JPH0687840U - 圧力センサデバイスのパッケージのシーリング構造 - Google Patents
圧力センサデバイスのパッケージのシーリング構造Info
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- JPH0687840U JPH0687840U JP2979893U JP2979893U JPH0687840U JP H0687840 U JPH0687840 U JP H0687840U JP 2979893 U JP2979893 U JP 2979893U JP 2979893 U JP2979893 U JP 2979893U JP H0687840 U JPH0687840 U JP H0687840U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 部品点数が削減され工程が簡略化されるとと
もに、デバイスの信頼性の向上が図られるようにする。 【構成】 多層基板11には内壁11a及び外壁11b
により感圧素子を設置する凹部11c及びアンプICを
設置する凹部11dを形成しておく。その後、両凹部に
感圧素子12及びアンプIC13をダイボンディングす
る。シール用キャップ17を基板11に固着し、感圧素
子設置室11cを形成しながらアンプIC設置室11d
をハーメチックシールする。このとき内壁11aによ
り、感圧素子設置室11cとアンプIC設置室11dと
は分離される。アンプIC設置室11dは完全密閉され
るので、従来必要であった樹脂封止が必要なくなる。
もに、デバイスの信頼性の向上が図られるようにする。 【構成】 多層基板11には内壁11a及び外壁11b
により感圧素子を設置する凹部11c及びアンプICを
設置する凹部11dを形成しておく。その後、両凹部に
感圧素子12及びアンプIC13をダイボンディングす
る。シール用キャップ17を基板11に固着し、感圧素
子設置室11cを形成しながらアンプIC設置室11d
をハーメチックシールする。このとき内壁11aによ
り、感圧素子設置室11cとアンプIC設置室11dと
は分離される。アンプIC設置室11dは完全密閉され
るので、従来必要であった樹脂封止が必要なくなる。
Description
【0001】
本考案は、感圧素子とアンプICとを有する圧力センサデバイスのパッケージ のシーリング構造に関する。
【0002】
一般に、気圧センシング用の圧力センサデバイスは、感圧素子とアンプICと を有している。このような圧力センサデバイスのパッケージングにおいては、感 圧素子はセンシング対象である外気に触れる必要があり、該感圧素子設置領域が 完全に密閉されることはない。これに対して、アンプICはデバイスの信頼性を 考慮すると、該アンプIC設置領域の密閉を行う方が望ましい。よって、従来は アンプIC設置領域のみ樹脂封止して外気から遮断するようにしていた。
【0003】 図4は、従来の圧力センサデバイスのパッケージのシーリング構造の説明図で 、(a) はパッケージの平面図、(b) は(a) のパッケージカバーの内部形状の説明 図、(c) は(a) のC4 −C4 線断面図である。同図を参照して、以下従来のシー リング構造を説明する。
【0004】 同図に示すように、基板41に感圧素子42及びアンプIC43が各々ダイボ ンディングされている。基板41の裏面にはリードフレーム44が配設され、例 えば基板41に穿設されたホール41aを通した配線によって、該リードフレー ム44と上記感圧素子42及びアンプIC43に形成されている各電極とが、ワ イヤ45によりボンディングされ電気的に接続されている。
【0005】 そして、感圧素子42上には該感圧素子42を覆って圧力感知可能な程度にゲ ル状のコーティング用樹脂46が設置されている。さらに、アンプIC43上に も該アンプIC43を覆って同様のコーティング用樹脂47が設置されている。
【0006】 その後、内壁48aにより内部を2区画48b,48cに仕切られたパッケー ジカバー48が基板41に固着され、感圧素子設置室51とアンプIC設置室5 2とが、独立して形成されてパッケージングされる。
【0007】 この場合、感圧素子設置室51上のパッケージカバー48には空気導入口48 dが形成されていて、感圧素子設置室51は外気と導通が図られている。 また、アンプIC設置室52の残りの空間には樹脂49が充填され、該アンプ IC設置室52は完全に密閉される構成である。
【0008】
ところで、図4に示した従来のシーリング構造では、アンプIC設置室52の 密閉は、コーティング用樹脂47の設置、それを覆う樹脂49の充填、さらにパ ッケージカバー48の設置という三重構造によっている。このため、製造上、部 品及び工程数が多くなり、コスト高になってしまうという問題があった。
【0009】 また、上記におけるコーティング用樹脂47の設置は、基板41と樹脂49と の熱膨張率の差により生ずるボンディングワイヤ45へのストレスの低減を目的 としてなされるが、その効果は十分ではなくワイヤ45の切断のおそれという不 良要因が存在し問題となっていた。
【0010】 さらに樹脂封止によるアンプIC設置室52の密閉では、一般に樹脂は吸湿性 が高いから、デバイスの信頼性上好ましくないという問題もあった。 本考案は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その課題は、部品点 数が削減され工程が簡略化されるとともに、デバイスの信頼性の向上も図れるよ うにすることである。
【0011】
本考案は、感圧素子とアンプICとを有する圧力センサデバイスのパッケージ のシーリング構造において、内壁と外壁を有し前記感圧素子を設置する凹部と前 記アンプICを設置する凹部とが形成された基板と、該基板上部に固着されてア ンプIC設置室をハーメチックシールするシール用キャップとを備え、該シール 用キャップが前記基板に固着される際前記内壁により感圧素子設置室と前記アン プIC設置室とが分離されるとともに該アンプIC設置室が密閉されて形成され たことを特徴とする。
【0012】
本考案においては、シール用キャップが基板にハーメチックシールされる際、 内壁により感圧素子設置室とアンプIC設置室とが分離されるとともに、アンプ IC設置室が完全密閉されて形成される。
【0013】 従って、従来と異なり、アンプIC設置室を樹脂で封止する必要がなくなる。 よって、部品点数が削減され、工程が簡略化され、コストが低下する。また、 ワイヤへのストレスの荷重がなくなる。さらに、デバイスの信頼性が向上する。
【0014】
以下、本考案の実施例について、図面を参照しながら説明する。尚、以下の実 施例では、半導体装置を感圧素子とアンプICとを有する圧力センサデバイスを 例にとり説明する。
【0015】 図1は、本考案の第1の実施例のシーリング構造の説明図で、(a) はパッケー ジの平面図、(b) は(a) のB1 −B1 線断面図、(c) は(a) のC1 −C1 線断面 図である。
【0016】 同図に示すように、基板11には、内壁11a及び外壁11bにより各々感圧 素子設置室11c及びアンプIC設置室11dが形成され、各室の底面の基板1 1に感圧素子12及びアンプIC13がダイボンディングされている。
【0017】 本実施例では、基板11には多層基板が用いられている。ここで、基板11は 必ずしも多層基板に限定されることはなく、感圧素子設置室11c及びアンプI C設置室11dが形成された基板であれば適用可能である。しかし、一般に多層 基板は、各層毎に回路パターンを印刷し重ね合わせ圧力を加えた後の焼成により 形成されるから、回路パターンを予め形成できる点、感圧素子設置室11cとア ンプIC設置室11dを形成する内壁11aと外壁11bが基板の多層化の際に 一体形成できる点で有利性がある。
【0018】 また、基板11にはリードフレーム14が配設され、該リードフレーム14に 配線により接続された基板11上のボンディングパッドと感圧素子12及びアン プIC13の各電極とがワイヤ15によりワイヤボンディングされている。
【0019】 さらに、感圧素子12上には該感圧素子12を覆って圧力感知可能な程度にゲ ル状のコーティング用樹脂16が設置され、またアンプIC設置室11dには窒 素ガスまたはドライエアが導入された後、基板11にシール用キャップ17がシ ール材18にて接着されてハーメティックシールされる。
【0020】 基板11にシール用キャップ17が接着された時点で、内壁11aにより感圧 素子室11cとアンプ設置室11dとは完全に分離される。そして、アンプIC 設置室11dはハーメチックシールされ外気と遮断される。尚、シール用キャッ プ17の感圧素子12上部の位置には空気導入口17aが設けられ、感圧素子設 置室11cは外気と導通されている。
【0021】 本実施例は上記のように構成され、基板11とシール用キャップ17とが接着 固定される際、感圧素子設置室11c及びアンプIC設置室11dとが完全に分 離されるとともに、該アンプIC設置室11dがハーメチックシールされる。こ れにより、アンプIC設置室11d内を樹脂封止する必要がなくなる。
【0022】 図4に示したような従来のシーリング構造では、感圧素子設置室51の非密閉 、アンプIC設置室52の密閉の実現のために、アンプIC設置室52において は、基板41とパッケージカバー48間にコーティング用樹脂47の設置、樹脂 49の充填、というように何重にも封止する必要があった。
【0023】 これに対して本実施例では、アンプIC設置室11dは、シール用キャップ1 7の基板11へのハーメチックシールの際完全密閉されるので、従来と異なり樹 脂で封止する必要がなくなる。
【0024】 従って、本実施例によれば、部品点数が削減され、工程が簡略化されて、コス トが低下する。また、樹脂によるボンディングワイヤへのストレスの荷重がなく なる。さらに、樹脂による吸湿の問題が解消され、デバイスの信頼性が向上する 。
【0025】 図2は、本考案の第2の実施例のシーリング構造の説明図で、(a) はパッケー ジの平面図、(b) は(a) のB2 −B2 線断面図、(c) は(a) のC2 −C2 線断面 図である。尚、第2の実施例は、第1の実施例と基本構造は同一であるから、同 一部材には、同一符号付して重複説明は省略し、その差を説明する。
【0026】 同図に示すように、第2の実施例では、基板11の外壁11bに、シール用キ ャップ17を位置決めするための段差11gが形成されていることである。該段 差11gの形成は、基板11に多層基板を用いる場合は、基板の多層化の際に容 易に可能である。
【0027】 上記のような構成とすることにより、第2の実施例は上記第1の実施例が有す る効果に加えて、シール用キャップ17の基板11への接着固定の際の位置決め が容易となる。
【0028】 図3は、本考案の第3の実施例のシーリング構造の説明図で、(a) はパッケー ジの平面図、(b) は(a) のB3 −B3 線断面図、(c) は(a) のC3 −C3 線断面 図である。尚、第3の実施例は、第1の実施例と基本構造は同一であるから、同 一部材には同一符号を付して重複説明は省略し、その差を説明する。
【0029】 同図に示すように、第3の実施例では、基板11側のワイヤボンディング部分 11hの高さが、感圧素子12及びアンプIC13のボンディング面と同じ高さ に形成されていることである。該ワイヤボンディング部分11hの形成は、基板 11に多層基板を用いる場合は、基板の多層化の際に容易に形成できる。
【0030】 上記のような構成とすることにより、第2の実施例は上記第1の実施例が有す る効果に加えて、ボンディング面の高低差が無くなることでボンディング時ワイ ヤへのストレスの荷重が低減される。
【0031】 尚、上記においては、半導体装置を、感圧素子とアンプICとを有する圧力セ ンサデバイスとして説明したが、これに限られることはなく、パッケージングの 際、密閉領域と非密閉領域が形成される半導体装置のパッケージのシーリング構 造にも、本考案を適用できることは勿論である。
【0032】
上記のように、本考案によれば、部品点数が削減され、工程が簡略化されて、 コストが低下する。また、樹脂によるボンディングワイヤへのストレスの荷重が なくなる。さらに、樹脂による吸湿の問題が解消され、デバイスの信頼性が向上 する。
【図1】本考案の第1の実施例のシーリング構造の説明
図で、(a) はパッケージの平面図、(b) は(a) のB1 −
B1 線断面図、(c) は(a) のC1 −C1 線断面図であ
る。
図で、(a) はパッケージの平面図、(b) は(a) のB1 −
B1 線断面図、(c) は(a) のC1 −C1 線断面図であ
る。
【図2】本考案の第2の実施例のシーリング構造の説明
図で、(a) はパッケージの平面図、(b) は(a) のB2 −
B2 線断面図、(c) は(a) のC2 −C2 線断面図であ
る。
図で、(a) はパッケージの平面図、(b) は(a) のB2 −
B2 線断面図、(c) は(a) のC2 −C2 線断面図であ
る。
【図3】本考案の第3の実施例のシーリング構造の説明
図で、(a) はパッケージの平面図、(b) は(a) のB3 −
B3 線断面図、(c) は(a) のC3 −C3 線断面図であ
る。
図で、(a) はパッケージの平面図、(b) は(a) のB3 −
B3 線断面図、(c) は(a) のC3 −C3 線断面図であ
る。
【図4】従来のシーリング構造の説明図で、(a) はパッ
ケージの平面図、(b) は(a) のパッケージカバーの内部
形状の説明図、(c) は(a) のC4 −C4 線断面図であ
る。
ケージの平面図、(b) は(a) のパッケージカバーの内部
形状の説明図、(c) は(a) のC4 −C4 線断面図であ
る。
11 多層基板 11a 内壁 11b 外壁 11c 感圧素子設置室 11d アンプIC設置室 11g 位置決め用段差 11h ワイヤボンディング部 12 感圧素子 13 アンプIC 15 ワイヤ 17 シール用キャップ
Claims (4)
- 【請求項1】 感圧素子とアンプICとを有する圧力セ
ンサデバイスのパッケージのシーリング構造において、 内壁と外壁を有し前記感圧素子を設置する凹部と前記ア
ンプICを設置する凹部とが形成された基板と、 該基板上部に固着されてアンプIC設置室をハーメチッ
クシールするシール用キャップとを備え、 該シール用キャップが前記基板に固着される際前記内壁
により感圧素子設置室と前記アンプIC設置室とが分離
されるとともに該アンプIC設置室が密閉されて形成さ
れたことを特徴とする圧力センサデバイスのパッケージ
のシーリング構造。 - 【請求項2】 前記基板の外壁に前記シール用キャップ
の位置決め用の段差が形成されたことを特徴とする請求
項1記載の圧力センサデバイスのパッケージのシーリン
グ構造。 - 【請求項3】 前記基板側のワイヤボンディング部の高
さと、前記感圧素子及びアンプICのワイヤボンディン
グ面の高さが同じ高さに形成されたことを特徴とする請
求項1または2記載の圧力センサデバイスのパッケージ
のシーリング構造。 - 【請求項4】 前記基板に多層基板が用いられたことを
特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の圧力センサ
デバイスのパッケージのシーリング構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2979893U JPH0687840U (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 圧力センサデバイスのパッケージのシーリング構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2979893U JPH0687840U (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 圧力センサデバイスのパッケージのシーリング構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0687840U true JPH0687840U (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=12286029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2979893U Withdrawn JPH0687840U (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 圧力センサデバイスのパッケージのシーリング構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0687840U (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345417A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Aisin Aw Co Ltd | 電子部品ユニット |
JP2011510276A (ja) * | 2008-01-18 | 2011-03-31 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 圧力センサモジュール |
JP2013513094A (ja) * | 2009-12-04 | 2013-04-18 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | センサーケーシングを備えたセンサ |
JP2014228295A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ装置 |
-
1993
- 1993-06-03 JP JP2979893U patent/JPH0687840U/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345417A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Aisin Aw Co Ltd | 電子部品ユニット |
JP2011510276A (ja) * | 2008-01-18 | 2011-03-31 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 圧力センサモジュール |
JP2013513094A (ja) * | 2009-12-04 | 2013-04-18 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | センサーケーシングを備えたセンサ |
JP2014228295A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19971106 |