JPH07126881A - ジヒドロベンゾ[b]フラン類の製造法 - Google Patents
ジヒドロベンゾ[b]フラン類の製造法Info
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- JPH07126881A JPH07126881A JP5275357A JP27535793A JPH07126881A JP H07126881 A JPH07126881 A JP H07126881A JP 5275357 A JP5275357 A JP 5275357A JP 27535793 A JP27535793 A JP 27535793A JP H07126881 A JPH07126881 A JP H07126881A
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- dihydrobenzo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 2,3―ジヒドロベンゾフラン類合成の中間
体として有用な7―アミノ―2,3―ジヒドロベンゾ
[b]フラン類の工業的な製法を提供する。 【構成】 下記式(I) [式中、R1 、R2 、R3 、R4 は水素原子または無置
換もしくは置換されたC 1 〜C6 のアルキル基を表す。
Aはニトロ基であるか、または、アミノ基を表す。]で
表される置換ベンゾフラン類を電解還元することを特徴
とする下記式(II) [式中、R1 、R2 、R3 、R4 は水素原子または無置
換もしくは置換されたC 1 〜C6 のアルキル基を表
す。]で表される7―アミノ―2,3―ジヒドロベンゾ
[b]フラン類の製造法。
体として有用な7―アミノ―2,3―ジヒドロベンゾ
[b]フラン類の工業的な製法を提供する。 【構成】 下記式(I) [式中、R1 、R2 、R3 、R4 は水素原子または無置
換もしくは置換されたC 1 〜C6 のアルキル基を表す。
Aはニトロ基であるか、または、アミノ基を表す。]で
表される置換ベンゾフラン類を電解還元することを特徴
とする下記式(II) [式中、R1 、R2 、R3 、R4 は水素原子または無置
換もしくは置換されたC 1 〜C6 のアルキル基を表
す。]で表される7―アミノ―2,3―ジヒドロベンゾ
[b]フラン類の製造法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、7―アミノ―2,3―
ジヒドロベンゾ[b]フランの製造法に関する。
ジヒドロベンゾ[b]フランの製造法に関する。
【0002】
【従来技術及び発明が解決しようとする課題】7―アミ
ノ―2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン類はアシル―
コエンザイムA:コレステロールアシルトランスフェラ
ーゼ(以下、「ACAT」という)阻害活性を有する
2,3―ジヒドロベンゾフラン類(参考文献、国際出願
公開WO92/12144;T. Shiota, K. Kataoka,
T. Takeyasu, T. Mochizuki, M. Ohta, M. Kanou, H. T
anabe, and H. Yamaguchi, Abstracts on "XIIth Inter
national Synposium on Medicinal Chemistry" 1992, B
asel. p169B、塩田辰樹、片岡健一郎、竹安巧、望月
勉、太田幹雄、加納正敏、田辺裕史、山口久夫、第2回
医薬品化学部会年会・第13回メディシナルケミストリ
ーシンポジウム講演要旨集p80)を合成する際の鍵中
間体である。
ノ―2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン類はアシル―
コエンザイムA:コレステロールアシルトランスフェラ
ーゼ(以下、「ACAT」という)阻害活性を有する
2,3―ジヒドロベンゾフラン類(参考文献、国際出願
公開WO92/12144;T. Shiota, K. Kataoka,
T. Takeyasu, T. Mochizuki, M. Ohta, M. Kanou, H. T
anabe, and H. Yamaguchi, Abstracts on "XIIth Inter
national Synposium on Medicinal Chemistry" 1992, B
asel. p169B、塩田辰樹、片岡健一郎、竹安巧、望月
勉、太田幹雄、加納正敏、田辺裕史、山口久夫、第2回
医薬品化学部会年会・第13回メディシナルケミストリ
ーシンポジウム講演要旨集p80)を合成する際の鍵中
間体である。
【0003】かかる鍵中間体の製造法として、例えば5
―クロロ―7―ニトロ―2,3―ジヒドロベンゾ[b]
フラン類から7―アミノ―2,3―ジヒドロベンゾ
[b]フラン類へ変換する方法として、通常還元反応に
よく使われるパラジウム触媒を用いた水素添加反応を使
うことも可能である。しかし、この水素添加反応は高温
・高圧下で行うか、多量の触媒を必要とする。
―クロロ―7―ニトロ―2,3―ジヒドロベンゾ[b]
フラン類から7―アミノ―2,3―ジヒドロベンゾ
[b]フラン類へ変換する方法として、通常還元反応に
よく使われるパラジウム触媒を用いた水素添加反応を使
うことも可能である。しかし、この水素添加反応は高温
・高圧下で行うか、多量の触媒を必要とする。
【0004】ところで、ニトロ基をアミノ基へ電解還元
する方法は実用的方法として確立されている(例えば、
Degner, D. in Topics in Current Chemistry 148, Ele
ctrochemistry III; Steckhan, E. Ed.; Springer Verl
ag: Berlin, 1988, 69-75.)。
する方法は実用的方法として確立されている(例えば、
Degner, D. in Topics in Current Chemistry 148, Ele
ctrochemistry III; Steckhan, E. Ed.; Springer Verl
ag: Berlin, 1988, 69-75.)。
【0005】また、芳香環上のクロル基の電解による除
去に関しても、多ハロゲン置換された芳香環化合物から
選択的に脱ハロゲンさせることに関連して注目されてい
る(例えば、Steckhan, E. Ed.; Springer Verlag: Ber
lin, 1988, 52-55. )。しかし従来ハロゲン化及び/又
はニトロ化2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン類に電
解還元法を適用した例はない。しかも上記二つの還元の
条件は全く異なる。すなわち通常、ニトロ基をアミノ基
に還元するのには酸性条件で脱クロルを行うのは中性条
件であるため、特に同時に2つの還元反応を実施するこ
とは非常に困難であると考えられる。
去に関しても、多ハロゲン置換された芳香環化合物から
選択的に脱ハロゲンさせることに関連して注目されてい
る(例えば、Steckhan, E. Ed.; Springer Verlag: Ber
lin, 1988, 52-55. )。しかし従来ハロゲン化及び/又
はニトロ化2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン類に電
解還元法を適用した例はない。しかも上記二つの還元の
条件は全く異なる。すなわち通常、ニトロ基をアミノ基
に還元するのには酸性条件で脱クロルを行うのは中性条
件であるため、特に同時に2つの還元反応を実施するこ
とは非常に困難であると考えられる。
【0006】従って、ニトロ基とクロル基を共に置換基
として有するベンゾフラン類を簡便に電解還元して7―
アミノ―ジヒドロベンゾ[b]フラン類を製造する方法
が提供されれば前記ACAT阻害剤の中間体を工業的製
法として意義がある。
として有するベンゾフラン類を簡便に電解還元して7―
アミノ―ジヒドロベンゾ[b]フラン類を製造する方法
が提供されれば前記ACAT阻害剤の中間体を工業的製
法として意義がある。
【0007】本発明者等は、上述した従来技術に鑑み、
ACAT阻害剤の合成法の開発をも指向して、5―クロ
ロ―7―ニトロ―2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン
類のニトロ基とクロル基を電解還元する方法を見いだす
べく鋭意研究した結果、本発明に到達したものである。
ACAT阻害剤の合成法の開発をも指向して、5―クロ
ロ―7―ニトロ―2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン
類のニトロ基とクロル基を電解還元する方法を見いだす
べく鋭意研究した結果、本発明に到達したものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、下
記式(I)
記式(I)
【0009】
【化3】
【0010】[式中、R1 、R2 、R3 、R4 は水素原
子または無置換もしくは置換されたC 1 〜C6 の低級ア
ルキル基を表す。Aはニトロ基であるか、または、アミ
ノ基を表す。]で表される置換ベンゾフラン類を電解還
元することを特徴とする下記式(II)
子または無置換もしくは置換されたC 1 〜C6 の低級ア
ルキル基を表す。Aはニトロ基であるか、または、アミ
ノ基を表す。]で表される置換ベンゾフラン類を電解還
元することを特徴とする下記式(II)
【0011】
【化4】
【0012】[式中、R1 、R2 、R3 、R4 の定義は
前記式(I)におけるものと同じ。]で表される7―ア
ミノ―2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン類の製造法
である。
前記式(I)におけるものと同じ。]で表される7―ア
ミノ―2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン類の製造法
である。
【0013】上記式(I)及び(II)で表される置換ベ
ンゾフラン類において、R1 、R2、R3 、R4 は水素
原子または無置換もしくは置換されたC1 〜C6 の低級
アルキル基を表す。
ンゾフラン類において、R1 、R2、R3 、R4 は水素
原子または無置換もしくは置換されたC1 〜C6 の低級
アルキル基を表す。
【0014】このようなC1 〜C6 の低級アルキル基と
しては、C1 〜C6 の鎖状(直鎖もしくは分岐状)また
は環状のアルキル基を意味し、その好適な具体例として
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、sec―ブチル、tert―ブチル、
ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロプロピル、
シクロヘキシルおよびシクロプロピルメチルなどがあげ
られる。
しては、C1 〜C6 の鎖状(直鎖もしくは分岐状)また
は環状のアルキル基を意味し、その好適な具体例として
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、sec―ブチル、tert―ブチル、
ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロプロピル、
シクロヘキシルおよびシクロプロピルメチルなどがあげ
られる。
【0015】さらに、置換された低級アルキル基の置換
基としては、本発明の電解還元反応の目的であるニトロ
基のアミノ基への還元反応およびクロル基の脱クロル反
応に反するものでない限り特に限定されないが、例えば
ハロゲン原子、水酸基およびアミノ基などを挙げること
ができ、そのような置換された低級アルキル基等として
例えばトリフルオロメチル基などがあげられる。
基としては、本発明の電解還元反応の目的であるニトロ
基のアミノ基への還元反応およびクロル基の脱クロル反
応に反するものでない限り特に限定されないが、例えば
ハロゲン原子、水酸基およびアミノ基などを挙げること
ができ、そのような置換された低級アルキル基等として
例えばトリフルオロメチル基などがあげられる。
【0016】これらのなかでも上記式(I)および(I
I)のR1 〜R4 において、R1 〜R 4 が水素原子また
はC1 〜C4 の低級アルキル基、例えばR1 、R2 がメ
チル基であるものが好ましく、なかでもR1 、R2 がメ
チル基で、R3 が水素原子、およびR4 がメチル基であ
るものが好ましいものとして挙げられる。
I)のR1 〜R4 において、R1 〜R 4 が水素原子また
はC1 〜C4 の低級アルキル基、例えばR1 、R2 がメ
チル基であるものが好ましく、なかでもR1 、R2 がメ
チル基で、R3 が水素原子、およびR4 がメチル基であ
るものが好ましいものとして挙げられる。
【0017】また上記式(I)で表される置換ベンゾフ
ラン類において、Aはニトロ基であるか、または、アミ
ノ基を表すが、これらのなかでもAがニトロ基であるも
のが好ましいものとして挙げられる。
ラン類において、Aはニトロ基であるか、または、アミ
ノ基を表すが、これらのなかでもAがニトロ基であるも
のが好ましいものとして挙げられる。
【0018】本発明の製造法における前記式(I)で表
される置換ベンゾフラン類は、例えば国際出願公開WO
92/12144号明細書に記載されているように、例
えば4―クロロ―3,5―キシレノールと3―クロロ―
2―メチル―1―プロペンとを反応させて得られた生成
物にニトロ基を導入することによってAがニトロ基であ
る場合の置換ベンゾフラン類を得ることができる。ま
た、Aがアミノ基である場合の置換ベンゾフラン類は、
例えば上記のようにして得られた5―クロロ―7―ニト
ロ―ジヒドロベンゾフラン類をPd―c/水素ガス存在
下で還元することにより得ることができる。
される置換ベンゾフラン類は、例えば国際出願公開WO
92/12144号明細書に記載されているように、例
えば4―クロロ―3,5―キシレノールと3―クロロ―
2―メチル―1―プロペンとを反応させて得られた生成
物にニトロ基を導入することによってAがニトロ基であ
る場合の置換ベンゾフラン類を得ることができる。ま
た、Aがアミノ基である場合の置換ベンゾフラン類は、
例えば上記のようにして得られた5―クロロ―7―ニト
ロ―ジヒドロベンゾフラン類をPd―c/水素ガス存在
下で還元することにより得ることができる。
【0019】本発明の製造法に用いられる有機溶媒とし
てはジメチルフォルムアミド、テトラヒドロフラン、ア
セトニトリルが好ましい。特に、ジメチルフォルムアミ
ドが好ましい。さらにこの溶媒に水、メタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、tert―ブチルア
ルコール、フェノールを添加しても反応は進行する。特
にtert―ブチルアルコールの添加は反応の進行が円
滑になるため好ましい。
てはジメチルフォルムアミド、テトラヒドロフラン、ア
セトニトリルが好ましい。特に、ジメチルフォルムアミ
ドが好ましい。さらにこの溶媒に水、メタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、tert―ブチルア
ルコール、フェノールを添加しても反応は進行する。特
にtert―ブチルアルコールの添加は反応の進行が円
滑になるため好ましい。
【0020】本発明の製造法における電解還元は、原則
的には従来公知の電解還元反応により実施することがで
きる。
的には従来公知の電解還元反応により実施することがで
きる。
【0021】本発明の製造法に用いられる電解槽として
は、陽陰極分離型セルでも単一型セルでも使用できる。
陽陰極分離型セルの場合に使用する隔膜としては、公知
のイオン交換膜、無機材質の多孔性膜等を例示できる。
好ましい電解槽としては単一型セルである。
は、陽陰極分離型セルでも単一型セルでも使用できる。
陽陰極分離型セルの場合に使用する隔膜としては、公知
のイオン交換膜、無機材質の多孔性膜等を例示できる。
好ましい電解槽としては単一型セルである。
【0022】本発明の製造法に用いられる支持電解質と
してはテトラアルキルアンモニウム塩とリチウム塩が好
ましい。テトラアルキルアンモニウム塩のアルキル基と
してはC1 からC6 の低級アルキル基が好ましい。塩の
陰イオンとしてはハロゲン化物イオンや過塩素酸イオン
やテトラフルオロホウ酸イオンが好ましい。具体的に本
発明の製造法に用いられる好ましい支持電解質としては
テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート(E
t4 NBF4 )、テトラブチルアンモニウムテトラフル
オロボレート(Bu4 NBF4 )、臭化テトラエチルア
ンモニウム(Et4 NBr)、臭化テトラブチルアンモ
ニウム(Bu4 NBr)、過塩素酸テトラエチルアンモ
ニウム(Bu4 ClO4 )、過塩素酸テトラブチルアン
モニウム(Bu4 NClO4 )、臭化リチウム(LiB
r)等のハロゲン化リチウム、過塩素酸リチウム(Li
ClO4 )等が挙げられる。これらのなかでも、特にテ
トラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート(Bu
4 NBF4 )が好ましい。支持電解質の濃度としては
0.01〜10mol/リットルが好ましい。
してはテトラアルキルアンモニウム塩とリチウム塩が好
ましい。テトラアルキルアンモニウム塩のアルキル基と
してはC1 からC6 の低級アルキル基が好ましい。塩の
陰イオンとしてはハロゲン化物イオンや過塩素酸イオン
やテトラフルオロホウ酸イオンが好ましい。具体的に本
発明の製造法に用いられる好ましい支持電解質としては
テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート(E
t4 NBF4 )、テトラブチルアンモニウムテトラフル
オロボレート(Bu4 NBF4 )、臭化テトラエチルア
ンモニウム(Et4 NBr)、臭化テトラブチルアンモ
ニウム(Bu4 NBr)、過塩素酸テトラエチルアンモ
ニウム(Bu4 ClO4 )、過塩素酸テトラブチルアン
モニウム(Bu4 NClO4 )、臭化リチウム(LiB
r)等のハロゲン化リチウム、過塩素酸リチウム(Li
ClO4 )等が挙げられる。これらのなかでも、特にテ
トラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート(Bu
4 NBF4 )が好ましい。支持電解質の濃度としては
0.01〜10mol/リットルが好ましい。
【0023】本発明の製造法に用いられる陰極材料とし
ては、特に限定されず、従来公知の材料を広く使用でき
る。好ましいものとしては、鉛、白金、ステンレススチ
ール、亜鉛、マグネシウム、ニッケル、アルミニウム、
および炭素である。
ては、特に限定されず、従来公知の材料を広く使用でき
る。好ましいものとしては、鉛、白金、ステンレススチ
ール、亜鉛、マグネシウム、ニッケル、アルミニウム、
および炭素である。
【0024】本発明の製造法に用いられる陽極材料とし
ては、特に限定されず、従来公知の材料が広く使用でき
る。単一セルを使用した場合の陽極材料としては、亜鉛
とマグネシウムが好ましい。
ては、特に限定されず、従来公知の材料が広く使用でき
る。単一セルを使用した場合の陽極材料としては、亜鉛
とマグネシウムが好ましい。
【0025】本発明の製造法での電流密度としては1〜
1000mA/cm2 が好ましい。本発明の製造法で流
す電気の量は理論的にはニトロ基の還元に6F/mo
l、脱クロル基に2F/molであるが、過剰に通電し
ても差し支えない。通常、脱クロル基だけの場合では、
2〜40F/mol、ニトロ基の還元と脱クロル基を同
時に行う場合には、8〜50F/molで実施される。
1000mA/cm2 が好ましい。本発明の製造法で流
す電気の量は理論的にはニトロ基の還元に6F/mo
l、脱クロル基に2F/molであるが、過剰に通電し
ても差し支えない。通常、脱クロル基だけの場合では、
2〜40F/mol、ニトロ基の還元と脱クロル基を同
時に行う場合には、8〜50F/molで実施される。
【0026】本発明の製造法を実施する反応温度は0〜
100℃の範囲であり、好ましくは10〜50℃であ
る。
100℃の範囲であり、好ましくは10〜50℃であ
る。
【0027】反応終了後、抽出やシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーなどの通常の後処理により、7―アミノ
―2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン類(II)が得ら
れる。
マトグラフィーなどの通常の後処理により、7―アミノ
―2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン類(II)が得ら
れる。
【0028】かくして得られた7―アミノ―2,3―ジ
ヒドロベンゾ[b]フラン類とカルボン酸またはその反
応性誘導体とを反応せしめることによって、ACAT阻
害活性を有する2,3―ジヒドロベンゾフラン類を得る
ことができる(WO92/12144号明細書を参照の
こと)。
ヒドロベンゾ[b]フラン類とカルボン酸またはその反
応性誘導体とを反応せしめることによって、ACAT阻
害活性を有する2,3―ジヒドロベンゾフラン類を得る
ことができる(WO92/12144号明細書を参照の
こと)。
【0029】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。
明する。
【0030】[参考例1]5―クロロ―2,2,4,6―テトラメチル―7―ニト
ロ―2,3―ジヒドロベンゾフランの合成 4―クロロ―3,5―キシレノール50gを、乾燥メタ
ノール50mlに溶かし、ナトリウムメトキシド(28
%メタノール溶液)73.9gおよび、3―クロロ―2
―メチル―1―プロペン43.4gを加えて攪拌しなが
ら28時間加熱還流した。冷却後、溶媒を留去し、水3
00mlを加え酢酸エチル(150ml×3回)で抽出
した。有機層を5N 水酸化ナトリウム水溶液(70m
l×2回)、水、飽和食塩錘で洗った後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥して溶媒を留去すると淡黄色油状物質が
66.6g得られた。このものに無水塩化マグネシウム
25gを加えた混合物を、攪拌下、200℃で24時間
加熱した。冷却後、反応液に水500mlを加え塩化メ
チレン(250ml×3回)で抽出した。有機層を5N
水酸化ナトリウム水溶液(100ml)、1N 塩酸
水溶液(100ml)、飽和食塩水で順次洗った後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を留去すると淡緑色
油状物質が64.8g得られた。
ロ―2,3―ジヒドロベンゾフランの合成 4―クロロ―3,5―キシレノール50gを、乾燥メタ
ノール50mlに溶かし、ナトリウムメトキシド(28
%メタノール溶液)73.9gおよび、3―クロロ―2
―メチル―1―プロペン43.4gを加えて攪拌しなが
ら28時間加熱還流した。冷却後、溶媒を留去し、水3
00mlを加え酢酸エチル(150ml×3回)で抽出
した。有機層を5N 水酸化ナトリウム水溶液(70m
l×2回)、水、飽和食塩錘で洗った後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥して溶媒を留去すると淡黄色油状物質が
66.6g得られた。このものに無水塩化マグネシウム
25gを加えた混合物を、攪拌下、200℃で24時間
加熱した。冷却後、反応液に水500mlを加え塩化メ
チレン(250ml×3回)で抽出した。有機層を5N
水酸化ナトリウム水溶液(100ml)、1N 塩酸
水溶液(100ml)、飽和食塩水で順次洗った後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を留去すると淡緑色
油状物質が64.8g得られた。
【0031】次に、このものを無水酢酸300mlに溶
かし氷冷下、硝酸(70%)29.09gを攪拌しなが
らゆっくりと加えた。そのまま1時間攪拌を続けると、
結晶が析出してきた。さらに2時間室温で反応させた
後、反応液を500mlの水にあけて酢酸エチル(30
0ml×3回)で抽出した。有機層を水酸化ナトリウム
水溶液(2N、200ml×2回)、水、飽和食塩水で
順次洗った後、無水硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を
留去すると淡茶褐色結晶が得られた。この結晶をヘキサ
ン350mlに加熱して溶かし不溶物を濾過して除いた
後、再結晶した。この結晶をエタノールよりさらに再結
晶すると目的物(5―クロロ―2,2,4,6―テトラ
メチル―7―ニトロ―2,3―ジヒドロベンゾフラン)
が淡黄色結晶として31.4g得られた。(収率38.
5%) mp.111〜112℃ [実施例1]7―アミノ―2,2,4,6―テトラメチル―ジヒドロ
ベンゾ[b]フランの合成 (1)参考例1で得られた5―クロロ―2,2,4,6
―テトラメチル―7―ニトロ―ジヒドロベンゾ[b]フ
ラン5.11gと14N硫酸水溶液6.4mlとメタノ
ール25.6mlをH型分離セル(隔膜:ガラスフィル
ター)の陰極室に、14N硫酸水溶液4mlとメタノー
ル16mlを陽極室にいれた。陰極としてステンレスス
チール、陽極として炭素電極を使い、定電流(5.5m
A/cm 2 )、室温で7F/mol通電した。
かし氷冷下、硝酸(70%)29.09gを攪拌しなが
らゆっくりと加えた。そのまま1時間攪拌を続けると、
結晶が析出してきた。さらに2時間室温で反応させた
後、反応液を500mlの水にあけて酢酸エチル(30
0ml×3回)で抽出した。有機層を水酸化ナトリウム
水溶液(2N、200ml×2回)、水、飽和食塩水で
順次洗った後、無水硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を
留去すると淡茶褐色結晶が得られた。この結晶をヘキサ
ン350mlに加熱して溶かし不溶物を濾過して除いた
後、再結晶した。この結晶をエタノールよりさらに再結
晶すると目的物(5―クロロ―2,2,4,6―テトラ
メチル―7―ニトロ―2,3―ジヒドロベンゾフラン)
が淡黄色結晶として31.4g得られた。(収率38.
5%) mp.111〜112℃ [実施例1]7―アミノ―2,2,4,6―テトラメチル―ジヒドロ
ベンゾ[b]フランの合成 (1)参考例1で得られた5―クロロ―2,2,4,6
―テトラメチル―7―ニトロ―ジヒドロベンゾ[b]フ
ラン5.11gと14N硫酸水溶液6.4mlとメタノ
ール25.6mlをH型分離セル(隔膜:ガラスフィル
ター)の陰極室に、14N硫酸水溶液4mlとメタノー
ル16mlを陽極室にいれた。陰極としてステンレスス
チール、陽極として炭素電極を使い、定電流(5.5m
A/cm 2 )、室温で7F/mol通電した。
【0032】反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で
中和後、酢酸エチルで目的物を抽出した。抽出液を飽和
食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧
下濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
し、7―アミノ―5―クロロ―2,2,4,6―テトラ
メチル―ジヒドロベンゾ[b]フランを得た。収量4.
51g(100%)1 H―NMR(90MHz,CDCl3 ) 1.45(s,6H),2.16(s,3H),2.2
1(s,3H),2.94(s,2H),3.3〜3.
5(br,2H). (2)(1)で得られた7―アミノ―5―クロロ―2,
2,4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ[b]フラ
ン113mgとテトラブチルアンモニウムテトラフルオ
ロボレート329mgをジメチルフォルムアミド10m
lとtert―ブチルアルコール0.5mlの混合液に
溶解し単一セルに入れた。2つの亜鉛電極を使い、定電
流(20mA/cm2 )、室温で30F/mol通電し
た。なお、この実施例の場合には1分ごとに2つの電極
間に流れる電流の向きを反転させた。
中和後、酢酸エチルで目的物を抽出した。抽出液を飽和
食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧
下濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
し、7―アミノ―5―クロロ―2,2,4,6―テトラ
メチル―ジヒドロベンゾ[b]フランを得た。収量4.
51g(100%)1 H―NMR(90MHz,CDCl3 ) 1.45(s,6H),2.16(s,3H),2.2
1(s,3H),2.94(s,2H),3.3〜3.
5(br,2H). (2)(1)で得られた7―アミノ―5―クロロ―2,
2,4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ[b]フラ
ン113mgとテトラブチルアンモニウムテトラフルオ
ロボレート329mgをジメチルフォルムアミド10m
lとtert―ブチルアルコール0.5mlの混合液に
溶解し単一セルに入れた。2つの亜鉛電極を使い、定電
流(20mA/cm2 )、室温で30F/mol通電し
た。なお、この実施例の場合には1分ごとに2つの電極
間に流れる電流の向きを反転させた。
【0033】反応液は1N水酸化ナトリウム水溶液にあ
け、その混合液をエーテル抽出した。抽出液を1N水酸
化ナトリウム水溶液と飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。減圧下濃縮後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製し、7―アミノ―2,2,
4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ[b]フランを
得た。 収量93mg(98%)1 H―NMR(90MHz,CDCl3 ) 1.47(s,6H),2.10(s,3H),2.1
2(s,3H),2.91(s,2H),3.2〜3.
4(br,2H),6.39(s,1H). なお、7―アミノ―5―クロロ―2,2,4,6―テト
ラメチル―ジヒドロベンゾ[b]フランから7―アミノ
―2,2,4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ
[b]フランへの合成について支持電解質、溶媒、電極
などの条件を換えて行った実験の結果を表1のエントリ
ー(Entry)1〜7に示す。
け、その混合液をエーテル抽出した。抽出液を1N水酸
化ナトリウム水溶液と飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。減圧下濃縮後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製し、7―アミノ―2,2,
4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ[b]フランを
得た。 収量93mg(98%)1 H―NMR(90MHz,CDCl3 ) 1.47(s,6H),2.10(s,3H),2.1
2(s,3H),2.91(s,2H),3.2〜3.
4(br,2H),6.39(s,1H). なお、7―アミノ―5―クロロ―2,2,4,6―テト
ラメチル―ジヒドロベンゾ[b]フランから7―アミノ
―2,2,4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ
[b]フランへの合成について支持電解質、溶媒、電極
などの条件を換えて行った実験の結果を表1のエントリ
ー(Entry)1〜7に示す。
【0034】
【表1】
【0035】[実施例2]7―アミノ―2,2,4,6―テトラメチル―ジヒドロ
ベンゾ[b]フランの合成 参考例1で得られた5―クロロ―2,2,4,6―テト
ラメチル―7―ニトロ―ジヒドロベンゾ[b]フラン
1.28gとテトラブチルアンモニウムテトラフルオロ
ボレート3.29gをジメチルフォルムアミド100m
lとtert―ブチルアルコール19mlの混合液に溶
解し単一セルに入れた。2つの亜鉛電極を使い、定電流
(20mA/cm2 )、室温で35F/mol通電し
た。なお、この実施例の場合には1分ごとに2つの電極
間に流れる電流の向きを反転させた。
ベンゾ[b]フランの合成 参考例1で得られた5―クロロ―2,2,4,6―テト
ラメチル―7―ニトロ―ジヒドロベンゾ[b]フラン
1.28gとテトラブチルアンモニウムテトラフルオロ
ボレート3.29gをジメチルフォルムアミド100m
lとtert―ブチルアルコール19mlの混合液に溶
解し単一セルに入れた。2つの亜鉛電極を使い、定電流
(20mA/cm2 )、室温で35F/mol通電し
た。なお、この実施例の場合には1分ごとに2つの電極
間に流れる電流の向きを反転させた。
【0036】反応液を1N水酸化ナトリウム水溶液にあ
け、その混合液をエーテル抽出した。抽出液を1N水酸
化ナトリウム水溶液と飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。減圧下濃縮後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製し、7―アミノ―2,2,
4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ[b]フランを
得た。 収量941mg(98%) なお、5―クロロ―2,2,4,6―テトラメチル―7
―ニトロ―ジヒドロベンゾ[b]フランから7―アミノ
―2,2,4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ
[b]フランへの合成について上記における溶媒を表2
に記載のエントリー(Entry)1,2に示す溶媒に
換えて実験を行った。
け、その混合液をエーテル抽出した。抽出液を1N水酸
化ナトリウム水溶液と飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。減圧下濃縮後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製し、7―アミノ―2,2,
4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ[b]フランを
得た。 収量941mg(98%) なお、5―クロロ―2,2,4,6―テトラメチル―7
―ニトロ―ジヒドロベンゾ[b]フランから7―アミノ
―2,2,4,6―テトラメチル―ジヒドロベンゾ
[b]フランへの合成について上記における溶媒を表2
に記載のエントリー(Entry)1,2に示す溶媒に
換えて実験を行った。
【0037】
【表2】
Claims (4)
- 【請求項1】 下記式(I) 【化1】 [式中、R1 、R2 、R3 、R4 は水素原子または無置
換もしくは置換されたC 1 〜C6 の低級アルキル基を表
す。Aはニトロ基であるか、または、アミノ基を表
す。]で表される置換ベンゾフラン類を電解還元するこ
とを特徴とする下記式(II) 【化2】 [式中、R1 、R2 、R3 、R4 の定義は前記式(I)
におけるものと同じ。]で表される7―アミノ―2,3
―ジヒドロベンゾ[b]フラン類の製造法。 - 【請求項2】 R1 、R2 がメチル基である請求項1記
載の7―アミノ―2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン
類の製造法。 - 【請求項3】 R1 、R2 がメチル基、R3 が水素原
子、R4 がメチル基である請求項1記載の7―アミノ―
2,3―ジヒドロベンゾ[b]フラン類の製造法。 - 【請求項4】 Aがニトロ基である請求項1〜3のいず
れか1項記載の7―アミノ―2,3―ジヒドロベンゾ
[b]フラン類の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5275357A JPH07126881A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | ジヒドロベンゾ[b]フラン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5275357A JPH07126881A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | ジヒドロベンゾ[b]フラン類の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07126881A true JPH07126881A (ja) | 1995-05-16 |
Family
ID=17554350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5275357A Pending JPH07126881A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | ジヒドロベンゾ[b]フラン類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07126881A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100774629B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2007-11-08 | 에스케이 주식회사 | 순수한 2,3-디하이드로벤조퓨란의 연속제조방법 |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP5275357A patent/JPH07126881A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100774629B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2007-11-08 | 에스케이 주식회사 | 순수한 2,3-디하이드로벤조퓨란의 연속제조방법 |
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