JPH07159741A - 光学素子 - Google Patents
光学素子Info
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- JPH07159741A JPH07159741A JP5310129A JP31012993A JPH07159741A JP H07159741 A JPH07159741 A JP H07159741A JP 5310129 A JP5310129 A JP 5310129A JP 31012993 A JP31012993 A JP 31012993A JP H07159741 A JPH07159741 A JP H07159741A
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- optical element
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
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- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされたＬＮま
たはＬＴの結晶からなる光学素子の耐光損傷性を高め
る。 【構成】 ＭｇＯ−ＬＮ結晶２の＋Ｚ面２ａと−Ｚ面２
ｂとを、導電性材料からなる金属治具３およびインジウ
ムシート４によって接続する。
たはＬＴの結晶からなる光学素子の耐光損傷性を高め
る。 【構成】 ＭｇＯ−ＬＮ結晶２の＋Ｚ面２ａと−Ｚ面２
ｂとを、導電性材料からなる金属治具３およびインジウ
ムシート４によって接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭｇＯあるいはＺｎＯ
がドープされた、ＬｉＮｂＯ3 またはＬｉＴａＯ3 の結
晶からなる光学素子に関するものであり、さらに詳しく
は、耐光損傷性を向上させた光学素子に関するものであ
る。
がドープされた、ＬｉＮｂＯ3 またはＬｉＴａＯ3 の結
晶からなる光学素子に関するものであり、さらに詳しく
は、耐光損傷性を向上させた光学素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＥＯ（電気光学）効果あるい
はＡＯ（音響光学）効果を有する材料として、また非線
形光学効果を有する材料としてＬｉＮｂＯ3 （ニオブ酸
リチウム：以下ＬＮと称する）、およびＬｉＴａＯ
3 （タンタル酸リチウム：以下ＬＴと称する）が広く知
られている。
はＡＯ（音響光学）効果を有する材料として、また非線
形光学効果を有する材料としてＬｉＮｂＯ3 （ニオブ酸
リチウム：以下ＬＮと称する）、およびＬｉＴａＯ
3 （タンタル酸リチウム：以下ＬＴと称する）が広く知
られている。
【０００３】これらＬＮおよびＬＴの結晶は、照射され
た光によって局所的な屈折率変化が誘起される現象、い
わゆる光損傷を生じやすい。この光損傷は、直線偏光
を、その偏光の向きが結晶のＺ軸方向と一致する状態で
入射させたときに最も大きくなり、入射させた光ビーム
がＺ軸方向に著しくぼけるようになる。また、このよう
に直線偏光の向きと結晶のＺ軸方向とが一致していなく
ても、Ｚ軸方向に直線偏光の成分が存在すれば、光損傷
が生じやすい。
た光によって局所的な屈折率変化が誘起される現象、い
わゆる光損傷を生じやすい。この光損傷は、直線偏光
を、その偏光の向きが結晶のＺ軸方向と一致する状態で
入射させたときに最も大きくなり、入射させた光ビーム
がＺ軸方向に著しくぼけるようになる。また、このよう
に直線偏光の向きと結晶のＺ軸方向とが一致していなく
ても、Ｚ軸方向に直線偏光の成分が存在すれば、光損傷
が生じやすい。
【０００４】この光損傷に対する耐性を高めるために、
従来より、ＬＮやＬＴの結晶にＭｇＯあるいはＺｎＯを
ドープさせることが広くなされている。例えばＭｇＯを
ドープしたＬＮ結晶は、アルゴンレーザーから出力され
た波長515 ｎｍの数十ｍＷのレーザービームを入射させ
ても、ビームがぼけることがないと言われている。
従来より、ＬＮやＬＴの結晶にＭｇＯあるいはＺｎＯを
ドープさせることが広くなされている。例えばＭｇＯを
ドープしたＬＮ結晶は、アルゴンレーザーから出力され
た波長515 ｎｍの数十ｍＷのレーザービームを入射させ
ても、ビームがぼけることがないと言われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、実際に多く
の結晶について測定してみると、従来と同様に光損傷が
生じないもの以外に、中には、数十ｍＷの強いパワーの
ときには光損傷が生じないが、出力数ｍＷ前後の比較的
弱い光ビームのときにのみ明らかにビームがぼける結晶
がある。本発明者等が観測したこの現象は、従来言われ
て来たのとは全く逆の現象である。
の結晶について測定してみると、従来と同様に光損傷が
生じないもの以外に、中には、数十ｍＷの強いパワーの
ときには光損傷が生じないが、出力数ｍＷ前後の比較的
弱い光ビームのときにのみ明らかにビームがぼける結晶
がある。本発明者等が観測したこの現象は、従来言われ
て来たのとは全く逆の現象である。
【０００６】また、この観測結果と同様に、必ずしもＭ
ｇＯをドープしたＬＮ結晶が光損傷に強いとは限らない
ことを示唆する報告もある。すなわち、1992年春季応用
物理学会予稿集30ｐ−Ｇ−12には、ＭｇＯをドープした
ものもドープしていないものも、耐光損傷性はほぼ同じ
であるという報告がなされている。
ｇＯをドープしたＬＮ結晶が光損傷に強いとは限らない
ことを示唆する報告もある。すなわち、1992年春季応用
物理学会予稿集30ｐ−Ｇ−12には、ＭｇＯをドープした
ものもドープしていないものも、耐光損傷性はほぼ同じ
であるという報告がなされている。
【０００７】なお、上述の観測で認められた光損傷現象
は、ＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされたＬＮまたはＬ
Ｔ結晶のみに観測され、ノンドープのものでは観測され
ない。それに対して、従来より認められている光損傷現
象は、ノンドープ結晶でも当然観測されるし、光パワー
が強いときほどビームのぼけが大きくなるので、これら
両現象の特性は互いに異なる。しかし、上述の観測で認
められた「ビームがぼける」現象そのものは、従来の光
損傷によるものと全く区別がつかないので、ここではこ
の現象を光損傷と定義して、以下説明をする。
は、ＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされたＬＮまたはＬ
Ｔ結晶のみに観測され、ノンドープのものでは観測され
ない。それに対して、従来より認められている光損傷現
象は、ノンドープ結晶でも当然観測されるし、光パワー
が強いときほどビームのぼけが大きくなるので、これら
両現象の特性は互いに異なる。しかし、上述の観測で認
められた「ビームがぼける」現象そのものは、従来の光
損傷によるものと全く区別がつかないので、ここではこ
の現象を光損傷と定義して、以下説明をする。
【０００８】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、ＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされたＬＮまた
はＬＴの結晶からなる光学素子の耐光損傷性を確実に向
上させることを目的とするものである。
であり、ＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされたＬＮまた
はＬＴの結晶からなる光学素子の耐光損傷性を確実に向
上させることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による光学素子
は、前述したようにＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされ
たＬＮまたはＬＴの結晶からなり、そこに光を入射させ
て使用される光学素子において、上記結晶の＋Ｚ面と−
Ｚ面とが導電性材料によって接続されていることを特徴
とするものである。
は、前述したようにＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされ
たＬＮまたはＬＴの結晶からなり、そこに光を入射させ
て使用される光学素子において、上記結晶の＋Ｚ面と−
Ｚ面とが導電性材料によって接続されていることを特徴
とするものである。
【００１０】
【作用および発明の効果】上記のように結晶の＋Ｚ面と
−Ｚ面とが導電性材料によって接続されていると、そう
でない場合と比較して結晶の耐光損傷性が確実に向上
し、光ビームを入射させたときのぼけが明らかに低減す
る。
−Ｚ面とが導電性材料によって接続されていると、そう
でない場合と比較して結晶の耐光損傷性が確実に向上
し、光ビームを入射させたときのぼけが明らかに低減す
る。
【００１１】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による光
学素子を示すものである。この第１実施例の光学素子１
はバルク結晶型のものであり、ＭｇＯがドープされたＬ
Ｎ（以下、ＭｇＯ−ＬＮと称する）結晶２と、このＭｇ
Ｏ−ＬＮ結晶２をその＋Ｚ面２ａと−Ｚ面２ｂ側から挟
んで保持する金属治具３とからなる。なおＭｇＯ−ＬＮ
結晶２は、ＭｇＯが一例として５％ドープされたＸカッ
トのもので、一般的なプロトン交換およびアニール処理
を受けたものである。一方金属治具３は銅、アルミニウ
ム等の導電性材料からなる小片３個を、４本のビス３ａ
（図中では片側の２本のみを示す）によって断面コ字状
に組み付けて構成されている。
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による光
学素子を示すものである。この第１実施例の光学素子１
はバルク結晶型のものであり、ＭｇＯがドープされたＬ
Ｎ（以下、ＭｇＯ−ＬＮと称する）結晶２と、このＭｇ
Ｏ−ＬＮ結晶２をその＋Ｚ面２ａと−Ｚ面２ｂ側から挟
んで保持する金属治具３とからなる。なおＭｇＯ−ＬＮ
結晶２は、ＭｇＯが一例として５％ドープされたＸカッ
トのもので、一般的なプロトン交換およびアニール処理
を受けたものである。一方金属治具３は銅、アルミニウ
ム等の導電性材料からなる小片３個を、４本のビス３ａ
（図中では片側の２本のみを示す）によって断面コ字状
に組み付けて構成されている。
【００１２】このように金属治具３を組み付ける際に、
ＭｇＯ−ＬＮ結晶２が挟み込まれてそこに保持される
が、ビス３ａを締め付ける際に該結晶２が割れないよう
に、金属治具３と＋Ｚ面２ａおよび−Ｚ面２ｂとの間に
は、柔らかい導電性材料であるインジウムのシート４が
配されている。したがってＭｇＯ−ＬＮ結晶２の＋Ｚ面
２ａと−Ｚ面２ｂとは、これらのインジウムシート４と
金属治具３とによって接続されている。
ＭｇＯ−ＬＮ結晶２が挟み込まれてそこに保持される
が、ビス３ａを締め付ける際に該結晶２が割れないよう
に、金属治具３と＋Ｚ面２ａおよび−Ｚ面２ｂとの間に
は、柔らかい導電性材料であるインジウムのシート４が
配されている。したがってＭｇＯ−ＬＮ結晶２の＋Ｚ面
２ａと−Ｚ面２ｂとは、これらのインジウムシート４と
金属治具３とによって接続されている。
【００１３】上記のＭｇＯ−ＬＮ結晶２に、アルゴンレ
ーザーから出射した直線偏光のレーザービーム５を、焦
点距離60ｍｍの集光レンズ６で絞った上で入射させた。
この際、矢印Ｐで示す直線偏光の向きをＺ軸方向と一致
させる。そしてＭｇＯ−ＬＮ結晶２を通過したレーザー
ビーム５をスクリーン７に照射して、そのビーム断面形
状を調べた。また比較例として、ＭｇＯ−ＬＮ結晶２を
金属治具３によって保持する前に、上記と同様に該結晶
２を通過したレーザービーム５のビーム断面形状を調べ
た。なお、レーザービーム５の出力は１ｍＷ、３ｍＷお
よび10ｍＷの３通りに設定し、それぞれの場合について
ビーム断面形状を調べた。また、用いた結晶はＭｇＯが
５％ドープされたもので、組成分析の結果、いずれも同
等であった。
ーザーから出射した直線偏光のレーザービーム５を、焦
点距離60ｍｍの集光レンズ６で絞った上で入射させた。
この際、矢印Ｐで示す直線偏光の向きをＺ軸方向と一致
させる。そしてＭｇＯ−ＬＮ結晶２を通過したレーザー
ビーム５をスクリーン７に照射して、そのビーム断面形
状を調べた。また比較例として、ＭｇＯ−ＬＮ結晶２を
金属治具３によって保持する前に、上記と同様に該結晶
２を通過したレーザービーム５のビーム断面形状を調べ
た。なお、レーザービーム５の出力は１ｍＷ、３ｍＷお
よび10ｍＷの３通りに設定し、それぞれの場合について
ビーム断面形状を調べた。また、用いた結晶はＭｇＯが
５％ドープされたもので、組成分析の結果、いずれも同
等であった。
【００１４】このようにして調べたビーム断面形状を図
２に示す。レーザービーム５の出力が10ｍＷの場合は、
実施例、比較例とも、ビーム断面形状は正円に近いもの
であり、光損傷は生じていないと考えられ、従来より言
われている結果と同じであった。
２に示す。レーザービーム５の出力が10ｍＷの場合は、
実施例、比較例とも、ビーム断面形状は正円に近いもの
であり、光損傷は生じていないと考えられ、従来より言
われている結果と同じであった。
【００１５】しかしレーザービーム５の出力が３ｍＷの
場合、比較例は、結晶によってはビーム断面形状が正円
に近いものとなって、光損傷が生じないものがあった
り、別の結晶ではビーム断面形状がＺ軸方向（図２では
上下方向）にクマが有るものとなって、光損傷が生じて
いる結果も得られた。それに対して本実施例の光学素子
５では、レーザービーム５の出力が３ｍＷの場合でも、
光損傷が生じている結晶であっても、ビーム断面形状は
常に正円に近いものになり、比較例と比べて耐光損傷性
が明らかに向上した。
場合、比較例は、結晶によってはビーム断面形状が正円
に近いものとなって、光損傷が生じないものがあった
り、別の結晶ではビーム断面形状がＺ軸方向（図２では
上下方向）にクマが有るものとなって、光損傷が生じて
いる結果も得られた。それに対して本実施例の光学素子
５では、レーザービーム５の出力が３ｍＷの場合でも、
光損傷が生じている結晶であっても、ビーム断面形状は
常に正円に近いものになり、比較例と比べて耐光損傷性
が明らかに向上した。
【００１６】またレーザービーム５の出力が１ｍＷの場
合、比較例におけるビーム断面形状は、結晶によっては
正円に近いものもあるが、Ｚ軸方向にクマが有るものと
なったり、あるいはＺ軸方向に延びた楕円状となる結晶
が多く、光損傷が生じていると考えられる。それに対し
て本実施例の光学素子５では、レーザービーム５の出力
が１ｍＷの場合、レーザービーム５を結晶２に入射させ
た状態で素早く該結晶２をＺ軸方向に動かしたとき、若
干のビームの乱れが一部の結晶で観測されるが、結晶２
を動かさないとき（通常の使用状態である）、ビーム断
面形状は正円に近いものであり、比較例と比べて耐光損
傷性が明らかに向上している。
合、比較例におけるビーム断面形状は、結晶によっては
正円に近いものもあるが、Ｚ軸方向にクマが有るものと
なったり、あるいはＺ軸方向に延びた楕円状となる結晶
が多く、光損傷が生じていると考えられる。それに対し
て本実施例の光学素子５では、レーザービーム５の出力
が１ｍＷの場合、レーザービーム５を結晶２に入射させ
た状態で素早く該結晶２をＺ軸方向に動かしたとき、若
干のビームの乱れが一部の結晶で観測されるが、結晶２
を動かさないとき（通常の使用状態である）、ビーム断
面形状は正円に近いものであり、比較例と比べて耐光損
傷性が明らかに向上している。
【００１７】なお、上に述べたＭｇＯ−ＬＮ結晶２はプ
ロトン交換およびアニール処理を受けたものであるが、
このような処理を施さないＭｇＯ−ＬＮ結晶に対しても
本発明は適用可能であり、そしてその場合も上記と同様
の効果が得られる。
ロトン交換およびアニール処理を受けたものであるが、
このような処理を施さないＭｇＯ−ＬＮ結晶に対しても
本発明は適用可能であり、そしてその場合も上記と同様
の効果が得られる。
【００１８】次に、図３を参照して本発明の第２実施例
について説明する。なおこの図３において、図１中の要
素と同等のものには同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する（以下、同様）。この第２実施例
の光学素子８もバルク結晶型のものであり、ＭｇＯ−Ｌ
Ｎ結晶２と、このＭｇＯ−ＬＮ結晶２の＋Ｚ面２ａと−
Ｚ面２ｂとを接続する導電性線材９からなる。
について説明する。なおこの図３において、図１中の要
素と同等のものには同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する（以下、同様）。この第２実施例
の光学素子８もバルク結晶型のものであり、ＭｇＯ−Ｌ
Ｎ結晶２と、このＭｇＯ−ＬＮ結晶２の＋Ｚ面２ａと−
Ｚ面２ｂとを接続する導電性線材９からなる。
【００１９】このような構成の光学素子８においても、
そこに第１実施例と同様にレーザービーム５を入射させ
たとき、上記比較例と比べて耐光損傷性が明らかに向上
していることが確認された。
そこに第１実施例と同様にレーザービーム５を入射させ
たとき、上記比較例と比べて耐光損傷性が明らかに向上
していることが確認された。
【００２０】次に、図４および図５を参照して本発明の
第３実施例について説明する。この第３実施例の光学素
子30は光導波路型のものであり、表面部分に２次元（薄
膜）光導波路11が形成されたＭｇＯ−ＬＮ結晶基板10
と、第１実施例で用いられたものと同様の金属治具３お
よびインジウムシート４とから構成されている。この場
合も金属治具３は、ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板10の＋Ｚ面10
ａと−Ｚ面10ｂとを、インジウムシート４を介して接続
するように配設されている。
第３実施例について説明する。この第３実施例の光学素
子30は光導波路型のものであり、表面部分に２次元（薄
膜）光導波路11が形成されたＭｇＯ−ＬＮ結晶基板10
と、第１実施例で用いられたものと同様の金属治具３お
よびインジウムシート４とから構成されている。この場
合も金属治具３は、ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板10の＋Ｚ面10
ａと−Ｚ面10ｂとを、インジウムシート４を介して接続
するように配設されている。
【００２１】この光学素子30は一例として電気光学光変
調器を構成するものであり、ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板10上
にプロトン交換による薄膜光導波路11が形成され、この
光導波路11の上に光入射用の線状回折格子（Linear Gr
ating Coupler ：以下ＬＧＣと称する）14と光出射用Ｌ
ＧＣ15とが形成され、そしてＬＧＣ14とＬＧＣ15との間
において光導波路11の上には、導波光の光路を切り換え
てＬＧＣ15からの出射を制御するＥＯＧ電極13が配設さ
れてなるものである。なお、このＥＯＧ電極13は、光導
波路11に電気光学的回折格子（Electro-Optic Grating
）を形成する格子状電極であり、光導波路11の上にバ
ッファ層12を介して設けられている。
調器を構成するものであり、ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板10上
にプロトン交換による薄膜光導波路11が形成され、この
光導波路11の上に光入射用の線状回折格子（Linear Gr
ating Coupler ：以下ＬＧＣと称する）14と光出射用Ｌ
ＧＣ15とが形成され、そしてＬＧＣ14とＬＧＣ15との間
において光導波路11の上には、導波光の光路を切り換え
てＬＧＣ15からの出射を制御するＥＯＧ電極13が配設さ
れてなるものである。なお、このＥＯＧ電極13は、光導
波路11に電気光学的回折格子（Electro-Optic Grating
）を形成する格子状電極であり、光導波路11の上にバ
ッファ層12を介して設けられている。
【００２２】また、Ｘカットの基板10の一端面10ｃは、
Ｈｅ−Ｎｅレーザー等のレーザー21から発せられたレー
ザービーム20を入射させるため、そして基板10の他端面
10ｄは光出射用ＬＧＣ15で回折した光を基板10外に出射
させるため、それぞれ所定の角度で斜めに研磨されてい
る。
Ｈｅ−Ｎｅレーザー等のレーザー21から発せられたレー
ザービーム20を入射させるため、そして基板10の他端面
10ｄは光出射用ＬＧＣ15で回折した光を基板10外に出射
させるため、それぞれ所定の角度で斜めに研磨されてい
る。
【００２３】端面10ｃを通して基板10内に入射し、光導
波路11越しにＬＧＣ14の部分に入射したレーザービーム
20は、このＬＧＣ14において回折し、光導波路11内に入
射して導波光20’となる。この導波光20’は、ＥＯＧ電
極13に対応する部分を通って導波するが、ＥＯＧ電極13
に電圧が印加されていない状態ではそこを直進する。一
方、ＥＯＧ電極13に図示しない駆動回路から所定の電圧
が印加されると、電気光学効果を有する光導波路11の屈
折率が変化して回折格子が形成され、導波光20’はその
回折格子により回折する。以上のようにして回折した光
ビーム20Ａおよび回折しない光ビーム20Ｂは、ＬＧＣ15
において基板10側に回折し、この基板10の斜めにカット
された端面10ｄから素子外に出射する。
波路11越しにＬＧＣ14の部分に入射したレーザービーム
20は、このＬＧＣ14において回折し、光導波路11内に入
射して導波光20’となる。この導波光20’は、ＥＯＧ電
極13に対応する部分を通って導波するが、ＥＯＧ電極13
に電圧が印加されていない状態ではそこを直進する。一
方、ＥＯＧ電極13に図示しない駆動回路から所定の電圧
が印加されると、電気光学効果を有する光導波路11の屈
折率が変化して回折格子が形成され、導波光20’はその
回折格子により回折する。以上のようにして回折した光
ビーム20Ａおよび回折しない光ビーム20Ｂは、ＬＧＣ15
において基板10側に回折し、この基板10の斜めにカット
された端面10ｄから素子外に出射する。
【００２４】そこでこの素子外に出射した例えば光ビー
ム20Ａを使用光とすれば、ＥＯＧ電極13への電圧印加の
有無に応じてこの光ビーム20Ａを変調することができ
る。例えば所定の画像信号に基づいてこの光ビーム20Ａ
を変調する場合は、その画像信号に基づいて電圧印加を
制御すればよい。
ム20Ａを使用光とすれば、ＥＯＧ電極13への電圧印加の
有無に応じてこの光ビーム20Ａを変調することができ
る。例えば所定の画像信号に基づいてこの光ビーム20Ａ
を変調する場合は、その画像信号に基づいて電圧印加を
制御すればよい。
【００２５】この第３実施例の光学素子30においても、
ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板10の＋Ｚ面10ａと−Ｚ面10ｂと
が、金属治具３およびインジウムシート４によって接続
されているので、耐光損傷性が向上する。
ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板10の＋Ｚ面10ａと−Ｚ面10ｂと
が、金属治具３およびインジウムシート４によって接続
されているので、耐光損傷性が向上する。
【００２６】次に、図６を参照して本発明の第４実施例
について説明する。この第４実施例の光学素子40は分岐
干渉型光変調器を構成するものであり、表面部分に３次
元光導波路41および位相変調用の電極42、43が形成され
たＭｇＯ−ＬＮ結晶基板44と、第１実施例で用いられた
ものと同様の金属治具３およびインジウムシート４とか
ら構成されている。この場合も金属治具３は、ＭｇＯ−
ＬＮ結晶基板44の＋Ｚ面44ａと−Ｚ面44ｂとを、インジ
ウムシート４を介して接続するように配設されている。
について説明する。この第４実施例の光学素子40は分岐
干渉型光変調器を構成するものであり、表面部分に３次
元光導波路41および位相変調用の電極42、43が形成され
たＭｇＯ−ＬＮ結晶基板44と、第１実施例で用いられた
ものと同様の金属治具３およびインジウムシート４とか
ら構成されている。この場合も金属治具３は、ＭｇＯ−
ＬＮ結晶基板44の＋Ｚ面44ａと−Ｚ面44ｂとを、インジ
ウムシート４を介して接続するように配設されている。
【００２７】この第４実施例の光学素子40においても、
ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板44の＋Ｚ面44ａと−Ｚ面44ｂと
が、金属治具３およびインジウムシート４によって接続
されているので、耐光損傷性が向上する。
ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板44の＋Ｚ面44ａと−Ｚ面44ｂと
が、金属治具３およびインジウムシート４によって接続
されているので、耐光損傷性が向上する。
【００２８】以上、ＭｇＯ−ＬＮ結晶からなる光学素子
に適用された実施例について説明したが、本発明はその
他、ＭｇＯがドープされたＬＴの結晶、さらにはＺｎＯ
がドープされたＬＮまたはＬＴの結晶からなる光学素子
にも適用可能で、その場合も同様の効果を奏するもので
ある。
に適用された実施例について説明したが、本発明はその
他、ＭｇＯがドープされたＬＴの結晶、さらにはＺｎＯ
がドープされたＬＮまたはＬＴの結晶からなる光学素子
にも適用可能で、その場合も同様の効果を奏するもので
ある。
【図１】本発明の第１実施例による光学素子を示す斜視
図
図
【図２】上記光学素子および従来の光学素子を通過した
光のビーム断面形状を比較して示す概略図
光のビーム断面形状を比較して示す概略図
【図３】本発明の第２実施例による光学素子を示す斜視
図
図
【図４】本発明の第３実施例による光学素子を示す斜視
図
図
【図５】上記第３実施例の光学素子の側断面図
【図６】本発明の第４実施例による光学素子を示す斜視
図
図
１、８、30、40 光学素子 ２ ＭｇＯ−ＬＮ結晶 ２ａ ＭｇＯ−ＬＮ結晶の＋Ｚ面 ２ｂ ＭｇＯ−ＬＮ結晶の−Ｚ面 ３ 金属治具 ４ インジウムシート 10、44 ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板 10ａ、44ａ ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板の＋Ｚ面 10ｂ、44ｂ ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板の−Ｚ面 11 ２次元光導波路 12 バッファ層 13 ＥＯＧ電極 14 光入射用ＬＧＣ 15 光出射用ＬＧＣ 41 ３次元光導波路 42、43 電極
Claims (1)
- 【請求項１】 ＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされた、
ＬｉＮｂＯ3 またはＬｉＴａＯ3 の結晶からなり、そこ
に光を入射させて使用される光学素子において、 前記結晶の＋Ｚ面と−Ｚ面とが導電性材料によって接続
されていることを特徴とする光学素子。
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