JPH0713296B2 - 陰極スパツタリング装置 - Google Patents
陰極スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPH0713296B2 JPH0713296B2 JP2095217A JP9521790A JPH0713296B2 JP H0713296 B2 JPH0713296 B2 JP H0713296B2 JP 2095217 A JP2095217 A JP 2095217A JP 9521790 A JP9521790 A JP 9521790A JP H0713296 B2 JPH0713296 B2 JP H0713296B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- sputtering apparatus
- cathode sputtering
- process chamber
- substrate carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回転するリング状の基板キャリヤが設置され
ているリング状のプロセス室と、少なくとも１つの陰極
ステーションと、少なくとも１つのローディング−及び
アンローディングステーションとを備えた、基板をコー
ティングするための陰極スパッタリング装置に関する。
ているリング状のプロセス室と、少なくとも１つの陰極
ステーションと、少なくとも１つのローディング−及び
アンローディングステーションとを備えた、基板をコー
ティングするための陰極スパッタリング装置に関する。
例えばコンパクトディスク（CD）等の基板（工作物）
に、バキュウムプロセステクノロジー（vacuum process
ing technology）、特に薄膜技術でコーティングを施す
ことは知られている。コンパクトディスクはデジタルイ
ンフォーメションを記憶する近代的な記憶媒体である。
インプリントされた（imprinted）プラスチック円板
は、スパッタリング技術によって例えば１万分の１ミリ
メートルよりも薄いアルミニウム層でコーティングされ
る。このために使用されるスパッタリング−コーティン
グ装置は多くの場合、リング状に構成されている。クリ
ーンルーム内に配置されたゲートを通ってロボットが装
置内へのローディング及び装置からのアンローディング
を行うようになっている。ゲートからは基板キャリヤ
が、基板をリング状のプロセス室を通って搬出する。ス
パッタリングは、マグネトロンとして構成されたハイパ
ワーのスパッタリングカソード（陰極）によって行われ
る。
に、バキュウムプロセステクノロジー（vacuum process
ing technology）、特に薄膜技術でコーティングを施す
ことは知られている。コンパクトディスクはデジタルイ
ンフォーメションを記憶する近代的な記憶媒体である。
インプリントされた（imprinted）プラスチック円板
は、スパッタリング技術によって例えば１万分の１ミリ
メートルよりも薄いアルミニウム層でコーティングされ
る。このために使用されるスパッタリング−コーティン
グ装置は多くの場合、リング状に構成されている。クリ
ーンルーム内に配置されたゲートを通ってロボットが装
置内へのローディング及び装置からのアンローディング
を行うようになっている。ゲートからは基板キャリヤ
が、基板をリング状のプロセス室を通って搬出する。ス
パッタリングは、マグネトロンとして構成されたハイパ
ワーのスパッタリングカソード（陰極）によって行われ
る。
このような装置は、例えばLeybold-Heraeus GmbHのパン
フレット12-710.01に記載されている。この公知の陰極
スパッタリング装置は、レジー反射するアルミニウム層
を備えた片面コーティングを行うために使用される。こ
の装置は水平に配置されたリング状の真空室を有してお
り、該真空室は、ローディング及びアンローディングス
テーション、プレート受容部を備えた搬送リング、並び
にコーティング室とローディング及びアンローディング
ステーションとの間で圧力を遮断するためのダイナミッ
クスルース（dynamic sluice）を備えている。
フレット12-710.01に記載されている。この公知の陰極
スパッタリング装置は、レジー反射するアルミニウム層
を備えた片面コーティングを行うために使用される。こ
の装置は水平に配置されたリング状の真空室を有してお
り、該真空室は、ローディング及びアンローディングス
テーション、プレート受容部を備えた搬送リング、並び
にコーティング室とローディング及びアンローディング
ステーションとの間で圧力を遮断するためのダイナミッ
クスルース（dynamic sluice）を備えている。
本発明の課題は、プロセス室若しくは真空室に、従来技
術の装置におけるよりも多くの陰極ステーション、測定
ステーション及びその他の例えば装置に対するローデイ
ングやアンローデイング等の機能を有するステーション
を設けることができるようにすることである。これはま
たスペースが節約されたものでなくてはならない。真
空、冷却水、電流及び圧縮空気のための接続部の長さは
できるだけ短くしなければならない。装置を取り付け又
は保持するために必要な骨組又はフレーム若しくはラッ
クは、同時に供給導管のための支持体としての働きをも
有していなければならない。非常に小さいクリーンルー
ムを得るための前提条件も提供しなければならない。さ
らにまた、プロセス室にどこからも容易に近付くことの
できる陰極スパッタリング装置を提供しなければならな
い。特に真空室の大きい両側面の保守、交換及び修理作
業は、従来技術のものにおけるよりも簡単にできるよう
にしなければならない。本発明による装置が必要とする
設置面は小さいものでなければならない。特に、陰極ス
パッタリング装置をその製造の流れ内でその他の製造装
置と直接に連結できるようにしなければならない。
術の装置におけるよりも多くの陰極ステーション、測定
ステーション及びその他の例えば装置に対するローデイ
ングやアンローデイング等の機能を有するステーション
を設けることができるようにすることである。これはま
たスペースが節約されたものでなくてはならない。真
空、冷却水、電流及び圧縮空気のための接続部の長さは
できるだけ短くしなければならない。装置を取り付け又
は保持するために必要な骨組又はフレーム若しくはラッ
クは、同時に供給導管のための支持体としての働きをも
有していなければならない。非常に小さいクリーンルー
ムを得るための前提条件も提供しなければならない。さ
らにまた、プロセス室にどこからも容易に近付くことの
できる陰極スパッタリング装置を提供しなければならな
い。特に真空室の大きい両側面の保守、交換及び修理作
業は、従来技術のものにおけるよりも簡単にできるよう
にしなければならない。本発明による装置が必要とする
設置面は小さいものでなければならない。特に、陰極ス
パッタリング装置をその製造の流れ内でその他の製造装
置と直接に連結できるようにしなければならない。
本発明の課題はさらに、搬送リングがスパッタされない
ようにより良好に保護することである。また、ローデイ
ング及びアンローデイングステーションをプロセス室の
その他の部分に対して良好にシールしなければならな
い。また、特に互いに向き合う２つのスパッタリング陰
極のためのより良好な前提条件を提供しなければならな
い。
ようにより良好に保護することである。また、ローデイ
ング及びアンローデイングステーションをプロセス室の
その他の部分に対して良好にシールしなければならな
い。また、特に互いに向き合う２つのスパッタリング陰
極のためのより良好な前提条件を提供しなければならな
い。
本発明の課題はさらにまた、真空のプロセス室内に大き
な駆動装置を設けなくても済むように、搬送リングを軽
量に構成することである。薄く構成された搬送リング
は、ローディング及びアンローディングステーションの
部分によって変形されないようにしなければならない。
しかも、強い力で負荷できるようにし、これによってロ
ーディング及びアンローディングステーションの範囲で
申し分のないシールが得られるようにしなければならな
い。
な駆動装置を設けなくても済むように、搬送リングを軽
量に構成することである。薄く構成された搬送リング
は、ローディング及びアンローディングステーションの
部分によって変形されないようにしなければならない。
しかも、強い力で負荷できるようにし、これによってロ
ーディング及びアンローディングステーションの範囲で
申し分のないシールが得られるようにしなければならな
い。
この課題を解決した本発明によれば、プロセス室及び基
板キャリヤが鉛直又はほぼ鉛直に配置されており、プロ
セス室の鉛直又はほぼ鉛直な壁部に陰極ステーション
と、ローディング−及びアンローディングステーション
とが配置されている。
板キャリヤが鉛直又はほぼ鉛直に配置されており、プロ
セス室の鉛直又はほぼ鉛直な壁部に陰極ステーション
と、ローディング−及びアンローディングステーション
とが配置されている。
本発明の別の構成要件によれば、リング状の基板キャリ
ヤの外周範囲に、基板キャリヤのための少なくとも１つ
の駆動装置が配置されている。
ヤの外周範囲に、基板キャリヤのための少なくとも１つ
の駆動装置が配置されている。
また本発明の別の構成要件によれば、摩擦接続運動を伝
達するための、Ｖ字形溝付き円板として構成された搬送
リングが設けられていて、このＶ字形溝付き円板のＶ字
形断面の溝内で、ケーシング内に定置に支承された摩擦
車が転動し、該摩擦車のＶ字形断面の突起が前記Ｖ字形
断面の溝に対応している。
達するための、Ｖ字形溝付き円板として構成された搬送
リングが設けられていて、このＶ字形溝付き円板のＶ字
形断面の溝内で、ケーシング内に定置に支承された摩擦
車が転動し、該摩擦車のＶ字形断面の突起が前記Ｖ字形
断面の溝に対応している。
基板キャリヤは、基板のための１つ又はそれ以上の受容
装置を備えた搬送リングとして構成されている。
装置を備えた搬送リングとして構成されている。
基板の両側をスパッターするために、プロセス室は、互
いに向き合う２つの壁部を有しており、これら２つの壁
部のうちの一方の壁部に第１の陰極が設けられていて、
他方の壁部に、前記第１の陰極に対して所定の角度だけ
ずらして配置された第２の陰極が設けられている。
いに向き合う２つの壁部を有しており、これら２つの壁
部のうちの一方の壁部に第１の陰極が設けられていて、
他方の壁部に、前記第１の陰極に対して所定の角度だけ
ずらして配置された第２の陰極が設けられている。
プロセス室は、共通の水平な軸線上に配置された互いに
向き合う２つの陰極を有する少なくとも１つの陰極ステ
ーションを備えていてもよい。
向き合う２つの陰極を有する少なくとも１つの陰極ステ
ーションを備えていてもよい。
搬送リングが不都合にスパッターされることは、陰極と
基板との間にマスクが配置されていることによって避け
られる。このマスクは、基板を除いてプロセス及び搬送
リングの全面を遮断する。
基板との間にマスクが配置されていることによって避け
られる。このマスクは、基板を除いてプロセス及び搬送
リングの全面を遮断する。
搬送リングがスパッターされるのを避けるために本発明
によればさらに、マスクが可動にしかも前記基板キャリ
ヤ上に連設可能に配置されており、マスクのガイド面が
円錐形に構成されている。これによって、層厚の均一性
も得られる。
によればさらに、マスクが可動にしかも前記基板キャリ
ヤ上に連設可能に配置されており、マスクのガイド面が
円錐形に構成されている。これによって、層厚の均一性
も得られる。
マスクは基板に対して少なくとも0.3mmのわずかな間隔
を保っている。
を保っている。
本発明によればさらに、互いに向き合う２つの陰極を備
えた陰極ステーションにおいて、互いに向き合う２つの
マスクが設けられている。ローディング及びアンローデ
ィングステーションをプロセス室の残りの部分に対して
良好にシールするために、本発明の特別な構成要件によ
れば、ローディング−及びアンローディングステーショ
ンは互いに向き合う２つの接続スリーブを備えており、
これら２つの接続スリーブは、軸方向可動で基板キャリ
ヤに対して押し付け可能に配置されていて、この基板キ
ャリヤと協働して搬入及び搬出室の少なくとも１部を形
成している。
えた陰極ステーションにおいて、互いに向き合う２つの
マスクが設けられている。ローディング及びアンローデ
ィングステーションをプロセス室の残りの部分に対して
良好にシールするために、本発明の特別な構成要件によ
れば、ローディング−及びアンローディングステーショ
ンは互いに向き合う２つの接続スリーブを備えており、
これら２つの接続スリーブは、軸方向可動で基板キャリ
ヤに対して押し付け可能に配置されていて、この基板キ
ャリヤと協働して搬入及び搬出室の少なくとも１部を形
成している。
また、前記接続スリーブは、押圧機構によって互いに相
対的に可動な押圧部材に接続されている。
対的に可動な押圧部材に接続されている。
この関連性において、押圧機構は右ねじ山及び左ねじ山
備えたスピンドルより成っており、該スピンドルは回転
する際に押圧部材に設けられた対応するねじ山によって
接続スリーブを備えた押圧部材を基板キャリヤに向かっ
て押し付けるか、若しくはこの基板キャリヤから離すよ
うになっている。
備えたスピンドルより成っており、該スピンドルは回転
する際に押圧部材に設けられた対応するねじ山によって
接続スリーブを備えた押圧部材を基板キャリヤに向かっ
て押し付けるか、若しくはこの基板キャリヤから離すよ
うになっている。
この場合、押圧部材は有利には３角形のプレート状に構
成されていて、該プレートの各３角形のコーナー範囲に
それぞれ１つの押圧機構が配置されている。
成されていて、該プレートの各３角形のコーナー範囲に
それぞれ１つの押圧機構が配置されている。
さらに本発明の別の構成要件によれば、搬入−及び搬出
室のための閉鎖蓋を有する旋回アームが設けられてお
り、該旋回アームが閉鎖蓋を室の手前の閉鎖位置に移動
させるか、又は室の開放後に開放旋回位置に移動させる
ようになっており、プロセス室に対して接続スリーブを
シールするためにダイヤフラムベローズが設けられてい
る。
室のための閉鎖蓋を有する旋回アームが設けられてお
り、該旋回アームが閉鎖蓋を室の手前の閉鎖位置に移動
させるか、又は室の開放後に開放旋回位置に移動させる
ようになっており、プロセス室に対して接続スリーブを
シールするためにダイヤフラムベローズが設けられてい
る。
本発明の構成によれば、前記本発明の課題が解決され
た。本発明によれば、プロセス室にすべての側から容易
に付近くことのできる陰極スパッタリング装置が提供さ
れた。半径方向外側及び内側から、真空供給、電流供
給、冷却水供給及びその他のための導管を取り付けるた
めの短い経路が得られる。また、本発明によればコンパ
クトな構造で小さい設置面が得られ、装置の２つの主平
面に容易に付近くことができるようになっているので、
前記導管は、製造ラインで完成された装置に容易に組み
込むことができる。
た。本発明によれば、プロセス室にすべての側から容易
に付近くことのできる陰極スパッタリング装置が提供さ
れた。半径方向外側及び内側から、真空供給、電流供
給、冷却水供給及びその他のための導管を取り付けるた
めの短い経路が得られる。また、本発明によればコンパ
クトな構造で小さい設置面が得られ、装置の２つの主平
面に容易に付近くことができるようになっているので、
前記導管は、製造ラインで完成された装置に容易に組み
込むことができる。
次に図面に示した実施例について本発明の構成を具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は、スタンド１に配置された陰極スパッタリング
装置が示されている。この陰極スパッタリング装置は全
体が符号２で記されている。第１図及び第２図で分かる
ように、この装置は、真空状態にある平らな環状のプロ
セス室28より成っている。
装置が示されている。この陰極スパッタリング装置は全
体が符号２で記されている。第１図及び第２図で分かる
ように、この装置は、真空状態にある平らな環状のプロ
セス室28より成っている。
この環状のプロセス室28は第１図では一部破断して示さ
れているので、位置4,5,6で基板を受容する、プロセス
室内で回転する基板キャリヤ３が見えている。
れているので、位置4,5,6で基板を受容する、プロセス
室内で回転する基板キャリヤ３が見えている。
環状のプロセス室28は方形の横断面を有している。垂直
に位置する２つの壁部7,8は、外側のウエブ９及び内側
のウエブ10を介して互いに接続されている（第２図参
照）。これら２つのウエブ9,10は第１図では、プロセス
室28の破断した部分で、断面として斜線で示されてい
る。第２図では外側のウエブ９が示されている。
に位置する２つの壁部7,8は、外側のウエブ９及び内側
のウエブ10を介して互いに接続されている（第２図参
照）。これら２つのウエブ9,10は第１図では、プロセス
室28の破断した部分で、断面として斜線で示されてい
る。第２図では外側のウエブ９が示されている。
環状の基板キャリヤは、第３図で詳細が示されている搬
送リング11として構成されている。
送リング11として構成されている。
第１図で分かるように、搬送リング11は駆動装置12,13,
14,15を介して回転せしめられる。位置16にローディン
グ及びアンローディングステーションが設けられてい
る。位置17,18にスパッタリング陰極が設けられてい
る。
14,15を介して回転せしめられる。位置16にローディン
グ及びアンローディングステーションが設けられてい
る。位置17,18にスパッタリング陰極が設けられてい
る。
第１図に示された３角形のプレート19の詳細は第９図に
示されている。このプレートはユニット20のための支持
部材であって、ローディング及びアンローディングステ
ーションのための旋回アーム及び蓋より成っている。旋
回アーム及び蓋は同様に第９図に詳しく示されている。
示されている。このプレートはユニット20のための支持
部材であって、ローディング及びアンローディングステ
ーションのための旋回アーム及び蓋より成っている。旋
回アーム及び蓋は同様に第９図に詳しく示されている。
第２図では、対になって互いに向き合う４つの陰極21,2
2,23,24が概略的に示されている。これらの陰極の詳細
は第８図に示されている。しかも第２図には、ローディ
ング及びアンローディングステーションの互いに向き合
う２つの部分25,26が概略的に示されている。このロー
ディング及びアンローディングステーションの詳細は、
第９図及び第10図を用いて説明されている。
2,23,24が概略的に示されている。これらの陰極の詳細
は第８図に示されている。しかも第２図には、ローディ
ング及びアンローディングステーションの互いに向き合
う２つの部分25,26が概略的に示されている。このロー
ディング及びアンローディングステーションの詳細は、
第９図及び第10図を用いて説明されている。
第２図は、旋回アーム及び蓋（第９図参照）より成る前
記ユニット20が示されている。第１図及び第２図にはこ
のユニットの外方に開放旋回せしめられた状態が示され
ている。
記ユニット20が示されている。第１図及び第２図にはこ
のユニットの外方に開放旋回せしめられた状態が示され
ている。
第２図には、互いに向き合う３角形のプレート19（第１
図も参照）,27が示されている。これらのプレートにつ
いては第10図を用いて説明されている。これらのプレー
トは、ローディング及びアンローディングステーション
の搬入及び搬出室の部分のための押圧部材である（第９
図及び第10図参照）。
図も参照）,27が示されている。これらのプレートにつ
いては第10図を用いて説明されている。これらのプレー
トは、ローディング及びアンローディングステーション
の搬入及び搬出室の部分のための押圧部材である（第９
図及び第10図参照）。
第２図より分かるように、この装置は非常に小さい設置
面しか必要とせず、装置のすべての部分には両側から容
易に近付くことができる。さらに第１図によれば、環状
のプロセス室からスタンド10（ここに供給媒体若しくは
供給電流のための接続導管が存在する）までの供給導管
の長さが、有利には非常に短くなっていることが分か
る。
面しか必要とせず、装置のすべての部分には両側から容
易に近付くことができる。さらに第１図によれば、環状
のプロセス室からスタンド10（ここに供給媒体若しくは
供給電流のための接続導管が存在する）までの供給導管
の長さが、有利には非常に短くなっていることが分か
る。
第３図に示された搬送リングは、８つの受容開口29,30,
31,32,33,34,35,36を有している。これらの受容開口内
に、基板、例えばディスクを定置に保持する受容装置が
配置されている。基板は搬送リングによってローディン
グ及びアンローディングステーションから陰極ステーシ
ョン、次いで再びローディング及びアンローディングス
テーションに搬送される。冒頭に述べたように搬送リン
グは回転する搬送リングである。
31,32,33,34,35,36を有している。これらの受容開口内
に、基板、例えばディスクを定置に保持する受容装置が
配置されている。基板は搬送リングによってローディン
グ及びアンローディングステーションから陰極ステーシ
ョン、次いで再びローディング及びアンローディングス
テーションに搬送される。冒頭に述べたように搬送リン
グは回転する搬送リングである。
搬送リング11は外周部37で駆動せしめられる。第５図で
示されているように、外周部37はＶ字形断面の溝38を有
している。搬送リングの回転軸線は第３図及び第４図に
図示されている。この回転軸線は第３図では点で示され
ている。第６図及び第７図は搬送リングのための駆動装
置を示している。第６図では搬送リングは符号40で記さ
れている。符号38は搬送リングのＶ字形断面の溝を示
す。符号41は、Ｖ字形断面の突起42を有する摩擦車を示
している。摩擦車はプロセス室若しくは真空室を有して
いる。従って摩擦車の駆動軸43は真空シール44によって
外気に対してシールされている。符号45,46で、摩擦車
の駆動軸43の位置が示されている。
示されているように、外周部37はＶ字形断面の溝38を有
している。搬送リングの回転軸線は第３図及び第４図に
図示されている。この回転軸線は第３図では点で示され
ている。第６図及び第７図は搬送リングのための駆動装
置を示している。第６図では搬送リングは符号40で記さ
れている。符号38は搬送リングのＶ字形断面の溝を示
す。符号41は、Ｖ字形断面の突起42を有する摩擦車を示
している。摩擦車はプロセス室若しくは真空室を有して
いる。従って摩擦車の駆動軸43は真空シール44によって
外気に対してシールされている。符号45,46で、摩擦車
の駆動軸43の位置が示されている。
第７図は、第６図による駆動装置の側面図が示されてい
る。摩擦車がケーシング47内に配置されていることが分
かる。ケーシング47はプロセス室28のウエブ９にねじ止
めされている。摩擦車41は、ウエブ９に設けられた開口
48を通ってプロセス室内に突入している。環状のプロセ
ス室の周囲には前記形式の４つの摩擦車駆動装置が配置
されている（第１図の位置12,13,14,15参照）。
る。摩擦車がケーシング47内に配置されていることが分
かる。ケーシング47はプロセス室28のウエブ９にねじ止
めされている。摩擦車41は、ウエブ９に設けられた開口
48を通ってプロセス室内に突入している。環状のプロセ
ス室の周囲には前記形式の４つの摩擦車駆動装置が配置
されている（第１図の位置12,13,14,15参照）。
第８図には、スパッタリング陰極及びその主な構成部分
の部分断面図が示されている。この陰極は、磁場によっ
て補助されるハイパワーのスパッタリング陰極である。
このようなハイパワーの陰極はマグネトロンとも呼ばれ
ている。
の部分断面図が示されている。この陰極は、磁場によっ
て補助されるハイパワーのスパッタリング陰極である。
このようなハイパワーの陰極はマグネトロンとも呼ばれ
ている。
符号49で、ターゲットを有する本来の陰極が示されてい
る。ターゲットは、第４図では陰極の中に配置されてい
るので、第４図では見えていない。陰極が稼働される
と、陰極若しくはターゲットの上側の範囲50,51にプラ
ズマが形成される。この実施例で設けられたマグネトロ
ンは、範囲50,51で磁場によってまとめられている。プ
ラズマの正電荷されたイオンはターゲットに衝突してタ
ーゲットから材料粒子をスパッターする。このスパッタ
ーされた材料粒子が基板52をコーティングする。
る。ターゲットは、第４図では陰極の中に配置されてい
るので、第４図では見えていない。陰極が稼働される
と、陰極若しくはターゲットの上側の範囲50,51にプラ
ズマが形成される。この実施例で設けられたマグネトロ
ンは、範囲50,51で磁場によってまとめられている。プ
ラズマの正電荷されたイオンはターゲットに衝突してタ
ーゲットから材料粒子をスパッターする。このスパッタ
ーされた材料粒子が基板52をコーティングする。
符号53は、昇降装置54,55によって軸方向で可動なマス
クを示している。基板がスパッタリングされる前に、マ
スクが矢印56の方向で基板52にかぶせられる。
クを示している。基板がスパッタリングされる前に、マ
スクが矢印56の方向で基板52にかぶせられる。
スパッタリング過程が終了すると、マスクは昇降装置に
よって矢印58方向で戻し移動せしめられ、これによって
搬送リング59はさらに回転せしめられる。基板は次のス
パッタリングステーション、若しくはローディング及び
アンローディングステーションに達する。
よって矢印58方向で戻し移動せしめられ、これによって
搬送リング59はさらに回転せしめられる。基板は次のス
パッタリングステーション、若しくはローディング及び
アンローディングステーションに達する。
マスクの選択された円錐形形状によって、搬送リング自
体がスパッターされないように確実に保護される。
体がスパッターされないように確実に保護される。
第８図に示された陰極は、リング状の装置に多数配置さ
れている（第１図参照）。多数の陰極によって基板上に
多くくのコーティングを施すシステムが得られる。
れている（第１図参照）。多数の陰極によって基板上に
多くくのコーティングを施すシステムが得られる。
プロセス室は、その第１の壁部で第１の陰極を備え、こ
の第１の壁部と向き合う第２の壁部で第２の陰極を備え
ることができ、この場合に、第２の陰極は第１の陰極に
対して所定の角度だけずらして配置されている。
の第１の壁部と向き合う第２の壁部で第２の陰極を備え
ることができ、この場合に、第２の陰極は第１の陰極に
対して所定の角度だけずらして配置されている。
しかも互いに向き合う２つの陰極ステーション設けるこ
とができる（第２図の符号21,22,23,24参照）。互いに
向き合う陰極ステーションによって基板はその両側がコ
ーティングされる。
とができる（第２図の符号21,22,23,24参照）。互いに
向き合う陰極ステーションによって基板はその両側がコ
ーティングされる。
第９図及び第10図はローディング及びアンローディング
ステーションを示している。第10図に詳しく示してある
ように、押圧部材としてのフランジ部60,61が設けられ
ている。これらのフランジ部にはそれぞれ１つの接続ス
リーブ62,63が配置されている。プレート状の押圧部材
は、第９図に示されているように３角形の形状を有して
いる（符号61参照）。第９図は、第10図の矢印IX方向か
ら見た図である。この方向は第１図の方向と同じであ
る。
ステーションを示している。第10図に詳しく示してある
ように、押圧部材としてのフランジ部60,61が設けられ
ている。これらのフランジ部にはそれぞれ１つの接続ス
リーブ62,63が配置されている。プレート状の押圧部材
は、第９図に示されているように３角形の形状を有して
いる（符号61参照）。第９図は、第10図の矢印IX方向か
ら見た図である。この方向は第１図の方向と同じであ
る。
３角形のフランジ部61のコーナー部には押圧機構64,65,
66が設けられている。第10図には部分的に断面した押圧
機構64が示されている。各押圧機構は、第10図で符号67
で示されたスピンドルより成っている。このスピンドル
は互いに逆向のねじ山、例えば左ねじ山68と右ねじ山69
とを有している。このスピンドルねじ山は、プレート状
の押圧部材60,61（フランジ部）の部分に取り付けられ
た雌ねじ70,71に対応する。
66が設けられている。第10図には部分的に断面した押圧
機構64が示されている。各押圧機構は、第10図で符号67
で示されたスピンドルより成っている。このスピンドル
は互いに逆向のねじ山、例えば左ねじ山68と右ねじ山69
とを有している。このスピンドルねじ山は、プレート状
の押圧部材60,61（フランジ部）の部分に取り付けられ
た雌ねじ70,71に対応する。
スピンドルのその都度の回転方向に応じて、プレート状
の押圧部材、及びこれに成形された接続スリーブは矢印
72,73方向で互いに接近する方向に、又は矢印74,75の方
向で互いに離れる方向に移動する。第10図では符号76で
搬送リングが示されている。符号77,78で真空シールを
形成するＯリングが示されている。
の押圧部材、及びこれに成形された接続スリーブは矢印
72,73方向で互いに接近する方向に、又は矢印74,75の方
向で互いに離れる方向に移動する。第10図では符号76で
搬送リングが示されている。符号77,78で真空シールを
形成するＯリングが示されている。
接続スリーブ62,63が互いに接近する方向に移動する
と、つまり搬送リング76に押し付けられると、接続スリ
ーブによって取り囲まれた閉鎖したシリンダ状の室を形
成する。この室はプレート室の残りに対して分離されて
いて、ローディング及びアンローディング装置の搬入及
び搬出室を有している。接続スリーブのこの押し付けら
れた状態で、搬入及び搬出室（仕切り室）79はリング状
のプロセス室80の残りに対して隔絶される。
と、つまり搬送リング76に押し付けられると、接続スリ
ーブによって取り囲まれた閉鎖したシリンダ状の室を形
成する。この室はプレート室の残りに対して分離されて
いて、ローディング及びアンローディング装置の搬入及
び搬出室を有している。接続スリーブのこの押し付けら
れた状態で、搬入及び搬出室（仕切り室）79はリング状
のプロセス室80の残りに対して隔絶される。
次いで仕切り室は排気される。つまり仕切り室は雰囲気
圧下にさらされる。次いでコーティングされた基板は取
り除かれ、新たな基板が受容装置81内に設置される。
圧下にさらされる。次いでコーティングされた基板は取
り除かれ、新たな基板が受容装置81内に設置される。
コーティングしようとする基板を搬送リング内にもたら
すと、仕切り室は蓋94によって真空に閉鎖される。符号
83で真空シールとしてのＯリングが示されている。符号
84は真空ポンプを示し、符号85は仕切り弁を示す。
すと、仕切り室は蓋94によって真空に閉鎖される。符号
83で真空シールとしてのＯリングが示されている。符号
84は真空ポンプを示し、符号85は仕切り弁を示す。
閉鎖された搬入及び搬出室79は、弁が相応に接続されて
いる場合に真空ポンプによって排気される。仕切り室79
内で真空が形成されると、２つの接続スリーブ63,62は
矢印74,75の方向で互いに離れるように移動する。接続
スリーブ自体はシリンダ状のダイヤフラムベローズ86,8
7によって雰囲気に対してシールされている。
いる場合に真空ポンプによって排気される。仕切り室79
内で真空が形成されると、２つの接続スリーブ63,62は
矢印74,75の方向で互いに離れるように移動する。接続
スリーブ自体はシリンダ状のダイヤフラムベローズ86,8
7によって雰囲気に対してシールされている。
２つの接続スリーブが引き戻されると、搬送リングは１
区分だけさらに移動せしめられる。基板は次のステーシ
ョンに達する。このステーションは例えば、基板がコー
ティングされる陰極ステーションである。
区分だけさらに移動せしめられる。基板は次のステーシ
ョンに達する。このステーションは例えば、基板がコー
ティングされる陰極ステーションである。
第９図はプレート状の押圧部材61が示されている。スピ
ンドルの軸線88,89,90は第９図で点で示されている。プ
レート状の押圧部材61には旋回アーム91がヒンジ接続さ
れている。この旋回アームは半円形状の端部を有してい
る。この旋回アームは蓋82の半分を取り囲んでいる。蓋
は軸線92に沿って旋回アーム91で回転可能に配置されて
いる。
ンドルの軸線88,89,90は第９図で点で示されている。プ
レート状の押圧部材61には旋回アーム91がヒンジ接続さ
れている。この旋回アームは半円形状の端部を有してい
る。この旋回アームは蓋82の半分を取り囲んでいる。蓋
は軸線92に沿って旋回アーム91で回転可能に配置されて
いる。
第９図で実線に示された位置には開放旋回された状態の
蓋が示されている。閉鎖位置においては、第９図で破線
で示されているように旋回アームが位置93、蓋が位置94
にある（第10図も参照）。
蓋が示されている。閉鎖位置においては、第９図で破線
で示されているように旋回アームが位置93、蓋が位置94
にある（第10図も参照）。
第10図によれば、２つの接続スリーブ62,63が、搬送リ
ングを変形させることなしに、高い力で薄い搬送リング
に押し付けられている。これは、搬送リングを中心にし
て両側に正確に接続スリーブが配置されているからであ
る。これの接続スリーブは、搬送リングの両側に同一の
力でしかも同時に押圧力を加える。
ングを変形させることなしに、高い力で薄い搬送リング
に押し付けられている。これは、搬送リングを中心にし
て両側に正確に接続スリーブが配置されているからであ
る。これの接続スリーブは、搬送リングの両側に同一の
力でしかも同時に押圧力を加える。
同じ大きさの力を同時に加えることは、前記３つのスピ
ンドル64,65,66を同時に操作することによって得られ
る。
ンドル64,65,66を同時に操作することによって得られ
る。
第１図は、本発明の１実施例による陰極スパッタリング
装置の第２図矢印Ｉ方向で見た側面図、第２図は第１図
に示した装置を上から見た図、第３図は基板の搬送リン
グを示した平面図、第４図は第３図のIV−IV線に沿った
断面図、第５図は第３図のＶ−Ｖ線に沿った部分的な拡
大断面図、第６図は搬送リングの駆動装置を示した第７
図VI−VI線に沿った拡大断面図、第７図は第６図の側面
図、第８図は陰極ステーションを部分的に半径方向で断
面した図、第９図は第10図に示した、陰極スパッタリン
グ装置のローディング及びアンローディングステーショ
ンの矢印IX方向で見た図、第10図は第９図のＸ−Ｘ線に
沿った断面図である。 １……スタンド、２……陰極スパッタリング装置、３…
…基板キャリヤ、4,5,6……位置、7,8……壁部、9,10…
…ウエブ、11……搬送リング、12,13,14,15……駆動装
置、16,17,18……位置、19……プレート、20……ユニッ
ト、21,22,23,24……陰極、25,26……部分、27……プレ
ート、28……プロセス室、29,30,31,32,33,34,35,36…
…受容口、37……外周部、38……Ｖ字形断面の溝、39…
…回転軸線、40……搬送リング、41……摩擦車、42……
Ｖ字形断面の突起、43……駆動軸、44……真空シール、
45,46……軸受、47……ケーシング、48……開口、49…
…陰極、50,51……範囲、52……基板、53……マスク、5
4,55……昇降装置、56,58……矢印、57……ガイド面、5
9……搬送リング、60,61……フランジ部分、62,63……
接続スリーブ、64,65,66……押圧機構、67……スピンド
ル、68……右ねじ山、69……左ねじ山、70,71……雌ね
じ、72,73,74,75……矢印、76……搬送リング、77,78…
…Ｏリング、79……搬入及び搬出室、80……プロセス
室、81……受容開口、82……閉鎖蓋、83……Ｏリング、
84……真空室、85……仕切り弁、86,87……ダイヤフラ
ムベローズ、88,89……スピンドルの軸線、91……旋回
アーム、92……軸線、93,94……位置、94……閉鎖蓋。
装置の第２図矢印Ｉ方向で見た側面図、第２図は第１図
に示した装置を上から見た図、第３図は基板の搬送リン
グを示した平面図、第４図は第３図のIV−IV線に沿った
断面図、第５図は第３図のＶ−Ｖ線に沿った部分的な拡
大断面図、第６図は搬送リングの駆動装置を示した第７
図VI−VI線に沿った拡大断面図、第７図は第６図の側面
図、第８図は陰極ステーションを部分的に半径方向で断
面した図、第９図は第10図に示した、陰極スパッタリン
グ装置のローディング及びアンローディングステーショ
ンの矢印IX方向で見た図、第10図は第９図のＸ−Ｘ線に
沿った断面図である。 １……スタンド、２……陰極スパッタリング装置、３…
…基板キャリヤ、4,5,6……位置、7,8……壁部、9,10…
…ウエブ、11……搬送リング、12,13,14,15……駆動装
置、16,17,18……位置、19……プレート、20……ユニッ
ト、21,22,23,24……陰極、25,26……部分、27……プレ
ート、28……プロセス室、29,30,31,32,33,34,35,36…
…受容口、37……外周部、38……Ｖ字形断面の溝、39…
…回転軸線、40……搬送リング、41……摩擦車、42……
Ｖ字形断面の突起、43……駆動軸、44……真空シール、
45,46……軸受、47……ケーシング、48……開口、49…
…陰極、50,51……範囲、52……基板、53……マスク、5
4,55……昇降装置、56,58……矢印、57……ガイド面、5
9……搬送リング、60,61……フランジ部分、62,63……
接続スリーブ、64,65,66……押圧機構、67……スピンド
ル、68……右ねじ山、69……左ねじ山、70,71……雌ね
じ、72,73,74,75……矢印、76……搬送リング、77,78…
…Ｏリング、79……搬入及び搬出室、80……プロセス
室、81……受容開口、82……閉鎖蓋、83……Ｏリング、
84……真空室、85……仕切り弁、86,87……ダイヤフラ
ムベローズ、88,89……スピンドルの軸線、91……旋回
アーム、92……軸線、93,94……位置、94……閉鎖蓋。
Claims (17)
- 【請求項１】回転するリング状の基板キャリヤが設置さ
れているリング状のプロセス室と、少なくとも１つの陰
極ステーションと、少なくとも１つのローディング−及
びアンローディングステーションとを備えた、基板をコ
ーティングするための陰極スパッタリング装置におい
て、プロセス室及び基板キャリヤが鉛直又はほぼ鉛直に
配置されており、プロセス室の鉛直又ははぼ鉛直な壁部
に陰極ステーションと、ローディング−及びアンローデ
ィングステーションとが配置されていることを特徴とす
る、陰極スパッタリング装置。 - 【請求項２】リング状の基板キャリヤの外周範囲に、基
板キャリヤ（３）のための少なくとも１つの駆動装置
（12,13,14,15）が配置されている、請求項１記載の陰
極スパッタリング装置。 - 【請求項３】摩擦接続運動を伝達するための、Ｖ字形溝
付き円板として構成された搬送リング（11若しくは40）
が設けられていて、このＶ字形溝付き円板のＶ字形断面
の溝（38）内で、ケーシング（47）内に定置に支承され
た摩擦車（41）が転動し、該摩擦車（41）のＶ字形断面
の突起（42）が前記Ｖ字形断面の溝（38）に対応してい
る、請求項１又は２記載の陰極スパッタリング装置。 - 【請求項４】基板キャリヤは、基板のため１つ又はそれ
以上の受容装置を備えた搬送リング（11）として構成さ
れている、請求項１から３までのいずれか１項記載の陰
極スパッタリング装置。 - 【請求項５】プロセス室（7,8若しくは9,10若しくは2
8）は、互いに向き合う２つの壁部を有しており、これ
ら２つの壁部のうちの一方の壁部に第１の陰極が設けら
れていて、他方の壁部に、前記第１の陰極に対して所定
の角度だけずらして配置された第２の陰極が設けられて
いる、請求項１から４までのいずれか１項記載の陰極ス
パッタリング装置。 - 【請求項６】プロセス室は、共通の水平な軸線上に配置
された互いに向き合う２つの陰極（49）を有する少なく
とも１つの陰極ステーションを備えている、請求項１か
ら５までのいずれか１項記載の陰極スパッタリング装
置。 - 【請求項７】陰極（49）と基板（52）との間にマスク
（53）が配置されている、請求項１から６までのいずれ
か１項記載の陰極スパッタリング装置。 - 【請求項８】前記マスク（53）が可動にしかも前記基板
キャリヤ（59）上に連載可能に配置されている、請求項
１から７までのいずれか１項記載の陰極スパッタリング
装置。 - 【請求項９】前記マスク（53）のガイド面（57）が円錐
形に構成されている、請求項１から８までのいずれか１
項記載の陰極スパッタリング装置。 - 【請求項１０】プロセス室は、第１の壁部範囲でマスク
を備えた第１の陰極を備えていて、この第１の壁部範囲
に向き合う第２の壁部範囲で、前記第１の陰極に対して
所定の角度だけずらされた、マスクを備えた第２の陰極
を備えている、請求項１から９までのいずれか１項記載
の陰極スパッタリング装置。 - 【請求項１１】２つの互いに向き合う陰極を備えた陰極
ステーションにおいて、２つの互いに向き合うマスクが
設けられている、請求項１から10までのいずれか１項記
載の陰極スパッタリング装置。 - 【請求項１２】ローディング−及びアンローディングス
テーションは互いに向き合う２つの接続スリーブ（62,6
3）を備えており、これら２つの接続スリーブ（62,63）
は、軸方向可動で基板キャリヤ（76）に対して押し付け
可能に配置されていて、この基板キャリヤ（76）と協働
して搬入及び搬出室（79）の少なくとも１部を形成して
いる、請求項１から11までのいずれか１項記載の陰極ス
パッタリング装置。 - 【請求項１３】前記接続スリーブは、押圧機構（64,65,
66）によって互いに相対的に可動な押圧部材（60,61）
に接続されている、請求項１から12までのいずれか１項
記載の陰極スパッタリング装置。 - 【請求項１４】前記押圧機構（64,65,66）は右ねじ山及
び左ねじ山備えたスピンドル（67）より成っており、該
スピンドル（67）は回転する際に押圧部材に設けられた
対応するねじ山によって接続スリーブ（62,63）を備え
た押圧部材（60,61）を基体キャリヤ（76）に向かって
押し付けるか、若しくはこの基体キャリヤ（76）から離
すようになっている、請求項１から13までのいづれか１
項記載の陰極スパッタリング装置。 - 【請求項１５】前記押圧部材（60,61）は３角形のプレ
ート状に構成されていて、該プレートの各３角形のコー
ナー範囲にそれぞれ１つの押圧機構（64,65,66）が配置
されている、請求項からまでのいづれか１項記載の陰極
スパッタリング装置。 - 【請求項１６】搬入−及び搬出室のための閉鎖蓋を有す
る旋回アーム（91,93）が設けられており、該旋回アー
ムが閉鎖蓋を室の手前の閉鎖位置に移動させるか、又は
室の開放後に開放旋回位置に移動させるようになってい
る、請求項１から15までのいづれか１項記載の陰極スパ
ッタリング装置。 - 【請求項１７】プロセス室に対して接続スリーブをシー
ルするためにダイヤフラムベローズ（87,86）が設けら
れている、請求項１から16までのいづれか１項記載の陰
極スパッタリング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3912297.2 | 1989-04-14 | ||
| DE3912297A DE3912297C2 (de) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | Katodenzerstäubungsanlage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294475A JPH02294475A (ja) | 1990-12-05 |
| JPH0713296B2 true JPH0713296B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=6378680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2095217A Expired - Lifetime JPH0713296B2 (ja) | 1989-04-14 | 1990-04-12 | 陰極スパツタリング装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4938858A (ja) |
| JP (1) | JPH0713296B2 (ja) |
| KR (1) | KR920005623B1 (ja) |
| CH (1) | CH681014A5 (ja) |
| DE (1) | DE3912297C2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2644567A1 (fr) * | 1989-03-17 | 1990-09-21 | Etudes Const Mecaniques | Dispositif pour l'execution de traitements thermiques enchaines en continu sous vide |
| DE4009603A1 (de) * | 1989-03-30 | 1990-10-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zum ein- und ausschleusen eines werkstuecks in eine vakuumkammer |
| IT1232241B (it) * | 1989-09-11 | 1992-01-28 | Cetev Cent Tecnolog Vuoto | Dispositivo per il caricamento veloce di substrati in impianti da vuoto |
| EP0496036B1 (en) * | 1991-01-25 | 1994-12-14 | Sony Corporation | A sputtering apparatus |
| US5196101A (en) * | 1991-02-05 | 1993-03-23 | Califoria Institute Of Technology | Deposition of thin films of multicomponent materials |
| US5165340A (en) * | 1991-03-06 | 1992-11-24 | Karlyn William M | Multicolor printing system for the silk-screen printing of compact discs |
| DE4110490C2 (de) * | 1991-03-30 | 2002-02-28 | Unaxis Deutschland Holding | Kathodenzerstäubungsanlage |
| DE59205106D1 (de) * | 1991-12-27 | 1996-02-29 | Balzers Hochvakuum | Vakuumbehandlungsanlage und deren Verwendungen |
| GB2272225B (en) * | 1992-10-06 | 1996-07-17 | Balzers Hochvakuum | A method for masking a workpiece and a vacuum treatment facility |
| DE4235678C1 (de) * | 1992-10-22 | 1994-05-26 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Werkstückes, und Vakuumbehandlungsanlage zur Durchführung des Verfahrens |
| DE4302851A1 (de) * | 1993-02-02 | 1994-08-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Anbringen und/oder Entfernen einer Maske an einem Substrat |
| US6905578B1 (en) * | 1998-04-27 | 2005-06-14 | Cvc Products, Inc. | Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure |
| EP0980066A1 (de) * | 1998-08-10 | 2000-02-16 | SONOPRESS PRODUKTIONSGESELLSCHAFT FÜR TON- UND INFORMATIONSTRÄGER mbH | Optisch lesbarer Datenträger sowie Verfahren und Anlage zu seiner Herstellung |
| US6264804B1 (en) | 2000-04-12 | 2001-07-24 | Ske Technology Corp. | System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system |
| US6413381B1 (en) | 2000-04-12 | 2002-07-02 | Steag Hamatech Ag | Horizontal sputtering system |
| DE10122070B4 (de) * | 2001-05-07 | 2005-07-07 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Kathodenzerstäubungskammer zum Aufbringen von Material auf der Oberfläche einer in der Kammer befindlichen Halbleiterscheibe |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3532072A (en) * | 1966-10-17 | 1970-10-06 | Inland Steel Co | Spray coating apparatus |
| US3594301A (en) * | 1968-11-22 | 1971-07-20 | Gen Electric | Sputter coating apparatus |
| US3904930A (en) * | 1974-04-17 | 1975-09-09 | Estey Dynamics Corp | Automatic powder spray apparatus and method for spraying the inside surfaces of containers |
| US4756815A (en) * | 1979-12-21 | 1988-07-12 | Varian Associates, Inc. | Wafer coating system |
| DE3306870A1 (de) * | 1983-02-26 | 1984-08-30 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum herstellen von schichten mit rotationssymmetrischem dickenprofil durch katodenzerstaeubung |
| US4500407A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Disk or wafer handling and coating system |
| US4558388A (en) * | 1983-11-02 | 1985-12-10 | Varian Associates, Inc. | Substrate and substrate holder |
| DE3413001A1 (de) * | 1984-04-06 | 1985-10-17 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Katodenzerstaeubungsanlage mit nebeneinander angeordneten stationen |
| US4534314A (en) * | 1984-05-10 | 1985-08-13 | Varian Associates, Inc. | Load lock pumping mechanism |
| US4548699A (en) * | 1984-05-17 | 1985-10-22 | Varian Associates, Inc. | Transfer plate rotation system |
| US4663009A (en) * | 1985-02-08 | 1987-05-05 | Hewlett-Packard Company | System and method for depositing plural thin film layers on a substrate |
| US4770590A (en) * | 1986-05-16 | 1988-09-13 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat |
| JPS63143256A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-15 | Anelva Corp | スパツタリング装置 |
| JPS63199867A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | マグネトロン・スパツタリング方法およびその装置 |
| JPS63282260A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-18 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | スパッタリング装置 |
| DE3716498C2 (de) * | 1987-05-16 | 1994-08-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen von Werkstücken in eine Beschichtungskammer |
| DE3717712A1 (de) * | 1987-05-26 | 1988-12-15 | Leybold Ag | Vorrichtung zur halterung von werkstuecken |
| US4808291A (en) * | 1987-09-09 | 1989-02-28 | Denton Vacuum Inc. | Apparatus for coating compact disks |
-
1989
- 1989-04-14 DE DE3912297A patent/DE3912297C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-31 US US07/386,975 patent/US4938858A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-20 CH CH547/90A patent/CH681014A5/de not_active IP Right Cessation
- 1990-04-12 JP JP2095217A patent/JPH0713296B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-13 KR KR1019900005167A patent/KR920005623B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920005623B1 (ko) | 1992-07-10 |
| US4938858A (en) | 1990-07-03 |
| DE3912297C2 (de) | 1996-07-18 |
| KR900016494A (ko) | 1990-11-13 |
| CH681014A5 (ja) | 1992-12-31 |
| JPH02294475A (ja) | 1990-12-05 |
| DE3912297A1 (de) | 1990-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0713296B2 (ja) | 陰極スパツタリング装置 | |
| JP2602976B2 (ja) | カソードスパツタリング装置 | |
| CA1214326A (en) | Disk or wafer handling and coating system | |
| EP0443049B1 (en) | Sputtering apparatus and sputtering system | |
| US3915117A (en) | Vacuum coating apparatus | |
| JP2699045B2 (ja) | 基板取扱い処理システム | |
| US5110249A (en) | Transport system for inline vacuum processing | |
| JP3440108B2 (ja) | 真空加工処理装置および真空加工処理方法 | |
| US7033471B2 (en) | Sputter chamber as well as vacuum transport chamber and vacuum handling apparatus with such chambers | |
| WO2005111263A1 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3397802B2 (ja) | カソードスパッタリング装置 | |
| EP0665193B1 (en) | Substrate handling and processing system for flat panel displays | |
| JPH02285074A (ja) | 工作物の真空室内に搬入及び搬出するための装置 | |
| US6481955B2 (en) | Vacuum treatment equipment | |
| US4984531A (en) | Device for accepting and holding a workpiece in vacuum coating apparatus | |
| WO1999004058A1 (fr) | Dispositif de pulverisation cathodique a magnetron a feuille | |
| JPS61170568A (ja) | 連続真空処理装置 | |
| US5549435A (en) | Chamber and a chamber combination for a vacuum facility and a method for transporting through at least one workpiece | |
| JPH03285068A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP5059269B2 (ja) | スパッタチャンバならびに真空輸送チャンバおよびこれらのチャンバを備えた真空処理装置 | |
| JPH04224679A (ja) | 真空室に対してワークピースを搬入・搬出するための装置 | |
| JP4392895B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH05331642A (ja) | マルチチャンバ式スパッタリング装置 | |
| US7312940B2 (en) | Magnetic transfer apparatus | |
| JPS621228Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080215 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090215 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090215 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 16 |