ずしも前記実施例のようなパッ
ケージ側電極15を設けなくとも、例えばリードに電極
を接触させ、その電極とリード側電極との間の静電容量
を測定する構成としても良い。また、パッケージ側電極
を設ける場合でも、必ずしも前記実施例のように検査基
板上に設けるに限らず、例えばマウント機構の吸着装置
側に設けてもよい。
【0040】(ハ)前記実施例では、2つのリード側電
極16a,16b毎に静電容量を測定し、これをソフト
的に加算して合成静電容量を求める構成としたが、これ
に限らず、例えば図12に示すように、各リード側電極
16a,16bを引き出し線部70において電気的に接
続して一挙に合成静電容量を求める構成としてもよい。
このようにすれば、ソフト的に加算する必要がなくなる
から、一層の高速検査が可能となる。
極16a,16b毎に静電容量を測定し、これをソフト
的に加算して合成静電容量を求める構成としたが、これ
に限らず、例えば図12に示すように、各リード側電極
16a,16bを引き出し線部70において電気的に接
続して一挙に合成静電容量を求める構成としてもよい。
このようにすれば、ソフト的に加算する必要がなくなる
から、一層の高速検査が可能となる。
【0041】(ニ)また、リードの位置に対する静電容
量の変化特性を平坦化するためには、前記実施例のよう
に2つの電極16a,16bを形成するに限らず、例え
ば図13のように単一の電極80の中央にギャップ81
を設けてH形に構成してもよい。更に、図14に示すよ
うに、単一の電極82の中央を凹ませて中央部83がリ
ードから遠くなる構成としてもよい。
量の変化特性を平坦化するためには、前記実施例のよう
に2つの電極16a,16bを形成するに限らず、例え
ば図13のように単一の電極80の中央にギャップ81
を設けてH形に構成してもよい。更に、図14に示すよ
うに、単一の電極82の中央を凹ませて中央部83がリ
ードから遠くなる構成としてもよい。
【0042】(ホ)更に、図15に示すように、2つの
リード側電極91,92の中間部及び左右両側方部に、
電子部品のリードと同極性になる補助電極93を設ける
構成とすることにより、リードの位置に対する静電容量
の変化特性を平坦化することもできる。
リード側電極91,92の中間部及び左右両側方部に、
電子部品のリードと同極性になる補助電極93を設ける
構成とすることにより、リードの位置に対する静電容量
の変化特性を平坦化することもできる。
【0043】(ヘ)前記実施例では1つの発振回路21
のみを設けて各リード側電極16a,16bに選択的に
電圧を印加するようにしたが、1つのリード側電極毎に
発振回路を設け、これらの発振回路をマルチプレクサに
て選択的に有効化する構成としてもよい。
のみを設けて各リード側電極16a,16bに選択的に
電圧を印加するようにしたが、1つのリード側電極毎に
発振回路を設け、これらの発振回路をマルチプレクサに
て選択的に有効化する構成としてもよい。
【0044】(ト)前記実施例において、合成静電容量
(C1+C2)と比較される基準容量CR0は良品のICを
セット・測定してその値を記憶して利用するに限らず、
適切な値を例えばディップスイッチ等から入力して設定
してもよい。
(C1+C2)と比較される基準容量CR0は良品のICを
セット・測定してその値を記憶して利用するに限らず、
適切な値を例えばディップスイッチ等から入力して設定
してもよい。
【図1】本発明のリード検査装置を他の構成と比較して
説明するためのもので、(A)は斜視図、(B)は静電
容量のグラフである。
説明するためのもので、(A)は斜視図、(B)は静電
容量のグラフである。
【図2】本発明のリード検査装置を説明するためのもの
で、(A)は斜視図、(B)は静電容量のグラフであ
る。
で、(A)は斜視図、(B)は静電容量のグラフであ
る。
【図3】本発明の一実施例を概略的に示すブロック図
【図4】実施例の電極部分の斜視図
【図5】実施例の全体のブロック図
【図6】静電容量を示す等価回路図
【図7】実施例の測定状況を示すICリード部分の拡大
断面図
断面図
【図8】実施例の測定状況を示すICリード部分の拡大
断面図
断面図
【図9】実施例の測定状況を示すICリード部分の拡大
断面図
断面図
【図10】静電容量の変化特性を示すグラフ
【図11】検査対象としてのPLCCソケットを示す断
面図
面図
【図12】他の実施例を示すリード電極部分の平面図
【図13】他の実施例を示すリード電極部分の平面図
【図14】他の実施例を示すリード電極部分の断面図
【図15】他の実施例を示すリード電極部分の平面図
11…ICパッケージ 12…ICリード 13…IC(電子部品) 14…検査基板 15…パッケージ側電極 16a,16b…リード側電極 16c…ギャップ 17…絶縁皮膜 20…容量測定回路 30…状態判別回路
Claims (4)
- 【請求項1】 検査すべき電子部品をマウント機構によ
り検査基板上の所定位置に載置してその電子部品から導
出されているリードの曲がり変形を検査するものであっ
て、 前記検査基板上に設けられ前記電子部品のパッケージか
ら導出されたリードに対向するリード側電極と、このリ
ード側電極を覆うべく前記検査基板に形成された絶縁皮
膜と、前記リードが前記リード側電極に前記絶縁皮膜を
介して対向された状態における前記リードと前記リード
側電極との間の静電容量を測定する静電容量測定手段
と、測定された前記静電容量に基づいて前記リードの状
態を判別する状態判別手段とを備え、前記リードの位置
に対する前記静電容量の変化特性は少なくとも前記マウ
ント機構の位置決め誤差の範囲内では前記リードの位置
に対して平坦特性を有するように設定されていることを
特徴とする電子部品のリード検査装置。 - 【請求項2】 検査基板には電子部品のパッケージに対
応したパッケージ側電極が設けられ、前記リードと前記
リード側電極との間の静電容量を前記パッケージ側電極
と前記リード側電極との静電容量に基づいて測定するこ
とを特徴とする請求項1記載の電子部品のリード検査装
置。 - 【請求項3】 リード側電極は所定位置にギャップを設
けることにより、前記リードの位置に対する前記静電容
量の変化特性が少なくともマウント機構の位置決め誤差
の範囲内では前記リードの位置に対して平坦特性を有す
るように設定されていることを特徴とする請求項1又は
2のいずれかに記載の電子部品のリード検査装置。 - 【請求項4】 リード側電極の近傍に電子部品のリード
側と同極性になる補助電極を設けることにより、前記リ
ードの位置に対する前記静電容量の変化特性が少なくと
もマウント機構の位置決め誤差の範囲内では前記リード
の位置に対して平坦特性を有するように設定されている
ことを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の電
子部品のリード検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34082993A JPH07161789A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 電子部品のリード検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34082993A JPH07161789A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 電子部品のリード検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07161789A true JPH07161789A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18340693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34082993A Pending JPH07161789A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 電子部品のリード検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07161789A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014525573A (ja) * | 2011-08-26 | 2014-09-29 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 非接触容量式間隔センサ |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP34082993A patent/JPH07161789A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014525573A (ja) * | 2011-08-26 | 2014-09-29 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 非接触容量式間隔センサ |
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