JPH02294475A - 陰極スパツタリング装置 - Google Patents
陰極スパツタリング装置Info
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ているリング状のプロセス室と、少なくとも1つの陰極
ステーションと、少なくとも1つのローディング−及び
アンローディングステーションとを備えた、基板をコー
ティングするための陰極スパッタリング装置に関する。
)に、バキュウムプロセステクノロジ− (vacuu
m processing technology)、
特に薄膜技術でコーティングを施すことは知られている
。コンパクトディスクはデジタルインフォーメションを
記憶する近代的な記憶媒体である。
ック円板は、スパッタリング技術によって例えば1万分
の1ミリメートルよりも薄いアルミニウム層でコーティ
ングさる。このために使用されるスパッタリングーコー
ティング装置は多くの場合、リング状に構成されている
。クリーンルーム内に配置されたゲートを通ってロボッ
トが装置内へのローディング及び装置からのアンローデ
ィングを行うようになっている。ゲートからは基板キャ
リヤが、基板をリング状のプロセス室を通って搬出する
。スパッタリングは、マグネトロンとして構成されたハ
イパワーのスパツタリングカソード(陰極)によって行
われる。
ausGmbHのパンフレット12−710.01に記
載されている。この公知の陰極スパッタリング装置は、
レザー反射するアルミニウム層を備えた片面コーティン
グを行うために使用される。この装置は水平に配置され
たリング状の真空室を有しており、該真空室は、ローデ
ィング及びアンローディングステーシ胃ン、プレート受
容部を備えた搬送リング、並びにコーティング室とロー
ディング及びアンローディングステーシ2冫との間で圧
力を遮断するためのダイナミックスルース(dynam
ic sluice)を備えている。
技術の装置におけるよりも多くの陰極ステーシ鱈ン、測
定ステーシ1ン及びその他の例えば装置に対するローデ
イングやアンローデイング等の機能を有するステーショ
ンを設けることができるようにすることである。これは
またスペースが節約されたものでなくてはならない。真
空、冷却水、電流及び圧縮空気のための接続部の長さは
できるだけ短くしなければならない。装置を取り付け又
は保持するために必要な骨組又はフレーム若しくは゜ラ
ックは、同時に供給導管のための支持体としての働きを
も有していなければならない。非常に小さいクリーンル
ームを得るための前提条件も提供しなければならない。
のできる陰極スパッタリング装置を提供しなければなら
ない。特に真空室の大きい両側面の保守、交換及び修理
作業は、従来技術のものにおけるよりも簡単にできるよ
うにしなければならない。本発明による装置が必要とす
る設置面は小さいものでなければならない。特に、陰極
スパッタリング装置をその製造の流れ内でその他の製造
装置と直接に連結できるようにしなければならない。
ようにより良好に保護することである。また、ローデイ
ング及びアンローデインダステーションをプロセス室の
その他の部分に対して良好にシールしなければならない
。また、特に互いに向き合う2つのスパッタリング陰極
のためのより良好な前提条件を提供しなければならない
。
な駆動装置を設けなくても済むように、搬送リングを軽
量に構成することである。
ーディングステーシジンの部分によって変形されないよ
うにしなければならず、しかも、強い力で負荷できるよ
うにし、これによってローディング及びアンローディン
グステーシ扉ンの範囲で申し分のないシールが得られる
ようにしなければならない. 〔課題を解決するための手段〕 この課題を解決した本発明によれば、プロセス室及び基
板キャリヤが鉛直又はほぼ鉛直に配置されており、プロ
セス室の鉛直又はほぼ鉛直な壁部に陰極ステーションと
、ローディング−及びアンローディングステーションと
が配置されている。
ヤの外周範囲に、基板キャリヤのための少なくとも1つ
の駆動装置が配置されている。
、駆動装置は、基板キャリヤの外周部に設けられた対応
する内側キー輪郭に係合する外側キー輪郭を有する摩擦
円板を備えた摩擦駆動装置として構成されている。
装置を備えた搬送リングとして構成されている。
の壁部範囲で第1の陰極を備えていて、この第1の壁部
範囲に向き合う第2の壁部範囲で、第1の陰極に対して
所定の角度だけずらされた第2の陰極を備えている。
向き合う2つの陰極を有する少なくとも1つの陰極ステ
ーションを備えていてもよい。
基板との間にマスクが配置されていることによって避け
られる。このマスクは、基板を除いてプロセス及び搬送
リングの全面を遮断する。
によればさらに、マスクが可動にしかも前記基板キャリ
ヤ上に載設可能に配置されており、マスクのガイド面が
円錐形に構成されている。これによって、層厚の均一性
も得られる。
隔を保っている。
えた陰極ステーションにおいて、互いに向き合う2つの
マスクが設けられている。
セス室の残りの部分に対して良好にシールするために、
本発明の特別な構成要件によれば、ローディング−及び
アンローディングステーションは互いに向き合う2つの
接続スリーブを備えており、これら2つの接続スリーブ
は、軸方向可動で基板キャリヤに対して押し付け可能に
配置されていて、この基板キャリヤと協働して搬入及び
搬出室の少なくとも1部を形成している。
相対的に可動な押圧部材に接続されている。
備えたスピンドルより成っており、該スピンドルは回転
する際に押圧部材に設けられた対応するねじ山によって
接続スリーブを備えた押圧部材を基体キャリヤに向かっ
て押し付けるか、若しくはこの基体キャリヤから離すよ
うになっている。
成されていて、該プレートの各3角形のコーナー範囲に
それぞれ1つの押圧機構が配置されている。
室のための閉鎖蓋を有する旋回アームが設けられており
、該旋回アームが閉鎖蓋を室の手前の閉鎖位置に移動さ
せるか、又は室の開放後に開放旋回位置に移動させるよ
うになっており、プロセス室に対して接続スリーブをシ
ールするためにダイヤフラムベローズが設けられている
。
。本発明によれば、プロセス室にすべての側から容易に
近付くことのできる陰極スパッタリング装置が提供され
た。半径方向外側及び内側から、真空供給、電流供給、
冷却水供給及びその他のための導管を取り付けるための
短い経路が得られる。また、本発明によればコンパクト
な構造で小さい設置面が得られ、装置の2つの主平面に
容易に近付くことができるようになっているので、前記
導管は、製造ラインで完成された装置に容易に組み込む
ことができる。
に説明する。
装置が示されている。この陰極スパッタリング装置は全
体が符号2で記されている。第1図及び第2図で分かる
ように、この装置は、真空状態にある平らな環状のプロ
セス室28より成っている。
されているので、位置4.5.6で基板を受容する、プ
ロセス室内で回転する基板キャリヤ3が見えている。
直に位置する2つの壁部7,8は、外側のウエブ9及び
内側のウエブ10を介して違いに接続されている(第2
図参照)。これら2つのウエブ9,10は第1図では、
プロセス室28の破断した部分で、断面として斜線で示
されている。第2図では外側のウェブ9が示されている
。
送リング11として構成されている第1図で分かるよう
に、搬送リング1lは駆動装置12.13.14.15
を介して回転せしめられる。位置l6にローディング及
びアンローディングステーションが設けられている。
。
に示されている。このプレートはユニッ}20のための
支持部材であって、ローディング及びアンローデインダ
ステーシaンのための旋回アーム及び蓋より成っている
。旋回アーム及び蓋は同様に第9図に詳しく示されてい
る。
.22.23.24が概略的に示されている。これらの
陰極の詳細は第8図に示されている。しかも第2図には
、ローディング及びアンローディングステーシa冫の互
いに向き合う2つの部分25.26が概略的に示されて
いる。このローディング及びアンローディングステーシ
ョンの詳細は、第9図及び第10図を用いて説明されて
いる。
前記ユニット20が示されている。
しめられた状態が示されている。
1図も参照).27が示されているこれらのプレートに
ついては第10図を用いて説明されている。これらのプ
レートは、ローディング及びアンローディングステーシ
ョンの搬入及び搬出室の部分のための押圧部材である(
第9図及び第10図参照)。
面しか必要とせず、装置のすべての部分には両側から容
易に近付くことができる。
10(ここに供給媒体若しくは供給電流のための接続導
管が存在する)までの供給導管の長さが、有利には非常
に短くなっていることが分かる。
30.31.32,33.34,35,36を有してい
る。これらの受容開口内に、基板、例えばディスクを定
置に保持する受容装置が配置されている。基板は搬送リ
ングによってローディング及びアンローディングステー
ションから陰極ステーション、次いで再びローディング
及びアンローディングステーションに搬送される。冒頭
に述べたように搬送リングは回転する搬送リングである
。
5図で示されているように、外周部37は内側キー輪郭
38を有している。搬送リングの回転軸線は第3図及び
第4図に図示されている。この回転軸線は第3図では点
で示されている。第6図及び第7図は搬送リングのため
の駆動装置を示している。第6図では搬送リングは符号
40で記されている。符号38は搬送リングの内側キー
輪郭を示す。符号4lは、外側キー輪郭42を有する摩
擦車を示している。摩擦車はプロセス室若しくは真空室
を有している。従って摩擦車の駆動軸43は真空シール
44によって外気に対してシールされている。符号45
.46で、摩擦車の駆動軸43の位置が示されている。
る。摩擦車がケーシング47内に字は位置されているこ
とが分かる。ケーシング47はプロセス室28のウエブ
9にねじ止めされている。摩擦車4lは、ウエブ9に設
けられた開口48を通ってプロセス室内に突入している
。環状のプロセス室の周囲には前記形式の4つの摩擦車
駆動装置が配置されている(第1図の位置12.13.
14.15参照)。
の部分断面図が示されている。この陰極は、磁場によっ
て補助されるハイパワーのスパッタリング陰極である。
ている。
いる。ターゲットは、第4図では陰極の中に配置されて
いるので、第4図では見えていない。陰極が稼働される
と、陰極若しくはターゲットの上側の範囲50.51に
プラズマが形成される。この実施例で設けられたマグネ
トロンは、範囲50.51で磁場によってまとめられて
いる。プラズマの正電荷されたイオンはターゲットに衝
突してターゲットから材料粒子をスパッターする。この
スパッターされた材料粒子が基板52をコーティングす
る。
なマスクを示している。基板がスパッタリングされる前
に、マスクが矢印56の方向で基板52にかぶせられる
。
よって矢印58方向で戻し移動せしめられ、これによっ
て搬送り冫グ59はさらに回転せしめられる。基板は次
のスパッタリングステーション、若しくはローディング
及びアンローデインダステーシオンに達する。
体がスパッターされないように確実に保護される。
れている(第1図参照)。多数の陰極によって基板上に
多くのコーティングを施すシステムが得られる。
の第1の壁部と向き合う第2の壁部で第2の陰極を備え
ることができ、この場合に、第2の陰極は第1の陰極に
対して所定の角度だけずらして配置されている。
とができる(第2図の符合21.22,23.24参照
)。互いに向き合う陰極ステーションによって基板はそ
の両側がコーティングされる。
ダステーシdンを示している。第10図に詳しく示して
あるように、押圧部材の作用を有するフランジ部60.
61が設けられている。これらのフランジ部にはそれぞ
れ1つの接続スリーブ62.63が配置されている。プ
レート状の押圧部材は、第9図に示されているように3
角形の形状を有している(符号6l参照)。第9図は、
第1θ図の矢印■方向から見た図である。この方向は第
1図の方向と同じである。 3角形の7ランジ部6lの
コーナ一部には押圧機構64.65.66が設けられて
いる。第1O図には部分的に断面した押圧機構64が示
されている。各押圧機構は、第10図で符号67で示さ
れたスピンドルより成っているこのスピンドルは互いに
逆向きのねじ山、例えば左ねじ山68と右ねじ山69と
を有している。このスピンドルねじ山は、プレート状の
押圧部材60.61(7ランジ部)の部分に取り付けら
れた雌ねじ70.71に対応する。
の押圧部材、及びこれに成形された接続スリーブは矢印
72.73方向で互いに接近する方向に、又は矢印74
.75の方向で互いに離れる方向に移動する。第1θ図
では符号76で搬送リングが示されている。符号77.
78で真空シールを形成する0リングが示されている。
ると、つまり搬送リング76に押し付けられると、接続
スリーブによって取り囲まれた閉鎖したシリンダ状の室
を形成する。この室はプレート室の残りに対して分離さ
れていてローディング及びアンローデイング装置の搬入
及び搬出室を有している。
出室(仕切り室)79はリング状のプロセス室80の残
りに対して隔絶される。
圧下にさらされる。次いでコーティングされた基板は取
り除かれ、新たな基板が受容装置8l内に設置される。
すと、仕切り室は蓋94によって真空に閉鎖される。符
号83で真空シールとしての0リングが示されている。
す。
ている場合に真空ポンプによって排気される。仕切り室
79内で真空が形成されると、2つの接続スリーブ63
.62は矢印7475の方向で互いに離れるように移動
する。
86.87によって雰囲気に対してシールされている。
区分だけさらに移動せしめられる。
例えば、基板がコーティングされる陰極ステーションで
ある。
れている。プレート状の抑圧部材6lには旋回アーム9
lがヒンジ接統されている。この旋回アームは半円形状
の端部を有している。この旋回アームは蓋82の半分を
取り囲んでいる。蓋は軸線92に沿って旋回アーム9l
で回転可能に配置されている。
蓋が示されている。閉鎖位置においては、第9図で破線
で示されているように旋回アームが位置93、蓋が位置
94にある(第1θ図も参照)。
、搬送リングを変形させることなしに、高い力で薄い搬
送リングに押し付けられている。これは、搬送リングを
中心にして両側に正確に接続スリーブが配置されている
からである。これの接続スリーブは、搬送リングの両側
に同一の力でしかも同時に押圧力を加える。
ンドル64.65.66を同時に操作することによって
得られる。
装置の第2図矢印■方向で見た側面図、第2図は第1図
に示した装置を上から見た図、第3図は基板の搬送リン
グを示した平面図、第4図は第3図のIt/−IV線に
沿った断面図、第5図は第3図のv−v線に沿った部分
的な拡大断面図、第6図は搬送リングの駆動装置を示し
た第7図Vl−Vl線に沿った拡大断面図、第7図は第
6図の側面図、第8図は陰極ステーションを部分的に半
径方向で断面した図、第9図は第10図に示した、陰極
スパッタリング装置のローディング及びアンローデイン
ダステーシコンの矢印■方向で見た図、第10図は第9
図のX−X線に沿った断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、回転するリング状の基板キャリヤが設置されている
リング状のプロセス室と、少なくとも1つの陰極ステー
ションと、少なくとも1つのローディング−及びアンロ
ーディングステーションとを備えた、基板をコーティン
グするための陰極スパッタリング装置において、プロセ
ス室及び基板キャリヤが鉛直又はほぼ鉛直に配置されて
おり、プロセス室の鉛直又はほぼ鉛直な壁部に陰極ステ
ーションと、ローディング−及びアンローディングステ
ーションとが配置されていることを特徴とする、陰極ス
パッタリング装置。 2、リング状の基板キャリヤの外周範囲に、基板キャリ
ヤ(3)のための少なくとも1つの駆動装置(12、1
3、14、15)が配置されている、請求項1記載の陰
極スパッタリング装置。 3、前記駆動装置は、基板キャリヤの外周部に設けられ
た対応する内側キー輪郭(38)に係合する外側キー輪
郭(42)を有する摩擦円板(41)を備えた摩擦駆動
装置として構成されている、請求項1又は2記載の陰極
スパッタリング装置。 4、基板キャリヤは、基板のための1つ又はそれ以上の
受容装置を備えた搬送リング(11)として構成されて
いる、請求項1から3までのいずれか1項記載の陰極ス
パッタリング装置。 5、プロセス室は第1の壁部範囲で第1の陰極を備えて
いて、この第1の壁部範囲に向き合う第2の壁部範囲で
、第1の陰極に対して所定の角度だけずらされた第2の
陰極を備えている、請求項1から4までのいずれか1項
記載の陰極スパッタリング装置。 6、プロセス室は、共通の水平な軸線上に配置された互
いに向き合う2つの陰極(49)を有する少なくとも1
つの陰極ステーションを備えている、請求項1から5ま
でのいずれか1項記載の陰極スパッタリング装置。 7、陰極(49)と基板(52)との間にマスク(53
)が配置されている、請求項1から6までのいずれか1
項記載の陰極スパッタリング装置。 8、前記マスク(53)が可動にしかも前記基板キャリ
ヤ(59)上に載設可能に配置されている、請求項1か
ら7までのいずれか1項記載の陰極スパッタリング装置
。 9、前記マスク(53)のガイド面(57)が円錐形に
構成されている、請求項1から8までのいずれか1項記
載の陰極スパッタリング装置。 10、プロセス室は、第1の壁部範囲でマスクを備えた
第1の陰極を備えていて、この第1の壁部範囲に向き合
う第2の壁部範囲で、前記第1の陰極に対して所定の角
度だけずらされた、マスクを備えた第2の陰極を備えて
いる、請求項1から9までのいずれか1項記載の陰極ス
パッタリング装置。 11、2つの互いに向き合う陰極を備えた陰極ステーシ
ョンにおいて、2つの互いに向き合うマスクが設けられ
ている、請求項1から10までのいずれか1項記載の陰
極スパッタリング装置。 12、ローディング−及びアンローディングステーショ
ンは互いに向き合う2つの接続スリーブ(62、63)
を備えており、これら2つの接続スリーブ(62、63
)は、軸方向可動で基板キャリヤ(76)に対して押し
付け可能に配置されていて、この基板キャリヤ(76)
と協働して搬入及び搬出室(79)の少なくとも1部を
形成している、請求項1から11までのいずれか1項記
載の陰極スパッタリング装置。 13、前記接続スリーブは、押圧機構(64、65、6
6)によって互いに相対的に可動な押圧部材(60、6
1)に接続されている、請求項1から12までのいずれ
か1項記載の陰極スパッタリング装置。 14、前記押圧機構(64、65、66)は右ねじ山及
び左ねじ山備えたスピンドル(67)より成っており、
該スピンドル(67)は回転する際に押圧部材に設けら
れた対応するねじ山によって接続スリーブ(62、63
)を備えた押圧部材(60、61)を基体キャリヤ(7
6)に向かって押し付けるか、若しくはこの基体キャリ
ヤ(76)から離すようになっている、請求項1から1
3までのいづれか1項記載の陰極スパッタリング装置。 15、前記押圧部材(60、61)は3角形のプレート
状に構成されていて、該プレートの各3角形のコーナー
範囲にそれぞれ1つの押圧機構(64、65、66)が
配置されている、請求項からまでのいづれか1項記載の
陰極スパッタリング装置。 16、搬入−及び搬出室のための閉鎖蓋を有する旋回ア
ーム(91、93)が設けられており、該旋回アームが
閉鎖蓋を室の手前の閉鎖位置に移動させるか、又は室の
開放後に開放旋回位置に移動させるようになっている、
請求項1から15までのいづれか1項記載の陰極スパッ
タリング装置。 17、プロセス室に対して接続スリーブをシールするた
めにダイヤフラムベローズ(87、86)が設けられて
いる、請求項1から16までのいづれか1項記載の陰極
スパッタリング装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3912297A DE3912297C2 (de) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | Katodenzerstäubungsanlage |
DE3912297.2 | 1989-04-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02294475A true JPH02294475A (ja) | 1990-12-05 |
JPH0713296B2 JPH0713296B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=6378680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2095217A Expired - Lifetime JPH0713296B2 (ja) | 1989-04-14 | 1990-04-12 | 陰極スパツタリング装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4938858A (ja) |
JP (1) | JPH0713296B2 (ja) |
KR (1) | KR920005623B1 (ja) |
CH (1) | CH681014A5 (ja) |
DE (1) | DE3912297C2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2644567A1 (fr) * | 1989-03-17 | 1990-09-21 | Etudes Const Mecaniques | Dispositif pour l'execution de traitements thermiques enchaines en continu sous vide |
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DE3717712A1 (de) * | 1987-05-26 | 1988-12-15 | Leybold Ag | Vorrichtung zur halterung von werkstuecken |
US4808291A (en) * | 1987-09-09 | 1989-02-28 | Denton Vacuum Inc. | Apparatus for coating compact disks |
-
1989
- 1989-04-14 DE DE3912297A patent/DE3912297C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-31 US US07/386,975 patent/US4938858A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-20 CH CH547/90A patent/CH681014A5/de not_active IP Right Cessation
- 1990-04-12 JP JP2095217A patent/JPH0713296B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-13 KR KR1019900005167A patent/KR920005623B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS63199867A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | マグネトロン・スパツタリング方法およびその装置 |
JPS63282260A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-18 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | スパッタリング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR920005623B1 (ko) | 1992-07-10 |
JPH0713296B2 (ja) | 1995-02-15 |
DE3912297C2 (de) | 1996-07-18 |
CH681014A5 (ja) | 1992-12-31 |
DE3912297A1 (de) | 1990-10-18 |
KR900016494A (ko) | 1990-11-13 |
US4938858A (en) | 1990-07-03 |
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Legal Events
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EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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