JPH07142404A - Method for forming and removing selective growth mask - Google Patents
Method for forming and removing selective growth maskInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、選択成長用マスクの形
成方法に関し、特に真空一貫プロセスで利用可能な選択
成長用マスクの形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a selective growth mask, and more particularly to a method for forming a selective growth mask that can be used in a vacuum integrated process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、真空一貫プロセスで、ＧａＡｓ等
の化合物半導体の選択エピタキシャル成長を可能にする
ために、ＧａＮ膜や、ＧａＡｓ酸化膜を選択成長用マス
ク材として用いる方法が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a method of using a GaN film or a GaAs oxide film as a mask material for selective growth in order to enable selective epitaxial growth of a compound semiconductor such as GaAs in a vacuum integrated process.
【０００３】ＧａＮ膜を用いて選択成長を行う方法は、
ＧａＡｓ（１００）基板を加熱しながら、その表面にク
ラッキングしたアンモニアガスを照射して、極めて膜厚
の薄いＧａＮ膜を形成する。このＧａＮ膜は、電子ビー
ムを照射すると脱離するので、所定の領域に電子ビーム
を走査させてパターニングを行う。この後、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）とＡｓ（Ａｓ4 ）等を用いてＧａＡ
ｓを成長させると、マスク（ＧａＮ膜）の開口部にのみ
ＧａＡｓが成長するというものである。A method of performing selective growth using a GaN film is as follows.
While heating the GaAs (100) substrate, the surface of the GaAs (100) substrate is irradiated with cracked ammonia gas to form a very thin GaN film. Since this GaN film is desorbed when irradiated with an electron beam, a predetermined region is scanned with the electron beam for patterning. Then, using trimethylgallium (TMG) and As (As 4 ) etc., GaA
When s is grown, GaAs grows only in the opening of the mask (GaN film).
【０００４】また、ＧａＡｓ酸化膜を用いる方法は、Ｇ
ａＡｓ（１００）基板表面に酸素を照射しながら、光を
照射して、非常に薄い酸化膜（膜厚１．５ｎｍ程度）を
形成し、この酸化膜を電子ビームと塩素ガスとを用いて
パターニングする。この後、トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）とＡｓ（Ａｓ4 ）等を用いてＧａＡｓを成長させる
と、マスク（ＧａＡｓ酸化膜）の開口部にのみＧａＡｓ
が成長するというものである。A method using a GaAs oxide film is G
While irradiating oxygen on the surface of the aAs (100) substrate, light is irradiated to form a very thin oxide film (film thickness of about 1.5 nm), and the oxide film is patterned using an electron beam and chlorine gas. To do. After this, trimethylgallium (TM
G) and As (As 4 ) are used to grow GaAs, GaAs is only formed in the opening of the mask (GaAs oxide film).
Is to grow.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ＧａＮ膜を用いる方法
では、ＧａＮの結晶性が非常に重要で、結晶性が良くな
い場合は、結晶成長に使用される原料ガスに対する耐性
が弱く、選択成長を実現できないという問題点がある。In the method using a GaN film, the crystallinity of GaN is very important. If the crystallinity is not good, the resistance to the source gas used for crystal growth is weak and selective growth is not possible. There is a problem that it cannot be realized.
【０００６】また、ＧａＡｓ酸化膜を用いる方法では、
トリメチルガリウム（ＴＥＧ）に対する耐性がＧａＡｓ
酸化膜が基板温度４５０℃で失われる。即ち、原料ガス
の種類によっては、選択成長を行うことができないとい
う問題点がある。Further, in the method using a GaAs oxide film,
Resistant to trimethylgallium (TEG) is GaAs
The oxide film is lost at a substrate temperature of 450 ° C. That is, there is a problem in that selective growth cannot be performed depending on the type of raw material gas.
【０００７】本発明は、真空一貫プロセスに利用可能
で、結晶性の影響を受け難く、どの様な原料ガスに対し
ても必要な耐性を有する選択成長用マスクを形成する方
法を提供することを目的とする。The present invention provides a method for forming a selective growth mask that can be used in a vacuum integrated process, is not easily affected by crystallinity, and has the necessary resistance to any source gas. To aim.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板表面に窒素を含有する原料ガスを照射して前記半導
体基板表面に窒化膜を形成する工程と、前記半導体基板
を酸素及びオゾンの一方の雰囲気下に置き、前記窒化膜
の表面に光を照射して酸化膜を形成する工程と、前記酸
化膜の表面に塩素ガスを照射するとともに、前記酸化膜
の表面の所定領域に電子ビームを照射して前記酸化膜及
び前記窒化膜を選択的に除去する工程とを有することを
特徴とする選択成長用マスクの形成方法が得られる。な
お、酸化膜を形成する工程では、半導体基板に電圧を印
加して加熱することによって酸化膜を形成してもよい。According to the present invention, the step of irradiating the surface of a semiconductor substrate with a source gas containing nitrogen to form a nitride film on the surface of the semiconductor substrate, and the step of exposing the semiconductor substrate to oxygen and ozone. Placing in one atmosphere and irradiating the surface of the nitride film with light to form an oxide film, and irradiating the surface of the oxide film with chlorine gas, and electron beam to a predetermined region of the surface of the oxide film. Irradiation to selectively remove the oxide film and the nitride film. In the step of forming the oxide film, the oxide film may be formed by applying a voltage to the semiconductor substrate and heating it.
【０００９】また、本発明によれば、Ｇａを含む化合物
半導体基板の表面に形成されたＧａＮ膜と、該ＧａＮ膜
の表面に形成されたＧａＯ1-x Ｎx とを有する選択成長
用マスクを除去する方法において、ＧａＯ1-x Ｎx の表
面にＧａを堆積させる工程と、前記化合物半導体基板を
加熱する工程とを含むことを特徴とする選択成長用マス
クの除去方法が得られる。Further, according to the present invention, there is provided a selective growth mask having a GaN film formed on the surface of a Ga-containing compound semiconductor substrate and GaO 1-x N x formed on the surface of the GaN film. A method of removing a mask for selective growth, characterized by including a step of depositing Ga on the surface of GaO 1-x N x and a step of heating the compound semiconductor substrate.
【００１０】[0010]
【実施例】次に図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。初めに、本実施例で使用される装置について図１を
参照して説明する。この装置は、成長室（チャンバー）
１０１、表面処理室（チャンバー）１０２、及びエッチ
ング室１０３を有している。そして、成長室１０１と表
面処理室１０２、及び表面処理室１０２とエッチング室
１０３とは、それぞれゲートバルブ１０４ａ及び１０４
ｂで接続されている。これら、成長室１０１、表面処理
室１０２、及びエッチング室１０３は、それぞれ独立し
て真空排気することが可能であり、予め所定の真空度に
まで真空排気されている。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. First, the apparatus used in this embodiment will be described with reference to FIG. This equipment is a growth chamber
101, a surface treatment chamber (chamber) 102, and an etching chamber 103. Further, the growth chamber 101 and the surface treatment chamber 102, and the surface treatment chamber 102 and the etching chamber 103 are respectively provided with gate valves 104a and 104.
connected by b. The growth chamber 101, the surface treatment chamber 102, and the etching chamber 103 can be individually evacuated to a predetermined vacuum degree.
【００１１】成長室１０１の内部には、ヒーター１０５
を備えた基板ホルダー（図示せず）が設けられている。
また、成長室１０１を規定する側壁には、Ｇａセル１０
６、Ａｓセル１０７、ガスノズル１０８及び１０９、四
重極質量分析器１１０、及びＲＨＥＥＤ（高速電子線回
折）電子銃１１１が、基板ホルダーに向けて配設されて
いる。同じく成長室１０１の側壁には、ＲＨＥＥＤ電子
銃１１１に対向するようにＲＨＥＥＤスクリーン１１２
が設けられている。A heater 105 is provided inside the growth chamber 101.
A substrate holder (not shown) provided with is provided.
In addition, the Ga cell 10 is provided on the sidewall defining the growth chamber 101.
6, an As cell 107, gas nozzles 108 and 109, a quadrupole mass analyzer 110, and a RHEED (high speed electron beam diffraction) electron gun 111 are arranged toward the substrate holder. Similarly, on the side wall of the growth chamber 101, a RHEED screen 112 is provided so as to face the RHEED electron gun 111.
Is provided.
【００１２】また、表面処理室１０２の側壁には、ハロ
ゲンランプ１１３、酸素導入ノズル１１４、及び四重極
質量分析器１１５が設けられ、エッチング室１０３の側
壁には、電子銃１１６及び塩素ガス導入ノズル１１７が
設けられている。A halogen lamp 113, an oxygen introducing nozzle 114, and a quadrupole mass analyzer 115 are provided on the side wall of the surface treatment chamber 102, and an electron gun 116 and chlorine gas are introduced on the side wall of the etching chamber 103. A nozzle 117 is provided.
【００１３】次に、図１及び図２を参照して本発明の一
実施例を説明する。まず、ＧａＡｓ（１００）基板２０
１を成長室１０１に導入する。ＧａＡｓ（１００）基板
２０１の表面には、自然酸化膜が形成されているので、
ヒーター１０５で基板温度を６１０〜６３０℃として、
自然酸化膜を除去する。こうして、図２（ａ）に示すよ
うに清浄な表面を有するＧａＡｓ（１００）基板２０１
が得られる。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, the GaAs (100) substrate 20
1 is introduced into the growth chamber 101. Since a natural oxide film is formed on the surface of the GaAs (100) substrate 201,
The substrate temperature is set to 610 to 630 ° C. by the heater 105
Remove the natural oxide film. Thus, the GaAs (100) substrate 201 having a clean surface as shown in FIG.
Is obtained.
【００１４】次に、基板温度を５５０℃にまで下げ、基
板２０１の表面に、ガスノズル１０８からトリエチルガ
リウム（ＴＥＧ）を、Ａｓセルから１０７からＡｓ4 を
照射する。すると、基板２０１の表面には、図２（ｂ）
に示すようにＧａＡｓバッファ層２０２が形成される。Next, the substrate temperature is lowered to 550 ° C., and the surface of the substrate 201 is irradiated with triethylgallium (TEG) from the gas nozzle 108 and As 4 from the As cell. Then, on the surface of the substrate 201, as shown in FIG.
A GaAs buffer layer 202 is formed as shown in FIG.
【００１５】この後、基板温度を６３０℃に上げ、Ｇａ
Ａｓバッファ層２０２の表面をＧａリッチな表面とす
る。そして、ガスノズル１０９からジメチルヒドラジン
を導入し、図２（ｃ）に示すようにＧａＡｓバッファ層
２０２の表面にＧａＮ膜２０３を形成する。ここで、Ｇ
ａＮ膜２０３の膜厚は１〜２ｎｍ程度とする。After that, the substrate temperature was raised to 630 ° C. and Ga was
The surface of the As buffer layer 202 is a Ga-rich surface. Then, dimethylhydrazine is introduced from the gas nozzle 109 to form a GaN film 203 on the surface of the GaAs buffer layer 202 as shown in FIG. Where G
The film thickness of the aN film 203 is about 1 to 2 nm.
【００１６】ＧａＮ膜２０３を形成後、ゲートバルブ１
０４ａを通して、基板２０１を成長室１０１から表面処
理室１０２へ移す。そして、酸素導入ノズル１１４から
酸素を導入して、表面処理室１０２内を酸素圧１０Torr
とする。この状態で、ＧａＮ膜２０３の表面にハロゲン
ランプ１１３からの光を１５分間照射する。すると、Ｇ
ａＮ膜２０３の表面は酸化され、図２（ｄ）に示すよう
にＧａＯ1-x Ｎx ２０４が形成される。After forming the GaN film 203, the gate valve 1
The substrate 201 is transferred from the growth chamber 101 to the surface treatment chamber 102 through 04a. Then, oxygen is introduced from the oxygen introduction nozzle 114, and the oxygen pressure in the surface treatment chamber 102 is reduced to 10 Torr.
And In this state, the surface of the GaN film 203 is irradiated with light from the halogen lamp 113 for 15 minutes. Then G
The surface of the aN film 203 is oxidized to form GaO 1-x N x 204 as shown in FIG.
【００１７】次に、ゲートバルブ１０４ｂを通して、基
板２０１を表面処理室１０２からエッチング室１０３へ
移動させる。そして、ＧａＯ1-x Ｎx ２０４に、塩素導
入ノズル１１７からの塩素ガスを照射すると共に、電子
銃１１６からの電子ビームを照射する。ＧａＯ1-x Ｎx
２０４及びＧａＮ膜２０３は、塩素ガスと電子ビームと
がともに照射された領域のみがエッチングされる。従っ
て、電子ビームを所定の走査パターンで走査させること
により、図２（ｅ）に示すように、ＧａＯ1-xＮx ２０
４及びＧａＮ２０３を選択的にエッチングしてパターン
２０５を形成することができる。Next, the substrate 201 is moved from the surface processing chamber 102 to the etching chamber 103 through the gate valve 104b. Then, the GaO 1-x N x 204 is irradiated with the chlorine gas from the chlorine introducing nozzle 117 and the electron beam from the electron gun 116. GaO 1-x N x
The 204 and the GaN film 203 are etched only in the regions irradiated with both chlorine gas and electron beam. Therefore, by scanning the electron beam in a predetermined scanning pattern, as shown in FIG. 2 (e), GaO 1-x N x 20
4 and GaN 203 can be selectively etched to form pattern 205.
【００１８】パターン２０５を形成した後、再び基板２
０１を成長室１０１へ移動させる。そして、基板温度を
４５０℃として、ガスノズル１０８からトリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ）を、Ａｓセル１０７からＡｓ4 を照射し
て、ＧａＡｓ層を成長させる。このとき、ＧａＡｓは、
ＧａＡｓバッファ層２０２上のみ成長し、ＧａＯ1-xＮ
x ２０４上では成長しない。このため、成長させたＧａ
Ａｓ層は、図２（ｆ）に示すようにパターン２０５を形
成した部分にのみ成長し、ＧａＡｓ選択成長層２０６と
なる。After forming the pattern 205, the substrate 2 is formed again.
01 is moved to the growth chamber 101. Then, the substrate temperature is set to 450 ° C., triethylgallium (TEG) is irradiated from the gas nozzle 108, and As 4 is irradiated from the As cell 107 to grow a GaAs layer. At this time, GaAs is
GaO 1-x N is grown only on the GaAs buffer layer 202.
Does not grow on x204. Therefore, the grown Ga
The As layer grows only in the portion where the pattern 205 is formed as shown in FIG. 2F and becomes the GaAs selective growth layer 206.
【００１９】最後に、ＧａＯ1-x Ｎx ２０４を除去す
る。除去の方法は次のとうりである。まず、Ｇａセル１
０６でメタルＧａを蒸発させ、ＧａＯ1-x Ｎx ２０４の
表面に照射して数モノレーヤー（５〜１５ＭＬ）のＧａ
を堆積させる。その後、基板温度を５５０℃として、こ
の状態を３０分程度保持する。次に、Ａｓセル１０７か
らＡｓを照射してＡｓ圧を印加しつつ、基板温度を６５
０℃に上げて３０分以上保持する。するとＧａＯ1-x Ｎ
x ２０４は熱的に分解し蒸発する。こうして、ＧａＯ
1-x Ｎx ２０４は完全に除去することができる。なお、
Ｇａの照射によりＧａＡｓ選択成長層２０６上に堆積し
たＧａは、その後のＡｓ照射によりＧａＡｓになるの
で、ここでは問題にならない。Finally, the GaO 1-x N x 204 is removed. The removal method is as follows. First, Ga cell 1
The metal Ga is vaporized at 06, and the surface of GaO 1-x N x 204 is irradiated with several monolayers (5 to 15 ML) of Ga.
Deposit. Then, the substrate temperature is set to 550 ° C. and this state is maintained for about 30 minutes. Next, the substrate temperature is set to 65 while irradiating As from the As cell 107 to apply As pressure.
Raise to 0 ° C and hold for 30 minutes or more. Then GaO 1-x N
The x 204 thermally decomposes and evaporates. In this way, GaO
1-x Nx 204 can be completely eliminated. In addition,
Since Ga deposited on the GaAs selective growth layer 206 by Ga irradiation becomes GaAs by the subsequent As irradiation, there is no problem here.
【００２０】この様に本実施例では、トリメチルガリウ
ムによる選択成長が可能である。また、ＧａＮの結晶性
によらずに選択成長を行うことができる。As described above, in this embodiment, selective growth with trimethylgallium is possible. In addition, selective growth can be performed regardless of the crystallinity of GaN.
【００２１】なお、上記実施例では、ジメチルヒドラジ
ンを用いてＧａＮ膜を形成したが、クラッキングしたア
ンモニアガスや、ラジカル化した窒素等、他の原料ガス
を用いてもよい。また、上記実施例では、ＧａＮ膜の表
面を酸化させるために酸素とハロゲンランプを用いた
が、酸素に代えてオゾンガスを用いてもよいし、光酸化
に代えて抵抗加熱により酸化させてもよい。さらに、上
記実施例では、ＧａＯ1- x Ｎx を除去する際にメタルの
Ｇａを用いたが、ＴＭＧや、ＴＥＧなどの有機金属ガス
を用いてもよい。さらにまた、上記実施例では、ＧａＡ
ｓ基板を用いたが、その他ＩｎＰ、ＧａＰ、Ｓｉ等、他
の半導体基板に対しても適用することができる。In the above embodiment, the GaN film was formed using dimethylhydrazine, but other source gases such as cracked ammonia gas and radicalized nitrogen gas may be used. Further, in the above-mentioned embodiment, oxygen and a halogen lamp are used to oxidize the surface of the GaN film, but ozone gas may be used instead of oxygen, or resistance heating may be used instead of photooxidation. . Furthermore, in the above-described embodiment, metal Ga is used when GaO 1- x N x is removed, but an organic metal gas such as TMG or TEG may be used. Furthermore, in the above embodiment, GaA
Although the s substrate is used, it can be applied to other semiconductor substrates such as InP, GaP, and Si.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明によれば、半導体表面を窒化して
窒化膜を形成し、さらに窒化膜の表面を酸化して酸化膜
を形成して、これら酸化膜及び窒化膜を選択成長用マス
ク材としたことで、半導体原料ガスの種類によらず、ま
た、選択成長用マスク材の結晶性によらず、選択成長を
安定して行うことができる。According to the present invention, the surface of a semiconductor is nitrided to form a nitride film, the surface of the nitride film is further oxidized to form an oxide film, and the oxide film and the nitride film are used as a mask for selective growth. By using the material, the selective growth can be stably performed regardless of the kind of the semiconductor raw material gas and the crystallinity of the selective growth mask material.
【００２３】また、本発明によれば、ＧａＯ1-x Ｎx 及
びＧａＮを選択成長用マスク材とした場合に、予めその
表面にＧａを堆積した後、加熱するようにしたことで、
マスク材を完全に除去することができる。Further, according to the present invention, when GaO 1-x N x and GaN are used as a mask material for selective growth, Ga is deposited on the surface in advance and then heated.
The mask material can be completely removed.
【００２４】さらに、本発明のマスク形成方法及びその
除去方法は、半導体基板を装置から取り出すこと無く実
施できるので真空一貫プロセスに利用することができ
る。Further, the mask forming method and its removing method of the present invention can be carried out without taking out the semiconductor substrate from the apparatus, and therefore can be utilized in a vacuum integrated process.
【図１】本発明の実施例において使用される装置の概略
図である。FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus used in an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例の工程図である。FIG. 2 is a process drawing of an example of the present invention.
１０１ 成長室（チャンバー） １０２ 表面処理室（チャンバー） １０３ エッチング室１０３ １０４ａ，１０４ｂ ゲートバルブ １０５ ヒーター １０６ Ｇａセル １０７ Ａｓセル １０８ ガスノズル １０９ ガスノズル １１０ 四重極質量分析器 １１１ ＲＨＥＥＤ（高速電子線回折）電子銃 １１２ ＲＨＥＥＤスクリーン １１３ ハロゲンランプ １１４ 酸素導入ノズル １１５ 四重極質量分析器 １１６ 電子銃 １１７ 塩素ガス導入ノズル ２０１ ＧａＡｓ（１００）基板 ２０２ ＧａＡｓバッファ層 ２０３ ＧａＮ膜 ２０４ ＧａＯ1-x Ｎx ２０５ パターン ２０６ ＧａＡｓ選択成長層101 growth chamber (chamber) 102 surface treatment chamber (chamber) 103 etching chamber 103 104a, 104b gate valve 105 heater 106 Ga cell 107 As cell 108 gas nozzle 109 gas nozzle 110 quadrupole mass spectrometer 111 RHEED (high-speed electron beam diffraction) electron Gun 112 RHEED screen 113 Halogen lamp 114 Oxygen introduction nozzle 115 Quadrupole mass analyzer 116 Electron gun 117 Chlorine gas introduction nozzle 201 GaAs (100) substrate 202 GaAs buffer layer 203 GaN film 204 GaO 1-x N x 205 pattern 206 GaAs Selective growth layer
Claims (7)
スを照射して前記半導体基板表面に窒化膜を形成する工
程と、前記半導体基板を酸素及びオゾンの一方の雰囲気
下に置き、前記窒化膜の表面に光を照射して酸化膜を形
成する工程と、前記酸化膜の表面に塩素ガスを照射する
とともに、前記酸化膜の表面の所定領域に電子ビームを
照射して前記酸化膜及び前記窒化膜を選択的に除去する
工程とを有することを特徴とする選択成長用マスクの形
成方法。1. A step of irradiating a surface of a semiconductor substrate with a raw material gas containing nitrogen to form a nitride film on the surface of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate being placed under one atmosphere of oxygen and ozone, Irradiating light on the surface of the oxide film to form an oxide film, and irradiating the surface of the oxide film with chlorine gas, and irradiating a predetermined region on the surface of the oxide film with an electron beam. And a step of selectively removing the film, the method for forming a mask for selective growth.
ガスを照射して前記半導体基板の表面に窒化膜を形成す
る工程と、前記半導体基板を酸素及びオゾンの一方の雰
囲気下に置き、前記半導体基板に電圧を印加することに
より加熱して前記窒化膜の表面に酸化膜を形成する工程
と、前記酸化膜の表面に塩素ガスを照射するとともに、
前記酸化膜の表面の所定領域に電子ビームを照射して前
記酸化膜及び前記窒化膜を選択的に除去する工程とを有
することを特徴とする選択成長用マスクの形成方法。2. A step of irradiating the surface of a semiconductor substrate with a source gas containing nitrogen to form a nitride film on the surface of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate being placed under one atmosphere of oxygen and ozone, A step of heating the semiconductor substrate by applying a voltage to form an oxide film on the surface of the nitride film, and irradiating the surface of the oxide film with chlorine gas,
A step of irradiating a predetermined region on the surface of the oxide film with an electron beam to selectively remove the oxide film and the nitride film.
素を含有する原料ガスを照射してＧａＮ膜を形成する工
程と、前記化合物半導体基板を酸素及びオゾンの一方の
雰囲気下に置き、前記ＧａＮ膜の表面に光を照射してＧ
ａＯ1-x Ｎx膜を形成する工程と、前記ＧａＯ1-x Ｎx
膜の表面に塩素ガスを照射するとともに、前記ＧａＯ
1-x Ｎx 膜の表面の所定領域に電子ビームを照射して前
記ＧａＯ1-x Ｎx 及び前記ＧａＮ膜を選択的に除去する
工程とを有することを特徴とする選択成長用マスクの形
成方法。3. A step of irradiating a surface of a compound semiconductor substrate containing Ga with a source gas containing nitrogen to form a GaN film, and the compound semiconductor substrate being placed under one atmosphere of oxygen and ozone to form the GaN film. Irradiate the surface of the film with light
forming aO 1-x N x film, and forming the GaO 1-x N x film.
The surface of the film is irradiated with chlorine gas and the GaO
Forming a mask for selective growth, which comprises irradiating a predetermined region on the surface of the 1-x N x film with an electron beam to selectively remove the GaO 1-x N x and the GaN film. Method.
素を含有する原料ガスを照射してＧａＮ膜を形成する工
程と、前記化合物半導体基板を酸素及びオゾンの一方の
雰囲気下に置き、前記化合物半導体基板に電圧を印加す
ることにより加熱してＧａＯ1-x Ｎx 膜を形成する工程
と、前記ＧａＯ1-x Ｎx 膜の表面に塩素ガスを照射する
とともに、前記ＧａＯ1-x Ｎx 膜の表面の所定領域に電
子ビームを照射して前記ＧａＯ1-x Ｎx 及び前記ＧａＮ
膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする
選択成長用マスクの形成方法。4. A step of irradiating a surface of a compound semiconductor substrate containing Ga with a source gas containing nitrogen to form a GaN film, the compound semiconductor substrate being placed in an atmosphere of one of oxygen and ozone, forming a GaO 1-x N x layer is heated by applying a voltage to the semiconductor substrate, while irradiating the chlorine gas to the surface of the GaO 1-x N x layer, wherein GaO 1-x N x A predetermined region on the surface of the film is irradiated with an electron beam to expose the GaO 1-x N x and the GaN.
And a step of selectively removing the film, the method for forming a mask for selective growth.
基板であることを特徴とする請求項３または４の選択成
長用マスクの形成方法。5. The compound semiconductor containing Ga is GaAs.
5. The method for forming a selective growth mask according to claim 3, wherein the mask is a substrate.
クラッキングしたアンモニアガス、及びラジカル化した
窒素のうちの一つであることを特徴とする請求項１、
２、３、４、または５の選択成長用マスクの形成方法。6. The source gas is dimethylhydrazine,
It is one of cracked ammonia gas and radicalized nitrogen, 1.
A method of forming a mask for selective growth of 2, 3, 4, or 5.
成されたＧａＮ膜と、該ＧａＮ膜の表面に形成されたＧ
ａＯ1-x Ｎx とを有する選択成長用マスクを除去する方
法において、ＧａＯ1-x Ｎx の表面にＧａを堆積させる
工程と、前記化合物半導体基板を加熱する工程とを含む
ことを特徴とする選択成長用マスクの除去方法。7. A GaN film formed on the surface of a compound semiconductor substrate containing Ga, and a G formed on the surface of the GaN film.
A method of removing a selective growth mask having aO 1-x N x , including the steps of depositing Ga on the surface of GaO 1-x N x and heating the compound semiconductor substrate. Method for removing mask for selective growth.
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1993
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