JPH07130658A - Processing method and processing apparatus - Google Patents
Processing method and processing apparatusInfo
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- JPH07130658A JPH07130658A JP27246893A JP27246893A JPH07130658A JP H07130658 A JPH07130658 A JP H07130658A JP 27246893 A JP27246893 A JP 27246893A JP 27246893 A JP27246893 A JP 27246893A JP H07130658 A JPH07130658 A JP H07130658A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、処理方法及び処理装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing method and a processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体ウエハ等の被処理物を
処理室内に配置し、所定の処理ガス雰囲気下で処理を施
す処理装置として、例えば、ＣＶＤ装置、エッチング装
置等が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a CVD apparatus, an etching apparatus and the like are known as processing apparatuses in which an object to be processed such as a semiconductor wafer is placed in a processing chamber and processing is performed in a predetermined processing gas atmosphere.
【０００３】このような処理装置のうち、例えば、ＣＶ
Ｄ装置では、従来から処理室内に所定のクリーニングガ
スを導入してクリーニングすることが行われている。Among such processing devices, for example, CV
In the D apparatus, conventionally, cleaning is performed by introducing a predetermined cleaning gas into the processing chamber.
【０００４】すなわち、ＣＶＤ装置では、成膜処理を実
行することによって、処理室内壁等に堆積物が付着する
が、この堆積物が剥がれて半導体ウエハ等の被処理物に
付着する場合がある。このため、例えば、ＮＦ3 、Ｈ
Ｆ、ＣｌＦ3 等のクリーニングガスを用いて、このよう
な堆積物の除去を行っている。このような方法によれ
ば、例えば、処理室等を取り外して洗浄するような場合
に較べて、短時間でクリーニングを行うことができ、か
つ、すぐに次の処理を行うことができるので、装置の稼
働率の向上を図ることができる。That is, in the CVD apparatus, deposits adhere to the inner wall of the processing chamber or the like by performing the film forming process, but the deposits may peel off and adhere to the object to be treated such as a semiconductor wafer. Therefore, for example, NF 3 , H
Such deposits are removed using a cleaning gas such as F or ClF 3 . According to such a method, as compared with the case where the processing chamber or the like is removed and cleaned, the cleaning can be performed in a shorter time and the next processing can be immediately performed. It is possible to improve the operating rate of.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法では、例えば、ＮＦ3 、ＨＦ、ＣｌＦ3 等
のクリーニングガスを用いたクリーニングを繰り返して
行うことにより、例えば、処理室内壁や、被処理物を加
熱するためのヒーター等が徐々に損傷を受け、これによ
ってこれらの構成部品の寿命が短くなり、ランニングコ
ストの上昇および装置稼働率の低下を招くという問題が
あった。However, in the above-mentioned conventional method, for example, by repeatedly performing cleaning using a cleaning gas such as NF 3 , HF, ClF 3 or the like, for example, the inner wall of the processing chamber or the object to be treated. There is a problem that a heater or the like for heating the processed material is gradually damaged, which shortens the life of these constituent parts, resulting in an increase in running cost and a decrease in equipment operating rate.
【０００６】また、例えば、エッチング装置では、エッ
チングガスとして、例えばＣｌ2 ＋ＢＣｌ3 等の腐食性
の高い塩素系のガスを使用することが多くなっており、
ＣＶＤ装置の場合と同様にこのようなエッチングガスに
よって処理室内壁等が損傷を受けるという問題があっ
た。Further, for example, in an etching apparatus, a chlorine-based gas having high corrosiveness such as Cl 2 + BCl 3 is often used as an etching gas.
As in the case of the CVD apparatus, there is a problem that the inner wall of the processing chamber is damaged by such etching gas.
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、処理室内壁や、ヒーター等の損傷を抑制
することができ、これらの構成部品の寿命を長期化する
ことによって、ランニングコストの低減および装置稼働
率の向上を図ることのできる処理方法及び処理装置を提
供しようとするものである。The present invention has been made in response to such a conventional situation, and it is possible to suppress the damage to the inner wall of the processing chamber, the heater, etc., and prolong the life of these constituent parts, thereby running An object of the present invention is to provide a processing method and a processing apparatus capable of reducing the cost and improving the operation rate of the apparatus.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の本発明の処理方法は、被処理物を処理室内に配置し、
所定の処理ガス雰囲気下で前記被処理物に所定の処理を
施す処理方法において、 前記被処理物を前記処理室か
ら搬出した状態で、前記処理室内に所定の保護膜形成用
ガスを導入し、該処理室内の構造物の少なくとも一部に
保護膜を形成する保護膜形成工程を具備したことを特徴
とする。That is, in the processing method of the present invention according to claim 1, the object to be processed is placed in a processing chamber,
In a processing method of performing a predetermined process on the object to be processed under a predetermined processing gas atmosphere, in a state in which the object to be processed is unloaded from the processing chamber, a predetermined protective film forming gas is introduced into the processing chamber, The method is characterized by including a protective film forming step of forming a protective film on at least a part of the structure in the processing chamber.
【０００９】また、請求項２記載の本発明の処理方法
は、被処理物を処理室内に配置し、所定の処理ガス雰囲
気下で前記被処理物に所定の処理を施す処理工程と、前
記被処理物を前記処理室から搬出した後、前記処理室内
に所定のクリーニングガスを導入して該処理室内をクリ
ーニングするクリーニング工程と、前記クリーニング工
程の後、前記処理室内に所定の保護膜形成用ガスを導入
し、該処理室内の構造物の少なくとも一部に保護膜を形
成する保護膜形成工程とを順次繰り返して実行すること
を特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a treatment step in which an object to be treated is placed in a treatment chamber and a prescribed treatment is applied to the object to be treated under a prescribed processing gas atmosphere. A cleaning step of introducing a predetermined cleaning gas into the processing chamber to carry out cleaning inside the processing chamber after carrying out the processed material from the processing chamber, and a predetermined protective film forming gas inside the processing chamber after the cleaning step. And a protective film forming step of forming a protective film on at least a part of the structure in the processing chamber are sequentially repeated.
【００１０】また、本発明の処理装置は、被処理物を処
理室内に配置し、所定の処理ガス雰囲気下で前記被処理
物に所定の処理を施す処理装置において、所定のタイミ
ングで前記処理室内に所定のクリーニングガスを導入し
て該処理室内をクリーニングし、この後、前記処理室内
に所定の保護膜形成用ガスを導入し、該処理室内の構造
物の少なくとも一部に保護膜を形成するよう構成された
ことを特徴とする。Further, in the processing apparatus of the present invention, the object to be processed is arranged in the processing chamber, and the object to be processed is subjected to a predetermined processing under a predetermined processing gas atmosphere. A predetermined cleaning gas is introduced to clean the processing chamber, and then a predetermined protective film forming gas is introduced into the processing chamber to form a protective film on at least a part of the structure in the processing chamber. It is characterized by being configured as follows.
【００１１】[0011]
【作用】本発明の処理方法及び処理装置では、処理室内
に所定の保護膜形成用ガスを導入し、処理室内の構造物
の少なくとも一部、例えば、処理室内壁や、被処理物が
載置されるヒーター等の少なくとも一部に、例えばポリ
マー系あるいはセラミックス系の保護膜を形成する。In the processing method and the processing apparatus of the present invention, a predetermined protective film forming gas is introduced into the processing chamber, and at least a part of the structure inside the processing chamber, for example, the inner wall of the processing chamber or the object to be processed is placed. A polymer-based or ceramic-based protective film, for example, is formed on at least a part of the heater or the like.
【００１２】なお、上記保護膜としては、 緻密でコンタミネーションの原因にならない。The protective film is dense and does not cause contamination.
【００１３】 被成膜材に近い熱膨張率を有し剥離し
にくい。It has a coefficient of thermal expansion close to that of the material to be film-formed and is difficult to peel off.
【００１４】 純度が高く汚染源にならない。It is highly pure and does not become a pollution source.
【００１５】等の条件を兼ね備えた保護膜が好ましく、
セラミックス系の場合、保護膜は、例えば、炭化珪素
（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）、窒化硼素（Ｐ−ＢＮ（熱分解窒化硼
素））等によって形成することが好ましい。A protective film satisfying the above conditions is preferable,
In the case of ceramics, the protective film is formed of, for example, silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si 3 N 4 ), aluminum nitride (AlN), boron nitride (P-BN (pyrolytic boron nitride)), or the like. Is preferred.
【００１６】このように、ＣＶＤ膜の成膜処理や、エッ
チング処理の合間に、処理室内壁や、ヒーター等に適宜
保護膜を形成することによって、これら構成部品の損傷
を抑制し、その寿命を長期化することができ、ランニン
グコストの低減および装置稼働率の向上を図ることがで
きる。As described above, by appropriately forming the protective film on the inner wall of the processing chamber, the heater, etc. between the film forming process of the CVD film and the etching process, damage to these components is suppressed and the life thereof is reduced. It is possible to prolong the life and reduce the running cost and improve the operation rate of the device.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１８】図１は、本発明の一実施例におけるＣＶＤ
装置の概略構成を示すもので、このＣＶＤ装置は、略円
筒状に形成された処理室を備えている。すなわち、この
処理室は、例えば表面にアルマイト処理を施されたアル
ミニウム等からなる部材により構成されており、円筒状
に形成された処理室本体１の上部開口を気密に閉塞する
如く、シャワーヘッド２が配設されている。このシャワ
ーヘッド２は、中空円板状に形成されており、上部に接
続されたガス導入管３から供給されたガスを、中空部分
で拡散させ、下側面に形成された多数のガス噴出孔４か
ら、処理室内に均一に導入するよう構成されている。FIG. 1 shows a CVD method according to an embodiment of the present invention.
The schematic configuration of the apparatus is shown. The CVD apparatus includes a processing chamber formed in a substantially cylindrical shape. That is, this processing chamber is made of, for example, a member such as aluminum whose surface is anodized, and the shower head 2 is formed so as to hermetically close the upper opening of the cylindrical processing chamber body 1. Is provided. The shower head 2 is formed in the shape of a hollow disc, and the gas supplied from the gas introduction pipe 3 connected to the upper portion is diffused in the hollow portion, and a large number of gas ejection holes 4 formed on the lower side surface. Therefore, it is configured to be uniformly introduced into the processing chamber.
【００１９】また、処理室の底部は、略円筒状に形成さ
れた支持体５と、この支持体５に支持された底板６とか
ら構成されており、底板６の内部には、冷媒供給配管７
に接続され、冷媒例えば冷却水を循環させるための冷媒
循環経路８が設けられている。また、底板６の上部に、
載置台９が配設されている。The bottom of the processing chamber is composed of a support 5 formed in a substantially cylindrical shape and a bottom plate 6 supported by the support 5. Inside the bottom plate 6, a refrigerant supply pipe is provided. 7
And a coolant circulation path 8 for circulating a coolant, for example, cooling water. In addition, on the upper part of the bottom plate 6,
A mounting table 9 is provided.
【００２０】上記載置台９は、その上面に半導体ウエハ
Ｗを載置できるように構成されており、この半導体ウエ
ハＷの裏面に、例えばＨｅ等の伝熱媒体を供給するため
の伝熱媒体供給配管１０を備えている。また、図２及び
図３に示すように、載置台９は、円板状に形成された基
材９ａの周囲に第１の絶縁層９ｂを形成し、この絶縁層
９ｂ上に位置するよう、上面に２つに分けられた半円形
状の静電チャック用導体９ｃ、下面に渦巻き形状のヒー
タ９ｄを形成し、これらの周囲を第２の絶縁層９ｅで被
覆して形成されている。また、上記静電チャック用導体
９ｃは、それぞれ静電チャック用直流電源９０、９１に
接続され、ヒータ９ｄは交流電源９２に接続されてお
り、図１に示すように、基材９ａ内には、温度を検出す
るための温度センサ９３が設けられている。なお、基材
９ａは、例えばＣ（炭素）やＢＮ（窒化硼素）等から構
成され、第１の絶縁層９ｂ及び第２の絶縁層９ｅは、例
えばＰ−ＢＮ（熱分解窒化硼素）、ＳｉＣ（炭化珪
素）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等から構成されている。The mounting table 9 is constructed so that the semiconductor wafer W can be mounted on the upper surface thereof, and a heat transfer medium supply for supplying a heat transfer medium such as He to the back surface of the semiconductor wafer W. The pipe 10 is provided. In addition, as shown in FIGS. 2 and 3, the mounting table 9 has a first insulating layer 9b formed around a disk-shaped base material 9a and is positioned on the insulating layer 9b. It is formed by forming a semicircular electrostatic chuck conductor 9c which is divided into two on the upper surface and a spiral heater 9d on the lower surface, and covering the periphery thereof with a second insulating layer 9e. Further, the electrostatic chuck conductor 9c is connected to electrostatic chuck DC power sources 90 and 91, respectively, and the heater 9d is connected to an AC power source 92. As shown in FIG. A temperature sensor 93 for detecting the temperature is provided. The base material 9a is made of, for example, C (carbon) or BN (boron nitride), and the first insulating layer 9b and the second insulating layer 9e are made of, for example, P-BN (pyrolytic boron nitride) or SiC. (Silicon carbide), silicon nitride (Si 3 N 4 ) and the like.
【００２１】一方、図１に示すように、処理室本体１の
底部近傍には、真空排気ポンプ１１に接続された排気配
管１２が接続されており、載置台９の上面近傍には、半
導体ウエハＷの下側周縁部を支持して半導体ウエハＷを
昇降させるための複数の円弧状のウエハ支持部材１３が
設けられている。このウエハ支持部材１３は、複数のシ
ャフト１４を介して、処理室外部に配設されたエアシリ
ンダ等の昇降装置に接続されており、上下動可能に構成
されている。なお、処理室のシャフト１４貫通部には、
これらの間を気密に閉塞するための機構として、蛇腹機
構１５が配設されている。On the other hand, as shown in FIG. 1, an exhaust pipe 12 connected to a vacuum exhaust pump 11 is connected near the bottom of the processing chamber body 1, and a semiconductor wafer is installed near the upper surface of the mounting table 9. A plurality of arcuate wafer support members 13 for supporting the lower peripheral edge of W and moving up and down the semiconductor wafer W are provided. The wafer support member 13 is connected via a plurality of shafts 14 to a lifting device such as an air cylinder arranged outside the processing chamber, and is configured to be vertically movable. In addition, the shaft 14 penetrating portion of the processing chamber,
A bellows mechanism 15 is provided as a mechanism for airtightly closing these spaces.
【００２２】処理室本体１の側方には、ゲートバルブ１
６を介して、ロードロック室１７が接続されており、こ
のロードロック室１７内には、半導体ウエハＷを搬入、
搬出するための搬送機構１８が配設されている。また、
ロードロック室１７の底部には、図示しない真空排気ポ
ンプに接続された排気配管１９が接続されており、ロー
ドロック室１７内を所定の真空度に設定可能な如く構成
されている。なお、このロードロック室１７には、外部
から半導体ウエハＷを搬入、搬出するための気密閉塞可
能な開口（図示せず）が設けられている。A gate valve 1 is provided on the side of the processing chamber body 1.
The load lock chamber 17 is connected via 6 and the semiconductor wafer W is loaded into the load lock chamber 17.
A carrying mechanism 18 for carrying out is provided. Also,
An exhaust pipe 19 connected to a vacuum exhaust pump (not shown) is connected to the bottom of the load lock chamber 17 so that the load lock chamber 17 can be set to a predetermined degree of vacuum. The load lock chamber 17 is provided with an opening (not shown) capable of airtightly closing and loading the semiconductor wafer W from the outside.
【００２３】本実施例においては、上記したガス導入管
３は、分岐して処理ガス供給源２０、クリーニングガス
供給源２１、保護膜形成用ガス供給源２２にそれぞれ接
続されており、バルブ２３、２４、２５、２６を開閉す
ることによって、これらのガス供給源からのガスを選択
するように構成されている。なお、各ガス供給源は、圧
力制御機構、流量制御機構等を備えており、各ガスを所
望圧力、所望流量で供給できるよう構成されている。こ
のような圧力制御機構、流量制御機構の制御、および、
バルブ２３、２４、２５、２６の開閉等は、図示しない
マイクロコンピュータにより、予め設定されたプログラ
ムに従って実行される。In this embodiment, the gas introduction pipe 3 is branched and connected to the processing gas supply source 20, the cleaning gas supply source 21, and the protective film forming gas supply source 22, respectively, and the valve 23, By opening and closing 24, 25, 26, the gas from these gas sources is selected. Each gas supply source includes a pressure control mechanism, a flow rate control mechanism, and the like, and is configured to supply each gas at a desired pressure and a desired flow rate. Control of such pressure control mechanism, flow rate control mechanism, and
Opening and closing of the valves 23, 24, 25 and 26 are executed by a microcomputer (not shown) according to a preset program.
【００２４】上記構成のこの実施例の装置では、図４の
フローチャートにも示すように、以下のようにして半導
体ウエハＷに成膜処理を行う。In the apparatus of this embodiment having the above-mentioned structure, as shown in the flow chart of FIG. 4, the semiconductor wafer W is subjected to the film forming process as follows.
【００２５】すなわち、まず、ロードロック室１７を介
して、搬送機構１８により半導体ウエハＷを所定の真空
度に設定された処理室内に搬入し、この半導体ウエハＷ
をウエハ支持部材１３上に一旦載置した後、このウエハ
支持部材１３を下降させて、予め所定温度に設定された
載置台９上に半導体ウエハＷを受け渡し、静電チャック
を作動させてこの半導体ウエハＷを載置台９上に吸着保
持する（１００）。That is, first, the semiconductor wafer W is loaded into the processing chamber set to a predetermined vacuum degree by the transfer mechanism 18 via the load lock chamber 17, and the semiconductor wafer W is loaded.
After once mounting the semiconductor wafer W on the wafer supporting member 13, the wafer supporting member 13 is lowered, the semiconductor wafer W is transferred onto the mounting table 9 set in advance to a predetermined temperature, and the electrostatic chuck is operated to operate the semiconductor wafer W. The wafer W is suction-held on the mounting table 9 (100).
【００２６】そして、搬送機構１８をロードロック室１
７内に退避させ、ゲートバルブ１６を閉じた後、真空排
気ポンプ１１による排気を継続しながら、バルブ２３、
２４を開き、処理ガス供給源２０からの所定の処理ガ
ス、例えばＳｉＨ4 ＋Ｈ2 を、シャワーヘッド２のガス
噴出孔４から均一に半導体ウエハＷに供給し、成膜処理
を行う（１０１）。The transfer mechanism 18 is installed in the load lock chamber 1
7, the gate valve 16 is closed, and then the valve 23, while continuing the exhaust by the vacuum exhaust pump 11.
24 is opened, and a predetermined processing gas, for example, SiH 4 + H 2 from the processing gas supply source 20 is uniformly supplied to the semiconductor wafer W from the gas ejection holes 4 of the shower head 2 to perform a film forming process (101).
【００２７】上記成膜処理を所定時間行った後、バルブ
２３、２４を閉じて処理ガスの供給を停止し、この後、
搬送機構１８により、処理室内の半導体ウエハＷを搬出
する（１０２）。After performing the above film forming process for a predetermined time, the valves 23 and 24 are closed to stop the supply of the process gas.
The semiconductor wafer W in the processing chamber is unloaded by the transfer mechanism 18 (102).
【００２８】このような処理を繰り返して実行し、全て
の半導体ウエハＷの成膜処理が終了すると（１０３）、
最後の半導体ウエハＷの搬出が行われ、ゲートバルブ１
６が閉じられた後、バルブ２３、２５を開け、クリーニ
ングガス供給源２１から所定のクリーニングガス、例え
ば、ＮＦ3 、ＨＦ、ＣｌＦ3 等を処理室内に供給し、所
定時間処理室内のクリーニング処理を行う（１０４）。When the above process is repeatedly executed and the film forming process for all the semiconductor wafers W is completed (103),
The final semiconductor wafer W is unloaded and the gate valve 1
After 6 is closed, the valves 23 and 25 are opened, and a predetermined cleaning gas such as NF 3 , HF, ClF 3 or the like is supplied from the cleaning gas supply source 21 into the processing chamber, and the cleaning process in the processing chamber is performed for a predetermined time. Perform (104).
【００２９】なお、本実施例の場合、前述したように、
載置台９の表面が、第２の絶縁層９ｅとして、Ｐ−ＢＮ
（熱分解窒化硼素）等で被覆されているが、この第２の
絶縁層９ｅが、上記クリーニング処理によって特にダメ
ージを受ける。In the case of this embodiment, as described above,
The surface of the mounting table 9 is P-BN as the second insulating layer 9e.
Although it is covered with (pyrolytic boron nitride) or the like, the second insulating layer 9e is particularly damaged by the cleaning process.
【００３０】上記クリーニング処理の後、バルブ２５を
閉じ、バルブ２６を開けて、保護膜形成用ガス供給源２
２から処理室内に保護膜形成用ガスを供給し、処理室内
の構造物に保護膜形成処理を行う（１０５）。After the cleaning process, the valve 25 is closed and the valve 26 is opened, and the protective film forming gas supply source 2 is opened.
The protective film forming gas is supplied into the processing chamber from 2 to perform the protective film forming process on the structure in the processing chamber (105).
【００３１】本実施例の場合、上記したように、載置台
９表面の第２の絶縁層９ｅが特にダメージを受けるの
で、この第２の絶縁層９ｅと同じ保護膜を形成すること
が好ましい。In the case of the present embodiment, as described above, the second insulating layer 9e on the surface of the mounting table 9 is particularly damaged, so that it is preferable to form the same protective film as the second insulating layer 9e.
【００３２】なお、保護膜として、炭化珪素（ＳｉＣ）
膜を形成する場合、温度は例えば800 ℃程度であり、保
護膜形成用ガスは例えば、 ＳｉＨ4 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 ＳｉＣｌ4 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 ＳｉＯ2 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 である。また、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜を形成する場
合は、温度は例えば300℃程度であり、保護膜形成用ガ
スは例えば、 ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ＋Ｎ2 ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ＋ＮＨ3 である。また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜を形成す
る場合は、温度は例えば500 ℃程度であり、保護膜形成
用ガスは例えば、 ＮＨ3 ＋ＡｌＣｌ3 である。また、窒化硼素（Ｐ−ＢＮ）膜を形成する場合
は、温度は例えば800 ℃程度であり、保護膜形成用ガス
は例えば、 ＢX3＋ＮＨ3 Ｂ2 Ｈ6 ＋ＮＨ3 Ｂ3 Ｎ3 Ｈ3 Ｃｌ3 である。As the protective film, silicon carbide (SiC) is used.
When forming a film, the temperature is, for example, about 800 ° C., and the protective film forming gas is, for example, SiH 4 + CH 4 + H 2 SiCl 4 + CH 4 + H 2 SiO 2 + CH 4 + H 2 . When forming a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film, the temperature is, for example, about 300 ° C., and the protective film forming gas is, for example, SiH 2 Cl 2 + N 2 SiH 2 Cl 2 + NH 3 . When forming an aluminum nitride (AlN) film, the temperature is, for example, about 500 ° C., and the protective film forming gas is, for example, NH 3 + AlCl 3 . When forming a boron nitride (P-BN) film, the temperature is, for example, about 800 ° C., and the protective film forming gas is, for example, B X3 + NH 3 B 2 H 6 + NH 3 B 3 N 3 H 3 Cl. Is 3 .
【００３３】このようにして、処理室内のクリーニング
を行った後、処理室内の構造物に保護膜を形成し、処理
を終了する。After cleaning the inside of the processing chamber in this manner, a protective film is formed on the structure inside the processing chamber, and the processing is completed.
【００３４】このように、本実施例では、半導体ウエハ
Ｗの成膜処理と、処理室内のクリーニング処理と、処理
室内の保護膜形成処理とを順次実行するので、常に処理
室内がクリーニングされた状態で成膜処理を実行でき、
半導体ウエハへの塵埃の付着を抑制して歩留まりの向上
を図ることができるとともに、処理室内壁やヒーター等
の損傷を抑制することができ、これらの構成部品の寿命
を長期化することによって、ランニングコストの低減お
よび装置稼働率の向上を図ることができる。As described above, in this embodiment, since the film forming process for the semiconductor wafer W, the cleaning process for the processing chamber, and the protective film forming process for the processing chamber are sequentially performed, the processing chamber is always cleaned. You can execute the film formation process with
It is possible to suppress the adhesion of dust to semiconductor wafers and improve the yield, and also to suppress damage to the inner walls of the processing chamber, heaters, etc. It is possible to reduce the cost and improve the operation rate of the device.
【００３５】なお、上記実施例では、一定枚数の半導体
ウエハＷの処理を実行した後、処理室内のクリーニング
処理及び処理室内の保護膜形成処理を行うようにした
が、本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、
例えば、１枚の半導体ウエハＷの成膜処理を行う毎に処
理室内のクリーニング処理及び処理室内の保護膜形成処
理を行うようにしてもよい。In the above-described embodiment, the cleaning process in the processing chamber and the protective film formation process in the processing chamber are carried out after the processing of a certain number of semiconductor wafers W has been carried out. Not limited to
For example, the cleaning process in the processing chamber and the protective film formation process in the processing chamber may be performed every time the film forming process for one semiconductor wafer W is performed.
【００３６】また、例えば、エッチング装置の処理室内
に保護膜を形成するような場合は、ＣＶＤ装置に較べて
処理室内の温度が高くならないため、例えば、ポリマー
系の保護膜を形成することもできる。Further, for example, when a protective film is formed in the processing chamber of the etching apparatus, the temperature in the processing chamber does not rise as compared with the CVD apparatus, so that a polymer-based protective film can be formed, for example. .
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理方法
及び処理装置によれば、従来に較べて処理室内壁や、ヒ
ーター等の損傷を抑制することができ、これらの構成部
品の寿命を長期化することによって、ランニングコスト
の低減および装置稼働率の向上を図ることができる。As described above, according to the processing method and the processing apparatus of the present invention, it is possible to suppress the damage to the inner wall of the processing chamber, the heater, etc., as compared with the prior art, and to reduce the life of these constituent parts. By extending the period, it is possible to reduce the running cost and improve the operation rate of the device.
【図１】本発明の一実施例のＣＶＤ装置の構成を示す
図。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＣＶＤ装置の要部構成を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a main configuration of the CVD apparatus of FIG.
【図３】図１のＣＶＤ装置の要部構成を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a main configuration of the CVD apparatus in FIG.
【図４】図１のＣＶＤ装置の動作を説明するための図。FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the CVD apparatus in FIG.
１ 処理室本体 ２ シャワーヘッド ３ ガス導入管 ４ ガス噴出孔 ９ 載置台 １１ 真空排気ポンプ １２ 排気配管 ２０ 処理ガス供給源 ２１ クリーニングガス供給源 ２２ 保護膜形成用ガス供給源 ２３、２４、２５、２６ バルブ 1 Processing Room Main Body 2 Shower Head 3 Gas Introducing Pipe 4 Gas Injecting Hole 9 Mounting Stage 11 Vacuum Exhaust Pump 12 Exhaust Pipe 20 Processing Gas Supply Source 21 Cleaning Gas Supply Source 22 Protective Film Forming Gas Supply Source 23, 24, 25, 26 valve
Claims (9)
理ガス雰囲気下で前記被処理物に所定の処理を施す処理
方法において、 前記被処理物を前記処理室から搬出した状態で、前記処
理室内に所定の保護膜形成用ガスを導入し、該処理室内
の構造物の少なくとも一部に保護膜を形成する保護膜形
成工程を具備したことを特徴とする処理方法。1. A processing method in which an object to be processed is placed in a processing chamber and a predetermined process is performed on the object to be processed under a predetermined processing gas atmosphere, wherein the object is unloaded from the processing chamber, A processing method comprising: a protective film forming step of introducing a predetermined protective film forming gas into the processing chamber to form a protective film on at least a part of a structure in the processing chamber.
理ガス雰囲気下で前記被処理物に所定の処理を施す処理
工程と、 前記被処理物を前記処理室から搬出した後、前記処理室
内に所定のクリーニングガスを導入して該処理室内をク
リーニングするクリーニング工程と、 前記クリーニング工程の後、前記処理室内に所定の保護
膜形成用ガスを導入し、該処理室内の構造物の少なくと
も一部に保護膜を形成する保護膜形成工程とを順次繰り
返して実行することを特徴とする処理方法。2. A processing step of arranging an object to be processed in a processing chamber and performing a predetermined process on the object to be processed under a predetermined processing gas atmosphere; and after carrying out the object to be processed from the processing chamber, A cleaning step of introducing a predetermined cleaning gas into the processing chamber to clean the inside of the processing chamber; and, after the cleaning step, introducing a predetermined protective film-forming gas into the processing chamber to remove at least a structure in the processing chamber. A treatment method characterized in that a protective film forming step of forming a protective film on a part is sequentially repeated.
ポリマー系保護膜を形成することを特徴とする処理方
法。3. The processing method according to claim 1, wherein:
A treatment method comprising forming a polymer-based protective film.
セラミックス系保護膜を形成することを特徴とする処理
方法。4. The processing method according to claim 1, wherein:
A processing method comprising forming a ceramic-based protective film.
前記保護膜が、炭化珪素からなることを特徴とする処理
方法。5. The processing method according to claim 1, wherein
The processing method, wherein the protective film is made of silicon carbide.
前記保護膜が、窒化珪素からなることを特徴とする処理
方法。6. The processing method according to claim 1, wherein:
The processing method, wherein the protective film is made of silicon nitride.
前記保護膜が、窒化アルミニウムからなることを特徴と
する処理方法。7. The processing method according to claim 1, wherein:
The processing method, wherein the protective film is made of aluminum nitride.
前記保護膜が、窒化硼素からなることを特徴とする処理
方法。8. The processing method according to claim 1, wherein:
The processing method, wherein the protective film is made of boron nitride.
理ガス雰囲気下で前記被処理物に所定の処理を施す処理
装置において、 所定のタイミングで前記処理室内に所定のクリーニング
ガスを導入して該処理室内をクリーニングし、この後、
前記処理室内に所定の保護膜形成用ガスを導入し、該処
理室内の構造物の少なくとも一部に保護膜を形成するよ
う構成されたことを特徴とする処理装置。9. A processing apparatus, in which an object to be processed is placed in a processing chamber and a predetermined processing is performed on the object under a predetermined processing gas atmosphere, a predetermined cleaning gas is introduced into the processing chamber at a predetermined timing. Then, the inside of the processing chamber is cleaned, and thereafter,
A processing apparatus configured to introduce a predetermined protective film forming gas into the processing chamber to form a protective film on at least a part of a structure in the processing chamber.
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- 1993-10-29 JP JP27246893A patent/JP3333020B2/en not_active Expired - Fee Related
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