JPH07113761A

JPH07113761A - 欠陥表示方法

Info

Publication number: JPH07113761A
Application number: JP5256602A
Authority: JP
Inventors: Fumitomo Hayano; 史倫早野
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-10-14
Filing date: 1993-10-14
Publication date: 1995-05-02

Abstract

(57)【要約】【目的】被検面を複数のセルに分割して欠陥検出を行
う場合に、各セルに比べて大きな１個の欠陥が存在する
場合、又は隣り合うセルの境界部に１個の欠陥が存在す
る場合でも、それぞれ正確に１個の欠陥であると判別す
る。【構成】部分領域３２がセルに分割され、初期状態で
はセルＣ１〜Ｃ３に０以外の欠陥信号が表示されてい
る。２×２個のセルよりなるロジックマトリクス３１内
は、最大の欠陥信号のみを残してその他の欠陥信号を０
にする作用を有する。ロジックマトリクス３１をＸ方向
に１セル分ずつずらしながら、それぞれロジックマトリ
クス３１を作用させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子等を
製造するための露光工程で用いられるマスク又はレチク
ル（以下、まとめて「レチクル」と呼ぶ）の表面や、レ
チクルの表面に所定間隔を開けて張設されたペリクル
（防塵膜）の表面上に付着した異物等の欠陥を検出する
際に適用して好適な欠陥表示方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体素子等をフォトリソグラフ
ィ技術を用いて製造する際に使用される露光用のレチク
ルの表面に異物等の欠陥があると、製造された半導体素
子等の歩留まりが低下してしまう。それを避けるため、
従来より欠陥検査装置を用いて露光前にレチクル表面の
欠陥の状態を検査している。また、レチクルのパターン
形成面及びその裏面に直接異物が付着するのを防止する
ため、レチクルにはペリクルと呼ばれる防塵膜が張設さ
れている場合がある。斯かるペリクルは、感光性の基板
（ウエハ等）の露光面と共役なレチクルのパターン形成
面からデフォーカスされた状態にあるため、同一の大き
さの異物であれば、レチクルに直接付着した場合よりペ
リクルに付着した場合の方が影響が小さい。

【０００３】しかしながら、所定の限度を超えるとペリ
クルに付着した異物でも露光結果に影響を及ぼすように
なるため、ペリクルの表面及び裏面（レチクル側の面）
についても、欠陥検査装置により異物等の欠陥の状態が
検査される。以下では、欠陥検査の対象としてレチクル
を使用するが、これにはペリクルが張設されたレチクル
も含まれるものとして説明する。

【０００４】図７は従来の欠陥検査装置の一例を示し、
この図７において、レチクル１がステージ２上に載置さ
れ、ステージ２は駆動部３によりＹ方向に移動自在に構
成されている。ステージ２のＹ方向への移動量は、リニ
アエンコーダ等の測長装置４により常時計測され、測長
装置４の測長値を示す位置信号Ｓ１が信号処理回路５に
供給されている。一方、不図示の光源（例えばレーザ光
源等）から射出された光ビームＬ１が、駆動部７により
振動するガルバノスキャナー６（又はポリゴンスキャナ
ー等）により反射偏向された後、走査レンズ８によりレ
チクル１上に収束する光ビームＬ２となって、レチクル
１上のＸ方向にほぼ平行な走査線１０上をＸ方向に走査
する。光ビームＬ２をＸ方向に走査し、その走査速度よ
り遅い速度でレチクル１を駆動部３によりＹ方向に移動
させることにより、レチクル１の全面の光ビーム走査を
行うことができる。

【０００５】仮に、レチクル１の表面上に異物１１等の
欠陥が存在している場合は、光ビームＬ２により異物１
１から散乱光Ｌ３が発生する。散乱光Ｌ３は受光レンズ
１２によりフォトマルチプライア等の光電検出器１３の
受光面に集光され、集光された光を光電検出器１３内で
光電変換して得られた検出信号Ｓ３が信号処理回路５に
供給される。信号処理回路５にはガルバノスキャナー６
用の駆動部７に供給されている偏向角信号Ｓ２も供給さ
れ、信号処理回路５は、検出信号Ｓ３より異物１１の存
在を判別することができる。これと並行して、信号処理
回路５は、検出信号Ｓ３中に異物１１を示す信号が得ら
れたときの測長装置４の位置信号Ｓ１とガルバノスキャ
ナー６の駆動部７用の偏向角信号Ｓ２とに基づいて、異
物１１の存在位置を認識することができる。即ち、偏向
角信号Ｓ２から異物１１のＸ座標が、位置信号Ｓ１から
異物１１のＹ座標が分かる。

【０００６】また、異物が大きいほど散乱光Ｌ３の光量
も大きくなることから、光電検出器１３の検出信号Ｓ３
の大小は異物の大きさの大小を示している。そこで、信
号処理回路５は、ＣＲＴディスプレイ１４に異物の付着
座標（Ｘ，Ｙ）と異物の大きさとを、例えばテーブル
（表）として表示することができる。あるいは、レチク
ル１を光ビームで走査しているのと同時に検出した異物
の座標（Ｘ，Ｙ）と大きさとをＣＲＴディスプレイ１４
の表示画面上に２次元マップとして表示することも可能
である。また、検出した異物の位置（Ｘ，Ｙ）と大きさ
（検出信号Ｓ３の値）とを信号処理回路５内のメモリ等
の記憶部に格納した後、検査終了後にその記憶部からそ
れら位置及び大きさを読出して、ＣＲＴディスプレイ１
４上に２次元マップ又はテーブルとして表示したり、又
は不図示のプリンタにてプリントアウトしたりすること
も可能である。

【０００７】図８は、ＣＲＴディスプレイ１４上のマッ
プ表示例を示し、この表示例では、図７のレチクル１の
表面を多数の小さな矩形領域（以下、「セル」と呼ぶ）
に分割し、図７の表示画面上の矩形のウィンドウ１５内
にレチクル１の表面全体の異物情報をセル単位で表示し
ている。即ち、図７に示すように、レチクル１の表面を
Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ所定ピッチで区切ることに
より、レチクル１の表面を１ｍｍ角又は５ｍｍ角等の多
数の小さいセルＣ（１，１）、Ｃ（１，２）、Ｃ（１，
３）、…、Ｃ（２，１）、…に分割する。そして、図８
の表示画面上のウィンドウ１５を図７のレチクル１上の
セルに１：１に対応させて表示セルＰ（１，１）、Ｐ
（１，２）、Ｐ（１，３）、…、Ｐ（２，１）、…に分
割し、各表示セル毎に異物等の欠陥を示す符号Ａ，Ｂ，
Ｃを表示している。

【０００８】この場合、図７のＸ方向及びＹ方向がそれ
ぞれ図８のＸ１方向及びＹ１方向に対応し、欠陥を検出
した座標（Ｘ，Ｙ）が属するセルＣ（ｉ，ｊ）に対応す
る表示セルＰ（ｉ，ｊ）に、検出信号Ｓ３の信号強度に
応じて符号Ａ，Ｂ，Ｃのようにランク分けして欠陥の表
示が行われる。符号Ａ，Ｂ，Ｃは欠陥の大きさを表すラ
ンクであり、例えば、検出信号Ｓ３が小さい場合は、小
さい欠陥を示すＡランクの表示を行い、検出信号Ｓ３が
大きい場合は、大きい欠陥を示すＣランクの表示を行
う。

【０００９】この際に注意すべき点として以下の及び
がある。１つのセルの中で異物を示す検出信号Ｓ３を異なる２
つの位置座標で得た場合には、大きい方の検出信号Ｓ３
の信号強度及びそのときの位置座標をそのセルでの欠陥
データとする。けだし、欠陥は大きい方が問題となるか
らである。例えば、１ｍｍ角のセル中で値が５０という
検出信号と値が１００という検出信号とを別々の位置で
得た場合には、値が１００という検出信号、及びこの検
出信号が得られた位置座標をそのセルの欠陥データとす
る。

【００１０】異物からの散乱光以外の微弱な光による
電気信号や、電気ノイズも検出信号Ｓ３に含まれるた
め、所定の閾値以上の値を有する検出信号Ｓ３を欠陥デ
ータとして扱う。次に、図９を参照して、従来の欠陥検
査装置の他の例につき説明する。図９において、レチク
ル１はステージ２に載置され、ステージ２は駆動部３に
よりＹ方向に移動され、そのＹ方向への移動量は測長装
置４により計測されている。一方、レーザ光源等の光源
１６から射出された光ビームＬ４は、シリンドリカルレ
ンズ１７及びコリメータレンズ１８よりなるレンズ系１
９によりほぼ平行なスリットビームＬ５となって、レチ
クル１上を斜めに照射する。そのため、レチクル１上で
は、Ｘ方向に平行なスリット状の照射領域２０がスリッ
トビームＬ５により照明される。

【００１１】当然、スリット状の照射領域２０内に異物
２１等の欠陥が存在している場合には、その欠陥から散
乱光Ｌ６が発生し、散乱光Ｌ６は受光レンズ２２を介し
て１次元ＣＣＤ等の１次元撮像素子２３上に欠陥像を結
像する。この場合、スリット状の照射領域２０と１次元
撮像素子２３の撮像面とは、受光レンズ２２により光学
的にほぼ共役な位置関係になっている。従って、図９の
装置においては、異物２１の付着位置のＹ座標は測長装
置４により計測され、その付着位置のＸ座標は１次元撮
像素子２３の何番目の画素に結像したかで識別される。
更に、１次元撮像素子２３の各画素から得られる光電変
換信号（撮像信号）としての検出信号Ｓ４の強度によ
り、異物の大きさをランク分けすることができるため、
図７の装置と全く同様のマップをＣＲＴディスプレイ等
の表示装置に表示できる。

【００１２】即ち、この図９の装置でも、レチクル１の
表面が多数のセルＣ（１，１）、Ｃ（１、２）、…に分
割され、表示装置の画面上でレチクル１の全表面に対応
する図１０のウィンドウ１５が、レチクル１上のセルに
対応して表示セルＰ（１，１）、Ｐ（１，２）、…に分
割されている。そして、各表示セルにＡ，Ｂ，Ｃのラン
クに分けて欠陥の状態が表示されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如き従来技術においては、レチクル１上に例えば大きい
サイズの異物があると、その異物が１個であっても、図
１０に示すように表示マップとしてのウィンドウ１５内
で、表示セルＰ（２，５）及びＰ（２，６）、又は表示
セルＰ（５，６）及びＰ（５，７）のように、あたかも
２個の異物が隣接しているかのように連続して欠陥表示
をする場合があるという不都合があった。これはレチク
ル１上のセルＣ（ｉ，ｊ）が小さいときの方が起こり易
い。つまり、５ｍｍ角のセルより１ｍｍ角のセルの場合
の方が誤った表示が起こり易い。

【００１４】通常、欠陥検査装置では図７及び図９の欠
陥検査部以外に、検出した欠陥を目視やＴＶモニター上
の画像により観察する観察部を設けている場合が多い。
この場合、レチクル１上のセルＣ（ｉ，ｊ）の大きさと
しては、観察部の観察視野の大きさ（低、中、高のよう
に観察倍率が種々ある場合は、欠陥の視野追い込みに用
いる低倍での観察視野の大きさ）に対応させるため、１
ｍｍ角や５ｍｍ角、更には、０．１ｍｍ角のセルサイズ
が用いられる。従って、或る程度の面積を有する大きな
異物の場合は、レチクル１上の複数のセルで欠陥を検出
する場合が有り得る。また、その異物が隣りのセルとの
境界付近に付着している場合は、隣り合う２つのセルで
同一の欠陥を検出し、隣り合う表示セルに同一ランクの
欠陥の表示を行うことが有り得る。

【００１５】本発明は斯かる点に鑑み、被検面を複数の
セルに分割して欠陥検出を行う場合に、各セルに比べて
大きな１個の欠陥が存在する場合、又は隣り合うセルの
境界部に１個の欠陥が存在する場合でも、それぞれ正確
に１個の欠陥であると判別できるようにすることを目的
とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明による欠陥検査方
法は、被検物（１００）の被検面を第１の方向（Ｘ方
向）及びこの第１の方向に交差する第２の方向（Ｙ方
向）にそれぞれ所定ピッチで複数個のセルに分割すると
共に、その被検面上に検査用の光を照射し、その被検面
上の欠陥からの散乱光を光電変換して得られる光電信号
の大きさに基づいて、その欠陥が位置するセルのそれぞ
れに欠陥信号を割り当て、この欠陥信号をその被検面の
欠陥検査の結果として表示する欠陥表示方法において、
第１の方向（Ｘ方向）と第２の方向（Ｙ方向）との少な
くとも一方に隣接した複数個のセルにその欠陥信号が割
り当てられた場合には、このように隣接した複数個のセ
ルに割り当てられたその欠陥信号の内の最大の欠陥信号
のみをその欠陥検査の結果として表示するものである。

【００１７】この場合、第１の方向（Ｘ方向）にＮ個
（Ｎは２以上の整数）で第２の方向（Ｙ方向）にＭ個
（Ｍは２以上の整数）のセルよりなるＮ×Ｍ個のセル内
でその欠陥信号の内の最大の欠陥信号を残すようにして
もよい。また、そのＮ×Ｍ個のセルを第１の方向（Ｘ方
向）及び第２の方向（Ｙ方向）に走査して、それぞれ内
部の最大の欠陥信号を残すようにしてもよい。

【００１８】また、そのＮ×Ｍ個のセルとしては２×２
個のセル（３１）が望ましい。また、その２×２個のセ
ル（３１）の一方の対角線上の２個のセル（３１ｂ，３
１ｃ）の欠陥信号が共に所定の検出閾値以下のときに
は、他方の対角線上の２個のセル（３１ａ，３１ｄ）の
欠陥信号をそのまま残すことが望ましい。

【００１９】

【作用】斯かる本発明は、本発明が利用されるような分
野では、被検面上での異物等の欠陥の分布密度が小さい
（例えばレチクルの場合には、１０ｍｍ角の中に異物が
１個有るかないか程度である）という事実に鑑みてなさ
れたものである。そして、本発明では、大きな欠陥が存
在して例えば図１（ｂ）に示すように隣接する３個のセ
ルＣ１〜Ｃ３に欠陥信号が得られた場合には、隣接する
３個のセルＣ１〜Ｃ３の中の最大の欠陥信号１００が残
される。従って、最終的に図２（ｄ）に示すようにセル
Ｃ２のみに欠陥信号１００が残され、複数個のセルで欠
陥が検出されることがない。

【００２０】このように最大の欠陥信号のみを残す根本
原理は、欠陥検出が２次元の被検面から得られる光電信
号の例えばピーク検出により行われることにある。この
ようにピーク検出を行うと、広い面積を有する１個の欠
陥であっても散乱光量（光電信号）が最大となるピーク
が１つだけ存在するので、そのピークが最大になるセル
をその欠陥が存在するセルとみなすことになる。また、
本発明では欠陥の分布密度は低いことが前提であるた
め、仮に複数の欠陥が近接して存在する場合でも、それ
ら欠陥はほとんどの場合少なくとも１個又は複数個の欠
陥信号が無い（欠陥信号が０の）セルを挟んで存在す
る。従って、本発明を適用しても複数個の欠陥がそれぞ
れ検出される。

【００２１】また、隣接する２つのセルの境界部に１個
の欠陥が存在する場合でも、どちらかのセルにのみ欠陥
信号が残されるため、１つの欠陥として識別される。次
に、上述の最大の欠陥信号の検出をＮ×Ｍ個のセルの中
で行うと、大きさがＮ×Ｍ個のセルに跨る欠陥が存在し
ても、効率的に１個の欠陥として検出される。

【００２２】また、そのＮ×Ｍ個のセルで被検面を走査
すると、被検面の全面で効率的に大きな欠陥がそれぞれ
１個の欠陥として検出される。また、第１の方向に（Ｎ
−１）個のセル分の間隔を開けるか、又は第２の方向に
（Ｍ−１）個のセル分の間隔を開けて存在する２個の欠
陥を異なる欠陥として判別できる。但し、そのＮ×Ｍ個
のセルを２×２個のセルとすると、第１の方向に１個の
セル分の間隔を開けるか、又は第２の方向に１個のセル
分の間隔を開けて存在する２個の欠陥を異なる欠陥とし
て判別でき、欠陥検出の分解能が良好になる。

【００２３】また、その２×２個のセルの一方の対角線
上の２個のセルの欠陥信号が共に所定の検出閾値以下の
ときには、他方の対角線上の２個のセルの欠陥信号をそ
のまま残す場合には、例えば図４に示すように、斜め方
向に隣接する２個のセルＣ７及びＣ８に異なる欠陥が存
在するようなときでも、処理後に図６に示すようにその
まま欠陥信号１００，７０が残される。従って、斜め方
向に隣接するセルに存在する２個の欠陥を異なる欠陥と
して判別でき、欠陥の検出分解能が高まっている。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の第１実施例につき図１〜図４
を参照して説明する。本実施例では、図７の欠陥検査装
置又は図９の欠陥検査装置を用いて、レチクル１の全面
を光ビームＬ２（図７参照）又はスリットビームＬ５で
走査し、得られた散乱光を光電変換して検出信号Ｓ３
（又はＳ４、以下同じ）を得る。そして、例えば図７に
示すように、レチクル１の表面をＸ方向及びＹ方向にそ
れぞれ所定ピッチで区切ることにより、レチクル１の表
面を多数のセルＣ（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…；ｊ＝
１，２，…）に分割し、各セル内での検出信号Ｓ３の最
大値をそのセル内での検出信号とする。但し、検出信号
Ｓ３のノイズレベルを考慮して検出閾値を５０に設定
し、その検出閾値以下の検出信号Ｓ３は欠陥ではないと
みなす。即ち、その検出閾値以下の検出信号Ｓ３は全て
０にする。このように検出閾値以下の信号を０に変換し
た後の検出信号を、以下では欠陥信号と呼ぶ。

【００２５】このようにしてレチクル１上の各セルに欠
陥信号を割り当てた結果、図１（ｂ）のような検出デー
タ（最初のデータ）が得られた場合を考える。図１
（ｂ）は、レチクル１の全面の検査マップの部分領域３
２のみを示したものであり、Ｘ方向に連続する３個のセ
ルＣ１〜Ｃ３にそれぞれ６０，１００，６０の欠陥信号
が割り当てられ、他のセルには０の欠陥信号が割り当て
られている、即ち他のセルでの検出信号は検出閾値以下
である。

【００２６】これに対して本実施例では、図１（ａ）に
示すように、Ｘ方向に２個でＹ方向に２個の２×２個の
セルサイズを有する選択ブロック（以下、「ロジックマ
トリクス」と呼ぶ）３１を有する。このロジックマトリ
クス３１は、合計４個のセル３１ａ〜３１ｄの内で最大
の欠陥信号のみを残し、それ以外の欠陥信号を除去する
（０にする）ロジックを有する。このロジックマトリク
ス３１で順次図１（ｂ）の部分領域３２の各セルを残り
なく走査する。その様子を図２に示す。なお、図１及び
以下の図面では、レチクル１上の各セルに検出信号が割
り当てれた状態が示されているが、実際には、その検出
信号は信号処理装置のメモリ内の各セルに対応するアド
レスに格納されているものであり、以下のロジックマト
リクス３１による処理はそのメモリ内でソフトウェア的
に実行されるものである。更に、その処理の過程をその
まま表示装置の画面上で、レチクル１上のセルに対応す
る表示セル上に表示してもよい。

【００２７】図２ではロジックマトリクス３１を、部分
領域３２の第１行３３Ａ及び第２行３３Ｂ上でＸ方向に
１セル分ずつずらしていく（走査していく）。まず、図
２（ａ）の状態では、ロジックマトリクス３１の中では
セルＣ１のみが０以外の欠陥信号を有しているから、当
然欠陥信号の最大値はセルＣ１の６０である。次に、図
２（ｂ）の状態になると、セルＣ１及びセルＣ２以外の
欠陥信号は０である。セルＣ１とセルＣ２との欠陥信号
を比較すると、セルＣ２の方が大きいから、セルＣ１の
欠陥信号は除去され、セルＣ２の欠陥信号のみが残され
る。

【００２８】次に、図２（ｃ）の状態では、図２（ｂ）
のときにセルＣ１の欠陥信号が除去されているため、セ
ルＣ１の欠陥信号が０となっている。また、ロジックマ
トリクス３１内のセルＣ２とセルＣ３とを比較すると、
セルＣ２の欠陥信号の方が値が大きいため、セルＣ３の
欠陥信号が除去される。そして、図２（ｄ）のように、
ロジックマトリクス３１を当てはめると、図２（ｃ）の
ときにセルＣ３の欠陥信号は除去されているので、ロジ
ックマトリクス３１中の欠陥信号は全て０になり、従っ
て、ロジックマトリクス３１内の最大値も０となる。以
上により、図１（ｂ）の部分領域３２の欠陥信号の内、
セルＣ１及びセルＣ３の欠陥信号が消え（０になり）、
セルＣ２の値が１００の欠陥信号のみが残り、セルＣ２
の欠陥信号値とその位置とが欠陥データとして残され
る。ロジックマトリクス３１は部分領域３２の次の行に
移っても同様の処理を行うが、セルＣ２の欠陥信号はそ
のまま残る。

【００２９】そして、レチクル１の全面の検査により得
られる最初の欠陥信号群（連続したセルで欠陥を表示し
ている場合を含むデータ）に対し、ロジックマトリクス
３１を順次２次元的に当てはめていく（走査する）こと
により、Ｘ方向又はＹ方向に連続したセルの内の最大の
欠陥信号のみが残る。この最終的に残る欠陥信号を欠陥
データとして、例えばＣＲＴディスプレイ上にマップ表
示する。これと並行して、欠陥の位置と欠陥信号の値と
をテーブル形式で出力する。これにより、レチクル１上
で１個のセルよりも大きい欠陥が存在する場合でも、又
は隣接するセルの境界部に１個の小さい欠陥が存在する
場合でも、それぞれ正確に１個の欠陥として識別するこ
とができる。

【００３０】次に、上述の方法を図３（ａ）に示すよう
に、大きな欠陥が所定間隔を開けて存在する場合に適用
する。図３（ａ）は、レチクル上の部分領域３４を多数
のセルに分割した場合の欠陥信号の分布を示し、この部
分領域３４において、先ず第１行３５Ａ及び第２行３５
Ｂにおいて図１（ａ）のロジックマトリクス３１をＸ方
向に走査して最大の欠陥信号のみを残していく。次に、
第２行３５Ｂ及び第３行３５Ｃにおいてロジックマトリ
クス３１をＸ方向に走査し、順次この動作を繰り返し
て、最終的に第６行３５Ｆ及び第７行３５Ｇにおいてロ
ジックマトリクス３１をＸ方向に走査して最大の欠陥信
号のみを残していく。

【００３１】この結果、図３（ｂ）に示すように、セル
Ｃ４の値が１００の欠陥信号とセルＣ５の値が１５０の
欠陥信号のみが欠陥データとして残る。従って、本実施
例によれば、異なる欠陥がセルを隔てて存在する場合
に、それら異なる欠陥を別の欠陥として判別できること
が分かる。しかし、上述の方法だけでは図４のような場
合に不都合が生じる。即ち、図４（ａ）は、レチクル上
の部分領域３６での欠陥信号の分布を示し、この部分領
域３６の第２行３８Ｂ及び第３行３８Ｃにおいて図１
（ａ）のロジックマトリクス３１をＸ方向に当てはめて
いくと、セルＣ７の欠陥信号のみ欠陥データとして残る
ことになる。しかしながら、実際には、図４においては
セルＣ７に比較的大きな異物が存在し、セルＣ７に斜め
方向に点Ａで隣接するセルＣ８に比較的小さな異物が存
在していることが示されている。なぜなら、図４ではセ
ルＣ７とセルＣ８とに２次元的な欠陥信号のピークが存
在し、点ＡでセルＣ７及びセルＣ８とは異なる方向に隣
接する２つのセルの欠陥信号は０であるからである。

【００３２】そのため、第２実施例として図５に示すロ
ジックマトリクス３７を考える。この実施例のロジック
マトリクス３７もＸ方向に２個でＹ方向に２個の、合計
で４個のセル３７ａ〜３７ｄからなる。そして、本実施
例では、ロジックマトリクス３７において、欠陥信号の
対角成分が０のときは最大値の選択を行わないようにす
る。即ち、セル３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄの欠陥
信号をそれぞれＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤとすると、ＳＡ
＝０且つＳＤ＝０のとき、あるいはＳＢ＝０且つＳＣ＝
０のとき（これらはそれぞれＳＡ＋ＳＤ＝０、又はＳＢ
＋ＳＣ＝０とも書き換えられる）、他のセルの０以外の
欠陥信号をそのまま欠陥データとして残す。また、ＳＡ
＋ＳＤ＝０、又はＳＢ＋ＳＣ＝０が成立しない場合に
は、第１実施例と同様に中で最大の欠陥信号のみを残す
ようにする。

【００３３】このロジックマトリクス３７で図４の部分
領域３６の第２行３８Ｂ及び第３行Ｓ８ＣをＸ方向に走
査すると、図６に示すように、セルＣ７の欠陥信号とセ
ルＣ８の欠陥信号とがそのまま残り、斜め隣接するセル
上の異なる欠陥が別の欠陥として判別されることが分か
る。なお、上述実施例の手法を適用する際に、例えばレ
チクル上の１００ｍｍ×１００ｍｍの検査領域を１ｍｍ
角のセルに分割して欠陥信号を得るものとすると、合計
で１００００個のセルが有ることになる。この全てのセ
ルに対し順次２×２個のセルよりなるロジックマトリク
ス３１（又は３７）を当てはめると大変時間がかかる。
つまり、ロジックマトリクス３１（又は３７）の４つの
セル（例えば図５の４個のセル３７ａ〜３７ｄ）の全て
の欠陥信号が０であるところは無視したほうが処理時間
が短い。そこで、異物等の欠陥ありと判断した最初のセ
ルに対してのみロジックマトリクス３１（又は３７）を
当てはめるように選択する手段を設けるとよい。この場
合、極端な例であるが、異物が一つも存在しない場合は
ロジックマトリクスを当てはめることなく、それがその
まま欠陥データ（欠陥が１つもないというデータ）にな
る。

【００３４】なお、ロジックマトリクス３１（又は３
７）による欠陥信号の除去は、レチクル１の全面の光ビ
ーム走査終了後、記憶部に格納したデータを読み出して
から行ってもよいが、光ビーム走査と同時にセル単位で
検査が終了する都度に行ってもよい。また、上述実施例
では２×２個のロジックマトリクスを使用しているが、
そのロジックマトリクスは容易にＸ方向にＮ個でＹ方向
にＭ個のセルよりなるロジックマトリクスに拡張でき
る。このように、本発明は上述実施例に限定されず、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、隣接したセルの欠陥信
号から最大の欠陥信号を残すようにしているため、大き
な欠陥が存在する場合でも、隣接するセルの境界部に欠
陥が存在する場合でも、それぞれ１個の欠陥として判別
できる利点がある。また、Ｎ×Ｍ個のセル内で欠陥信号
の内の最大の欠陥信号を残すようにした場合には、Ｎ×
Ｍ個のセル程度の大きさの欠陥を効率的に１個の欠陥と
して判別できる。

【００３６】また、そのＮ×Ｍ個のセルを第１の方向及
び第２の方向に走査して、それぞれ内部の最大の欠陥信
号を残す場合には、被検面の全面で効率的に欠陥検出を
行うことができる。また、Ｎ×Ｍ個のセルが２×２個の
セルである場合には、１個のセルを隔てて存在する２個
の欠陥を別の欠陥として判別でき、欠陥の検出分解能が
良好である。

【００３７】また、２×２個のセルの一方の対角線上の
２個のセルの欠陥信号が共に所定の検出閾値以下のとき
には、他方の対角線上の２個のセルの欠陥信号をそのま
ま残す場合には、斜め方向に隣接するセルに存在する異
なる欠陥を別の欠陥として識別できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１実施例のロジックマトリ
クスを示す図、（ｂ）は第１実施例での処理対象の一例
を示す図である。

【図２】図１（ｂ）の処理対象に対して図１（ａ）のロ
ジックマトリクスの処理を施す動作の説明図である。

【図３】（ａ）は第１の実施例での別の処理対象を示す
図、（ｂ）は図３（ａ）の処理対象に対して図１（ａ）
のロジックマトリクスの処理を施した結果を示す図であ
る。

【図４】斜め方向に隣接するセルに異なる欠陥が位置す
る場合の欠陥信号の分布を示す図である。

【図５】本発明の第２実施例のロジックマトリクスを示
す図である。

【図６】図４の処理対象に対して図５のロジックマトリ
クスの処理を施した結果を示す図である。

【図７】従来の欠陥検査装置の一例を示す一部斜視図を
含む構成図である。

【図８】図７の装置の欠陥検出欠陥のＣＲＴディスプレ
イ上のマップ表示例を示す図である。

【図９】従来の欠陥検査装置の他の例を示す一部斜視図
を含む構成図である。

【図１０】図９の装置の欠陥検出欠陥のＣＲＴディスプ
レイ上のマップ表示例を示す図である。

【符号の説明】

１レチクル２ステージ５信号処理装置Ｃ（１，１）、Ｃ（１，２）、… セルＰ（１，１）、Ｐ（１，２）、… 表示セル１３光電検出器２３１次元撮像素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被検物の被検面を第１の方向及び該第１
の方向に交差する第２の方向にそれぞれ所定ピッチで複
数個のセルに分割すると共に、前記被検面上に検査用の
光を照射し、前記被検面上の欠陥からの散乱光を光電変
換して得られる光電信号の大きさに基づいて、前記欠陥
が位置する前記セルのそれぞれに欠陥信号を割り当て、
該欠陥信号を前記被検面の欠陥検査の結果として表示す
る欠陥表示方法において、前記第１の方向と前記第２の方向との少なくとも一方に
隣接した複数個のセルに前記欠陥信号が割り当てられた
場合には、該隣接した複数個のセルに割り当てられた前
記欠陥信号の内の最大の欠陥信号のみを前記欠陥検査の
結果として表示することを特徴とする欠陥表示方法。
【請求項２】前記第１の方向にＮ個（Ｎは２以上の整
数）で前記第２の方向にＭ個（Ｍは２以上の整数）の前
記セルよりなるＮ×Ｍ個のセル内で前記欠陥信号の内の
最大の欠陥信号を残すことを特徴とする請求項１記載の
欠陥表示方法。
【請求項３】前記Ｎ×Ｍ個のセルを前記第１の方向及
び前記第２の方向に走査して、それぞれ内部の最大の欠
陥信号を残すことを特徴とする請求項２記載の欠陥表示
方法。
【請求項４】前記Ｎ×Ｍ個のセルは２×２個のセルで
あることを特徴とする請求項２又は３記載の欠陥表示方
法。
【請求項５】前記２×２個のセルの一方の対角線上の
２個のセルの前記欠陥信号が共に所定の検出閾値以下の
ときには、他方の対角線上の２個のセルの前記欠陥信号
をそのまま残すことを特徴とする請求項４記載の欠陥表
示方法。