JPH07115012A - Manufacture of carbon material - Google Patents

Manufacture of carbon material

Info

Publication number
JPH07115012A
JPH07115012A JP5261298A JP26129893A JPH07115012A JP H07115012 A JPH07115012 A JP H07115012A JP 5261298 A JP5261298 A JP 5261298A JP 26129893 A JP26129893 A JP 26129893A JP H07115012 A JPH07115012 A JP H07115012A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
chamber
fullerene
electrode
carbon material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5261298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masafumi Ata
誠文 阿多
Nobuyuki Matsuzawa
伸行 松沢
Yasunori Kijima
靖典 鬼島
Hiroshi Imoto
浩 井本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP5261298A priority Critical patent/JPH07115012A/en
Publication of JPH07115012A publication Critical patent/JPH07115012A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/0036Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
    • H01F1/0045Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use

Abstract

PURPOSE:To make it possible to manufacture metal contained fullerene with high efficiency by using an electrode available from the mixing and sintering of metals with easily graphitized carbon as a positive electrode and arc discharging the electrode inside a vacuum chamber and separating fullerene from the deposits. CONSTITUTION:A hole is bored in the center of a high purity graphite rod 3a and metal containing-carbon powder 3b is put into the hole, thereby producing a positive electrode 3 while the high purity graphite rod is used as a negative electrode. The positive and negative electrode 2 and 3 are installed in a chamber 1. Then, DC current is made to flow between the electrodes 2 and 3 from a DC power source 6 while the air in the chamber is being replaced with an inert gas. Then, arc discharging is produced between the electrodes 2 and 3 where soot called fullerene attaches to an inner wall 1a of the water-colled chamber. The removed soot is put into a quartz tube 8. While the inside the tube is being evacuated into high vacuum, the temperature is increased by using a heating device 9. A substance 10 sublimated from a filler 7 is cooled at the upper part of the quarts tube 8 and deposited. This construction makes it possible to provide metal lanthanum containing fullerene which is thermally stabilized.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、La@C82等(@は内
包の意)に代表される金属内包フラーレンの製造方法に
関し、特に高収率で金属内包フラーレンを生成すること
ができる炭素材料の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a metal-encapsulated fullerene represented by La @ C 82 and the like (@ means "encapsulation"). It relates to a method of manufacturing a material.

【0002】[0002]

【従来の技術】60個、70個、76個、78個、82
個あるいは84個の炭素原子が球状に結合してクラスタ
ー(分子集合体)を構成してなる球状炭素はフラーレン
類と称され、磁性・超電導特性・非線形光学効果・触媒
作用など優れた機能性を有する材料として注目されてい
る。
2. Description of the Related Art 60, 70, 76, 78, 82
Spherical carbons, which consist of carbon atoms or 84 carbon atoms that are spherically bound to form a cluster (molecular assembly), are called fullerenes and have excellent functionality such as magnetism, superconducting properties, nonlinear optical effects, and catalytic action. It is attracting attention as a material that it has.

【0003】例えば、C60は正20面体の頂点を全て切
り落として正5角形を出した「切頭20面体」と呼ばれ
る多面体構造(いわゆる公式サッカーボール型の分子構
造)を有し、この多面体の60個の頂点を全て炭素原子
Cで置換してなるクラスターである。そして、このフラ
ーレンC60にCsとRbをドープすると33Kで超電導
になることが確認されている。また、MBE(分子線エ
ピタキシー)で成膜したフラーレンC60の薄膜(膜厚が
200オングストローム)は、三次非線形光学効果の感
受率が2×10-10 esu と従来の有機非線形光学材料よ
り一桁ほど大きいことも確認されている。
For example, C 60 has a polyhedral structure called a "truncated icosahedron" (so-called official soccer ball type molecular structure) in which all vertices of a regular icosahedron are cut off to form a regular pentagon. It is a cluster in which all 60 vertices are replaced with carbon atoms C. It has been confirmed that when the fullerene C 60 is doped with Cs and Rb, it becomes superconducting at 33K. A thin film of fullerene C 60 (film thickness: 200 Å) formed by MBE (Molecular Beam Epitaxy) has a susceptibility of the third-order nonlinear optical effect of 2 × 10 -10 esu, which is an order of magnitude higher than that of a conventional organic nonlinear optical material. It is also confirmed to be large.

【0004】一方、このようなフラーレン類を構成する
多面体内にスカンジウムSc、イットリウムY、あるい
はランタンLaなどの金属が配置された金属内包フラー
レンも、その特異な分子構造、電子構造によって、既存
の物質にはない新しい優れた機能性が期待されている。
On the other hand, metal-encapsulating fullerenes in which a metal such as scandium Sc, yttrium Y, or lanthanum La is arranged in the polyhedra that compose such fullerenes also exist in existing materials due to their unique molecular and electronic structures. It is expected to have new and superior functionality not found in the.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この種の金属内包フラ
ーレンは、レーザを用いて金属と炭素を蒸発させる過程
製造したり、炭素およびグラファイトと金属とを混合
し、ヘリウム等の不活性ガス中でアーク放電を行うこと
により得られることは知られている(J.Phys.C
hem.Vol.96 7159頁 1992年発行)が、
このような金属内包フラーレンの製造方法では、その収
率は極めて低く、質量分析でその存在が確認される程度
に過ぎなかった。
This type of metal-encapsulated fullerene is produced in the process of vaporizing metal and carbon by using a laser, or by mixing carbon and graphite with the metal, in an inert gas such as helium. It is known to be obtained by performing an arc discharge (J. Phys. C.
hem. Vol.96, page 7159, issued in 1992),
In such a method for producing a metal-encapsulated fullerene, the yield was extremely low, and its existence was confirmed only by mass spectrometry.

【0006】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、金属内包フラーレンを高収
率で製造することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and an object thereof is to produce a metal-encapsulated fullerene in a high yield.

【0007】[0007]

【発明の概要】上記目的を達成するために、本発明の炭
素材料の製造方法は、金属若しくは金属化合物を単体
で、またはこれらと易黒鉛化炭素とを混合して電極グラ
ファイトに内填し、これを焼成したのち、得られた電極
を正極として減圧チャンバー内でアーク放電を行い、前
記チャンバー内壁への堆積物から目的とする炭素材料を
分離することを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, a method for producing a carbon material of the present invention comprises a metal or a metal compound as a simple substance, or a mixture thereof with graphitizable carbon, which is internally filled in an electrode graphite, After firing this, an arc discharge is performed in the decompression chamber using the obtained electrode as a positive electrode to separate the target carbon material from the deposit on the inner wall of the chamber.

【0008】単体で、または易黒鉛化炭素と混合して用
いられる金属または金属化合物としては、バナジウム,
クロム,マンガン,鉄,ニッケルなどの遷移金属(ラン
タン,セリウムなどのランタノイド系金属を含む)やこ
れらの酸化物などを挙げることができる。また、易黒鉛
化炭素としてはペリレンなどの芳香族化合物を700〜
1500℃の高温で焼成したピッチ系炭素が用いられ
る。金属または金属化合物と易黒鉛化炭素とは任意の混
合比で混合されるが、金属または金属化合物は易黒鉛化
炭素に対して数重量%〜10重量%の混合比で混合する
ことが好ましいと言える。
The metal or metal compound used alone or mixed with graphitizable carbon includes vanadium,
Examples thereof include transition metals such as chromium, manganese, iron and nickel (including lanthanoid metals such as lanthanum and cerium) and oxides thereof. Further, as the graphitizable carbon, an aromatic compound such as perylene is 700 to
Pitch-based carbon fired at a high temperature of 1500 ° C. is used. The metal or metal compound and the graphitizable carbon are mixed at an arbitrary mixing ratio, but the metal or the metal compound is preferably mixed in a mixing ratio of several wt% to 10 wt% with respect to the graphitizable carbon. I can say.

【0009】このようにして混合された金属含有炭素粉
または金属若しくは金属化合物の単体を、高純度グラフ
ァイトロッドに穿設された穴に圧縮しながら詰め込み、
そして、穿設された穴に詰め込まれた易黒鉛化炭素と金
属あるいは金属化合物との混合物をカーバイド状態とす
るために、グラファイトロッドを高真空雰囲気中で80
0〜1500℃まで昇温し、この状態を数時間〜数十時
間保持する。このグラファイトロッドを直流電源の正極
に接続する一方で、負極に高純度グラファイトロッドを
用いてアーク放電を行う。なお、負極の高純度グラファ
イトロッドに加工を施す必要はない。
The thus-mixed metal-containing carbon powder or a simple substance of a metal or a metal compound is packed into a hole formed in a high-purity graphite rod while being compressed,
Then, in order to make the mixture of the graphitizable carbon and the metal or the metal compound packed in the drilled hole into a carbide state, the graphite rod is heated in a high vacuum atmosphere at 80
The temperature is raised to 0 to 1500 ° C., and this state is maintained for several hours to several tens of hours. While this graphite rod is connected to the positive electrode of a DC power supply, arc discharge is performed using a high-purity graphite rod for the negative electrode. It is not necessary to process the high-purity graphite rod of the negative electrode.

【0010】このような正負2つの電極を水冷チャンバ
ー内に対向して設け、水冷チャンバー内をヘリウムガス
などの不活性ガスで置換し、数10〜200Torr、
好ましくは80〜150Torrに減圧した状態でアー
ク放電を行う。そうすると、金属内包フラーレンと空の
フラーレン類は、水冷されたチャンバーの内壁にフラー
レンブラックと呼ばれるすすの堆積物とともに付着する
ことになる。
Such two positive and negative electrodes are provided in the water-cooled chamber so as to face each other, and the inside of the water-cooled chamber is replaced with an inert gas such as helium gas to obtain several tens to 200 Torr.
Arc discharge is preferably performed under a reduced pressure of 80 to 150 Torr. Then, the metal-encapsulated fullerenes and the empty fullerenes adhere to the inner wall of the water-cooled chamber together with a soot deposit called fullerene black.

【0011】ここで、水冷チャンバー内壁への堆積物か
ら目的とする炭素材料、つまり金属内包フラーレンと空
のフラーレン類を分離するには、前記チャンバー内壁へ
の堆積物を容器に封入して高真空雰囲気中で加熱し、前
記容器の内壁に昇華させて分離することが好ましい。ま
た、トルエン、二硫化炭素、1−メチルナフタレン等の
極性の低い溶媒で抽出することも可能である。
Here, in order to separate the target carbon material, that is, the metal-encapsulated fullerenes and the empty fullerenes from the deposit on the inner wall of the water-cooled chamber, the deposit on the inner wall of the chamber is sealed in a container to obtain a high vacuum. It is preferable to heat in an atmosphere and sublimate on the inner wall of the container for separation. It is also possible to extract with a solvent having low polarity such as toluene, carbon disulfide, 1-methylnaphthalene.

【0012】すなわち、水冷チャンバーの内壁に付着し
た堆積物を石英管などの容器に充填し、高真空で脱気し
ながら500〜600℃に昇温する。これにより熱的に
安定な金属内包フラーレンと空のフラーレン類のみが昇
華し、石英管の冷却部分に堆積することとなる。
That is, the deposit attached to the inner wall of the water-cooled chamber is filled in a container such as a quartz tube and the temperature is raised to 500 to 600 ° C. while degassing under high vacuum. As a result, only the thermally stable metal-containing fullerenes and empty fullerenes are sublimated and deposited on the cooled portion of the quartz tube.

【0013】金属としてランタンLaを用い、上述した
手順で金属内包フラーレンを生成し、石英管の内壁に昇
華して堆積した物質をTOFMASと呼ばれる質量分析
法で解析した。その結果を図2に示すが、目的とする金
属内包フラーレンLa@C82は1123m/zの部分に
極めて強いピークとして現れ、その他に得られたフラー
レン類C60(720m/z),C70(840m/z),
76(912m/z),C78(936m/z),C
82(984m/z),C84(1008m/z)に比べて
ピークの面積強度が約15%にも達しており、極めて高
収率で金属内包フラーレンが製造されたことが理解でき
る。
Using lanthanum La as the metal, the metal-encapsulated fullerenes were produced by the procedure described above, and the substance sublimated and deposited on the inner wall of the quartz tube was analyzed by a mass spectrometry method called TOFMAS. The results are shown in FIG. 2. The target metal-encapsulated fullerene La @ C 82 appears as an extremely strong peak at the portion of 1123 m / z, and other fullerenes C 60 (720 m / z), C 70 ( 840 m / z),
C 76 (912 m / z), C 78 (936 m / z), C
The peak area intensity reaches about 15% as compared with 82 (984 m / z) and C 84 (1008 m / z), and it can be understood that the metal-encapsulated fullerenes were produced in an extremely high yield.

【0014】これは、単に炭素と金属との混合物を固め
て焼成しただけでは導電性が低く、金属内包フラーレン
の生成にとって良好なアーク放電による炭素および金属
の蒸発は得られない。しかしながら、本発明の製造方法
によれば、正極を構成するグラファイトロッドの外側が
金属と同程度の導電性を有するグラファイト構造である
ため、アーク放電を行うと、金属と易黒鉛化炭素との混
合物はグラファイトほど導電性が高くないものの、外周
部のグラファイトのアーク放電によって蒸発が促進され
る。そのため、グラファイトに充填された炭素金属混合
物も良好なアーク放電による蒸発条件となり、これによ
って金属内包フラーレンが高収率で生成されるものと考
えられる。
This is because conductivity is low only by solidifying and firing a mixture of carbon and metal, and vaporization of carbon and metal by arc discharge which is good for production of metal-containing fullerenes cannot be obtained. However, according to the manufacturing method of the present invention, since the outside of the graphite rod that constitutes the positive electrode has a graphite structure having conductivity similar to that of metal, when arc discharge is performed, a mixture of metal and graphitizable carbon is obtained. Although graphite is not as conductive as graphite, evaporation is promoted by arc discharge of graphite in the outer peripheral portion. Therefore, it is considered that the carbon-metal mixture filled in the graphite also has a favorable evaporation condition by the arc discharge, and thereby the metal-encapsulated fullerene is produced in a high yield.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1(A)(B)は本発明の一実施例に係る炭
素材料の製造装置を示す構成図、図2は同実施例の炭素
材料の製造装置により得られた堆積物の質量分析結果を
示すグラフである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 (A) and 1 (B) are configuration diagrams showing a carbon material manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a mass spectrometry result of a deposit obtained by the carbon material manufacturing apparatus of the embodiment. It is a graph shown.

【0016】まず図1(A)に示すように、本実施例に
係る金属内包フラーレンの製造装置においては、SUS
製チャンバー1内には正負2つの電極2,3が対向して
配設されており、このチャンバー1にはヘリウムなどの
不活性ガスを供給する系4と、チャンバー内を減圧する
ための真空ポンプが接続された系5とが設けられてい
る。また、図示はしないがチャンバー1はウォータジャ
ケットなどによって冷却されるようになっている。
First, as shown in FIG. 1A, in the apparatus for producing a metal-containing fullerene according to this embodiment, SUS is used.
Two positive and negative electrodes 2 and 3 are arranged inside the manufacturing chamber 1 so as to face each other. A system 4 for supplying an inert gas such as helium to the chamber 1 and a vacuum pump for reducing the pressure in the chamber. And a system 5 to which is connected. Although not shown, the chamber 1 is cooled by a water jacket or the like.

【0017】SUS製チャンバー1内に配設された2つ
の電極2,3のうち、負極2に用いられているのは外径
が5〜10mmの高純度グラファイトロッドである。本
実施例では外径が10mm、純度が99.9999%の
高純度グラファイトロッドを負極に用いた。
Of the two electrodes 2 and 3 arranged in the SUS chamber 1, the negative electrode 2 is a high-purity graphite rod having an outer diameter of 5 to 10 mm. In this example, a high-purity graphite rod having an outer diameter of 10 mm and a purity of 99.9999% was used as the negative electrode.

【0018】一方、正極3として用いられているのは、
高純度グラファイトロッド3aの中心に穴を穿設し、こ
の穴に金属含有炭素粉末3bを詰め込んだ電極である。
すなわち、高純度グラファイトロッド3aの中心にドリ
ル等を用いて内径が7〜8mmの穴を形成し、この穴に
易黒鉛化炭素と金属あるいは金属化合物との混合物3b
を金属棒等を用いて圧縮しながら詰め込む。金属あるい
は金属化合物と混合する易黒鉛化炭素はピッチ系炭素で
あり、これを700〜1500℃の高温で焼成した粉末
を用いる。また、易黒鉛化炭素と金属あるいは金属化合
物との混合比は特に限定されないが、金属あるいは金属
化合物は易黒鉛化炭素に対して好ましくは数重量%〜1
0重量%である。そして、穿設された穴に詰め込まれた
易黒鉛化炭素と金属あるいは金属化合物との混合物3b
をカーバイド状態とするために、グラファイトロッド3
を高真空雰囲気中で800〜1500℃まで昇温し、こ
の状態を数時間〜数十時間保持する。
On the other hand, what is used as the positive electrode 3 is
A high-purity graphite rod 3a is provided with a hole at the center thereof, and the hole is filled with metal-containing carbon powder 3b.
That is, a hole having an inner diameter of 7 to 8 mm is formed in the center of the high-purity graphite rod 3a using a drill or the like, and a mixture 3b of easily graphitizable carbon and a metal or a metal compound is formed in this hole.
Are compressed while using a metal rod or the like. Graphitizable carbon mixed with a metal or a metal compound is pitch-based carbon, and powder obtained by firing this at a high temperature of 700 to 1500 ° C. is used. The mixing ratio of the graphitizable carbon and the metal or the metal compound is not particularly limited, but the metal or the metal compound is preferably several wt% to 1 with respect to the graphitizable carbon.
It is 0% by weight. Then, the mixture 3b of the graphitizable carbon and the metal or metal compound packed in the drilled holes
Graphite rod 3 to make the carbide
Is heated to 800 to 1500 ° C. in a high vacuum atmosphere, and this state is maintained for several hours to several tens of hours.

【0019】本実施例では、外径が10mm、純度が9
9.9999%の高純度グラファイトロッド3aの中心
に、内径が7〜8mmの穴を穿設し、この穴にペリレン
を920℃で焼成した炭素粉と金属ランタンとを5:1
の混合比で混合した混合物3bを圧縮しながら詰め込ん
だ。そして、このグラファイトロッド3を石英管に入
れ、内部を高真空にしたのち、900℃×3時間加熱し
て炭素と金属との混合物をカーバイド状態とし、これを
正極に用いた。
In this embodiment, the outer diameter is 10 mm and the purity is 9
A hole having an inner diameter of 7 to 8 mm was bored in the center of the 9.9999% high-purity graphite rod 3a, and carbon powder obtained by firing perylene at 920 ° C. and metal lanthanum were added in a ratio of 5: 1.
The mixture 3b mixed at the mixing ratio of was packed while being compressed. Then, this graphite rod 3 was put in a quartz tube, the inside was evacuated to a high vacuum, and then heated at 900 ° C. for 3 hours to make a mixture of carbon and metal into a carbide state, which was used as a positive electrode.

【0020】このようにして作製した正負の電極2,3
をチャンバー1内に配設したのち、チャンバー内部の空
気を不活性ガスで置換しながら内部を数十〜200To
rr、好ましくは80〜150Torrに減圧する。本
実施例では不活性ガスとしてヘリウムガスを用い、真空
ポンプによる数回のポンピングとヘリウムガスのバック
フィリングを繰り返すことにより、チャンバー内を10
0Torrの圧力で密封した。2つの電極2,3間でア
ーク放電を行うために、両電極間には直流電源6が接続
されており、本実施例の場合、約100Aの電流を流し
た。
Positive and negative electrodes 2 and 3 produced in this way
After arranging the inside of the chamber 1, the inside of the chamber is replaced with an inert gas, and the inside is tens to 200 To
The pressure is reduced to rr, preferably 80 to 150 Torr. In the present embodiment, helium gas is used as the inert gas, and pumping by a vacuum pump and backfilling of the helium gas are repeated several times to make the inside of the chamber 10
Sealed at a pressure of 0 Torr. In order to perform arc discharge between the two electrodes 2 and 3, a DC power supply 6 is connected between the two electrodes, and in the case of this embodiment, a current of about 100 A was passed.

【0021】そうすると、両電極2,3間にアーク放電
が生じ、これにともなって水冷されたチャンバー1の内
壁1aにフラーレンブラックと呼ばれるすすが付着す
る。このチャンバー内壁1aへの堆積物には、既に空の
フラーレンと金属ランタンを内包したフラーレンが含ま
れているが、金属ランタンを内包したフラーレンの収率
を高めるために、さらに以下の処理を行う。
Then, an arc discharge is generated between the electrodes 2 and 3, and soot, so-called fullerene black, adheres to the inner wall 1a of the water-cooled chamber 1. The deposit on the chamber inner wall 1a already contains empty fullerene and fullerene containing metal lanthanum, but the following treatment is further performed to increase the yield of fullerene containing metal lanthanum.

【0022】すなわち、チャンバー内壁1aに付着した
すす7を取り出して、図1(B)に示すように石英管8
に充填し、石英管8内部を高真空に脱気しながら、電気
炉などの加熱装置9を用いて500〜600℃に昇温す
る。石英管8の上部は冷却されるように構成されてお
り、充填物7から昇華した物質10が石英管の上部で冷
却されて堆積する。
That is, the soot 7 adhering to the inner wall 1a of the chamber is taken out, and a quartz tube 8 is provided as shown in FIG. 1 (B).
And the inside of the quartz tube 8 is deaerated to a high vacuum, and the temperature is raised to 500 to 600 ° C. by using a heating device 9 such as an electric furnace. The upper part of the quartz tube 8 is configured to be cooled, and the substance 10 sublimated from the filling 7 is cooled and deposited on the upper part of the quartz tube.

【0023】この昇華処理により、熱的に安定な金属ラ
ンタン内包フラーレンが、その他に熱的に安定なフラー
レン類C60,C70,C76,C78,C82,C84とともに得
られた。このようにして得られた物質中に含まれる金属
ランタン内包フラーレンの収率を確認するために、TO
FMAS(Time of Fight Mass Spectroscopy)と呼ばれ
る質量分析法で昇華堆積物10を解析し、図2に示す結
果を得た。
By this sublimation treatment, thermally stable metal lanthanum-containing fullerenes were obtained together with other thermally stable fullerenes C 60 , C 70 , C 76 , C 78 , C 82 , and C 84 . In order to confirm the yield of the metal lanthanum-containing fullerene contained in the substance thus obtained, the TO
The sublimation deposit 10 was analyzed by a mass spectrometry called FMAS (Time of Fight Mass Spectroscopy), and the results shown in FIG. 2 were obtained.

【0024】図2に示す結果からも明らかなように、目
的とする金属ランタン内包フラーレンLa@C82は、1
123m/zの部分に極めて強いピークとして現れてい
る。しかも、その他に得られたフラーレン類C60(72
0m/z),C70(840m/z),C76(912m/
z),C78(936m/z),C82(984m/z),
84(1008m/z)のピークの面積強度に対する金
属ランタン内包フラーレンのピークの面積強度を比較す
ると、これが14.7%にも達しており、極めて高収率
で金属内包フラーレンが製造されたことが確認できた。
As is clear from the results shown in FIG. 2, the target metal lanthanum-containing fullerene La @ C 82 is 1
It appears as an extremely strong peak at 123 m / z. Moreover, other fullerenes C 60 (72
0 m / z), C 70 (840 m / z), C 76 (912 m / z)
z), C 78 (936 m / z), C 82 (984 m / z),
Comparing the peak area intensity of the metal lanthanum-encapsulated fullerene with the peak area intensity of C 84 (1008 m / z), this reached 14.7%, indicating that the metal-encapsulated fullerene was produced in an extremely high yield. Was confirmed.

【0025】また、このようにして得られた物質の電子
スピン共鳴スペクトルを測定したところ、図3に示すよ
うにランタン核スピンI=7/2と不対電子スピンとの
フェルミコンタクトによる8本線が観察された。
The electron spin resonance spectrum of the substance thus obtained was measured. As a result, as shown in FIG. 3, the eight lines due to the Fermi contact between the lanthanum nuclear spin I = 7/2 and the unpaired electron spin were observed. Was observed.

【0026】なお、以上説明した実施例は、本発明の理
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上記の実施例に開示された各要素は、本発明の技術
的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨で
ある。
It should be noted that the embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present invention, and not for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above-described embodiments is intended to include all design changes and equivalents within the technical scope of the present invention.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、金属
内包フラーレンを高収率で製造することができ、磁性材
料,超電導材料,非線形光学材料,触媒など広い分野へ
の応用が期待できる。
As described above, according to the present invention, metal-encapsulated fullerenes can be produced in a high yield, and application to a wide range of fields such as magnetic materials, superconducting materials, nonlinear optical materials, and catalysts can be expected. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)(B)は本発明の一実施例に係る炭素材
料の製造装置を示す構成図である。
1A and 1B are configuration diagrams showing a carbon material manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施例の炭素材料の製造装置により得られた
堆積物の質量分析結果を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing a mass spectrometry result of a deposit obtained by the carbon material manufacturing apparatus of the example.

【図3】同実施例の炭素材料の製造装置により得られた
堆積物の電子スピン共鳴スペクトルである。
FIG. 3 is an electron spin resonance spectrum of a deposit obtained by the apparatus for producing a carbon material of the same example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…チャンバー 2…負極電極(グラファイトロッド) 3…正極電極 3a…グラファイトロッド 3b…金属含有炭素粉 6…直流電源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Chamber 2 ... Negative electrode (graphite rod) 3 ... Positive electrode 3a ... Graphite rod 3b ... Metal-containing carbon powder 6 ... DC power supply

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井本 浩 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Hiroshi Imoto 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】金属若しくは金属化合物を単体で、または
これらと易黒鉛化炭素とを混合して電極グラファイトに
内填し、これを焼成したのち、得られた電極を正極とし
て減圧チャンバー内でアーク放電を行い、前記チャンバ
ー内壁への堆積物から目的とする炭素材料を分離するこ
とを特徴とする炭素材料の製造方法。
1. A metal or a metal compound alone, or a mixture thereof with graphitizable carbon is filled in an electrode graphite and baked, and then the obtained electrode is used as a positive electrode in an arc in a decompression chamber. A method for producing a carbon material, which comprises discharging an intended carbon material from a deposit on the inner wall of the chamber.
【請求項2】前記チャンバー内壁への堆積物を容器に封
入して高真空雰囲気中で加熱し、前記容器の内壁に昇華
させて目的とする炭素材料を分離することを特徴とする
請求項1に記載の炭素材料の製造方法。
2. The deposit on the inner wall of the chamber is sealed in a container and heated in a high vacuum atmosphere to sublimate on the inner wall of the container to separate a target carbon material. The method for producing a carbon material according to 1.
【請求項3】前記アーク放電を行う際の負極には、高純
度グラファイトを用いることを特徴とする請求項1また
は2に記載の炭素材料の製造方法。
3. The method for producing a carbon material according to claim 1, wherein high-purity graphite is used for the negative electrode during the arc discharge.
【請求項4】前記目的とする炭素材料は金属内包フラー
レンであることを特徴とする請求項1から3の何れかに
記載の炭素材料の製造方法。
4. The method for producing a carbon material according to claim 1, wherein the target carbon material is a metal-encapsulated fullerene.
JP5261298A 1993-10-19 1993-10-19 Manufacture of carbon material Pending JPH07115012A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5261298A JPH07115012A (en) 1993-10-19 1993-10-19 Manufacture of carbon material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5261298A JPH07115012A (en) 1993-10-19 1993-10-19 Manufacture of carbon material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07115012A true JPH07115012A (en) 1995-05-02

Family

ID=17359859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5261298A Pending JPH07115012A (en) 1993-10-19 1993-10-19 Manufacture of carbon material

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07115012A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001261317A (en) * 2000-01-11 2001-09-26 Toyo Tanso Kk Carbon material for producing metal-including fullerene in high yield
JP2003054922A (en) * 2001-08-13 2003-02-26 Sony Corp Structure including carbon-coated catalyst nanoparticle, method of making such structure, and method of producing carbon nanostructure therefrom
JP2012184128A (en) * 2011-03-04 2012-09-27 Japan Atomic Energy Agency Method for producing carbon nanocapsule precursor including metal carbide

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001261317A (en) * 2000-01-11 2001-09-26 Toyo Tanso Kk Carbon material for producing metal-including fullerene in high yield
JP2003054922A (en) * 2001-08-13 2003-02-26 Sony Corp Structure including carbon-coated catalyst nanoparticle, method of making such structure, and method of producing carbon nanostructure therefrom
JP2012184128A (en) * 2011-03-04 2012-09-27 Japan Atomic Energy Agency Method for producing carbon nanocapsule precursor including metal carbide

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3825336B2 (en) Nanocarbon production method and nanocarbon production apparatus
JP3606232B2 (en) Carbon structure manufacturing apparatus and manufacturing method
US5424054A (en) Carbon fibers and method for their production
CN100556801C (en) The preparation method of micron porous carbon microsphere
WO2002064868A1 (en) Gas-phase process for purifying single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
JP2546511B2 (en) Method for synthesizing fullerene and carbon nanotube
CN102482096A (en) Multi-layered carbon nanoparticles of the fulleroid type
Kwo et al. Field emission characteristics of carbon nanotube emitters synthesized by arc discharge
JPH07115012A (en) Manufacture of carbon material
JP3508247B2 (en) Manufacturing method of carbon tube
JPH09309711A (en) Carbon cluster, raw material for producing the same and production of the same carbon cluster
JP2000215786A (en) Electron emission element and its manufacture
JP2003034515A (en) Method for manufacturing double-layer carbon nanotube
JP4339870B2 (en) Nanocarbon production method and nanocarbon production apparatus
JP2644677B2 (en) Method and apparatus for producing fullerenes
JPH05201715A (en) Metal containing carbon cluster and production thereof
JP3016275B2 (en) Fullerene synthesis equipment
US20040057893A1 (en) Carbon material for producing metal-including fullerene in high yield
JP2004210555A (en) Manufacturing method for carbon nanotube
KR20190017574A (en) Method for manufacturing rod-like carbon-germanium composite and rod-like carbon-germanium composite
JP4657474B2 (en) Raw material for carbon cluster production
JPH11139821A (en) Production of multicomponent nanotube
JP3702887B2 (en) Carbon tube manufacturing method
CN100577560C (en) Carbon nanotube and its manufacture method and the equipment of making carbon nanotube
JP3466691B2 (en) Raw material for carbon cluster production