JP2559984B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に関し、特
に薄膜コバルト合金磁気記録デイスクについて、薄膜コ
バルト合金磁気層の下層を改善することより飽和保磁力
及び耐久性を改善したデイスクを提案するものである。
に薄膜コバルト合金磁気記録デイスクについて、薄膜コ
バルト合金磁気層の下層を改善することより飽和保磁力
及び耐久性を改善したデイスクを提案するものである。
【0002】
【従来の技術】通常、薄膜コバルト合金でなる磁気記録
デイスクはニツケル−リン(NiP)で表面を被覆され
ているアルミニウム−マグネシウム(AlMg)合金又
はガラスである基板と、当該基板上にスパツタ堆積され
たクロム(Cr)又はクロム−バナジウム(CrV)等
の下層と、当該下層上に磁気層としてスパツタ堆積され
た、コバルトをベースにした合金と、磁気層上にスパツ
タ堆積によつて形成されたアモルフアス炭素フイルム又
は水素化された炭素フイルム等の保護膜とを含む。米国
特許第 5,051,288号で述べられているように、この形式
の従来のコバルト合金磁気記録デイスクの一変形は比較
的薄いコバルト合金磁気フイルムを積層した構造を使用
し、この磁気フイルムに比べ相対的に薄い非磁性スペー
サフイルムでこのコバルト合金磁気フイルムを分離す
る。このように磁気層を積層した形式のデイスクは高線
形記録密度における固有の媒体ノイズを減少させたデイ
スクとなる。
デイスクはニツケル−リン(NiP)で表面を被覆され
ているアルミニウム−マグネシウム(AlMg)合金又
はガラスである基板と、当該基板上にスパツタ堆積され
たクロム(Cr)又はクロム−バナジウム(CrV)等
の下層と、当該下層上に磁気層としてスパツタ堆積され
た、コバルトをベースにした合金と、磁気層上にスパツ
タ堆積によつて形成されたアモルフアス炭素フイルム又
は水素化された炭素フイルム等の保護膜とを含む。米国
特許第 5,051,288号で述べられているように、この形式
の従来のコバルト合金磁気記録デイスクの一変形は比較
的薄いコバルト合金磁気フイルムを積層した構造を使用
し、この磁気フイルムに比べ相対的に薄い非磁性スペー
サフイルムでこのコバルト合金磁気フイルムを分離す
る。このように磁気層を積層した形式のデイスクは高線
形記録密度における固有の媒体ノイズを減少させたデイ
スクとなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】コバルト合金デイスク
の飽和保磁力は磁気層と下層との構成によつて制限され
る。下層はその上に形成された磁気層に優れた飽和保磁
力を生じさせるのに十分な組成で構成されなければなら
ず、またその結果として得られるデイスクに十分な耐久
性を与えるものでなければならない。
の飽和保磁力は磁気層と下層との構成によつて制限され
る。下層はその上に形成された磁気層に優れた飽和保磁
力を生じさせるのに十分な組成で構成されなければなら
ず、またその結果として得られるデイスクに十分な耐久
性を与えるものでなければならない。
【0004】すなわち、(磁気層を積層する形式のデイ
スク場合には)下層及び非磁性スペーサ層を有する薄膜
コバルト合金磁気記録デイスクが必要であり、この磁気
記録デイスクは磁気層の飽和保磁力及び耐久性の双方を
改善する。
スク場合には)下層及び非磁性スペーサ層を有する薄膜
コバルト合金磁気記録デイスクが必要であり、この磁気
記録デイスクは磁気層の飽和保磁力及び耐久性の双方を
改善する。
【0005】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、長手記録用の磁気記録媒体におい
て、基板と、当該基板上に形成され、ルテニウム(R
u)、レニウム(Re)及びオスミウム(Os)からな
る族から選択された元素を含む、下層である非磁性層
と、当該非磁性層上に形成され、コバルトをベースとす
る合金フイルムを含む磁気層とを設けるようにする。
め本発明においては、長手記録用の磁気記録媒体におい
て、基板と、当該基板上に形成され、ルテニウム(R
u)、レニウム(Re)及びオスミウム(Os)からな
る族から選択された元素を含む、下層である非磁性層
と、当該非磁性層上に形成され、コバルトをベースとす
る合金フイルムを含む磁気層とを設けるようにする。
【0006】また本発明においては、長手記録用の磁気
記録媒体において、基板と、当該基板上に形成された積
層型磁気層とを設け、積層型磁気層はコバルトをベース
にした合金フイルム及び非磁性スペーサフイルムを交互
に積層した磁気層であり、非磁性スペーサフイルムはル
テニウム(Ru)、レニウム(Re)及びオスミウム
(Os)からなる族から選択された元素を含み、積層型
磁気層は少なくとも2つの、コバルトをベースとする合
金フイルム及び1つの非磁性スペーサフイルムを有する
ようにする。
記録媒体において、基板と、当該基板上に形成された積
層型磁気層とを設け、積層型磁気層はコバルトをベース
にした合金フイルム及び非磁性スペーサフイルムを交互
に積層した磁気層であり、非磁性スペーサフイルムはル
テニウム(Ru)、レニウム(Re)及びオスミウム
(Os)からなる族から選択された元素を含み、積層型
磁気層は少なくとも2つの、コバルトをベースとする合
金フイルム及び1つの非磁性スペーサフイルムを有する
ようにする。
【0007】さらに本発明においては、長手記録用の磁
気記録媒体において、堅固な基板と、当該基板上に直接
形成された本質的にルテニウム(Ru)でなる下層と、
基板上に形成された積層型磁気層とを設け、積層型磁気
層はコバルトをベースとする合金フイルム及び非磁性ス
ペーサフイルムを交互に積層した磁気層であり、非磁性
スペーサフイルムは本質的にルテニウム(Ru)でな
り、積層型磁気層は少なくとも2つの、コバルトをベー
スとする合金フイルム及び1つの非磁性スペーサフイル
ムを有するようにする。
気記録媒体において、堅固な基板と、当該基板上に直接
形成された本質的にルテニウム(Ru)でなる下層と、
基板上に形成された積層型磁気層とを設け、積層型磁気
層はコバルトをベースとする合金フイルム及び非磁性ス
ペーサフイルムを交互に積層した磁気層であり、非磁性
スペーサフイルムは本質的にルテニウム(Ru)でな
り、積層型磁気層は少なくとも2つの、コバルトをベー
スとする合金フイルム及び1つの非磁性スペーサフイル
ムを有するようにする。
【0008】
【作用】本発明のコバルト合金磁気記録デイスクにおい
ては、積層型磁気層構造の場合、磁気層、すなわち分離
して積層された磁気フイルムがルテニウム(Ru)層上
に直接形成される。ルテニウム(Ru)は、特に磁気層
がコバルト−白金合金であるときに高い飽和保磁力を生
じさせ、さらにその結果として得られるデイスクの耐久
性を改善する。
ては、積層型磁気層構造の場合、磁気層、すなわち分離
して積層された磁気フイルムがルテニウム(Ru)層上
に直接形成される。ルテニウム(Ru)は、特に磁気層
がコバルト−白金合金であるときに高い飽和保磁力を生
じさせ、さらにその結果として得られるデイスクの耐久
性を改善する。
【0009】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【0010】Ru/CoPtCr/Ruの薄膜構造物が
スパツタ堆積によつて単結晶シリコン(Si)基板上に
作られた。種々の厚さでなるRu下層フイルムがRFマ
グネトロンスパツタリングによつてシリコン基板上に堆
積された。Co77Pt10Cr13の組成を有し、厚さ 300
〔Å〕のコバルト−白金合金磁気フイルムが高周波2極
スパツタリングによつてRu下層上にスパツタ堆積され
た。その後、 250〔Å〕のRu非磁性層がRFマグネト
ロンスパツタリングによつてこのCoPtCr磁気層上
にスパツタ堆積された。
スパツタ堆積によつて単結晶シリコン(Si)基板上に
作られた。種々の厚さでなるRu下層フイルムがRFマ
グネトロンスパツタリングによつてシリコン基板上に堆
積された。Co77Pt10Cr13の組成を有し、厚さ 300
〔Å〕のコバルト−白金合金磁気フイルムが高周波2極
スパツタリングによつてRu下層上にスパツタ堆積され
た。その後、 250〔Å〕のRu非磁性層がRFマグネト
ロンスパツタリングによつてこのCoPtCr磁気層上
にスパツタ堆積された。
【0011】図1は振動試料磁力計(VSM)によつて
得られた、Ru下層の厚さが 2,000〔Å〕の薄膜構造の
磁気特性を示す。図1に示すようにこの薄膜構造(デイ
スク)の飽和保磁力(HC )は 2,860エルステツド(O
e)であり、残留磁気スクエアネス(Mr /Ms )は
0.690である。ここで「残留磁気スクエアネス」とは、
図1に示すヒステリシスループのグラフが四角形に近い
度合いを表す語であり、その数値が大きいほど四角形に
近いこと表す。しかしながら図2に示すように、Ru下
層の厚さが 5,000〔Å〕であること以外は同じ構造をも
つ薄膜構造の飽和保磁力(HC )は 2,440〔Oe〕に低
下し、残留磁気スクエアネス(Mr /Ms)も 0.476に
低下する。Ru下層の厚さが10,000〔Å〕であること以
外は同じ構造をもつデイスク構造(図示しない)の飽和
保磁力(HC )は 1,320〔Oe〕であり、残留磁気スク
エアネス(Mr /Ms )は 0.346であつた。Ru下層が
厚くなるに従つて飽和保磁力が低下するのは、Ru下層
の厚さがほぼ 2,000〔Å〕を超えるとRu下層の厚さが
CoPtCr磁気層内の磁化の垂直成分を促進させて結
果的に面内飽和保磁力と残留磁気スクエアネスとを低下
させるという事情による。
得られた、Ru下層の厚さが 2,000〔Å〕の薄膜構造の
磁気特性を示す。図1に示すようにこの薄膜構造(デイ
スク)の飽和保磁力(HC )は 2,860エルステツド(O
e)であり、残留磁気スクエアネス(Mr /Ms )は
0.690である。ここで「残留磁気スクエアネス」とは、
図1に示すヒステリシスループのグラフが四角形に近い
度合いを表す語であり、その数値が大きいほど四角形に
近いこと表す。しかしながら図2に示すように、Ru下
層の厚さが 5,000〔Å〕であること以外は同じ構造をも
つ薄膜構造の飽和保磁力(HC )は 2,440〔Oe〕に低
下し、残留磁気スクエアネス(Mr /Ms)も 0.476に
低下する。Ru下層の厚さが10,000〔Å〕であること以
外は同じ構造をもつデイスク構造(図示しない)の飽和
保磁力(HC )は 1,320〔Oe〕であり、残留磁気スク
エアネス(Mr /Ms )は 0.346であつた。Ru下層が
厚くなるに従つて飽和保磁力が低下するのは、Ru下層
の厚さがほぼ 2,000〔Å〕を超えるとRu下層の厚さが
CoPtCr磁気層内の磁化の垂直成分を促進させて結
果的に面内飽和保磁力と残留磁気スクエアネスとを低下
させるという事情による。
【0012】図3は厚さ 1,800〔Å〕のRu下層を有す
る場合又は厚さ 1,800〔Å〕のCr下層を有する場合に
おけるCoPtCr磁気層の厚さと飽和保磁力との関係
を示す。Ru下層を有する構造の最大飽和保磁力は 4,0
00〔Oe〕を超えるが、従来のCr下層を有する構造の
最大飽和保磁力はほぼ 2,000〔Oe〕である。かくして
好適な厚さ範囲の場合、Ru下層を有する構造は同一の
厚さの従来のCr下層を有する構造よりも格段的に高い
飽和保磁力をCoPtCr媒体に実現し得ることを図3
は示している。
る場合又は厚さ 1,800〔Å〕のCr下層を有する場合に
おけるCoPtCr磁気層の厚さと飽和保磁力との関係
を示す。Ru下層を有する構造の最大飽和保磁力は 4,0
00〔Oe〕を超えるが、従来のCr下層を有する構造の
最大飽和保磁力はほぼ 2,000〔Oe〕である。かくして
好適な厚さ範囲の場合、Ru下層を有する構造は同一の
厚さの従来のCr下層を有する構造よりも格段的に高い
飽和保磁力をCoPtCr媒体に実現し得ることを図3
は示している。
【0013】図4は図1の試料を透過電子顕微鏡(TE
M)によつて見たときの状態を示す。厚さ 2,000〔Å〕
のRu下層及びその上を覆つている 250〔Å〕Ru層間
にサンドウイツチされているCoPtCr層は本質的に
完全な結晶粒界を示し、下層のRu粒子及び上層のRu
粒子と整合していることがはつきりとわかるる。2つの
Ru層がCoPtCr層によつて分離されていても、C
oPtCr磁気層上にあるRu層は本質的にRu下層の
粒子の延長であることを図3から読み取ることが重要で
ある。これはCoPtCr磁気層及びRu下層間に本質
的に完全なエピタキシーが見られることを示すものであ
り、Ru下層の粒子に結晶の連続性を与えてRu上層に
連続的に成長させる。このような成長メカニズムによ
り、上述の米国特許第 5,051,288号に述べられているよ
うに磁気層が積層型である場合には、Ru層はコバルト
をベースにした磁気記録デイスク内で非磁性スペーサ層
として機能することができる。
M)によつて見たときの状態を示す。厚さ 2,000〔Å〕
のRu下層及びその上を覆つている 250〔Å〕Ru層間
にサンドウイツチされているCoPtCr層は本質的に
完全な結晶粒界を示し、下層のRu粒子及び上層のRu
粒子と整合していることがはつきりとわかるる。2つの
Ru層がCoPtCr層によつて分離されていても、C
oPtCr磁気層上にあるRu層は本質的にRu下層の
粒子の延長であることを図3から読み取ることが重要で
ある。これはCoPtCr磁気層及びRu下層間に本質
的に完全なエピタキシーが見られることを示すものであ
り、Ru下層の粒子に結晶の連続性を与えてRu上層に
連続的に成長させる。このような成長メカニズムによ
り、上述の米国特許第 5,051,288号に述べられているよ
うに磁気層が積層型である場合には、Ru層はコバルト
をベースにした磁気記録デイスク内で非磁性スペーサ層
として機能することができる。
【0014】図5は厚さ60〔Å〕のRuスペーサフイル
ムを使用した場合と厚さ60〔Å〕のCrスペーサフイル
ムを使用した場合の、積層型の磁気層を有する構造物の
飽和保磁力に与える影響を示す。図5の試料において、
厚さ 1,800〔Å〕のCr下層が基板上に形成され、次に
CoPtCr磁気フイルムの厚さは、積層された磁気層
の合計厚さが 240〔Å〕になるまで積層数を変えること
によつて変更された。積層された磁気層内に非磁性スペ
ーサフイルムとしてRuを使用すると飽和保磁力は増大
し、スペーサフイルムとしてCrを用いて得ることがで
きる飽和保磁力よりもほぼ 300〔Oe〕〜 4,000〔O
e〕大きい飽和保磁力を得ることができる。磁気層が積
層型であるときは、Ru下層は積層型磁気層構造物内の
最初の非磁性スペーサフイルムであると考えることもで
きる。なぜならばRu下層は後に堆積されたRuスペー
サフイルムと同一の組成を有するからである。
ムを使用した場合と厚さ60〔Å〕のCrスペーサフイル
ムを使用した場合の、積層型の磁気層を有する構造物の
飽和保磁力に与える影響を示す。図5の試料において、
厚さ 1,800〔Å〕のCr下層が基板上に形成され、次に
CoPtCr磁気フイルムの厚さは、積層された磁気層
の合計厚さが 240〔Å〕になるまで積層数を変えること
によつて変更された。積層された磁気層内に非磁性スペ
ーサフイルムとしてRuを使用すると飽和保磁力は増大
し、スペーサフイルムとしてCrを用いて得ることがで
きる飽和保磁力よりもほぼ 300〔Oe〕〜 4,000〔O
e〕大きい飽和保磁力を得ることができる。磁気層が積
層型であるときは、Ru下層は積層型磁気層構造物内の
最初の非磁性スペーサフイルムであると考えることもで
きる。なぜならばRu下層は後に堆積されたRuスペー
サフイルムと同一の組成を有するからである。
【0015】Ruは貴金属であるので優れた熱安定性及
び耐蝕性を有する。さらに厚さ 2,000〔Å〕のRuフイ
ルムの機械的硬度を測定したところ38ギガパスカル(G
Pa)であつたが、これは従来使用していたCr下層よ
りも格段的に硬い。このようにRu下層はその結果とし
て得られる磁気記録デイスクの飽和保磁力を増大させる
ばかりでなく、その全体の耐蝕性及び耐久性をも改善す
る。
び耐蝕性を有する。さらに厚さ 2,000〔Å〕のRuフイ
ルムの機械的硬度を測定したところ38ギガパスカル(G
Pa)であつたが、これは従来使用していたCr下層よ
りも格段的に硬い。このようにRu下層はその結果とし
て得られる磁気記録デイスクの飽和保磁力を増大させる
ばかりでなく、その全体の耐蝕性及び耐久性をも改善す
る。
【0016】上述の実施例においては、試料をシリコン
(Si)基板上に形成した場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、ガラス又はAlMg/NiP等の従
来から使用されていた基板を使用しても同様の改善され
た結果を得ることができる。
(Si)基板上に形成した場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、ガラス又はAlMg/NiP等の従
来から使用されていた基板を使用しても同様の改善され
た結果を得ることができる。
【0017】また上述の実施例においては、単層デイス
ク構造内の下層としてルテニウム(Ru)を用いた場合
及び積層型デイスク構造内の非磁性スペーサ層としてル
テニウム(Ru)を用いた場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、レニウム(Re)及びオスミウム
(Os)等の他の金属を用いても同様にコバルト合金デ
イスクの飽和保磁力を向上させることができる。これ
は、これらの金属も六方最密(hcp)構造であり、本
質的に格子がCoPt合金フイルムと整合するからであ
る。従つてReでなる下層及びOsでなる下層又はRe
でなるスペーサフイルム及びOsでなるスペーサフイル
ムはRuと同様のグレイン−グレインエピタキシヤル成
長を示す。またRe及びOsは優れた硬度及び耐久性を
有するので、デイスクの機械的特性を改善する。
ク構造内の下層としてルテニウム(Ru)を用いた場合
及び積層型デイスク構造内の非磁性スペーサ層としてル
テニウム(Ru)を用いた場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、レニウム(Re)及びオスミウム
(Os)等の他の金属を用いても同様にコバルト合金デ
イスクの飽和保磁力を向上させることができる。これ
は、これらの金属も六方最密(hcp)構造であり、本
質的に格子がCoPt合金フイルムと整合するからであ
る。従つてReでなる下層及びOsでなる下層又はRe
でなるスペーサフイルム及びOsでなるスペーサフイル
ムはRuと同様のグレイン−グレインエピタキシヤル成
長を示す。またRe及びOsは優れた硬度及び耐久性を
有するので、デイスクの機械的特性を改善する。
【0018】さらに上述の説明においては下層及び磁気
層の形成についてだけ説明した。すなわち磁気層は長手
磁気記録デイスク用として磁気フイルム及び非磁性スペ
ーサフイルムでなる積層されたフイルムを含むことにつ
いて述べたが、デイスクについての他の周知の特徴やデ
イスクの製造プロセスについては説明しなかつた。例え
ば薄膜コバルト合金デイスクの製造において、本質的に
アモルフアスの、スパツタ堆積された水素化された炭素
フイルム等の保護膜を磁気層上に形成することは知られ
ている。
層の形成についてだけ説明した。すなわち磁気層は長手
磁気記録デイスク用として磁気フイルム及び非磁性スペ
ーサフイルムでなる積層されたフイルムを含むことにつ
いて述べたが、デイスクについての他の周知の特徴やデ
イスクの製造プロセスについては説明しなかつた。例え
ば薄膜コバルト合金デイスクの製造において、本質的に
アモルフアスの、スパツタ堆積された水素化された炭素
フイルム等の保護膜を磁気層上に形成することは知られ
ている。
【0019】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、基板上に
ルテニウム(RU)、レニウム(Re)及びオスミウム
(Os)からなる族から選択された元素を含む非磁性層
を形成し、この非磁性層上に積層型磁気層を形成する。
積層型磁気層は少なくとも2つの、コバルトをベースと
する合金フイルムと、ルテニウム(RU)、レニウム
(Re)及びオスミウム(Os)からなる族から選択さ
れた元素を含む1つの非磁性スペーサフイルムとを含
む。かくしてその結果得られた磁気記録デイスクの飽和
保持力が増大すると共に、その全体の耐蝕性及び耐久性
をも格段的に改善される。
ルテニウム(RU)、レニウム(Re)及びオスミウム
(Os)からなる族から選択された元素を含む非磁性層
を形成し、この非磁性層上に積層型磁気層を形成する。
積層型磁気層は少なくとも2つの、コバルトをベースと
する合金フイルムと、ルテニウム(RU)、レニウム
(Re)及びオスミウム(Os)からなる族から選択さ
れた元素を含む1つの非磁性スペーサフイルムとを含
む。かくしてその結果得られた磁気記録デイスクの飽和
保持力が増大すると共に、その全体の耐蝕性及び耐久性
をも格段的に改善される。
【図1】図1はコバルト合金磁気層及び厚さ2,000
〔Å〕のRu下層を有するデイスクの飽和保磁力
(Hc)を示すヒステリシスループ測定値のグラフであ
る。
〔Å〕のRu下層を有するデイスクの飽和保磁力
(Hc)を示すヒステリシスループ測定値のグラフであ
る。
【図2】図2はコバルト合金磁気層及び厚さ5,000
〔Å〕のRu下層を有するデイスクの飽和保磁力
(Hc)を示すヒステリシスループ測定値のグラフであ
る。
〔Å〕のRu下層を有するデイスクの飽和保磁力
(Hc)を示すヒステリシスループ測定値のグラフであ
る。
【図3】図3はともに厚さ1,800〔Å〕のRu下層
及びCr下層を用いた場合のCoPtCr磁気層の厚さ
の関数としての飽和保磁力を比較したグラフである。
及びCr下層を用いた場合のCoPtCr磁気層の厚さ
の関数としての飽和保磁力を比較したグラフである。
【図4】図4は厚さ2,000〔Å〕のRu下層と厚さ
300〔Å〕のコバルト−白金−クロミウム(CoPt
Cr)磁気層とこのCoPtCr層上に形成された厚さ
250〔Å〕のRu非磁性層とを含む構造物の横断面の
グレイン−グレインエピタキシーにおける結晶構造を示
す透過電子顕微鏡(TEM)による顕微鏡写真である。
300〔Å〕のコバルト−白金−クロミウム(CoPt
Cr)磁気層とこのCoPtCr層上に形成された厚さ
250〔Å〕のRu非磁性層とを含む構造物の横断面の
グレイン−グレインエピタキシーにおける結晶構造を示
す透過電子顕微鏡(TEM)による顕微鏡写真である。
【図5】図5は積層型デイスク構造物内の磁気層の数の
関数としての飽和保磁力を示すグラフであり、厚さ60
〔Å〕のRu非磁性スペーサ層及び厚さ60〔Å〕のC
r非磁性スペーサ層の効果を比較している。
関数としての飽和保磁力を示すグラフであり、厚さ60
〔Å〕のRu非磁性スペーサ層及び厚さ60〔Å〕のC
r非磁性スペーサ層の効果を比較している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チエアンジー・ワン アメリカ合衆国、カリフオルニア州 95119、サン・ジヨウズ、サン・アンセ ルモ・ウエイ 6713番地 (72)発明者 ミン・エム・ヤン アメリカ合衆国、カリフオルニア州 95120、サン・ジヨウズ、マウント・ロ イヤル・ドライブ 6614番地 (56)参考文献 特開 平4−111302(JP,A) 特開 平1−118244(JP,A) 特開 昭59−154635(JP,A) 特開 昭55−18097(JP,A)
Claims (5)
- 【請求項1】長手記録用の磁気記録媒体において、 基板と、 上記基板上に形成され、ルテニウム(Ru)、レニウム
(Re)及びオスミウム(Os)からなる族から選択さ
れた元素を含む、1,800 ないし 2,000〔Å〕の厚さであ
る非磁性層と、 上記非磁性層上に形成され、コバルト−白金をベースと
する合金フイルムを含む磁気層とを具えることを特徴と
する磁気記録媒体。 - 【請求項2】下層である上記非磁性層は本質的にルテニ
ウム(Ru)でなり、ほぼ 2,000〔Å〕未満の厚さを有
することを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】長手記録用の磁気記録媒体において、 基板と、 上記基板上に形成された積層型磁気層とを具え、 上記積層型磁気層はコバルト−白金をベースにした合金
フイルム及び 1,800ないし 2,000〔Å〕の厚さの非磁性
スペーサフイルムを交互に積層した磁気層であり、上記
非磁性スペーサフイルムはルテニウム(Ru)、レニウ
ム(Re)及びオスミウム(Os)からなる族から選択
された元素を含み、上記積層型の磁気層は少なくとも2
つの、上記コバルト−白金をベースとする合金フイルム
及び1つの上記非磁性スペーサフイルムを有することを
特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項4】さらに上記基板及び上記積層型磁気層間に
本質的にルテニウム(Ru)でなる非磁性層を含むこと
を特徴とする請求項3に記載の磁気磁気記録媒体。 - 【請求項5】長手記録用の磁気記録媒体において、 堅固な基板と、 上記基板上に直接形成された本質的にルテニウム(R
u)でなる下層と、 上記基板上に形成された積層型磁気層とを具え、 上記積層型磁気層はコバルト−白金をベースとする合金
フイルム及び非磁性スペーサフイルムを交互に積層した
磁気層であり、上記非磁性スペーサフイルムは1,800な
いし 2,000〔Å〕の厚さの本質的にルテニウム(Ru)
でなり、上記積層型磁気層は少なくとも2つの、上記コ
バルト−白金をベースとする合金フイルム及び1つの上
記非磁性スペーサフイルムを有することを特徴とする磁
気記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US92646892A | 1992-08-07 | 1992-08-07 | |
US07/926468 | 1992-08-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06231958A JPH06231958A (ja) | 1994-08-19 |
JP2559984B2 true JP2559984B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=25453248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5187019A Expired - Lifetime JP2559984B2 (ja) | 1992-08-07 | 1993-06-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2559984B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002045080A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04111302A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Toshiba Corp | 人工格子膜 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5187019A patent/JP2559984B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06231958A (ja) | 1994-08-19 |
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