JPH07118417B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH07118417B2 JPH07118417B2 JP3321569A JP32156991A JPH07118417B2 JP H07118417 B2 JPH07118417 B2 JP H07118417B2 JP 3321569 A JP3321569 A JP 3321569A JP 32156991 A JP32156991 A JP 32156991A JP H07118417 B2 JPH07118417 B2 JP H07118417B2
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- Y10T428/12854—Next to Co-, Fe-, or Ni-base component
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- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
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- Y10T428/265—1 mil or less
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の分野、
より詳細に言えば、デイスク・フアイル、即ち直接アク
セス・ストレージ装置(DASD)に使用される薄膜磁
気記録デイスクの製造に関する。
より詳細に言えば、デイスク・フアイル、即ち直接アク
セス・ストレージ装置(DASD)に使用される薄膜磁
気記録デイスクの製造に関する。
【0002】[関連出願]本発明に関連して1990年
3月27日に出願された米国特許出願第503070号
がある。この米国特許出願は、スパツタで被着され、厚
さが50乃至200オングストロームの単一成分のクロ
ムの下層を持つコバルト合金の薄膜磁気デイスクを開示
しており、このクロムの下層は、層の上面においてクロ
ム原子の(100)面を現わしている。コバルト合金
は、コバルト合金の(110)面がこのクロムの下層上
でスパツタ被着されており、従つて、コバルト合金のC
軸がデイスクの記録面に対して平行であり、その結果、
直列のバイナリ・データ記録装置中のデイスクの動作を
容易にする。
3月27日に出願された米国特許出願第503070号
がある。この米国特許出願は、スパツタで被着され、厚
さが50乃至200オングストロームの単一成分のクロ
ムの下層を持つコバルト合金の薄膜磁気デイスクを開示
しており、このクロムの下層は、層の上面においてクロ
ム原子の(100)面を現わしている。コバルト合金
は、コバルト合金の(110)面がこのクロムの下層上
でスパツタ被着されており、従つて、コバルト合金のC
軸がデイスクの記録面に対して平行であり、その結果、
直列のバイナリ・データ記録装置中のデイスクの動作を
容易にする。
【0003】
【従来の技術】磁気薄膜記録層の磁気的な性質、例え
ば、保磁率は、磁気記録デイスクを、特定のDASD装
置の設計仕様に適合するために、厳密に制御されねばな
らない。上述の特定のDASD装置は、その後、通常の
データ処理装置のデイジタル・データをストアするのに
用いられる装置である。
ば、保磁率は、磁気記録デイスクを、特定のDASD装
置の設計仕様に適合するために、厳密に制御されねばな
らない。上述の特定のDASD装置は、その後、通常の
データ処理装置のデイジタル・データをストアするのに
用いられる装置である。
【0004】薄膜磁気記録媒体の製造における目標は、
その記録媒体が使用されるDASD装置の読取り/書込
み変換ヘツドとコンパチブルな磁気的な性質を達成する
ことにある。
その記録媒体が使用されるDASD装置の読取り/書込
み変換ヘツドとコンパチブルな磁気的な性質を達成する
ことにある。
【0005】薄膜磁気記録媒体を制御する技術について
の多くの手段が実際化されてきた。例えば、磁気薄膜層
の直接下に異なつた材料を用いること、磁気層の厚さを
変えること、磁気層に異なつた磁気合金を使用すること
などがその例である。然しながら、従来の技術は、与え
られた材料の組み合せに対する磁気薄膜層の多くの磁気
的な性質と、磁気層の厚さの要件とを制御することにつ
いて必ずしも成功していない。
の多くの手段が実際化されてきた。例えば、磁気薄膜層
の直接下に異なつた材料を用いること、磁気層の厚さを
変えること、磁気層に異なつた磁気合金を使用すること
などがその例である。然しながら、従来の技術は、与え
られた材料の組み合せに対する磁気薄膜層の多くの磁気
的な性質と、磁気層の厚さの要件とを制御することにつ
いて必ずしも成功していない。
【0006】米国特許第4749459は、クロムの下
層の上に磁気薄膜を形成すること、下層の厚さを制御す
ることによつて磁気薄膜の保磁率を制御すること、磁気
薄膜中の白金の量を制御すること、窒素、アンモニア、
または酸素及び窒素のような選択されたガスの決められ
た量とアルゴンとを含む雰囲気中で磁気薄膜をスパツタ
することを含んで薄膜磁気記録層の保磁率が制御可能で
ある幾つかの方法を記載している。
層の上に磁気薄膜を形成すること、下層の厚さを制御す
ることによつて磁気薄膜の保磁率を制御すること、磁気
薄膜中の白金の量を制御すること、窒素、アンモニア、
または酸素及び窒素のような選択されたガスの決められ
た量とアルゴンとを含む雰囲気中で磁気薄膜をスパツタ
することを含んで薄膜磁気記録層の保磁率が制御可能で
ある幾つかの方法を記載している。
【0007】米国特許第4654276号は、基体と、
コバルト−白金(CoPt)またはコバルト−白金−クロ
ム(CoPtCr)の磁気層との間に非磁性体のタングス
テン(W)の下層を使用することによつて磁気層の保磁
率を改善することに向けられている。また、この特許
は、CoPtの磁気薄膜の保磁率が下記の条件の下でCr
の下層を用いることによつて改善することができること
を指摘している。上述の条件とは、コバルト−タングス
テン(Co3W)のような金属間化合物の層が後で被着さ
れる磁気薄膜のための核化層を形成するために使用され
ることと、CoPtの磁気層がタングステン−コバルト
(WCo)合金の非磁性層上に形成されることである。
コバルト−白金(CoPt)またはコバルト−白金−クロ
ム(CoPtCr)の磁気層との間に非磁性体のタングス
テン(W)の下層を使用することによつて磁気層の保磁
率を改善することに向けられている。また、この特許
は、CoPtの磁気薄膜の保磁率が下記の条件の下でCr
の下層を用いることによつて改善することができること
を指摘している。上述の条件とは、コバルト−タングス
テン(Co3W)のような金属間化合物の層が後で被着さ
れる磁気薄膜のための核化層を形成するために使用され
ることと、CoPtの磁気層がタングステン−コバルト
(WCo)合金の非磁性層上に形成されることである。
【0008】米国特許第4079169号は、磁気記録
デイスクを記載しており、磁気層が基体部材上に被着さ
れる前に、通常、クラツド(被覆)層が基体部材上に被
着されることを認識している。このクラツド層は、耐摩
耗性及び物理的な剛性を与え、容易に研磨可能な層を与
え、下層のアルミニウムが腐食されないようにし、そし
て、このクラツド層及び他の層が保磁率と、上層の磁気
薄膜層との保磁率及び他の磁気的な性質を強化すること
である。この特許で開示されたコバルト・ベースの合金
のクラツド層は10乃至30%のクロムと、8乃至18
%のタングステンと、8乃至30%の白金と、残りの全
部の量のコバルトとで構成されている。このクラツド層
中のコバルト及びクロムの機能は耐腐食性を与えること
にある。このクラツド層中のタングステンの機能は硬さ
及び剛性を与えることにある。このクラツド層中の白金
の機能は延性を与えることにある。
デイスクを記載しており、磁気層が基体部材上に被着さ
れる前に、通常、クラツド(被覆)層が基体部材上に被
着されることを認識している。このクラツド層は、耐摩
耗性及び物理的な剛性を与え、容易に研磨可能な層を与
え、下層のアルミニウムが腐食されないようにし、そし
て、このクラツド層及び他の層が保磁率と、上層の磁気
薄膜層との保磁率及び他の磁気的な性質を強化すること
である。この特許で開示されたコバルト・ベースの合金
のクラツド層は10乃至30%のクロムと、8乃至18
%のタングステンと、8乃至30%の白金と、残りの全
部の量のコバルトとで構成されている。このクラツド層
中のコバルト及びクロムの機能は耐腐食性を与えること
にある。このクラツド層中のタングステンの機能は硬さ
及び剛性を与えることにある。このクラツド層中の白金
の機能は延性を与えることにある。
【0009】上述の関連米国特許出願にはスパツタリン
グで被着された単一成分のクロムの下層を持つコバルト
合金の薄膜デイスクが記載されている。
グで被着された単一成分のクロムの下層を持つコバルト
合金の薄膜デイスクが記載されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気記録媒体の磁
気的性質を制御するための従来の技術を実際化した幾つ
かの手段は概して有用であるけれども、これらの磁気的
な性質が磁気層それ自身の磁気的性質を制御することが
でき、層の厚さなどには独立したフアクタであるような
単純な成分の下層の必要性がある。
気的性質を制御するための従来の技術を実際化した幾つ
かの手段は概して有用であるけれども、これらの磁気的
な性質が磁気層それ自身の磁気的性質を制御することが
でき、層の厚さなどには独立したフアクタであるような
単純な成分の下層の必要性がある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、クロム(C
r)が88%、タングステン(W)が12%の組成を持
つことが望ましい主要成分がクロムである、非磁性のク
ロム−タングステン2元合金(CrW)の形の下層を与
えることであり、この材料の上に薄膜磁気記録層が被着
される。
r)が88%、タングステン(W)が12%の組成を持
つことが望ましい主要成分がクロムである、非磁性のク
ロム−タングステン2元合金(CrW)の形の下層を与
えることであり、この材料の上に薄膜磁気記録層が被着
される。
【0012】[開示の概要]本発明は直接アクセス・ス
トレージ装置(DASD)に使用されるタイプの薄膜の
ハード・デイスクを製造するのに適した磁気媒体を指向
している。本発明に従つて、上述のデイスクの磁気記録
用の薄膜層が2元合金クロム−タングステン合金(Cr
W)で構成される下層の上に与えられる。
トレージ装置(DASD)に使用されるタイプの薄膜の
ハード・デイスクを製造するのに適した磁気媒体を指向
している。本発明に従つて、上述のデイスクの磁気記録
用の薄膜層が2元合金クロム−タングステン合金(Cr
W)で構成される下層の上に与えられる。
【0013】2元合金(CrW)の下層と言う言葉は、
下層中にCr及びW以外の元素を使用したものを除外す
ることを意図する言葉である。
下層中にCr及びW以外の元素を使用したものを除外す
ることを意図する言葉である。
【0014】最適な記録性能を得るために必要とされる
ような、上述の記録薄膜層の原子整列は、上述の下層の
原子構造によつて多くの部分が制御される。一般論とし
ては、デイスクの磁気記録層の原子は、磁化の容易軸を
デイスクの表面に平行に方向付けされていなければなら
ない。
ような、上述の記録薄膜層の原子整列は、上述の下層の
原子構造によつて多くの部分が制御される。一般論とし
ては、デイスクの磁気記録層の原子は、磁化の容易軸を
デイスクの表面に平行に方向付けされていなければなら
ない。
【0015】本発明の特徴に従つて、本発明のCrWの
下層は、その主要成分としてCrを含んでいる。クロム
及びコバルト原子は、概して同じ物理的な大きさを持つ
ているので、後の工程で被着されるコバルト・ベースの
記録層と最適な原子整列が得られる。
下層は、その主要成分としてCrを含んでいる。クロム
及びコバルト原子は、概して同じ物理的な大きさを持つ
ているので、後の工程で被着されるコバルト・ベースの
記録層と最適な原子整列が得られる。
【0016】MrTと等価な値(MrTとは残留磁気モー
メントと磁気薄膜の厚さとの積)に対して、Co(7
5)Pt(12)Cr(13)(75原子%のコバルト、
12原子%白金、13原子%のクロム)の保磁率は、従
来のCrの下層の上に磁気薄膜が被着された場合より
も、磁気薄膜が本発明の2元合金CrWの下層上に被着
された場合の方が300エルステツド高いことが見出さ
れている。従つて、本発明の利点は、例えばCoPtCr
合金において4%の量だけPtを少なくしたCoPt磁気
薄膜を形成させることができ、これにより、コストの低
減を図ることができるばかりでなく、磁気薄膜の保磁率
を低下しない。
メントと磁気薄膜の厚さとの積)に対して、Co(7
5)Pt(12)Cr(13)(75原子%のコバルト、
12原子%白金、13原子%のクロム)の保磁率は、従
来のCrの下層の上に磁気薄膜が被着された場合より
も、磁気薄膜が本発明の2元合金CrWの下層上に被着
された場合の方が300エルステツド高いことが見出さ
れている。従つて、本発明の利点は、例えばCoPtCr
合金において4%の量だけPtを少なくしたCoPt磁気
薄膜を形成させることができ、これにより、コストの低
減を図ることができるばかりでなく、磁気薄膜の保磁率
を低下しない。
【0017】本発明の2元組成のCrWの下層を使用す
ることによつて、コバルト・ベースの磁気記録薄膜の保
磁率は、下層の厚さの関数としてあまり変化しないこと
が見出されている。従つて、本発明の他の利点は、この
層の製造時の厚さの変動が磁気薄膜の保磁率に変化を与
える影響を回避することができるということである。
ることによつて、コバルト・ベースの磁気記録薄膜の保
磁率は、下層の厚さの関数としてあまり変化しないこと
が見出されている。従つて、本発明の他の利点は、この
層の製造時の厚さの変動が磁気薄膜の保磁率に変化を与
える影響を回避することができるということである。
【0018】本発明の目的は、非磁性体の2元合金クロ
ム−タングステンの薄膜の下層を与え、その後、その下
層の上に磁気記録層を被着する方法を提供することにあ
り、これにより、コバルト・ベースの磁気記録薄膜の保
磁率を増加する。
ム−タングステンの薄膜の下層を与え、その後、その下
層の上に磁気記録層を被着する方法を提供することにあ
り、これにより、コバルト・ベースの磁気記録薄膜の保
磁率を増加する。
【0019】本発明の他の目的は、非磁性体の2元合金
クロム−タングステンの薄膜の下層を与え、その後、そ
の下層の上に磁気記録層を被着する方法によつて、コバ
ルト−白金ベースの磁気記録層の保磁率を減少すること
なく、コバルト−白金ベースの磁気記録層に必要とする
白金の量を減らすための方法を提供することにある。
クロム−タングステンの薄膜の下層を与え、その後、そ
の下層の上に磁気記録層を被着する方法によつて、コバ
ルト−白金ベースの磁気記録層の保磁率を減少すること
なく、コバルト−白金ベースの磁気記録層に必要とする
白金の量を減らすための方法を提供することにある。
【0020】本発明の他の目的は、主要成分が基板部材
上に薄膜としてスパツタ被着されたクロムであるクロム
及びタングステンの2元合金を有し、かつ、その2元合
金の上に薄膜として強磁性体のコバルト合金をスパツタ
リングで被着させた硬いデイスク形状の磁気記録デイス
クを提供することにある。
上に薄膜としてスパツタ被着されたクロムであるクロム
及びタングステンの2元合金を有し、かつ、その2元合
金の上に薄膜として強磁性体のコバルト合金をスパツタ
リングで被着させた硬いデイスク形状の磁気記録デイス
クを提供することにある。
【0021】
【実施例】本発明は磁気記録薄膜に対してCrWの下層
を有する磁気記録デイスクを与え、その下層は2つの成
分の単純なものである。本発明に従つて、デイスクの記
録薄膜の保磁率は、読取り/書込み磁気ヘツドによつて
要求され、または、そのデイスクが使用されるDASD
装置の信号処理の電子的要素によつて必要とされる目標
値を達成するために、厳密に制御することができる。
を有する磁気記録デイスクを与え、その下層は2つの成
分の単純なものである。本発明に従つて、デイスクの記
録薄膜の保磁率は、読取り/書込み磁気ヘツドによつて
要求され、または、そのデイスクが使用されるDASD
装置の信号処理の電子的要素によつて必要とされる目標
値を達成するために、厳密に制御することができる。
【0022】従来、磁気薄膜媒体の磁気的な性質を制御
するために、多数の異なつた下層が提案されてきたが、
従来の下層は、磁気層の保磁率がタングステンの非磁性
体の下層の使用によつて制御されている上述の米国特許
第4654276号のように、保磁率が下層の厚さに影
響を受けるものか、あるいは、クロム−タングステン−
ニツケル−コバルトの4つの組成のクラツド層に関する
上述の米国特許第4079169号の場合のように、下
層が複雑で高価な組成のものであつた。
するために、多数の異なつた下層が提案されてきたが、
従来の下層は、磁気層の保磁率がタングステンの非磁性
体の下層の使用によつて制御されている上述の米国特許
第4654276号のように、保磁率が下層の厚さに影
響を受けるものか、あるいは、クロム−タングステン−
ニツケル−コバルトの4つの組成のクラツド層に関する
上述の米国特許第4079169号の場合のように、下
層が複雑で高価な組成のものであつた。
【0023】本発明は単純で、高価ではない構造の下層
を与え、しかも、コバルト・ベースの磁気薄膜の保磁率
は、磁気層それ自身の磁気的な性質に直接に制御され
ず、かつ、磁気層は下層の厚さとは無関係に制御可能で
ある。コバルト・ベースの磁気薄膜が白金を含む場合、
本発明のCrWの下層を使用することにより、白金が減
少されたにも拘らず磁気薄膜の保磁率を殆ど不変に維持
することができるという意味で、減少された白金の価格
だけコストを減らすことができる。
を与え、しかも、コバルト・ベースの磁気薄膜の保磁率
は、磁気層それ自身の磁気的な性質に直接に制御され
ず、かつ、磁気層は下層の厚さとは無関係に制御可能で
ある。コバルト・ベースの磁気薄膜が白金を含む場合、
本発明のCrWの下層を使用することにより、白金が減
少されたにも拘らず磁気薄膜の保磁率を殆ど不変に維持
することができるという意味で、減少された白金の価格
だけコストを減らすことができる。
【0024】本発明の実施例によると、本発明は、非磁
性体で、好ましくは約85乃至99原子%のクロムと残
量がタングステンである組成である下層であり、より好
ましくは、Cr(88原子%)及びW(12原子%)の
組成の2つの金属、クロム−タングステン(CrW)合
金でスパツタ処理された薄い薄膜の形の新規な下層が与
えられ、この下層の上に磁気記録層が被着される。
性体で、好ましくは約85乃至99原子%のクロムと残
量がタングステンである組成である下層であり、より好
ましくは、Cr(88原子%)及びW(12原子%)の
組成の2つの金属、クロム−タングステン(CrW)合
金でスパツタ処理された薄い薄膜の形の新規な下層が与
えられ、この下層の上に磁気記録層が被着される。
【0025】本発明は、上述の実施例にのみ制限して解
釈されるべきではなく、本発明の技術は、クロム・ベー
スの下層のタングステンの原子パーセントが、下層と、
コバルト/白金ベースの磁気記録層との間の原子格子と
マツチングを与えることである。このマツチングは、こ
れら両方層の中の原子の正しいスペースを与えることに
よつて促進されると考えられている。この想定を用い
て、例えば、Cr(88)W(12)の下層と、Co(7
5)Pt(12)Cr(13)の磁気記録層のような組成
にして、そのようなマツチングが得られる。一般に、こ
の理論は、磁気記録層中の白金の原子パーセントが大き
くなればなるほど、多分約1対1の変化比で、下層中の
タングステンの原子パーセントは大きくなることを提案
している。
釈されるべきではなく、本発明の技術は、クロム・ベー
スの下層のタングステンの原子パーセントが、下層と、
コバルト/白金ベースの磁気記録層との間の原子格子と
マツチングを与えることである。このマツチングは、こ
れら両方層の中の原子の正しいスペースを与えることに
よつて促進されると考えられている。この想定を用い
て、例えば、Cr(88)W(12)の下層と、Co(7
5)Pt(12)Cr(13)の磁気記録層のような組成
にして、そのようなマツチングが得られる。一般に、こ
の理論は、磁気記録層中の白金の原子パーセントが大き
くなればなるほど、多分約1対1の変化比で、下層中の
タングステンの原子パーセントは大きくなることを提案
している。
【0026】図1は本発明に従つた磁気記録媒体の一部
の断面、より特定して言えば、従来の磁気記録用ハード
・デイスク20の形態を持つ磁気記録媒体の一部を示す
断面図である。図1において、参照数字10は磁気記録
媒体のデイスク形状の非強磁性体の基体部材を示す。例
えばアルミニウム・デイスク10は、非磁性体の硬い材
料の付加層11を持ち、層の表面は超平滑に研磨され
る。本発明の特徴に従つて、層11は無電解メツキされ
たニツケル燐(NiP)の層が使われている。
の断面、より特定して言えば、従来の磁気記録用ハード
・デイスク20の形態を持つ磁気記録媒体の一部を示す
断面図である。図1において、参照数字10は磁気記録
媒体のデイスク形状の非強磁性体の基体部材を示す。例
えばアルミニウム・デイスク10は、非磁性体の硬い材
料の付加層11を持ち、層の表面は超平滑に研磨され
る。本発明の特徴に従つて、層11は無電解メツキされ
たニツケル燐(NiP)の層が使われている。
【0027】本発明のCrWの2元合金が参照数字12
で示されている。本発明の特徴に従つて、2元合金の下
層12の主要成分はクロムであり、そして、下層はCr
(88)W(12)の組成を持つのが好ましい。層12
は基体部材10上の薄膜として被覆、即ち被着されるの
が好ましく、あるいは、若しNiPの薄膜が与えられて
いれば、NiPの付加層の上に薄膜として被着される。
で示されている。本発明の特徴に従つて、2元合金の下
層12の主要成分はクロムであり、そして、下層はCr
(88)W(12)の組成を持つのが好ましい。層12
は基体部材10上の薄膜として被覆、即ち被着されるの
が好ましく、あるいは、若しNiPの薄膜が与えられて
いれば、NiPの付加層の上に薄膜として被着される。
【0028】例えば、コバルト−白金(CoPt)、また
はコバルト−白金−クロム(CoPtCr)のような強磁
性体のコバルト・ベースの合金の磁気記録層13が、薄
い2元合金CrW下層の薄膜12の露出面上に薄膜とし
てスパツタ被着される。
はコバルト−白金−クロム(CoPtCr)のような強磁
性体のコバルト・ベースの合金の磁気記録層13が、薄
い2元合金CrW下層の薄膜12の露出面上に薄膜とし
てスパツタ被着される。
【0029】本発明の特徴として、例えば、炭素ベース
の保護薄膜である、付加的で、スパツタ被着された保護
薄膜14がコバルト・ベースの磁気記録層13を被つて
スパツタ被着される。潤滑層15が保護薄膜14に与え
られ、デイスク20の構成が完成する。
の保護薄膜である、付加的で、スパツタ被着された保護
薄膜14がコバルト・ベースの磁気記録層13を被つて
スパツタ被着される。潤滑層15が保護薄膜14に与え
られ、デイスク20の構成が完成する。
【0030】基体部材10が製造される手段とか、層1
1乃至15が被着される手段は公知である。従つて、こ
れらの手段についての説明は省略する。
1乃至15が被着される手段は公知である。従つて、こ
れらの手段についての説明は省略する。
【0031】被着されたCrW2元合金の層12、コバ
ルト・ベースの磁気記録層13及び炭素ベースの保護層
14は公知のスパツタリング処理で被着される。
ルト・ベースの磁気記録層13及び炭素ベースの保護層
14は公知のスパツタリング処理で被着される。
【0032】CrWの下層12の2元の組成は約85乃
至約99原子パーセントがクロムであり、残りの量はタ
ングステンである。CrWの下層12の最も好ましい2
元組成はCr(88)W(12)である。
至約99原子パーセントがクロムであり、残りの量はタ
ングステンである。CrWの下層12の最も好ましい2
元組成はCr(88)W(12)である。
【0033】コバルト原子とクロム原子との物理的な大
きさは同じであり、そしてタングステン原子に比較して
相対的に小さいので、クロム−タングステンの下層11
の組成の選択で重要な点は、2元合金組成中のタングス
テンの割合は15%を超えるべきではないと言う事実で
ある。このようにして、クロム−タングステンの組成を
選択することによつて、コバルト・ベースの磁気層13
の後から被着された原子の正しい原子配列が生じる。
きさは同じであり、そしてタングステン原子に比較して
相対的に小さいので、クロム−タングステンの下層11
の組成の選択で重要な点は、2元合金組成中のタングス
テンの割合は15%を超えるべきではないと言う事実で
ある。このようにして、クロム−タングステンの組成を
選択することによつて、コバルト・ベースの磁気層13
の後から被着された原子の正しい原子配列が生じる。
【0034】下層12及び記録層13が被着される態様
は、本発明には重要な要素ではないけれども、以下に説
明する実施例は2つの層を被着する好ましい例である。
は、本発明には重要な要素ではないけれども、以下に説
明する実施例は2つの層を被着する好ましい例である。
【0035】被着処理に用いた圧力は1×10-6トル以
下で、スパツタリング圧力は約5×10-3トル乃至約2
0×10-3トルの範囲で、スパツタリング・ガス流の速
度は約200sccmである。スパツタ処理の前に、スパツ
タリング・チヤンバは約100℃乃至約200℃に加熱
された。被着処理は1分間で約1000オングストロー
ムのスパツタリング速度であつた。
下で、スパツタリング圧力は約5×10-3トル乃至約2
0×10-3トルの範囲で、スパツタリング・ガス流の速
度は約200sccmである。スパツタ処理の前に、スパツ
タリング・チヤンバは約100℃乃至約200℃に加熱
された。被着処理は1分間で約1000オングストロー
ムのスパツタリング速度であつた。
【0036】下層12の代表的な厚さの範囲は約100
オングストロームから2000オングストロームであ
り、他方、記録層13の代表的な厚さの範囲は約300
オングストロームから1000オングストロームであ
る。
オングストロームから2000オングストロームであ
り、他方、記録層13の代表的な厚さの範囲は約300
オングストロームから1000オングストロームであ
る。
【0037】本発明の2元合金CrWの下層が与えられ
た場合には、被われた磁気記録層の保磁率は図2に示し
たように顕著に改善されることが見出されている。
た場合には、被われた磁気記録層の保磁率は図2に示し
たように顕著に改善されることが見出されている。
【0038】図2は厚さの変化の関数として2つのCo
(75)Pt(12)Cr(13)磁気薄膜13の保磁率
(Hc)の平均値、即ち磁気薄膜のMrT特性をプロツト
したものである。2つの磁気薄膜の内の1方の磁気薄膜
は本発明に従つた2元組成のCr(88)W(12)の
下層12が与えられている。他方の磁気薄膜13は通常
のCrの下層が与えられている。
(75)Pt(12)Cr(13)磁気薄膜13の保磁率
(Hc)の平均値、即ち磁気薄膜のMrT特性をプロツト
したものである。2つの磁気薄膜の内の1方の磁気薄膜
は本発明に従つた2元組成のCr(88)W(12)の
下層12が与えられている。他方の磁気薄膜13は通常
のCrの下層が与えられている。
【0039】図2から、両方の磁気薄膜13は、磁気薄
膜の厚さが増加するに従つて、磁気薄膜の保磁率は減少
していくことが分かる。これは予測された通りの結果で
あつて、当業者には広く知られている。
膜の厚さが増加するに従つて、磁気薄膜の保磁率は減少
していくことが分かる。これは予測された通りの結果で
あつて、当業者には広く知られている。
【0040】磁気層13の厚さの広い範囲にわたつて、
本発明の2元合金のCrWの下層12を持つ磁気薄膜の
保磁率は、すべての場合に高く、Crを含む下層より
も、通常、300エルステツド高いことが図2から理解
できる。
本発明の2元合金のCrWの下層12を持つ磁気薄膜の
保磁率は、すべての場合に高く、Crを含む下層より
も、通常、300エルステツド高いことが図2から理解
できる。
【0041】本発明は、非常に薄い磁気記録層から比較
的厚い磁気記録層にわたつて広い範囲の厚さの磁気記録
層に用いることができるのは、図2から判るであろう。
的厚い磁気記録層にわたつて広い範囲の厚さの磁気記録
層に用いることができるのは、図2から判るであろう。
【0042】上述したように、本発明の2元合金CrW
の下層12は、被覆された磁気記録層13の保磁率を改
善するばかりでなく、CrWの下層12の厚さとは無関
係に磁気層の保磁率に影響することである。別の言いか
たをすると、図3から判るように、被覆された磁気記録
層13の保磁率が下層12の厚さの変動によつて著しく
影響を受けないから、本発明のCrWの下層12の厚さ
の処理について精密な制御を必要としないと言うことで
ある。
の下層12は、被覆された磁気記録層13の保磁率を改
善するばかりでなく、CrWの下層12の厚さとは無関
係に磁気層の保磁率に影響することである。別の言いか
たをすると、図3から判るように、被覆された磁気記録
層13の保磁率が下層12の厚さの変動によつて著しく
影響を受けないから、本発明のCrWの下層12の厚さ
の処理について精密な制御を必要としないと言うことで
ある。
【0043】図3は異なつたPtCr組成の2つのCoPt
Cr磁気薄膜13の保磁率(Hc)の平均値をプロツトし
た図であり、各薄膜は本発明のCrW下層12の厚さの
変化の関数として開始されたMrT値の範囲を持つてい
る。図3から、磁気薄膜の保磁率は、CrW下層12の
厚さの変化に対して殆ど変化しないことが理解できる。
その結果、CrW下層12のスパツタリング処理の間で
生じるであろう変動が磁気薄膜13の保磁率に影響を与
えないから、改善された保磁率の制御が本発明によつて
達成される。
Cr磁気薄膜13の保磁率(Hc)の平均値をプロツトし
た図であり、各薄膜は本発明のCrW下層12の厚さの
変化の関数として開始されたMrT値の範囲を持つてい
る。図3から、磁気薄膜の保磁率は、CrW下層12の
厚さの変化に対して殆ど変化しないことが理解できる。
その結果、CrW下層12のスパツタリング処理の間で
生じるであろう変動が磁気薄膜13の保磁率に影響を与
えないから、改善された保磁率の制御が本発明によつて
達成される。
【0044】
【発明の効果】本発明の利点は、本発明のCrW下層1
2によつて、下層の上に被着された磁気薄膜13の保磁
率がCrW下層12の厚さの関数として変化しないこと
である。既に述べたように、これは図3に示されてい
る。
2によつて、下層の上に被着された磁気薄膜13の保磁
率がCrW下層12の厚さの関数として変化しないこと
である。既に述べたように、これは図3に示されてい
る。
【0045】従来と同じようにCrの下層を使用した場
合には図3に示したようにはならない。図4を参照する
と、PtCrの異なつた組成の2つのCoPtCr磁気記録
薄膜の保磁率は、Crの下層の厚さの関数として変化す
ることが理解できる。その結果、Cr下層をスパツタリ
ング処理で被着する時に、図4のように、Cr下層の厚
さの変化が記録層の保磁率を変化させるから、Cr下層
の厚さは厳密に制御されねばならないのに反して、図3
から明らかなように、本発明のCrW下層12の厚さは
精密に制御する必要はない。
合には図3に示したようにはならない。図4を参照する
と、PtCrの異なつた組成の2つのCoPtCr磁気記録
薄膜の保磁率は、Crの下層の厚さの関数として変化す
ることが理解できる。その結果、Cr下層をスパツタリ
ング処理で被着する時に、図4のように、Cr下層の厚
さの変化が記録層の保磁率を変化させるから、Cr下層
の厚さは厳密に制御されねばならないのに反して、図3
から明らかなように、本発明のCrW下層12の厚さは
精密に制御する必要はない。
【図1】本発明に従つたCrWの2元合金の下層を有す
る磁気記録薄膜デイスクの一部を示す断面図である。
る磁気記録薄膜デイスクの一部を示す断面図である。
【図2】一方の磁気薄膜は本発明に従つたCr(88)
W(12)2元組成の下層であり、他方の磁気薄膜は通
常のCrの下層である場合、磁気薄膜の厚さ(MrT)の
変化の関数として2つのCo(75)Pt(12)Cr
(13)磁気薄膜の保磁率の平均値を示し、更に、本発
明のCrWの下層は、厚さ全体にわたつて常に高い保磁
率であることを示すグラフである。
W(12)2元組成の下層であり、他方の磁気薄膜は通
常のCrの下層である場合、磁気薄膜の厚さ(MrT)の
変化の関数として2つのCo(75)Pt(12)Cr
(13)磁気薄膜の保磁率の平均値を示し、更に、本発
明のCrWの下層は、厚さ全体にわたつて常に高い保磁
率であることを示すグラフである。
【図3】本発明のCr(88)W(12)の下層の厚さ
の変化の関数として、異なつた2つのCoPtCr磁気薄
膜の保磁率の平均値を示すグラフであつて、(1)磁気
薄膜の保磁率はCrW下層の厚さの変化に拘らず変化し
ないことと(2)磁気薄膜の白金の量が8%から12%
に増加すると、予期された通り、磁気薄膜の保磁率は増
加することを示すグラフである。
の変化の関数として、異なつた2つのCoPtCr磁気薄
膜の保磁率の平均値を示すグラフであつて、(1)磁気
薄膜の保磁率はCrW下層の厚さの変化に拘らず変化し
ないことと(2)磁気薄膜の白金の量が8%から12%
に増加すると、予期された通り、磁気薄膜の保磁率は増
加することを示すグラフである。
【図4】従来のCrの下層の厚さが変化した場合の2つ
のCoPtCr磁気薄膜の保磁率(Hc)の変化の平均値を
示すグラフであつて、図3に示した本発明の下層の場合
と対照的に、従来のCrの下層の厚さが増加すると磁気
記録薄膜の保磁率も増加することを示すグラフである。
のCoPtCr磁気薄膜の保磁率(Hc)の変化の平均値を
示すグラフであつて、図3に示した本発明の下層の場合
と対照的に、従来のCrの下層の厚さが増加すると磁気
記録薄膜の保磁率も増加することを示すグラフである。
10 デイスクの基体部材 11 非磁性体の付加層 12 2元合金の下層 13 磁気記録層 14 保護薄膜 15 潤滑層 20 磁気記録用ハード・デイスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケンネス・エドムンド・ジョンソン アメリカ合衆国イリノイ州、ロチェスタ ー、アウダズ・レーン、エス・ダブリュ 1111番地 (72)発明者 チリャード・エルビン・ネルソン アメリカ合衆国イリノイ州、ロチェスタ ー、ツウェンティシックスス・ストリー ト、エヌ・ダブリュ 2837番地 (56)参考文献 特開 昭61−267923(JP,A) 特開 平1−283803(JP,A) 特開 平4−704(JP,A)
Claims (6)
- 【請求項1】 非磁性の基体部材と、 上記基体部材の上に形成された、実質的に12原子%の
Wを含み残りがCrであるCrーWの2元成分の非磁性
の下層と、 上記下層の上に形成された、Ptを8〜12原子%、C
rを13〜17原子%有するCo75PtCr合金の磁性
薄膜層と、 を有し、上記下層の100Åないし1000Åの範囲の
膜厚に対し、保磁率の変動幅が20パーセント以下であ
る磁気記録媒体。 - 【請求項2】 上記下層と上記磁性薄膜層がスパッタリ
ング処理で形成された請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】 上記基体部材は対向した平行の円盤の平
坦面を備えた硬い部材を含み、上記平坦面のそれぞれが
上記下層、および上記下層上に形成された上記磁性薄膜
層を有する請求項2に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項4】 硬い円盤状の非磁性の基体部材と、 上記基体部材の上に形成された、実質的に88原子%の
Crおよび実質的に12原子%のWで構成される2元成
分合金の非磁性の薄膜下層と、 上記薄膜下層の上に形成されたCo75Pt12Cr13合金
の磁性薄膜層と、 を有し、上記薄膜下層の100Åないし1000Åの範
囲の膜厚に対し、保磁率の変動幅が10パーセント以下
である磁気記録ディスク。 - 【請求項5】 上記基体部材が、NiPの薄膜を付着さ
せたアルミニウム円盤である、請求項4に記載の磁気記
録ディスク。 - 【請求項6】 上記磁性薄膜層の上に炭素をベースにし
た保護膜をスパッタリング処理で付着させた請求項5に
記載の磁気記録ディスク。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US63156490A | 1990-12-21 | 1990-12-21 | |
US631564 | 1990-12-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0613237A JPH0613237A (ja) | 1994-01-21 |
JPH07118417B2 true JPH07118417B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=24531753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3321569A Expired - Lifetime JPH07118417B2 (ja) | 1990-12-21 | 1991-10-31 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5298324A (ja) |
JP (1) | JPH07118417B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8716032D0 (en) * | 1987-07-08 | 1987-08-12 | British Telecomm | Duct testing |
JPH06215345A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
JPH08329442A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH09198641A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
US6022609A (en) * | 1996-10-02 | 2000-02-08 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording medium with substantially uniform sub-micron-scale morphology |
US6756136B1 (en) * | 2000-02-14 | 2004-06-29 | Seagate Technology Llc | Chromium-alloy seedlayers for recording media |
JP2002170224A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
US6787251B1 (en) | 2002-04-19 | 2004-09-07 | Seagate Technology Llc | Recording medium with a varying composition underlayer |
US20060024530A1 (en) * | 2004-08-02 | 2006-02-02 | Seagate Technology Llc | Magnetic alloy materials with HCP stabilized microstructure, magnetic recording media comprising same, and fabrication method therefor |
US20060234089A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Imation Corp. | Multi-layered sputtered thin metal film recording medium comprising a tungsten seed layer and a chromium-titanium-tungsten intermediate layer |
US20090274932A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Imation Corp. | Sputtered metal film recording medium including texture promotion layer |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4079169A (en) * | 1976-11-15 | 1978-03-14 | International Business Machines Corporation | Cobalt base alloy as protective layer for magnetic recording media |
JPS61267923A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-27 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
US4677032A (en) * | 1985-09-23 | 1987-06-30 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording media with multilayered magnetic film structure |
US4749459A (en) * | 1986-03-10 | 1988-06-07 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a thin film magnetic recording medium |
US4652499A (en) * | 1986-04-29 | 1987-03-24 | International Business Machines | Magnetic recording medium with a chromium alloy underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
US4654276A (en) * | 1986-04-29 | 1987-03-31 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium with an underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
US4929514A (en) * | 1988-03-22 | 1990-05-29 | Hewlett-Packard Company | Thin film media for high density longitudinal magnetic recording |
US5143794A (en) * | 1988-08-10 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
JPH04704A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-06 | Tokin Corp | 磁気記録媒体 |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP3321569A patent/JPH07118417B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-11-10 US US07/975,207 patent/US5298324A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5298324A (en) | 1994-03-29 |
JPH0613237A (ja) | 1994-01-21 |
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