JPH07105595B2 - 絶縁層の形成方法 - Google Patents
絶縁層の形成方法Info
- Publication number
- JPH07105595B2 JPH07105595B2 JP16202090A JP16202090A JPH07105595B2 JP H07105595 B2 JPH07105595 B2 JP H07105595B2 JP 16202090 A JP16202090 A JP 16202090A JP 16202090 A JP16202090 A JP 16202090A JP H07105595 B2 JPH07105595 B2 JP H07105595B2
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- Japan
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- insulating layer
- heating
- coating
- drying
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 感光性ポリイミドを塗布，乾燥および露光，現像を繰り
返すことで所定の膜厚の絶縁層を形成する絶縁層の形成
方法に関し、 多層基板の製造に際して、熱によるダメージを極力軽減
させることを目的とし、 基板の積層面に感光性ポリイミドを塗布する塗布工程
と、塗布された塗布面を乾燥する乾燥工程と、該乾燥工
程によって乾燥された該塗布面に露光マスクを重ねるこ
とで露光し，露光後現像行う露光，現像工程と、該露
光，現像後、該感光性ポリイミドを硬化させるベーク工
程より低い温度によって該塗布面を加熱する中間加熱工
程とを複数回繰り返すことで複数の膜を積層し、積層さ
れた該膜を該ベーク工程によって加熱することで該積層
面に所定厚の絶縁層を形成するようにしたものである。
返すことで所定の膜厚の絶縁層を形成する絶縁層の形成
方法に関し、 多層基板の製造に際して、熱によるダメージを極力軽減
させることを目的とし、 基板の積層面に感光性ポリイミドを塗布する塗布工程
と、塗布された塗布面を乾燥する乾燥工程と、該乾燥工
程によって乾燥された該塗布面に露光マスクを重ねるこ
とで露光し，露光後現像行う露光，現像工程と、該露
光，現像後、該感光性ポリイミドを硬化させるベーク工
程より低い温度によって該塗布面を加熱する中間加熱工
程とを複数回繰り返すことで複数の膜を積層し、積層さ
れた該膜を該ベーク工程によって加熱することで該積層
面に所定厚の絶縁層を形成するようにしたものである。
〔産業上の利用分野〕 本発明は感光性ポリイミドを塗布，乾燥および露光，現
像を繰り返すことで所定の膜厚の絶縁層を形成する絶縁
層の形成方法に関する。
像を繰り返すことで所定の膜厚の絶縁層を形成する絶縁
層の形成方法に関する。
最近、電子機器に用いられるプリント基板は多層化さ
れ、半導体素子などの電子部品の高密度実装化が図られ
るようになった。
れ、半導体素子などの電子部品の高密度実装化が図られ
るようになった。
このようなプリント基板の多層化では、基板の積層面に
導電層と、絶縁層とを交互に積層することで形成され
る。
導電層と、絶縁層とを交互に積層することで形成され
る。
また、このような絶縁層は、導電層に於けるインピーダ
ンスなどの電気特性を所定の値に維持させるため、所定
の厚みに形成する必要が生じる。
ンスなどの電気特性を所定の値に維持させるため、所定
の厚みに形成する必要が生じる。
したがって、このような多層化に於いては、絶縁層の厚
みが所定の値になるように製造されることが要求され
る。
みが所定の値になるように製造されることが要求され
る。
従来は、第４図の（ａ）〜（ｇ）の従来の製造工程図に
示すように製造されていた。
示すように製造されていた。
第４図の（ａ）に示すように、セラミック材などから成
る基板１の導電層３が形成された積層面1Aにエステル化
結合形またはイオン結合形の感光性ポリイミド４を滴下
し、例えば、スピンコートによって（ｂ）に示すよう
に、積層面1Aに感光性ポリイミド４を所定の厚みになる
ように塗布する。
る基板１の導電層３が形成された積層面1Aにエステル化
結合形またはイオン結合形の感光性ポリイミド４を滴下
し、例えば、スピンコートによって（ｂ）に示すよう
に、積層面1Aに感光性ポリイミド４を所定の厚みになる
ように塗布する。
このように塗布した基板１を約80℃の温度で、1.5H加熱
する（この場合の加熱時間は基板１の熱容量によって増
減される）乾燥後は、（ｃ）に示すように、露光マスク
５を重ね、光Ｌを照射させることで露光を行い、この露
光により光Ｌの照射された個所は溶解し難くなる。
する（この場合の加熱時間は基板１の熱容量によって増
減される）乾燥後は、（ｃ）に示すように、露光マスク
５を重ね、光Ｌを照射させることで露光を行い、この露
光により光Ｌの照射された個所は溶解し難くなる。
従って、露光後、NMP溶媒によって現像することで光の
照射されなかった個所がNMP溶媒によって溶解され、
（ｄ）に示すように、導電層３を覆う膜2Aに貫通穴2Cが
形成される。
照射されなかった個所がNMP溶媒によって溶解され、
（ｄ）に示すように、導電層３を覆う膜2Aに貫通穴2Cが
形成される。
次に、ベーク工程によって加熱することで、膜2Aを硬化
させる。
させる。
このようなベーク工程による加熱は、通常、第５図のベ
ーク工程の加熱温度グラフに示すように、始めに約200
℃の加熱を約1.5H行うの低温加熱と、最後に、約350
〜400℃を約1.5H行うの高温加熱とが行われ、膜2Aを
硬化させ、厚みt1に形成することが行われる。
ーク工程の加熱温度グラフに示すように、始めに約200
℃の加熱を約1.5H行うの低温加熱と、最後に、約350
〜400℃を約1.5H行うの高温加熱とが行われ、膜2Aを
硬化させ、厚みt1に形成することが行われる。
このように形成された膜2Aには、更に、（ｅ）に示すよ
うに、感光性ポリイミド４を滴下し、（ｆ）にし召すよ
うに膜2Aが形成された積層面1Aに、前述と同様に感光性
ポリイミド４を塗布し、乾燥後、露光，現像し、更に、
ベーク工程により、（ｇ）に示すように、膜2Aの上層に
厚みt1の膜2Bを積層することで厚みｔの絶縁層２の形成
を行う。
うに、感光性ポリイミド４を滴下し、（ｆ）にし召すよ
うに膜2Aが形成された積層面1Aに、前述と同様に感光性
ポリイミド４を塗布し、乾燥後、露光，現像し、更に、
ベーク工程により、（ｇ）に示すように、膜2Aの上層に
厚みt1の膜2Bを積層することで厚みｔの絶縁層２の形成
を行う。
このような塗布された感光性ポリイミド４を露光，現像
により所定個所を除去することは、塗膜が厚くなると露
光，現像による除去が困難となり、従って、露光，現像
による除去が可能な塗膜の厚みには限界がある。
により所定個所を除去することは、塗膜が厚くなると露
光，現像による除去が困難となり、従って、露光，現像
による除去が可能な塗膜の厚みには限界がある。
そこで、通常では、露光，現像を確実に行うよう塗膜の
厚みとしては約20μｍにすることが行われている。
厚みとしては約20μｍにすることが行われている。
しかし、実際には、ベーク工程による硬化によって、塗
膜の厚みが収縮され、膜2Aに形成された時の厚みt1は半
減することになる。
膜の厚みが収縮され、膜2Aに形成された時の厚みt1は半
減することになる。
そこで、第６図の従来の製造フローチャート図に示すよ
うに、基板１の積層面1Aに感光性ポリイミド４を塗布す
る塗布工程Ａ、塗布された感光性ポリイミド４を乾燥す
る乾燥工程Ｂ、乾燥した塗膜に露光マスク５を重ねるこ
とで露光し、NMP溶媒によって現像する露光，現像工程
Ｃおよび所定の温度によって加熱を行うベーク工程Ｅを
ｎ回繰り返すことで、t1×ｎにより所定の厚みｔとなる
絶縁層２を形成することが行われていた。
うに、基板１の積層面1Aに感光性ポリイミド４を塗布す
る塗布工程Ａ、塗布された感光性ポリイミド４を乾燥す
る乾燥工程Ｂ、乾燥した塗膜に露光マスク５を重ねるこ
とで露光し、NMP溶媒によって現像する露光，現像工程
Ｃおよび所定の温度によって加熱を行うベーク工程Ｅを
ｎ回繰り返すことで、t1×ｎにより所定の厚みｔとなる
絶縁層２を形成することが行われていた。
このような塗布工程Ａ、乾燥工程Ｂ、露光，現像工程Ｃ
およびベーク工程Ｅを繰り返し行うことで所定の厚みｔ
となる絶縁層２を形成することでは、導電層３と絶縁層
２とを複数積層する多層基板の製造を行う場合は、基板
１および下層に対して、ベーク工程Ｅによる高温加熱が
繰り返し加えられることになる。
およびベーク工程Ｅを繰り返し行うことで所定の厚みｔ
となる絶縁層２を形成することでは、導電層３と絶縁層
２とを複数積層する多層基板の製造を行う場合は、基板
１および下層に対して、ベーク工程Ｅによる高温加熱が
繰り返し加えられることになる。
したがって、基板１および下層の導電層３と絶縁層２と
が熱によるストレスを受けることになり、熱によるスト
レスにより剥離，断線，劣化などの障害が発生する問題
を有していた。
が熱によるストレスを受けることになり、熱によるスト
レスにより剥離，断線，劣化などの障害が発生する問題
を有していた。
そこで、本発明では、多層基板の製造に際して、熱によ
るダメージを極力軽減させることを目的とする。
るダメージを極力軽減させることを目的とする。
第１図は本発明の原理説明図である。
第１図に示すように、基板１の積層面1Aに感光性ポリイ
ミド４を塗布する塗布工程Ａと、塗布された塗布面を乾
燥する乾燥工程Ｂと、該乾燥工程Ｂによって乾燥された
該塗布面に露光マスク５を重ねることで露光し，露光後
現像行う露光，現像工程Ｃと、該露光，現像後、該感光
性ポリイミド４を硬化させるベーク工程Ｅより低い温度
によって該塗布面を加熱する中間加熱工程Ｄとを複数
（ｎ）回繰り返すことで複数の膜を積層し、積層された
該膜を該ベーク工程Ｅによって加熱することで該積層面
1Aに所定厚ｔの絶縁層２を形成するようにしたものであ
る。
ミド４を塗布する塗布工程Ａと、塗布された塗布面を乾
燥する乾燥工程Ｂと、該乾燥工程Ｂによって乾燥された
該塗布面に露光マスク５を重ねることで露光し，露光後
現像行う露光，現像工程Ｃと、該露光，現像後、該感光
性ポリイミド４を硬化させるベーク工程Ｅより低い温度
によって該塗布面を加熱する中間加熱工程Ｄとを複数
（ｎ）回繰り返すことで複数の膜を積層し、積層された
該膜を該ベーク工程Ｅによって加熱することで該積層面
1Aに所定厚ｔの絶縁層２を形成するようにしたものであ
る。
このように形成することによって前述の課題は解決され
る。
る。
即ち、塗布工程Ａと、該乾燥工程Ｂと、露光，現像工程
Ｃと、中間加熱工程Ｄとを複数回繰り返すことで複数の
膜を積層し、最後に高い温度によって加熱を行うベーク
工程Ｅにより、所定の厚みｔの絶縁層２を形成するよう
にしたものである。
Ｃと、中間加熱工程Ｄとを複数回繰り返すことで複数の
膜を積層し、最後に高い温度によって加熱を行うベーク
工程Ｅにより、所定の厚みｔの絶縁層２を形成するよう
にしたものである。
この場合、繰り返して加熱される温度は、ベーク工程Ｅ
より低い温度によって加熱されるため、熱によるストレ
スを減少させることができる。
より低い温度によって加熱されるため、熱によるストレ
スを減少させることができる。
したがって、多層基板の製造に際して、従来のような熱
によるストレスにより既に積層された絶縁層２を剥離さ
せたり、または、導電層３を断線させるようなことがな
くなり、品質の向上が図れる。
によるストレスにより既に積層された絶縁層２を剥離さ
せたり、または、導電層３を断線させるようなことがな
くなり、品質の向上が図れる。
以下本発明を第２図および第３図を参考に詳細に説明す
る。第２図は本発明による一実施例の製造フローチャー
ト図，第３図は本発明の中間加熱工程の加熱温度グラフ
である。全図を通じて、同一符号は同一対象物を示す。
る。第２図は本発明による一実施例の製造フローチャー
ト図，第３図は本発明の中間加熱工程の加熱温度グラフ
である。全図を通じて、同一符号は同一対象物を示す。
第２図に示すように、基板１の積層面1Aに感光性ポリイ
ミド４を塗布する塗布工程Ａ後、塗布した塗布面を約80
℃の温度で1.5H乾燥する乾燥工程Ｂを行い、乾燥後は、
露光マスク５を重ねることで露光を行い、NMP溶媒によ
って現像することで光の照射されなかった個所をNMP溶
媒によって溶解する露光，現像工程Ｃにより導電層３を
覆う膜2Aを形成し、更に、膜2Aを半硬化させるよう中間
加熱工程Ｄによる加熱を行う。
ミド４を塗布する塗布工程Ａ後、塗布した塗布面を約80
℃の温度で1.5H乾燥する乾燥工程Ｂを行い、乾燥後は、
露光マスク５を重ねることで露光を行い、NMP溶媒によ
って現像することで光の照射されなかった個所をNMP溶
媒によって溶解する露光，現像工程Ｃにより導電層３を
覆う膜2Aを形成し、更に、膜2Aを半硬化させるよう中間
加熱工程Ｄによる加熱を行う。
このような塗布工程Ａと、乾燥工程Ｂと、露光，現像工
程Ｃと、中間加熱工程Ｄとをｎ回繰り返し、複数の膜2A
を積層したものをベーク工程Ｅによる加熱によって、そ
れぞれの積層された膜2Aを硬化させ、所定の厚みｔの絶
縁層２を形成するようにしたものである。
程Ｃと、中間加熱工程Ｄとをｎ回繰り返し、複数の膜2A
を積層したものをベーク工程Ｅによる加熱によって、そ
れぞれの積層された膜2Aを硬化させ、所定の厚みｔの絶
縁層２を形成するようにしたものである。
また、この場合の中間加熱工程Ｄによる加熱は第３図に
示したように、約200℃を1.5H加えるようにしたもので
あり、感光性ポリイミド４に含まれるNMP溶媒の沸点は1
80℃であるため、このように約200℃の加熱によりNMP溶
媒を蒸発させることでポリイミド基を半閉環状態にする
ことが行え、感光性ポリイミド４を半硬化させることが
できる。
示したように、約200℃を1.5H加えるようにしたもので
あり、感光性ポリイミド４に含まれるNMP溶媒の沸点は1
80℃であるため、このように約200℃の加熱によりNMP溶
媒を蒸発させることでポリイミド基を半閉環状態にする
ことが行え、感光性ポリイミド４を半硬化させることが
できる。
このような半硬化させると露光，現像工程Ｃによって溶
解されることがないので、更に、上層に膜2Aを積層させ
ることを容易に行える。
解されることがないので、更に、上層に膜2Aを積層させ
ることを容易に行える。
したがって、従来のような膜2Aを完全に硬化させるよう
ベーク工程Ｅによる350〜400℃の高温の加熱を行うこと
なく、低い200℃の温度の加熱により複数の膜2Aの積層
することができ、基板１および下層の絶縁層２と導電層
３と於ける熱ストレスを減少させることが行える。
ベーク工程Ｅによる350〜400℃の高温の加熱を行うこと
なく、低い200℃の温度の加熱により複数の膜2Aの積層
することができ、基板１および下層の絶縁層２と導電層
３と於ける熱ストレスを減少させることが行える。
以上説明したように、本発明によれば、感光性ポリイミ
ドの塗布、乾燥、露光，現像および加熱を繰り返すこと
で複数の膜を積層することが低い温度の加熱によって行
える。
ドの塗布、乾燥、露光，現像および加熱を繰り返すこと
で複数の膜を積層することが低い温度の加熱によって行
える。
したがって、従来のような多層基板の製造に際して、熱
ストレスによって生じる剥離、断線などの障害を防ぐこ
とができ、品質の向上が図れ、実用的効果は大である。
ストレスによって生じる剥離、断線などの障害を防ぐこ
とができ、品質の向上が図れ、実用的効果は大である。
第１図は本発明の原理説明図， 第２図は本発明による一実施例の製造フローチャート
図， 第３図は本発明の中間加熱工程の加熱温度グラフ， 第４図の（ａ）〜（ｇ）は従来の製造工程図， 第５図はベーク工程の加熱温度グラフ， 第６図は従来の製造フローチャート図を示す。 図において、 Ａは塗布工程,Bは乾燥工程,Cは露光，現像工程,Dは中間
加熱工程,Eはベーク工程,1は基板,2は絶縁層,1Aは積層
面を示す。
図， 第３図は本発明の中間加熱工程の加熱温度グラフ， 第４図の（ａ）〜（ｇ）は従来の製造工程図， 第５図はベーク工程の加熱温度グラフ， 第６図は従来の製造フローチャート図を示す。 図において、 Ａは塗布工程,Bは乾燥工程,Cは露光，現像工程,Dは中間
加熱工程,Eはベーク工程,1は基板,2は絶縁層,1Aは積層
面を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】基板（１）の積層面（1A）に感光性ポリイ
ミドを塗布する塗布工程（Ａ）と、塗布された塗布面を
乾燥する乾燥工程（Ｂ）と、該乾燥工程（Ｂ）によって
乾燥された該塗布面に露光マスクを重ねることで露光
し，露光後現像行う露光，現像工程（Ｃ）と、該露光，
現像後、該感光性ポリイミド（４）を硬化させるベーク
工程（Ｅ）より低い温度によって該塗布面を加熱する中
間加熱工程（Ｄ）とを複数（ｎ）回繰り返すことで複数
の膜を積層し、積層された該膜を該ベーク工程（Ｅ）に
よって加熱することで該積層面（1A）に所定厚（ｔ）の
絶縁層（２）を形成することを特徴とする絶縁層の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16202090A JPH07105595B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 絶縁層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16202090A JPH07105595B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 絶縁層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453297A JPH0453297A (ja) | 1992-02-20 |
| JPH07105595B2 true JPH07105595B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=15746538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16202090A Expired - Fee Related JPH07105595B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 絶縁層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105595B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4096962B2 (ja) | 2004-08-20 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 多層構造形成方法、配線基板および電子機器の製造方法 |
| JP4506809B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 多層構造形成方法、配線基板および電子機器の製造方法 |
| CN115016229B (zh) * | 2022-06-13 | 2023-04-11 | 明士(北京)新材料开发有限公司 | 一种光刻胶低温固化厚膜的制备方法 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP16202090A patent/JPH07105595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453297A (ja) | 1992-02-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |