JPH07153789A - 半導体装置のボンディング点算出装置 - Google Patents

半導体装置のボンディング点算出装置

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JPH07153789A JP5299943A JP29994393A JPH07153789A JP H07153789 A JPH07153789 A JP H07153789A JP 5299943 A JP5299943 A JP 5299943A JP 29994393 A JP29994393 A JP 29994393A JP H07153789 A JPH07153789 A JP H07153789A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 複雑なインナリード形状やマルチボンディン
グ等に対応したインナリード上のボンディング点を容易
に算出でき、組立工程における歩留りを向上できる半導
体装置のボンディング点算出装置を提供する。 【構成】 ボンディング点算出装置は、インナリード形
状データおよびボンディング点の候補となる候補ライン
形状データを記憶した第一記憶部1と、基準データおよ
び判定ルールデータを記憶した第二記憶部2とを備えて
いる。インナリード形状データおよび候補ライン形状デ
ータに基づいて、算出部3において基準データ範囲内で
かつボンディングパッドまでの最短距離となる点がボン
ディング点として算出される。算出部3で求めたボンデ
ィング点の適合性が判定部4において判定ルールデータ
に基づいて判定され、不適合と判定されたボンディング
点は補正部5において補正される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の組み立て
の際のワイヤボンディングにおいて用いられるボンディ
ング点算出装置に係り、特に半導体チップ上のボンディ
ングパッドに連結されるインナリード上のボンディング
点の算出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より半導体装置の組立において、半
導体チップ上のボンディングパッドとインナリードと
を、互いのボンディング点でボンダー装置を用いたワイ
ヤボンディングによって連結することが行われている。
しかし、近年のLSIをはじめとする半導体装置の規模
拡大に伴う多ピン化によってパッドピッチやインナリー
ドピッチが短くなると、ボンディング時の諸条件による
ボンディングワイヤの振れにより隣接ワイヤどうしが交
差し、不良発生の原因となる場合がある。このため、そ
のような不良が発生しにくい最適のボンディング点を選
択することが望まれる。一方、少ピンパッケージなどに
見られる幅の広いインナリードでは、ボンディングの自
由度を生かしてボンディングワイヤのループ長が最短と
なるようなボンディング点を選択することが望まれる。
また、各インナリード上に複数のボンディング点を設け
るマルチボンディングも行われている。
【0003】このような背景の中で、インナリード上の
ボンディング点の算出方法としては、(1)図9に示す
ように、インナリード13上のボンディング点11をあ
らかじめデータとして用意し、半導体チップ14上のボ
ンディングパッド12とボンディングワイヤ15で連結
する方法、(2)図10に示すように、インナリード1
3の側縁の延長線16の交点17を求め、この交点17
から引いた二等分線18上で特定の基準をもってボンデ
ィング点11を算出し、半導体チップ14上のボンディ
ングパッド12とボンディングワイヤ15で連結する方
法、が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、前述の従来
技術(1)の図9に示す算出方法では、各インナリード
13上にあらかじめ決められたボンディング点11が一
つしか無いため、各インナリード13上に複数のボンデ
ィング点11を設けるマルチボンディングには対応でき
ない。また、この場合のボンディング点11は定点とな
るため移動不可能であり、幅の広いインナリード13に
ボンディングを行う場合にボンディングの自由度を生か
すことができず、ボンディングワイヤ15のループ長が
長くなってボンディングワイヤ15を無駄に消費する場
合が多い。さらには、ボンディング点11が一点に固定
された厳しい基準でのボンディングとなるので、組立工
程における歩留りの低下が起こりやすい。
【0005】また、従来技術(2)の図10に示す算出
方法では、インナリード13の形状が複雑なものになる
と前述した二等分線の算出が困難となり、適切な結果が
得られない場合もある。さらに図9に示す算出方法と同
様、インナリード13の幅に対するボンディングの自由
度を生かすことができず、ボンディングワイヤ15の無
駄や歩留りの低下が起こりやすい。
【0006】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、複雑なインナリード形状やマルチボンディ
ング等に対応したボンディング点を容易に算出でき、組
立工程における歩留りを向上させることができる半導体
装置のボンディング点算出装置を提供することを目的と
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置の
ボンディングパッドに連結されるインナリード上のボン
ディング点を算出するボンディング点算出装置におい
て、インナリード形状データおよびボンディング点の候
補となる候補ライン形状データを記憶した第一記憶部
と、ボンディング点発生範囲の基準となる基準データお
よびボンディング点の適合性を判定する判定ルールデー
タを記憶した第二記憶部と、前記第一記憶部からのイン
ナリード形状データおよび候補ライン形状データに基づ
いて、前記第二記憶部からの基準データ範囲内でかつパ
ッドまでの最短距離となる点をボンディング点として算
出する算出部と、この算出部で求めたボンディング点が
前記第二記憶部からの判定ルールデータを満たすか否か
によりボンディング点の適合性を判定する判定部と、こ
の判定部により不適合と判定された場合に、基準データ
範囲内でかつ判定ルールデータ範囲内にある点にボンデ
ィング点を補正する補正部と、を備えたことを特徴とす
る半導体装置のボンディング点算出装置である。
【0008】
【作用】あらかじめ第一記憶部に記憶させてあるインナ
リード形状データおよび候補ライン形状データと第二記
憶部に記憶させてある基準データを算出部に、第二記憶
部に記憶させてある判定ルールデータを判定部にそれぞ
れ入力する。次に算出部において、基準データ範囲内で
かつパッド中心までの距離が最短となる点をボンディン
グ点として算出する。次に判定部において、算出部で求
めたボンディング点の位置が判定ルールデータに基づく
基準を満たすか否かを判定し、満たさなかった場合はボ
ンディング点として不適合と判定する。不適合と判定さ
れたボンディング点は、補正部において、基準データ範
囲内でかつ判定ルールデータに基づく基準の範囲内にあ
る点に補正される。
【0009】
【実施例】はじめに図1乃至図5を参照して本発明の第
1の実施例について説明する。図1に示すように本発明
による半導体装置のボンディング点算出装置は、インナ
リード形状データおよびボンディング点の候補となる候
補ライン形状データを記憶した第一記憶部1と、候補ラ
イン上でのボンディング点発生範囲の基準となる基準デ
ータおよびボンディング点の適合性を判定する判定ルー
ルデータを記憶した第二記憶部2とを備えている。第一
記憶部1および第二記憶部2からの信号は算出部3に入
力される。算出部3において、第一記憶部1からのイン
ナリード形状データおよび候補ライン形状データとに基
づいて、第二記憶部2からの基準データ範囲内でかつボ
ンディングパッドまでの最短距離となる点がボンディン
グ点として算出される。算出部3で求めたボンディング
点は判定部4に入力され、判定部4において第二記憶部
2からの判定ルールデータを満たすか否かによりボンデ
ィング点の適合性が判定される。判定部4により不適合
と判定された場合に、補正部5において基準データ範囲
内でかつ判定ルールデータの範囲内にある点にボンディ
ング点が補正される。
【0010】次に図2によって、本実施例の装置による
処理の流れを説明する。まず図2において、あらかじめ
第一記憶部1に記憶されていたインナリード形状データ
および候補ライン形状データと第二記憶部2に記憶され
ていた基準データが算出部3に入力される。同時に第二
記憶部2に記憶されていた判定ルールデータが判定部4
に入力される(ステップ6)。このうち、インナリード
形状データおよび候補ライン形状データは、例えば図3
に示すようなインナリード13および候補ライン19の
ように図形化されたものである。すなわち、図3におい
てベッド25上に、ボンディングパッド12を有する半
導体チップ14が載置され、インナリード13上に候補
ライン19が位置している。次に、算出部3において図
2に示すように、インナリード形状データおよび候補ラ
イン形状データに基づいて候補ライン上にボンディング
点11を発生させる(ステップ7)。この場合、図4に
示すように、基準データに従って候補ライン19上のボ
ンディング許可領域20およびボンディング禁止領域2
1を求め(図4(a))、この許可領域20上であって
半導体チップ14上のボンディングパッド12の中心ま
での距離が最短となる位置にボンディング点11を発生
させる(図4(b))。ここで基準データとは、例えば
ボンディング点がインナリード13側縁から一定距離離
れる、という基準データである。次に、図2に示すよう
に判定部4において、発生させたボンディング点11の
適合性が判定される(ステップ8)。このとき、図5に
示すように、判定ルールデータに従って例えばボンディ
ング点11の回りに仮想した円22がインナリード13
と交差するか否かが判定され、交差した場合はボンディ
ング点11は不適合と判定される(ステップ9)。不適
合と判定されたボンディング点11は、補正部5におい
て許可領域20内でかつ仮想円22がインナリード13
と交差しない位置に自動的に補正される(ステップ1
0)。このようにして算出されたボンディング点11は
半導体チップ14上のボンディングパッド12の所定点
との間でボンディングワイヤ15により連結される(図
5)。
【0011】以上のように本実施例によれば、所定の候
補ライン上であって基準データおよび判定データを満た
す位置に自動的にボンディング点11が算出されるの
で、複雑なインナリード13の形状に対しても容易にボ
ンディング点11を発生させることができる。また、ボ
ンディング点11の発生位置に自由度があるため、候補
ラインデータ、基準データ、および判定データを適切に
設定しておくことにより、インナリード13やボンディ
ングのピッチ等に応じた適切なボンディング点11を算
出でき、しかもボンディングワイヤ15が最短となるボ
ンディング点11が算出されるため、組立て工程の歩留
りの向上とボンディングワイヤ15の節約を果たすこと
ができる。
【0012】次に、図6を参照して本発明の第2の実施
例について説明する。図6に示す第2の実施例におい
て、図1乃至図5に示す第1の実施例と同一の部分には
同一符号を符して詳細な説明は省略する。図6におい
て、半導体チップ14のコーナー部分にあるボンディン
グパッド12に対応するインナリード13上に、ボンデ
ィング点11を発生させる。この場合、半導体チップ1
4の上辺にあるボンディングパッド12に対しては、図
6(a)に示すようにボンディング点11が第1の実施
例と同様にして算出され、半導体チップ14の右辺にあ
るボンディングパッド12に対しては、図6(b)に示
すようにボンディング点11が実施例1と同様にして算
出される。これら両者を組み合わせると、図6(c)に
示すように半導体チップ14の両辺にまたがるボンディ
ングパッド12,12に対して、マルチボンディングの
ボンディング点11,11を容易に発生させることがで
きる。
【0013】次に、図7を参照して本発明の第3の実施
例について説明する。本実施例は、インナリード13の
長手方向に対して候補ライン19を2列以上に配置した
ものであり、他は図1乃至図5に示す第1の実施例と略
同一である。本実施例によれば、直列打ちのマルチボン
ディングのボンディング点11,11を容易に発生させ
ることができる。
【0014】さらに、図8を参照して本発明の第4の実
施例について説明する。本実施例は、基準データおよび
判定ルールデータを適切に設定することによって、ボン
ディングワイヤ15,15どうしのワイヤ間距離を均等
に保つようなボンディング点11,11を算出させるも
のであり、他は図1乃至図5に示す第1の実施例と略同
一である。本実施例によれば、ボンディング時の隣接す
るボンディングワイヤ15,15の最大振れ幅24がた
とえ大きくても、ボンディングワイヤ15,15どうし
が重ならないようにし、ボンディングワイヤ15,15
の交差による不良の発生確率を下げることができる。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、あらかじめデータとし
て記憶された候補ライン上にボンディング点が算出され
るので、複雑なインナリード形状の場合やマルチボンデ
ィングの場合も容易にボンディング点が算出される。ま
た、ボンディング点発生位置に自由度があるため、候補
ラインデータ、基準データ、および判定データを適切に
設定しておくことにより、インナリードの形状やボンデ
ィングのピッチ等に応じた適切なボンディング点を算出
でき、しかもボンディングワイヤが最短となるボンディ
ング点が算出されるため、組立て工程の歩留りの向上と
ワイヤの節約を果たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体装置のボンディング点算出
装置の第1の実施例を示す構成図。
【図2】本発明のボンディング点算出装置による算出処
理のフローチャート。
【図3】インナリードの形状と候補ラインの一例を示す
図。
【図4】候補ライン上におけるボンディング点発生位置
の決定方法を示す図。
【図5】ボンディング点発生位置の適合性判定方法を示
す図。
【図6】本発明の第2の実施例を示す、半導体チップの
コーナー部分に対応するインナリード上にボンディング
点を発生させる状態を示す図。
【図7】本発明の第3の実施例を示す直列打ちのマルチ
ボンディングを示す図。
【図8】本発明の第4の実施例を示すボンディングワイ
ヤの振れによる交差状態を示す図。
【図9】従来のボンディング点決定方法を示す図。
【図10】従来のボンディング点決定方法を示す図。
【符号の説明】
1 第一記憶部 2 第二記憶部 3 算出部 4 判定部 5 補正部 11 ボンディング点 12 ボンディングパッド 13 インナリード 14 半導体チップ 15 ボンディングワイヤ 19 候補ライン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体装置のボンディングパッドに連結さ
    れるインナリード上のボンディング点を算出するボンデ
    ィング点算出装置において、 インナリード形状データおよびボンディング点の候補と
    なる候補ライン形状データを記憶した第一記憶部と、 ボンディング点発生範囲の基準となる基準データおよび
    ボンディング点の適合性を判定する判定ルールデータを
    記憶した第二記憶部と、 前記第一記憶部からのインナリード形状データおよび候
    補ライン形状データに基づいて、前記第二記憶部からの
    基準データ範囲内でかつ前記パッドまでの最短距離とな
    る点をボンディング点として算出する算出部と、 この算出部で求めたボンディング点が前記第二記憶部か
    らの判定ルールデータを満たすか否かによりボンディン
    グ点の適合性を判定する判定部と、 この判定部により不適合と判定された場合に、基準デー
    タ範囲内でかつ判定ルールデ−タ範囲内にある点にボン
    ディング点を補正する補正部と、 を備えたことを特徴とする半導体装置のボンディング点
    算出装置。
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