JPH07113857A

JPH07113857A - 測定装置

Info

Publication number: JPH07113857A
Application number: JP5293283A
Authority: JP
Inventors: Toru Tsuno; 徹津野; Kiyoaki Koyama; 清明小山; Masahiro Ishibashi; 昌宏石橋; Shigeru Numazawa; 茂沼沢; Hideo Doi; 英夫土井; Kenji Uda; 憲司宇田; Muneo Ishibachi; 宗男石鉢
Original assignee: Yokogawa Electric Corp
Current assignee: Yokogawa Electric Corp
Priority date: 1993-08-24
Filing date: 1993-11-24
Publication date: 1995-05-02
Anticipated expiration: 2015-09-04
Also published as: JP3083033B2

Abstract

(57)【要約】【目的】測定時に周波数特性がよい、自動校正を行う
測定装置を実現することを目的にする。【構成】被測定対象からの波形信号の測定を行う測定
装置において、波形信号を発生する信号発生手段と、被
測定対象からの信号を入力する信号経路と接地電位点と
の間に設けられる第１の可変容量ダイオードと、被測定
対象からの信号を入力する信号経路と接地電位点との間
に設けられる第２の可変容量ダイオードと、校正時に信
号発生手段からの波形信号を信号経路を介して測定し、
測定結果を基に第１の可変容量ダイオードと第２の可変
容量ダイオードとに所望の逆バイアス電圧を与える逆バ
イアス手段と、を有し、測定時に被測定対象からの波形
信号を信号経路に入力するようにしたことを特徴とする
装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、被測定対象からの波形
信号の測定を行う測定装置に関し、特に配線などの浮遊
容量を主とする入力容量に起因する周波数特性の悪化を
自動的に校正する機能を備えた測定装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、オシロスコープを用いて被測定対
象（以下ＤＵＴと略す）を測定する場合、プローブをＤ
ＵＴに接続し、プローブに方形波信号を取り込ませ、プ
ローブに設けられたトリマコンデンサを調整することに
より、プローブの周波数特性の校正を行っていた。ここ
で、ＤＵＴを測定する信号線の周波数特性の校正が必要
となる。ピンの周波数特性の校正は、測定装置のトリマ
コンデンサを手動で調整して行われる。しかしながら、
手動にて周波数特性を校正することは手間が大変である
上に個人差が生じて正確な測定が行えないという問題点
があった。この問題を解決する装置は、実開平２−１４
０６９号公報，実開平２−６７２８３号公報に示されて
いる。しかしながら、これらの装置は、１つの可変容量
ダイオードにより、容量を変化させているが、測定時に
ＤＵＴから出力される信号の電圧の変化により、可変容
量ダイオードの容量が変化して、周波数特性が悪くなっ
てしまうという問題点があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、測定
時に周波数特性がよい、自動校正を行う測定装置を実現
することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、被測定対象か
らの波形信号の測定を行う測定装置において、波形信号
を発生する信号発生手段と、前記被測定対象からの信号
を入力する信号経路と接地電位点との間に設けられる第
１の可変容量ダイオードと、前記被測定対象からの信号
を入力する信号経路と接地電位点との間に設けられる第
２の可変容量ダイオードと、校正時に信号発生手段から
の波形信号を信号経路を介して測定し、測定結果を基に
前記第１の可変容量ダイオードと前記第２の可変容量ダ
イオードとに所望の逆バイアス電圧を与える逆バイアス
手段と、を有し、測定時に被測定対象からの波形信号を
信号経路に入力するようにしたことを特徴とするもので
ある。

【０００５】また、逆バイアス手段は、異なるタイミン
グにより波形を測定し、測定した波形の振幅の差によ
り、第１の可変容量ダイオードと第２の可変容量ダイオ
ードに与える逆バイアス電圧を変化させることを特徴と
するものである。

【０００６】

【作用】このような本発明では、校正時に逆バイアス手
段により、信号発生手段からの波形を信号経路を介して
測定し、測定結果に基づいて第１と第２の可変容量ダイ
オードとに逆バイアス電圧を与える。第１と第２の可変
容量ダイオードは、逆バイアス手段により与えられる電
圧値の変化により容量を変化させる。また、逆バイアス
手段は、異なるタイミングにより測定した波形の振幅の
差より、第１と第２の可変容量ダイオードに与える逆バ
イアス電圧を変化させる。

【０００７】

【実施例】以下図面を用いて本発明を説明する。図１は
本発明の一実施例を示した構成図である。図において、
１は被測定対象（以下ＤＵＴと略す）である。２は波形
を発生する波形発生部、Ｒ１は第１の抵抗で、一端にＤ
ＵＴ１あるいは波形発生部２からの波形信号が入力され
る。そして、ＤＵＴ１の測定を行う場合はスイッチＳＷ
が開放されている。また、周波数特性の校正を行う場合
は、ＤＵＴ１が外されており、スイッチＳＷが接続され
波形発生部２が抵抗Ｒ１に接続される。Ｃ１はコンデン
サで、抵抗Ｒ１に並列に接続される。

【０００８】Ｄ１は第１の可変容量ダイオードで、カソ
ードがコンデンサＣ２を介して接地電位点に接続され、
アノードが抵抗Ｒ１の他端に接続されている。そして、
コンデンサＣ２はカソードと接地電位点との間に発生し
た電流の交流成分を接地電位点に流している。Ｄ２は第
２の可変容量ダイオードで、アノードがコンデンサＣ３
を介して接地電位点に接続され、カソードが抵抗Ｒ１の
他端に接続されている。そして、コンデンサＣ３はアノ
ードと接地電位点との間に発生した電流の交流成分を接
地電位点に流している。Ｒ２は第２の抵抗で、一端が抵
抗Ｒ１の他端に接続され、他端が接地電位点に接続され
ている。３はアンプで、一端が抵抗Ｒ１に接続され、抵
抗Ｒ１からの波形を増幅する。

【０００９】４は波形測定部で、アンプ３の他端に接続
され、抵抗Ｒ１とアンプ３とを介した波形を測定する。
５は演算手段であるＣＰＵで、波形測定部４による測定
結果を基に周波数特性を補償するのに最適な可変容量ダ
イオードＤ１，Ｄ２に与える逆バイアス値を求める。６
は記憶部であるメモリで、ＣＰＵ５が求めた逆バイアス
値を記憶する。７は電圧供給部で、ＣＰＵ５が求めた逆
バイアス値に基づいて、可変容量ダイオードＤ１のカソ
ードに正の電圧を与え、可変容量ダイオードＤ２のアノ
ードに負の電圧を与える。

【００１０】電圧供給部７において、７１はＤ／Ａ変換
部で、ＣＰＵ５で求めた逆バイアス値を電圧に変換す
る。ここで、Ｄ／Ａ変換部７１は０〜５Ｖまで出力でき
るとする。７２はオペアンプで、Ｄ／Ａ変換部７１から
の電圧とオフセット電圧（ここでは１０Ｖとする）とに
より加算を行い、可変容量ダイオードＤ２のアノードに
負の電圧を与える。７３は反転アンプで、オペアンプ７
２からの出力を反転させて正の電圧を可変容量ダイオー
ドＤ１のカソードに与える。ここで、逆バイアス手段
は、波形測定部４とＣＰＵ５と電圧供給部７とで構成さ
れる。

【００１１】例えば、液晶ディスプレイのドライバを測
定する装置においては、スイッチＳＷ，抵抗Ｒ１，Ｒ
２，コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，可変容量ダイオード
Ｄ１，Ｄ２，アンプ３，電圧供給部７を１つのピンエレ
クトロニクスカードとして有している。そして、ピンエ
レクトロニクスカードは液晶ディスプレイのドライバの
ピンに対して一つずつ設けらている。

【００１２】このような装置の周波数特性の自動校正の
動作を以下で説明する。ＤＵＴ１が外された状態で、ス
イッチＳＷを接続する。波形発生部２が方形波信号を出
力する。そして、波形測定部４が抵抗Ｒ１とアンプ３を
通過した方形波信号を測定する。ＣＰＵ５が測定結果を
基に所望の周波数特性が得られる可変容量ダイオードＤ
１，Ｄ２の逆バイアス値を求め、Ｄ／Ａ変換部７１に逆
バイアス値に基づいたデジタル値を送る。また、メモリ
６に逆バイアス値を記憶させる。Ｄ／Ａ変換部７１は、
デジタル値を電圧値にする。そして、オペアンプ７２
は、Ｄ／Ａ変換部７１からの電圧とオフセット電圧との
加算を行う。ここでは、−１０〜−１５Ｖの出力電圧が
得られる。この電圧を可変容量ダイオードＤ２のアノー
ドに与える。反転アンプ７３によりオペアンプ７２の出
力電圧を反転させて、＋１０〜＋１５Ｖの電圧を可変容
量ダイオードＤ１のカソードに与える。可変容量ダイオ
ードＤ１，Ｄ２はそれぞれ逆バイアス電圧を受けて、容
量を変化させる。以上の動作を繰り返し、所望の周波数
特性を得る。そして、次回、周波数特性の校正を行うと
きは、メモリ６から所望の周波数特性が得られるバイア
ス値で校正を行う。そして、校正が終了したら、スイッ
チＳＷを開放し、ＤＵＴ１を接続して、ＤＵＴ１から出
力される波形の測定を行う。

【００１３】次に測定時における可変容量ダイオードＤ
１，Ｄ２の動作を説明する。図２は測定時における可変
容量ダイオードＤ１，Ｄ２の動作を説明する図である。
例えば、可変容量ダイオードＤ１のカソードに＋１０Ｖ
が与えられ、可変容量ダイオードＤ２に−１０Ｖが与え
られて、周波数特性が校正されたとする。そして、直流
重畳波形が抵抗Ｒ１に入力され、波形を増幅するアンプ
に入力される前の減衰した波形を波形Ａ，Ｂとする。こ
こで、図３に可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２の逆バイア
ス電圧−容量特性を示す。

【００１４】波形が入力されていないとき、可変容量ダ
イオードＤ１，Ｄ２はどちらとも１０Ｖの逆バイアス電
圧がかかっているので、容量は図３より１７ｐＦとな
る。合計すると容量は３４ｐＦとなる。波形が入力され
波形Ａとなったとき、波形Ａが２Ｖのときの可変容量ダ
イオードＤ１の容量は、逆バイアス電圧が８Ｖであるの
で、図３より２０ｐＦとなる。そして、可変容量ダイオ
ードＤ２の容量は、逆バイアス電圧が１２Ｖであるの
で、図３より１５ｐＦとなる。可変容量ダイオードＤ
１，Ｄ２の容量の合計は３５ｐＦとなるので、合計とし
てはほとんど容量は変化しない。従って、直流重畳波形
が入力されても、周波数特性は悪くならず、波形Ａ，Ｂ
の実線のように周波数特性のよい波形が得られる。

【００１５】しかし、可変容量ダイオードＤ２だけで周
波数特性を調整した場合は、波形Ａ，Ｂは破線のように
なってしまう。つまり、入力される波形の電圧変化で、
可変容量ダイオードＤ２の容量が周波数特性を調整した
ときより、波形Ａのときは容量が小さくなり、補償が過
大となる。波形Ｂのときは可変容量ダイオードＤ１の容
量が大きくなり、補償が過小になる。

【００１６】このように、可変容量ダイオードＤ１，Ｄ
２に波形測定部４で測定した結果を基にＣＰＵ５が逆バ
イアス値を求める。そして、電流供給部７がＣＰＵ５か
らの逆バイアス値を電圧として可変容量ダイオードＤ
１，Ｄ２に供給するので、自動的に周波数特性の校正が
行える。また、可変容量ダイオードＤ１のカソードに正
の電圧を与え、可変容量ダイオードＤ２のアノードに負
の電圧を与えたので、測定時に直流重畳波形が入力され
た場合でも、周波数特性を悪くさせずに波形の測定が行
える。そして、過電流が入力された場合でも、可変容量
ダイオードＤ１あるいは可変容量ダイオードＤ２に過電
流が流れるので、過電流に対するアンプ３の保護回路を
設ける必要がない。さらに、可変容量ダイオードＤ１は
正の過電圧からアンプ３を保護し、可変容量ダイオード
Ｄ２は負の過電圧からアンプ３を保護するので、過電圧
に対するアンプ３の保護回路を設ける必要がない。

【００１７】その他の実施例の一部を示した構成図を図
４に示す。図１と同一のものは同一符号を付す。図にお
いて、Ｄ３は第１の可変容量ダイオードで、アノードが
接地電位点に接続され、カソードが抵抗Ｒ１の他端にコ
ンデンサＣ４を介して接続されている。Ｄ４は第２の可
変容量ダイオードで、カソードが接地電位点に接続さ
れ、アノードが抵抗Ｒ１の他端にコンデンサＣ５を介し
て接続されている。ここで、コンデンサＣ４，Ｃ５は直
流成分をカットしている。そして、電圧供給部から可変
容量ダイオードＤ３のカソードにコイルＬ１を介して正
の電圧を与え、可変容量ダイオードＤ４のアノードにコ
イルＬ２を介して負の電圧を与える。ここで、コイルＬ
１，Ｌ２は交流成分をカットしている。

【００１８】波形の入力部分をこのような構成にするこ
とにより、同様な効果が得られる。そして、図１の装置
の可変容量ダイオードと図４の装置の可変容量ダイオー
ドとの組み合わせも本発明に含まれる。例えば、可変容
量ダイオードＤ１と可変容量ダイオードＤ４とにより構
成する。また、本発明では、ＣＰＵが信号発生手段と逆
バイアス手段とを含む構成も含まれる。

【００１９】以下に実際の可変容量ダイオードＤ１，Ｄ
２の合計の入力容量と入力電圧との関係を説明する。図
５は可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２の合計の入力容量と
入力電圧との関係を示す図である。図において、Ｖinは
抵抗Ｒ１に入力する入力電圧、Ｖ_Bは可変容量ダイオー
ドに与える逆バイアス電圧、Ｃaは入力電圧Ｖinが０の
ときの可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２の入力容量であ
る。そして、Ｃbは、入力電圧ＶinがＶのときの可変容
量ダイオードＤ１の入力容量、あるいは、入力電圧Ｖin
が−Ｖのときの可変容量ダイオードＤ２の入力容量であ
る。Ｃcは、入力電圧ＶinがＶのときの可変容量ダイオ
ードＤ２の入力容量、あるいは、入力電圧Ｖinが−Ｖの
ときの可変容量ダイオードＤ１の入力容量である。

【００２０】入力電圧Ｖinが０のときの可変容量ダイオ
ードＤ１，Ｄ２の合計の容量は２Ｃaである。そして、
入力電圧Ｖinが±Ｖのときの可変容量ダイオードＤ１，
Ｄ２の合計の入力容量はＣb＋Ｃcである。ここで、図５
から明らかなように、入力電圧Ｖinが変化すると合計の
容量は少し異なってくるが、ほぼ同一となる。また、入
力電圧Ｖinの変化する範囲を小さくすれば、合計の容量
の変化量は小さくなり、より周波数特性の良い測定が行
える。

【００２１】そこで、逆バイアス電圧が異なるときの入
力容量と入力電圧の関係を図６に示す。図５と同一のも
のは同一符号を付す。ここで、Ｖ₁＜Ｖ₂＜Ｖ₃（Ｖ₁，Ｖ
₂，Ｖ₃：定数）の関係を有する。図から明らかなよう
に、逆バイアス電圧が大きくなれば入力電圧Ｖinが変化
しても可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２の合計の入力容量
はほとんど変化しない。したがって、逆バイアス電圧を
大きく設定すれば、入力電圧が変化しても、より周波数
特性の良い測定が行える。

【００２２】その他の実施例として、ＩＣテスタに本発
明を適用した例を以下に示す。図７は本発明を適用した
ＩＣテスタの第１の実施例を示した構成図である。以下
図１と同一のものは同一符号を付す。図において、１０
はデジタルファンクションモジュール（以下ＤＦＣと略
す）で、タイミングジェネレータとパターンジェネレー
タとパターンメモリとフェイルメモリとで構成され、各
種のデジタル信号を出力する。２０は校正時に取り付け
られるパフォーマンスボードで、ＤＦＣ１０と電気的に
接続する。測定時には、パフォーマンスボード２０を取
り外し、被測定対象であるＩＣ（以下ＤＵＴと略す）を
接続するパフォーマンスボードに取り替える。３０はピ
ンエレクトロニクス部で、パフォーマンスボード２０と
電気的に接続する。そして、ＤＵＴを測定するときに
は、ＤＵＴと信号の授受を行う。４０はマルチプレクサ
で、ピンエレクトロニクス部３０からの信号を選択す
る。５０はウェーブフォームデジタイザ（以下ＷＦＤと
略す）で、マルチプレクサ４０が選択した信号の波形を
測定する。６０はデジタルシグナルプロセッサ（以下Ｄ
ＳＰと略す）で、ＷＦＤ５０が測定した信号を解析す
る。７０はテストシステムコントローラ（以下ＴＳＣと
略す）で、ＩＣテスタの全体の制御を司る。８０はメモ
リで、ＴＳＣ７０がＤ／Ａ変換部３３に最終的に与えた
校正値を格納する。

【００２３】パフォーマンスボード２０において、２１
は信号変換部で、ＤＦＣ１０からのデジタル信号を立ち
上がり特性の良い大振幅の信号に変換し、各ピンエレク
トロニクス部３０に与える。ピンエレクトロニクス部３
０において、３１は可変コンデンサで、図１と同様に可
変容量ダイオードＤ１，Ｄ２とコンデンサＣ２，Ｃ３と
により構成される。３２はドライバで、アンプ３に対応
する。３３はＤ／Ａ変換部で、ＴＳＣ７０からの信号を
受けて、可変コンデンサ３１に正，負の逆バイアス電圧
を与える。ここで、信号発生手段はＤＦＣ１０と信号変
換部２１とで構成され、逆バイアス手段はＷＦＤ５０と
ＤＳＰ６０とＴＳＣ７０とＤ／Ａ変換部３３とで構成さ
れる。

【００２４】このような装置の動作を以下で説明する。
図８は図７の装置の動作を示したフローチャートであ
る。図９は校正の動作を説明する図である。図９におい
て、（ａ）は可変コンデンサ３１の補償過小の場合、
（ｂ）は可変コンデンサ３１の補償過大の場合である。

【００２５】ＴＳＣ７０はマルチプレクサ４０にＣＨ１
のピンエレクトロニクス部３０を選択させる。そして、
ＣＨ１のピンエレクトロニクス部３０のＤ／Ａ変換部３
３に正，負の最小の逆バイアス電圧を出力させる。ま
た、ＤＦＣ１０にデジタル信号を出力させて、信号変換
部２１からピンエレクトロニクス部３０に信号を与え
る。そして、ＷＦＤ５０はピンエレクトロニクス部３
０，マルチプレクサ４０を介した信号を測定する。ＤＳ
Ｐ６０は図９に示すようにＡ時点における振幅ＥＡとＢ
時点における振幅ＥＢからδ（＝ＥＡ−ＥＢ）を演算す
る。

【００２６】そして、ＥＡ＞ＥＢのとき、つまり、
（ｂ）のとき、補償が過大であるので、可変コンデンサ
３１の容量を大きくしなければならない。そのために
は、可変容量ダイオードに与える逆バイアス電圧を小さ
くすれば容量が大きくなる。しかし、Ｄ／Ａ変換部３３
は最小の電圧値を可変コンデンサ３１に与えているの
で、これ以上容量を大きくすることはできない。したが
って、オペレータに校正がフェイルであることを通知す
る。ＥＡ＜ＥＢのときは、Ｄ／Ａ変換部３３に正，負の
最大の逆バイアス電圧を可変コンデンサ３１に出力す
る。そして、ＥＡ＜ＥＢのとき、つまり、（ａ）のと
き、補償が過小であるので、可変コンデンサ３１の容量
を小さくしなければならない。そのためには、上記と逆
で、可変容量ダイオードに与える逆バイアス電圧を大き
くすれば容量が小さくなる。しかし、Ｄ／Ａ変換部３３
は最大の電圧値を可変コンデンサ３１に与えているの
で、これ以上容量を小さくすることはできない。したが
って、オペレータに校正がフェイルであることを通知す
る。ＥＡ＞ＥＢのときは次の動作を行う。

【００２７】ＴＳＣ７０はＤ／Ａ変換部３３が出力でき
る逆バイアス電圧の中間の電圧を出力させる。そして、
ピンエレクトロニクス部３０から出力される信号をマル
チプレクサ４０を介してＷＦＤ５０で測定し、ＤＳＰ６
０によりδを求め、δ≦±１（計算機の２進数の値）か
どうかを確認する。δ≦±１のときは、ＴＳＣ７０は中
間の電圧値を校正値として記憶する。そして、δ≦±１
以外のときは、ＴＳＣ７０はＡ時点とＢ時点の振幅が図
９の（ａ）か（ｂ）かを求める。

【００２８】ＥＡ＞ＥＢのとき、つまり、（ｂ）のと
き、補償が過大であるので、コンデンサ３１の容量を大
きくしなければならない。したがって、Ｄ／Ａ変換部３
３の電圧値を小さくすればよい。ＥＡ＜ＥＢのとき、つ
まり、（ａ）のとき、補償が過小であるので、コンデン
サ３１の容量を小さくしなければならない。したがっ
て、Ｄ／Ａ変換部３３の電圧値を大きくすればよい。

【００２９】上記のことより、ＴＳＣ１は、ＥＡ＞ＥＢ
のときはＤ／Ａ変換部３３が出力できる電圧の中間値と
最小電圧値との中間の電圧値を出力させる。ＥＡ＜ＥＢ
のときはＤ／Ａ変換部３３が出力できる電圧の中間値と
最大電圧値との中間の電圧値を出力させる。そして、そ
れぞれ、ピンエレクトロニクス部３０から出力される信
号をマルチプレクサ４０を介してＷＦＤ５０で測定し、
ＤＳＰ６０によりδを求め、δ≦±１かどうかを確認す
る。δ≦±１のときは、ＴＳＣ７０は電圧値を校正値と
して記憶する。δ≦±１以外のときは、ＴＳＣ７０はＡ
時点とＢ時点との振幅が図９の（ａ）か（ｂ）かを再び
求める。そして、上記と同様にして、バイナリーサーチ
を行う。

【００３０】以上のバイナリーサーチをδ≦±１まで行
う。ＴＳＣ７０は可変コンデンサ３１に与える逆バイア
ス電圧値を記憶する。そして、ＴＳＣ７０はＣＨ２のピ
ンエレクトロニクス部３０をマルチプレクサ４０により
を選択し、最小電圧と最大電圧を可変コンデンサ３１に
与えて、校正フェイルになるかどうかを確認する。そし
て、バイナリーサーチにより可変コンデンサ３１に与え
る逆バイアス電圧値を求め、記憶する。このような動作
を２５６ＣＨのピンエレクトロニクス部３０まで繰り返
し、全てのピンエレクトロニクス部３０に対する校正が
終了したら、メモリ８０にすべてのピンエレクトロニク
ス部３０に対する校正値、つまり、逆バイアス電圧値を
格納する。

【００３１】また、次のような構成も考えられる。図１
０は本発明を適用したＩＣテスタの第２の実施例を示し
た構成図である。以下図７と同一のものは同一符号を付
す。図において、５１はＤ／Ａ変換部で、所望の２種類
の電圧を出力する。５２はコンパレータで、マルチプレ
クサ４０が選択したピンエレクトロニクス部３０が出力
する信号とＤ／Ａ変換部５１が出力する電圧と比較し、
比較結果を出力する。６１はＤＦＣで、所望のタイミン
グでコンパレータ５２の比較結果を記憶する。ここで、
逆バイアス手段は、Ｄ／Ａ変換部３３，５１とコンパレ
ータ５２とＤＦＣ６１とＴＳＣ７０とで構成される。

【００３２】このような装置の動作は、マルチプレクサ
４０により校正を行うピンエレクトロニクス部３０を選
択する。そして、ＤＦＣ１０からデジタル信号を信号変
換部２１を介してピンエレクトロニクス部３０に入力す
る。コンパレータ５２は、ピンエレクトロニクス部３０
が出力する信号とＤ／Ａ変換部５１が出力する電圧とを
比較する。ＤＦＣ６１はコンパレータ５２の比較結果を
格納する。ＴＳＣ７０は、ＤＦＣ６１に格納された比較
結果により、Ｄ／Ａ変換部３３が出力する電圧を上げる
か下げるかを決める。つまり、比較結果により、図９の
（ａ）の場合と判定されたら、ＴＳＣ７０はＤ／Ａ変換
部３３の電圧を大きくする。そして、図９の（ｂ）の場
合と判定されたら、ＴＳＣ７０はＤ／Ａ変換部３３の電
圧を小さくする。Ｄ／Ａ変換部５１が出力する２種類の
電圧間にピンエレクトロニクス部３０が出力する信号が
入るまで上記の動作を繰り返す。そして再び、マルチプ
レクサ４０により他のピンエレクトロニクス部３０を選
択し、以上の動作を行う。このように、ピンエレクトロ
ニクス部３０の周波数特性の校正を行う。

【００３３】さらに、本発明をＩＣテスタに適用した実
施例は上記のものに限定されるものではなく、図１０の
装置において、マルチプレクサ４０を設ける構成でな
く、Ｄ／Ａ変換部５１とコンパレータ５２とをピンエレ
クトロニクス部３０ごとに設ける構成にし、すべてのコ
ンパレータ５２からの出力をＤＦＣ６１で受ける構成に
してもよい。なお、ＩＣテスタに本発明を適用した例を
示したが、オシロスコープに本発明を適用してもよい。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、可変容量ダイオードに
測定演算手段により求めた逆バイアス値を電圧供給手段
により与えるので、自動的に周波数特性の校正が行え
る。そして、電圧により容量を変化させる第１の可変容
量ダイオードと第２の可変容量ダイオードとを設けたの
で、測定時に直流重畳波形が入力された場合でも、周波
数特性を悪くさせずに波形の測定が行えるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示した構成図である。

【図２】測定時における可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２
の動作を説明する図である。

【図３】可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２の逆バイアス電
圧−容量特性を示した図である。

【図４】本発明のその他の実施例の一部を示した構成図
である。

【図５】可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２の合計の入力容
量と入力電圧との関係を示す図である。

【図６】逆バイアス電圧が異なるときの入力容量と入力
電圧の関係を示す図である。

【図７】本発明を適用したＩＣテスタの第１の実施例を
示した構成図である。

【図８】図５の装置の動作を示したフローチャートであ
る。

【図９】校正の動作を説明する図である。

【図１０】本発明を適用したＩＣテスタの第２の実施例
を示した構成図である。

【符号の説明】

１被測定対象４波形測定部５ＣＰＵ７電圧供給部Ｒ１，Ｒ２抵抗Ｃ１コンデンサＤ１，Ｄ２可変容量ダイオード１０，６１ＤＦＣ２１信号変換部３１可変コンデンサ３２ドライバ３３，５１Ｄ／Ａ変換部５０ＷＦＤ５２コンパレータ６０ＤＳＰ７０ＴＳＣ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者沼沢茂東京都武蔵野市中町２丁目９番32号横河電機株式会社内 (72)発明者土井英夫東京都武蔵野市中町２丁目９番32号横河電機株式会社内 (72)発明者宇田憲司東京都武蔵野市中町２丁目９番32号横河電機株式会社内 (72)発明者石鉢宗男東京都武蔵野市中町２丁目９番32号横河電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被測定対象からの波形信号の測定を行う
測定装置において、波形信号を発生する信号発生手段と、前記被測定対象からの信号を入力する信号経路と接地電
位点との間に設けられる第１の可変容量ダイオードと、前記被測定対象からの信号を入力する信号経路と接地電
位点との間に設けられる第２の可変容量ダイオードと、校正時に信号発生手段からの波形信号を信号経路を介し
て測定し、測定結果を基に前記第１の可変容量ダイオー
ドと前記第２の可変容量ダイオードとに所望の逆バイア
ス電圧を与える逆バイアス手段と、を有し、測定時に被
測定対象からの波形信号を信号経路に入力するようにし
たことを特徴とする測定装置。
【請求項２】逆バイアス手段は、異なるタイミングに
より波形を測定し、測定した波形の振幅の差により、第
１の可変容量ダイオードと第２の可変容量ダイオードに
与える逆バイアス電圧を変化させることを特徴とする請
求項１の測定装置。