JPH0696032A - 並列処理システム - Google Patents

並列処理システム

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JPH0696032A
JPH0696032A JP24752392A JP24752392A JPH0696032A JP H0696032 A JPH0696032 A JP H0696032A JP 24752392 A JP24752392 A JP 24752392A JP 24752392 A JP24752392 A JP 24752392A JP H0696032 A JPH0696032 A JP H0696032A
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JP24752392A
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Inventor
Teruo Tanaka
輝雄 田中
Yoshiko Tamaoki
由子 玉置
Yasuhiro Inagami
泰弘 稲上
Tadayuki Sakakibara
忠幸 榊原
Masanao Ito
昌尚 伊藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数のサブシステム間を結合する共有拡張記
憶上の共有データを各サブシステム内の主記憶に転送オ
ーバヘッド少なく取り込み、効率良い並列処理を実現す
る。 【構成】 主記憶110と命令プロセサ180と入出力
プロセサ190と局所拡張記憶112からなるサブシス
テムを複数設け、これらのサブシステム間を共有拡張記
憶300で接続し、並列システムを構成する。さらに、
非同期型命令で共有拡張記憶300から局所拡張記憶1
12に直接にデータを転送する手段を設ける。このデー
タ転送手段は、命令プロセサ180からの主記憶アクセ
スには影響を与えない。さらに、局所拡張記憶112か
ら主記憶110へのデータ転送は、共有拡張記憶300
から主記憶110より高速に行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、疎結合型マルチプロセ
サシステムに関して、特に大規模なデータを扱う処理の
高速化に関する。
【0002】
【従来の技術】近年スーパコンピュータの登場により科
学技術計算処理のニーズは高まり、より大規模に、より
高速にとその要求はとどまるところをしらない。前者の
大規模化に対して、たとえば日立製作所のスーパコンピ
ュータHITAC S−820では、計算機システム内
に主記憶より容量の大きい拡張記憶装置(局所拡張記憶
装置)を備えている。この拡張記憶装置上の大規模デー
タを分割し、分割された部分データごとに、主記憶装置
上に読込み、演算処理を行い、その結果をまた拡張記憶
装置に書出すことを繰り返すことにより、主記憶装置の
容量を越える大規模なデータを扱う計算を可能としてい
る。
【0003】後者の高速化に関しては、1台の命令プロ
セサの高速化のみでなく、複数の命令プロセサを同時に
動作させる並列処理が一般化しつつある。この並列処理
をさらに拡張したひとつの構成方式として、主記憶装置
とその主記憶装置を共有する1台以上の命令プロセサお
よび1台以上の入出力プロセサからなるサブシステムを
複数用意し、そのサブシステム間を拡張記憶装置(共有
拡張記憶装置)で接続するシステムが特開平1−783
61に開示されている。この拡張記憶装置上に複数のサ
ブシステム間で共有するデータ群を保持し、複数のサブ
システムを用いた並列処理を可能とする。
【0004】ここで、各サブシステム内の拡張記憶装置
を局所拡張記憶装置、サブシステム間を接続する拡張記
憶装置を共有拡張記憶装置と呼ぶ。これらの拡張記憶装
置に対しては、命令プロセサで行う同期型命令あるいは
入出力プロセサで行う非同期型命令でアクセスすること
ができる。
【0005】これまでに示した2種の拡張記憶装置を比
較する。後者の共有拡張記憶装置は各サブシステムから
アクセスすることが可能であるが、各サブシステムと独
立に実装されるため、各サブシステム内の主記憶装置あ
るいは命令プロセサと疎な結合となる。それに対して、
前者の局所拡張記憶装置は各サブシステム内にあり、主
記憶装置あるいはサブシステム内の命令プロセサと密に
結合することができるため、共有拡張記憶装置より高速
にアクセスすることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】複数のサブシステムを
用いて並列処理を行う場合、サブシステム間の共有デー
タは、共有拡張記憶に配置する。各サブシステムは必要
な共有データを共有拡張記憶から読み出し、主記憶に配
置し、命令プロセサで演算処理を行い、その結果を共有
データとして主記憶から共有拡張記憶に書き戻す。この
時の各サブシステムの動作の例を図8(a)に示す。図8
(a)では、共有拡張記憶から主記憶へのデータ転送処理
(CM)、演算処理(E)、主記憶から共有拡張記憶へのデ
ータ転送処理(MC)の各処理を繰り返す。1回の繰り返
しで必要なそれぞれの処理量を、ここでは、相対的に、
1単位、8単位、1単位と仮定する。
【0007】図8(b)は、それぞれが1台の命令プロセ
サと入出力プロセサをもつ2つのサブシステム間で並列
処理を行う場合を示している。この時、2つのサブシス
テムからの共有拡張記憶へのアクセスは競合し、このア
クセスは逐次的に処理される。したがって、1回の繰り
返しに11単位の処理時間がかかる。したがって、台数
効果は1.5倍(=8*2/11)となる。
【0008】図8(c)では、共有拡張記憶へのアクセス
を入出力プロセサが非同期命令を用いて行い、演算処理
とオーバラップさせる場合を示している。ここで、次の
2つを仮定する。(1)非同期命令は同期命令より2倍の
時間がかかる、(2)非同期命令による主記憶アクセスの
ため、命令プロセサによる主記憶アクセスに影響があ
り、演算処理(E)とデータ転送処理((CM)あるいは(M
C))がオーバラップする範囲の処理時間が1.5倍に伸
びる。このため、1回の繰返しは10単位の処理とな
り、このときの台数効果は1.6倍(=8*2/10)と
なる。したがって、ただ単に共有拡張記憶へのアクセス
を同期型命令から非同期型命令にしただけでは、ほとん
ど性能向上を図ることができない。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
には、(手段1)共有拡張記憶と局所拡張記憶との間に専
用のデータ転送手段を設け、命令プロセサの主記憶アク
セスに影響させずに、入出力プロセサが実行する非同期
処理で共有拡張記憶上の必要な共有データを局所拡張記
憶に転送し、(手段2)さらに、入出力プロセサが実行す
る非同期処理で局所拡張記憶上のデータを主記憶装置に
転送する。
【0010】
【作用】上記並列処理により、データ転送処理時間を演
算処理時間とオーバラップさせ、かつ、演算処理との主
記憶のアクセス競合を(手段1)では全くなし、(手段2)
では局所拡張記憶は共有拡張記憶より高速にアクセスで
きるため、その影響を受ける時間を短縮し、演算時間
(E)の伸びを最小限に抑えることができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の1実施例を図にしたがって説
明する。
【0012】図1は本発明の1実施例である並列プロセ
サシステムの構成を示す。図中、100ないし200は
サブシステム、110は主記憶、112は局所拡張記
憶、130は主記憶制御部、150は局所拡張記憶制御
部、170ないし172はセレクタ、180ないし18
2は命令プロセサ、190ないし192は入出力プロセ
サをそれぞれあらわしている。各サブシステム100な
いし200内の構成はすべて同一である。さらに、30
0は共有拡張記憶、310は共有拡張記憶制御部であ
る。もちろん、共有拡張記憶300に接続するサブシス
テムの数は3組以上でもよい。ここで、複数の拡張記憶
を区別するために、それぞれに識別子ESIDがつけら
れている。本実施例では、サブシステム100内の局所
拡張記憶112にはESID=1が、サブシステム20
0内の局所拡張記憶(図示せず)にはESID=2が、さ
らに、共有拡張記憶300には、ESID=9が設定さ
れているとする。
【0013】以下では、記憶装置間のデータ転送処理に
おいて、それぞれの記憶装置を制御する主記憶制御部1
20、局所拡張記憶制御部150および共有拡張記憶制
御部310の動作を順に説明する。
【0014】まず、主記憶110と命令プロセサ180
および182、あるいは、入出力プロセサ190および
192との間のデータ転送、および主記憶110と局所
拡張記憶150あるいは共有拡張記憶300との間のデ
ータ転送時に主記憶110を制御する主記憶制御部12
0の動作を図2を用いて説明する。
【0015】図中、121ないし122はデータ通信先
の拡張記憶の識別子ESIDを保持するレジスタ、12
3ないし130はANDゲート、131ないし134は
プライオリティ回路、135ないし139はセレクタ、
140ないし141は+mカウンタ、142ないし14
3はアドレス生成部をそれぞれ示している。
【0016】線L1ないし線L4からは、各命令プロセ
サ180および182、あるいは入出力プロセサ192
および192からの主記憶アクセス要求が送られてく
る。この要求情報には、データの通信先が要求元プロセ
サであるのか、または、拡張記憶であるかの情報を含ん
でいる。プライオリティ回路131では、プロセサとの
データ通信要求の場合のプライオリティを決める。プラ
イオリティ回路132では、局所拡張記憶へのデータ転
送要求の場合のプライオリティを決める。プライオリテ
ィ回路133では、共有拡張記憶へのデータ転送要求の
場合のプライオリティを決める。転送先の拡張記憶の区
別は,レジスタ120あるいは122に保持されている
識別子ESID番号との比較により行なう。それぞれの
プライオリティ回路131ないし133の出力により、
セレクタ137ないし139を切り換える。セレクタ1
37ないし139には、線L5ないし線L8を介して、
各命令プロセサ180および182、あるいは入出力プ
ロセサ192および192からのアクセスすべき主記憶
アドレスが送られてきている。データ通信先が拡張記憶
の場合、そのデータ転送は、mバイト単位に複数回くり
かえし、あるまとまった単位(たとえば4KBの整数倍)
で行なわれる。そのために、拡張記憶との間のデータ通
信の場合は、線L5ないし線L8から送られてきたアド
レス情報(たとえば、転送データの先頭アドレスとデー
タ通信量)をもとに主記憶へアクセスするアドレスを生
成する必要がある。この処理を共有拡張記憶に対しては
+mカウンタ140とアドレス生成回路142で行な
い、局所拡張記憶に対しては+mカウンタ141とアド
レス生成回路143で行なう。ここで、生成されたアド
レスは、さらに、プライオリティ回路134で制御され
るセレクタ135を介して、主記憶へ送られ、同じくプ
ライオリティ回路134で制御されるセレクタ136を
介してデータ転送が行なわれる。さらに、線L1ないし
線L4からの要求信号が共有拡張記憶との間のデータ転
送を示している場合、この要求は、プライオリティ回路
133、線L15を介して共有拡張記憶制御部に転送さ
れる。
【0017】つぎに、命令プロセサ180ないし182
で行なう演算処理とは独立に、入出力プロセサ190な
いし192が、サブシステム100内の局所拡張記憶1
50と共有拡張記憶300との非同期データ転送処理を
実現する方法を説明する。
【0018】非同期データ転送処理は、命令プロセサ1
80ないし182が実行したSTARTSUBCHANNEL命令など
の入出力命令により起動された入出力プロセサ190な
いし192により実行される。入出力プロセサ190あ
るいは192はチャネルコマンド語(CCW)のコマンド
により入出力処理を実行する。この入出力処理は、命令
プロセサ180および182の命令実行とは独立に非同
期に行われる。
【0019】拡張記憶間の非同期データ転送処理に使用
するCCWは、図5(a)に示す準備CCWと図5(b)に
示す実行CCWである。図中の数字0および31はビッ
ト位置を示す。
【0020】まずは、共有拡張記憶300から局所拡張
記憶112にデータを転送する場合について説明する。
【0021】準備CCW(図5(a))では、コマンド部
(CMD)で、ここでは共有拡張記憶からの読み出し準備
を指示するとともに、主記憶上におかれた拡張記憶用I
DAW(Indirect Data Address Word)のアドレス(ES
−IDAW アドレス)を示す。このIDAWは拡張記憶
の絶対アドレスを示す。IDAWの形式を図6に示す。
IDAW中、ESIDは拡張記憶を区別する識別子で、
ここではESID=9とし共有拡張記憶300を示す。
拡張記憶ブロックアドレスは拡張記憶装置上の絶対ブロ
ックアドレスを示す。拡張記憶間のデータ転送はブロッ
ク単位(たとえば4KB)で行う。
【0022】一方、実行CCW(図5(b))では、コマン
ド部CMDで、準備CCWのコマンドの実行を指示する
とともに、フラグ、転送ブロック長、ES−IDAW
アドレスを示す。通常のCCWでは、ES−IDAW
アドレスのフィールドにはデータ転送先として主記憶の
アドレスを示すが、ここでは、拡張記憶間のデータ転送
を行うため、このフィールドがES−IDAW アドレ
スを示すことをフラグ内のビットで指定する。
【0023】入出力プロセサ190あるいは192は、
準備CCW、実行CCWを解読し、転送するデータ量
(ブロック長)、拡張記憶アドレスを線L7を介して局所
拡張記憶制御部132に送り、線L3を介してコマンド
(読み出しあるいは書き込み)を局所拡張記憶制御部13
2に送り起動をかける。
【0024】これらCCWで示されたサブシステム10
0内の局所拡張記憶制御部132の動作を図3を用いて
説明する。
【0025】図中、151はデータ通信先の拡張記憶の
識別子ESIDを保持するレジスタ、152ないし15
5はANDゲート、156ないし158はプライオリテ
ィ回路、159ないし162はセレクタ、163は+m
カウンタ、164はアドレス生成部をそれぞれ示してい
る。
【0026】入出力プロセサ190あるいは192から
送られてきたデータ転送要求は、線L3を介して局所拡
張記憶制御部132に送られる。この要求は、共有拡張
記憶との間のデータ転送なので、識別子ESID151
と比較され、プライオリティ回路157でプライオリテ
ィがとられ、セレクタ161を制御し、さらに、線L2
1を介して、この要求は、共有拡張記憶制御部に転送さ
れる。
【0027】アドレス生成部164と+mカウンタ16
4の役割は主記憶制御部120の時と同様である。
【0028】次に、データ転送先である共有拡張記憶3
00について説明する。共有拡張記憶300へのアクセ
スは、複数のサブシステムから行なわれる。サブシステ
ム#1からは、線L21あるいは線L15を介して要求
信号が送られ、線L30を介して共有拡張記憶300上
のアドレス情報が送られる。転送データは線L31を介
して転送しあう。これらの信号線はサブシステム#2か
らも同様に設定されている。線L40あるいは線L41
を介して要求信号が送られ、線L42を介してアドレス
情報が送られる。線L43がデータ転送路である。この
共有記憶300を制御する共有拡張記憶制御部310の
動作を図4を用いて説明する。
【0029】図中、311はプライオリティ回路、31
2ないし313はセレクタ、314は+mカウンタ、3
15はアドレス生成部をそれぞれ示している。
【0030】サブシステム#1あるいはサブシステム#
2から送られてきたデータ転送要求は、プライオリティ
回路311でプライオリティがとられ、セレクタ311
を制御する。アドレス生成部315と+mカウンタ31
4の役割は主記憶制御部120の時と同様である。
【0031】サブシステム#1の局所拡張記憶からの要
求の場合、要求は線L21を介して届き、データは、線
L31を介して転送される。
【0032】この一連の拡張記憶間のデータ転送処理を
行う間、サブシステム100内の各命令プロセサ180
あるいは182は主記憶制御部120を介して主記憶装
置110にアクセスしている。この時、入出力プロセサ
190あるいは192による拡張記憶間のデータ転送処
理によって、命令プロセサ180あるいは182の主記
憶アクセスへの影響はない。
【0033】次に、サブシステム100内において、別
の入出力命令で起動された入出力プロセサにより、局所
拡張記憶112から主記憶110への非同期データ転送
を行う。この処理の手順は、先ほどのように準備CCW
および実行CCWを用いて指定するが、準備CCW(図
5(b))のES−IDAW アドレス フィールドが主記
憶上のアドレスをあらわしているように変更されること
のみが異なる。この非同期データ転送は、各命令プロセ
サ180ないし182の主記憶装置110へのアクセス
に影響を与える。しかし、局所拡張記憶112から主記
憶110へのデータ転送時間は、共有拡張記憶300か
ら主記憶110へのデータ転送時間に比べて短い(共有
拡張記憶300はすべてのサブシステムをサービスする
必要があるため)ので、各命令プロセサの主記憶アクセ
スへの影響を抑えることができる。
【0034】一方、サブシステム100内の主記憶11
0から局所拡張記憶112への非同期データ転送、さら
に、局所拡張記憶112から共有拡張記憶300への非
同期データ転送処理については、準備CCWのコマンド
部(CMD)の内容および実行CCWのコマンド部(CM
D)およびフラグ部の内容を変更する(つまり、データ転
送方向を逆向きにする)だけで実現することができる。
このとき、局所拡張記憶112から読みだされたデータ
は、局所拡張記憶制御部150から線L20、線L3
1、そして、共有記憶制御部310を介して共有拡張記
憶300に書き込まれる。線L20は主記憶110から
共有拡張記憶300にデータ転送する場合に用いる線L
13とセレクタ172を介して線L31に絞られる。セ
レクタ172は、主記憶制御部120および線L15を
介して共有拡張記憶記憶制御部310に送られる要求信
号、あるいは、局所拡張記憶制御部150および線L2
1を介して共有拡張記憶記憶制御部310に送られる要
求信号によって制御される。このセレクタ172によ
り、共有記憶制御部320のポート数を抑えることがで
きる(共有記憶制御部320は複数のサブシステムと接
続する必要があるため)。この拡張記憶間のデータ転送
処理も命令プロセサ180ないし182の主記憶アクセ
スに対して影響を与えない。
【0035】これまでは、拡張記憶間のデータ転送を非
同期型命令で実現する方法を示したが、同様の処理を命
令プロセサで実行する同期型命令で実現することも可能
である。
【0036】同期型命令のフォーマットを図7(a)に示
す。命令コード(OP)は拡張記憶間のデータ転送(MO
VE)を示す。命令で指示された2つのレジスタの内容
を図7(b)に示す。レジスタ(R1)、レジスタ(R2)で
はそれぞれ主記憶上の拡張記憶制御パラメタアドレスを
示す。主記憶上の拡張記憶制御パラメタアドレス1には
データ転送先の拡張記憶絶対アドレスと転送すべきブロ
ック数があらかじめ保持されている。拡張記憶制御パラ
メタアドレス2には、データ転送元の拡張記憶絶対アド
レスがあらかじめ保持されている。この拡張記憶絶対ア
ドレスは、非同期転送の場合と同じく図6のフォーマッ
トをしており、対象とする拡張記憶のESIDとその拡
張記憶内の絶対アドレスを示している。これらの拡張記
憶絶対アドレスのかわりに拡張記憶相対アドレスを用い
る場合もある。このときは、アドレスリロケーションを
行い、拡張記憶相対アドレスをESIDとその拡張記憶
内の絶対アドレスに変換する。このアドレスリロケーシ
ョンの方法については、特開平2−77867に開示さ
れている。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、サブシステム内の局所
拡張記憶と共有拡張記憶間のデータ転送を各命令プロセ
サからの主記憶アクセスに影響を与えずに、並行して行
うことができる。したがって、共有拡張記憶上の共有デ
ータを主記憶に取り込む場合、共有拡張記憶よりは高速
の局所拡張記憶からデータを主記憶に取込むことができ
る。図8(c)にこの場合のタイムチャートを示す。1回
の繰り返し処理が8.5単位となり、台数効果は1.9
倍まで向上する。本発明のような局所拡張記憶と共有拡
張記憶間の直接データ転送を実現することにより、図5
(a)の場合に比べて、11単位から8.5単位と22%
の時間を短縮することができる。これは、本来の演算時
間8単位以外をすべてオーバヘッドとすると,オーバヘ
ッド部分を3単位から0.5単位に83%も削減できる
ことを示している。
【図面の簡単な説明】
【図1】記憶制御部を中心とする並列計算機システムの
構成図。
【図2】主記憶制御部の詳細図。
【図3】局所拡張記憶制御部の詳細図。
【図4】共有拡張記憶制御部の詳細図。
【図5】拡張記憶装置間のデータ転送命令の形式(CC
W)の一例を示す図。
【図6】主記憶上の拡張記憶絶対アドレスフォーマット
の一例を示す図。
【図7】同期型拡張記憶間データ転送命令フォーマット
とその構成図。
【図8】並列処理時の演算処理とデータ転送処理の基本
タイムチャート。
【符号の説明】
100、200…サブシステム、110…主記憶、13
0…主記憶制御部、112…局所拡張記憶、 、1
50…局所拡張記憶制御部、180、182…命令プロ
セサ、190、192…入出力プロセサ、300…共有
拡張記憶、 、310…共有拡張記憶制御部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榊原 忠幸 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 伊藤 昌尚 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】主記憶装置と該主記憶装置に接続され命令
    を実行する少なくとも1つの命令処理装置と少なくとも
    1つの入出力装置とランダムアクセスメモリから構成さ
    れ該主記憶装置の2次記憶として接続される局所拡張記
    憶装置とからなる複数のサブシステムと、ランダムアク
    セスメモリから構成され上記サブシステム間で共有され
    る共有拡張記憶装置とを有する並列処理システムにおい
    て、該局所拡張記憶装置と共有拡張記憶装置間で直接デ
    ータを転送するデータ転送手段を有することを特徴とす
    る並列処理システム。
  2. 【請求項2】上記並列処理システムにおいて、直接、該
    局所拡張記憶装置と該共有拡張記憶装置間でデータを転
    送するために、2つの拡張記憶装置を指定する拡張記憶
    間データ転送命令を設けることを特徴とする特許請求項
    1の並列処理システム。
JP24752392A 1992-09-17 1992-09-17 並列処理システム Pending JPH0696032A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005027154A1 (ja) * 2003-09-11 2005-03-24 Tdk Corporation 高周波用磁性薄膜、その作製方法および磁気素子

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005027154A1 (ja) * 2003-09-11 2005-03-24 Tdk Corporation 高周波用磁性薄膜、その作製方法および磁気素子

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