JP7155848B2 - 光導波路素子および光変調器 - Google Patents
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Description
前記電極本体部に接合する前記第1の金属層は、前記基板側に露出する角部を有する横断面形状を有することを特徴とする。
まず、構成について説明する。
以下、上述した実施形態において信号電極50の電極本体部51や下地層100の横断面形状を異ならせた光導波路素子10の変形例を説明する。この変形例において、上述した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付してそれらの説明は省略し、相違点のみを説明する。
図6(a)に示す変形例1では、信号電極50の電極本体部51の幅Wsと、下地層100における第1の金属層101の幅W1と、第2の金属層の幅W2との関係は、上述の実施形態と同様にWs>W1>W2に設定されている。そしてこの変形例1では、信号電極50の電極本体部51の基板11側に露出する両側の角部51aが、それぞれR状の横断面形状に形成されている。電極本体部51の角部51aをR状に形成する方法としては、例えばエッチングで角部51aを選択的に浸食させる方法などが挙げられる。
図6(b)に示す変形例2では、信号電極50の電極本体部51の幅Wsと、下地層100における第1の金属層101の幅W1と、第2の金属層102の幅W2との関係は、上述の実施形態と同様にWs>W1>W2に設定されている。そしてこの変形例2では、第1の金属層101の基板11側に露出する両側の角部101aが、それぞれR状の横断面形状に形成されている。第1の金属層101の角部101aをR状に形成する方法としては、例えば図4(h)で示した第2の金属層102をエッチングにより形成する工程において、角部101aがR状に形成されるようにエッチングで浸食させる方法などが挙げられる。
図6(c)に示す変形例3では、信号電極50の電極本体部51の幅Wsと、下地層100における第1の金属層101の幅W1と、第2の金属層102の幅W2との関係は、上述の実施形態と同様にWs>W1>W2に設定されている。そしてこの変形例3では、信号電極50の電極本体部51の基板11側に露出する両側の角部51aと、基板11側に露出する第1の金属層101の両側の角部101aの双方が、R状の横断面形状に形成されている。
図6(d)に示す変形例4では、信号電極50の電極本体部51の幅Wsと、下地層100における第1の金属層101の幅W1と、第2の金属層102の幅W2との関係は、上述の実施形態と異なりWs=W1>W2に設定されている。すなわち、信号電極50の電極本体部51と第1の金属層101の幅は同じであり、第2の金属層102の幅のみが、電極本体部51および第1の金属層101の幅より小さいものとなっている。そしてこの変形例4では、第1の金属層101の基板11側に露出する両側の角部101aが、R状の横断面形状に形成されている。
図7に示す変形例5では、信号電極50の電極本体部51の幅Wsと、下地層100における第1の金属層の幅W1と、第2の金属層の幅W2との関係は、上述の実施形態と同様にWs>W1>W2に設定されている。そしてこの変形例5では、電極本体部51の幅Wsと第2の金属層102の幅W2との差(Ws-W2)が、1~2μm程度に設定されている。
10 光導波路素子
11 基板
20 筐体
30 光導波路
33a、33b 直線光導波路
36 光変調部
40 制御電極
50 信号電極
51 信号電極の電極本体部
51a 信号電極の電極本体部の角部
60、60A、60B 接地電極
61 接地電極の電極本体部
81 入力側の光ファイバ(入力側の光伝送手段)
82 出力側の光ファイバ(出力側の光伝送手段)
100 下地層
101 第1の金属層
101a 第1の金属層の角部
102 第2の金属層
W1 第1の金属層の幅
W2 第2の金属層の幅
Ws 電極本体部の幅
Claims (8)
- 電気光学効果を有し、光波が伝搬するよう形成された光導波路を有する基板と、
前記基板に形成され、前記光導波路を伝搬する光波に変調信号を印加する制御電極と、を備え、
前記光導波路は、前記変調信号が印加される並行する一対の直線光導波路を有する少なくとも1つの光変調部を有し、
前記制御電極は、信号電極と、前記信号電極の両側にそれぞれ配置された接地電極と、を有し、
前記信号電極は、前記一対の直線光導波路の間に配置された帯状の電極本体部を有し、
前記直線光導波路は、前記電極本体部と、前記接地電極との間に当たる位置に配置されている光導波路素子において、
前記信号電極および前記接地電極は、それぞれ前記基板上に、前記基板の表面に形成された第2の金属層と、前記第2の金属層と前記信号電極および前記接地電極に接合する第1の金属層とを有する下地層を介して形成されており、
前記信号電極における少なくとも前記電極本体部は、20μm以上の幅を有し、
前記電極本体部の幅をWs、前記電極本体部と前記基板との間に設けられた前記下地層における前記第1の金属層の幅をW1、前記第2の金属層の幅をW2とした場合、Ws≧W1>W2であり、
前記電極本体部に接合する前記第1の金属層は、前記基板側に露出する角部を有する横断面形状を有することを特徴とする光導波路素子。 - 前記Ws、前記W1、前記W2が、Ws>W1>W2であって、
前記電極本体部は、前記基板側に露出する角部を有する横断面形状を有し、
前記電極本体部の前記角部は、R状の横断面形状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光導波路素子。 - 前記Ws、前記W1、前記W2が、Ws>W1>W2であって、
前記電極本体部は、前記基板側に露出する角部を有する横断面形状を有し、
前記第1の金属層の前記角部は、R状の横断面形状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光導波路素子。 - 前記Ws、前記W1、前記W2が、Ws>W1>W2であって、
前記電極本体部は、前記基板側に露出する角部を有する横断面形状を有し、
前記電極本体部の前記角部および前記第1の金属層の前記角部は、R状の横断面形状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光導波路素子。 - 前記Ws、前記W1、前記W2が、Ws=W1>W2であって、
前記第1の金属層の前記角部は、R状の横断面形状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光導波路素子。 - 前記Wsと前記W2との差(Ws-W2)が、1~2μmであることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の光導波路素子。
- 前記信号電極および前記接地電極は、電気抵抗率が2.44~1.59×10-8Ωmの金属からなり、
前記下地層の前記第1の金属層は、電気抵抗率が2.44~1.59×10-8Ωmの金属からなり、
前記下地層の前記第2の金属層は、電気抵抗率が2.82×10-8~4.27×10-7Ωmの遷移金属からなることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の光導波路素子。 - 請求項1~7のいずれかに記載の光導波路素子と、
前記光導波路素子を収納する筐体と、
前記光導波路素子に光学的に接続され、前記光導波路素子の前記光導波路に光波を入力する入力側の光伝送手段および前記光導波路から光波を出力する出力側の光伝送手段と、を備えることを特徴とする光変調器。
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