JPH07100686A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
- Publication number
- JPH07100686A JPH07100686A JP5244906A JP24490693A JPH07100686A JP H07100686 A JPH07100686 A JP H07100686A JP 5244906 A JP5244906 A JP 5244906A JP 24490693 A JP24490693 A JP 24490693A JP H07100686 A JPH07100686 A JP H07100686A
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- JP
- Japan
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- laser beam
- mask
- excimer laser
- oscillator
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- Pending
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- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定してレーザ光を発振することができ、良
好に加工することができるレーザ加工装置を提供するこ
と。 【構成】 レーザ発振器1から発振されたエキシマレー
ザビーム2は、ミラー3aによって光軸が変えられ、ビ
ームエキスパンダー4によって所望の大きさに形成さ
れ、ミラー3bによって光軸が変えられ、フィールドレ
ンズ6を介して、マスク12にいたる。そして、エキシ
マレーザビーム2は、マスク12のマスクパターン部分
で反射されるエキシマレーザビーム24と、マスク12
の合成石英基板を透過するエキシマレーザビーム25と
にわかれる。マスク12で反射されたエキシマレーザビ
ーム24は、光軸が変えられて、結像光学系7に導びか
れ、被加工物9に照射され、被加工物9を加工する。ま
た、マスク12を透過したエキシマレーザビーム25
は、レーザ用ダンパー11に吸収される。
好に加工することができるレーザ加工装置を提供するこ
と。 【構成】 レーザ発振器1から発振されたエキシマレー
ザビーム2は、ミラー3aによって光軸が変えられ、ビ
ームエキスパンダー4によって所望の大きさに形成さ
れ、ミラー3bによって光軸が変えられ、フィールドレ
ンズ6を介して、マスク12にいたる。そして、エキシ
マレーザビーム2は、マスク12のマスクパターン部分
で反射されるエキシマレーザビーム24と、マスク12
の合成石英基板を透過するエキシマレーザビーム25と
にわかれる。マスク12で反射されたエキシマレーザビ
ーム24は、光軸が変えられて、結像光学系7に導びか
れ、被加工物9に照射され、被加工物9を加工する。ま
た、マスク12を透過したエキシマレーザビーム25
は、レーザ用ダンパー11に吸収される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ加工装置に関す
るものである。
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来のレーザ加工装置を、図3を用いて
説明する。レーザ発振器1より出たエキシマレーザビー
ム2は、ミラー3a、3b、3cによって、加工テーブ
ル8にいたる光路が形成される。ミラー3aとミラー3
bとの間の光路には、エキシマレーザビーム2を所望の
サイズに拡大するビームエキスパンダー4が設けられて
いる。ミラー3bとミラー3cとの間の光路には、エキ
シマレーザビーム2を開けようとする穴に対応した形状
にするためのマスク5が設けられており、またマスク5
の下流には、マスク5を通過したマスク像を結像光学系
7に導くためのフィールドレンズ6が設けられている。
前記結像光学系7は、加工テーブル8に置かれた被加工
物9にマスク5を透過したエキシマレーザビーム2を所
定の大きさに絞り込むためのものであり、ミラー3cと
加工テーブル8との間に設けられている。
説明する。レーザ発振器1より出たエキシマレーザビー
ム2は、ミラー3a、3b、3cによって、加工テーブ
ル8にいたる光路が形成される。ミラー3aとミラー3
bとの間の光路には、エキシマレーザビーム2を所望の
サイズに拡大するビームエキスパンダー4が設けられて
いる。ミラー3bとミラー3cとの間の光路には、エキ
シマレーザビーム2を開けようとする穴に対応した形状
にするためのマスク5が設けられており、またマスク5
の下流には、マスク5を通過したマスク像を結像光学系
7に導くためのフィールドレンズ6が設けられている。
前記結像光学系7は、加工テーブル8に置かれた被加工
物9にマスク5を透過したエキシマレーザビーム2を所
定の大きさに絞り込むためのものであり、ミラー3cと
加工テーブル8との間に設けられている。
【0003】そして、レーザ発振器1から発振されたエ
キシマレーザビーム2は、ミラー3a、ビームエキスパ
ンダー4、ミラー3bを介してマスク5にいたり、その
マスク5を透過することによって、所望の形状にされ
る。そのマスクを透過したエキシマレーザビーム20
は、フィールドレンズ6、ミラー3c、結像光学系7を
介して、加工テーブル8上に設置された被加工物9に照
射されて、被加工物9が加工される。
キシマレーザビーム2は、ミラー3a、ビームエキスパ
ンダー4、ミラー3bを介してマスク5にいたり、その
マスク5を透過することによって、所望の形状にされ
る。そのマスクを透過したエキシマレーザビーム20
は、フィールドレンズ6、ミラー3c、結像光学系7を
介して、加工テーブル8上に設置された被加工物9に照
射されて、被加工物9が加工される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マスク
5を透過しなかったエキシマレーザビーム2は、マスク
5によって反射されて、図3中一点鎖線で示すように、
光路を逆戻りする。このため、逆戻りするエキシマレー
ザビーム15が集光して途中のミラー3b、3aに損傷
をあたえて、良好にエキシマレーザビーム2を反射でき
なくなって、エキシマレーザビーム2のエネルギーが低
下して、加工が良好に行われなくなったり、逆戻りする
エキシマレーザビーム15がレーザ発振器1に達してレ
ーザ発振器1を破損して、エキシマレーザビーム2を発
振できなくしたりするといった問題があった。
5を透過しなかったエキシマレーザビーム2は、マスク
5によって反射されて、図3中一点鎖線で示すように、
光路を逆戻りする。このため、逆戻りするエキシマレー
ザビーム15が集光して途中のミラー3b、3aに損傷
をあたえて、良好にエキシマレーザビーム2を反射でき
なくなって、エキシマレーザビーム2のエネルギーが低
下して、加工が良好に行われなくなったり、逆戻りする
エキシマレーザビーム15がレーザ発振器1に達してレ
ーザ発振器1を破損して、エキシマレーザビーム2を発
振できなくしたりするといった問題があった。
【0005】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、安定してレーザ光を発振するこ
とができ、被加工物を良好に加工することができるレー
ザ加工装置を提供することを目的としている。
になされたものであり、安定してレーザ光を発振するこ
とができ、被加工物を良好に加工することができるレー
ザ加工装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項1では、レーザ光を発振する発振器
と、前記発振器から発振されたレーザ光を、光軸を変
え、且つ被加工物に対して所望の形状に照射するため
に、前記レーザ光を反射する反射部分を有するマスクと
を備えている。
に本発明の請求項1では、レーザ光を発振する発振器
と、前記発振器から発振されたレーザ光を、光軸を変
え、且つ被加工物に対して所望の形状に照射するため
に、前記レーザ光を反射する反射部分を有するマスクと
を備えている。
【0007】請求項2では、前記反射部分は、前記レー
ザ光を透過する透過基板上に形成されたことを特徴とす
る。
ザ光を透過する透過基板上に形成されたことを特徴とす
る。
【0008】請求項3では、前記透過基板を透過したレ
ーザ光は、吸収手段によって吸収されることを特徴とす
る。
ーザ光は、吸収手段によって吸収されることを特徴とす
る。
【0009】請求項4では、前記反射部分は、誘電性材
料で形成されていることを特徴とする。
料で形成されていることを特徴とする。
【0010】
【作用】上記の構成を有する本発明のレーザ加工装置で
は、前記発振器から発振されたレーザ光は、前記マスク
の前記反射部分によって、反射されて光軸が変えられ、
且つ被加工物に所望の形状に照射されて、被加工物が加
工される。
は、前記発振器から発振されたレーザ光は、前記マスク
の前記反射部分によって、反射されて光軸が変えられ、
且つ被加工物に所望の形状に照射されて、被加工物が加
工される。
【0011】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面を
参照して説明する。但し、従来と同一の部材に付いて
は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
参照して説明する。但し、従来と同一の部材に付いて
は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【0012】図1はレーザ加工装置全体の構成を示す構
成図である。
成図である。
【0013】本実施例のレーザ加工機では、エキシマレ
ーザビーム2を発するレーザ発振器1より出たエキシマ
レーザビーム2は、ミラー3a、3b、マスク12によ
って、加工テーブル8にいたる光路が形成される。この
マスク12は、図2(b)に示すように、エキシマレー
ザビーム2を透過する透明な合成石英基板20上に、エ
キシマレーザビーム2を反射させるマスクパターン部分
23が設けられている。このマスク12は以下のように
製造される。まず図2(a)に示すように、透明な合成
石英基板20上に、酸化アルミニウム膜21と酸化ケイ
素膜22とを交互に18層形成し、次に図2(b)に示
すように、マスクパターン部分23のみ前記誘電多層膜
を残すように、電子ビーム等による薄膜除去装置で除去
する。
ーザビーム2を発するレーザ発振器1より出たエキシマ
レーザビーム2は、ミラー3a、3b、マスク12によ
って、加工テーブル8にいたる光路が形成される。この
マスク12は、図2(b)に示すように、エキシマレー
ザビーム2を透過する透明な合成石英基板20上に、エ
キシマレーザビーム2を反射させるマスクパターン部分
23が設けられている。このマスク12は以下のように
製造される。まず図2(a)に示すように、透明な合成
石英基板20上に、酸化アルミニウム膜21と酸化ケイ
素膜22とを交互に18層形成し、次に図2(b)に示
すように、マスクパターン部分23のみ前記誘電多層膜
を残すように、電子ビーム等による薄膜除去装置で除去
する。
【0014】図1に示すように、ミラー3aとミラー3
bとの間の光路にはビームエキスパンダー4が設けられ
ており、ミラー3bとマスク12との間の光路には、フ
ィールドレンズ6が設けられている。マスク12と加工
テーブル8との間に結像光学系7が設けられ、その結像
光学系7は加工テーブル8に置かれた被加工物9にマス
ク12を反射したエキシマレーザビーム21を所定の大
きさに絞り込むためのものである。尚、ミラー3a及び
ミラー3bによって、マスク12にいたるエキシマレー
ザビーム2の光軸位置を調節することができる。本実施
例では、被加工物9としてポリイミド樹脂とする。
bとの間の光路にはビームエキスパンダー4が設けられ
ており、ミラー3bとマスク12との間の光路には、フ
ィールドレンズ6が設けられている。マスク12と加工
テーブル8との間に結像光学系7が設けられ、その結像
光学系7は加工テーブル8に置かれた被加工物9にマス
ク12を反射したエキシマレーザビーム21を所定の大
きさに絞り込むためのものである。尚、ミラー3a及び
ミラー3bによって、マスク12にいたるエキシマレー
ザビーム2の光軸位置を調節することができる。本実施
例では、被加工物9としてポリイミド樹脂とする。
【0015】本実施例のレーザ加工機では、レーザ発振
器1から紫外線光である波長248nmのエキシマレー
ザビーム2が発振され、その発振されたエキシマレーザ
ビーム2は、ミラー3aによって光軸が変えられ、ビー
ムエキスパンダー4によって所望の大きさに形成され、
ミラー3bによって光軸が変えられ、フィールドレンズ
6を介して、マスク12にいたる。そして、エキシマレ
ーザビーム2は、マスク12のマスクパターン部分23
で反射されるエキシマレーザビーム23と、マスク12
の合成石英基板20を透過するエキシマレーザビーム2
5とにわかれる。マスクパターン部分23で反射された
エキシマレーザビーム24は、光軸が変えられ、結像光
学系7に導びかれ、被加工物9に照射され、被加工物9
を加工する。
器1から紫外線光である波長248nmのエキシマレー
ザビーム2が発振され、その発振されたエキシマレーザ
ビーム2は、ミラー3aによって光軸が変えられ、ビー
ムエキスパンダー4によって所望の大きさに形成され、
ミラー3bによって光軸が変えられ、フィールドレンズ
6を介して、マスク12にいたる。そして、エキシマレ
ーザビーム2は、マスク12のマスクパターン部分23
で反射されるエキシマレーザビーム23と、マスク12
の合成石英基板20を透過するエキシマレーザビーム2
5とにわかれる。マスクパターン部分23で反射された
エキシマレーザビーム24は、光軸が変えられ、結像光
学系7に導びかれ、被加工物9に照射され、被加工物9
を加工する。
【0016】また、マスク12の合成石英基板20を透
過したエキシマレーザビーム25は、レーザ用ダンパー
11に吸収される。このレーザ用ダンパー11のエキシ
マレーザビーム25が照射される部分には、被加工物9
より加工エネルギーが高い物質、本実施例では、金属や
セラミックスが配置されている。その金属やセラミック
スは、ポリイミド樹脂よりも加工エネルギーが高いた
め、ポリイミド樹脂を加工するためのエネルギーをもっ
たエキシマレーザビームが照射されても加工されず、熱
が発生する。また、レーザ用ダンパー11には、金属や
セラミックスに発生した熱を冷却するための冷却装置が
設けられている。また、加工テーブル8の被加工物9が
設置されている部分には、前記レーザ用ダンパーが設け
られている。
過したエキシマレーザビーム25は、レーザ用ダンパー
11に吸収される。このレーザ用ダンパー11のエキシ
マレーザビーム25が照射される部分には、被加工物9
より加工エネルギーが高い物質、本実施例では、金属や
セラミックスが配置されている。その金属やセラミック
スは、ポリイミド樹脂よりも加工エネルギーが高いた
め、ポリイミド樹脂を加工するためのエネルギーをもっ
たエキシマレーザビームが照射されても加工されず、熱
が発生する。また、レーザ用ダンパー11には、金属や
セラミックスに発生した熱を冷却するための冷却装置が
設けられている。また、加工テーブル8の被加工物9が
設置されている部分には、前記レーザ用ダンパーが設け
られている。
【0017】上述したレーザ加工装置では、レーザ発振
器1から発振されたエキシマレーザビーム2は、マスク
12のマスクパターン部分23によって光軸が変えら
れ、且つ所望の形状とされたエキシマレーザビーム24
と、マスク12の合成石英基板20を透過したエキシマ
レーザビーム25とに分けられ、エキシマレーザビーム
24は被加工物9に照射され、エキシマレーザビーム2
5はレーザ用ダンパー11に吸収されるので、従来のよ
うにマスク5(図3)で反射されて、レーザ発振器1側
へ逆戻りすることがない。このため、ミラー3a、3b
が損傷されなく、レーザ発振器1を破損することがな
い。従って、安定してエキシマレーザビーム2を発振す
ることができ、エキシマレーザビーム2のエネルギーを
ミラー3a、3bによって低下させることがなく被加工
物9に照射され、良好に加工が行われる。
器1から発振されたエキシマレーザビーム2は、マスク
12のマスクパターン部分23によって光軸が変えら
れ、且つ所望の形状とされたエキシマレーザビーム24
と、マスク12の合成石英基板20を透過したエキシマ
レーザビーム25とに分けられ、エキシマレーザビーム
24は被加工物9に照射され、エキシマレーザビーム2
5はレーザ用ダンパー11に吸収されるので、従来のよ
うにマスク5(図3)で反射されて、レーザ発振器1側
へ逆戻りすることがない。このため、ミラー3a、3b
が損傷されなく、レーザ発振器1を破損することがな
い。従って、安定してエキシマレーザビーム2を発振す
ることができ、エキシマレーザビーム2のエネルギーを
ミラー3a、3bによって低下させることがなく被加工
物9に照射され、良好に加工が行われる。
【0018】尚、本発明は上述した実施例にのみ限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において
種々の変更を加えても一向に差し支えない。例えば、本
実施例では、エキシマレーザビーム2を用いたが、他の
レーザ光であってもよい。
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において
種々の変更を加えても一向に差し支えない。例えば、本
実施例では、エキシマレーザビーム2を用いたが、他の
レーザ光であってもよい。
【0019】また、本実施例では、被加工物9に照射さ
れるエキシマレーザビーム24以外のエキシマレーザビ
ーム25はマスク12の合成石英基板20を透過して、
レーザ用ダンパー11に吸収されていたが、被加工物9
に照射されるエキシマレーザビーム24以外のエキシマ
レーザビームを、被加工物9方向以外に光軸を変えるよ
うに反射して、レーザ用ダンパーに吸収させてもよい。
れるエキシマレーザビーム24以外のエキシマレーザビ
ーム25はマスク12の合成石英基板20を透過して、
レーザ用ダンパー11に吸収されていたが、被加工物9
に照射されるエキシマレーザビーム24以外のエキシマ
レーザビームを、被加工物9方向以外に光軸を変えるよ
うに反射して、レーザ用ダンパーに吸収させてもよい。
【0020】また、本実施例では、マスク12のマスク
パターン部分23が、酸化アルミニウム膜21と酸化ケ
イ素膜22とを交互に積層した誘電多層膜で形成されて
いたが、アルミやクロム等を蒸着させてマスクパターン
部分を形成してもよい。
パターン部分23が、酸化アルミニウム膜21と酸化ケ
イ素膜22とを交互に積層した誘電多層膜で形成されて
いたが、アルミやクロム等を蒸着させてマスクパターン
部分を形成してもよい。
【0021】
【発明の効果】以上説明したことから明かなように、本
発明のレーザ加工装置によれば、前記発振器から発振さ
れたレーザ光は、前記マスクの前記反射部分によって、
反射されて光軸が変えられ、且つ被加工物に所望の形状
に照射されるので、従来のようにマスクによって発振器
側にレーザ光が逆戻りすることがない。このため、発振
器を逆戻りレーザ光で損傷することがなく、安定してレ
ーザ光を発振することができ、良好に被加工物を加工す
ることができる。
発明のレーザ加工装置によれば、前記発振器から発振さ
れたレーザ光は、前記マスクの前記反射部分によって、
反射されて光軸が変えられ、且つ被加工物に所望の形状
に照射されるので、従来のようにマスクによって発振器
側にレーザ光が逆戻りすることがない。このため、発振
器を逆戻りレーザ光で損傷することがなく、安定してレ
ーザ光を発振することができ、良好に被加工物を加工す
ることができる。
【図1】本発明の一実施例のレーザ加工装置を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図2】前記実施例のレーザ加工装置に設置されたマス
クを示す説明図である。
クを示す説明図である。
【図3】従来例のレーザ加工装置を示す概略構成図であ
る。
る。
1 レーザ発振器 2 エキシマレーザビーム 4 ビームエキスパンダー 6 フィールドレンズ 7 結像光学系 9 被加工部材 11 レーザ用ダンパー 12 マスク 20 合成石英基板 21 酸化アルミニウム膜 22 酸化ケイ素膜 23 マスクパターン部分
Claims (4)
- 【請求項1】 レーザ光を発振する発振器と、 前記発振器から発振されたレーザ光を、光軸を変え、且
つ被加工物に対して所望の形状に照射するために、前記
レーザ光を反射する反射部分を有するマスクとを備えた
ことを特徴としたレーザ加工装置。 - 【請求項2】 前記反射部分は、前記レーザ光を透過す
る透過基板上に形成されたことを特徴とする請求項1記
載のレーザ加工装置。 - 【請求項3】 前記透過基板を透過したレーザ光は、吸
収手段によって吸収されることを特徴とする請求項2記
載のレーザ加工装置。 - 【請求項4】 前記反射部分は、誘電性材料で形成され
ていることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5244906A JPH07100686A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5244906A JPH07100686A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07100686A true JPH07100686A (ja) | 1995-04-18 |
Family
ID=17125728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5244906A Pending JPH07100686A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07100686A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345267A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2007043127A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 逐次的横方向結晶化用のマスク及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP5244906A patent/JPH07100686A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345267A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2007043127A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 逐次的横方向結晶化用のマスク及びその製造方法 |
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