JP2921302B2 - Microwave plasma processing equipment - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
装置に関し、より詳細には例えば半導体素子基板等のエ
ッチング装置、アッシング装置、薄膜形成処理装置等と
して用いられるマイクロ波プラズマ処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave plasma processing apparatus, and more particularly to a microwave plasma processing apparatus used as, for example, an etching apparatus for semiconductor element substrates, an ashing apparatus, a thin film forming processing apparatus, and the like.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ＬＳＩの製造工程においては、反応ガス
に対して外部からエネルギーを与えた際に発生するプラ
ズマを用いて各種の処理を施すことが多く行なわれてい
る。特にプラズマを用いたドライエッチング技術は、Ｌ
ＳＩの製造工程において不可欠の基本技術になってい
る。2. Description of the Related Art In an LSI manufacturing process, various processes are often performed using plasma generated when external energy is applied to a reaction gas. In particular, the dry etching technology using plasma
It has become an indispensable basic technology in the SI manufacturing process.

【０００３】一般にプラズマを生成させるための励起手
段には、マイクロ波を用いる場合とＲＦ（Radio Freque
ncy ）を用いる場合とがある。マイクロ波を用いた場
合、ＲＦを用いた場合に比べてより低温で高密度のプラ
ズマが得られるとともに、電極による汚染も少なく、装
置の構成及びその操作が簡単である等の利点がある。し
かし、従来のマイクロ波を用いたプラズマ装置において
は、プラズマ発生領域が小さく、またこのプラズマ発生
領域内で均一にプラズマを発生させることが難かしく、
したがって大口径の半導体基板を均一に処理することが
困難であった。In general, a microwave is used as an excitation means for generating plasma, and an RF (Radio Frequency)
ncy). The use of microwaves has the advantages of obtaining plasma at a lower temperature and higher density than the case of using RF, less contamination by electrodes, and the simplicity of the apparatus configuration and operation. However, in a conventional plasma device using microwaves, the plasma generation region is small, and it is difficult to uniformly generate plasma in the plasma generation region.
Therefore, it has been difficult to uniformly process a large-diameter semiconductor substrate.

【０００４】プラズマ発生領域が広く、かつ均一にマイ
クロ波プラズマを発生させることが可能な装置として、
誘電体線路を用いた方式のものが知られている（特開昭
６２−５６００号公報、特開昭６２−９９４８１号公
報）。図１はこの種のマイクロ波プラズマ処理装置を模
式的に示した図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は
（ａ）におけるＡ−Ａ′線部分断面図を示している。図
中１０は中空直方体形状の反応器を示しており、反応器
１０はステンレス等の金属を用いて形成され、その内部
には冷却水が流れる冷却水通路１１が形成されている。
冷却水通路１１の内側には反応室側壁１２ａ、１２ｂで
囲まれた反応室１２が形成されており、また反応器１０
の上部は、耐熱性とマイクロ波透過性とを有し、かつ誘
電損失が小さい石英ガラス、アルミナ等の誘電体板を用
いて形成されたマイクロ波導入窓１３により、気密状態
に封止されている。反応室１２内にはマイクロ波導入窓
１３と対向する箇所に、試料Ｓを載置するための試料保
持部１４が配設されており、反応器１０の下部壁には図
示しない排気装置に接続される排気口１５が形成され、
反応器１０の一側壁には反応室１２内に所要の反応ガス
を供給するためのガス供給管１６が接続されている。As an apparatus capable of generating microwave plasma uniformly with a wide plasma generation area,
A method using a dielectric line is known (Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Sho 62-5600 and 62-99481). FIGS. 1A and 1B schematically show a microwave plasma processing apparatus of this type, in which FIG. 1A is a longitudinal sectional view, and FIG. 1B is a partial sectional view taken along line AA 'in FIG. In the figure, reference numeral 10 denotes a hollow rectangular parallelepiped reactor. The reactor 10 is formed using a metal such as stainless steel, and has a cooling water passage 11 in which cooling water flows.
A reaction chamber 12 surrounded by reaction chamber side walls 12 a and 12 b is formed inside the cooling water passage 11.
The upper part is hermetically sealed by a microwave introduction window 13 formed using a dielectric plate such as quartz glass or alumina having heat resistance and microwave permeability and having a small dielectric loss. I have. In the reaction chamber 12, a sample holding unit 14 for mounting the sample S is provided at a position facing the microwave introduction window 13, and a lower wall of the reactor 10 is connected to an exhaust device (not shown). Exhaust port 15 is formed,
A gas supply pipe 16 for supplying a required reaction gas into the reaction chamber 12 is connected to one side wall of the reactor 10.

【０００５】一方、反応器１０の上方には誘電損失が小
さいフッ素樹脂、ポリエチレンあるいはポリスチレン等
を用いて形成された幅方向の長さがｗ_Y の誘電体線路２
０が配設され、誘電体線路２０の外側には誘電体線路２
０を覆うアルミニウム等の金属板を用いて形成された蓋
体２１が配設されており、蓋体２１は誘電体線路２０上
面に形成された上面部２１ａ及び誘電体線路２０側面の
それぞれに形成された側面部２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、
２１ｅとにより構成されている。また、誘電体線路２０
には導波管２３が接続され、導波管２３にはマイクロ波
発振器２４が連結接されており、マイクロ波発振器２４
から発振されたマイクロ波が誘電体線路２０に導入され
るようになっている。On the other hand, above the reactor 10, a dielectric line 2 having a length in the width direction of w _{Y and made} of fluororesin, polyethylene or polystyrene having a small dielectric loss is used.
0 is disposed outside the dielectric line 20.
A cover 21 formed by using a metal plate of aluminum or the like is provided to cover the upper surface portion 21 a formed on the upper surface of the dielectric line 20 and the side surface of the dielectric line 20. Side portions 21b, 21c, 21d,
21e. Also, the dielectric line 20
Is connected to a waveguide 23, and a microwave oscillator 24 is connected to and connected to the waveguide 23.
Is introduced into the dielectric line 20.

【０００６】このように構成されたマイクロ波プラズマ
処理装置を用いて例えば試料保持部１４上に載置された
試料Ｓ表面にエッチング処理を施す場合、まず冷却水を
冷却水通路１１内に循環させ、次に排気口１５から排気
を行って反応室１２内を所要の真空度に設定した後、ガ
ス供給管１６から反応ガスを供給する。次いで、マイク
ロ波発振器２４においてマイクロ波を発振させ、導波管
２３を介して誘電体線路２０に導入する。すると誘電体
線路２０下方に電界が形成され、形成された電界がマイ
クロ波導入窓１３を透過して反応室１２内に供給されて
プラズマが生成され、この生成されたプラズマが試料Ｓ
表面に導かれ、試料Ｓ表面をエッチングする。When etching the surface of the sample S placed on the sample holder 14, for example, by using the microwave plasma processing apparatus having such a configuration, cooling water is first circulated through the cooling water passage 11. Then, after exhausting from the exhaust port 15 to set the inside of the reaction chamber 12 to a required degree of vacuum, the reaction gas is supplied from the gas supply pipe 16. Next, the microwave is oscillated by the microwave oscillator 24 and introduced into the dielectric line 20 through the waveguide 23. Then, an electric field is formed below the dielectric line 20, and the formed electric field is transmitted through the microwave introduction window 13 and supplied into the reaction chamber 12 to generate plasma.
Guided to the surface, the sample S surface is etched.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記したマイクロ波プ
ラズマ処理装置においては、マイクロ波の進行方向Ｚに
垂直な誘電体線路２０の幅方向Ｙにおける長さｗ_Y と反
応室１２の水平断面部（以下、プラズマ発生領域１７と
記し、斜線で示す）の幅方向Ｙにおける長さＷ_Yとの関
係について、確立された技術が存在しなかった。そのた
め誘電体線路２０の幅方向長さｗ_Y 、プラズマ発生領域
１７の幅方向長さＷ_Y の設定値によってはプラズマ発生
の均一性が確保されず、試料Ｓ周辺部におけるプラズマ
密度の均一性が低下するおそれがあるという課題があっ
た。In the microwave plasma processing apparatus described above, the length w _Y of the dielectric line 20 in the width direction Y perpendicular to the microwave traveling direction Z and the horizontal cross section of the reaction chamber 12 ( Hereinafter, there is no established technique for the relationship with the length W _Y in the width direction Y of the plasma generation region 17 (indicated by oblique lines). Therefore widthwise length w _Y of the dielectric waveguide 20, by the length in the width direction W _Y of the set value of the plasma generation region 17 is not ensured the uniformity of plasma generation, the uniformity of the plasma density in the sample S periphery There has been a problem that there is a risk of lowering.

【０００８】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、広いプラズマ発生領域においてプラズマ密度
の均一性を高めることができ、大口径の半導体基板を均
一に処理することができるマイクロ波プラズマ処理装置
を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to improve the uniformity of plasma density in a wide plasma generation region and to uniformly process a large-diameter semiconductor substrate. It is intended to provide a processing device.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マイク
ロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波
管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置
されたマイクロ波導入窓を有する反応器とを備えたマイ
クロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波の進行方
向に垂直な前記誘電体線路の幅方向長さが前記反応器に
おけるプラズマ発生領域の幅方向長さ以上に設定されて
いることを特徴としている。In order to achieve the above object, a microwave plasma processing apparatus according to the present invention comprises a microwave oscillator, a waveguide for transmitting microwaves, and a waveguide connected to the waveguide. In a microwave plasma processing apparatus including a dielectric line and a reactor having a microwave introduction window disposed opposite to the dielectric line, a width direction length of the dielectric line perpendicular to a microwave traveling direction is provided. Is set to be equal to or longer than the width in the width direction of the plasma generation region in the reactor.

【００１０】[0010]

【作用】一般にマイクロ波は、誘電率が高い物質に集中
する傾向があり、また誘電体線路の外側に配設された金
属板によって反射される性質がある。したがって、マイ
クロ波によって生成される電界は、誘電体線路の周囲に
配設された金属等の影響を強く受ける{K.Komachi and
S.kobayasi,J.Microwave Power,24,P.140-149,(198
9)}。すなわち図１に示したように、マイクロ波の進行
方向Ｚに垂直な縦方向Ｘにおいては、誘電体線路２０に
導入されたマイクロ波が蓋体２１の上面部２１ａで反射
され、開放面２０ａから漏洩して誘電体線路２０下方に
電界を形成する。この電界は、強度が誘電体線路２０の
開放面２０ａから離れるにしたがって指数関数的に減衰
しながら、マイクロ波導入窓１３を透過し、反応室１２
内においてプラズマを生成させる。またマイクロ波の進
行方向Ｚにおいては、誘電体線路２０に導入されたマイ
クロ波が誘電体線路２０に沿って伝播し、蓋体２１の側
面部２１ｃで反射されるとともに、開放面２０ａから漏
洩して誘電体線路２０下方に電界を形成する。この場
合、Ｚ方向における電界強度は定在波の存在を示す正弦
波状に分布している。しかしこの定在波の波長は数十ミ
リメートル以下であるため、マイクロ波導入窓１３を透
過し反応室１２内で生成したプラズマは、容易に拡散さ
れ均一化される。一方、マイクロ波の進行方向Ｚに垂直
な幅方向Ｙに関する電界の強度は、誘電体線路２０近傍
の下方では高く、誘電体線路２０から離れるにしたがっ
て低下し、略台形状に分布している。Generally, microwaves tend to concentrate on a substance having a high dielectric constant, and are reflected by a metal plate disposed outside the dielectric line. Therefore, the electric field generated by the microwave is strongly affected by metals and the like disposed around the dielectric line {K. Komachi and
S. kobayasi, J. Microwave Power, 24, P. 140-149, (198
9)}. That is, as shown in FIG. 1, in the vertical direction X perpendicular to the traveling direction Z of the microwave, the microwave introduced to the dielectric line 20 is reflected by the upper surface 21 a of the lid 21, and from the open surface 20 a Leakage forms an electric field below the dielectric line 20. This electric field transmits through the microwave introduction window 13 while exponentially attenuating as the intensity moves away from the open surface 20 a of the dielectric line 20, and passes through the reaction chamber 12.
A plasma is generated inside. In the traveling direction Z of the microwave, the microwave introduced into the dielectric line 20 propagates along the dielectric line 20, is reflected by the side surface 21c of the lid 21, and leaks from the open surface 20a. Thus, an electric field is formed below the dielectric line 20. In this case, the electric field strength in the Z direction is distributed in a sine wave shape indicating the presence of a standing wave. However, since the wavelength of the standing wave is several tens of millimeters or less, the plasma generated through the microwave introduction window 13 and generated in the reaction chamber 12 is easily diffused and uniformized. On the other hand, the intensity of the electric field in the width direction Y perpendicular to the traveling direction Z of the microwave is high below the vicinity of the dielectric line 20, decreases as the distance from the dielectric line 20 increases, and is distributed in a substantially trapezoidal shape.

【００１１】上記調査結果に基づいて考察すると、幅方
向Ｙにおける電界強度が台形状に分布している場合、こ
のような電界がマイクロ波導入窓１３を透過し、反応室
１２内のプラズマ発生領域１７においてプラズマを生成
させると、生成されたプラズマは不均一になり、反応室
側壁１２ａの影響等があるため、拡散のみによりプラズ
マが均一化されることは難しい。したがってプラズマ発
生領域１７に導入される電界の強度を均一化するには、
主として強度レベルが揃った電界をプラズマ発生領域１
７上に形成する必要があり、そのためには誘電体線路２
０における幅方向長さｗ_Y をプラズマ発生領域１７にお
ける幅方向長さＷ_Y 以上になるように設定すればよいと
考えられる。Considering the results of the above investigation, when the electric field strength in the width direction Y is distributed in a trapezoidal shape, such an electric field penetrates the microwave introduction window 13 and the plasma generation region in the reaction chamber 12. When the plasma is generated in step 17, the generated plasma becomes non-uniform and is affected by the reaction chamber side wall 12a. Therefore, it is difficult to make the plasma uniform only by diffusion. Therefore, to make the intensity of the electric field introduced into the plasma generation region 17 uniform,
An electric field having a uniform intensity level is mainly applied to the plasma generation region 1.
7 for the dielectric line 2
The widthwise length w _Y in 0 considered may be set to be equal to or greater than the widthwise length W _Y in the plasma generation region 17.

【００１２】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置
によれば、マイクロ波の進行方向に垂直な前記誘電体線
路の幅方向長さが前記反応器におけるプラズマ発生領域
の幅方向長さ以上に設定されており、前記反応器内に導
入される電界の強度レベルが均一化されることとなり、
広いプラズマ発生領域を有する前記反応器においてプラ
ズマ密度の均一性が高められることとなる。According to the microwave plasma processing apparatus of the present invention, the width direction length of the dielectric line perpendicular to the microwave traveling direction is set to be equal to or greater than the width direction length of the plasma generation region in the reactor. Therefore, the intensity level of the electric field introduced into the reactor will be uniform,
In the reactor having a wide plasma generation region, the uniformity of the plasma density is improved.

【００１３】[0013]

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るマイクロ波プ
ラズマ処理装置の実施例を図面に基づいて説明する。な
お、実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置は図１に
示したものと略同様の構成をしており、実施例に係るマ
イクロ波プラズマ処理装置も図１に基づいて説明する。
またここでは、プラズマ発生領域１７、誘電体線路２
０、蓋体２１を除く構成の詳細な説明は省略する。実施
例に係るマイクロ波プラズマ処理装置では、マイクロ波
の進行方向Ｚに垂直な誘電体線路２０の幅方向長さｗ_Y
がプラズマ発生領域１７の幅方向長さＷ_Y以上に設定さ
れている。Embodiments and Comparative Examples Hereinafter, embodiments of a microwave plasma processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. The microwave plasma processing apparatus according to the embodiment has substantially the same configuration as that shown in FIG. 1, and the microwave plasma processing apparatus according to the embodiment will be described with reference to FIG.
Also, here, the plasma generation region 17 and the dielectric line 2
0, detailed description of the configuration excluding the lid 21 is omitted. In the microwave plasma processing apparatus according to the embodiment, the width direction length w _{Y of the} dielectric line 20 perpendicular to the microwave traveling direction Z is set.
Is set to be equal to or longer than the length W _Y in the width direction of the plasma generation region 17.

【００１４】このように構成されたマイクロ波プラズマ
処理装置を用いて例えば試料保持部１４上に載置された
試料Ｓ表面にエッチング処理を施す場合、従来技術の項
で説明した手順と同様の手順により、試料Ｓ表面のエッ
チング処理を行う。In the case where etching is performed on the surface of the sample S placed on the sample holder 14, for example, using the microwave plasma processing apparatus configured as described above, a procedure similar to the procedure described in the section of the prior art is used. Performs the etching process on the surface of the sample S.

【００１５】以下に、実施例及び比較例に係るマイクロ
波プラズマ処理装置を用い、試料Ｓ近傍に発生したプラ
ズマ密度の均一性を評価した結果について説明する。な
おイオン電流の測定は、ステンレスを用いて形成された
直径が０．５mmの円形平板電極のプローブを用い、この
プローブと反応室側壁１２ａとの間に−５０V の電圧を
印加し、その際に流れる電流ｉを測定した。イオン電流
密度はイオン電流ｉをプローブの電極面積で割ることに
より求めた。Hereinafter, the results of evaluating the uniformity of the density of the plasma generated in the vicinity of the sample S using the microwave plasma processing apparatuses according to the examples and the comparative examples will be described. The measurement of the ion current was carried out by using a probe of a circular flat electrode having a diameter of 0.5 mm formed of stainless steel and applying a voltage of -50 V between the probe and the reaction chamber side wall 12a. The flowing current i was measured. The ion current density was obtained by dividing the ion current i by the electrode area of the probe.

【００１６】反応室１２におけるプラズマ発生領域１７
の長さＬ_z を３００mm、幅Ｗ_Y を３００mmに設定し、ま
た蓋体２１の側面部２１ｄ、２１ｅ間の距離を４００mm
に設定したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、実施
例の場合、フッ素樹脂を用いて形成された誘電体線路２
０の幅方向長さｗ_Y を３００mm、４００mmに設定した場
合についてそれぞれプラズマのイオン電流密度を測定し
た。なおプラズマ発生用のガスとしてアルゴンガスを使
用し、反応室１２内の圧力は１０mTorr に設定した。The plasma generation region 17 in the reaction chamber 12
The length L _z is set to 300 mm, the width W _Y is set to 300 mm, and the distance between the side portions 21 d and 21 e of the lid 21 is set to 400 mm.
In the case of the embodiment, a microwave line is formed using a microwave plasma processing apparatus set to
The widthwise length w _Y 0 were measured ion current density of the plasma for the case set 300 mm, the 400 mm. Note that argon gas was used as a gas for generating plasma, and the pressure in the reaction chamber 12 was set to 10 mTorr.

【００１７】また、比較例として誘電体線路２０の幅方
向長さｗ_Y が２００mm及び２８０mmのものについても同
様に実験を行ない、イオン電流密度を測定した。Further, as a comparative example, experiments were similarly performed on the dielectric line 20 having a width direction length w _Y of 200 mm and 280 mm, and the ion current density was measured.

【００１８】図２はプラズマ発生領域１７のＹ方向に関
するイオン電流密度分布を示したグラフであり、平均イ
オン電流密度及びその均一性はそれぞれ、誘電体線路２
０における幅方向長さｗ_Y が２００mmの場合は１３mA/c
m²、±１９％、長さｗ_Y が２８０mmの場合は１５mA/c
m²、±２０％、長さｗ_Y が３００mmの場合は１８mA/c
m²、±８％、長さｗ_Y が４００mmの場合は１９mA/cm²、
±８％であった。この結果から明らかなように、誘電体
線路２０の幅方向長さｗ_Y をプラズマ発生領域１７の幅
方向長さＷ_Y （３００mm）以上に設定した場合、プラズ
マ発生領域１７の幅方向Ｙにおけるプラズマ密度及びプ
ラズマ密度の均一性を高めることができた。FIG. 2 is a graph showing the ion current density distribution in the Y direction of the plasma generation region 17. The average ion current density and its uniformity are respectively shown in the dielectric line 2.
If the width-direction length of 0 w _Y is 200mm is 13 mA / c
15 mA / c when m ² , ± 19% and length w _Y is 280 mm
18 mA / c when m ² , ± 20% and length w _Y is 300 mm
m ² , ± 8%, when the length w _Y is 400 mm, 19 mA / cm ² ,
± 8%. As is apparent from this result, when the width w _Y of the dielectric line 20 is set to be equal to or more than the width W _Y (300 mm) of the plasma generation region 17, the plasma in the width direction Y of the plasma generation region 17 is formed. The uniformity of density and plasma density could be improved.

【００１９】また、図３はプラズマ発生領域１７のマイ
クロ波の進行方向Ｚに関するイオン電流密度分布を示し
たグラフであり、この結果から明らかなように、幅方向
Ｙに関する場合に比べてマイクロ波の進行方向Ｚに関し
ては、プラズマ発生領域１７におけるイオン電流密度が
比較的均一に分布していることが確認された。FIG. 3 is a graph showing the ion current density distribution of the plasma generation region 17 in the microwave traveling direction Z. As is clear from the result, the ion current density distribution is larger than that in the width direction Y. Regarding the traveling direction Z, it was confirmed that the ion current density in the plasma generation region 17 was relatively uniformly distributed.

【００２０】この結果から明らかなように、実施例に係
るマイクロ波プラズマ処理装置では、マイクロ波の進行
方向Ｚに垂直な誘電体線路２０の幅方向長さｗ_Y が反応
器１０におけるプラズマ発生領域１７の幅方向長さＷ_Y
以上に設定されているので、プラズマ発生領域内１７に
導入される電界の強度レベルを均一化することができ、
広いプラズマ発生領域１７においてプラズマの均一性を
高めることができ、したがって大口径の半導体基板を均
一に処理することができる。As apparent from the results, in the microwave plasma processing apparatus according to the embodiment, the width direction length w _{Y of the} dielectric line 20 perpendicular to the microwave traveling direction Z is determined by the plasma generation region in the reactor 10. 17 width direction length W _Y
With the above setting, the intensity level of the electric field introduced into the plasma generation region 17 can be made uniform,
The uniformity of the plasma can be improved in the wide plasma generation region 17, and thus a large-diameter semiconductor substrate can be uniformly processed.

【００２１】[0021]

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るマイク
ロ波プラズマ処理装置にあっては、マイクロ波の進行方
向に垂直な前記誘電体線路の幅方向長さが前記反応器に
おけるプラズマ発生領域の幅方向長さ以上に設定されて
いるので、前記プラズマ発生領域に導入される電界の強
度レベルを均一化することができ、広い前記プラズマ発
生領域においてプラズマ密度の均一性を高めることがで
き、したがって大口径の半導体基板を均一に処理するこ
とができる。As described above in detail, in the microwave plasma processing apparatus according to the present invention, the width in the width direction of the dielectric line perpendicular to the direction in which the microwave travels is equal to the plasma generation region in the reactor. Since the width is set to be equal to or longer than the width in the width direction, the intensity level of the electric field introduced into the plasma generation region can be made uniform, and the uniformity of the plasma density can be increased in the wide plasma generation region. Therefore, a large-diameter semiconductor substrate can be uniformly processed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施例に係るマイクロ波プラズマ処理
装置を模式的に示した図であり、（ａ）は縦断面図、
（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ′線部分断面図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a microwave plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, where (a) is a longitudinal sectional view,
(B) is a partial sectional view taken along line AA 'in (a).

【図２】プラズマ発生領域において、マイクロ波の進行
方向Ｚに垂直なＹ方向におけるイオン電流の密度分布を
示したグラフである。FIG. 2 is a graph showing an ion current density distribution in a Y direction perpendicular to a microwave traveling direction Z in a plasma generation region.

【図３】プラズマ発生領域において、マイクロ波の進行
方向Ｚにおけるイオン電流の密度分布を示したグラフで
ある。FIG. 3 is a graph showing an ion current density distribution in a microwave traveling direction Z in a plasma generation region.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 反応器 １３ マイクロ波導入窓 １７ プラズマ発生領域 ２０ 誘電体線路 ２３ 導波管 ２４ マイクロ波発振器 Reference Signs List 10 Reactor 13 Microwave introduction window 17 Plasma generation region 20 Dielectric line 23 Waveguide 24 Microwave oscillator

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送
する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該
誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する
反応器とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置におい
て、マイクロ波の進行方向に垂直な前記誘電体線路の幅
方向長さが前記反応器におけるプラズマ発生領域の幅方
向長さ以上に設定されていることを特徴とするマイクロ
波プラズマ処理装置。1. A reactor having a microwave oscillator, a waveguide for transmitting microwaves, a dielectric line connected to the waveguide, and a microwave introduction window disposed opposite to the dielectric line. Wherein the width direction length of the dielectric line perpendicular to the direction in which microwaves travel is set to be equal to or greater than the width direction length of the plasma generation region in the reactor. Microwave plasma processing apparatus.