JPH07142194A - Microwave plasma treatment device - Google Patents
Microwave plasma treatment deviceInfo
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- JPH07142194A JPH07142194A JP5286889A JP28688993A JPH07142194A JP H07142194 A JPH07142194 A JP H07142194A JP 5286889 A JP5286889 A JP 5286889A JP 28688993 A JP28688993 A JP 28688993A JP H07142194 A JPH07142194 A JP H07142194A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
装置に関し、より詳細にはプラズマを利用して半導体素
子基板等にエッチング、アッシング（灰化）、ＣＶＤ等
の処理を施すのに適したマイクロ波プラズマ処理装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave plasma processing apparatus, and more particularly to a microwave plasma processing apparatus which is suitable for performing processing such as etching, ashing, and CVD on a semiconductor element substrate using plasma. Wave plasma processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ製造プロセスにおいて、反応ガス
に外部からエネルギーを与えた際に発生するプラズマは
広く用いられており、特にプラズマを用いたドライエッ
チング技術は不可欠の基本技術となっている。2. Description of the Related Art In an LSI manufacturing process, plasma generated when energy is externally applied to a reaction gas is widely used, and a dry etching technique using plasma is an indispensable basic technique.
【０００３】一般に、プラズマを発生させるための励起
手段としては、１３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波）が用
いられているが、マイクロ波を用いた方が低温で高密度
のプラズマが得られ、装置の構成及び操作も簡単である
等の利点がある。しかし、従来のマイクロ波を用いたプ
ラズマ処理装置では、大きな面積に均一にプラズマを発
生させることが困難であるため、大口径の半導体基板を
均一に処理することが困難であった。Generally, RF (high frequency) of 13.56 MHz is used as an excitation means for generating plasma. However, the use of microwave can obtain high-density plasma at low temperature and There are advantages such as simple configuration and operation. However, in a conventional plasma processing apparatus using microwaves, it is difficult to uniformly generate plasma in a large area, and thus it is difficult to uniformly process a large-diameter semiconductor substrate.
【０００４】それに対して、大きな面積に均一にマイク
ロ波プラズマを発生させることが可能なマイクロ波プラ
ズマ処理装置として、本出願人が特開昭６２−５６００
号公報、特開昭６２−９９４８１号公報において提案し
た誘電体線路を利用する方式が知られている。このマイ
クロ波プラズマ処理装置は反応器の上部がマイクロ波の
透過が可能な耐熱性板で封止され、その上方にマイクロ
波を導入するための誘電体線路が形成された構成となっ
ている。On the other hand, as a microwave plasma processing apparatus capable of uniformly generating microwave plasma in a large area, the applicant of the present invention disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-5600.
A method utilizing a dielectric line proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-99481 is known. In this microwave plasma processing apparatus, the upper part of the reactor is sealed with a heat resistant plate capable of transmitting microwaves, and a dielectric line for introducing microwaves is formed above the heat resistant plate.
【０００５】図５はこの種のマイクロ波プラズマ処理装
置を模式的に示した縦断面図であり、図中３０は中空直
方体形状の反応容器を示している。この反応容器３０は
上部壁を除く全体がＡｌ等の金属を用いて形成され、そ
の側壁は二重構造となっており、その内部は冷却水が流
れる冷却水通路３１となっている。この冷却水通路３１
の内側には反応室３２が形成されており、反応室３２の
上部はマイクロ波の透過が可能で、かつ誘電損失が小さ
い石英ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 等の耐熱性板１３により気密
状態に封止されている。また、反応室３２内部の耐熱性
板１３と対向する箇所には、試料Ｓを載置するための試
料台３４が配設されており、反応室３２の下部壁には図
示しない排気装置に接続される排気口３５が形成され、
反応室３２を構成する一側壁には反応室３２内に所要の
反応ガスを供給するためのガス供給管３６が接続されて
いる。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view schematically showing this type of microwave plasma processing apparatus, and reference numeral 30 in the drawing shows a hollow rectangular parallelepiped reaction vessel. The entire reaction vessel 30 except for the upper wall is made of a metal such as Al, the side wall thereof has a double structure, and the inside thereof is a cooling water passage 31 through which cooling water flows. This cooling water passage 31
A reaction chamber 32 is formed inside, and the upper portion of the reaction chamber 32 is hermetically sealed by a heat-resistant plate 13 such as quartz glass or Al 2 O 3 which has a low dielectric loss and can transmit microwaves. It has been stopped. A sample table 34 for mounting the sample S is provided at a position facing the heat resistant plate 13 inside the reaction chamber 32, and a lower wall of the reaction chamber 32 is connected to an exhaust device (not shown). The exhaust port 35 is formed,
A gas supply pipe 36 for supplying a desired reaction gas into the reaction chamber 32 is connected to one side wall of the reaction chamber 32.
【０００６】一方、反応容器３０の上方には誘電損失が
小さいフッ素樹脂、ポリエチレンあるいはポリスチレン
等を用いて形成された誘電体線路２０が配設され、誘電
体線路２０の外側には誘電体線路２０を覆うアルミニウ
ム等の金属板を用いて形成された蓋体２１が配設されい
る。また、誘電体線路２０には導波管２２が接続され、
導波管２２にはマイクロ波発振器２３が連結されてお
り、マイクロ波発振器２３から発振されたマイクロ波が
誘電体線路２０に導入されるようになっている。On the other hand, a dielectric line 20 made of fluororesin, polyethylene, polystyrene or the like having a small dielectric loss is disposed above the reaction vessel 30, and the dielectric line 20 is provided outside the dielectric line 20. A lid 21 formed by using a metal plate such as aluminum for covering the above is provided. A waveguide 22 is connected to the dielectric line 20,
A microwave oscillator 23 is connected to the waveguide 22, and the microwave oscillated from the microwave oscillator 23 is introduced into the dielectric line 20.
【０００７】このように構成されたマイクロ波プラズマ
処理装置を用い、試料Ｓ表面にエッチング処理等を施す
場合、まず試料台３４上に試料Ｓを載置し、次に冷却水
通路３１内に冷却水を循環させた後、排気口３５から排
気して反応室３２を所要の真空度に設定し、この後ガス
供給管３６から反応ガスを供給する。次いで、マイクロ
波発振器２３においてマイクロ波を発振させ、導波管２
２を介して誘電体線路２０にマイクロ波を導入し、誘電
体線路２０の下方に電界を形成する。形成された電界は
耐熱性板１３を通過して反応室３２内に至り、プラズマ
を発生させ、このプラズマによって試料Ｓ表面にエッチ
ング等の処理が施される。When the surface of the sample S is subjected to an etching treatment or the like by using the microwave plasma processing apparatus thus constructed, the sample S is first placed on the sample table 34 and then cooled in the cooling water passage 31. After circulating the water, it is exhausted from the exhaust port 35 to set the reaction chamber 32 to a required degree of vacuum, and then the reaction gas is supplied from the gas supply pipe 36. Next, microwaves are oscillated in the microwave oscillator 23, and the waveguide 2
A microwave is introduced into the dielectric line 20 via 2 to form an electric field below the dielectric line 20. The formed electric field passes through the heat resistant plate 13 and reaches the inside of the reaction chamber 32 to generate plasma, and the plasma is subjected to a treatment such as etching on the surface of the sample S.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のマイク
ロ波プラズマ処理装置においては、プラズマを均一に発
生させるために、マイクロ波の伝搬特性等を考慮して反
応容器３０の内部形状が直方体形状となっている。しか
しながら、反応容器３０の内部形状が直方体形状である
と、プラズマが反応室３２内の角部にも発生するため、
試料Ｓが円形のＳｉウエハ等である場合に、角部のプラ
ズマを処理に直接関係させることができず無駄になると
いう課題があった。また円形の試料Ｓを処理することが
多いことから試料台３４も通常平面視円形状をしてお
り、プラズマの流れが試料台３４の形状に対応せず、試
料Ｓ表面へプラズマが均一に供給されず、均一処理を行
うことができないという課題があった。In the above-mentioned conventional microwave plasma processing apparatus, in order to generate plasma uniformly, the internal shape of the reaction vessel 30 should be a rectangular parallelepiped shape in consideration of microwave propagation characteristics and the like. Has become. However, when the internal shape of the reaction container 30 is a rectangular parallelepiped, plasma is also generated at the corners of the reaction chamber 32,
When the sample S is a circular Si wafer or the like, there is a problem that the plasma at the corners cannot be directly related to the processing and is wasted. Further, since the circular sample S is often processed, the sample stage 34 is also usually circular in plan view, the plasma flow does not correspond to the shape of the sample stage 34, and the plasma is uniformly supplied to the surface of the sample S. Therefore, there is a problem that uniform processing cannot be performed.
【０００９】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであって、プラズマを均一に発生させることができな
がら、しかも試料処理に関して不要なプラズマ発生部分
をなくし、プラズマの有効利用及び均一処理を可能とす
るマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを目的と
している。The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to generate plasma uniformly, and yet to eliminate the unnecessary plasma generation portion for sample processing, thereby enabling effective use and uniform processing of plasma. It is an object of the present invention to provide a microwave plasma processing apparatus that enables the processing.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マイク
ロ波発生手段と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導
波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向す
るように配置され、該誘電体線路に対向する一端がマイ
クロ波を透過する耐熱性板で封止され、内部に試料台が
配置された円筒形状の金属製の反応容器と、該反応容器
内において前記耐熱性板に接して配置された矩形の孔を
有する金属板とを備えていることを特徴としている。In order to achieve the above object, a microwave plasma processing apparatus according to the present invention is provided with a microwave generating means, a waveguide for transmitting microwaves, and a waveguide connected thereto. A cylindrical shape in which a dielectric line and a dielectric line are arranged so as to face the dielectric line, one end facing the dielectric line is sealed with a heat-resistant plate that transmits microwaves, and a sample table is arranged inside. And a metal plate having a rectangular hole arranged in contact with the heat-resistant plate in the reaction container.
【００１１】[0011]
【作用】上記マイクロ波プラズマ処理装置では、マイク
ロ波が前記誘電体線路を伝搬する際、該誘電体線路に垂
直な方向にも、電界が形成される。そして、この電界に
よって前記耐熱性板の下に前記誘電体線路と平行的にプ
ラズマが発生するので、マイクロ波が前記誘電体線路に
垂直方向に供給され、前記耐熱性板の下にプラズマを発
生させているとみなすことができる。また主要部の形状
が略矩形形状である前記誘電体線路は、その上面が金属
板からなる蓋体により覆われているので、前記誘電体線
路上のマイクロ波電力はマイクロ波の伝搬方向に垂直な
面に関し、及び伝搬方向に関してどの地点においてもほ
ぼ同じと考えられる。In the above microwave plasma processing apparatus, when the microwave propagates through the dielectric line, an electric field is also formed in the direction perpendicular to the dielectric line. The electric field causes plasma to be generated under the heat resistant plate in parallel with the dielectric line, so that microwaves are supplied to the dielectric line in a vertical direction to generate plasma under the heat resistant plate. It can be regarded as being. In addition, since the upper surface of the dielectric line whose main part has a substantially rectangular shape is covered with a lid made of a metal plate, the microwave power on the dielectric line is perpendicular to the microwave propagation direction. It is considered to be almost the same at any point with respect to the plane and the propagation direction.
【００１２】従って、反応容器内において前記耐熱性板
に接して配置された矩形の孔を有する金属板を備えてい
ることにより、前記矩形の孔から反応室に均一にマイク
ロ波電力が供給され、前記反応室でのプラズマの均一発
生が可能となる。Therefore, by providing a metal plate having a rectangular hole arranged in contact with the heat-resistant plate in the reaction vessel, microwave power is uniformly supplied to the reaction chamber from the rectangular hole, It is possible to uniformly generate plasma in the reaction chamber.
【００１３】また、前記反応容器の内部空間が円筒形状
であるので、発生した均一なプラズマが前記反応室内で
円筒形状に拡散する。したがって、プラズマの流れが前
記試料台の形状に対応することとなり、前記試料表面に
プラズマが均一に供給され、均一な処理を行うことが可
能となると共に、不要なプラズマ発生部分がなくなり、
プラズマを効率良く処理に用いることが可能となる。Further, since the inner space of the reaction vessel is cylindrical, the generated uniform plasma diffuses into the reaction chamber in a cylindrical shape. Therefore, the flow of plasma corresponds to the shape of the sample stage, plasma is uniformly supplied to the sample surface, it is possible to perform a uniform treatment, there is no unnecessary plasma generation portion,
Plasma can be efficiently used for processing.
【００１４】[0014]
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るマイクロ波プ
ラズマ処理装置の実施例及び比較例を図面に基づいて説
明する。なお、実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装
置の構成は図５に示した従来のマイクロ波プラズマ処理
装置の構成と略同様であるため、ここでは同じ部分の説
明は省略し、従来のものと相違する箇所についてのみそ
の構成を説明する。また、従来例と同一の構成部品には
同一の符合を付すこととする。図２は実施例に係るマイ
クロ波プラズマ処理装置を示した模式的縦断面図であ
り、図３は金属板が設置された状態の反応容器を示した
平面図である。図中１０は中空円筒形状の反応容器を示
しており、反応容器１０は上部壁を除く全体がＡｌ、ス
テンレス等の金属を用いて形成され、その側壁は二重構
造となっており、その内部は冷却水が流れる冷却水通路
１１となっている。この冷却水通路１１の内側には反応
室１２が形成されており、反応室１２の上部はマイクロ
波の透過が可能で、かつ誘電損失が小さな材料、例えば
石英ガラスまたはＡｌ2 Ｏ3 板等を用いて形成された耐
熱性板１３により気密状態に封止されている。耐熱性板
１３直下にはＡｌを用いて形成された金属板１７が設置
されており、この金属板１７の所定箇所には矩形の孔１
７ａが形成されている。また、反応室１２内部の金属板
１７と対向する箇所には、試料Ｓを載置するための試料
台１４が配設されており、反応室１２の下部壁には図示
しない排気装置に接続される排気口１５が形成され、反
応室１２を構成する一側壁には反応室１２内に所要の反
応ガスを供給するためのガス供給管１６が接続されてい
る。EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES Examples and comparative examples of the microwave plasma processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Since the structure of the microwave plasma processing apparatus according to the embodiment is substantially the same as the structure of the conventional microwave plasma processing apparatus shown in FIG. 5, the description of the same parts is omitted here and different from the conventional one. The configuration will be described only for the parts to be performed. Further, the same components as those of the conventional example are designated by the same reference numerals. FIG. 2 is a schematic vertical cross-sectional view showing a microwave plasma processing apparatus according to an embodiment, and FIG. 3 is a plan view showing a reaction container in which a metal plate is installed. Reference numeral 10 in the figure shows a hollow cylindrical reaction vessel. The entire reaction vessel 10 except for the upper wall is made of metal such as Al and stainless steel, and its side wall has a double structure, Is a cooling water passage 11 through which cooling water flows. A reaction chamber 12 is formed inside the cooling water passage 11, and an upper portion of the reaction chamber 12 is made of a material that allows transmission of microwaves and has a small dielectric loss, such as quartz glass or an Al 2 O 3 plate. It is sealed in an airtight state by the heat-resistant plate 13 formed by using. A metal plate 17 made of Al is installed just below the heat resistant plate 13, and a rectangular hole 1 is formed at a predetermined position of the metal plate 17.
7a is formed. A sample table 14 for mounting the sample S is arranged at a position facing the metal plate 17 inside the reaction chamber 12, and a lower wall of the reaction chamber 12 is connected to an exhaust device (not shown). An exhaust port 15 is formed, and a gas supply pipe 16 for supplying a desired reaction gas into the reaction chamber 12 is connected to one side wall of the reaction chamber 12.
【００１５】このように構成されたマイクロ波プラズマ
処理装置を用い、円形のＳｉウエハ等の試料Ｓ表面にプ
ラズマ処理等を行う場合、図５に示した従来の装置の場
合と同様に行うことにより、誘電体線路２０の下方に電
界が形成され、形成された電界は耐熱性板１３を透過
し、さらに矩形の孔１７を通って円筒形状の反応室１２
内に至り、均一なプラズマが生成される。この均一なプ
ラズマが反応室１２内の試料Ｓ周辺に円筒形状に導か
れ、試料Ｓの表面を均一に処理する。When plasma processing or the like is performed on the surface of a sample S such as a circular Si wafer by using the microwave plasma processing apparatus having the above-described structure, the same processing as in the conventional apparatus shown in FIG. 5 is performed. An electric field is formed below the dielectric line 20, the formed electric field passes through the heat resistant plate 13, and further passes through the rectangular hole 17 to form the cylindrical reaction chamber 12.
Inside, a uniform plasma is generated. This uniform plasma is guided into the cylindrical shape around the sample S in the reaction chamber 12, and the surface of the sample S is uniformly processed.
【００１６】図４は実施例及び比較例に係るマイクロ波
プラズマ処理装置において、発生させたプラズマの発生
効率を評価するために、イオン電流密度を測定した結果
を示したグラフである。FIG. 4 is a graph showing the result of measuring the ion current density in order to evaluate the generation efficiency of the generated plasma in the microwave plasma processing apparatus according to the example and the comparative example.
【００１７】なおイオン電流密度の測定は、試料台１４
上であって耐熱性板１３から下方に５０ｍｍの位置にイ
オン電流測定用プローブを置き、ガスとしてＡｒを用
い、反応室１２内の圧力を１０ｍＴｏｒｒに設定し、マ
イクロ波発振器２３から１ｋＷのマイクロ波電力を供給
し、前記イオン電流測定用プローブに流れる電流を測定
した。イオン電流密度は電流を前記イオン電流測定用プ
ローブの電極面積で割ることにより求めた。The ion current density is measured by the sample table 14
A probe for ion current measurement is placed at a position 50 mm below and above the heat resistant plate 13, Ar is used as a gas, the pressure in the reaction chamber 12 is set to 10 mTorr, and the microwave of the microwave oscillator 23 is set to 1 kW. Power was supplied and the current flowing through the ion current measuring probe was measured. The ionic current density was determined by dividing the current by the electrode area of the probe for measuring ionic current.
【００１８】実施例３として、反応容器１０の内径を３
１０ｍｍ、金属板１７に設けられた矩形の孔１７ａの寸
法を縦２００ｍｍ×横２００ｍｍにそれぞれ設定した場
合におけるイオン電流密度を測定した。また比較例とし
て、図５に示した従来の装置において、反応容器３０の
寸法を縦３００ｍｍ×横３００ｍｍに設定した場合につ
いても同様に実験を行い、イオン電流密度を測定した。
ただし、いずれの装置においても誘電体線路２０として
厚さ２０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、幅３００ｍｍのふっ素
樹脂を用いた。As Example 3, the inner diameter of the reaction vessel 10 was set to 3
The ion current density was measured when the dimensions of the rectangular holes 17a provided in the metal plate 17 were 10 mm and 200 mm in length × 200 mm in width, respectively. In addition, as a comparative example, the same experiment was performed in the case where the dimensions of the reaction vessel 30 were set to 300 mm long × 300 mm wide in the conventional apparatus shown in FIG. 5, and the ion current density was measured.
However, in any of the devices, the dielectric line 20 was made of a fluororesin having a thickness of 20 mm, a length of 500 mm and a width of 300 mm.
【００１９】図４から明らかなように実施例に係る装置
では、平均イオン電流密度が２０ｍＡ／ｃｍ2 、イオン
電流密度の均一性が±５％であったのに対し、比較例に
係る装置では、平均イオン電流密度が約１３ｍＡ／ｃｍ
2 、イオン電流密度の均一性が±８％であった。このよ
うに耐熱性板１３の下に矩形の孔１７ａを有する金属板
１７が接して設置され、かつ円筒形状の反応容器１０が
配設されていることにより、供給される平均イオン電流
密度を高くかつ均一にし、プラズマの均一発生及び有効
利用が可能になる。As is apparent from FIG. 4, in the device according to the example, the average ion current density was 20 mA / cm 2 , and the uniformity of the ion current density was ± 5%, whereas in the device according to the comparative example. , Average ion current density is about 13mA / cm
2. The uniformity of ion current density was ± 8%. Since the metal plate 17 having the rectangular hole 17a is placed in contact with the heat-resistant plate 13 and the cylindrical reaction vessel 10 is arranged as described above, the average ion current density to be supplied is increased. In addition, the plasma is made uniform and uniform generation and effective use of plasma are possible.
【００２０】以上説明したように実施例に係るマイクロ
波プラズマ処理装置にあっては、反応容器１０内におい
て耐熱性板１３に接して配置された矩形の孔１７ａを有
する金属板１７とを備えているので、マイクロ波を矩形
の孔１７ａから反応容器１０内へ導入することにより、
反応室１２に均一にマイクロ波電力を供給し、反応室１
２内でプラズマを均一に発生させることができる。As described above, the microwave plasma processing apparatus according to the embodiment is provided with the metal plate 17 having the rectangular hole 17a arranged in contact with the heat resistant plate 13 in the reaction vessel 10. Therefore, by introducing microwaves into the reaction vessel 10 through the rectangular hole 17a,
Microwave power is uniformly supplied to the reaction chamber 12, and the reaction chamber 1
Plasma can be uniformly generated in the chamber 2.
【００２１】また反応容器１０の内部空間が円筒形状で
あるので、発生した均一なプラズマを反応室１２内で円
筒形状に拡散させることにより、プラズマの流れを試料
台１４の円形形状に対応させ、試料Ｓ表面にプラズマを
均一に供給して均一な処理を行うことができると共に、
不要なプラズマ発生部分をなくし、プラズマを効率良く
処理に用いることができる。Further, since the internal space of the reaction vessel 10 is cylindrical, the uniform plasma generated is diffused into the cylindrical shape in the reaction chamber 12 so that the plasma flow corresponds to the circular shape of the sample stage 14, Plasma can be uniformly supplied to the surface of the sample S for uniform processing, and
Plasma can be efficiently used for processing by eliminating unnecessary plasma generation portions.
【００２２】なお本実施例では、金属板１７にＡｌを用
いた場合を例とって説明したが、別の実施例では、金属
板１７にステンレス等を用いても良い。In this embodiment, the case where Al is used for the metal plate 17 has been described as an example, but in another embodiment, the metal plate 17 may be made of stainless steel or the like.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るマイク
ロ波プラズマ処理装置においては、マイクロ波発生手段
と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続さ
れた誘電体線路と、該誘電体線路に対向するように配置
され、該誘電体線路に対向する一端がマイクロ波を透過
する耐熱性板で封止され、内部に試料台が配置された円
筒形状の金属製の反応容器と、該反応容器内において耐
熱性板に接して配置された矩形の孔を有する金属板とを
備えているので、前記矩形の孔から反応室へ均一にマイ
クロ波電力を供給し、前記反応室でのプラズマの均一発
生を行うことができる。As described above in detail, in the microwave plasma processing apparatus according to the present invention, the microwave generating means, the waveguide for transmitting the microwave, and the dielectric line connected to the waveguide. And a cylindrical metal member having a cylindrical shape in which a sample stand is arranged so as to be opposed to the dielectric line, and one end facing the dielectric line is sealed with a heat-resistant plate that transmits microwaves. Since a reaction vessel and a metal plate having a rectangular hole arranged in contact with the heat-resistant plate in the reaction vessel are provided, microwave power is uniformly supplied to the reaction chamber from the rectangular hole, Plasma can be uniformly generated in the reaction chamber.
【００２４】また前記反応容器の内部空間が円筒形状で
あるので、発生した均一なプラズマを前記反応室内で円
筒形状に拡散させることにより、プラズマの流れを前記
試料台の形状に対応させ、前記試料表面にプラズマを均
一に供給し、均一な処理を行うことができると共に、不
要なプラズマ発生部分をなくし、プラズマを効率良く処
理に用いることができる。Further, since the internal space of the reaction vessel is cylindrical, the generated plasma is diffused into a cylindrical shape in the reaction chamber so that the flow of plasma corresponds to the shape of the sample stage, It is possible to uniformly supply plasma to the surface and perform uniform treatment, eliminate unnecessary plasma generation portions, and efficiently use plasma for treatment.
【図１】マイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ
波による電界発生部分を模式的に示した縦断面図であ
る。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view schematically showing a portion of an electric field generated by microwaves in a microwave plasma processing apparatus.
【図２】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の実
施例を模式的に示した縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view schematically showing an embodiment of a microwave plasma processing apparatus according to the present invention.
【図３】実施例に係る金属板が設置された状態の反応容
器を示した平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a reaction container in which a metal plate according to an embodiment is installed.
【図４】実施例及び比較例に係るマイクロ波プラズマ処
理装置におけるイオン電流密度の密度分布を示したグラ
フである。FIG. 4 is a graph showing a density distribution of ion current densities in the microwave plasma processing apparatuses according to the example and the comparative example.
【図５】従来のマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に
示した縦断面図である。FIG. 5 is a vertical sectional view schematically showing a conventional microwave plasma processing apparatus.
１０ 反応容器 １３ 耐熱性板 １４ 試料台 １７ 金属板 １７ａ 矩形の孔 ２０ 誘電体線路 ２２ 導波管 ２３ マイクロ波発振器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Reaction container 13 Heat-resistant plate 14 Sample stage 17 Metal plate 17a Rectangular hole 20 Dielectric line 22 Waveguide 23 Microwave oscillator
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/3065
Claims (1)
送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、
該誘電体線路に対向するように配置され、該誘電体線路
に対向する一端がマイクロ波を透過する耐熱性板で封止
され、内部に試料台が配置された円筒形状の金属製の反
応容器と、該反応容器内において前記耐熱性板に接して
配置された矩形の孔を有する金属板とを備えていること
を特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。1. A microwave generating means, a waveguide for transmitting microwaves, and a dielectric line connected to the waveguide,
A cylindrical metal reaction container which is arranged so as to face the dielectric line, has one end facing the dielectric line sealed with a heat-resistant plate that transmits microwaves, and has a sample stand inside. And a metal plate having a rectangular hole arranged in contact with the heat-resistant plate in the reaction container.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5286889A JPH07142194A (en) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | Microwave plasma treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5286889A JPH07142194A (en) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | Microwave plasma treatment device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142194A true JPH07142194A (en) | 1995-06-02 |
Family
ID=17710319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5286889A Pending JPH07142194A (en) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | Microwave plasma treatment device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142194A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7728251B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus with dielectric plates and fixing member wavelength dependent spacing |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP5286889A patent/JPH07142194A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7728251B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus with dielectric plates and fixing member wavelength dependent spacing |
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